JPH08240806A

JPH08240806A - 液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08240806A
Application number: JP4199295A
Authority: JP
Inventors: Takashi Sugiyama; 貴杉山; Yasuo Toko; 康夫都甲; Kiyoshi Ando; 潔安藤; Hiyakuei Chiyou; 百英張
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 1995-03-01
Filing date: 1995-03-01
Publication date: 1996-09-17

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、視角依存性を解消できる液
晶表示装置とその作製方法を提供することである。【構成】液晶セルを構成する一対の基板のそれぞれ
が、基板表面に複数の配向領域と非配向領域を有してお
り、一方の基板の前記配向領域ともう一方の基板の前記
非配向領域が相対向するように配置する。また、液晶全
体で複数の配向方向を有するように、各基板面に形成す
る配向方向を選択する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置とその製
造方法に関し、特に視野角を改善できる液晶表示装置と
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示ディスプレイ等に使用される液
晶表示装置（液晶セル）は、液晶の特定な分子配列を電
界等の外部からの作用によって別の異なる分子配列に状
態変化させて、光学的特性の変化を視覚的な変化として
表示に利用している。

【０００３】一般に、液晶分子をある特定の配列状態に
するためには、液晶を挟むガラス基板の表面に配向処理
を行っている。従来のツイストネマチック（ＴＮ）形液
晶セルなどでは、配向処理として、液晶を挟むガラス基
板に形成した配向膜を綿布のようなもので一方向に擦る
いわゆるラビング法が採用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ラビング法で配向処理
をした場合、液晶分子は、ラビングするベクトル方向、
すなわち配向方向にプレチルトを生じる。プレチルトと
は、基板面に対し、液晶分子の一端が基板面に接してお
り、もう一方の他端がやや持ち上がって、液晶分子が基
板面に対して極角方向に傾斜している状態のことであ
る。プレチルトを有する液晶分子は、液晶セルに電圧を
印加すると、持ち上がっている側から立ち上がる。

【０００５】ラビングによる配向処理は、一方向に行わ
れるため、基板全面に渡って一方向のみのプレチルトが
生じる。よって液晶セルに電圧を印加した際、液晶分子
の立ち上がる方向が揃ってしまう。観測者にとって表示
の見やすい角度が特定の角度範囲に制限されてしまう。
即ち液晶セルはある方向からは見えやすく、別の方向か
らは見えにくいといった視角依存性を持つことになる。

【０００６】このように、視角依存性をもつ液晶セルを
表示装置として利用した場合には、表示画面に対してあ
る角度ではコントラストが極端に低下し、甚だしい場合
には表示の明暗が反転してしまう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、一対の基板のいずれもが基板表面に複数の配向領域
と非配向領域を有しており、一方の基板の配向領域とも
う一方の基板の非配向領域が対向するように配置された
液晶セルを有する。

【０００８】また、液晶セル全体としては、複数の異な
る配向方向を有するよう、各基板上に形成する配向方向
を選択してもよい。さらに、本発明の液晶表示装置の製
造方法は、液晶セルを構成する一対の基板のそれぞれの
基板表面に複数の配向領域と非配向領域を形成する配向
処理工程と、一方の基板の前記配向領域ともう一方の基
板の前記非配向領域が相対向するように前記一対の基板
を貼り合わせて液晶セルを形成する工程と、前記液晶セ
ル中に液晶材料を注入する工程とを有する。

【０００９】

【作用】液晶セルの各基板には、配向領域と非配向領域
が混在する。一方の基板の非配向領域は、他方の基板の
配向領域と対向する。よって、液晶セル中の液晶分子
は、領域ごとに上下の基板のいずれか一方に形成された
配向構造によって配向される。各基板の配向処理は、半
減することができ、配向処理が容易になる。また、各基
板ごとに異なる配向方向を付与することができる。よっ
て、液晶セル全体として複数の配向方向を付与するよう
上下それぞれの基板に形成する配向方向を選択すれば、
液晶セルに電圧が印加された際の液晶分子の立ち上がり
方向をより偏りのないものにすることができる。

【００１０】

【実施例】液晶セルの視角依存性を改善するため、本出
願者らによって基板面上に配向方向の異なる複数の配向
領域を形成する方法が検討されている。配向膜上の液晶
分子には、配向方向に準じたプレチルトが付与される。
異なる方位角のプレチルトを有した液晶分子は、液晶セ
ルに電圧を印加した際、それぞれ異なる方向から立ち上
がる。液晶分子が均等に偏りなく異なる方向から立ち上
がれば、視角特性は改善できる。配向方向を複数とすれ
ば、同様の視角特性の改善が望める。

【００１１】配向膜上の液晶分子に複数方向のプレチル
トを付与するには、例えばフォトリソグラフィ方法とラ
ビング法を用いて、基板に２方向の配向領域を均等に形
成する方法を用いることができる。図２を参照にして、
まずこの配向処理方法について説明する。

【００１２】図２（Ａ）に示すように、配向処理をしよ
うとする基板１の表面に、配向膜２を形成する。さら
に、配向膜の全面にスピナ等を用いてフォトレジスト膜
を形成する。露光、現像により、微小な開口部を均等に
有したレジストパターン３ａを形成する。

【００１３】この基板にラビングローラ４を用いてラビ
ングを行う。レジスト膜が覆っていない露出した配向膜
表面のみがラビングローラに直接触れ、配向処理され
る。この後レジスト膜を専用の剥離液等で除去する。

【００１４】再びレジスト膜を基板全面に形成する。図
２（Ｂ）に示すように、露光、現像工程を経て、既に配
向処理されている部分の配向膜のみを覆い、未配向処理
部分の配向膜を露出させるレジストパターン３ｂを形成
する。このレジストパターン３ｂは、先の工程で形成し
たレジストパターン３ａと丁度ネガとポジの関係とな
る。再び、基板面をラビングローラを用いてラビング処
理する。この際、ラビングの進行方向は、先のラビング
時とは異なる方向、例えば９０度もしくは１８０度異な
る方向とする。この後レジスト膜を剥離する。

【００１５】図２（Ｃ）に示すように、基板上の配向膜
には、２種の互いに９０度もしくは１８０度異なる方向
の配向処理領域が隈なく形成される。図中矢印は、配向
方向を示す。

【００１６】図２（Ｄ）に示すように、配向処理を行っ
た基板と、配向膜のみを有するもう一枚の基板とを対向
させ、ギャップｄで互いに張り合わせ、液晶セルを形成
する。尚、図示していないが、配向処理を施していない
配向膜を有する基板上には、薄膜トランジスタが形成し
てある。また、配向処理を行った基板の配向膜の下に
は、透明電極が形成してある。液晶セル５にカイラルネ
マティック液晶材料を注入すると、配向処理した側の配
向膜面にある液晶分子６は、この配向処理に従って配向
し、２種の方位角方向を有するプレチルトが付与され
る。

【００１７】上述の方法においては、液晶セル中の液晶
分子に２方向のプレチルトを付与する為に、一方の基板
上にフォトリソグラフィ工程を用いたレジスト膜のラビ
ングマスクパターンを２回形成する必要がある。各フォ
トリソグラフィは、レジスト塗布、露光、現像、ベー
ク、レジスト剥離等の工程を有する。この一連の工程を
２回繰り返すとともに、露光時のパターン合わせも必要
となり、工程が煩雑化することは避けられない。

【００１８】さらに、２回目のラビングマスク形成時に
は、一旦ラビングされた配向膜表面に、レジスト膜を塗
布する必要がある。配向処理の済んだ配向膜面へのレジ
スト塗布は、その領域の配向を乱したり、不純物を付着
させる原因となりやすい。さらに、ＴＦＴを用いた液晶
表示方法においては、クロストークの原因や残像、焼き
付け、電圧保持率低下によるコントラスト不足を引き起
こす要因ともなる。

【００１９】上述の方法における不都合を解消するとと
もに、液晶セル中の液晶分子に複数の異なる立ち上がり
方向を付与することができる新規な液晶表示装置とその
作製方法について以下に説明する。

【００２０】図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、液
晶セル形成時に対となる２枚の基板１ａ、１ｂのそれぞ
れの表面に配向膜２ａ、２ｂを形成する。さらにその上
にレジスト膜を塗布形成する。現像、露光等の工程を経
て、相補的な開口部を有するレジストパターン３ａ、３
ｂを形成する。例えばここでレジスト膜で被覆される領
域と被覆されない領域は、同面積でかつ均等に基板面上
に配されるようにする。また、２枚の基板を向かい合わ
せた時に、一方の基板上のレジスト被覆領域は、もう一
方の基板の非被覆領域と丁度相対応するようレジストパ
ターンを形成する。

【００２１】ラビングローラ４を用いてそれぞれの基板
面を一方向にラビングする。レジスト膜で被覆されてい
ない領域のみがラビングローラに触れ配向処理される。
形成する配向方向は、２枚の基板を向かいあわせた際
に、基板表面に平行な面内で液晶の配向方向が互いに異
なるように、好ましくは９０度、１８０度もしくは２７
０度異なるように配慮する。上下の基板の配向方向は液
晶のツイスト角を考慮して決定する。

【００２２】この後レジスト膜を剥離すると、図１
（Ｃ）、図１（Ｄ）に示すように、双方の基板面に配向
領域と非配向領域の２領域が交互に形成される。図中、
配向膜の配向方向を簡略的に矢印で示す。

【００２３】それぞれに配向処理された２枚の基板を図
１（Ｅ）に示すように、所定のギャップを保って貼り合
わせ、液晶セル５を作製する。すでに上述したように、
対向する基板面に形成された配向処理部分と非配向処理
部分が丁度向かい合うようにする。

【００２４】各基板上に形成する配向処理の例を図３
（Ａ）、図３（Ｂ）に示す。例えば図３（Ａ）に示すよ
うに、基板面を微小な同じ大きさの四角形の領域に分
け、交互に配向領域と非配向領域を形成する。それぞれ
の基板面に形成する配向方向は、一方向であるが、例え
ば上下の基板で互いに１８０度異なる配向を付与した場
合、セルギャップ間で９０度のツイストをする液晶分子
が注入されれば、基板表面に平行な面内で９０度異なる
２方向の配向が形成できる。

【００２５】しかし、上下の基板で互いに９０度異なる
配向を付与した場合、セルギャップ間で９０度のツイス
トをする液晶分子が注入されれば、結果的に基板表面に
平行な面内で形成される液晶分子の配向方向は同じこと
となり、複数配向を形成できない。よって、各基板に形
成する配向方向は、同一基板面内で複数方向の配向が付
与されるように、液晶材料のツイスト角を考慮にいれ、
選択することが望まれる。

【００２６】また、図３（Ｂ）に示すように、基板面を
微小な帯状の領域に分け、交互に配向領域と非配向領域
を形成してもよい。図３（Ａ）に示す配向例と同様に、
それぞれの基板面に形成される配向方向は一方向に揃っ
ているが、上下の基板に形成される配向方向は１８０度
異なる。また、配向領域と非配向領域が対向している。

【００２７】尚、一基板面に形成する個々の微小な配向
領域は、一画素の大きさを複数に分割し、一画素内に配
向領域と非配向領域が同じ面積で形成されることが好ま
しい。例えば、図４（Ａ）に示すように一画素が正方形
もしくは図４（Ｂ）に示すように長方形の場合、各基板
面を中央で二分割し配向領域（ａ₁、ａ₄、ｂ₁、
ｂ ₄）と非配向領域（ａ₂、ａ₃、ｂ₂、ｂ₃）に分け
たり、さらに四分割、八分割等微細に画素を分割しても
よい。

【００２８】図中、配向領域に示した実線の矢印は配向
処理方向を示す。また、非配向領域に示した破線による
矢印は対向する基板面上に付与された配向処理によって
実質的に液晶分子に付与される配向方向を示している。
図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、液晶材料がセルギャップ間
で、９０度ツイストする場合に対応する。こうして図４
（Ａ）の場合は、基板面に平行な面内に１８０度異なる
２つの配向方向、図４（Ｂ）の場合は、基板面に平行な
面内に９０度異なる２つの配向方向を形成できる。

【００２９】続けて、液晶セルに液晶材料を注入する方
法について説明する。液晶セル５に注入する液晶材料と
しては、例えばネマチック液晶材料にカイラル分子を混
合した液晶を用いる。例えば、液晶材料としては、ＺＬ
Ｉ−１５６５（メルク社製）、ＳＲ−５００３（チッソ
社製）、カイラル材としては、Ｓ−８１１（メルク社
製）等を用いる。

【００３０】カイラルネマティック液晶のカイラルピッ
チをｐとし、ガラス基板で挟持される方向の液晶層の厚
みをｄとした時に、ｄ／ｐが０以上約０．７５以下とな
る条件を満たすように、カイラルピッチｐと液晶層厚み
ｄを設定するとよい。液晶セル間で９０度ツイストする
液晶セルを作製する場合は、ｄ／ｐを０．２５とすれば
よい。

【００３１】図５に示すように、容器１５に入った液晶
材料１１の中に液晶セルの注入口１４を浸ける。両基板
１ａ、１ｂ間に毛細管現象等を用いて液晶材料１１を注
入する。液晶注入の際、両側からヒータのような加熱装
置１２、１３によって液晶材料１１を加熱し、液晶のネ
マチック相−アイソトロピック相間の相転移温度（Ｎ−
Ｉ点）以上の温度にする。液晶材料１１中の液晶分子は
等方性の状態である。さらに、予め液晶セルを液晶注入
前の空の状態で加熱装置１２、１３を用いて十分加熱し
ておくとより確実に、等方性の状態を確保できる。

【００３２】液晶の温度制御は液晶材料１１中に温度検
知器を入れて温度をモニタしながらヒータ１２、１３の
電流量を調整するような温度制御技術が利用できる。温
度制御は手動でも自動でも可能である。

【００３３】液晶材料を注入後、加熱装置１２、１３に
よる発熱量を低下させつつ、徐々に液晶材料１１を冷却
してゆく。冷却速度は０．１〜１０℃／分の範囲、例え
ば０．５℃／分となるように温度制御する。この速度で
相転移温度（Ｎ−Ｉ点）まで徐冷していくと、液晶材料
１１はアイソトロピック状態であったものが、ネマチッ
ク液晶状態に相転移していく。

【００３４】上述のような注入時の液晶材料の加熱は必
ずしも必要なく、室温でネマティック状態で液晶材料を
注入してもよい。但し、ネマティック状態の液晶を注入
する場合は、注入時の流動配向による流動パターンがそ
のまま残り、著しく表示品位を低下させてしまうことが
ある。よって、液晶材料の注入後、配向膜と液晶相の界
面における液晶分子の自由運動を可能にする為のエネル
ギーを付与し、流動パターンを消滅させる必要がある。
例えば、液晶材料注入後、Ｎ−Ｉ点より高い温度で、か
つ配向膜の化学的性質を変えず、液晶の分解温度を越え
ない所定温度以下に液晶セルを加熱すると流動パターン
を消滅させることができる。加熱以外にも、光照射、磁
気照射等の方法を用いてもよい。

【００３５】液晶セル中央にある液晶分子には、上下い
ずれかの配向膜に形成された配向方向に従ってプレチル
トが付与される。図１（Ｅ）に示すように、液晶セル中
の液晶分子は配向膜面上のプレチルトを有する液晶分子
を起点にして、カイラルピッチに従いツイストする。上
下の基板によって付与されるプレチルトの方向が異なる
為、液晶セル全体としては液晶分子に２方向の立ち上が
り方向が付与されることになる。

【００３６】上述の構成および方法によれば、液晶セル
全体として液晶分子に２方向の配向方向を付与するため
に、各基板面に形成する配向方向は一方向のみでよい。
よって、各基板上に行うレジスト膜のパターニングは１
回で済み、パターン付基板上へのパターン合わせの必要
性もなく、工程の煩雑化が避けられる。また、配向処理
を行った基板表面の領域にレジスト膜を塗布する必要も
なく、配向処理工程が配向の乱れや、トランジスタの動
作不良を引き起こすことはない。

【００３７】上述の方法で作製した液晶表示装置の視角
特性の例を図６および図７に示す。ここで、Θは液晶表
示画面の法線方向を０度とする極角を示し、Φは液晶表
示画面下方を０度とする方位角を示す。なお、前面偏光
板は４５度、背面偏光板は１３５度の角度に配置した。

【００３８】図６に示すグラフは、基板表面に平行な面
内にΦが０度と１８０度の異なる２つの配向方向を有す
る液晶表示装置の視角特性である。広い角度範囲にわた
って高いコントラストが得られている。図７に示すグラ
フは、基板表面に平行な面内にΦが０度と９０度の異な
る２つの配向方向を有する場合の視角特性である。この
場合は、例えば図７中に示す矢印ＡもしくはＢの左右対
称な特性が得られる方向を観察方向とするのが好まし
い。いずれの場合も配向方向が一方向に偏っている場合
に較べ広い視野角を得ることができる。

【００３９】上述した液晶作製方法における配向処理工
程では、ラビング処理領域を画定する為にレジストパタ
ーンをラビングマスクとして用いているが、レジストパ
ターンの代わりに、開口部を有するステンレスの薄板を
ラビングマスクとして用いると、より簡便に配向処理を
行うことができる。

【００４０】また、配向膜の代わりに光偏光記憶膜を用
いて配向処理を行うこともできる。光偏光記憶膜は、特
定の波長の偏光が照射されると、その偏光方向に対応し
た配向を形成できる膜である。

【００４１】例えば、以下のような光偏光記憶膜を用い
るとよい。（１）ジアゾアミン系染料をドープしたシリコンポリイ
ミドを用いたもの：ＷａｙｎｅＭ．Ｇｉｂｂｏｎｓ
他，ＮＡＴＵＲＥＶｏｌ．３５１（１９９１）ｐ．４
９、（２）アゾ系染料をドープしたＰＶＡ（ポリビニル
アルコール）を用いたもの：飯村靖文他：第１８回液晶
討論会−日本化学会第６４秋期年会−，ｐ．３４，平成
４年９月１１日発行，社団法人日本化学会。もしくは、
Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９
９３）ｐｐ．Ｌ９３−Ｌ９６、（３）光重合フォトポリ
マーを用いたもの：ＭａｒｔｉｎＳｃｈａｄｔ他，Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３１（１９９
２）ｐｐ．２１５５−２１６４。

【００４２】光偏光記憶膜を用いた配向処理工程は、上
述の２つの方法とは異なり、ラビングを行う必要がな
い。代わりに、特定の偏光を有する光をこの膜に照射す
る必要がある。例えば、図８に示すような配向処理装置
を用いてこれを行う。

【００４３】レーザ光源２１より出力したレーザ光は、
まず光学系２２で拡大されて所定の大きさのビームスポ
ット径となる。さらにこのレーザビームはマスク２３を
通過する。マスク２３は、偏光板であるとともに一種の
フォトマスクである。マスク２３を通過したレーザの断
面には、直線偏光領域と遮光領域の微細領域が均等に形
成される。このレーザ光は、さらに光学系２４を経て所
定の大きさのビームスポット径になった後、基板２５上
の光偏光記憶膜に照射される。直線偏光のレーザが照射
された部分は配向領域となり、それ以外の領域は非配向
領域となる。このようにして光偏光記憶膜上に配向領域
と非配向領域を交互に形成できる。

【００４４】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、上
述の実施例では、各基板に一方向の配向方向を付与する
場合について説明したが、複数方向の配向を形成しても
よい。この場合も上下で配向領域と非配向領域が向かい
合うようにする構成は同じとする。

【００４５】また、基板上に形成する配向領域と非配向
領域は、同面積で均等に配置することが好ましいとして
いるが、画素電極と画素電極の境界部分や、基板端部の
配線等に用いられる部分等の画素領域ではない部分は、
配向処理は必要ではなく、当然に非配向領域であってよ
い。

【００４６】さらに、種々の変更、改良、組み合わせ等
も可能なことは当業者に自明であろう。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複雑な工程を経ることなく液晶セル中の液晶分子に、複
数の配向方向を付与することができ、視角特性も改善で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例による液晶分子の配向処理工程を示す
断面図である。

【図２】実施例による液晶分子の配向処理工程を示す
断面図である。

【図３】実施例による配向処理形成例を示す斜視図で
ある。

【図４】実施例による配向処理形成例を示す斜視図で
ある。

【図５】液晶注入工程を示す断面図である。

【図６】実施例による液晶セルの視角特性図である。

【図７】実施例による液晶セルの視角特性図である。

【図８】光配向記憶膜の配向処理装置の概略図であ
る。

【符号の説明】

１、１ａ、１ｂ基板２、２ａ、２ｂ配向膜３、３ａ、３ｂレジストパターン４ラビングローラ５液晶セル６液晶分子１１液晶材料１２、１３ヒータ１４液晶注入口１５容器２１レーザ光源２２光学系２３フォトマスク２４光学系２５基板

フロントページの続き (72)発明者張百英神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１スタンレー電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶セルを構成する一対の基板のそれぞ
れが、基板表面に複数の配向領域と非配向領域を有して
おり、一方の基板の前記配向領域ともう一方の基板の前
記非配向領域が相対向するように配置された液晶表示装
置。
【請求項２】前記配向領域と前記非配向領域のそれぞ
れの面積がほぼ同じである請求項１に記載の液晶表示装
置。
【請求項３】前記配向領域と前記非配向領域が１画素
の大きさにそれぞれ１またはそれ以上であって同数ずつ
存在する請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記配向領域の配向方向が、同一基板内
では、全て同一方向である請求項１から３のいずれかに
記載の液晶表示装置。
【請求項５】液晶セル全体として複数の異なる配向方
向を有するように、前記配向領域の配向方向が選択され
た請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】一基板面内で実質的に９０度、もしくは
１８０度異なる２方向の配向が付与された請求項１から
５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記液晶セルに注入される液晶材料がカ
イラルネマティック液晶を含み、前記カイラルネマティ
ック液晶のカイラルピッチをｐ、前記液晶セルのギャッ
プをｄとしたとき、ｄ／ｐの値が０以上約０．７５以下
の条件を満たすよう前記ｐとｄが調整された請求項１か
ら６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】液晶セルを構成する一対の基板のそれぞ
れの基板表面に複数の配向領域と非配向領域を形成する
配向処理工程と、一方の基板の前記配向領域ともう一方の基板の前記非配
向領域が相対向するように前記一対の基板を貼り合わせ
て液晶セルを形成する工程と、前記液晶セル中に液晶材料を注入する工程とを有する液
晶表示装置の製造方法。
【請求項９】前記配向処理工程が、一対の基板のそれぞれの基板表面に配向膜を形成する工
程と、該配向膜上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜によって該配向膜が被覆される領域と該
配向膜が被覆されない領域とを複数有するレジスト膜パ
ターンを形成する工程と、前記レジスト膜パターン上をラビング処理する工程と、この前記レジスト膜を剥離する工程と、を有する請求項
８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】前記配向処理工程が、一対の基板のそれぞれの基板表面に配向膜を形成する工
程と、前記配向膜の上に複数の開口部を有する金属薄板を重
ね、この上から前記基板表面をラビング処理する工程
と、を有する請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】前記配向処理工程が、一対の基板のそれぞれの基板表面に光偏光記憶膜を形成
する工程と、前記光偏光記憶膜に選択的に偏光レーザを照射する工程
と、を有する請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】前記液晶材料を注入する工程が、Ｎ−
Ｉ相転移点以上の温度の液晶材料を注入することを特徴
とする請求項８から１１のいずれかに記載の液晶表示装
置の製造方法。
【請求項１３】前記液晶材料を注入する工程が、Ｎ−
Ｉ相転移点以下の温度の液晶材料を注入するものであ
り、この工程の後、液晶分子と前記基板表面との結合作
用を減少させ、液晶分子の自由な運動を可能とするエネ
ルギーを与える工程を有する請求項８から１１のいずれ
かに記載の液晶表示装置の製造方法。