JPH07199192A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- JPH07199192A JPH07199192A JP5337422A JP33742293A JPH07199192A JP H07199192 A JPH07199192 A JP H07199192A JP 5337422 A JP5337422 A JP 5337422A JP 33742293 A JP33742293 A JP 33742293A JP H07199192 A JPH07199192 A JP H07199192A
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- crystal display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
- G02F1/133757—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle with different alignment orientations
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有効視野角を広くすることができ、かつ表示
異常の低減をはかり得る液晶表示素子を提供すること。 【構成】 複数の画素電極を有するアレイ基板と透明電
極を有する対向基板との間に液晶層を充填した液晶表示
素子において、表示画素内に液晶分子の立ち上がり方向
が相互に１８０度異なる９０度ツイスト配向領域からな
る第１及び第２の配向領域を設け、且つ第１及び第２の
配向領域の境界部に垂直配向領域からなる第３の配向領
域を設けたことを特徴とする。
異常の低減をはかり得る液晶表示素子を提供すること。 【構成】 複数の画素電極を有するアレイ基板と透明電
極を有する対向基板との間に液晶層を充填した液晶表示
素子において、表示画素内に液晶分子の立ち上がり方向
が相互に１８０度異なる９０度ツイスト配向領域からな
る第１及び第２の配向領域を設け、且つ第１及び第２の
配向領域の境界部に垂直配向領域からなる第３の配向領
域を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に係わ
り、特に配向領域を工夫した液晶表示素子に関する。
り、特に配向領域を工夫した液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、薄型で低電圧駆動が可
能であることから、腕時計，電卓などの表示装置として
広く使用されている。ツイステッドネマチック（ＴＮ）
型液晶表示方式はＴＦＴなどのアクティブスイッチ素子
を組み込むことにより、ＣＲＴ並みの表示特性を持たせ
ることができ、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴ
Ｎ）型液晶表示方式はハイデューティのマルチプレック
ス駆動を可能とし、共にワードプロセッサ，パーソナル
コンピュータのディスプレイなどに用いられている。
能であることから、腕時計，電卓などの表示装置として
広く使用されている。ツイステッドネマチック（ＴＮ）
型液晶表示方式はＴＦＴなどのアクティブスイッチ素子
を組み込むことにより、ＣＲＴ並みの表示特性を持たせ
ることができ、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴ
Ｎ）型液晶表示方式はハイデューティのマルチプレック
ス駆動を可能とし、共にワードプロセッサ，パーソナル
コンピュータのディスプレイなどに用いられている。
【０００３】但し、ＴＮ型液晶表示方式は視野角が狭
い、光利用効率が低いという欠点を持つ。特に、視野角
においてＴＮ型液晶表示では液晶分子の立ち上がり方向
があるため根本的な解決策はない。
い、光利用効率が低いという欠点を持つ。特に、視野角
においてＴＮ型液晶表示では液晶分子の立ち上がり方向
があるため根本的な解決策はない。
【０００４】この立ち上がりの影響は、中間調表示にお
いて特に顕著となり、立ち上がり方向により一義的にコ
ントラストが低下する方向と色反転が起きる方向が決ま
る。そこで、比較的視野角が広く取れる２値表示だけで
中間調を表示する方法として、画素内の領域を細かく分
割しそれぞれ中間階調表示状態に応じて書き込みの面積
を制御する方式が提案されている。ところが、この方式
は画素という非常に細かい領域をさらに細かく分割しな
くてはならず、その分割数に応じて表示できる階調数が
決まってしまうため、実用上好ましくない。
いて特に顕著となり、立ち上がり方向により一義的にコ
ントラストが低下する方向と色反転が起きる方向が決ま
る。そこで、比較的視野角が広く取れる２値表示だけで
中間調を表示する方法として、画素内の領域を細かく分
割しそれぞれ中間階調表示状態に応じて書き込みの面積
を制御する方式が提案されている。ところが、この方式
は画素という非常に細かい領域をさらに細かく分割しな
くてはならず、その分割数に応じて表示できる階調数が
決まってしまうため、実用上好ましくない。
【０００５】また、配向膜上の液晶分子の立ち上がり方
向を画素内で変化させることによって、面内方向での視
野角の違いを相互補償させ視野角を広げる試みがなされ
ている。しかし、この方法においては、立ち上がり方向
が異なる領域の境界部分において、チルトディスクリネ
ーションが電圧印加時に発生し、それを隠すための遮光
部を設ける必要があった。この遮光部により画素の開口
率は低下し、また場合によっては遮光部からチルトディ
スクリネーションがはみ出し表示品質の低下をもたらし
ていた。
向を画素内で変化させることによって、面内方向での視
野角の違いを相互補償させ視野角を広げる試みがなされ
ている。しかし、この方法においては、立ち上がり方向
が異なる領域の境界部分において、チルトディスクリネ
ーションが電圧印加時に発生し、それを隠すための遮光
部を設ける必要があった。この遮光部により画素の開口
率は低下し、また場合によっては遮光部からチルトディ
スクリネーションがはみ出し表示品質の低下をもたらし
ていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、ＴＮ
型液晶表示方式においては、視野角が狭いという問題が
あり、この視野角を広げるために配向膜上の液晶分子の
立上がり方向を画素内で変化させる方法では、チルトデ
ィスクリネーションなどの表示異常が生じるという問題
があった。
型液晶表示方式においては、視野角が狭いという問題が
あり、この視野角を広げるために配向膜上の液晶分子の
立上がり方向を画素内で変化させる方法では、チルトデ
ィスクリネーションなどの表示異常が生じるという問題
があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、ＴＮ型液晶表示方式な
どにおいても有効視野角を広くすることができ、かつ表
示異常の低減をはかり得る液晶表示素子を提供すること
にある。
ので、その目的とするところは、ＴＮ型液晶表示方式な
どにおいても有効視野角を広くすることができ、かつ表
示異常の低減をはかり得る液晶表示素子を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、一対の基板間に液晶層を充填した液晶表示素子に
おいて、表示画素内に液晶分子の立ち上がり方向が相互
に１８０度異なるツイスト配向領域からなる第１及び第
２の配向領域を設け、且つ第１及び第２の配向領域の境
界部にこれらの配向領域とは配向状態の異なる第３の配
向領域を設けたことを特徴とする。
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、一対の基板間に液晶層を充填した液晶表示素子に
おいて、表示画素内に液晶分子の立ち上がり方向が相互
に１８０度異なるツイスト配向領域からなる第１及び第
２の配向領域を設け、且つ第１及び第２の配向領域の境
界部にこれらの配向領域とは配向状態の異なる第３の配
向領域を設けたことを特徴とする。
【０００９】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 第１及び第２の配向領域は、ネマティック液晶を９
０度ねじって配列させた９０度ツイスト配向領域である
こと。 (2) 第１及び第２の配向領域の境界に沿って、第３の配
向領域が幅５μｍから４０μｍの帯状であること。 (3) 第３の配向領域が、垂直配向であること。 (4) (3) において、液晶分子が第３の配向領域に向かっ
て立ち上がる配向面に垂直配向処理が施されているこ
と。 (5) 第３の配向領域が、ハイブリッド配向であること。 (6) 第３の配向領域が、パラレル配向であること。 (7) 第３の配向領域が、アンチパラレル配向であるこ
と。 (8) 第３の配向領域が、ランダム配向であること。 (9) 第３の配向領域が、９０度以外のツイスト配向であ
ること。 (10)第３の配向領域が、第１及び第２の配向領域とは配
向方位の異なる９０度ツイスト配向であること。
は、次のものがあげられる。 (1) 第１及び第２の配向領域は、ネマティック液晶を９
０度ねじって配列させた９０度ツイスト配向領域である
こと。 (2) 第１及び第２の配向領域の境界に沿って、第３の配
向領域が幅５μｍから４０μｍの帯状であること。 (3) 第３の配向領域が、垂直配向であること。 (4) (3) において、液晶分子が第３の配向領域に向かっ
て立ち上がる配向面に垂直配向処理が施されているこ
と。 (5) 第３の配向領域が、ハイブリッド配向であること。 (6) 第３の配向領域が、パラレル配向であること。 (7) 第３の配向領域が、アンチパラレル配向であるこ
と。 (8) 第３の配向領域が、ランダム配向であること。 (9) 第３の配向領域が、９０度以外のツイスト配向であ
ること。 (10)第３の配向領域が、第１及び第２の配向領域とは配
向方位の異なる９０度ツイスト配向であること。
【００１０】
【作用】本発明の液晶表示素子は、配向膜上の液晶分子
の立ち上がり方向を画素内で変化させることにより、面
内方向での視野角の違いを相互補償させ視野角を広げよ
うとする場合に発生するチルトディスクリネーションを
消去することを特徴とするものである。
の立ち上がり方向を画素内で変化させることにより、面
内方向での視野角の違いを相互補償させ視野角を広げよ
うとする場合に発生するチルトディスクリネーションを
消去することを特徴とするものである。
【００１１】図１に配向分割によるチルトディスクリネ
ーション発生の様子を示す。（ａ）は複数の画素電極を
有するアレイ基板と対向基板を示し、（ｂ）は（ａ）の
１画素における関係を示している。図中１は液晶分子、
２ａ，２ｂは配向膜、３ａ，３ｂは透明基板、４ａは透
明電極（対向電極）、４ｂは透明電極（画素電極）であ
る。
ーション発生の様子を示す。（ａ）は複数の画素電極を
有するアレイ基板と対向基板を示し、（ｂ）は（ａ）の
１画素における関係を示している。図中１は液晶分子、
２ａ，２ｂは配向膜、３ａ，３ｂは透明基板、４ａは透
明電極（対向電極）、４ｂは透明電極（画素電極）であ
る。
【００１２】プレチルト方向により決定される面内視野
による表示特性の違いを相互補償するためにプレチルト
方向が異なる部分を設けることは有効であり、画素内で
プレチルト方向を変え相互補償することで中間調状態で
の明暗反転が抑えられ視野角が向上することが知られて
いる。しかし、前述したように電圧印加時に境界部分に
はＳ＝±１／２のディスクリネーションがライン状に発
生してしまう。このディスクリネーションラインの発生
を防止することは高精細化に向けて不可欠となってい
る。
による表示特性の違いを相互補償するためにプレチルト
方向が異なる部分を設けることは有効であり、画素内で
プレチルト方向を変え相互補償することで中間調状態で
の明暗反転が抑えられ視野角が向上することが知られて
いる。しかし、前述したように電圧印加時に境界部分に
はＳ＝±１／２のディスクリネーションがライン状に発
生してしまう。このディスクリネーションラインの発生
を防止することは高精細化に向けて不可欠となってい
る。
【００１３】本発明者らは、ディスクリネーションは液
晶配列の歪みを吸収した形で発生するため、液晶の歪み
を小さく抑えることで発生を防止できると考え、各種実
験を重ね鋭意検討した。その結果、第１の配向領域Ａと
第２の配向領域Ｂの２領域の境界に液晶の歪みを緩和で
きる配向を持った第３の領域を設けることにより、ディ
スクリネーション発生防止を達成することができた。
晶配列の歪みを吸収した形で発生するため、液晶の歪み
を小さく抑えることで発生を防止できると考え、各種実
験を重ね鋭意検討した。その結果、第１の配向領域Ａと
第２の配向領域Ｂの２領域の境界に液晶の歪みを緩和で
きる配向を持った第３の領域を設けることにより、ディ
スクリネーション発生防止を達成することができた。
【００１４】具体的には、歪みを緩和できる配向は、図
２（ａ）に示す垂直配向、（ｂ）に示すハイブリッド配
向、（ｃ）に示すパラレル配向、（ｄ）に示すアンチパ
ラレル配向、（ｅ）に示すランダム配向、（ｆ）（ｇ）
に示すツイスト角又は配向方位角が前記配向２領域と異
なるツイスト配向である。ここでいうランダム配向と
は、偏光板を直交ニコル又は水平ニコルの状態でセルを
挟んだ場合、それぞれの状態での透過光強度が±２０％
以内で一致し、配向方位が１μｍ角以内の領域で一定で
ない配向と定義する。
２（ａ）に示す垂直配向、（ｂ）に示すハイブリッド配
向、（ｃ）に示すパラレル配向、（ｄ）に示すアンチパ
ラレル配向、（ｅ）に示すランダム配向、（ｆ）（ｇ）
に示すツイスト角又は配向方位角が前記配向２領域と異
なるツイスト配向である。ここでいうランダム配向と
は、偏光板を直交ニコル又は水平ニコルの状態でセルを
挟んだ場合、それぞれの状態での透過光強度が±２０％
以内で一致し、配向方位が１μｍ角以内の領域で一定で
ない配向と定義する。
【００１５】また、図１に示したように分子の立ち上が
り方向によりディスクリネーションの種類が異なり、２
領域の境界に向かって分子が立ち上がる場合Ｓ＝−１／
２、境界と反対方向に立ち上がる場合Ｓ＝＋１／２とな
る。ここで、この配向境界に垂直配向面を設けた場合、
Ｓ＝−１／２の条件では垂直配向面がディスクリネーシ
ョンを緩和吸収するが、逆にＳ＝＋１／２の条件では垂
直配向面がディスクリネーションを吸収しづらい。そこ
で、垂直配向面は分子の立ち上がりが境界に向かって起
きている面に対し設けることがより効果的であることが
分かる。
り方向によりディスクリネーションの種類が異なり、２
領域の境界に向かって分子が立ち上がる場合Ｓ＝−１／
２、境界と反対方向に立ち上がる場合Ｓ＝＋１／２とな
る。ここで、この配向境界に垂直配向面を設けた場合、
Ｓ＝−１／２の条件では垂直配向面がディスクリネーシ
ョンを緩和吸収するが、逆にＳ＝＋１／２の条件では垂
直配向面がディスクリネーションを吸収しづらい。そこ
で、垂直配向面は分子の立ち上がりが境界に向かって起
きている面に対し設けることがより効果的であることが
分かる。
【００１６】本発明の第３の配向領域の大きさは幅５μ
ｍから４０μｍの帯状であることが好ましい。この場
合、第３の配向領域が配向が異なる第１，第２の２領域
の緩衝領域とならなければならない。本発明者らの検討
の結果、５μｍ以上の幅を持たなくては緩衝領域として
の役割を果たすことができないことが分かった。また、
合わせマージン幅を十分に取ったとしても４０μｍ以上
の大きさが不必要であることが分かり、配向２領域の境
界に沿って帯状に幅５μｍから４０μｍの第３の配向領
域を設けることで、ディスクリネーションを緩和消去で
き、かつ十分な開口率を確保できることが分かった。
ｍから４０μｍの帯状であることが好ましい。この場
合、第３の配向領域が配向が異なる第１，第２の２領域
の緩衝領域とならなければならない。本発明者らの検討
の結果、５μｍ以上の幅を持たなくては緩衝領域として
の役割を果たすことができないことが分かった。また、
合わせマージン幅を十分に取ったとしても４０μｍ以上
の大きさが不必要であることが分かり、配向２領域の境
界に沿って帯状に幅５μｍから４０μｍの第３の配向領
域を設けることで、ディスクリネーションを緩和消去で
き、かつ十分な開口率を確保できることが分かった。
【００１７】本発明の表示素子に用いる表示方式として
は、ツイステッドネマティック表示（ＴＮ）を始めとし
てＳＴＮ，ＳＢＥ，ＥＣＢ等電界印加状態で液晶分子の
立ち上がり方向との違いにより視野角を限定される表示
全てに用いることができる。さらに、本発明の表示素子
に対しＴＦＴ等アクティブスイッチ素子を組み込むこと
により、より良好な表示が可能となる。
は、ツイステッドネマティック表示（ＴＮ）を始めとし
てＳＴＮ，ＳＢＥ，ＥＣＢ等電界印加状態で液晶分子の
立ち上がり方向との違いにより視野角を限定される表示
全てに用いることができる。さらに、本発明の表示素子
に対しＴＦＴ等アクティブスイッチ素子を組み込むこと
により、より良好な表示が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）図１は本発明の第１の実施例に係わる液晶
表示素子の製造工程を示すもので、特にアレイ基板側の
１画素部分を示している。
する。 （実施例１）図１は本発明の第１の実施例に係わる液晶
表示素子の製造工程を示すもので、特にアレイ基板側の
１画素部分を示している。
【００１９】まず、図１（ａ）に示すように、２枚の透
明基板の片方（アレイ基板）１１にＴＦＴスイッチ素子
を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極１２
を配線に対しマトリックス状に設けた。図示しない他方
の基板（対向基板）上には、全面透明電極と配線に対応
したブラックマトリックスを設けた。
明基板の片方（アレイ基板）１１にＴＦＴスイッチ素子
を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極１２
を配線に対しマトリックス状に設けた。図示しない他方
の基板（対向基板）上には、全面透明電極と配線に対応
したブラックマトリックスを設けた。
【００２０】次いで、図１（ｂ）に示すように、両方の
基板上に垂直配向剤オクタデシルトリエトキシシラン５
mol％のエチルアルコール溶液を塗布し、１２０℃で３
０分間焼成後、溶媒可溶性閉環ポリイミド１３（配向
膜）を塗布した。続いて、１８０℃ポストベークを１時
間行い基板上に固着させた後、１回目のラビング処理を
行った。
基板上に垂直配向剤オクタデシルトリエトキシシラン５
mol％のエチルアルコール溶液を塗布し、１２０℃で３
０分間焼成後、溶媒可溶性閉環ポリイミド１３（配向
膜）を塗布した。続いて、１８０℃ポストベークを１時
間行い基板上に固着させた後、１回目のラビング処理を
行った。
【００２１】次いで、ネガ型フォトレジスト層（ＯＭＲ
−８５、東京応化社製）を８００ｎｍ塗布形成し、所定
パターンに露光したのち専用現像液で現像し、図１
（ｃ）に示すように、配向膜１３上の画素に相当する部
分の半分にフォトレジストをパターニングし、画素の半
分を覆うマスク１４を形成した。そして、２回目のラビ
ング処理を１回目のラビング方向と逆方向から行った。
ラビング方向は境界に向かって液晶分子が立ち上がる方
向とした。その後、専用剥離液によりマスク層１４を除
去した。
−８５、東京応化社製）を８００ｎｍ塗布形成し、所定
パターンに露光したのち専用現像液で現像し、図１
（ｃ）に示すように、配向膜１３上の画素に相当する部
分の半分にフォトレジストをパターニングし、画素の半
分を覆うマスク１４を形成した。そして、２回目のラビ
ング処理を１回目のラビング方向と逆方向から行った。
ラビング方向は境界に向かって液晶分子が立ち上がる方
向とした。その後、専用剥離液によりマスク層１４を除
去した。
【００２２】次いで、図１（ｄ）に示すように、ポジ型
フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５０００、東京応化社製）
を塗布形成し、所定パターンに露光したのち現像し、２
配向領域の境界に沿って１０μｍ幅の開口を有するマス
ク１５を形成した。そして、このマスク１５を用いて配
向膜を除去し、垂直配向処理面を露出させた。
フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５０００、東京応化社製）
を塗布形成し、所定パターンに露光したのち現像し、２
配向領域の境界に沿って１０μｍ幅の開口を有するマス
ク１５を形成した。そして、このマスク１５を用いて配
向膜を除去し、垂直配向処理面を露出させた。
【００２３】次いで、上記した２枚の配向処理基板のレ
ジスト層を設けた部分同士、２回目のラビング処理を施
した部分同士、さらに垂直配向処理部同士をそれぞれ対
向させて９０°ＴＮに組み合わせＮｐ液晶を挟み込み電
極間距離６μｍの液晶表示セルを作成した。
ジスト層を設けた部分同士、２回目のラビング処理を施
した部分同士、さらに垂直配向処理部同士をそれぞれ対
向させて９０°ＴＮに組み合わせＮｐ液晶を挟み込み電
極間距離６μｍの液晶表示セルを作成した。
【００２４】かくして得られた液晶表示セルは、初期状
態で良好な配向状態を示し、中間表示において視野角に
よる明暗の反転がなく、チルトディスクリネーションラ
インがない良好な表示ができた。 （実施例２）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
態で良好な配向状態を示し、中間表示において視野角に
よる明暗の反転がなく、チルトディスクリネーションラ
インがない良好な表示ができた。 （実施例２）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
【００２５】両方の基板上に溶媒可溶性閉環ポリイミド
を塗布した。１８０℃ポストベークを１時間行い基板上
に固着させた後、１回目のラビング処理を行った。この
配向膜上の画素に相当する部分の半分、言い換えるとゲ
ート線，信号線，補助容量線に囲まれた部分にネガ型フ
ォトレジスト層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８００
ｎｍを露光、専用現像液で現像し、フォトレジストをパ
ターニングし画素の半分を覆うマスクを形成した。
を塗布した。１８０℃ポストベークを１時間行い基板上
に固着させた後、１回目のラビング処理を行った。この
配向膜上の画素に相当する部分の半分、言い換えるとゲ
ート線，信号線，補助容量線に囲まれた部分にネガ型フ
ォトレジスト層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８００
ｎｍを露光、専用現像液で現像し、フォトレジストをパ
ターニングし画素の半分を覆うマスクを形成した。
【００２６】２回目のラビング処理を１回目のラビング
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。さらに、２配向領域の境界部１５μｍ幅で
ポリイミド上にｉ線を１００ｍｊ／ｃｍ2 照射した。
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。さらに、２配向領域の境界部１５μｍ幅で
ポリイミド上にｉ線を１００ｍｊ／ｃｍ2 照射した。
【００２７】この２枚の配向処理基板のレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、ｉ線を照射した部分同士を対向させて９０°ＴＮに
組み合わせＮｐ液晶を挟み込み電極間距離６μｍの液晶
表示セルを作成した。この液晶表示セルは初期状態で良
好な配向状態を示し、第３の配向領域ではランダム配向
となり、中間表示において視野角による明暗の反転がな
くチルトディスクリネーションラインがない良好な表示
ができた。 （実施例３）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、ｉ線を照射した部分同士を対向させて９０°ＴＮに
組み合わせＮｐ液晶を挟み込み電極間距離６μｍの液晶
表示セルを作成した。この液晶表示セルは初期状態で良
好な配向状態を示し、第３の配向領域ではランダム配向
となり、中間表示において視野角による明暗の反転がな
くチルトディスクリネーションラインがない良好な表示
ができた。 （実施例３）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
【００２８】両方の基板上に溶媒可溶性閉環ポリイミド
（ＡＬ−１０５１、日本ゴム社製）を塗布した。１８０
℃ポストベークを１時間行い基板上に固着させた後、１
回目のラビング処理を行った。この配向膜上の画素に相
当する部分の半分、言い換えるとゲート線，信号線，補
助容量線に囲まれた部分にネガ型フォトレジスト層（Ｏ
ＭＲ−８５、東京応化社製）８００ｎｍを露光、専用現
像液で現像し、フォトレジストをパターニングし画素の
半分を覆うマスクを形成した。そして、２回目のラビン
グ処理を１回目のラビング方向と逆方向から行った後、
温水によりマスク層を除去した。
（ＡＬ−１０５１、日本ゴム社製）を塗布した。１８０
℃ポストベークを１時間行い基板上に固着させた後、１
回目のラビング処理を行った。この配向膜上の画素に相
当する部分の半分、言い換えるとゲート線，信号線，補
助容量線に囲まれた部分にネガ型フォトレジスト層（Ｏ
ＭＲ−８５、東京応化社製）８００ｎｍを露光、専用現
像液で現像し、フォトレジストをパターニングし画素の
半分を覆うマスクを形成した。そして、２回目のラビン
グ処理を１回目のラビング方向と逆方向から行った後、
温水によりマスク層を除去した。
【００２９】２回目のラビング処理を１回目のラビング
方向と逆方向から行った後、専用隔離液によりマスク層
を除去した。さらに、ネガ型フォトレジストを用いて配
向２領域の境界の８μｍ幅の半分を覆ったマスクを形成
した。ケン化度９５％の重合度１５００のポリビニルア
ルコール４％水溶液をマスク及びポリイミド上に塗布
し、１２０℃で５分ホットプレート上でベークし６００
ｎｍの膜厚のＰＶＡ層を形成し、温水でＰＶＡ膜を除去
した。その後、レジスト層を専用剥離液で除去した。
方向と逆方向から行った後、専用隔離液によりマスク層
を除去した。さらに、ネガ型フォトレジストを用いて配
向２領域の境界の８μｍ幅の半分を覆ったマスクを形成
した。ケン化度９５％の重合度１５００のポリビニルア
ルコール４％水溶液をマスク及びポリイミド上に塗布
し、１２０℃で５分ホットプレート上でベークし６００
ｎｍの膜厚のＰＶＡ層を形成し、温水でＰＶＡ膜を除去
した。その後、レジスト層を専用剥離液で除去した。
【００３０】この２枚の配向処理基板をレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、ＰＶＡを直接ＰＩ上に塗布した部分部分同士を対向
させて９０°ＴＮに組み合わせＮｐ液晶を挟み込み、電
極間距離６μｍの液晶表示セルを作成した。この液晶表
示セルは初期状態で良好な配向状態を示し、ＰＶＡを直
接ＰＩ上に塗布した部分の配向はＰＩにＰＶＡが強く吸
着したためにＰＩの配向能力が著しく低下しランダム配
向となり、中間表示において視野角による明暗の反転が
なくチルトディスクリネーションラインがない良好な表
示ができた。 （実施例４）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、ＰＶＡを直接ＰＩ上に塗布した部分部分同士を対向
させて９０°ＴＮに組み合わせＮｐ液晶を挟み込み、電
極間距離６μｍの液晶表示セルを作成した。この液晶表
示セルは初期状態で良好な配向状態を示し、ＰＶＡを直
接ＰＩ上に塗布した部分の配向はＰＩにＰＶＡが強く吸
着したためにＰＩの配向能力が著しく低下しランダム配
向となり、中間表示において視野角による明暗の反転が
なくチルトディスクリネーションラインがない良好な表
示ができた。 （実施例４）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
【００３１】両方の基板上に溶媒可溶性閉環ポリイミド
（ＡＬ−１０５１、日本合成ゴム社製）を塗布した。１
８０℃ポストベークを１時間行い基板上に固着させた
後、１回目のラビング処理を行った。この配向膜上の画
素に相当する部分の半分、言い換えるとゲート線，信号
線，補助容量線に囲まれた部分にネガ型フォトレジスト
層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８００ｎｍを露光、
専用現像液で現像し、フォトレジストをパターニングし
画素の半分を覆うマスクを形成した。
（ＡＬ−１０５１、日本合成ゴム社製）を塗布した。１
８０℃ポストベークを１時間行い基板上に固着させた
後、１回目のラビング処理を行った。この配向膜上の画
素に相当する部分の半分、言い換えるとゲート線，信号
線，補助容量線に囲まれた部分にネガ型フォトレジスト
層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８００ｎｍを露光、
専用現像液で現像し、フォトレジストをパターニングし
画素の半分を覆うマスクを形成した。
【００３２】２回目のラビング処理を１回目のラビング
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。この場合のラビング方向は、ＴＦＴ基板側
の液晶分子の立ち上がりが補助容量配線に向かって起こ
るようにした。さらに、ネガ型フォトレジストを用いて
配向２領域の境界の８μｍ幅の半分を覆ったマスクを形
成した。ＴＦＴ基板側に垂直配向剤を塗布し対向基板側
は先の配向処理方向に対し９０度角度を持たせてラビン
グ処理を行った。その後、レジスト層を専用剥離液で除
去した。
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。この場合のラビング方向は、ＴＦＴ基板側
の液晶分子の立ち上がりが補助容量配線に向かって起こ
るようにした。さらに、ネガ型フォトレジストを用いて
配向２領域の境界の８μｍ幅の半分を覆ったマスクを形
成した。ＴＦＴ基板側に垂直配向剤を塗布し対向基板側
は先の配向処理方向に対し９０度角度を持たせてラビン
グ処理を行った。その後、レジスト層を専用剥離液で除
去した。
【００３３】この２枚の配向処理基板をレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、第３の配向処理を行った部分同士を対向させ、９０
°ＴＮに組み合わせてＮｐ液晶を挟み込み、電極間距離
６μｍの液晶表示セルを作成した。この液晶表示セルは
初期状態で良好な配向状態を示し、第３の配向処理を施
した部分の配向はハイブリッド配向となり、中間表示に
おいて視野角による明暗の反転がなくチルトディスクリ
ネーションラインがない良好な表示ができた。 （実施例５）２枚の透明電極を形成した透明基板上に、
熱閉環型ポリイミドを塗布した。２８０℃でポストベー
クを１時間行い基板上に固着させたのち、１回目のラビ
ング処理を行った。この膜上の画素に相当する部分の半
分にポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５０００、東京
応化社製）１０００ｎｍを露光、アルカリ現像液（ＮＭ
Ｄ−３、東京応化社製）で３０秒現像し、フォトレジス
トをパターニングし画素の半分を覆うマスクを形成し
た。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、第３の配向処理を行った部分同士を対向させ、９０
°ＴＮに組み合わせてＮｐ液晶を挟み込み、電極間距離
６μｍの液晶表示セルを作成した。この液晶表示セルは
初期状態で良好な配向状態を示し、第３の配向処理を施
した部分の配向はハイブリッド配向となり、中間表示に
おいて視野角による明暗の反転がなくチルトディスクリ
ネーションラインがない良好な表示ができた。 （実施例５）２枚の透明電極を形成した透明基板上に、
熱閉環型ポリイミドを塗布した。２８０℃でポストベー
クを１時間行い基板上に固着させたのち、１回目のラビ
ング処理を行った。この膜上の画素に相当する部分の半
分にポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５０００、東京
応化社製）１０００ｎｍを露光、アルカリ現像液（ＮＭ
Ｄ−３、東京応化社製）で３０秒現像し、フォトレジス
トをパターニングし画素の半分を覆うマスクを形成し
た。
【００３４】２回目のラビング処理を１回目のラビング
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。さらに、ポジ型フォトレジストを用いて配
向２領域の境界部１５μｍ幅の部分以外を覆ったマスク
を形成した。両方の基板に先の配向処理方向に対し４５
度角度を持たせてラビング処理を行った。その後、レジ
スト層を専用剥離液で除去した。
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。さらに、ポジ型フォトレジストを用いて配
向２領域の境界部１５μｍ幅の部分以外を覆ったマスク
を形成した。両方の基板に先の配向処理方向に対し４５
度角度を持たせてラビング処理を行った。その後、レジ
スト層を専用剥離液で除去した。
【００３５】この２枚の配向処理基板をレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、第３の配向処理を行った部分同士、この２枚の配向
処理基板をレジスト層を設けた部分同士２回目のラビン
グ処理を施した部分同士を対向させて９０°ＴＮに組み
合わせＮｐ液晶を挟み込み、電極間距離６μｍの液晶表
示セルを作成した。この液晶表示セル図５に示した配向
分割がなされ、初期状態で良好な配向状態を示し、中間
表示において視野角による明暗の反転がなくチルトディ
スクリネーションラインがない良好な表示ができた。 （実施例６）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した１５μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、第３の配向処理を行った部分同士、この２枚の配向
処理基板をレジスト層を設けた部分同士２回目のラビン
グ処理を施した部分同士を対向させて９０°ＴＮに組み
合わせＮｐ液晶を挟み込み、電極間距離６μｍの液晶表
示セルを作成した。この液晶表示セル図５に示した配向
分割がなされ、初期状態で良好な配向状態を示し、中間
表示において視野角による明暗の反転がなくチルトディ
スクリネーションラインがない良好な表示ができた。 （実施例６）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した１５μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。補助容量配線は画
素の中央に設けた。他方の基板上には、全面透明電極と
配線に対応したブラックマトリックスを設けた。
【００３６】両方の基板上に溶媒可溶性閉環ポリイミド
（ＡＬ−１０５１、日本合成ゴム社製）を塗布した。１
８０℃ポストベークを１時間行い基板上に固着させた
後、１回目のラビング処理を行った。この配向膜上の画
素に相当する部分の半分、言い換えるとゲート線、信号
線、補助容量線に囲まれた部分にネガ型フォトレジスト
層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８００ｎｍを露光、
専用現像液で現像し、フォトレジストをパターニングし
画素の半分を覆うマスクを形成した。
（ＡＬ−１０５１、日本合成ゴム社製）を塗布した。１
８０℃ポストベークを１時間行い基板上に固着させた
後、１回目のラビング処理を行った。この配向膜上の画
素に相当する部分の半分、言い換えるとゲート線、信号
線、補助容量線に囲まれた部分にネガ型フォトレジスト
層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８００ｎｍを露光、
専用現像液で現像し、フォトレジストをパターニングし
画素の半分を覆うマスクを形成した。
【００３７】２回目のラビング処理を１回目のラビング
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。この場合のラビング方向はＴＦＴ基板側の
液晶分子の立ち上がりが補助容量配線に向かって起こる
ようにした。さらに、ネガ型フォトレジストを用いて配
向２領域の境界部２０μｍ幅の部分以外を覆ったマスク
を形成した。両方の基板に先に施した配向処理方向に対
し９０度角度を持たせてラビング処理を行った。その
後、レジスト層を専用剥離液で除去した。
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。この場合のラビング方向はＴＦＴ基板側の
液晶分子の立ち上がりが補助容量配線に向かって起こる
ようにした。さらに、ネガ型フォトレジストを用いて配
向２領域の境界部２０μｍ幅の部分以外を覆ったマスク
を形成した。両方の基板に先に施した配向処理方向に対
し９０度角度を持たせてラビング処理を行った。その
後、レジスト層を専用剥離液で除去した。
【００３８】この２枚の配向処理基板をレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、第３の配向処理を行った部分同士を対向させ、９０
°ＴＮに組み合わせとＮｐ液晶を挟み込み、電極間距離
６μｍの液晶表示セルを作成した。この液晶表示セルは
図２（ｇ）に示した配向分割が行われ初期状態で良好な
配向状態を示し、中間表示において視野角による明暗の
反転がなくチルトディスクリネーションラインがない良
好な表示ができた。 （比較例１）２枚の透明電極を形成した透明基板上に、
熱閉環型ポリイミドを塗布した。２８０℃でポストベー
クを１時間行い基板上に固着させたのち、１回目のラビ
ング処理を行った。この膜の画素に相当する部分の半分
にポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５０００、東京応
化社製）１０００ｎｍを露光、アルカリ現像液（ＮＭＤ
−３、東京応化社製）で３０秒現像し、フォトレジスト
をパターニングし画素の半分を覆うマスクを形成した。
２回目のラビング処理を１回目のラビング方向と逆方向
から行った後、専用剥離液によりマスク層を除去した。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、第３の配向処理を行った部分同士を対向させ、９０
°ＴＮに組み合わせとＮｐ液晶を挟み込み、電極間距離
６μｍの液晶表示セルを作成した。この液晶表示セルは
図２（ｇ）に示した配向分割が行われ初期状態で良好な
配向状態を示し、中間表示において視野角による明暗の
反転がなくチルトディスクリネーションラインがない良
好な表示ができた。 （比較例１）２枚の透明電極を形成した透明基板上に、
熱閉環型ポリイミドを塗布した。２８０℃でポストベー
クを１時間行い基板上に固着させたのち、１回目のラビ
ング処理を行った。この膜の画素に相当する部分の半分
にポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５０００、東京応
化社製）１０００ｎｍを露光、アルカリ現像液（ＮＭＤ
−３、東京応化社製）で３０秒現像し、フォトレジスト
をパターニングし画素の半分を覆うマスクを形成した。
２回目のラビング処理を１回目のラビング方向と逆方向
から行った後、専用剥離液によりマスク層を除去した。
【００３９】この２枚の配向処理基板をレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同士
を対向させて９０°ＴＮに組み合わせＮｐ液晶を挟み込
み電極間距離６μｍの液晶表示セルを作成した。この液
晶表示セルは初期状態で良好な配向状態を示し、中間表
示において視野角による明暗の反転がない表示ができた
が、電圧印加によりチルトディスクリネーションライン
が発生し表示品質を著しく低下させた。 （比較例２）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。他方の基板上には
全面透明電極と配線に対応したブラックマトリックスを
設けた。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同士
を対向させて９０°ＴＮに組み合わせＮｐ液晶を挟み込
み電極間距離６μｍの液晶表示セルを作成した。この液
晶表示セルは初期状態で良好な配向状態を示し、中間表
示において視野角による明暗の反転がない表示ができた
が、電圧印加によりチルトディスクリネーションライン
が発生し表示品質を著しく低下させた。 （比較例２）２枚の透明基板の片方にＴＦＴスイッチ素
子を設け、透明電極で形成した２０μｍ角の画素電極を
配線に対しマトリックス状に設けた。他方の基板上には
全面透明電極と配線に対応したブラックマトリックスを
設けた。
【００４０】両方の基板上に垂直配向剤オクタデシルト
リエトキシシラン５ mol％のエチルアルコール溶液を塗
布し、１２０℃で３０分間焼成後、溶媒可溶性閉環ポリ
イミドを塗布した。１８０℃ポストベークを１時間行い
基板上に固着させた後、１回目のラビング処理を行っ
た。この配向膜上の画素に相当する部分の半分にネガ型
フォトレジスト層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８０
０ｎｍを露光、専用現像液で現像し、フォトレジストを
パターニングし画素の半分を覆うマスクを形成した。
リエトキシシラン５ mol％のエチルアルコール溶液を塗
布し、１２０℃で３０分間焼成後、溶媒可溶性閉環ポリ
イミドを塗布した。１８０℃ポストベークを１時間行い
基板上に固着させた後、１回目のラビング処理を行っ
た。この配向膜上の画素に相当する部分の半分にネガ型
フォトレジスト層（ＯＭＲ−８５、東京応化社製）８０
０ｎｍを露光、専用現像液で現像し、フォトレジストを
パターニングし画素の半分を覆うマスクを形成した。
【００４１】２回目のラビング処理を１回目のラビング
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。ラビング方向は境界に向かって液晶分子が
立ち上がる方向とした。さらに２配向領域の境界に沿っ
て２μｍ幅でポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５００
０、東京応化社製）を用いて配向膜を除去し、垂直配向
処理面を露出させた。
方向と逆方向から行った後、専用剥離液によりマスク層
を除去した。ラビング方向は境界に向かって液晶分子が
立ち上がる方向とした。さらに２配向領域の境界に沿っ
て２μｍ幅でポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−５００
０、東京応化社製）を用いて配向膜を除去し、垂直配向
処理面を露出させた。
【００４２】この２枚の配向処理基板のレジスト層を設
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、垂直配向処理部同士を対向させて９０°ＴＮに組み
合わせＮｐ液晶を挟み込み電極間距離６μｍの液晶表示
セルを作成した。この液晶表示セルは初期状態で良好な
配向状態を示し、中間表示において視野角による明暗の
反転がない表示ができたが、電圧印加によりチルトディ
スクリネーションラインが補助容量線上から画素部には
み出し表示品質が著しく低下した。
けた部分同士、２回目のラビング処理を施した部分同
士、垂直配向処理部同士を対向させて９０°ＴＮに組み
合わせＮｐ液晶を挟み込み電極間距離６μｍの液晶表示
セルを作成した。この液晶表示セルは初期状態で良好な
配向状態を示し、中間表示において視野角による明暗の
反転がない表示ができたが、電圧印加によりチルトディ
スクリネーションラインが補助容量線上から画素部には
み出し表示品質が著しく低下した。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、表
示画素内に液晶分子の立ち上がり方向が相互に１８０度
異なるツイスト配向領域からなる第１及び第２の配向領
域の境界部にこれらの配向領域とは配向状態の異なる第
３の配向領域を設けることにより、ＴＮ型液晶表示方式
などにおいても有効視野角を広くすることができ、かつ
表示異常の低減をはかり得る液晶表示素子を実現するこ
とが可能となる。
示画素内に液晶分子の立ち上がり方向が相互に１８０度
異なるツイスト配向領域からなる第１及び第２の配向領
域の境界部にこれらの配向領域とは配向状態の異なる第
３の配向領域を設けることにより、ＴＮ型液晶表示方式
などにおいても有効視野角を広くすることができ、かつ
表示異常の低減をはかり得る液晶表示素子を実現するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の作用を説明するためのもので、配向分
割によるチルトディスクリネーション発生の様子を示す
図。
割によるチルトディスクリネーション発生の様子を示す
図。
【図２】本発明の液晶表示素子のセル配向状態を示す
図。
図。
【図３】本発明の第１の実施例に係わる液晶表示素子の
製造工程を示す断面図。
製造工程を示す断面図。
１…液晶分子 ２ａ，２ｂ…配向膜 ３ａ，３ｂ…透明基板 ４ａ，４ｂ…透明電極 １１…透明基板（アレイ基板） １２…画素電極 １３…配向膜 １４，１５…レジストマスク
Claims (4)
- 【請求項１】一対の基板間に液晶層を充填した液晶表示
素子において、表示画素内に液晶分子の立ち上がり方向
が相互に逆方向のツイスト配向領域からなる第１及び第
２の配向領域を設け、且つ前記第１及び第２の配向領域
の境界部に前記第１及び第２の配向領域とは配向状態の
異なる第３の配向領域を設けてなることを特徴とする液
晶表示素子。 - 【請求項２】前記第３の配向領域は垂直配向であること
を特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】前記第３の配向領域はハイブリッド配向で
あることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】前記第３の配向領域はランダム配向である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337422A JPH07199192A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337422A JPH07199192A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199192A true JPH07199192A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18308488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5337422A Pending JPH07199192A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07199192A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100413485B1 (ko) * | 2001-07-09 | 2003-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100831305B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| WO2009075081A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
| JP2013113938A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン位相差フィルム、画像表示装置、パターン位相差フィルムの製造用金型及びパターン位相差フィルムの製造方法 |
| JP2013242424A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン位相差フィルム、画像表示装置、パターン位相差フィルムの製造用金型及びパターン位相差フィルムの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5337422A patent/JPH07199192A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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