JPH08239792A - 基板の電気メッキ方法 - Google Patents
基板の電気メッキ方法Info
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- JPH08239792A JPH08239792A JP3962995A JP3962995A JPH08239792A JP H08239792 A JPH08239792 A JP H08239792A JP 3962995 A JP3962995 A JP 3962995A JP 3962995 A JP3962995 A JP 3962995A JP H08239792 A JPH08239792 A JP H08239792A
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- plating
- electroplating
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 施されるメッキ層の厚みが均一な基板を得る
ことのできる基板の電気メッキ方法を提供する。 【構成】 基板１を陰極４として、この基板１にメッキ
を施す基板の電気メッキ方法であって、上記基板面にク
ロスする方向Ｘに振動を付与する。これにより、メッキ
の進行に伴って発生した水素ガスが基板の表面に付着す
ることを防止する。
ことのできる基板の電気メッキ方法を提供する。 【構成】 基板１を陰極４として、この基板１にメッキ
を施す基板の電気メッキ方法であって、上記基板面にク
ロスする方向Ｘに振動を付与する。これにより、メッキ
の進行に伴って発生した水素ガスが基板の表面に付着す
ることを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板等に用い
られる基板の電気メッキ方法に関するものである。
られる基板の電気メッキ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板用の基板上にメッキ層を
得るために、メッキ液中で基板を陰極とする電気メッキ
が利用されている。この際、基板に施されるメッキ層の
厚みが、同一基板内でメッキ液中の位置によりばらつく
問題がある。そこでメッキ液の濃度を均一にするため
に、メッキ液中にエアーを挿入したり、メッキ液を循環
したりしながら電気メッキを施すことが知られている
が、近年の高機能化に伴い、必ずしも充分とはいえな
い。
得るために、メッキ液中で基板を陰極とする電気メッキ
が利用されている。この際、基板に施されるメッキ層の
厚みが、同一基板内でメッキ液中の位置によりばらつく
問題がある。そこでメッキ液の濃度を均一にするため
に、メッキ液中にエアーを挿入したり、メッキ液を循環
したりしながら電気メッキを施すことが知られている
が、近年の高機能化に伴い、必ずしも充分とはいえな
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これは、メッキの進行
に伴って発生する水素ガスが基板の表面に付着し、この
水素ガスが完全に除去されなかったり、また、基板の表
面にイオンの濃度勾配を生じるためと推察される。
に伴って発生する水素ガスが基板の表面に付着し、この
水素ガスが完全に除去されなかったり、また、基板の表
面にイオンの濃度勾配を生じるためと推察される。
【０００４】本発明は上記事実に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、施されるメッキ層の厚み
が均一な基板を得ることのできる基板の電気メッキ方法
を提供することにある。
で、その目的とするところは、施されるメッキ層の厚み
が均一な基板を得ることのできる基板の電気メッキ方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
基板の基板の電気メッキ方法は、基板を陰極として、こ
の基板にメッキを施す基板の電気メッキ方法であって、
上記基板面にクロスする方向に振動を付与することを特
徴とする。
基板の基板の電気メッキ方法は、基板を陰極として、こ
の基板にメッキを施す基板の電気メッキ方法であって、
上記基板面にクロスする方向に振動を付与することを特
徴とする。
【０００６】本発明の請求項２に係る基板の電気メッキ
方法は、請求項１記載の基板の電気メッキ方法におい
て、上記基板面にクロスする方向の振動が加速度１．０
〜９．０Ｇの範囲であることを特徴とする。
方法は、請求項１記載の基板の電気メッキ方法におい
て、上記基板面にクロスする方向の振動が加速度１．０
〜９．０Ｇの範囲であることを特徴とする。
【０００７】本発明の請求項３に係る基板の電気メッキ
方法は、請求項１又は請求項２記載の基板の電気メッキ
方法において、上記基板面に沿った方向に加速度が１．
０〜７．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴とす
る。
方法は、請求項１又は請求項２記載の基板の電気メッキ
方法において、上記基板面に沿った方向に加速度が１．
０〜７．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴とす
る。
【０００８】本発明の請求項４に係る基板の電気メッキ
方法は、請求項１乃至請求項３いずれか記載の基板の電
気メッキ方法において、上記基板をメッキするメッキ液
中に、上記基板の表面近傍を通過するエアーを吹き出す
ことを特徴とする。
方法は、請求項１乃至請求項３いずれか記載の基板の電
気メッキ方法において、上記基板をメッキするメッキ液
中に、上記基板の表面近傍を通過するエアーを吹き出す
ことを特徴とする。
【０００９】以下、本発明を図面に基づいて詳しく説明
する。図１は本発明の一実施例に使用するメッキ装置の
概略を示した正面図であり、図２は図１の要部のみを示
した斜視図であり、図３は本発明の他の実施例に使用す
るメッキ装置の概略を示した正面図である。
する。図１は本発明の一実施例に使用するメッキ装置の
概略を示した正面図であり、図２は図１の要部のみを示
した斜視図であり、図３は本発明の他の実施例に使用す
るメッキ装置の概略を示した正面図である。
【００１０】本発明は、基板１を陰極４として、この基
板１にメッキを施す基板の電気メッキ方法である。上記
基板１としては、アルミナ等のセラミック系の絶縁基
板、基材にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸し硬化して得ら
れる絶縁基板等、各種基板が挙げられる。例えば、基板
１に銅メッキ層を得る場合、陰極４に基板１を、陽極３
に銅ボールを用い、硫酸銅を含むメッキ液５に浸漬す
る。基板１の両表面にメッキを施す際は、陰極４である
基板１を挟んで両側に陽極３を設ける。
板１にメッキを施す基板の電気メッキ方法である。上記
基板１としては、アルミナ等のセラミック系の絶縁基
板、基材にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸し硬化して得ら
れる絶縁基板等、各種基板が挙げられる。例えば、基板
１に銅メッキ層を得る場合、陰極４に基板１を、陽極３
に銅ボールを用い、硫酸銅を含むメッキ液５に浸漬す
る。基板１の両表面にメッキを施す際は、陰極４である
基板１を挟んで両側に陽極３を設ける。
【００１１】図に示す如く、メッキ装置は、メッキ液５
上に設けられた治具６から吊り下げられた基板１をメッ
キ液中に設置する。上記治具６に連接して振動体２を備
えており、この振動体２は外部の発振器９と電気回路で
接続されており、外部からの電気エネルギーを機械的に
変換することにより振動を発生する。
上に設けられた治具６から吊り下げられた基板１をメッ
キ液中に設置する。上記治具６に連接して振動体２を備
えており、この振動体２は外部の発振器９と電気回路で
接続されており、外部からの電気エネルギーを機械的に
変換することにより振動を発生する。
【００１２】本発明においては、基板１を陰極４として
電気メッキを施す際に、上記発振器９からの信号により
振動体２で発生した振動が、治具６を介して、治具６に
吊り下げられた基板１に伝えられ、上記基板面にクロス
する方向（Ｘ方向と記す）に振動が付与される。この基
板面にクロスする方向の振動により、メッキの進行に伴
って発生した水素ガスが基板１の表面に付着することを
防ぐので、基板１の表面に均一なメッキ層を形成するこ
とができる。
電気メッキを施す際に、上記発振器９からの信号により
振動体２で発生した振動が、治具６を介して、治具６に
吊り下げられた基板１に伝えられ、上記基板面にクロス
する方向（Ｘ方向と記す）に振動が付与される。この基
板面にクロスする方向の振動により、メッキの進行に伴
って発生した水素ガスが基板１の表面に付着することを
防ぐので、基板１の表面に均一なメッキ層を形成するこ
とができる。
【００１３】上記基板面にクロスする方向の振動は加速
度１．０〜９．０Ｇの範囲であることが望ましい。クロ
スする方向の振動が加速度１．０Ｇ未満であると、上記
水素ガスが基板１の表面付着の防止する効果が低下し、
９．０Ｇを超えるとメッキ液５が波立ち電流密度分布を
乱す恐れがある。
度１．０〜９．０Ｇの範囲であることが望ましい。クロ
スする方向の振動が加速度１．０Ｇ未満であると、上記
水素ガスが基板１の表面付着の防止する効果が低下し、
９．０Ｇを超えるとメッキ液５が波立ち電流密度分布を
乱す恐れがある。
【００１４】さらに、上記振動体２の振動により、振動
成分として基板面に沿った方向へも加速度が生じる。上
記基板面に沿った方向とは、図２に示す如く、水平方向
の成分（Ｙ方向と記す）と垂直方向の成分（Ｚ方向と記
す）がある。この際、上記Ｙ及びＺ方向の加速度は１．
０〜７．０Ｇの範囲であると、より均一なメッキ層が得
られ、好ましい。
成分として基板面に沿った方向へも加速度が生じる。上
記基板面に沿った方向とは、図２に示す如く、水平方向
の成分（Ｙ方向と記す）と垂直方向の成分（Ｚ方向と記
す）がある。この際、上記Ｙ及びＺ方向の加速度は１．
０〜７．０Ｇの範囲であると、より均一なメッキ層が得
られ、好ましい。
【００１５】本発明を使用するメッキ装置として、図３
に示す如く、上記基板１の下方から、エアー８が基板１
の表面近傍を通過するようにエアー吹出口７を備えたも
のが挙げられる。上記メッキ装置を用いると、メッキ液
５中に吹き出したエアー８が基板１の表面近傍を通過
し、基板１の表面近傍のメッキ液５の電流密度分布を均
一にするので、より均一なメッキ層を形成することがで
きる。なお、吹き出したエアー８が基板の表面に付着し
ないように、エアー８の大きさ、及び、基板１の振動は
適宜調節される。
に示す如く、上記基板１の下方から、エアー８が基板１
の表面近傍を通過するようにエアー吹出口７を備えたも
のが挙げられる。上記メッキ装置を用いると、メッキ液
５中に吹き出したエアー８が基板１の表面近傍を通過
し、基板１の表面近傍のメッキ液５の電流密度分布を均
一にするので、より均一なメッキ層を形成することがで
きる。なお、吹き出したエアー８が基板の表面に付着し
ないように、エアー８の大きさ、及び、基板１の振動は
適宜調節される。
【００１６】
【作用】本発明の請求項１に係る基板の電気メッキ方法
は、基板面にクロスする方向に振動を付与するので、メ
ッキの進行に伴って発生した水素ガスが基板の表面に付
着することを防止できる。
は、基板面にクロスする方向に振動を付与するので、メ
ッキの進行に伴って発生した水素ガスが基板の表面に付
着することを防止できる。
【００１７】本発明の請求項２又は請求項３に係る基板
の電気メッキ方法は、メッキの進行に伴って発生した水
素ガスの付着防止が著しい。
の電気メッキ方法は、メッキの進行に伴って発生した水
素ガスの付着防止が著しい。
【００１８】本発明の請求項４に係る基板の電気メッキ
方法は、上記作用に加えて、メッキ液中に、上記基板の
表面近傍を通過するエアーを吹き出すので、基板の表面
近傍のメッキ液の電流密度分布を均一にする。
方法は、上記作用に加えて、メッキ液中に、上記基板の
表面近傍を通過するエアーを吹き出すので、基板の表面
近傍のメッキ液の電流密度分布を均一にする。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を挙げる。
実施例及び比較例は同一種類の基板、及び、メッキ液を
用いた。上記基板はサイズ１００×２００ｍｍのガラス
布基材エポキシ樹脂積層板を用いた。メッキ液の組成
は、硫酸銅（５水塩）８０ｇ／リットル、硫酸１８０ｇ
／リットル、塩素イオン６０ｍｇ／リットルの割合であ
った。上記基板を陰極とし、この基板を挟んで両側に陽
極として銅ボールを用い、銅メッキを施した。
実施例及び比較例は同一種類の基板、及び、メッキ液を
用いた。上記基板はサイズ１００×２００ｍｍのガラス
布基材エポキシ樹脂積層板を用いた。メッキ液の組成
は、硫酸銅（５水塩）８０ｇ／リットル、硫酸１８０ｇ
／リットル、塩素イオン６０ｍｇ／リットルの割合であ
った。上記基板を陰極とし、この基板を挟んで両側に陽
極として銅ボールを用い、銅メッキを施した。
【００２０】実施例１〜３ 基板を吊り下げた治具に備えた振動体を稼働させ、基板
に振動を与えた。基板におけるこの振動の加速度を振動
測定器で測定した。振動測定器はピックアップ器（ブリ
ューエル＆ケアー社製：４３７５型）とチャージアンプ
（ブリューエル＆ケアー社製：２６３５型）からなり、
上記基板面にクロスする方向の成分（Ｘ方向）、及び、
基板面に沿った水平方向の成分（Ｙ方向）と垂直方向の
成分（Ｚ方向）が表１に示す如く測定された。電流密度
の初期値を２．０Ａ／ｄｍ2 に設定し、２０分間銅メッ
キを施した。
に振動を与えた。基板におけるこの振動の加速度を振動
測定器で測定した。振動測定器はピックアップ器（ブリ
ューエル＆ケアー社製：４３７５型）とチャージアンプ
（ブリューエル＆ケアー社製：２６３５型）からなり、
上記基板面にクロスする方向の成分（Ｘ方向）、及び、
基板面に沿った水平方向の成分（Ｙ方向）と垂直方向の
成分（Ｚ方向）が表１に示す如く測定された。電流密度
の初期値を２．０Ａ／ｄｍ2 に設定し、２０分間銅メッ
キを施した。
【００２１】実施例４〜６ 基板の下方からメッキ液中に、上記基板の表面近傍を通
過するエアーを吹き出した以外は実施例１〜３と同様に
してメッキを行った。基板への振動は表１に示す如く測
定された。
過するエアーを吹き出した以外は実施例１〜３と同様に
してメッキを行った。基板への振動は表１に示す如く測
定された。
【００２２】比較例１ 基板に振動を与えずメッキを行った以外は実施例１〜３
と同様にしてメッキを行った。
と同様にしてメッキを行った。
【００２３】実施例１〜６、及び、比較例１のメッキ層
厚みのばらつきを評価した。基板をメッキした後に、メ
ッキ層の厚みを１２か所測定した。測定は蛍光Ｘ線膜厚
計を用い、膜厚測定法で行った。測定結果に基づき厚み
のばらつきを次式より求めた。 厚みばらつき（％）＝（最大厚み−最小厚み）／平均厚
み 結果は表１に示す通りとなった。
厚みのばらつきを評価した。基板をメッキした後に、メ
ッキ層の厚みを１２か所測定した。測定は蛍光Ｘ線膜厚
計を用い、膜厚測定法で行った。測定結果に基づき厚み
のばらつきを次式より求めた。 厚みばらつき（％）＝（最大厚み−最小厚み）／平均厚
み 結果は表１に示す通りとなった。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る基板の電気メッ
キ方法によると、メッキの進行に伴って発生した水素ガ
スが基板の表面に付着することを防止できるので、基板
の表面に均一なメッキ層を形成することができる。
キ方法によると、メッキの進行に伴って発生した水素ガ
スが基板の表面に付着することを防止できるので、基板
の表面に均一なメッキ層を形成することができる。
【００２６】本発明の請求項２又は請求項３に係る基板
の電気メッキ方法によると、メッキの進行に伴って発生
した水素ガスの付着防止効果が大きいので、基板の表面
により均一なメッキ層を形成することができる。
の電気メッキ方法によると、メッキの進行に伴って発生
した水素ガスの付着防止効果が大きいので、基板の表面
により均一なメッキ層を形成することができる。
【００２７】本発明の請求項４に係る基板の電気メッキ
方法によると、上記効果に加えて、基板の表面近傍のメ
ッキ液の電流密度分布が均一になるので、基板の表面に
より均一なメッキ層を形成することができる。
方法によると、上記効果に加えて、基板の表面近傍のメ
ッキ液の電流密度分布が均一になるので、基板の表面に
より均一なメッキ層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に使用するメッキ装置の概略
を示した正面図である。
を示した正面図である。
【図２】図１の要部のみを示した斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例に使用するメッキ装置の概
略を示した正面図である。
略を示した正面図である。
１ 基板 ２ 振動体 ３ 陽極 ４ 陰極 ５ メッキ液 ７ エアー吹出口 ８ エアー
Claims (4)
- 【請求項１】 基板を陰極として、この基板にメッキを
施す基板の電気メッキ方法であって、上記基板面にクロ
スする方向に振動を付与することを特徴とする基板の電
気メッキ方法。 - 【請求項２】 上記基板面にクロスする方向の振動が加
速度１．０〜９．０Ｇの範囲であることを特徴とする請
求項１記載の基板の電気メッキ方法。 - 【請求項３】 上記基板面に沿った方向に加速度が１．
０〜７．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の基板の電気メッキ方法。 - 【請求項４】 上記基板をメッキするメッキ液中に、上
記基板の表面近傍を通過するエアーを吹き出すことを特
徴とする請求項１乃至請求項３いずれか記載の基板の電
気メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3962995A JPH08239792A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 基板の電気メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3962995A JPH08239792A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 基板の電気メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08239792A true JPH08239792A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12558402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3962995A Pending JPH08239792A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 基板の電気メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08239792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003031693A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-17 | Optical Forming Corporation | Systeme et procede d'electroformage |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP3962995A patent/JPH08239792A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003031693A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-17 | Optical Forming Corporation | Systeme et procede d'electroformage |
| KR100830137B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2008-05-20 | 가부시키가이샤 루스ㆍ콤 | 전주장치 및 전주방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000822 |