KR100413485B1 - 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광시야각 및 고속응답을 확보하는 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 제 1 기판 상에 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 복수개의 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 전극과 교번하도록 복수개의 공통전극을 형성하는 단계와, 상기 공통전극 및 화소전극 그리고 공통전극과 화소 전극 사이의 배향막에 각각 제 1, 제 2, 제 3 편광방향을 갖는 자외선을 조사하여 배향막과 평행한 평면상에 벤드구조 배향패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법{INPLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 광시야각과 고속응답을 제공하기 위한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 액티브 매트릭스 액정표시소자의 성능이 급속하게 발전함에 따라, 평판 TV, 휴대용 컴퓨터, 고정보량이 요구되는 모니터 등에 광범위하게 사용되고 있다.
상기 액티브 매트릭스 액정표시소자 중 트위스티드 네마틱(TN : Twisted Nematic) 방식의 액정표시소자를 현재 주로 사용하고 있는데, 트위스티드 네마틱 방식은 두 기판에 각각 전극을 설치하고 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 다음, 전극에 전압을 가하여 액정 방향자를 구동하는 기술이다.
그러나, 상기 TN방식 액정표시소자는 좁은 시야각과 그레이 스케일 동작에서의 늦은 응답특성 등과 같은 근본적인 문제점을 갖는다.
이러한 TN방식의 액정표시소자의 문제점을 해결하기 위한 연구가 활발하다.
그 중 한 화소를 여러 도메인으로 나눠 각각의 도메인의 주시야각 방향을 달리하여 화소의 특성이 여러 도메인의 특성의 평균값이 되게 하는 멀티도메인 방식(Multi-Domain Mode)과, 보상필름을 기판 외주면에 부착하여 빛의 진행방향에 따른 빛의 위상변화를 보상하는 OCB 방식(Optically Compensated Birefringence Mode)과, 한 기판 상에 두개의 전극을 형성한 후, 상기 두 전극 사이에 전압을 인가하여 기판에 대해서 수평방향으로 전계를 발생시켜 액정의 방향자가 배향막의 나란한 평면에서 꼬이게 하는 횡전계 방식(In-Plane Switching Mode)과, 네가티브형 액정과 수직배향막을 이용하여 액정 분자의 장축이 배향막 평면에 수직 배열되도록 하는 수직배향 방식(VA: Vertical Alignment Mode) 등이 제안되었다.
하지만, 이러한 액정표시소자도 한계를 가진다.
특히, 멀티도메인 방식은 멀티 도메인을 형성하기 위한 공정이 복잡하고, 액정분자의 벤드 형태의 배향을 이용한 OCB방식은 시야각이 나쁘며 시야각 개선을 위해 셀의 양쪽에 보상필름을 사용하여야 한다. 그리고, 벤드셀을 유지하기 위해 초기 리셋(reset) 전압 인가가 필요함 등과 같은 번거로움이 있다.
또한, 횡전계방식은 시야각은 좋으나 응답속도가 기존 다른 방식과 비슷다는 한계가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술의 OCB방식 액정표시소자 및 횡전계방식 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적이 OCB방식 액정표시소자의 동작과정을 설명하기 위한 도면이다.
응답특성이 느린 TN방식을 보완하기 위해 제안된 OCB방식은 도 1에서와 같이 소자를 구동하기 위한 여러 패턴들이 있는 상,하부 기판(1,2)의 내면에 배향막(3)을 형성하고 상기 배향막(3)을 같은 방향으로 러빙한 뒤, △ε이 양인 네마틱 액정을 주입하여 액정층(4)을 형성한다.
이 때, 상,하부 기판(1,2) 가까이에 위치한 액정분자의 선경사각은 10 내지 20。정도이고, 액정층의 한 가운데에 위치한 액정분자의 경사각은 0。이다.
이와 같은 OCB형 액정표시소자에 초기 전압을 걸어 주어 액정층의 한가운데에서의 액정분자의 경사각이 90。로 되도록 초기 리셋(reset)한다.
이후, 인가전압을 달리함으로써 액정층(4) 가운데 액정분자를 제외한 나머지 액정분자의 틸트를 변화시켜 액정층을 지나는 빛의 편광을 변조한다. 즉, 1∼2V의 낮은 전압을 인가했을 때에는 화이트 상태를 표시하고 5∼7V의 높은 전압을 인가했을 때에는 블랙 상태를 표시한다.
여기서, OCB방식 액정표시소자는 셀 두께가 얇고, 액정분자가 탄성계수가 큰 벤드(bend) 구조로 변형하므로 응답속도가 매우 빠르다.
특히, 벤드 구조는 액정분자간의 저항을 최소화하여 구동시 응답속도가 빠르도록 하는 형태이다.
그러나, 벤드 구조를 이용한 OCB형 소자일 경우 시야각이 나쁘고, 액정셀 수율이 낮으며, 액정의 벤드형태의 배향을 유지하기 위해 초기 리셋을 수행하여야 하는 문제점들이 있다.
OCB형 소자의 시야각을 개선하기 위해 상,하부 기판 외주면에 이축성 필름(bi-axial film) 또는 와이드뷰 필름(wide view film)과 같은 보상필름을 더 부착하는데, 보상필름으로 틸트 복굴절을 보상하는 데에도 한계가 있다.
따라서, 시야각 개선을 위해 횡전계방식 액정표시소자가 제안되었다.
도 2는 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이고, 도 3은 횡전계방식 액정표시소자의 전압분포도이다. 그리고, 도 4a 및 도 4b는 종래 기술에 의한 전압 무인가/인가시에서의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이다.
서로 대향 배치된 제 1 ,제 2 기판과 그 사이에 형성된 액정층으로 구성된 종래의 횡전계방식 액정표시소자에 있어서, 상기 제 1 기판 상에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층과, 상기 컬러필터층을 보호하기 위한 오버코트층이 형성되어 있고, 상기 제 2 기판 상에는 도 2에서와 같이, 기판 상에 교차 배치되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(11)과, 상기한 게이트 배선(10)과 평행하도록 화소 내에 배치된 공통배선(12)과, 상기한 게이트 배선(10)과 데이터 배선(11)의 교차 부위에 배치된 박막트랜지스터와, 상기 공통배선(12)에서 연장되어 상기 데이터 배선(11)에 평행하는 공통전극(13)과, 상기 박막트랜지스터에 연결되어 상기 공통전극 사이에서 상기 공통전극과 평행하도록 배치된 화소 전극(14)과, 상기 화소 전극(14)에서 연장되어 게이트 배선(10) 상부에 형성된 스토리지 전극(15)과, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 형성되어 제 1 기판 상의 패턴들을 보호하는 보호막(미도시)이 형성되어 있다.
이 때, 상기 게이트 배선층과 데이터 배선층은 절연 특성이 우수한 게이트 절연막(미도시)을 사이에 두고 절연되어 있고, 상기 공통배선(12) 및 공통전극(13)은 상기 게이트 배선(10)과 동시에 형성되고, 상기 화소 전극(14)은 상기 데이터 배선(11)과 동시에 형성된다. 상기 게이트 배선 및 데이터 배선은 저저항의 금속 물질을 재료로 한다.
다만, 횡전계방식 액정표시소자의 개구율을 향상시키기 위해 상기 공통전극(13) 및 화소 전극(14)을 빛이 잘 투과되는 투명한 도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성하여도 된다.
또한, 상기 공통전극(13) 및 화소 전극(14)은 상기에서와 같이 절연막을 사이에 두고 서로 다른 평면상에 형성하여도 되고, 전기적 단락(short)이 일어나지 않는 범위 내에서 동일 평면상에 형성하여도 된다.
그리고, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선(11)에서 연장된 게이트 전극(10a)과, 게이트 절연막과, 채널영역을 가지는 액티브층(19)과, 상기 데이터 배선(11)에서 연장된 소스전극(11a) 및 드레인 전극(11b)으로 구성된다.
이와같이 구성된 횡전계 액정표시소자는 공통전극(13)에 5V를 걸어주고 화소 전극(14)에 0V를 걸어주면 도 3에서와 같이, 등전극 바로 위의 부분에서는 등전위면이 평행하게 분포하고 두 전극 사이의 영역에서는 오히려 등전위면이 수직에 가깝도록 분포한다.
따라서, 전기장의 방향은 등전위면에 수직하므로 공통전극(13)과 화소전극(14) 사이에서는 수직전기장보다는 수평전기장이, 각 전극 상에서는 수직전기장이, 그리고 전극 모서리 부분에서는 수평 및 수직전기장이 복합적으로 형성된다.
횡전계방식 액정표시소자는 이러한 전기장을 이용하여 액정분자의 배열을 조절한다.
일예로, 도 4a에서와 같이, 어느 한 편광판의 투과축과 동일한 방향으로 초기 배향된 액정분자(35)에 충분한 전압을 걸어주면, 도 4b에서와 같이 액정분자(35)의 장축이 전기장에 나란하도록 배열된다. 만일, 액정의 유전율 이방성이 음이면 액정분자의 단축이 전기장에 나란하게 배열된다.
구체적으로, 제 1 ,제 2 기판의 외주면에 부착된 제 1 ,제 2 편광판은 그 투과축이 직교하도록 배치하고, 제 1 기판 상에 형성된 배향막의 러빙방향은 어느 한 편광판의 투과축과 나란하게 함으로써 노말리-블랙(nomally black)이 되게 한다.
즉, 소자에 전압을 인가하지 않으면 액정분자(35)가 도 4a에서와 같이 배열되어 블랙(black) 상태를 표시하고, 소자에 전압을 인가하면 도 4b에서와 같이 액정분자(35)가 전기장에 나란하게 배열되어 화이트(white)를 표시한다.
도 4a 및 도 4b에서의 미설명 부호인 '13'은 공통전극이고 '14'는 화소 전극이다.
이상에서와 같이, 상기와 같은 종래 기술에 의한 액정표시소자는 다음과 같은 문제점이 있다.
기존의 TN방식의 단점을 극복하기 위해 제안된 방식 중에서, OCB방식은 10ms로 응답특성이 뛰어나나, 시야각이 나쁘며 시야각 개선을 위해 셀의 양쪽에 보상필름을 사용하여야 하고, 벤드셀을 유지하기 위해 초기 리셋(reset)을 해야하는 문제점이 있다.
그리고, 좁은 시야각을 해결하기 위해 제시된 횡전계방식은 30ms로 응답특성이 뛰어나지 못하다는 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 액정분자가 벤드 구조를 가지도록 배향 패턴을 형성함으로써 광시야각 및 고속응답을 확보하는 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적이 OCB방식 액정표시소자의 동작과정을 설명하기 위한 도면.
도 2는 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 3은 횡전계방식 액정표시소자의 전압분포도.
도 4a 및 도 4b는 종래 기술에 의한 전압 무인가/인가시에서의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 5a 및 5d는 본 발명에 의한 횡전계 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도,
도 6은 본 발명에 의한 배향패턴을 설명하기 위한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 의한 전압 무인가/인가시에서의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
100, 101 : 제 1 ,제 2 기판 110a : 게이트 전극
111 : 데이터 배선 111a : 소스 전극
111b : 드레인 전극 113 : 공통전극
114 : 화소 전극 117 : 게이트 절연막
118 : 보호막 119 : 액티브층
120 : 배향막 121 : 블랙 매트릭스
122 : 컬러필터층 123 : 오버코트층
125 : 마스크 130 : 액정층
131, 132 : 제 1 ,제 2 편광판 135 : 액정분자
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 복수개의 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 전극과 교번하도록 복수개의 공통전극을 형성하는 단계와, 상기 공통전극 및 화소전극 그리고 공통전극과 화소 전극 사이의 배향막에 각각 제 1, 제 2, 제 3 편광방향을 갖는 자외선을 조사하여 배향막과 평행한 평면상에 벤드구조 배향패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
액정분자가 배향막과 평행한 평면 상에 벤드 구조로 초기배향되도록 배향패턴을 형성함으로써 횡전계방식 액정표시소자의 응답특성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.
따라서, 광시야각 및 고속응답을 가지는 액정표시소자를 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5a 및 5d는 본 발명에 의한 횡전계 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이고, 도 6은 본 발명에 의한 배향 패턴을 설명하기 위한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이다.
그리고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명에 의한 전압 무인가/인가시에서의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이다.
본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법을 살펴보면, 먼저, 도 5a에서와 같이, 제 1 기판(100) 상에 스퍼터링 방법으로 저저항 금속을 증착한 후 패터닝하여, 게이트 배선(미도시) 및 상기 게이트 배선에서 분기되는 박막트랜지스터의 게이트전극(110a)을 형성한다.
이 때, 상기 게이트 배선과 평행하는 공통배선(미도시)과 상기 공통배선에서 연장되는 복수개의 공통전극(113)을 형성한다. 상기 공통전극(113)은 상기 게이트 배선과 동시에 형성하여도 되고, 빛을 투과하는 투명도전막인 ITO로 별도로 형성하여도 된다. 그리고, 상기 게이트 배선층과 동일층에 형성하여도 되고 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 형성하여도 된다.
계속하여, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 실리콘질화막(SiNx)을 적층하여 게이트 절연막(117)을 형성하고, 상기 게이트 전극(110a) 상부의 게이트 절연막(117)에 아몰퍼스실리콘을 사용하여 액티브층(119)을 형성한다.
이후, 도 5b에서와 같이, 상기 게이트 절연막(117) 상부에 스퍼터링 방법으로 저저항 금속을 증착한 후 패터닝하여, 상기 게이트 배선과 매트릭스 배열 구조를 이루어 단위화소 영역을 구분짓는 데이터 배선(111)을 형성하고, 상기 데이터 배선(111)과 동시에 상기 액티브층(119) 양 끝에 배치되는 소스/드레인 전극(111a,111b)을 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선(111)과 평행하면서 상기 드레인 전극(111b)과 연결되는 복수개의 화소 전극(114)을 형성한다. 상기 화소 전극(114)은 상기 공통전극(113) 사이에 형성하여 공통전극과 서로 교번되도록 한다.
여기서, 상기 화소 전극(114)은 금속물질을 재료로 하는 데이터 배선과 동시에 형성하여도 되고, 투명도전막인 ITO를 사용하여 별도로 형성하여도 된다. 또한, 상기 데이터 배선층과 동일층에 형성하여도 되고 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 형성하여도 되며, 상기 공통전극(113)과 단락되지 않는 범위 내에서 공통전극과 동일층에 형성하여도 된다.
이어서, 도 5c에서와 같이, 상기 데이터 배선(111)을 포함한 전면에 실리콘질화막 또는 유기 절연막인 BCB를 도포하여 보호막(118)을 형성하고, 그 위에 배향막(120)을 형성한 뒤, 상기 배향막(120)에 상기 배향막과 평행한 평면상에 벤드 구조의 배향패턴이 생기도록 배향처리한다.
상기 배향막(120)으로는 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinnamate)계, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 등의 감광성 고분자를 사용한다.
배향처리 과정을 구체적으로 살펴보면, 먼저, 상기 공통전극(113)이 형성된위치만 노출되도록 배향막(120) 상측에 일정한 이격을 갖는 마스크(125)를 배치한 후, 제 1 편광방향을 갖고 있는 자외선(UV;Ultra violet)을 조사한다.
그 다음, 상기 공통전극(113)과 이웃하는 화소 전극(114) 사이의 중앙 부분이 노출되도록 마스크(125)를 쉬프트(shift)시킨 뒤, 제 2 편광방향을 갖고 있는 자외선(UV)을 조사한다.
이 때, 공통전극(113)의 모서리 부근과 화소 전극(114)의 모서리 부근은 마스킹하여 배향처리 되지 않도록 한다.
그리고, 상기 화소 전극(114)이 위치한 부분이 노출되도록 마스크(125)를 쉬프트(shift)시킨 뒤, 제 3 편광방향을 갖고 있는 자외선을 조사한다.
이 때, 상기 자외선은 부분편광(Partially polarized light)이거나 또는 선편광(linearly polarized light)으로 사용된다. 그리고, 상기 제 1 편광방향과 제 2 편광방향은 서로 인접하여 교번하며, 화소 내에 형성되어 있는 공통전극과 화소전극 위의 배향 방향이 각 전극의 길이 방향을 기준으로 한쪽방향으로 편향되도록 정해져 있다. 그리고, 상기 편향방향은 각 전극 방향을 기준으로 서로 반대 방향임을 특징으로 한다.
특히, 대칭성을 위해서 전극의 길이 방향으로부터 부호는 서로 반대지만 제 1 ,제 2 편광방향의 편향된 각도의 크기가 같음을 특징으로 한다. 특히, 제 3 편광방향은 상기 두 전극 사이의 중심부에 위치한 배향막의 배향방향을 정해주는 역할을 해주며, 두 전극 방향에 수직한 방향의 편광방향을 갖는다. 위의 제 1 ,제 2 ,제 3 편광방향을 갖는 자외선을 배향막의 각 위치에 조사하여 배향막과 평행한 평면상에 초기에 벤드구조를 형성할 수 있다.
이로써, 도 6에서와 같이 공통전극(113)과 화소 전극(114)를 사이에 세 방향의 배향패턴이 형성되고, 상기 배향패턴에 의해 액정분자는 배향막과 평행한 평면 상에 벤드 구조로 초기 배향된다. 기존의 OCB방식에서는 액정배향을 벤드 구조로 하기 위해 초기 리셋과정이 필요하였으나, 본 발명에 의한 횡전계방식에서는 리셋 과정없이 벤드 구조의 액정배향이 가능하다.
또한, 상기 배향패턴은 2-도메인을 구현하기 때문에 기존의 횡전계방식 소자에서보다 시야각이 우수해진다.
참고로, 상기와 같은 광조사 방법 이외에 내열성, 액정과의 친화성이 우수한 폴리이미드(polyimide) 수지를 기판 상에 인쇄하고 건조시켜 이미드화한 후, 러빙롤을 직접 문질러 배향막에 패턴을 형성할 수도 있다.
물론, 이 때에도 마스크를 이용한 여러번의 러빙공정으로 배향막과 평행한 평면상에 벤드 구조의 배향패턴을 형성한다.
계속하여, 도 5d에서와 같이, 제 2 기판(101) 상에 액정을 제어할 수 없는 부분에서의 빛샘을 방지하기 위해 크롬(Cr) 등과 같은 반사율이 높은 금속을 이용하여 블랙 매트릭스(121)를 형성한다. 그리고, 상기 블랙 매트릭스(121) 사이에 전착법, 안료분산법, 도포법 등을 이용하여 색상 구현을 위한 R,G,B의 컬러필터층(122)을 형성하고, 상기 컬러필터층(122)을 보호하기 위해 컬러필터층(122)을 포함한 전면에 오버코트층(123)을 형성한다.
마지막으로, 상기 제 1 기판(100)과 제 2 기판(101)을 대향 합착하고, 상기두 기판 사이에 액정(130)을 주입한 뒤, 상기 제 1 ,제 2 기판(100,101)의 외주면에 제 1 ,제 2 편광판(131,132)을 각각 부착하여 횡전계방식 액정표시소자를 완성한다.
이 때, 제 1 ,제 2 편광판(131,132)은 각 편광축의 투과축이 수직이 되도록 하고, 어느 한 투과축이 전기장 방향과 동일하도록 부착한다.
이와 같은 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 도 7a에서와 같이 액정분자(135)가 배향막과 평행한 평면 상에 벤드 구조로 초기 배향되고 화이트 상태를 표시한다. 여기에 전압을 걸어주면, 도 7b에서와 같이, 공통전극(113)과 화소 전극(114) 사이의 액정분자(135)가 전기장 방향에 따라 수평으로 배열되고, 진한 블랙 상태를 표시한다.
이 때, 벤드 구조의 배향은 액정분자간의 저항을 최소화하는 형태이므로 전압의 인가/무인가 사이에서 액정분자가 빠르게 회전하게 되며 따라서, 응답속도가 빨라진다.
상기와 같은 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 본 발명에 의한 배향패턴은 2-도메인을 구현하기 때문에 기존의 횡전계방식에서보다 더 우수한 시야각이 확보된다. 그리고, 구동시 액정분자가 벤드 구조의 초기배향 상태에서 회전하기 때문에 응답속도가 빠르다.
따라서, 2-도메인 횡전계방식 수준의 시야각과 OCB방식 수준의 응답속도를얻을 수 있다. 그 결과 디스플레이의 표시 품질이 향상된다.
둘째, 기존의 OCB방식에 대비하여 보상필름 없이도 우수한 시야각이 확보되고, 초기 리셋과정 없이 벤드 구조의 액정배향이 가능하므로 공정이 간소화해지고 그에 따른 공정시간이 줄어든다.

Claims (10)

  1. 제 1 기판 상에 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터와 연결되는 복수개의 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극과 교번하도록 복수개의 공통전극을 형성하는 단계;
    상기 공통전극을 포함한 전면에 배향막을 형성하는 단계;
    상기 공통전극 및 화소전극 그리고 공통전극과 화소 전극 사이의 배향막에 각각 제 1, 제 2, 제 3 편광방향을 갖는 자외선을 조사하여 배향막과 평행한 평면상에 벤드구조 배향패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 편광방향은 상기 공통전극의 길이방향에 대해서 일방향으로 편향되고, 상기 제 2 편광방향은 상기 제 1 편광방향의 반대방향으로 편향되고, 상기 제 3 편광방향은 상기 공통전극의 길이방향에 수직한 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 배향처리는 포토 마스크(photo mask)와 자외선을 사용하여 배향처리함을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 배향처리는 러빙법으로 행하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극에 인접한 영역은 배향처리를 하지 않고, 주변의 배향 상태에 의해서 액정이 배열하도록 함을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제 1 기판 상에서 서로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선;
    상기 두 배선의 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터와 연결되는 복수개의 화소 전극;
    상기 화소 전극과 교번하도록 형성된 복수개의 공통전극;
    상기 공통전극을 포함한 전면에 형성되며 상기 공통전극 상부에서 공통전극의 길이방향에 대해서 일방향으로 제 1 편광방향과, 상기 화소전극 상부에서 상기 제 1 편광방향과 대칭되는 제 2 편광방향과, 상기 공통전극과 화소 전극 사이에서 상기 공통전극의 길이방향에 수직한 제 3 편광방향을 갖는 벤드 구조의 배향패턴으로 이루어진 배향막;
    상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판과의 사이에 형성된 액정층;
    상기 제 1 ,제 2 기판의 외주면에 각각 부착된 제 1 ,제 2 편광판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 ,제 2 편광판의 투과축은 서로 수직을 이루는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 편광판 또는 제 2 편광판 중 어느 하나는 그 투과축이 상기 전극의 길이방향과 수직함을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  10. 삭제
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