JP2883597B2 - Vacuum processing apparatus and semiconductor substrate processing method - Google Patents

Vacuum processing apparatus and semiconductor substrate processing method

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JP2883597B2 JP24011897A JP24011897A JP2883597B2 JP 2883597 B2 JP2883597 B2 JP 2883597B2 JP 24011897 A JP24011897 A JP 24011897A JP 24011897 A JP24011897 A JP 24011897A JP 2883597 B2 JP2883597 B2 JP 2883597B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の利用分野】本発明はエッチング装置、プラズマ
CVD装置、スパッタ装置等の半導体製造工程に適した
真空処理装置及び半導体基板処理方法に関するものであ
る。 【0002】 【発明の背景】最近の半導体製造プロセス技術の進歩は
著しく、ドライエッチング装置においても1μmパター
ンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このよ
うな微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴
って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット
(時間あたりの基板処理枚数)を向上させることおよび
製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題と
なっている。 【0003】このような要求を解決するためには装置を
小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的
処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライ
ン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム
が構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求さ
れるようになってきた。これに対して、従来の、例え
ば、特開昭57−128928号公報に開示されている
ような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合し
たモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気
中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理
途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス
工程への適用にはむかない。 【0004】また、実開昭57−39430号公報に開
示されているようないくつかの真空処理室と一つのバッ
ファ室との間を基板が搬送されて連続的に処理されるよ
うなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更
やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする
自由度がなく、使用しづらいという問題点を有してい
る。 【0005】 【発明の目的】本発明の目的は、半導体製造における基
板の歩留まりを向上するとともに、プロセス変更やライ
ン変更に対応して自由にシステム構成が出来る真空処理
装置及び半導体基板処理方法を提供することにある。 【0006】 【発明の概要】本発明の真空処理装置の特徴は、真空搬
送空間を介して必要な室を連結され基板に対して所定の
処理を行う真空処理室と、真空排気された空間に前記基
板を一枚毎搬入する手段と、前記真空排気された空間に
搬入された基板のオリフラを、該真空排気された空間で
位置合わせする手段と、前記オリフラを合わせられた基
板を、基板処理モードに応じて、前記基板をパラレルに
処理する場合は、前記真空搬送空間を介して前記真空処
理室のそれぞれへ前記基板を搬送し、前記基板をシリー
ズに処理する場合は、前記真空搬送空間を介して前記真
空処理室内の1つから別の真空処理室内へ前記基板を
送する手段と、該搬送されてきた基板を前記真空処理室
内で一枚毎処理する手段、とを具備したことにある。 【0007】本発明の真空処理装置によれば、基板のオ
リフラ合わせを真空排気された空間で実施するので、大
気中のオリフラ合わせに比較して基板の被処理面への塵
埃の積、付着が抑制される。このため、半導体製造に
おける基板の歩留まりを向上出来る。また、オリフラを
合わせられた基板を、基板処理モードに応じて、基板を
パラレルに処理する場合は真空搬送空間を介して真空処
理室のそれぞれへ基板を搬送し、基板をシリーズに処理
する場合は真空搬送空間を介して真空処理室内の1つか
ら別の真空処理室内へ搬送するよう構成されているた
め、プロセス変更やライン変更に対応して自由にシステ
ム構成ができる。 【0008】また、本発明の半導体基板処理方法の特徴
は、カセットから基板を取り出し、該取り出された基板
を真空下で搬送する空間に搬送する工程と、該搬送され
た基板のオリフラを前記空間で合わせる工程と、該オリ
フラを合わせられた基板を、基板処理モードに応じて、
前記基板をパラレルに処理する場合は、前記真空搬送空
間を介して前記真空処理室のそれぞれへ前記基板を搬送
し、前記基板をシリーズに処理する場合は、前記真空搬
送空間を介して前記真空処理室内の1つから別の真空処
理室内へ前記基板を搬送する工程と、該搬送されてきた
基板を前記真空処理室内で一枚毎処理する工程と、前
処理済みの基板を、前記空間を介してカセットに回収す
る工程とを有することにある。 【0009】本発明によれば、オリフラを合わせられた
基板を、基板処理モードに応じて、基板をパラレルに処
理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室のそれぞ
れへ基板を搬送し、基板をシリーズに処理する場合は真
空搬送空間を介して真空処理室内の1つから別の真空処
理室内へ搬送するため、プロセス変更やライン変更に対
応して柔軟に対処できる。 【0010】 【発明の実施例】本発明の一実施例を図1〜図5で説明
する。図1で、真空処理装置は、真空排気可能なバッフ
ァ室10と、バッファ室10に設けられた真空処理室2
0と、基板30を矢印A方向に搬送可能なバッファ室1
0に内設された第1の基板搬送手段(図示省略)と、第
1の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室10の側
壁に設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手段4
0、41と、この場合、真空開閉手段40、41が設け
られた側壁と直角をなし第1の基板搬送手段をはさんで
真空処理室20と対応する側壁に設けられたゲート弁等
の他の真空開閉手段50、51を介してバッファ室10
に具設された真空予備室60と、第1の基板搬送手段と
の間で他の真空開閉手段50、51を介して基板30を
矢印B、C方向に搬送する第2の基板搬送手段(図示省
略)と、第1の基板搬送手段の基板搬送経路上で、か
つ、真空処理室20に対応して設けられた基板受渡手段
(図示省略)と、基板受渡手段と真空処理室20との間
で基板30を矢印D方向に搬送する第3の基板搬送手段
(図示省略)とを有している。なお、この場合、真空予
備室60には、基板カセット70、71を昇降駆動する
カセット昇降装置(図示省略)のカセットテーブル(図
示省略)が昇降可能に他の真空開閉手段50、51と対
応して内設されている。 【0011】第1〜第3の基板搬送手段、基板受渡手段
等を図2で更に詳細に説明する。図2において、第1の
基板搬送手段はベルト搬送装置80であり、ベルト搬送
装置80は、その全体を昇降装置、例えば、シリンダ8
1で昇降駆動されると共に、モータ82でベルト83を
回転駆動される。 【0012】第2の基板搬送手段は、他の真空開閉手段
50、51をはさんで真空予備室60に設けられたベル
ト搬送装置90、100とバッファ室10に設けられた
ベルト搬送装置110、120である。ベルト搬送装置
90のプーリ91、92とプーリ91、92に無端に巻
掛けられたベルト93とは、カセット昇降装置130の
カセットテーブル131に対応し、かつ、カセットテー
ブル131が最高位置まで上昇させられた時点でもその
上方に位置するように配設されている。 【0013】ベルト93はモータ94で回転駆動され
る。ベルト搬送装置110はモータ111でベルト11
2を回転駆動され、ベルト搬送装置110のベルト搬送
装置80側端部は、ベルト搬送装置80のベルト83の
一方の昇降動を阻害しないように、この場合、V字形に
折曲され最終端のプーリ113は、ベルト搬送装置80
のベルト83間に位置するように設けられている。な
お、ベルト搬送装置90のベルト93とベルト搬送装置
110のベルト112とは同一レベルであり、ベルト搬
送装置90とベルト搬送装置110との他の真空開閉手
段50側端の間隔は、基板30の受渡しに支障のない大
きさとなっている。 【0014】ベルト搬送装置100のプーリ101、1
02とプーリ101、102に無端に巻掛けられたベル
ト103とは、ベルト搬送装置90と同様に配設され、
ベルト103はモータ104で回動駆動される。ベルト
搬送装置120はモータ121でベルト122を回転駆
動され、ベルト搬送装置120のベルト搬送装置80側
端部は、ベルト搬送装置110の場合と同様にベルト搬
送装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しないよ
うにV字形に折曲され最終端のプーリ123は、ベルト
搬送装置80のベルト83間に位置するように設けられ
ている。 【0015】なお、ベルト搬送装置100のベルト10
3とベルト搬送装置120のベルト122とは同一レベ
ルであり、ベルト搬送装置100とベルト搬送装置12
0との他の真空開閉手段51側端の間隔は、基板30の
受渡しに支障のない大きさとなっている。また、ベルト
搬送装置110のプーリ113とプーリ113に対応す
るプーリ114との間隔は、基板30の落下を防止して
良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置12
0のプーリ123に対応するプーリ124との間隔も同
様の大きさである。なお、ベルト搬送装置80は、ベル
ト83のレベルがベルト搬送装置110、120のベル
ト112、122のレベル以下並びに以上になるように
昇降駆動される。 【0016】基板受渡手段140は、ベルト搬送装置8
0のベルト83間の寸法より小さい基板テーブル141
と昇降装置、例えば、シリンダ142とで構成されてい
る。基板テーブル141は真空処理室20と対応する位
置で、この場合は、ベルト搬送装置110、120の間
の位置で、ベルト搬送装置80のベルト83間を通過し
シリンダ142で昇降可能に設けられている。 【0017】第3の基板搬送手段は、アーム搬送装置1
50、160である。アーム搬送装置150は、基板す
くい具151とアーム152と回動装置、例えば、パル
スモータ153とで構成されている。パルスモータ15
3は、ベルト搬送装置80と真空処理室20との間で、
かつ、基板受渡手段140の基板テーブル141の中心
と真空処理室20の基板電極21の中心とを結ぶ線の一
方の側(図2では左側)に設けられ、パルスモータ15
3には、アーム152の一端が設けられている。アーム
152の他端には基板すくい具151が設けられてい
る。また、アーム搬送装置160は、基板すくい具16
1とアーム162と回動装置、例えば、パルスモータ1
63とで構成されている。パルスモータ163は、ベル
ト搬送装置80と真空処理室20との間で、かつ、基板
受渡手段140の基板テーブル141の中心と真空処理室
20の基板電極21の中心とを結ぶ線の他方の側(図2
では右側)に設けられ、パルスモータ163には、アー
ム162の一端が設けられている。アーム162の他端
には、基板すくい具161が設けられている。この場
合、基板すくい具151、161、アーム152、16
2の寸法は、基板テーブル141並びに基板電極21に
基板30が載置されている場合、この基板30を基板す
くい具151、161ですくい可能な寸法である。 【0018】また、アーム152、162は、基板すく
い具151、161で基板30を基板テーブル141と
基板電極21との間で搬送可能にパルスモータ153、
163でそれぞれ部分回動される。なお、この場合、ア
ーム152、162の動作平面はアーム152が上面、
アーム162で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置
150で基板30を基板テーブル141から基板電極2
1へ搬送する際に、アーム搬送装置160で基板30を
基板電極21から基板テーブル141へ搬送するのを阻
害しないようになっている。 【0019】カセット昇降装置130は、カセットテー
ブル131と、カセットテーブル131に垂設され下端
部にネジが形成された昇降ロッド132と、モータ13
3で回動駆動される歯車134と、歯車134と噛合し
設けられると共に昇降ロッド132の下端部が螺合され
た歯車135とで構成されている。基板電極21は、ラ
ック・ピニオン機構22を介しモータ23の回動により
昇降駆動される。また、基板電極21の中心部には、基
板支持用の爪24が昇降装置、例えば、シリンダ25で
昇降可能に設けられている。爪24は、その表面が基板
電極21の表面以下になる位置と、アーム搬送装置15
0、160の基板すくい具151、161と基板30を
受渡し可能な位置との間で昇降駆動される。 【0020】図1、図2で示される真空処理装置では、
次のような基板処理を行うことができる。 【0021】まず、他の真空開閉手段50に対応するカ
セットテーブル131は、最下部に下降させられ、他の
真空開閉手段51に対応するカセットテーブル(図示省
略)は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段5
0、51が、例えば、シリンダ52、53の駆動により
閉止されバッファ室10と真空予備室60との連通は気
密に遮断されると共に、真空開閉手段40、41が閉止
又は仕切られてバッファ室10と外部との連通も気密に
遮断される。この状態でバッファ室10は真空排気装置
(図示省略)を作動させることで所定圧力に減圧排気さ
れる。 【0022】一方、真空予備室60には、外部が大気側
である場合は、真空予備室60に設けられた扉等の大気
真空開閉手段(図示省略)を開放することで所定枚数の
基板30が装填された基板カセット(以下、供給カセッ
トと略)70と基板回収用の空の基板カセット(以下、
回収カセットと略)71とが搬入されて、供給カセット
70は他の真空開閉手段50に対応するカセットテーブ
ル131に、回収カセット71は他の真空開閉手段51
に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。 【0023】その後、大気真空開閉手段は閉止され真空
予備室60は、真空排気装置(図示省略)でバッファ室
10の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その
後、シリンダ52の駆動により他の真空開閉手段50が
開放され、これによりバッファ室10と真空予備室60
とは連通状態となる。この状態下で、モータ133を駆
動しカセットテーブル131を1ピッチ分下降させるこ
とで供給カセット70の、この場合、最下部に装填され
た基板30はベルト93に載置される。 【0024】その後、モータ94によりベルト93を回
転駆動することで載置された基板30は他の真空開閉手
段50側へ搬送され、モータ111により回転駆動され
ているベルト112に他の真空開閉手段50を介して渡
される。ベルト112に渡された基板30はベルト搬送
装置80側へ搬送される。なお、このときベルト83の
レベルがベルト112のレベル以下となるようにベルト
搬送装置80全体はシリンダ81により降下させられて
いる。 【0025】その後、基板30がプーリ113、114
にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト83のレベ
ルがベルト112のレベル以上となるようにベルト搬送
装置80全体はシリンダ81により上昇させられ、これ
により基板30はベルト112からベルト83へ渡され
る。ベルト83に渡された基板30は、モータ82の駆
動により基板テーブル141に対応する位置まで搬送さ
れた後に、基板テーブル141をシリンダ142で上昇
させることで基板テーブル141に受取られる。基板テ
ーブル141に受取られた基板30は、例えば、オリフ
ラ合せ装置170でオリフラを合わされる。 【0026】その後、基板30は、例えば、基板のせ具
151に渡されアーム152をパルスモータ153で真
空処理室20側へ回転駆動することで、バッファ室10
を経て真空処理室20の基板電極21の上方へ搬送され
る。その後、爪24をシリンダ25で上昇させること
で、基板のせ具151の基板30は、爪24に受取られ
る。その後、基板30を爪24に渡した基板のせ具15
1は、真空処理室20外のバッファ室10に退避させら
れる。その後、爪24を、その表面が基板電極21の表
面以下となるようにシリンダ25で下降させることで、
基板30は爪24から基板電極21に渡されて載置され
る。 【0027】その後、仕切り用のフランジ180と、フ
ランジ180の裏面とバッファ室10の底壁とに跨設さ
れたベローズ181と、フランジ180を昇降駆動する
昇降装置、例えば、シリンダ182とで構成される仕切
り手段183によりバッファ室10と真空処理室20と
は仕切られる。この状態で、まず、基板電極20と、基
板電極30の上方に対向して真空処理室20に設けられ
た対向電極(図示省略)との電極間隔は、モータ23を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室20には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置(図示省略)の駆動によ
り真空処理室20の圧力は処理圧力に調整される。 【0028】その後、例えば、基板電極21に接続され
た電源、例えば、高周波電源(図示省略)より基板電極
21に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電
極21との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプ
ロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基
板電極21に載置された基板30は、エッチング処理等
所定処理される。この間、供給カセット70からは、上
記した操作により基板30が取り出されベルト搬送装置
110、80で搬送されて基板テーブル141に渡され
オリフラが合わされた後に基板のせ具151に渡され
る。 【0029】真空処理室20での処理が終了した後に仕
切り手段183によるバッファ室10と真空処理室20
の仕切りは解除され、真空処理室20はバッファ室10
と再び連通させられる。その後、基板電極21は、所定
位置まで降下させられ、爪24をシリンダ25で上昇さ
せることで、処理済みの基板30は、基板電極21から
除去され爪24に渡される。その後、基板のせ具161
を爪24に渡された基板30の裏面に対応する位置まで
回転させた後に、爪24をシリンダ25で下降させるこ
とで、処理済みの基板30は基板のせ具161に渡され
る。 【0030】その後、基板のせ具151に渡された基板
30は、基板テーブル141から基板電極21へ、ま
た、基板のせ具161に渡された処理済みの基板30は
基板電極21から基板テーブル141へそれぞれ搬送さ
れる。基板電極21へ搬送された基板30は、上記した
操作により所定処理される。この間、基板テーブル14
1に搬送された処理済みの基板30は、基板テーブル1
41をシリンダ142で下降させることでベルト搬送装
置80のベルト83に渡され、その後、ベルト83、1
22のモータ82、121による回転駆動で他の真空開
閉手段51側へ搬送される。なお、ベルト83からベル
ト122への処理済みの基板30の受渡しは、ベルト1
12からベルト83への基板30の受渡しと逆操作によ
り行われる。シリンダ53の駆動により他の真空開閉手
段51が開放され、モータ104によりベルト103を
回転駆動することで、他の真空開閉手段51側へ搬送さ
れてきた処理済みの基板30は他の真空開閉手段51を
介して真空予備室60に搬入され、その後、カセットテ
ーブルを1ピッチ分上昇させることで回収カセット71
に回収される。 【0031】また、供給カセット70からは上記した操
作により基板30が取り出されベルト搬送装置110、
80で搬送されて基板テーブル141に渡されオリフラ
が合わされた後に基板のせ具151に渡される。 【0032】以上のような操作を繰り返し実施すること
で、供給カセット70からは基板30が1枚毎取り出さ
れ、真空予備室60からバッファ室10を経て真空処理
室20に搬送され、真空処理室20で1枚毎処理され、
処理済みの基板30は、真空処理室20からバッファ室
10を経て真空予備室60に搬送されて1枚毎回収カセ
ット71に回収される。 【0033】図3は、図1、図2で示される真空処理装
置を1モジュールとして真空開閉手段40、41を介し
て2モジュール連設した場合の例を示すものである。な
お、図3での構成部品は、図2のそれと全て同一であ
り、したがって、構成、作用等の説明は省略する。図3
で示される真空処理装置では、図4(a)〜図4(c)
に示すような基板処理を行うことができる。 【0034】即ち、図4(a)に示すように基板30を
連設された真空処理装置の二つの真空処理室20でシリ
ーズ処理することも、図4(b)に示すように、基板3
0を連設された真空処理装置の二つの真空処理室20で
パラレル処理することも、図4(c)に示すように、基
板30を、連設された真空処理装置毎の真空処理室20
でパラレル処理することもできる。 【0035】なおこのような基板処理モードで図4
(a)、(b)に示される基板処理モードの場合、前段
の真空処理装置の真空予備室60に供給カセット(図示
省略)を少なくとも1個セットし、後段の真空処理装置
の真空予備室60に回収カセット(図示省略)を少なく
とも1個セットするようにする。また、図4(c)に示
される基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予
備室60に供給カセット(図示省略)、回収カセット
(図示省略)を各1個セットするようにする。 【0036】また、図1、図2で示される真空処理装置
を1モジュールとして真空開閉手段40、41を介して
2モジュール連設した場合、各真空処理装置における基
板30の搬送はバッファ室10を経ることで行われる。 【0037】更に、図1、図2で示される真空処理装置
を1モジュールとして真空開閉手段40、41を介して
3モジュール以上連設した場合は、図4に示すような基
板処理モードに加えて図5(a)、(b)に示すような
基板処理を行うことができる。 即ち、図5(a)に示
すように、基板30を連設された真空処理装置の前段の
真空処理装置の真空処理室20と、この場合は、中段の
真空処理装置の真空処理室20とで、まず、パラレル処
理し、引続き後段の真空処理装置の真空処理室20でシ
リーズ処理することも、図5(b)に示すように、基板
30を連設された真空処理装置の前段と中段の真空処理
装置の真空処理室20でシリーズ処理すると共に、前段
と後段の真空処理装置の真空処理室20でシリーズ処理
することもできる。 【0038】なお、このような基板処理モードの場合、
前段の真空処理装置の真空予備室60に供給カセット
(図示省略)を2個セットし、後段の真空処理装置の真
空予備室60に回収カセット(図示省略)を2個セット
するようにする。 【0039】また、各真空処理装置の真空処理室20で
基板30をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室60に供給カセットを1個セットし、後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを1個セ
ットするようにする。 【0040】また、各真空処理装置の真空処理室で基板
30をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装置の
真空予備室に供給カセットを少なくとも1個セットし後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少なく
とも1個セットするようにする。 【0041】また、各真空処理装置を独立させそれぞれ
の真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空
処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットと
を各1個セットするようにする。また、図1、図2で示
される真空処理装置を1モジュールとして真空開閉手段
40、41を介して3モジュール以上連設した場合で
も、各真空処理装置における基板30の搬送は、バッフ
ァ室10を経ることで行われる。 【0042】本実施例のような真空処理装置では、次の
ような効果が得られる。 (1)プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室
数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。 (2)基板は真空排気されているバッファ室を経て次の
真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理
室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用
できる。 (3)第2の基板搬送手段と第3の基板搬送手段とを平
行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることがで
き、多モジュール構成がし易くなっている。 (4)真空予備室を真空排気可能なカセット室としてい
るので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることがで
き、多モジュールシステムでは、1モジュールに2個の
カセットをセットすることも可能でスループット向上時
のカセットセット時間間隔を長くすることができる。 (5)第3の基板搬送手段として動作平面の異なるアー
ム搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬
入、搬出を同時に行うことができるので、スループット
を向上できる。 (6)多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレ
ル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合わ
せ床面積当りのスループットを向上させることができ
る。 (7)バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積
は、基板が1枚通過可能な面積であればよく、したがっ
て、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロ
セスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装
置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。 【0043】なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくし
て、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、
図6に示すように、真空予備室60′を例えば、真空開
閉手段40を介してバッファ室10に具設すると共に、
矢印A方向に基板30を搬送する第1の基板搬送手段で
あるベルト搬送装置(図示省略)との間で真空開閉手段
40を介して矢印E方向に基板30を受渡し可能に第2
の基板搬送手段であるベルト搬送装置(図示省略)を真
空予備室60′に設けるようにする。この場合、他の真
空開閉手段は不用である。 【0044】以上、説明した実施例では、真空予備室を
供給カセット、回収カセットが外部より搬入されてセッ
トされるような真空予備室としているが、特に、このよ
うな真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カ
セット、回収カセットを真空予備室に固定してセット
し、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると
共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットか
ら取り出して外部へ搬出するようにしても良い。 【0045】また、第1の基板搬送手段は、ベルト搬送
装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段
との間で搬送するようなものであれば良い。また、第2
の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、ア
ームが直進するアーム搬送装置、アームが回動するアー
ム搬送装置等を用いても良い。 【0046】 【発明の効果】本発明によれば、基板のオリフラ合わせ
を真空排気された空間で実施するので、大気中のオリフ
ラ合わせに比較して基板の被処理面への塵埃の積、付
着が抑制される。このため、半導体製造における基板の
歩留まりを向上出来る。 【0047】また、オリフラを合わせられた基板を、基
板処理モードに応じて、基板をパラレルに処理する場合
は真空搬送空間を介して真空処理室のそれぞれへ基板を
搬送し、基板をシリーズに処理する場合は真空搬送空間
を介して真空処理室内の1つから別の真空処理室内へ搬
送するため、プロセス変更やライン変更に対応して柔軟
に対処できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to an etching apparatus and a plasma.
Suitable for semiconductor manufacturing processes such as CVD equipment and sputtering equipment
The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a semiconductor substrate processing method.
You. [0002] BACKGROUND OF THE INVENTION Recent advances in semiconductor manufacturing process technology
Remarkably, 1μm pattern even in dry etching equipment
A model for processing garbage has appeared and is receiving attention. This
As the miniaturization progresses, the substrate becomes larger in diameter.
Is the throughput per occupied floor area of semiconductor manufacturing equipment
(Number of substrates processed per hour) and
A major challenge is to respond to the diversification of manufacturing process technology.
Has become. In order to solve such a demand, an apparatus must be used.
Miniaturized and versatile using multiple vacuum processing chambers
Processing needs to be performed, and
System by freely changing the number of vacuum processing chambers
Requires vacuum processing modules that can be configured or organized.
It has come to be. In contrast, the conventional
For example, it is disclosed in JP-A-57-128828.
Combine such a vacuum processing chamber with a substrate transfer line in the atmosphere
Air with poor cleanliness with a type that can add additional modules
The substrate is transported to the next vacuum processing chamber through
A process that takes over the processing to the next vacuum processing chamber on the way
Not suitable for process application. Further, Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-39430 discloses
Several vacuum chambers and one bag as shown
The substrate is transported between the vacuum chamber and is continuously processed.
For such types, the number of vacuum processing chambers is fixed and process changes
Or change the number of vacuum processing chambers in response to changes in line or line
Lack of flexibility and difficult to use
You. [0005] OBJECTS OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide
While improving the board yield,Process changes and licenses
System configuration freely in response toPossible vacuum processing
An object of the present invention is to provide an apparatus and a semiconductor substrate processing method. [0006] SUMMARY OF THE INVENTION The feature of the vacuum processing apparatus of the present invention is that
The required chambers are connected via the transfer space and
A vacuum processing chamber for processing, and a
Means for loading each plate one by one, and into the evacuated space
The orientation flat of the loaded substrate is moved in the evacuated space.
Positioning means, and a base having the orientation flat
The board is moved in parallel according to the substrate processing mode.
When processing, the vacuum processing is performed via the vacuum transfer space.
Transporting the substrate to each of the laboratories,
In the case where the processing is performed in a vacuum,
Empty processing roomThe substrate from one of the above into another vacuum processing chamberCarrying
Means for transferring, and the transferred substrate to the vacuum processing chamber.
And means for processing one sheet at a time. According to the vacuum processing apparatus of the present invention, the substrate processing
RiffLagoThe operation is performed in a evacuated space.
Orifice in the airLagoDust on the surface of the substrate
DustyBankProduct and adhesion are suppressed. For this reason, semiconductor manufacturing
PutBoardThe yield can be improved.In addition,
The combined substrate is processed according to the substrate processing mode.
When processing in parallel, vacuum processing via the vacuum transfer space
Transferring substrates to each of the laboratory and processing the substrates into series
If you want to use one of the vacuum processing chambers through the vacuum transfer space
Are transported to another vacuum processing chamber.
System in response to process and line changes.
System configuration. Further, the features of the semiconductor substrate processing method of the present invention.
Removes the substrate from the cassette and removes the substrate
Transporting to a space for transporting under vacuum, the transported
Aligning the orientation flat of the substrate in the space,
Depending on the substrate processing mode,
When processing the substrate in parallel, the vacuum transfer air
The substrate is transferred to each of the vacuum processing chambers through the space
When processing the substrates in series, the vacuum transfer
From one of the vacuum processing chambers to another vacuum processing chamber via a transfer space.
Transporting the substrate into a laboratory, and
Processing a substrate one by one in the vacuum processing chamber;,PreviousRecord
The processed substrates are collected in a cassette via the space.
And a step of [0009]ClearlyAccording toOri-Fla
Substrates are processed in parallel according to the substrate processing mode.
When processing, each of the vacuum processing chamber through the vacuum transfer space
True when transferring substrates to
Vacuum processing from one of the vacuum processing chambers through the empty transfer space
Since it is transported into the laboratory, it is not
Can respond flexibly. [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
I do. In FIG. 1, the vacuum processing apparatus is a buffer that can be evacuated.
Chamber 10 and a vacuum processing chamber 2 provided in the buffer chamber 10.
0 and the buffer chamber 1 capable of transporting the substrate 30 in the direction of arrow A.
0, a first substrate transfer means (not shown) provided inside
1 side of the buffer chamber 10 corresponding to both ends of the substrate transfer means.
Vacuum opening / closing means 4 such as a gate valve and a partition provided on the wall
0, 41, and in this case, vacuum opening / closing means 40, 41 are provided.
At right angles to the side wall and sandwich the first substrate transfer means
Gate valve and the like provided on the side wall corresponding to the vacuum processing chamber 20
Buffer chamber 10 via other vacuum opening / closing means 50, 51.
Vacuum preparatory chamber 60 provided in
Between the substrate 30 via the other vacuum opening / closing means 50, 51.
Second substrate transfer means for transferring in the directions of arrows B and C (not shown)
Omitted) on the substrate transfer path of the first substrate transfer means.
And a substrate delivery means provided corresponding to the vacuum processing chamber 20
(Not shown), between the substrate delivery means and the vacuum processing chamber 20
Substrate transfer means for transferring the substrate 30 in the direction of arrow D by using
(Not shown). In this case, the vacuum
In the storage room 60, the substrate cassettes 70 and 71 are driven up and down.
Cassette table of cassette elevating device (not shown)
(Not shown) is paired with other vacuum opening / closing means 50 and 51 so as to be able to move up and down.
It is installed accordingly. [0011] First to third substrate transfer means, substrate delivery means
Are described in more detail with reference to FIG. In FIG. 2, the first
The substrate transfer means is a belt transfer device 80,
The device 80 is entirely composed of a lifting device, for example, a cylinder 8
1 and the motor 82 drives the belt 83
It is driven to rotate. [0012] The second substrate transfer means is another vacuum opening / closing means.
A bell provided in the vacuum preparatory chamber 60 sandwiching 50 and 51
Transfer devices 90 and 100 and the buffer chamber 10.
They are belt conveyance devices 110 and 120. Belt transport device
90 endlessly wound around pulleys 91 and 92 and pulleys 91 and 92
The hung belt 93 corresponds to the cassette elevating device 130.
Corresponds to the cassette table 131 and
Even when Bull 131 is raised to the highest position,
It is arranged so as to be located above. The belt 93 is driven to rotate by a motor 94.
You. The belt conveying device 110 uses the motor 111 to drive the belt 11
2, the belt is conveyed by the belt conveying device 110
The end of the device 80 on the side of the belt 83 of the belt conveying device 80
In this case, a V-shaped
The pulley 113 at the end of the bending is connected to the belt conveying device 80.
Are provided between the belts 83. What
The belt 93 of the belt transport device 90 and the belt transport device
110 is at the same level as the belt 112,
Another vacuum opening / closing hand between the feeding device 90 and the belt conveying device 110
The distance between the end of the step 50 and the end of the step 50 is large enough to prevent the transfer of the substrate 30
It has become a size. The pulleys 101, 1 of the belt conveying device 100
02 and a bell wound endlessly on pulleys 101 and 102
The belt 103 is disposed in the same manner as the belt conveying device 90,
The belt 103 is driven to rotate by a motor 104. belt
The transport device 120 rotates the belt 122 with the motor 121.
Is moved to the side of the belt conveying device 80 of the belt conveying device 120.
The end is the same as the belt conveying device 110.
Do not hinder one of the movements of the belt 83 of the feeding device 80.
And the pulley 123 at the final end is bent into a V-shape.
Provided between the belts 83 of the transfer device 80.
ing. The belt 10 of the belt conveying device 100
3 and the belt 122 of the belt conveying device 120 have the same level.
The belt transport device 100 and the belt transport device 12
0 and the other end of the vacuum opening / closing means 51 on the side
It is a size that does not hinder delivery. Also the belt
The pulley 113 of the transfer device 110 corresponds to the pulley 113.
To prevent the substrate 30 from falling.
It is of a size that can be delivered well, and the belt transport device 12
The distance between the pulley 123 and the pulley 123 corresponding to the
Size. Note that the belt conveying device 80 is a bell
83 is at the level of the belt conveyors 110 and 120
So that they are below and above the level of
It is driven up and down. The substrate delivery means 140 is provided in the belt conveying device 8.
Substrate table 141 smaller than the dimension between belts 83
And a lifting device, for example, a cylinder 142.
You. The substrate table 141 has a position corresponding to the vacuum processing chamber 20.
In this case, between the belt conveying devices 110 and 120
At a position between the belts 83 of the belt conveying device 80.
The cylinder 142 is provided so as to be able to move up and down. The third substrate transfer means includes an arm transfer device 1
50 and 160. The arm transfer device 150
A stake 151, an arm 152, and a rotating device, for example, a pallet
And a motor 153. Pulse motor 15
3 is between the belt transfer device 80 and the vacuum processing chamber 20,
The center of the substrate table 141 of the substrate delivery means 140
Of the line connecting the center of the substrate electrode 21 of the vacuum processing chamber 20
2 (the left side in FIG. 2), and the pulse motor 15
3 is provided with one end of an arm 152. arm
A board scooping tool 151 is provided at the other end of 152.
You. Further, the arm transfer device 160 is provided with the board rake tool 16.
1, an arm 162 and a rotating device, for example, the pulse motor 1
63. The pulse motor 163 is a bell
Between the transfer device 80 and the vacuum processing chamber 20 and the substrate
Center of substrate table 141 of delivery means 140 and vacuum processing chamber
The other side of the line connecting the center of the substrate electrode 21 of FIG.
On the right), and the pulse motor 163 has an arm
One end of the system 162 is provided. The other end of the arm 162
Is provided with a board scooping tool 161. This place
In this case, the board scooping tools 151 and 161 and the arms 152 and 16
The size of 2 corresponds to the substrate table 141 and the substrate electrode 21.
When the substrate 30 is mounted, the substrate 30 is
It is a dimension that can be scooped with the scoops 151 and 161. Further, the arms 152 and 162 are used to remove the substrate.
The substrate 30 is connected to the substrate table 141 with the tools 151 and 161.
A pulse motor 153 capable of being conveyed to and from the substrate electrode 21;
At 163, each is partially rotated. In this case, a
The operation plane of the arms 152 and 162 is as follows.
The arm 162 is different from the lower surface.
At 150, the substrate 30 is moved from the substrate table 141 to the substrate electrode 2.
1 is transferred to the substrate 30 by the arm transfer device 160.
The transfer from the substrate electrode 21 to the substrate table 141 is prevented.
It does not hurt. The cassette elevating device 130 includes a cassette table
Table 131 and the lower end of the cassette table 131
Lifting and lowering rod 132 having a thread formed in
3, the gear 134 is driven to rotate, and meshes with the gear 134.
The lower end of the lifting rod 132 is screwed
Gear 135. The substrate electrode 21 is
Rotation of the motor 23 via the pinion mechanism 22
It is driven up and down. The base of the substrate electrode 21 is
The plate supporting claw 24 is moved by an elevating device, for example, a cylinder 25.
It is provided to be able to move up and down. The surface of the nail 24 is a substrate.
The position below the surface of the electrode 21 and the arm transfer device 15
0, 160 board scooping tools 151, 161 and the board 30
It is moved up and down between the transferable positions. In the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2,
The following substrate processing can be performed. First, the power corresponding to the other vacuum opening / closing means 50 will be described.
The set table 131 is lowered to the bottom, and the other
Cassette table corresponding to the vacuum opening / closing means 51 (not shown)
Abbreviation) is raised to the top. Other vacuum switching means 5
0, 51, for example, by driving the cylinders 52, 53
The communication between the buffer chamber 10 and the vacuum preparatory chamber 60 is closed.
Closed tightly, and vacuum opening / closing means 40, 41 closed
Or it is partitioned and the communication between the buffer chamber 10 and the outside is airtight.
Will be shut off. In this state, the buffer chamber 10 is evacuated.
(Not shown) to reduce the pressure to a predetermined pressure.
It is. On the other hand, the outside of the vacuum preliminary chamber 60 is on the atmosphere side.
, The atmosphere such as a door provided in the pre-vacuum chamber 60
By opening the vacuum opening / closing means (not shown),
A substrate cassette loaded with the substrates 30 (hereinafter referred to as a supply cassette)
70) and an empty substrate cassette for collecting substrates (hereinafter, referred to as a substrate cassette).
(Abbreviated as a collection cassette) 71 is loaded into the supply cassette.
70 is a cassette table corresponding to the other vacuum opening / closing means 50
The collection cassette 71 includes another vacuum opening / closing unit 51.
Are placed on the cassette tables corresponding to. Thereafter, the atmospheric vacuum switching means is closed and the vacuum
The preliminary chamber 60 is provided with a buffer chamber by a vacuum exhaust device (not shown).
The pressure is reduced and evacuated to a pressure approximately equal to the pressure of 10. That
Thereafter, the other vacuum opening / closing means 50 is driven by the driving of the cylinder 52.
The buffer chamber 10 and the vacuum preparatory chamber 60 are opened.
Becomes a communication state. In this state, the motor 133 is driven.
To lower the cassette table 131 by one pitch.
The supply cassette 70 is loaded at the bottom in this case.
The substrate 30 is placed on a belt 93. Thereafter, the belt 93 is rotated by the motor 94.
The substrate 30 placed by being rolled is driven by another vacuum switch.
It is conveyed to the step 50 side and is rotationally driven by the motor 111.
To another belt 112 via another vacuum opening / closing means 50.
Is done. The substrate 30 transferred to the belt 112 is transported by a belt.
It is transported to the device 80 side. At this time, the belt 83
Belt so that the level is below the level of belt 112
The entire transfer device 80 is lowered by the cylinder 81
I have. After that, the substrate 30 is moved to the pulleys 113 and 114.
When the belt 83 is transported to such an extent that
Belt transport so that the level is higher than the level of belt 112
The entire device 80 is raised by a cylinder 81, which
The substrate 30 is transferred from the belt 112 to the belt 83 by
You. The substrate 30 passed over the belt 83 is driven by a motor 82.
To the position corresponding to the substrate table 141
The substrate table 141 is moved up by the cylinder 142
Then, it is received by the substrate table 141. Board
The substrate 30 received by the cable 141 is, for example, an orifice.
The orientation flat is aligned by the alignment device 170. Thereafter, the substrate 30 is, for example,
151 and the arm 152 is
By rotating to the empty processing chamber 20 side, the buffer chamber 10 is rotated.
Through the substrate electrode 21 of the vacuum processing chamber 20
You. Then, raise the pawl 24 with the cylinder 25.
Then, the substrate 30 of the substrate placing tool 151 is received by the claw 24.
You. After that, the substrate placing tool 15 with the substrate 30 passed over the nail 24
1 is the evacuation in the buffer chamber 10 outside the vacuum processing chamber 20.
It is. Then, the nail 24 is placed on the surface of the substrate electrode 21.
By lowering with the cylinder 25 so that it is below the surface,
The substrate 30 is passed from the nail 24 to the substrate electrode 21 and placed thereon.
You. Thereafter, a partition flange 180 and a flange
It is laid on the back surface of the flange 180 and the bottom wall of the buffer chamber 10.
Drive the bellows 181 and the flange 180
A partition composed of a lifting device, for example, a cylinder 182
Buffer chamber 10 and vacuum processing chamber 20
Are separated. In this state, first, the substrate electrode 20 and the base
The vacuum processing chamber 20 is provided so as to face above the plate electrode 30.
The distance between the electrode and the counter electrode (not shown) is
It is adjusted to an appropriate interval by driving. Then true
The process gas is introduced into the empty processing chamber 20 by adjusting the flow rate.
And driven by a vacuum exhaust device (not shown).
The pressure in the vacuum processing chamber 20 is adjusted to the processing pressure. Thereafter, for example, a connection is made to the substrate electrode 21.
Substrate electrode from a power supply, for example, a high frequency power supply (not shown).
By applying high-frequency power to the counter electrode 21 and the substrate electrode,
A glow discharge is generated between the electrode 21 and the electrode 21 and the discharge causes a glow discharge.
The process gas is turned into plasma. With this plasma
The substrate 30 placed on the plate electrode 21 is subjected to an etching process or the like.
Predetermined processing is performed. During this time, the supply cassette 70
The substrate 30 is taken out by the operation described above,
It is transported at 110 and 80 and passed to the substrate table 141.
After the orientation flat is aligned, it is passed to the
You. After the processing in the vacuum processing chamber 20 is completed,
Buffer chamber 10 and vacuum processing chamber 20 by cutting means 183
Is released, and the vacuum processing chamber 20 becomes the buffer chamber 10
Is again communicated with. Thereafter, the substrate electrode 21 is
The claw 24 with the cylinder 25
As a result, the processed substrate 30 is separated from the substrate electrode 21 by
It is removed and passed to the nail 24. Then, the substrate mounting tool 161
To the position corresponding to the back surface of the substrate 30 passed to the nail 24.
After rotating, lower the pawl 24 with the cylinder 25.
Then, the processed substrate 30 is transferred to the substrate placing tool 161.
You. After that, the substrate passed to the substrate placing tool 151
Reference numeral 30 denotes a substrate from the substrate table 141 to the substrate electrode 21.
The processed substrate 30 passed to the substrate placing tool 161 is
Transported from the substrate electrode 21 to the substrate table 141, respectively.
It is. The substrate 30 transported to the substrate electrode 21 is as described above.
The predetermined processing is performed by the operation. During this time, the substrate table 14
The processed substrate 30 transported to the substrate table 1
41 is lowered by the cylinder 142 so that the belt
Is passed to the belt 83 of the device 80, and then the belts 83, 1
Another vacuum is opened by the rotation drive by the 22 motors 82 and 121.
It is conveyed to the closing means 51 side. Note that the belt 83
Delivery of the processed substrate 30 to the belt 122
The transfer of the substrate 30 from the belt 12 to the belt 83 and the reverse operation.
Is performed. Another vacuum opening / closing hand by driving the cylinder 53
The step 51 is opened, and the belt 103 is
By being driven to rotate, it is transported to another vacuum opening / closing means 51 side.
The processed substrate 30 is processed by another vacuum opening / closing means 51.
Through the pre-vacuum chamber 60, and then the cassette
The collection cassette 71 is raised by raising the cable by one pitch.
Will be collected. The above-described operation is performed from the supply cassette 70.
The substrate 30 is taken out by the operation, and the belt transport device 110,
80 and transferred to the substrate table 141 for orientation flat
After they are combined, they are transferred to the substrate placing tool 151. Repeating the above operation
The substrate 30 is taken out of the supply cassette 70 one by one.
Vacuum processing from the pre-vacuum chamber 60 through the buffer chamber 10
Transported to the chamber 20 and processed one by one in the vacuum processing chamber 20,
The processed substrate 30 is transferred from the vacuum processing chamber 20 to the buffer chamber.
10 and transferred to the vacuum preparatory chamber 60 to collect
And is collected in the slot 71. FIG. 3 shows the vacuum processing apparatus shown in FIGS.
Unit as one module via vacuum opening / closing means 40, 41
2 shows an example of a case where two modules are continuously provided. What
The components in FIG. 3 are all the same as those in FIG.
Therefore, description of the configuration, operation, and the like is omitted. FIG.
4 (a) to 4 (c)
Can be performed. That is, as shown in FIG.
In two vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing apparatus
4B, as shown in FIG.
0 in two vacuum processing chambers 20 of a vacuum processing apparatus connected in series.
Parallel processing can also be performed as shown in FIG.
The plate 30 is connected to the vacuum processing chamber 20 of each of the vacuum processing apparatuses connected in series.
Can be processed in parallel. In such a substrate processing mode, FIG.
In the case of the substrate processing mode shown in FIGS.
Supply cassette (not shown) in the vacuum preparatory chamber 60 of the vacuum processing apparatus.
(Omitted) is set at least, and a vacuum processing device at the subsequent stage
Collection cassettes (not shown) in vacuum pre-chamber 60
Set one for each. Also, as shown in FIG.
In the substrate processing mode, the vacuum
Supply cassette (not shown), collection cassette in storage room 60
(Not shown) are set one each. The vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2
As one module via vacuum opening / closing means 40 and 41
When two modules are connected in a row,
The transport of the plate 30 is performed by passing through the buffer chamber 10. Further, the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2
As one module via vacuum opening / closing means 40 and 41
If three or more modules are installed in a row,
In addition to the plate processing mode, as shown in FIGS.
Substrate processing can be performed. That is, as shown in FIG.
As shown in FIG.
The vacuum processing chamber 20 of the vacuum processing apparatus and, in this case, the middle stage
First, the parallel processing is performed with the vacuum processing chamber 20 of the vacuum processing apparatus.
Then, in the vacuum processing chamber 20 of the subsequent vacuum processing apparatus,
Release processing can also be performed as shown in FIG.
Vacuum processing at the front and middle stages of a vacuum processing apparatus with 30 units connected in series
Series processing in the vacuum processing chamber 20 of the apparatus
And series processing in the vacuum processing chamber 20 of the subsequent vacuum processing device
You can also. In the case of such a substrate processing mode,
Supply cassette to vacuum preparatory chamber 60 of the preceding vacuum processing apparatus
(Not shown) are set in two, and the true vacuum processing equipment
Two collection cassettes (not shown) set in the empty spare room 60
To do it. In the vacuum processing chamber 20 of each vacuum processing apparatus,
When the substrate 30 is processed in series, the vacuum processing equipment in the preceding stage is used.
One supply cassette is set in the vacuum preparatory chamber 60, and
One collection cassette is placed in the vacuum pre-chamber
To make sure that Further, the substrate is placed in a vacuum processing chamber of each vacuum processing apparatus.
30 in parallel processing, the vacuum
After setting at least one supply cassette in the vacuum spare chamber
Fewer collection cassettes in the vacuum preparatory chamber of the stage vacuum processing equipment
Set one for each. Further, each vacuum processing apparatus is made independent and
When processing substrates in parallel in a vacuum processing chamber,
Supply cassettes and recovery cassettes in the pre-vacuum chamber of the processing equipment
Are set one by one. Also, shown in FIG. 1 and FIG.
Opening / closing means using a vacuum processing apparatus as one module
In the case of connecting three or more modules via 40 and 41
The transfer of the substrate 30 in each vacuum processing apparatus is performed by a buffer.
This is performed by passing through the locker room 10. In the vacuum processing apparatus of this embodiment, the following
Such effects can be obtained. (1) Vacuum processing chamber in response to process changes and line changes
The system can be configured or organized by freely changing the number. (2) The substrate passes through the evacuated buffer chamber and
Since it is transported to the vacuum processing chamber, the next vacuum processing
Applicable to process steps that take over processing to the room without any problems
it can. (3) Flatten the second substrate transport means and the third substrate transport means.
The line can reduce the width of the front of the vacuum processing equipment.
In this case, a multi-module configuration is easy. (4) The pre-vacuum chamber is a cassette chamber that can be evacuated.
Therefore, the depth dimension of the vacuum processing device can be reduced.
In a multi-module system, two
Cassettes can be set to improve throughput
The time interval for setting the cassette can be extended. (5) An arc having a different operation plane as the third substrate transfer means.
Transporting substrates to the vacuum processing chamber
Since the loading and unloading can be performed simultaneously, the throughput
Can be improved. (6) Series processing or parallel processing by multiple modules
Processing can be performed, which is compatible with downsizing of vacuum processing equipment.
Can increase the throughput per floor area
You. (7) Opening area of vacuum opening / closing means provided in buffer chamber
Should be an area through which one substrate can pass.
In the case of multiple modules, the residual process between vacuum processing
Process gas is hardly mixed.
Independence of the process gas from the process gas. It should be noted that the depth dimension of the vacuum processing apparatus was reduced.
In addition, when aiming for continuous integrated processing with other equipment,
As shown in FIG. 6, the vacuum preliminary chamber 60 '
While being provided in the buffer chamber 10 via the closing means 40,
A first substrate transport unit that transports the substrate 30 in the direction of arrow A
Vacuum opening / closing means between a certain belt conveyance device (not shown)
The substrate 30 can be transferred in the direction of arrow E through the second
Of the belt transfer device (not shown),
The empty spare room 60 'is provided. In this case, the other true
An empty opening / closing means is unnecessary. In the embodiment described above, the vacuum spare chamber is
Supply cassettes and collection cassettes are loaded from outside and
The vacuum preparatory chamber is designed to be
It is not necessary to limit to such a vacuum spare chamber. For example, supply
Set and set the recovery cassette in the vacuum spare chamber
When a predetermined number of substrates are loaded into the supply cassette from outside,
In both cases, the substrates collected in the collection cassette
May be taken out and carried out. Further, the first substrate transfer means includes a belt transfer
Vacuum opening / closing means provided for the substrate in the buffer chamber in addition to the device
What is necessary is just a thing which conveys between. Also, the second
In addition to the belt transport device, the substrate transport means of
Arm transfer device for moving the arm straight, arm for rotating the arm
For example, a memory transfer device or the like may be used. [0046] Effect of the InventionClearlyAccording to the substrate orificeLagoLet
Is performed in a evacuated space.
LagoDust on the processed surface of the substrateBankProduct
Wear is suppressed. For this reason, in semiconductor manufacturingBoard
The yield can be improved. Also,The substrate with orientation flat
When processing substrates in parallel according to the plate processing mode
Transfer the substrates to each of the vacuum processing chambers through the vacuum transfer space.
Vacuum transfer space when transferring and processing substrates in series
From one of the vacuum processing chambers to another vacuum processing chamber via
For flexible process and line changes
Can deal with.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明による真空処理装置の一実施例を示す平
面図。 【図2】図1の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成
図。 【図3】図1の真空処理装置を2モジュール連設した真
空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。 【図4】(a)ないし(c)は、2モジュール真空処理
装置での基板処理モード図。 【図5】(a)、(b)は、3モジュール真空処理装置
での他の基板処理モード図。 【図6】本発明による真空処理装置の他の実施例を示す
平面図。 【符号の説明】 10…バッファ室、20…真空処理室、30…基板、4
0、41…真空開閉手段、50、51…他の真空開閉手
段、60、60′…真空予備室、80ないし120…ベ
ルト搬送装置、140…基板受渡手段、150、160
…アーム搬送装置
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a vacuum processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a perspective configuration diagram of a substrate transfer unit of the vacuum processing apparatus of FIG. FIG. 3 is a perspective view of a substrate transfer means of a vacuum processing apparatus in which two modules of the vacuum processing apparatus of FIG. 1 are connected in series. 4A to 4C are substrate processing mode diagrams in a two-module vacuum processing apparatus. FIGS. 5A and 5B are other substrate processing mode diagrams in a three-module vacuum processing apparatus. FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the vacuum processing apparatus according to the present invention. [Description of References] 10: buffer chamber, 20: vacuum processing chamber, 30: substrate, 4
0, 41: Vacuum opening / closing means, 50, 51: Other vacuum opening / closing means, 60, 60 ': Vacuum spare chamber, 80 to 120: Belt transfer device, 140: Substrate delivery means, 150, 160
… Arm transfer device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭57−149748(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/68 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Fumio Shibata 794, Higashi Toyoi, Kazamatsu, Kudamatsu City, Yamaguchi Prefecture Inside Hitachi, Ltd. Kasado Plant (72) Inventor, Tsunehiko Tsunehiko 794, Higashi Toyoi, Kudamatsu City, Yamaguchi Prefecture, Ltd.Hitachi Co., Ltd. In the Kasado Plant (72) Inventor Keno Kanai 794, Higashi-Toyoi, Kazamatsu City, Yamaguchi Prefecture Inside the Kasado Plant Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-57-149748 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/68

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.真空搬送空間を介して必要な室を連結され基板に対
して所定の処理を行う真空処理室と、 真空排気された空間に前記基板を一枚毎搬入する手段
と、 前記真空排気された空間に搬入された基板のオリフラ
を、該真空排気された空間で位置合わせする手段と、 前記オリフラを合わせられた基板を、基板処理モードに
応じて、前記基板をパラレルに処理する場合は、前記真
空搬送空間を介して前記真空処理室のそれぞれへ前記基
板を搬送し、前記基板をシリーズに処理する場合は、前
記真空搬送空間を介して前記真空処理室内の1つから別
の真空処理室内へ前記基板を搬送する手段と、 該搬送されてきた基板を前記真空処理室内で一枚毎処理
する手段、 とを具備したことを特徴とする真空処理装置。 2.カセットから基板を取り出し、該取り出された基板
を真空下で搬送する空間に搬送する工程と、 該搬送された基板のオリフラを前記空間で合わせる工程
と、 該オリフラを合わせられた基板を、基板処理モードに応
じて、前記基板をパラレルに処理する場合は、前記真空
搬送空間を介して前記真空処理室のそれぞれへ前記基板
を搬送し、前記基板をシリーズに処理する場合は、前記
真空搬送空間を介して前記真空処理室内の1つから別の
真空処理室内へ前記基板を搬送する工程と、 該搬送されてきた基板を前記真空処理室内で一枚毎処理
する工程と 記処理済みの基板を、前記空間を介してカセットに回
収する工程とを有することを特徴とする半導体基板処理
方法。
(57) [Claims] A vacuum processing chamber connected to a required chamber via a vacuum transfer space and performing a predetermined process on a substrate; a unit for loading the substrates one by one into a evacuated space; Means for aligning the orientation flat of the loaded substrate in the evacuated space; and processing the substrate in parallel with the orientation flat in accordance with a substrate processing mode, wherein the substrate is transferred in a vacuum. When transferring the substrates to each of the vacuum processing chambers through a space and processing the substrates in series, separate from one of the vacuum processing chambers through the vacuum transfer space.
And a means for processing the transferred substrates one by one in the vacuum processing chamber. 2. Removing the substrate from the cassette, transporting the removed substrate to a space for transporting the substrate under vacuum, aligning the transported substrate orientation flat in the space, and processing the substrate aligned with the orientation flat for substrate processing. According to the mode, when processing the substrate in parallel, transfer the substrate to each of the vacuum processing chambers via the vacuum transfer space, and when processing the substrate in series, the vacuum transfer space a step of transporting another of the substrate into the vacuum processing chamber from one of said vacuum processing chamber through the steps of the substrate that has been said conveyed to process the vacuum processing one each at room, pre-Symbol processed substrate And recovering the same in a cassette via the space.
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