CN112004964A - 表面处理铜箔、覆铜板以及印刷电路板 - Google Patents

表面处理铜箔、覆铜板以及印刷电路板 Download PDF

Info

Publication number
CN112004964A
CN112004964A CN201980025087.9A CN201980025087A CN112004964A CN 112004964 A CN112004964 A CN 112004964A CN 201980025087 A CN201980025087 A CN 201980025087A CN 112004964 A CN112004964 A CN 112004964A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper foil
less
treated copper
crystal grains
grain size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980025087.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112004964B (zh
Inventor
佐藤章
中崎竜介
篠崎淳
佐佐木贵大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of CN112004964A publication Critical patent/CN112004964A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112004964B publication Critical patent/CN112004964B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
    • C25D5/617—Crystalline layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明提供一种表面处理铜箔，其具有能利用工艺成本优异的减成法形成L&S例如为30/30μm以下的微细布线的微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。表面具有利用粗化处理形成的粗化面的表面处理铜箔的箔厚为10μm以下，粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm‑1以上且3.8μm‑1以下。并且，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0.07以下。

Description

表面处理铜箔、覆铜板以及印刷电路板
技术领域
本发明涉及适于具有高密度布线电路(精细图案)的印刷电路板等的微细布线加工性、与树脂制基板的密合性优异的表面处理铜箔，以及使用该表面处理铜箔的覆铜板和印刷电路板。
背景技术
作为用于覆铜板、印刷电路板的铜箔，使用通过将在电解沉积装置的辊(drum)上析出的铜箔从辊剥离而得到的电解铜箔。从辊剥离的电解铜箔的电解沉积开始面(光滑面。以下，记为“S面”)比较平滑，作为相反侧的面的电解沉积结束面(粗糙面。以下，记为“M面”)一般具有凹凸。在电解铜箔的M面上配置树脂制基板，进行热压接而制造覆铜板，通过对M面实施粗化处理将其粗化，提高与树脂制基板的粘接性。
最近，在铜箔的粗化面预先粘贴环氧树脂等粘接用树脂，使该粘接用树脂成为半固化状态(B阶段)的绝缘树脂层而制成带树脂的铜箔，将该带树脂的铜箔用作表面电路形成用的铜箔，将其绝缘树脂层侧热压接于绝缘基板，从而制造印刷电路板(尤其是，增层布线板(Build-up wiring board))。对于增层布线板，期望将各种电子部件高度集成化，与此对应，对于布线图案也要求高密度化，因此逐渐变为要求微细的线宽、线间间距的布线图案、所谓精细图案的印刷电路板。例如，对于用于服务器、路由器、通信基站、车载基板等的多层基板、智能手机用多层基板，要求具有高密度极微细布线的印刷电路板(以下，记为“高密度布线板”)。
AnyLayer(用配置的自由度高的激光通孔将层间连接)的高密度布线板主要用于智能手机的主板，但近年来推进微细布线化，要求线宽和线间的间距(以下，记为“L&S”)分别在30μm以下的布线。以往，高密度布线板由印刷电路板制造商利用使用光刻胶的减成法来制造，但若L&S变窄，则布线的剖面形状会变形，因此在以超过500mm见方的大面积对高密度布线板进行封装成型(一括成型)的情况下，L&S在30/30μm(线宽(L)为30μm，线间的间距(S)为30μm)以下的布线的形成是困难的。
因此，最近，为了在高密度布线板中形成L&S为30/30μm以下的布线，正在推进MSAP法(Modified Semi Additive Process：改良半加成法)的导入。然而，MSAP法与减成法相比工艺成本高，因此存在电路基板制造商的负担大的问题。另外，在形成微细布线的情况下，有效的是减小铜箔的表面粗糙度，但另一方面，若减小铜箔的表面粗糙度，则树脂制基板与铜箔的密合性恐怕会降低。
在专利文献1中，公开了通过使极薄铜层的整体的平均晶粒尺寸微细化来形成微细布线的技术，但若晶粒尺寸过小，则恐怕会因侧蚀(布线剖面的横向蚀刻)的影响无法得到高蚀刻因子(Etching factor)。
另外，在专利文献2中，公开了与高耐热性树脂的密合性优异的铜箔，但尖锐形状的粗化粒子在蚀刻时容易溶解残留(根部残留)，微细布线加工性恐怕会不充分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利公报第6158573号
专利文献2：日本专利公开公报2010年第236058号
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的问题在于提供一种表面处理铜箔，其具有能利用工艺成本优异的减成法形成L&S例如为30/30μm以下的微细布线的微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。另外，本发明的问题同时在于提供一种具有上述的微细布线加工性的覆铜板以及具有高密度极微细布线的印刷电路板。
用于解决问题的方案
本发明的一方式的表面处理铜箔的主旨在于，其表面具有利用粗化处理形成的粗化面，箔厚为10μm以下，粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm-1以上且3.8μm-1以下，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0.07以下。
另外，本发明的其他方式的覆铜板的主旨在于，具备上述一方式的表面处理铜箔和层叠于该表面处理铜箔的粗化面的树脂制基板。
而且，本发明的其他方式的印刷电路板的主旨在于，具备上述其他方式的覆铜板。
发明效果
本发明的表面处理铜箔具有能利用工艺成本优异的减成法形成L&S例如为30/30μm以下的微细布线的微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。另外，本发明的覆铜板具有上述的微细布线加工性。而且，本发明的印刷电路板具有高密度极微细布线。
附图说明
图1是对使用电解沉积装置制造电解铜箔的方法进行说明的图。
图2是对晶粒的分布的测定方法进行说明的图。
具体实施方式
对本发明的一实施方式进行说明。需要说明的是，以下说明的实施方式表示本发明的一例，本发明并不限定于本实施方式。另外，可以对本实施方式施加各种变更或改良，这种施加了变更或改良的方式也可以包含于本发明中。
本发明人等进行了深入研究，结果发现，对于铜箔的微细布线加工性，铜箔中的晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒的分布状态的影响高。一般而言，已知在微细布线的蚀刻加工中，相较于晶粒内，在晶粒的晶界优先进行溶解。晶粒边界相当于面方位不同的晶粒的边界，存在很多原子排列的失配、缺陷，因此处于能量活性状态，因此容易在蚀刻中溶解。因此，可以认为铜箔中的晶粒越微细，晶粒边界越增多，溶解速度越快。
调查了影响铜箔的微细布线加工性的提高的因素，结果可知，在200℃下加热2小时后，0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒尺寸的晶粒处于固定的比例的情况下，蚀刻时的纵向的溶解速度加快而蚀刻因子上升。但是，另一方面，发现若该尺寸的晶粒的比例过多，则反而布线图案剖面的顶部侧(以下，将图案上部设为顶部，将图案下部设为底部)的横向的溶解优先进行，蚀刻因子减小。
具体而言，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，若晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，则蚀刻因子增加。但是，若比例R1大于0.97，则顶部侧的蚀刻优先进行，微细布线加工性降低，若比例R1小于0.51，则铜箔的厚度方向的蚀刻速度变慢，微细布线加工降低。
另外，若晶粒尺寸为3.0μm以上的尺寸，则相对于晶粒的体积，晶界的面积较少，容易溶解残留，因此因蚀刻速度的降低而导致布线图案容易拖尾(裾引き)。具体而言，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0，或超过0且在0.07以下的范围内，微细布线加工性提高，若比例R3大于0.07，则尺寸大的晶粒的溶解残留的影响增加，微细布线加工性降低。
详情将后述，但可以通过使在制造电解铜箔时对电解液赋予的电流密度均匀化，来对上述的晶粒的分布进行控制。
而且，在调查有助于微细布线加工性的因素期间，发现了铜箔的粗化粒子的顶点附近部分的曲率的算术平均值(粗化面的顶点曲率算术平均值)Ssc的影响强。具体而言，在顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm-1以上且3.8μm-1以下时，蚀刻因子增加。顶点曲率算术平均值Ssc是各种山结构的平均山顶曲率，由下述式表示。在下述式中，z(x，y)是x、y坐标处的高度方向的坐标，N是粗化粒子的顶点个数。
[数1]
Figure BDA0002717818250000051
在该范围内存在顶点曲率算术平均值Ssc的情况下，铜箔的粗化面的粗化粒子的顶点的弯曲程度处于适度的状态，因此认为在蚀刻时不产生根部残留(粗化粒子的顶端溶解残留的状态)而容易溶解，抑制了铜箔的拖尾，蚀刻因子上升。
在顶点曲率算术平均值Ssc大于3.8μm-1的情况下，粗化粒子的顶点的弯曲程度强，因此成为粗化粒子深深地刺入树脂制基板的状态，在蚀刻时产生根部残留，铜箔的拖尾变长，蚀刻因子降低。在顶点曲率算术平均值Ssc小于0.7μm-1的情况下，粗化粒子的顶点的弯曲程度平缓，因此粗化粒子对树脂制基板的没入程度差(锚固效果弱)，树脂制基板与铜箔的密合性降低。
详情将后述，可以通过使粗化粒子的顶点溶解而使顶点曲率算术平均值Ssc降低，因此，如果在脉冲镀敷、粗化处理后通过将铜箔浸渍于硫酸铜水溶液的方法使粗化粒子的顶点溶解，则能控制顶点曲率算术平均值Ssc。
即，就本发明的一实施方式的表面处理铜箔而言，其表面具有利用粗化处理形成的粗化面，箔厚为10μm以下，粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm-1以上且3.8μm-1以下。并且，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0.07以下。即，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒是任意成分，比例R3为0或超过0且在0.07以下。
在本发明的一实施方式的表面处理铜箔中，进一步优选的是，粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为1.0μm-1以上且2.5μm-1以下。另外，优选的是，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.59以上且0.96以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.04以上且0.41以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0。
上述的本实施方式的表面处理铜箔具有能利用工艺成本优异的减成法形成L&S例如为30/30μm以下的微细布线的微细布线加工性，并且与树脂制基板的密合性优异。因此，本实施方式的表面处理铜箔可适用于覆铜板、印刷电路板的制造，可制造具有高密度极微细布线的印刷电路板。
在本实施方式的表面处理铜箔中，箔厚为10μm以下。若表面处理铜箔的箔厚超过10μm，则铜箔的溶解时间变长，恐怕会发生蚀刻因子降低的不良情况。
另外，在本实施方式的表面处理铜箔中，粗化面的Rpm(粗糙度曲线的最大山高度的10点平均)可以为0.5μm以上且3.5μm以下。若粗化面的Rpm小于0.5μm，则恐怕会发生与树脂制基板的密合性降低的不良情况。另一方面，若粗化面的Rpm超过3.5μm，则恐怕会发生蚀刻因子降低的不良情况。
而且，在本实施方式的表面处理铜箔中，常态下的拉伸强度可以为400MPa以上且780MPa以下，在220℃下加热2小时后在常温下测定的拉伸强度可以为300MPa以上。
若常态下的拉伸强度为400MPa以上且780MPa以下，则表面处理铜箔的操作性和蚀刻性良好。在220℃下加热2小时后在常温下测定的拉伸强度为300MPa以上的情况下，蚀刻性良好。
需要说明的是，在本发明中，“晶粒尺寸”是指圆当量直径。另外，在本发明中，“常态”是指，表面处理铜箔未经过热处理等热历程，放置于常温(即，约25℃)下的状态。常态下的拉伸强度可通过依据IPC-TM-650的方法在常温下进行测定。另外，加热后的拉伸强度可将表面处理铜箔加热至220℃并保持2小时后，自然冷却至常温，在常温下通过与常态下的拉伸强度同样的方法进行测定。
以下，对本实施方式的表面处理铜箔进行更详细的说明。首先，对表面处理铜箔的制造方法进行说明。
(1)关于电解铜箔的制造方法
电解铜箔例如可使用图1所示的电解沉积装置进行制造。图1的电解沉积装置具备：不溶性阳极104，包含覆盖铂族元素或其氧化物的钛；钛制的阴极辊102，与不溶性阳极104对置地设置；以及抛光轮103，对阴极辊102进行研磨，去除在阴极辊102的表面产生的氧化膜。
向阴极辊102与不溶性阳极104之间供给电解液105(硫酸-硫酸铜水溶液)，一边使阴极辊102以固定速度旋转，一边在阴极辊102与不溶性阳极104之间接通直流电流。由此，铜在阴极辊102的表面上析出。将析出的铜从阴极辊102的表面剥离，连续地进行卷取，由此得到电解铜箔101。
本发明人等进行深入研究，结果发现，相对于通过泵搅拌电解液的现有方法，通过使电解液105产生强湍流的方法，能使阴极辊102与不溶性阳极104之间的电流密度比一般的电解制箔更均匀化，能控制铜箔的晶粒的分布。作为使电解液105产生强湍流的方法的一例，可列举出空气等气体的鼓泡。若在电解沉积装置设置气体的鼓泡装置，一边调整流量一边向电解液105供给气体使之鼓泡，则在电解液105中气泡无规地运动而产生强湍流。
具体而言，如果使气体的流量为2L/min以上且8L/min以下，则电流密度被均匀化，容易得到在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下的晶粒的分布与前述的本实施方式的表面处理铜箔同样的电解铜箔。若气体的流量小于2L/min，则局部产生电流密度低的区域，容易形成粗大的晶粒，因此蚀刻因子恐怕会降低。另一方面，若气体的流量超过8L/min，则比例R1变大，侧蚀成为优势，因此蚀刻因子恐怕会降低。
另外，作为其他实施方式，也可以在不溶性阳极的表面形成连续的凹凸。在凹凸的附近，电解液的流速慢，另一方面在不溶性阳极与阴极的中间，电解液的流速变快，产生速度差。发现因该速度差产生强湍流，相较于以往的电解制箔，电流密度分布更均匀化，能控制铜箔的晶粒的分布。
具体而言，通过沿着阳极的圆周方向隔开60mm的间隔连续地形成高度为0.5～1.5mm、宽度为10～70mm的凸部，产生湍流，容易得到在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下的晶粒的分布与前述的本实施方式的表面处理铜箔同样的电解铜箔。
在电解铜箔的制造中，也可以将添加剂添加于电解液105中。添加剂的种类没有特别限定，可列举出亚乙基硫脲、聚乙二醇、四甲基硫脲、聚丙烯酰胺等。在此，通过增加亚乙基硫脲、四甲基硫脲的添加量，能提高常态下的拉伸强度，以及在220℃下加热2小时后在常温下测定的拉伸强度。
若常态下的拉伸强度为400MPa以上且780MPa以下，则表面处理铜箔的操作性和蚀刻性良好。若常态下的拉伸强度小于400MPa，则表面处理铜箔为薄箔片品，因此，因输送时产生褶皱恐怕会导致操作性变差。另一方面，若常态下的拉伸强度大于780MPa，则在使用电解沉积装置制造铜箔时，在辊上析出的铜箔容易发生箔断裂，恐怕会不适于制造。
另外，在220℃下加热2小时后在常温下测定的拉伸强度为300MPa以上的情况下，在将表面处理铜箔和树脂制基板层叠而制造覆铜板的工序中加热后，晶粒也细，蚀刻性良好。若在220℃下加热2小时后在常温下测定的拉伸强度小于300MPa，则晶粒会因将表面处理铜箔和树脂制基板层叠而制造覆铜板的工序中的加热而变大，蚀刻中不易溶解，因此蚀刻性恐怕会降低。
需要说明的是，也可以在电解液105中添加钼。通过添加钼，可以提高铜箔的蚀刻性。通常，在电解沉积中，电解液105的铜浓度(硫酸铜中不考虑硫酸成分、仅铜的浓度)为13～72g/L，电解液105的硫酸浓度为26～133g/L，电解液105的液温为18～67℃，电流密度为3～67A/dm2，处理时间为1秒钟以上且1分55秒以下。
(2)关于电解铜箔的表面处理
＜粗化处理＞
已知出于提高与树脂制基板的密合性的目的，对电解铜箔的表面实施粗化处理而形成粗化面，但一般而言，若为密合性高的粗化处理，则在蚀刻时容易产生根部残留，蚀刻因子容易降低。本发明人等进行深入研究，结果发现，通过使粗化粒子的顶点稍微溶解，顶点的弯曲程度的强度降低(粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc降低)，蚀刻时不易产生根部残留，蚀刻因子提高。
使粗化粒子的顶点溶解的方法没有特别的限定，可列举出通过使用适度的逆电流的脉冲镀敷使其溶解的方法，在粗化处理后将铜箔浸渍于硫酸铜水溶液中而优先使顶端溶解的方法。
另外，发现若粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm-1以上且3.8μm-1以下，且在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下的晶粒的分布如上所述(即，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒在，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0，或，在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3超过0且在0.07以下)，则铜箔的蚀刻因子特异性地上升。
可以认为这是由于铜箔的纵向(从布线的顶部侧朝向底部侧的方向)的溶解速度和粗化面的溶解速度(横向，即布线的宽度方向)的平衡良好所带来的效果。例如，在粗化面的溶解速度(横向的溶解)快于铜箔的溶解速度(纵向的溶解)的情况下，产生底切(在横向上粗化面的溶解比铜箔加剧的状态)的问题。
＜镍层、锌层、铬酸盐处理层的形成＞
在本实施方式的表面处理铜箔中，可以在通过粗化处理形成的粗化面上进一步依次形成镍层、锌层。
锌层发挥如下作用，防止将表面处理铜箔和树脂制基板热压接时，产生因表面处理铜箔与树脂制基板的反应引起的树脂制基板的劣化、表面处理铜箔的表面氧化，提高表面处理铜箔与树脂制基板的密合性。另外，镍层防止将表面处理铜箔和树脂制基板热压接时，锌层的锌向表面处理铜箔中热扩散。即，镍层发挥用于使锌层的上述功能有效发挥的作为锌层的基底层的作用。
需要说明的是，这些镍层、锌层可应用公知的电解镀敷法、无电解镀敷法而形成。另外，镍层可由纯镍形成，也可由含磷镍合金形成。
另外，若在锌层上进一步进行铬酸盐处理，则在表面处理铜箔的表面形成抗氧化层，因此优选。作为所应用的铬酸盐处理，可以使用公知的方法，例如，可举出日本特开昭60-86894号公报中公开的方法。通过使换算成铬量为0.01～0.3mg/dm2左右的铬氧化物及其水合物等附着，可对表面处理铜箔赋予优异的抗氧化功能。
＜硅烷处理＞
对于铬酸盐处理后的表面，还可以进行使用了硅烷偶联剂的表面处理(硅烷处理)。通过使用硅烷偶联剂的表面处理，会对表面处理铜箔的表面(与树脂制基板的接合侧的表面)赋予与粘接剂的亲和力强的官能团，因此，表面处理铜箔与树脂制基板的密合性进一步提高，表面处理铜箔的防锈性、吸湿耐热性也进一步提高。
硅烷偶联剂的种类没有特别限定，可列举出乙烯基系硅烷、环氧系硅烷、苯乙烯基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、丙烯酰氧基系硅烷、氨基系硅烷、脲基系硅烷、氯丙基系硅烷、巯基系硅烷、硫化物系硅烷、异氰酸酯系硅烷等硅烷偶联剂。这些硅烷偶联剂通常制成0.001质量％以上且5质量％以下的浓度的水溶液来使用。将该水溶液涂布于表面处理铜箔的表面后进行加热干燥，由此能进行硅烷处理。需要说明的是，即使代替硅烷偶联剂而使用钛酸酯系、锆酸酯系等偶联剂，也能得到同样的效果。(3)关于覆铜板、印刷电路板的制造方法
首先，在由玻璃环氧树脂、聚酰亚胺树脂等构成的电绝缘性的树脂制基板的一方或两方的表面重叠放置表面处理铜箔。此时，使表面处理铜箔的粗化面与树脂制基板对置。然后，一边对重叠的树脂制基板和表面处理铜箔进行加热，一边施加层叠方向的压力，当将树脂制基板和表面处理铜箔接合时，得到带载体或无载体的覆铜板。本实施方式的表面处理铜箔由于常态和加热后的拉伸强度高，因此即使没有载体也能充分应对。
接着，对覆铜板的铜箔表面照射例如CO2气体激光，进行开孔。即，对铜箔的形成有激光吸收层的面照射CO2气体激光，进行形成贯通表面处理铜箔和树脂制基板的贯通孔的开孔加工。然后，如果通过常规方法在表面处理铜箔形成高密度布线电路等电路，则能得到印刷电路板。
〔实施例〕
以下示出实施例和比较例，对本发明进行更具体的说明。
(A)电解铜箔的制造
使用图1所示的电解沉积装置，将硫酸-硫酸铜水溶液作为电解液，通过如下操作制造了电解铜箔。即，向阳极和与阳极对置设置的阴极辊之间供给电解液，一边使空气在电解液中鼓泡的同时使阴极辊以固定速度旋转，一边在阳极与阴极辊之间接通直流电流，由此使铜在阴极辊的表面上析出。然后，将析出的铜从阴极辊的表面剥离，连续地进行卷取，由此制造电解铜箔。
电解液中的铜浓度、硫酸浓度、氯浓度如表1所示。在实施例1～14和比较例1～5中的一部分中，如表1所示，作为添加剂在电解液中添加亚乙基硫脲、聚乙二醇、四甲基硫脲以及胶(分子量20000)中的2种，这些添加剂的浓度如表1所示。另外，制造电解铜箔时的电解液的温度、电流密度、空气的鼓泡流量如表1所示。而且，在实施例13、14中，沿着阳极的圆周方向隔开60mm的间隔连续地形成高度为1.0mm、宽度为60mm的凸部。
Figure BDA0002717818250000121
(B)粗化处理
接着，对电解铜箔的S面或M面(参照表2)实施将表面制成粗化面的粗化处理，制造表面处理铜箔。具体而言，对电解铜箔的表面实施使微细的铜粒子电沉积的电镀(脉冲镀敷)作为粗化处理，由此形成由铜粒子形成微细的凹凸的粗化面。用于电镀的镀液含有铜、硫酸、钼、镍，铜浓度、硫酸浓度、钼浓度、镍浓度如表2所示。
另外，将粗化处理，即脉冲镀敷的条件(实施了粗化处理的面(处理面)、电解条件、镀敷处理时间、镀液的温度)示于表2。在表2中的电解条件中，Ion1表示第1阶段的脉冲电流密度，Ion2表示第2阶段的脉冲电流密度，ton1表示第1阶段的脉冲电流施加时间，ton2表示第2阶段的脉冲电流施加时间，toff表示将第2阶段的脉冲电流与第1阶段的脉冲电流之间的电流设为0的时间。
需要说明的是，对于实施例11、12以及比较例1，实施了通常的电镀而不是脉冲镀敷。在表2中的电解条件中，I是实施例11、12以及比较例1中实施的电镀的电流密度。
而且，关于实施例11、12，通过将得到的表面处理铜箔进一步浸渍于硫酸铜浴(硫酸铜水溶液)，使在电解铜箔的表面形成的微细的凸部的顶点溶解而变圆，调整粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc。硫酸铜浴的铜浓度、硫酸浓度、浸渍时间如表2所示。
Figure BDA0002717818250000141
(C)镍层(基底层)的形成
接着，对表面处理铜箔的粗化面按下述所示的镀Ni条件进行电解镀敷，由此形成镍层(Ni的附着量0.06mg/dm2)。用于镀镍的镀液含有硫酸镍、过硫酸铵((NH4)2S2O8)、硼酸(H3BO3)，镍浓度为5.0g/L，过硫酸铵浓度为40.0g/L，硼酸浓度为28.5g/L。另外，镀液的温度为28.5℃，pH为3.8，电流密度为1.5A/dm2，镀敷处理时间为1秒钟～2分钟。
(D)锌层(耐热处理层)的形成
而且，在镍层上按下述所示的镀Zn条件进行电解镀敷，由此形成锌层(Zn的附着量0.05mg/dm2)。用于镀锌的镀液含有硫酸锌七水合物、氢氧化钠，锌浓度为1～30g/L，氢氧化钠浓度为10～300g/L。另外，镀液的温度为5～60℃，电流密度为0.1～10A/dm2，镀敷处理时间为1秒钟～2分钟。(E)铬酸盐处理层(防锈处理层)的形成
而且，在锌层上按下述所示的镀Cr条件进行电解镀敷，由此形成铬酸盐处理层(Cr的附着量0.02mg/dm2)。用于镀铬的镀液含有铬酸酐(CrO3)，铬浓度为2.5g/L。另外，镀液的温度为15～45℃，pH为2.5，电流密度为0.5A/dm2，镀敷处理时间为1秒钟～2分钟。
(F)硅烷偶联剂层的形成
而且，进行下述所示的处理，在铬酸盐处理层上形成硅烷偶联剂层。即，在硅烷偶联剂水溶液中添加甲醇或乙醇，调整成规定的pH，得到处理液。将该处理液涂布于表面处理铜箔的铬酸盐处理层，保持规定的时间后利用热风使其干燥，由此形成硅烷偶联剂层。
(G)评价
如上所述，分别制造出实施例1～14和比较例1～5的表面处理铜箔。这些表面处理铜箔的箔厚如表3中记载的那样。对得到的各表面处理铜箔进行了各种评价。
〔拉伸强度〕
将以上述方式得到的实施例1～14和比较例1～5的表面处理铜箔切成宽度12.7mm、长度130mm的长方形，作为拉伸试验片。通过依据IPC-TM-650的方法，测定常态下的拉伸试验片的拉伸强度。作为测定装置，使用Instron公司的1122型拉伸试验机，测定温度设为常温。
另外，将拉伸试验片在220℃下加热2小时后，自然冷却至常温。对赋予了这样的热历程的拉伸试验片，与常态下的拉伸强度同样地测定拉伸强度。结果如表3所示。
〔蚀刻因子〕
通过减成法，在实施例1～14和比较例1～5的表面处理铜箔上形成L&S为30/30μm的抗蚀剂图案。然后，进行蚀刻而形成布线图案。作为抗蚀剂，使用干式抗蚀剂膜，作为蚀刻液，使用含有氯化铜和盐酸的混合液。然后，测定得到的布线图案的蚀刻因子(Ef)。蚀刻因子是指，在将铜箔的箔厚设为H、将形成的布线图案的底部宽度设为B、将形成的布线图案的顶部宽度设为T时，由下式表示的值。
Ef＝2H/(B-T)
在本实施例和比较例中，将蚀刻因子为2.5以上的情况设为良品，将蚀刻因子小于2.5的情况设为不良品。
若蚀刻因子小，则布线图案中的侧壁的垂直性破坏，在线宽窄的微细的布线图案的情况下，在邻接的布线图案间产生铜箔的溶解残留，有短路的危险性、导致断线的危险性。在本试验中，针对成为正确蚀刻(Just etch)位置(抗蚀剂的端部的位置与布线图案的底部的位置对齐)时的布线图案，利用显微镜测定底部宽度B和顶部宽度T，计算蚀刻因子。结果如表3所示。
〔密合性〕
在铜箔的粗化面接合树脂制基板，制作测定用样品。作为树脂制基板，使用市售的聚苯醚系树脂(松下株式会社制的超低传输损耗多层基板材料MEGTRON6)，接合时的固化温度设为210℃，固化时间设为2小时。
对制作的测定用样品的铜箔进行蚀刻加工，形成宽度10mm的电路布线后，利用双面胶带将树脂制基板侧固定在不锈钢板上，以50mm/分钟的速度将电路布线沿90度方向拉伸而剥离，测定密合性(kN/m)。密合性的测定使用万能材料试验机(株式会社A&D制的Tensilon)进行。
在本实施例和比较例中，将密合性为0.4kN/m以上的情况设为良品，将密合性小于0.4kN/m的情况设为不良品。
〔操作性：褶皱不良数〕
将实施例1～14和比较例1～5的表面处理铜箔切成一边200mm的正方形，加压接合于基板FR4，制作覆铜板。接合的条件为温度170℃、压力1.5MPa、加压时间1小时。针对各表面处理铜箔，分别制作30片覆铜板，目视确认铜箔的褶皱，计数铜箔产生褶皱的覆铜板的数量(褶皱不良数)。根据该褶皱不良数，评价表面处理铜箔的操作性。将褶皱不良数为3片以下的情况设为合格，将褶皱不良数为4片以上的情况设为不合格。结果如表3所示。
〔顶点曲率算术平均值Ssc、Rpm〕
使用BRUKER公司的三维白光干涉型显微镜Wyko ContourGT-K，测定实施例1～14和比较例1～5的表面处理铜箔的粗化面的表面形状，进行形状解析，求出顶点曲率算术平均值Ssc和Rpm。形状解析使用高分辨率CCD相机按VSI测定方式进行。条件设为，光源为白光，测定倍率为10倍，测定范围为477μm×357.8μm，Lateral Sampling(横向取样)为0.38μm，speed(速度)为1，Backscan(回溯扫描高度)为10μm，Length(长度)为10μm，Threshold(阈值)为3％，进行Terms Removal(项目移除)(Cylinder and Tilt)、Data Restore(数据恢复)(Method：legacy，iterations 5)、Statistic Filter(统计过滤)(Filter Size：3，Filter Type：Median)的过滤处理后进行数据处理。结果如表3所示。
〔晶粒的分布〕
使用株式会社TSL Solutions的EBSD(Electron Back Scatter Diffraction)相机Hikari/DC5.2/A5.2以及日本电子株式会社(JEOL)的扫描电子显微镜JSM-7001FA，在倍率5000倍、电子束步进量0.05的条件下，测定表面处理铜箔的粗化面的晶粒。在利用EBSD的晶粒的测定中，设为方位差15°以上的晶粒边界，将由晶粒边界包围的区域作为晶粒。
此时，对表面处理铜箔的切割面进行CP(截面抛光仪)研磨，对该研磨面中图2所示的范围的部分进行EBSD的测定。即，在将表面处理铜箔的箔厚设为t的情况下，如图2所示，对与粗化面的相反侧的面相接的纵(厚度方向的长度)0.8t，横(与厚度方向正交的方向的长度)1.6t的矩形的范围进行EBSD的测定。例如，在箔厚t为10μm的情况下，为纵8.0μm、横16.0μm的矩形的范围，在箔厚t为6μm的情况下，为纵4.8μm、横9.6μm的矩形的范围，在箔厚t为4μm的情况下，为纵3.2μm、横6.4μm的矩形的范围。
基于EBSD(电子背散射衍射法)的GRAIN SIZE的数据，计算出前述的晶粒的比例R1、R2、R3。结果如表3所示。
Figure BDA0002717818250000191
比较例1是在已知的制箔条件(专利第4583149号公报的实施例2)下制造的铜箔，晶粒的个数的比例R3大，因此蚀刻因子(Ef)小，无法使L&S变细。
比较例2与实施例3相比鼓泡流量少，因此晶粒的个数的比例R2、R3变大，无法使L&S变细。
比较例3由于鼓泡流量过大，因此晶粒的个数的比例R1变大，无法使L&S变细。
比较例4与实施例1相比，未以粗化处理的脉冲电流施加反向电流，粗化粒子未溶解，因此蚀刻因子降低。
比较例5由于粗化处理的电流大，因此粗化粒子变得粗大，由此蚀刻时容易产生根部残留，蚀刻因子降低。
附图标记说明
101：电解铜箔；102：阴极辊；104：不溶性阳极；105：电解液。

Claims (6)

1.一种表面处理铜箔，其表面具有利用粗化处理形成的粗化面，
箔厚为10μm以下，
所述粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为0.7μm-1以上且3.8μm-1以下，
在200℃下加热2小时后通过电子背散射衍射法解析剖面的情况下，晶粒尺寸为0.5μm以上的晶粒中，晶粒尺寸为0.5μm以上且小于1.0μm的晶粒的个数的比例R1为0.51以上且0.97以下，晶粒尺寸为1.0μm以上且小于3.0μm的晶粒的个数的比例R2为0.03以上且0.42以下，晶粒尺寸为3.0μm以上的晶粒的个数的比例R3为0.07以下。
2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，
所述粗化面的顶点曲率算术平均值Ssc为1.0μm-1以上且2.5μm-1以下，
所述比例R1为0.59以上且0.96以下，所述比例R2为0.04以上且0.41以下，所述比例R3为0。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，
所述粗化面的Rpm为0.5μm以上且3.5μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理铜箔，其中，
常态下的拉伸强度为400MPa以上且780MPa以下，在220℃下加热2小时后，常温下测定的拉伸强度为300MPa以上。
5.一种覆铜板，其具备：权利要求1～4中任一项所述的表面处理铜箔，以及层叠于所述表面处理铜箔的粗化面的树脂制基板。
6.一种印刷电路板，其具备权利要求5所述的覆铜板。
CN201980025087.9A 2018-04-25 2019-04-17 表面处理铜箔、覆铜板以及印刷电路板 Active CN112004964B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018084504 2018-04-25
JP2018-084504 2018-04-25
PCT/JP2019/016547 WO2019208368A1 (ja) 2018-04-25 2019-04-17 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112004964A true CN112004964A (zh) 2020-11-27
CN112004964B CN112004964B (zh) 2022-03-18

Family

ID=68293905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980025087.9A Active CN112004964B (zh) 2018-04-25 2019-04-17 表面处理铜箔、覆铜板以及印刷电路板

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6606317B1 (zh)
KR (1) KR102479331B1 (zh)
CN (1) CN112004964B (zh)
TW (1) TWI734976B (zh)
WO (1) WO2019208368A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6895936B2 (ja) * 2018-09-28 2021-06-30 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板及び回路基板

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11268181A (ja) * 1998-03-23 1999-10-05 Hitachi Chem Co Ltd 銅張り積層板
JP2002347173A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Hitachi Chem Co Ltd 紙フェノール樹脂銅張積層板の製造方法
JP2003324258A (ja) * 2002-05-01 2003-11-14 Nippon Mektron Ltd プリント配線板用銅張板
US20040157080A1 (en) * 2003-02-12 2004-08-12 Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Copper foil for fine pattern printed circuits and method of production of same
US20070012573A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate support, method of manufacturing the same, and presensitized plate
US20080297983A1 (en) * 2004-03-24 2008-12-04 Showa Denko K.K. Electrode Sheet For Capacitors, Method For Manufacturing The Same, And Electrolytic Capacitor
CN102046853A (zh) * 2008-05-28 2011-05-04 三井金属矿业株式会社 铜箔的粗化处理方法和由该粗化处理方法得到的印刷布线板用铜箔
TW201139756A (en) * 2010-01-22 2011-11-16 Furukawa Electric Co Ltd Roughened copper foil, method for producing same, and copper clad laminate and printed circuit board
JP2012172198A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電解銅箔及びその製造方法
CN103125149A (zh) * 2010-09-27 2013-05-29 吉坤日矿日石金属株式会社 印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板
CN103786389A (zh) * 2012-10-26 2014-05-14 Jx日矿日石金属株式会社 带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法
CN104220250A (zh) * 2012-03-26 2014-12-17 Jx日矿日石金属株式会社 附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板
US20170208686A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper Foil, Copper-Clad Laminate Board, Method for Producing Printed Wiring Board, Method for Producing Electronic Apparatus, Method for Producing Transmission Channel, and Method for Producing Antenna
CN107109639A (zh) * 2015-03-24 2017-08-29 株式会社钟化 带透明电极的基板及带透明电极的基板的制造方法
CN107113971A (zh) * 2015-08-12 2017-08-29 古河电气工业株式会社 高频电路用铜箔、覆铜层压板、印刷布线基板
CN107923047A (zh) * 2015-07-29 2018-04-17 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
CN109072472A (zh) * 2016-04-14 2018-12-21 三井金属矿业株式会社 表面处理铜箔、带载体铜箔、以及使用它们的覆铜层叠板及印刷电路板的制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039439A (ja) 1983-08-10 1985-03-01 東レ株式会社 超極細繊維織編物とその製造方法
KR100236058B1 (ko) 1997-04-24 1999-12-15 김영환 트리거 전압 조정이 가능한 슈미트 트리거 회로
TWI509111B (zh) * 2012-11-26 2015-11-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of electrolytic copper foil, laminated board, and printed wiring board, electronic equipment
JP6147077B2 (ja) * 2013-05-10 2017-06-14 古河電気工業株式会社 圧延銅箔および圧延銅箔の製造方法

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11268181A (ja) * 1998-03-23 1999-10-05 Hitachi Chem Co Ltd 銅張り積層板
JP2002347173A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Hitachi Chem Co Ltd 紙フェノール樹脂銅張積層板の製造方法
JP2003324258A (ja) * 2002-05-01 2003-11-14 Nippon Mektron Ltd プリント配線板用銅張板
US20040157080A1 (en) * 2003-02-12 2004-08-12 Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. Copper foil for fine pattern printed circuits and method of production of same
US20080297983A1 (en) * 2004-03-24 2008-12-04 Showa Denko K.K. Electrode Sheet For Capacitors, Method For Manufacturing The Same, And Electrolytic Capacitor
US20070012573A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate support, method of manufacturing the same, and presensitized plate
CN102046853A (zh) * 2008-05-28 2011-05-04 三井金属矿业株式会社 铜箔的粗化处理方法和由该粗化处理方法得到的印刷布线板用铜箔
CN102803576A (zh) * 2010-01-22 2012-11-28 古河电气工业株式会社 粗化处理铜箔及其制造方法、覆铜层压板及印刷电路板
TW201139756A (en) * 2010-01-22 2011-11-16 Furukawa Electric Co Ltd Roughened copper foil, method for producing same, and copper clad laminate and printed circuit board
CN103125149A (zh) * 2010-09-27 2013-05-29 吉坤日矿日石金属株式会社 印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板
CN106028638A (zh) * 2010-09-27 2016-10-12 吉坤日矿日石金属株式会社 印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板
JP2012172198A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電解銅箔及びその製造方法
CN104220250A (zh) * 2012-03-26 2014-12-17 Jx日矿日石金属株式会社 附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板
CN105555059A (zh) * 2012-03-26 2016-05-04 Jx日矿日石金属株式会社 附载体铜箔、附载体铜箔的制造方法、印刷配线板用附载体铜箔及印刷配线板
CN103786389A (zh) * 2012-10-26 2014-05-14 Jx日矿日石金属株式会社 带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法
CN107109639A (zh) * 2015-03-24 2017-08-29 株式会社钟化 带透明电极的基板及带透明电极的基板的制造方法
CN107923047A (zh) * 2015-07-29 2018-04-17 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
CN107113971A (zh) * 2015-08-12 2017-08-29 古河电气工业株式会社 高频电路用铜箔、覆铜层压板、印刷布线基板
US20170208686A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper Foil, Copper-Clad Laminate Board, Method for Producing Printed Wiring Board, Method for Producing Electronic Apparatus, Method for Producing Transmission Channel, and Method for Producing Antenna
CN109072472A (zh) * 2016-04-14 2018-12-21 三井金属矿业株式会社 表面处理铜箔、带载体铜箔、以及使用它们的覆铜层叠板及印刷电路板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202001000A (zh) 2020-01-01
CN112004964B (zh) 2022-03-18
KR20210002455A (ko) 2021-01-08
JP6606317B1 (ja) 2019-11-13
JPWO2019208368A1 (ja) 2020-05-07
KR102479331B1 (ko) 2022-12-19
WO2019208368A1 (ja) 2019-10-31
TWI734976B (zh) 2021-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100941219B1 (ko) 전해 동박, 그 전해 동박을 이용하여 얻어진 표면 처리 전해 동박, 그 표면 처리 전해 동박을 이용한 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI509111B (zh) Surface treatment of electrolytic copper foil, laminated board, and printed wiring board, electronic equipment
KR101887791B1 (ko) 표면 처리 동박, 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP3910623B1 (ja) 電解銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた電解銅箔、その電解銅箔を用いて得られた表面処理電解銅箔、その表面処理電解銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板
TW201800242A (zh) 表面處理銅箔及使用其製成的覆銅積層板
JP2005076091A (ja) キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及びその製造方法で製造されたキャリア付き極薄銅箔
KR102353878B1 (ko) 표면 처리 동박 및 이를 이용한 동 클래드 적층판
JP2007186797A (ja) キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板
JP2014111817A (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板
KR20230129209A (ko) 표면처리 전해동박, 이의 제조방법, 및 이의 용도
CN112004964B (zh) 表面处理铜箔、覆铜板以及印刷电路板
KR101126969B1 (ko) 고굴곡성의 전해 동박 및 그 제조 방법
KR101623713B1 (ko) 인쇄 회로용 동박
JP7247015B2 (ja) 電解銅箔、該電解銅箔を用いた表面処理銅箔、並びに該表面処理銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板
KR20110071434A (ko) 표면처리층의 구조가 개선된 전해동박 및 그 제조방법과, 동장적층판 및 인쇄회로기판
JP6845382B1 (ja) 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板
CN111655908B (zh) 表面处理铜箔以及使用该表面处理铜箔的覆铜层叠板和印刷布线板
KR100610751B1 (ko) 전해동박의 제조방법
CN116762482A (zh) 具有低表面粗糙度及低翘曲的表面处理铜箔、包括该铜箔的铜箔基板及包括该铜箔的印刷配线板
JP2006089769A (ja) 電解銅箔の製造方法およびプリント配線板
KR20170106666A (ko) 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박과 동박 적층체

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant