JP2960404B2 - Semiconductor substrate processing method - Google Patents

Semiconductor substrate processing method

Info

Publication number
JP2960404B2
JP2960404B2 JP21786198A JP21786198A JP2960404B2 JP 2960404 B2 JP2960404 B2 JP 2960404B2 JP 21786198 A JP21786198 A JP 21786198A JP 21786198 A JP21786198 A JP 21786198A JP 2960404 B2 JP2960404 B2 JP 2960404B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
vacuum
vacuum processing
belt
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP21786198A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11121591A (en
Inventor
豊 掛樋
則男 仲里
喜正 福島
史雄 柴田
恒彦 坪根
謙雄 金井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=16710924&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2960404(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP21786198A priority Critical patent/JP2960404B2/en
Publication of JPH11121591A publication Critical patent/JPH11121591A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2960404B2 publication Critical patent/JP2960404B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明はエッチング装置、プ
ラズマCVD装置、スパッタ装置等の半導体製造工程に
適した半導体基板処理方法に関するものである。 【0002】 【従来の技術】最近の半導体製造プロセス技術の進歩は
著しく、ドライエッチング装置においても1μmパター
ンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このよ
うな微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴
って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット
(時間あたりの基板処理枚数)を向上させることおよび
製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題と
なっている。 【0003】このような要求を解決するためには装置を
小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的
処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライ
ン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム
が構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求さ
れるようになってきた。これに対して、従来の、例え
ば、特開昭57−128928号公報に開示されている
ような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合し
たモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気
中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理
途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス
工程への適用にはむかない。 【0004】また、実開昭57−39430号公報に開
示されているようないくつかの真空処理室と一つのバッ
ファ室との間を基板が搬送されて連続的に処理されるよ
うなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更
やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする
自由度がなく、使用しづらいという問題点を有してい
る。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体製造における基板の処理時間を短縮でき、スループッ
トを向上出来る半導体基板処理方法を提供することにあ
る。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、カセッ
トテーブルを下降させ供給カセットから基板を1枚毎取
り出し、基板テーブル上に搬送してオリフラ合わせを行
い、前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電
極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引
き続き下降させて前記基板電極に所定のプラズマ処理を
行い、この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフ
ラ合わせを行い、前記プラズマ処理が終了した基板は前
記真空処理室から搬出し、カセットテーブルを上昇させ
て回収カセットに前記基板を一枚毎回収する半導体基板
処理方法にある。 【0007】本発明によれば、真空処理室内で基板が処
理されている間に、真空排気された空間で基板のオリフ
ラ合わせを実施するので、処理時間を短縮でき、スルー
プットを向上出来る。 【0008】 【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図1〜図5で
説明する。図1で、真空処理装置は、真空排気可能なバ
ッファ室10と、バッファ室10に設けられた真空処理
室20と、基板30を矢印A方向に搬送可能なバッファ
室10に内設された第1の基板搬送手段(図示省略)
と、第1の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室1
0の側壁に設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手
段40、41と、この場合、真空開閉手段40、41が
設けられた側壁と直角をなし第1の基板搬送手段をはさ
んで真空処理室20と対応する側壁に設けられたゲート
弁等の他の真空開閉手段50、51を介してバッファ室
10に具設された真空予備室60と、第1の基板搬送手
段との間で他の真空開閉手段50、51を介して基板3
0を矢印B、C方向に搬送する第2の基板搬送手段(図
示省略)と、第1の基板搬送手段の基板搬送経路上で、
かつ、真空処理室20に対応して設けられた基板受渡手
段(図示省略)と、基板受渡手段と真空処理室20との
間で基板30を矢印D方向に搬送する第3の基板搬送手
段(図示省略)とを有している。なお、この場合、真空
予備室60には、基板カセット70、71を昇降駆動す
るカセット昇降装置(図示省略)のカセットテーブル
(図示省略)が昇降可能に他の真空開閉手段50、51
と対応して内設されている。 【0009】第1〜第3の基板搬送手段、基板受渡手段
等を図2で更に詳細に説明する。図2において、第1の
基板搬送手段はベルト搬送装置80であり、ベルト搬送
装置80は、その全体を昇降装置、例えば、シリンダ8
1で昇降駆動されると共に、モータ82でベルト83を
回転駆動される。 【0010】第2の基板搬送手段は、他の真空開閉手段
50、51をはさんで真空予備室60に設けられたベル
ト搬送装置90、100とバッファ室10に設けられた
ベルト搬送装置110、120である。ベルト搬送装置
90のプーリ91、92とプーリ91、92に無端に巻
掛けられたベルト93とは、カセット昇降装置130の
カセットテーブル131に対応し、かつ、カセットテー
ブル131が最高位置まで上昇させられた時点でもその
上方に位置するように配設されている。 【0011】ベルト93はモータ94で回転駆動され
る。ベルト搬送装置110はモータ111でベルト11
2を回転駆動され、ベルト搬送装置110のベルト搬送
装置80側端部は、ベルト搬送装置80のベルト83の
一方の昇降動を阻害しないように、この場合、V字形に
折曲され最終端のプーリ113は、ベルト搬送装置80
のベルト83間に位置するように設けられている。な
お、ベルト搬送装置90のベルト93とベルト搬送装置
110のベルト112とは同一レベルであり、ベルト搬
送装置90とベルト搬送装置110との他の真空開閉手
段50側端の間隔は、基板30の受渡しに支障のない大
きさとなっている。 【0012】ベルト搬送装置100のプーリ101、1
02とプーリ101、102に無端に巻掛けられたベル
ト103とは、ベルト搬送装置90と同様に配設され、
ベルト103はモータ104で回動駆動される。ベルト
搬送装置120はモータ121でベルト122を回転駆
動され、ベルト搬送装置120のベルト搬送装置80側
端部は、ベルト搬送装置110の場合と同様にベルト搬
送装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しないよ
うにV字形に折曲され最終端のプーリ123は、ベルト
搬送装置80のベルト83間に位置するように設けられ
ている。 【0013】なお、ベルト搬送装置100のベルト10
3とベルト搬送装置120のベルト122とは同一レベ
ルであり、ベルト搬送装置100とベルト搬送装置12
0との他の真空開閉手段51側端の間隔は、基板30の
受渡しに支障のない大きさとなっている。また、ベルト
搬送装置110のプーリ113とプーリ113に対応す
るプーリ114との間隔は、基板30の落下を防止して
良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置12
0のプーリ123に対応するプーリ124との間隔も同
様の大きさである。なお、ベルト搬送装置80は、ベル
ト83のレベルがベルト搬送装置110、120のベル
ト112、122のレベル以下並びに以上になるように
昇降駆動される。 【0014】基板受渡手段140は、ベルト搬送装置8
0のベルト83間の寸法より小さい基板テーブル141
と昇降装置、例えば、シリンダ142とで構成されてい
る。基板テーブル141は真空処理室20と対応する位
置で、この場合は、ベルト搬送装置110、120の間
の位置で、ベルト搬送装置80のベルト83間を通過し
シリンダ142で昇降可能に設けられている。 【0015】第3の基板搬送手段は、アーム搬送装置1
50、160である。アーム搬送装置150は、基板す
くい具151とアーム152と回動装置、例えば、パル
スモータ153とで構成されている。パルスモータ15
3は、ベルト搬送装置80と真空処理室20との間で、
かつ、基板受渡手段140の基板テーブル141の中心
と真空処理室20の基板電極21の中心とを結ぶ線の一
方の側(図2では左側)に設けられ、パルスモータ15
3には、アーム152の一端が設けられている。アーム
152の他端には基板すくい具151が設けられてい
る。また、アーム搬送装置160は、基板すくい具16
1とアーム162と回動装置、例えば、パルスモータ1
63とで構成されている。パルスモータ163は、ベル
ト搬送装置80と真空処理室20との間で、かつ、基板
受渡手段140の基板テーブル141の中心と真空処理室
20の基板電極21の中心とを結ぶ線の他方の側(図2
では右側)に設けられ、パルスモータ163には、アー
ム162の一端が設けられている。アーム162の他端
には、基板すくい具161が設けられている。この場
合、基板すくい具151、161、アーム152、16
2の寸法は、基板テーブル141並びに基板電極21に
基板30が載置されている場合、この基板30を基板す
くい具151、161ですくい可能な寸法である。 【0016】また、アーム152、162は、基板すく
い具151、161で基板30を基板テーブル141と
基板電極21との間で搬送可能にパルスモータ153、
163でそれぞれ部分回動される。なお、この場合、ア
ーム152、162の動作平面はアーム152が上面、
アーム162で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置
150で基板30を基板テーブル141から基板電極2
1へ搬送する際に、アーム搬送装置160で基板30を
基板電極21から基板テーブル141へ搬送するのを阻
害しないようになっている。 【0017】カセット昇降装置130は、カセットテー
ブル131と、カセットテーブル131に垂設され下端
部にネジが形成された昇降ロッド132と、モータ13
3で回動駆動される歯車134と、歯車134と噛合し
設けられると共に昇降ロッド132の下端部が螺合され
た歯車135とで構成されている。基板電極21は、ラ
ック・ピニオン機構22を介しモータ23の回動により
昇降駆動される。また、基板電極21の中心部には、基
板支持用の爪24が昇降装置、例えば、シリンダ25で
昇降可能に設けられている。爪24は、その表面が基板
電極21の表面以下になる位置と、アーム搬送装置15
0、160の基板すくい具151、161と基板30を
受渡し可能な位置との間で昇降駆動される。 【0018】図1、図2で示される真空処理装置では、
次のような基板処理を行うことができる。 【0019】まず、他の真空開閉手段50に対応するカ
セットテーブル131は、最下部に下降させられ、他の
真空開閉手段51に対応するカセットテーブル(図示省
略)は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段5
0、51が、例えば、シリンダ52、53の駆動により
閉止されバッファ室10と真空予備室60との連通は気
密に遮断されると共に、真空開閉手段40、41が閉止
又は仕切られてバッファ室10と外部との連通も気密に
遮断される。この状態でバッファ室10は真空排気装置
(図示省略)を作動させることで所定圧力に減圧排気さ
れる。 【0020】一方、真空予備室60には、外部が大気側
である場合は、真空予備室60に設けられた扉等の大気
真空開閉手段(図示省略)を開放することで所定枚数の
基板30が装填された基板カセット(以下、供給カセッ
トと略)70と基板回収用の空の基板カセット(以下、
回収カセットと略)71とが搬入されて、供給カセット
70は他の真空開閉手段50に対応するカセットテーブ
ル131に、回収カセット71は他の真空開閉手段51
に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。 【0021】その後、大気真空開閉手段は閉止され真空
予備室60は、真空排気装置(図示省略)でバッファ室
10の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その
後、シリンダ52の駆動により他の真空開閉手段50が
開放され、これによりバッファ室10と真空予備室60
とは連通状態となる。この状態下で、モータ133を駆
動しカセットテーブル131を1ピッチ分下降させるこ
とで供給カセット70の、この場合、最下部に装填され
た基板30はベルト93に載置される。 【0022】その後、モータ94によりベルト93を回
転駆動することで載置された基板30は他の真空開閉手
段50側へ搬送され、モータ111により回転駆動され
ているベルト112に他の真空開閉手段50を介して渡
される。ベルト112に渡された基板30はベルト搬送
装置80側へ搬送される。なお、このときベルト83の
レベルがベルト112のレベル以下となるようにベルト
搬送装置80全体はシリンダ81により降下させられて
いる。 【0023】その後、基板30がプーリ113、114
にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト83のレベ
ルがベルト112のレベル以上となるようにベルト搬送
装置80全体はシリンダ81により上昇させられ、これ
により基板30はベルト112からベルト83へ渡され
る。ベルト83に渡された基板30は、モータ82の駆
動により基板テーブル141に対応する位置まで搬送さ
れた後に、基板テーブル141をシリンダ142で上昇
させることで基板テーブル141に受取られる。基板テ
ーブル141に受取られた基板30は、例えば、オリフ
ラ合せ装置170でオリフラを合わされる。 【0024】その後、基板30は、例えば、基板のせ具
151に渡されアーム152をパルスモータ153で真
空処理室20側へ回転駆動することで、バッファ室10
を経て真空処理室20の基板電極21の上方へ搬送され
る。その後、爪24をシリンダ25で上昇させること
で、基板のせ具151の基板30は、爪24に受取られ
る。その後、基板30を爪24に渡した基板のせ具15
1は、真空処理室20外のバッファ室10に退避させら
れる。その後、爪24を、その表面が基板電極21の表
面以下となるようにシリンダ25で下降させることで、
基板30は爪24から基板電極21に渡されて載置され
る。 【0025】その後、仕切り用のフランジ180と、フ
ランジ180の裏面とバッファ室10の底壁とに跨設さ
れたベローズ181と、フランジ180を昇降駆動する
昇降装置、例えば、シリンダ182とで構成される仕切
り手段183によりバッファ室10と真空処理室20と
は仕切られる。この状態で、まず、基板電極20と、基
板電極30の上方に対向して真空処理室20に設けられ
た対向電極(図示省略)との電極間隔は、モータ23を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室20には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置(図示省略)の駆動によ
り真空処理室20の圧力は処理圧力に調整される。 【0026】その後、例えば、基板電極21に接続され
た電源、例えば、高周波電源(図示省略)より基板電極
21に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電
極21との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプ
ロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基
板電極21に載置された基板30は、エッチング処理等
所定処理される。この間、供給カセット70からは、上
記した操作により基板30が取り出されベルト搬送装置
110、80で搬送されて基板テーブル141に渡され
オリフラが合わされた後に基板のせ具151に渡され
る。 【0027】真空処理室20での処理が終了した後に仕
切り手段183によるバッファ室10と真空処理室20
の仕切りは解除され、真空処理室20はバッファ室10
と再び連通させられる。その後、基板電極21は、所定
位置まで降下させられ、爪24をシリンダ25で上昇さ
せることで、処理済みの基板30は、基板電極21から
除去され爪24に渡される。その後、基板のせ具161
を爪24に渡された基板30の裏面に対応する位置まで
回転させた後に、爪24をシリンダ25で下降させるこ
とで、処理済みの基板30は基板のせ具161に渡され
る。 【0028】その後、基板のせ具151に渡された基板
30は、基板テーブル141から基板電極21へ、ま
た、基板のせ具161に渡された処理済みの基板30は
基板電極21から基板テーブル141へそれぞれ搬送さ
れる。基板電極21へ搬送された基板30は、上記した
操作により所定処理される。この間、基板テーブル14
1に搬送された処理済みの基板30は、基板テーブル1
41をシリンダ142で下降させることでベルト搬送装
置80のベルト83に渡され、その後、ベルト83、1
22のモータ82、121による回転駆動で他の真空開
閉手段51側へ搬送される。なお、ベルト83からベル
ト122への処理済みの基板30の受渡しは、ベルト1
12からベルト83への基板30の受渡しと逆操作によ
り行われる。シリンダ53の駆動により他の真空開閉手
段51が開放され、モータ104によりベルト103を
回転駆動することで、他の真空開閉手段51側へ搬送さ
れてきた処理済みの基板30は他の真空開閉手段51を
介して真空予備室60に搬入され、その後、カセットテ
ーブルを1ピッチ分上昇させることで回収カセット71
に回収される。 【0029】また、供給カセット70からは上記した操
作により基板30が取り出されベルト搬送装置110、
80で搬送されて基板テーブル141に渡されオリフラ
が合わされた後に基板のせ具151に渡される。 【0030】以上のような操作を繰り返し実施すること
で、供給カセット70からは基板30が1枚毎取り出さ
れ、真空予備室60からバッファ室10を経て真空処理
室20に搬送され、真空処理室20で1枚毎処理され、
処理済みの基板30は、真空処理室20からバッファ室
10を経て真空予備室60に搬送されて1枚毎回収カセ
ット71に回収される。 【0031】図3は、図1、図2で示される真空処理装
置を1モジュールとして真空開閉手段40、41を介し
て2モジュール連設した場合の例を示すものである。な
お、図3での構成部品は、図2のそれと全て同一であ
り、したがって、構成、作用等の説明は省略する。図3
で示される真空処理装置では、図4(a)〜図4(c)
に示すような基板処理を行うことができる。 【0032】即ち、図4(a)に示すように基板30を
連設された真空処理装置の二つの真空処理室20でシリ
ーズ処理することも、図4(b)に示すように、基板3
0を連設された真空処理装置の二つの真空処理室20で
パラレル処理することも、図4(c)に示すように、基
板30を、連設された真空処理装置毎の真空処理室20
でパラレル処理することもできる。 【0033】なおこのような基板処理モードで図4
(a)、(b)に示される基板処理モードの場合、前段
の真空処理装置の真空予備室60に供給カセット(図示
省略)を少なくとも1個セットし、後段の真空処理装置
の真空予備室60に回収カセット(図示省略)を少なく
とも1個セットするようにする。また、図4(c)に示
される基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予
備室60に供給カセット(図示省略)、回収カセット
(図示省略)を各1個セットするようにする。 【0034】また、図1、図2で示される真空処理装置
を1モジュールとして真空開閉手段40、41を介して
2モジュール連設した場合、各真空処理装置における基
板30の搬送はバッファ室10を経ることで行われる。 【0035】更に、図1、図2で示される真空処理装置
を1モジュールとして真空開閉手段40、41を介して
3モジュール以上連設した場合は、図4に示すような基
板処理モードに加えて図5(a)、(b)に示すような
基板処理を行うことができる。 即ち、図5(a)に示
すように、基板30を連設された真空処理装置の前段の
真空処理装置の真空処理室20と、この場合は、中段の
真空処理装置の真空処理室20とで、まず、パラレル処
理し、引続き後段の真空処理装置の真空処理室20でシ
リーズ処理することも、図5(b)に示すように、基板
30を連設された真空処理装置の前段と中段の真空処理
装置の真空処理室20でシリーズ処理すると共に、前段
と後段の真空処理装置の真空処理室20でシリーズ処理
することもできる。 【0036】なお、このような基板処理モードの場合、
前段の真空処理装置の真空予備室60に供給カセット
(図示省略)を2個セットし、後段の真空処理装置の真
空予備室60に回収カセット(図示省略)を2個セット
するようにする。 【0037】また、各真空処理装置の真空処理室20で
基板30をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室60に供給カセットを1個セットし、後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを1個セ
ットするようにする。 【0038】また、各真空処理装置の真空処理室で基板
30をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装置の
真空予備室に供給カセットを少なくとも1個セットし後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少なく
とも1個セットするようにする。 【0039】また、各真空処理装置を独立させそれぞれ
の真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空
処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットと
を各1個セットするようにする。また、図1、図2で示
される真空処理装置を1モジュールとして真空開閉手段
40、41を介して3モジュール以上連設した場合で
も、各真空処理装置における基板30の搬送は、バッフ
ァ室10を経ることで行われる。 【0040】本実施例のような真空処理装置では、次の
ような効果が得られる。 (1)プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室
数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。 (2)基板は真空排気されているバッファ室を経て次の
真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理
室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用
できる。 (3)第2の基板搬送手段と第3の基板搬送手段とを平
行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることがで
き、多モジュール構成がし易くなっている。 (4)真空予備室を真空排気可能なカセット室としてい
るので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることがで
き、多モジュールシステムでは、1モジュールに2個の
カセットをセットすることも可能でスループット向上時
のカセットセット時間間隔を長くすることができる。 (5)第3の基板搬送手段として動作平面の異なるアー
ム搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬
入、搬出を同時に行うことができるので、スループット
を向上できる。 (6)多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレ
ル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合わ
せ床面積当りのスループットを向上させることができ
る。 (7)バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積
は、基板が1枚通過可能な面積であればよく、したがっ
て、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロ
セスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装
置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。 【0041】なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくし
て、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、
図6に示すように、真空予備室60′を例えば、真空開
閉手段40を介してバッファ室10に具設すると共に、
矢印A方向に基板30を搬送する第1の基板搬送手段で
あるベルト搬送装置(図示省略)との間で真空開閉手段
40を介して矢印E方向に基板30を受渡し可能に第2
の基板搬送手段であるベルト搬送装置(図示省略)を真
空予備室60′に設けるようにする。この場合、他の真
空開閉手段は不用である。 【0042】以上、説明した実施例では、真空予備室を
供給カセット、回収カセットが外部より搬入されてセッ
トされるような真空予備室としているが、特に、このよ
うな真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カ
セット、回収カセットを真空予備室に固定してセット
し、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると
共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットか
ら取り出して外部へ搬出するようにしても良い。 【0043】また、第1の基板搬送手段は、ベルト搬送
装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段
との間で搬送するようなものであれば良い。また、第2
の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、ア
ームが直進するアーム搬送装置、アームが回動するアー
ム搬送装置等を用いても良い。 【0044】 【発明の効果】本発明によれば、真空処理室内で基板が
処理されている間に、真空排気された空間で基板のオリ
フラ合わせを実施するので、処理時間を短縮でき、スル
ープットを向上出来る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate processing method suitable for a semiconductor manufacturing process such as an etching apparatus, a plasma CVD apparatus, and a sputtering apparatus. 2. Description of the Related Art Recent progress in semiconductor manufacturing process technology has been remarkable, and a model for processing a 1 μm pattern has appeared even in a dry etching apparatus, and has been receiving attention. As such miniaturization progresses, the substrate becomes larger in diameter, and accordingly, the throughput per occupied floor area of the semiconductor manufacturing apparatus (the number of processed substrates per time) is improved and the manufacturing process technology is diversified. Is a major issue. In order to solve such demands, it is necessary to reduce the size of the apparatus and perform multipurpose processing using a plurality of vacuum processing chambers. A vacuum processing module that can configure or organize a system by freely changing the number of chambers has been required. On the other hand, in a conventional type in which a module in which a vacuum processing chamber and a substrate transfer line in the atmosphere can be added as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-128929, can be added, the air quality is poor. Since the substrate is transported to the next vacuum processing chamber through the inside, it is not suitable for application to a process step in which processing is transferred to the next vacuum processing chamber during processing. Further, in a type in which a substrate is transported between several vacuum processing chambers and one buffer chamber and continuously processed as disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-39430. There is a problem that the number of vacuum processing chambers is fixed, and there is no freedom to change the number of vacuum processing chambers in response to a process change or a line change, making it difficult to use. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor substrate processing method capable of shortening the processing time of a substrate in semiconductor manufacturing and improving the throughput. A feature of the present invention is that a cassette table is lowered, a substrate is taken out one by one from a supply cassette, and transported onto a substrate table to perform orientation flat alignment. The substrate is transported above the substrate electrode in the vacuum processing chamber, and a predetermined plasma processing is performed on the substrate electrode by raising and then lowering the claws from below the substrate electrode, and during this, aligning the orientation of the next substrate on the substrate table And carrying out the plasma processing, the substrate is unloaded from the vacuum processing chamber, and the cassette table is raised to collect the substrates one by one in a collection cassette. According to the present invention, while the substrate is being processed in the vacuum processing chamber, the orientation flat of the substrate is performed in the evacuated space, so that the processing time can be reduced and the throughput can be improved. An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, the vacuum processing apparatus includes a buffer chamber 10 capable of evacuating, a vacuum processing chamber 20 provided in the buffer chamber 10, and a buffer chamber 10 provided in the buffer chamber 10 capable of transporting the substrate 30 in the direction of arrow A. 1 substrate transfer means (not shown)
And a buffer chamber 1 corresponding to both ends of the first substrate transfer means.
The vacuum opening / closing means 40, 41 such as a gate valve, a partitioning tool, etc. provided on the side wall 0, and in this case, a right angle with the side wall provided with the vacuum opening / closing means 40, 41, and sandwiching the first substrate transfer means. Between another vacuum opening / closing means 50, 51 such as a gate valve provided on a side wall corresponding to the vacuum processing chamber 20 and a vacuum preliminary chamber 60 provided in the buffer chamber 10 and the first substrate transfer means. And the substrate 3 via the other vacuum opening / closing means 50, 51.
0 in the directions of arrows B and C, a second substrate transfer means (not shown), and a substrate transfer path of the first substrate transfer means.
Further, a substrate transfer means (not shown) provided corresponding to the vacuum processing chamber 20, and a third substrate transfer means (not shown) for transferring the substrate 30 in the direction of arrow D between the substrate transfer means and the vacuum processing chamber 20 ( (Not shown). In this case, a cassette table (not shown) of a cassette elevating device (not shown) for driving the substrate cassettes 70 and 71 up and down can be moved up and down in the vacuum preparatory chamber 60 by other vacuum opening / closing means 50 and 51.
It is installed correspondingly. The first to third substrate transport means, substrate delivery means and the like will be described in more detail with reference to FIG. In FIG. 2, the first substrate transfer means is a belt transfer device 80. The belt transfer device 80 is entirely composed of an elevating device, for example, a cylinder 8
1, the belt 83 is driven to rotate by the motor 82. The second substrate transfer means includes belt transfer devices 90 and 100 provided in the vacuum preparatory chamber 60 and belt transfer devices 110 provided in the buffer chamber 10 with other vacuum opening and closing means 50 and 51 interposed therebetween. 120. The pulleys 91 and 92 of the belt conveying device 90 and the belt 93 wound around the pulleys 91 and 92 endlessly correspond to the cassette table 131 of the cassette elevating device 130, and the cassette table 131 is raised to the highest position. It is arranged so that it is located above it even at the point of time. The belt 93 is driven to rotate by a motor 94. The belt conveying device 110 uses the motor 111 to drive the belt 11
In this case, the end of the belt conveying device 110 on the side of the belt conveying device 80 is bent into a V-shape so as not to hinder the up-and-down movement of one of the belts 83 of the belt conveying device 80. The pulley 113 is connected to the belt conveying device 80
Are provided between the belts 83. The belt 93 of the belt conveyance device 90 and the belt 112 of the belt conveyance device 110 are at the same level, and the interval between the belt conveyance device 90 and the other end of the belt opening / closing means 50 on the side of the vacuum conveyance means 50 It is a size that does not hinder delivery. The pulleys 101, 1 of the belt conveying device 100
02 and the belt 103 wound around the pulleys 101 and 102 endlessly are disposed in the same manner as the belt conveying device 90,
The belt 103 is driven to rotate by a motor 104. The belt conveying device 120 is driven to rotate the belt 122 by the motor 121, and the end of the belt conveying device 120 on the side of the belt conveying device 80 is moved up and down by one of the belts 83 of the belt conveying device 80 similarly to the belt conveying device 110. The pulley 123 is bent in a V-shape so as not to obstruct the position, and is provided so as to be located between the belts 83 of the belt conveying device 80. The belt 10 of the belt conveying device 100
3 and the belt 122 of the belt conveying device 120 are at the same level, and the belt conveying device 100 and the belt conveying device 12
The distance between the other end of the vacuum opening / closing means 51 and 0 is a size that does not hinder delivery of the substrate 30. The distance between the pulleys 113 of the belt transport device 110 and the pulleys 114 corresponding to the pulleys 113 is large enough to prevent the substrate 30 from dropping and to be satisfactorily delivered.
The distance between the pulley 123 corresponding to the zero pulley 123 and the corresponding pulley 124 is the same size. The belt conveying device 80 is driven to move up and down so that the level of the belt 83 is equal to or lower than the level of the belts 112 and 122 of the belt conveying devices 110 and 120. The substrate transfer means 140 is a belt transfer device 8
Substrate table 141 smaller than the dimension between belts 83
And an elevating device, for example, a cylinder 142. The substrate table 141 is provided at a position corresponding to the vacuum processing chamber 20, in this case, at a position between the belt transfer devices 110 and 120, so as to pass between the belts 83 of the belt transfer device 80 and to be able to move up and down by the cylinder 142. I have. The third substrate transfer means includes an arm transfer device 1
50 and 160. The arm transfer device 150 includes a board scooping tool 151, an arm 152, and a rotation device, for example, a pulse motor 153. Pulse motor 15
3 is between the belt transfer device 80 and the vacuum processing chamber 20,
The pulse motor 15 is provided on one side (the left side in FIG. 2) of a line connecting the center of the substrate table 141 of the substrate delivery means 140 and the center of the substrate electrode 21 of the vacuum processing chamber 20.
3 is provided with one end of an arm 152. A board scooping tool 151 is provided at the other end of the arm 152. Further, the arm transfer device 160 is provided with the board rake tool 16.
1, an arm 162 and a rotating device, for example, the pulse motor 1
63. The pulse motor 163 is connected to the other side of the line connecting the center of the substrate table 141 of the substrate transfer means 140 and the center of the substrate electrode 21 of the vacuum processing chamber 20 between the belt transfer device 80 and the vacuum processing chamber 20. (Figure 2
, And the pulse motor 163 is provided with one end of an arm 162. At the other end of the arm 162, a board scooping tool 161 is provided. In this case, the board scooping tools 151, 161 and the arms 152, 16
When the substrate 30 is placed on the substrate table 141 and the substrate electrode 21, the dimension 2 is a dimension that allows the substrate 30 to be scooped by the substrate scooping tools 151 and 161. The arms 152 and 162 are provided with a pulse motor 153 so that the substrate 30 can be transferred between the substrate table 141 and the substrate electrode 21 by the substrate scooping tools 151 and 161.
At 163, each is partially rotated. In this case, the operation plane of the arms 152 and 162 is such that the arm 152 has an upper surface,
The arm 162 is different from the lower surface. For example, the substrate 30 is moved from the substrate table 141 to the substrate electrode 2 by the arm transfer device 150.
When the substrate 30 is transferred to the substrate table 141, the transfer of the substrate 30 from the substrate electrode 21 to the substrate table 141 by the arm transfer device 160 is not hindered. The cassette elevating device 130 includes a cassette table 131, an elevating rod 132 which is suspended from the cassette table 131 and has a screw formed at a lower end thereof, and a motor 13.
3 and a gear 135 meshed with the gear 134 and having a lower end of the lifting rod 132 screwed into the gear 134. The substrate electrode 21 is driven up and down by rotation of a motor 23 via a rack and pinion mechanism 22. Further, a claw 24 for supporting the substrate is provided at the center of the substrate electrode 21 so as to be able to move up and down by a lifting device, for example, a cylinder 25. The position of the claw 24 is equal to or less than the surface of the substrate electrode 21 and the position of the arm transfer device 15.
The board 30 is driven up and down between the board scooping tools 151 and 161 and the position where the board 30 can be transferred. In the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2,
The following substrate processing can be performed. First, the cassette table 131 corresponding to the other vacuum opening / closing means 50 is lowered to the lowermost position, and the cassette table (not shown) corresponding to the other vacuum opening / closing means 51 is raised to the uppermost position. Other vacuum switching means 5
For example, the cylinders 52 and 53 are closed by driving the cylinders 52 and 53, and the communication between the buffer chamber 10 and the vacuum preparatory chamber 60 is air-tightly cut off, and the vacuum opening / closing means 40 and 41 are closed or partitioned to close the buffer chamber 10 Communication with the outside is also airtightly shut off. In this state, the buffer chamber 10 is evacuated to a predetermined pressure by operating a vacuum exhaust device (not shown). On the other hand, when the outside is on the atmospheric side, a predetermined number of substrates 30 are opened by opening an atmospheric vacuum opening / closing means (not shown) such as a door provided in the vacuum preliminary chamber 60. Loaded with a substrate cassette (hereinafter abbreviated as a supply cassette) 70 and an empty substrate cassette (hereinafter, abbreviated as a substrate cassette) for collecting a substrate.
A collection cassette 71 is carried in, and the supply cassette 70 is placed on a cassette table 131 corresponding to the other vacuum opening / closing means 50, and the collection cassette 71 is placed in another vacuum opening / closing means 51.
Are placed on the cassette tables corresponding to. Thereafter, the atmospheric vacuum opening / closing means is closed, and the vacuum preparatory chamber 60 is evacuated to a pressure substantially equal to the pressure of the buffer chamber 10 by a vacuum evacuation device (not shown). Thereafter, the other vacuum opening / closing means 50 is opened by driving the cylinder 52, whereby the buffer chamber 10 and the vacuum preliminary chamber 60 are opened.
Becomes a communication state. In this state, the motor 133 is driven to lower the cassette table 131 by one pitch, whereby the substrate 30 loaded at the lowermost part of the supply cassette 70 in this case, is placed on the belt 93. Thereafter, the substrate 30 placed by rotating the belt 93 by the motor 94 is conveyed to the other vacuum opening / closing means 50 side, and the other vacuum opening / closing means is rotated by the belt 112 driven by the motor 111. Passed through 50. The substrate 30 transferred to the belt 112 is transported to the belt transport device 80 side. At this time, the entire belt conveying device 80 is lowered by the cylinder 81 so that the level of the belt 83 is lower than the level of the belt 112. After that, the substrate 30 is moved to the pulleys 113 and 114.
The entire belt transporting device 80 is raised by the cylinder 81 so that the level of the belt 83 becomes equal to or higher than the level of the belt 112 when the substrate 30 is transported to such an extent that the substrate 30 is transferred from the belt 112 to the belt 83. . The substrate 30 transferred to the belt 83 is conveyed to a position corresponding to the substrate table 141 by driving of the motor 82, and then received by the substrate table 141 by lifting the substrate table 141 by the cylinder 142. The substrate 30 received on the substrate table 141 is aligned with the orientation flat by, for example, an orientation flat alignment device 170. Thereafter, the substrate 30 is transferred to, for example, a substrate holder 151, and the arm 152 is rotated toward the vacuum processing chamber 20 by the pulse motor 153 to thereby rotate the buffer chamber 10.
Is transported above the substrate electrode 21 in the vacuum processing chamber 20. Thereafter, the claw 24 is raised by the cylinder 25, so that the substrate 30 of the substrate placing tool 151 is received by the claw 24. After that, the substrate placing tool 15 with the substrate 30 passed over the nail 24
1 is retracted to the buffer chamber 10 outside the vacuum processing chamber 20. Thereafter, the claw 24 is lowered by the cylinder 25 so that the surface thereof is lower than the surface of the substrate electrode 21.
The substrate 30 is passed from the nail 24 to the substrate electrode 21 and placed thereon. After that, it is composed of a partitioning flange 180, a bellows 181 laid across the back surface of the flange 180 and the bottom wall of the buffer chamber 10, and an elevating device for driving the flange 180 up and down, for example, a cylinder 182. The buffer chamber 10 and the vacuum processing chamber 20 are partitioned by the partitioning means 183. In this state, first, the electrode interval between the substrate electrode 20 and a counter electrode (not shown) provided above the substrate electrode 30 in the vacuum processing chamber 20 so as to oppose the substrate electrode 30 is adjusted to an appropriate interval by driving the motor 23. Adjusted. Thereafter, the process gas is introduced into the vacuum processing chamber 20 at a controlled flow rate, and the pressure of the vacuum processing chamber 20 is adjusted to the processing pressure by driving a vacuum exhaust device (not shown). Thereafter, high frequency power is applied to the substrate electrode 21 from, for example, a power supply connected to the substrate electrode 21, for example, a high frequency power supply (not shown), so that a glow is applied between the counter electrode and the substrate electrode 21. Discharge occurs and the process gas turns the process gas into plasma. The substrate 30 placed on the substrate electrode 21 by this plasma is subjected to a predetermined process such as an etching process. During this time, the substrate 30 is taken out of the supply cassette 70 by the above-described operation, transported by the belt transport devices 110 and 80, transferred to the substrate table 141, aligned with the orientation flat, and then transferred to the substrate placing tool 151. After the processing in the vacuum processing chamber 20 is completed, the buffer chamber 10 and the vacuum processing chamber 20 are separated by the partitioning means 183.
Is released, and the vacuum processing chamber 20 becomes the buffer chamber 10
Is again communicated with. Thereafter, the substrate electrode 21 is lowered to a predetermined position, and the claw 24 is raised by the cylinder 25, whereby the processed substrate 30 is removed from the substrate electrode 21 and passed to the claw 24. Then, the substrate mounting tool 161
Is rotated to a position corresponding to the back surface of the substrate 30 transferred to the claw 24, and then the claw 24 is lowered by the cylinder 25, whereby the processed substrate 30 is transferred to the substrate placing tool 161. Thereafter, the substrate 30 transferred to the substrate holder 151 is transferred from the substrate table 141 to the substrate electrode 21, and the processed substrate 30 transferred to the substrate holder 161 is transferred from the substrate electrode 21 to the substrate table 141. Each is transported. The substrate 30 transported to the substrate electrode 21 is subjected to predetermined processing by the above-described operation. During this time, the substrate table 14
The processed substrate 30 transported to the substrate table 1
41 is lowered by the cylinder 142 to be transferred to the belt 83 of the belt conveying device 80.
It is conveyed to the other vacuum opening / closing means 51 side by the rotation drive of the 22 motors 82 and 121. The delivery of the processed substrate 30 from the belt 83 to the belt 122 is performed by the belt 1
The transfer of the substrate 30 from the belt 12 to the belt 12 is performed in a reverse operation. The other vacuum opening / closing means 51 is opened by the driving of the cylinder 53, and the processed substrate 30 conveyed to the other vacuum opening / closing means 51 is driven by rotating the belt 103 by the motor 104. The cassette cassette is carried into the pre-vacuum chamber 60 via the storage unit 51, and then the cassette table is raised by one pitch to thereby collect the collection cassette 71.
Will be collected. Further, the substrate 30 is taken out from the supply cassette 70 by the above-described operation, and the belt transport device 110,
After being conveyed at 80 and transferred to the substrate table 141 and aligned with the orientation flat, it is transferred to the substrate holder 151. By repeating the above operation, the substrates 30 are taken out one by one from the supply cassette 70, transferred from the pre-vacuum chamber 60 to the vacuum processing chamber 20 via the buffer chamber 10, and Each sheet is processed at 20,
The processed substrate 30 is conveyed from the vacuum processing chamber 20 to the pre-vacuum chamber 60 via the buffer chamber 10 and is collected one by one in the collection cassette 71. FIG. 3 shows an example in which the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is connected as one module to two modules via vacuum opening / closing means 40 and 41. Note that all the components in FIG. 3 are the same as those in FIG. 2, and thus description of the configuration, operation, and the like is omitted. FIG.
4 (a) to 4 (c)
Can be performed. That is, as shown in FIG. 4A, series processing of the substrate 30 in the two vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing apparatus connected in series is performed, or as shown in FIG.
4 may be processed in parallel in the two vacuum processing chambers 20 of the vacuum processing apparatus connected in series, or as shown in FIG.
Can be processed in parallel. In such a substrate processing mode, FIG.
In the case of the substrate processing modes shown in (a) and (b), at least one supply cassette (not shown) is set in the vacuum preliminary chamber 60 of the preceding vacuum processing apparatus, and the vacuum preliminary chamber 60 of the subsequent vacuum processing apparatus is set. At least one collection cassette (not shown) is set. In the case of the substrate processing mode shown in FIG. 4C, one supply cassette (not shown) and one recovery cassette (not shown) are set in the vacuum preparatory chamber 60 of each vacuum processing apparatus. When the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is provided as one module and two modules are connected in series via vacuum opening / closing means 40 and 41, the substrate 30 in each vacuum processing apparatus is transferred to the buffer chamber 10. It is done by going through. Further, when the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is provided as one module and three or more modules are connected in series via the vacuum opening / closing means 40 and 41, in addition to the substrate processing mode shown in FIG. Substrate processing as shown in FIGS. 5A and 5B can be performed. That is, as shown in FIG. 5A, the vacuum processing chamber 20 of the preceding vacuum processing apparatus of the vacuum processing apparatus in which the substrate 30 is continuously provided, and in this case, the vacuum processing chamber 20 of the middle vacuum processing apparatus. First, parallel processing is performed, and then series processing is performed in a vacuum processing chamber 20 of a subsequent vacuum processing apparatus. Alternatively, as shown in FIG. Series processing in the vacuum processing chamber 20 of the vacuum processing apparatus described above, and series processing in the vacuum processing chamber 20 of the preceding and subsequent vacuum processing apparatuses. In the case of such a substrate processing mode,
Two supply cassettes (not shown) are set in the vacuum preparatory chamber 60 of the preceding vacuum processing apparatus, and two collection cassettes (not shown) are set in the vacuum preparatory chamber 60 of the subsequent vacuum processing apparatus. When series processing of the substrate 30 is performed in the vacuum processing chamber 20 of each vacuum processing apparatus, one supply cassette is set in the vacuum preparatory chamber 60 of the preceding vacuum processing apparatus, and the vacuum of the subsequent vacuum processing apparatus is set. One collection cassette is set in the spare room. When the substrates 30 are processed in parallel in the vacuum processing chambers of the respective vacuum processing apparatuses, at least one supply cassette is set in the vacuum preliminary chamber of the preceding vacuum processing apparatus, and the vacuum preliminary chamber of the subsequent vacuum processing apparatus is set. , At least one collection cassette is set. When the vacuum processing apparatuses are made independent and the substrates are processed in parallel in the respective vacuum processing chambers, one supply cassette and one recovery cassette are set in the vacuum preparatory chamber of each vacuum processing apparatus. . Further, even when three or more modules are connected to each other via the vacuum opening / closing means 40 and 41 as one module of the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2, transfer of the substrate 30 in each vacuum processing apparatus is performed in the buffer chamber 10. It is done by going through. The following effects can be obtained with the vacuum processing apparatus of this embodiment. (1) The system configuration or organization can be changed by freely changing the number of vacuum processing chambers in response to process changes and line changes. (2) Since the substrate is conveyed to the next vacuum processing chamber via the evacuated buffer chamber, it can be applied to a process step in which processing is transferred to the next vacuum processing chamber during processing without any problem. (3) The horizontal width of the front surface of the vacuum processing apparatus can be reduced by making the second substrate transfer means and the third substrate transfer means parallel, which facilitates a multi-module configuration. (4) Since the pre-vacuum chamber is a cassette chamber capable of evacuating the vacuum, the depth of the vacuum processing apparatus can be reduced, and in a multi-module system, two cassettes can be set in one module. The cassette setting time interval at the time of improvement can be lengthened. (5) Since the arm transfer device having a different operation plane is used as the third substrate transfer means, the transfer of the substrate into and out of the vacuum processing chamber can be performed simultaneously, so that the throughput can be improved. (6) Since series processing or parallel processing by multiple modules can be performed, the throughput per floor area can be improved together with downsizing of the vacuum processing apparatus. (7) The opening area of the vacuum opening / closing means provided in the buffer chamber only needs to be an area through which one substrate can pass. Therefore, in the case of a multi-module, mixing of the residual process gas between the vacuum processing apparatuses hardly occurs. Therefore, independence from the process gas in each vacuum processing apparatus can be ensured. When reducing the depth of the vacuum processing apparatus and aiming for continuous and continuous processing with other apparatuses,
As shown in FIG. 6, a vacuum preparatory chamber 60 'is provided in the buffer chamber 10 via the vacuum opening / closing means 40, for example.
A second substrate transfer device (not shown), which is a first substrate transfer means for transferring the substrate 30 in the direction of arrow A, is capable of transferring the substrate 30 in the direction of arrow E via the vacuum opening / closing means 40.
A belt transfer device (not shown) as a substrate transfer means is provided in the vacuum preliminary chamber 60 '. In this case, no other vacuum opening / closing means is required. In the embodiment described above, the vacuum preparatory chamber is a vacuum preparatory chamber in which the supply cassette and the recovery cassette are loaded and set from the outside. However, it is particularly necessary to limit the vacuum preparatory chamber to such a vacuum preparatory chamber. There is no. For example, a supply cassette and a collection cassette are fixedly set in a vacuum preparatory chamber, a predetermined number of substrates are loaded into the supply cassette from outside, and the substrates collected in the collection cassette are taken out of the collection cassette and carried out. May be. Further, the first substrate transfer means may be any as long as it can transfer the substrate between the belt transfer device and the vacuum opening / closing means provided in the buffer chamber. Also, the second
In addition to the belt transfer device, for example, an arm transfer device in which the arm moves straight, an arm transfer device in which the arm rotates, or the like may be used as the substrate transfer means. According to the present invention, while the substrate is being processed in the vacuum processing chamber, the alignment of the substrate is performed in the evacuated space, so that the processing time can be reduced and the throughput can be reduced. Can be improved.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明による真空処理装置の一実施例を示す平
面図。 【図2】図1の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成
図。 【図3】図1の真空処理装置を2モジュール連設した真
空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。 【図4】(a)ないし(c)は、2モジュール真空処理
装置での基板処理モード図。 【図5】(a)、(b)は、3モジュール真空処理装置
での他の基板処理モード図。 【図6】本発明による真空処理装置の他の実施例を示す
平面図。 【符号の説明】 10…バッファ室、20…真空処理室、30…基板、4
0、41…真空開閉手段、50、51…他の真空開閉手
段、60、60′…真空予備室、80ないし120…ベ
ルト搬送装置、140…基板受渡手段、150、160
…アーム搬送装置
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a vacuum processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a perspective configuration diagram of a substrate transfer unit of the vacuum processing apparatus of FIG. FIG. 3 is a perspective view of a substrate transfer means of a vacuum processing apparatus in which two modules of the vacuum processing apparatus of FIG. 1 are connected in series. 4A to 4C are substrate processing mode diagrams in a two-module vacuum processing apparatus. FIGS. 5A and 5B are other substrate processing mode diagrams in a three-module vacuum processing apparatus. FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the vacuum processing apparatus according to the present invention. [Description of References] 10: buffer chamber, 20: vacuum processing chamber, 30: substrate, 4
0, 41: Vacuum opening / closing means, 50, 51: Other vacuum opening / closing means, 60, 60 ': Vacuum spare chamber, 80 to 120: Belt transfer device, 140: Substrate delivery means, 150, 160
… Arm transfer device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/68 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Fumio Shibata 794, Higashi-Toyoi, Kazamatsu, Kudamatsu, Yamaguchi Prefecture Inside the Hitachi, Ltd. Kasado Plant (72) Inventor, Tsunehiko Tsunehiko 794, Higashi-Toyoi, Kudamatsu, Yamaguchi, Japan Hitachi, Ltd. Works Ryuto factory (72) inventor Kaneo Kanai Yamaguchi Prefecture Kudamatsu Oaza Higashitoyoi 794 address stock company Hitachi Ryuto in the factory (58) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) H01L 21/68

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板
を1枚毎取り出し、基板テーブル上に搬送してオリフラ
合わせを行い、 前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上
方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続
き下降させて前記基板電極に所定のプラズマ処理を行
い、 この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ合わ
せを行い、前記プラズマ処理が終了した基板は前記真空
処理室から搬出し、カセットテーブルを上昇させて回収
カセットに前記基板を一枚毎回収することを特徴とする
半導体基板処理方法。
(57) [Claims] The cassette table is lowered, the substrates are taken out one by one from the supply cassette, and transported onto the substrate table to align the orientation flat. The substrates after the orientation flat alignment are transported above the substrate electrodes in the vacuum processing chamber, and from below the substrate electrodes. The claw is raised and then lowered to perform predetermined plasma processing on the substrate electrode. During this time, the next substrate is aligned on the substrate table, and the substrate after the plasma processing is unloaded from the vacuum processing chamber. And recovering the substrates one by one in a collection cassette by raising a cassette table.
JP21786198A 1998-07-31 1998-07-31 Semiconductor substrate processing method Expired - Lifetime JP2960404B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21786198A JP2960404B2 (en) 1998-07-31 1998-07-31 Semiconductor substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21786198A JP2960404B2 (en) 1998-07-31 1998-07-31 Semiconductor substrate processing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24011897A Division JP2883597B2 (en) 1997-09-05 1997-09-05 Vacuum processing apparatus and semiconductor substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11121591A JPH11121591A (en) 1999-04-30
JP2960404B2 true JP2960404B2 (en) 1999-10-06

Family

ID=16710924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21786198A Expired - Lifetime JP2960404B2 (en) 1998-07-31 1998-07-31 Semiconductor substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2960404B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100364089B1 (en) * 2000-08-03 2002-12-12 주식회사 아펙스 Hot plate apparatus with vacuum buffer chamber

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11121591A (en) 1999-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06105742B2 (en) Vacuum processing method and device
KR100230697B1 (en) Reduced-pressure processing
JP4581031B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP3947761B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate transfer machine, and substrate processing method
US20010008052A1 (en) Vacuum processing apparatus and operating method therefor
JPH11307614A (en) Multi-chamber system for etching equipment of semiconductor element manufacture
JP2002501303A (en) Two wafer load lock wafer processing apparatus and method for loading and discharging the same
JPH0651260A (en) Vacuum processing device
JPH10256346A (en) Cassette transferring mechanism and semiconductor manufacturing apparatus
JPH08316286A (en) Plasma processing equipment and its operating method
JP2960404B2 (en) Semiconductor substrate processing method
JP2752965B2 (en) Vacuum processing equipment
JP2695403B2 (en) Semiconductor substrate processing method and semiconductor substrate processing apparatus
KR101413762B1 (en) Substrate processing system
JP2695402B2 (en) Substrate vacuum processing method and substrate vacuum processing apparatus
JPS60113428A (en) Manufacturing equipment of semiconductor
JP3380570B2 (en) Transfer device
JP2669455B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2883597B2 (en) Vacuum processing apparatus and semiconductor substrate processing method
JP2883596B2 (en) Vacuum processing apparatus and substrate processing method
JP2714548B2 (en) Vacuum processing apparatus and method of using vacuum processing apparatus
JP2002009131A (en) Substrate processor, substrate treatment method and method for manufacturing semiconductor device
JP2873761B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JPH06252245A (en) Vacuum processing equipment
JPH0615720B2 (en) Vacuum processing device