JPH08237005A - 高温超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通過フィルタ - Google Patents
高温超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通過フィルタInfo
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- JPH08237005A JPH08237005A JP31697195A JP31697195A JPH08237005A JP H08237005 A JPH08237005 A JP H08237005A JP 31697195 A JP31697195 A JP 31697195A JP 31697195 A JP31697195 A JP 31697195A JP H08237005 A JPH08237005 A JP H08237005A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高温超伝導エピタキシアル薄膜とオープンスタ
ブ方式を採用したフィルタパタンを利用したマイクロ波
用高温超伝導７極低域通過フィルタを提供する。 【解決手段】単結晶基板４と、単結晶基板４の上部表面
上の一側に高温超伝導薄膜を使用したマイクロストリッ
プ線で形成され、入力用コネクタと連結され外部からマ
イクロ波信号を入力する入力端１と、入力端１と同じよ
うに、単結晶基板４表面の他側に高温超伝導体を使用し
たマイクロストリップ線で形成され、出力用コネクタと
連結されフィルタリングされた信号を外部に出力する出
力端３と、単結晶基板４の表面上の入力端１及び出力端
３の間に、両者と直ちに連結出来るよう形成された、入
力端１及び出力端３を構成する高温超伝導部材と同じ部
材で構成された、オープンスタッブ方式による７極の低
域通過フィルタを実現するフィルタパタン２とを具備す
る。
ブ方式を採用したフィルタパタンを利用したマイクロ波
用高温超伝導７極低域通過フィルタを提供する。 【解決手段】単結晶基板４と、単結晶基板４の上部表面
上の一側に高温超伝導薄膜を使用したマイクロストリッ
プ線で形成され、入力用コネクタと連結され外部からマ
イクロ波信号を入力する入力端１と、入力端１と同じよ
うに、単結晶基板４表面の他側に高温超伝導体を使用し
たマイクロストリップ線で形成され、出力用コネクタと
連結されフィルタリングされた信号を外部に出力する出
力端３と、単結晶基板４の表面上の入力端１及び出力端
３の間に、両者と直ちに連結出来るよう形成された、入
力端１及び出力端３を構成する高温超伝導部材と同じ部
材で構成された、オープンスタッブ方式による７極の低
域通過フィルタを実現するフィルタパタン２とを具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温超伝導マイク
ロ波フィルタに係り、特に、マイクロ波特性が優秀でマ
イクロ波通信システムを小型化にし性能を向上させる事
が出来る、高温超伝導エピタキシアル薄膜、マイクロス
トリップ方式の伝送線及びオープンスタブ（Ｏｐｅｎ−
ｓｔｕｂ）方式を採用したフィルタパターンを使用し
た、高温超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通
過フィルタ（Ｈｉｇｈ−Ｔｃ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｎｇ ７−ｐｏｌｅ Ｌｏｗ−ｐａｓｓ Ｆｉｌｔ
ｅｒｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ）に関するものである。
ロ波フィルタに係り、特に、マイクロ波特性が優秀でマ
イクロ波通信システムを小型化にし性能を向上させる事
が出来る、高温超伝導エピタキシアル薄膜、マイクロス
トリップ方式の伝送線及びオープンスタブ（Ｏｐｅｎ−
ｓｔｕｂ）方式を採用したフィルタパターンを使用し
た、高温超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通
過フィルタ（Ｈｉｇｈ−Ｔｃ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｎｇ ７−ｐｏｌｅ Ｌｏｗ−ｐａｓｓ Ｆｉｌｔ
ｅｒｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒ
ｏｃｅｓｓｉｎｇ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動通信、衛星通信及び衛星放送等電波
を利用する分野に於いて良質の電波サービスの要求が増
加し、大容量の高品位情報に対する欲求が多様化、高度
化の趨勢にいるため、此れに能動的に対応するがため、
マイクロ波通信システムを構成する各種核心部品の特性
向上と大きさ及び重量の縮小等が核心課題として上げら
れている。
を利用する分野に於いて良質の電波サービスの要求が増
加し、大容量の高品位情報に対する欲求が多様化、高度
化の趨勢にいるため、此れに能動的に対応するがため、
マイクロ波通信システムを構成する各種核心部品の特性
向上と大きさ及び重量の縮小等が核心課題として上げら
れている。
【０００３】従って、限定されている電波資源を効率的
に活用する為に、最も優秀なマイクロ波特性を発揮する
材料開発だけでなく、高性能、高信頼度、小型化を成す
事が出来るマイクロ波部品開発が切実な状況である。そ
れ故に、高い線質係数（Ｑ−ｆａｃｔｅｒ）を発揮する
事が出来るし、無損失及び無抵抗の特性を有する高温超
伝導体のマイクロ波応用は、通信部品の特性向上に最も
有利な物として知られている。
に活用する為に、最も優秀なマイクロ波特性を発揮する
材料開発だけでなく、高性能、高信頼度、小型化を成す
事が出来るマイクロ波部品開発が切実な状況である。そ
れ故に、高い線質係数（Ｑ−ｆａｃｔｅｒ）を発揮する
事が出来るし、無損失及び無抵抗の特性を有する高温超
伝導体のマイクロ波応用は、通信部品の特性向上に最も
有利な物として知られている。
【０００４】従って、マイクロ波特性が優れたＭｇＣ、
ＬａＡｌＯ3、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）等の単
結晶基板に、良質の高温超伝導エピタキシアル薄膜を成
長させ、成長された良質の薄膜を利用し、最適に設計さ
れたマイクロ波エレメント及び回路を具現することで、
マイクロ波部品の小型化と高性能化を成す事が期待され
ている。
ＬａＡｌＯ3、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）等の単
結晶基板に、良質の高温超伝導エピタキシアル薄膜を成
長させ、成長された良質の薄膜を利用し、最適に設計さ
れたマイクロ波エレメント及び回路を具現することで、
マイクロ波部品の小型化と高性能化を成す事が期待され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マイクロ波
通信システム用核心部品である各種マイクロ波低域通過
フィルタの設計及び製造で最も重要な点は、製造された
マイクロ波エレメントが理論値（設計値）に殆ど一致す
る損失特性（Ｓ21、Ｓ11）を発揮すべきであるというこ
とである。製作が容易で、高周波応答特性も良好なオー
プンスタブ方式を採択したマイクロ波低域通過フィルタ
は、高温超伝導ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integ
rated Circuit）を開発するために有用である。さら
に、このようなフィルタは、その性能及び大きさ等の特
性が、既存のマイクロ波低域通過フィルタに比べて優秀
であり、マイクロ波帯域の、例えばマイクロ波やミリメ
ータ波等の電波資源を利用する技術にも積極的に活用出
来る。
通信システム用核心部品である各種マイクロ波低域通過
フィルタの設計及び製造で最も重要な点は、製造された
マイクロ波エレメントが理論値（設計値）に殆ど一致す
る損失特性（Ｓ21、Ｓ11）を発揮すべきであるというこ
とである。製作が容易で、高周波応答特性も良好なオー
プンスタブ方式を採択したマイクロ波低域通過フィルタ
は、高温超伝導ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integ
rated Circuit）を開発するために有用である。さら
に、このようなフィルタは、その性能及び大きさ等の特
性が、既存のマイクロ波低域通過フィルタに比べて優秀
であり、マイクロ波帯域の、例えばマイクロ波やミリメ
ータ波等の電波資源を利用する技術にも積極的に活用出
来る。
【０００６】従って、本発明は、マイクロ波特性が優秀
な高温超伝導エピタキシアル薄膜とオープンスタブ方式
を採用したフィルタパターンを利用した、衛星通信及び
衛星放送等マイクロ波通信システムに使用出来る、高温
超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通過フィル
タを提供する事に其の目的がある。
な高温超伝導エピタキシアル薄膜とオープンスタブ方式
を採用したフィルタパターンを利用した、衛星通信及び
衛星放送等マイクロ波通信システムに使用出来る、高温
超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通過フィル
タを提供する事に其の目的がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるオープンスタブ方式の高温超伝導薄膜
に形成した７−極低域通過フィルタは、上部表面及び下
部表面を有する単結晶基板と、上記単結晶基板の上部表
面上の一側に高温超伝導薄膜を使用したマイクロストリ
ップ線で形成され、入力用コネクタと連結され外部から
マイクロ波信号を入力される入力端と、上記単結晶基板
の上部表面上の他側に、上記入力端と同一な高温超伝導
体を使用したマイクロストリップ線で形成され、出力用
コネクタと連結されフィルタリングされた信号を外部に
出力する出力端と、上記単結晶基板の上記表面上の上記
入力端及び出力端の間に、上記同一な高温超伝導体で、
上記入力端及び出力端と直ちに連結されるように形成さ
れ、上記基板の誘電率及び厚さと上記薄膜の厚さ等に応
じた所定の線幅及び長さのマイクロストリップ線で構成
され、上記入力端から入力される信号をフィルタリング
して上記出力端へ出力するフィルタパターンを含むこと
を特徴とする。
に、本発明によるオープンスタブ方式の高温超伝導薄膜
に形成した７−極低域通過フィルタは、上部表面及び下
部表面を有する単結晶基板と、上記単結晶基板の上部表
面上の一側に高温超伝導薄膜を使用したマイクロストリ
ップ線で形成され、入力用コネクタと連結され外部から
マイクロ波信号を入力される入力端と、上記単結晶基板
の上部表面上の他側に、上記入力端と同一な高温超伝導
体を使用したマイクロストリップ線で形成され、出力用
コネクタと連結されフィルタリングされた信号を外部に
出力する出力端と、上記単結晶基板の上記表面上の上記
入力端及び出力端の間に、上記同一な高温超伝導体で、
上記入力端及び出力端と直ちに連結されるように形成さ
れ、上記基板の誘電率及び厚さと上記薄膜の厚さ等に応
じた所定の線幅及び長さのマイクロストリップ線で構成
され、上記入力端から入力される信号をフィルタリング
して上記出力端へ出力するフィルタパターンを含むこと
を特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面を参照し
て、本発明の一実施形態を詳細に説明する。
て、本発明の一実施形態を詳細に説明する。
【０００９】図１は、本実施形態によるオープンスタブ
方式の高温超伝導７−極低域通過フィルタの平面図であ
る。
方式の高温超伝導７−極低域通過フィルタの平面図であ
る。
【００１０】本実施形態において、信号伝送用入力端１
は高温超伝導部材で構成されたマイクロストリップ線
（ｌｉｎｅ：５０ｏｈｍ）で製作され、本発明の核心的
特徴であるマイクロストリップ方式の高温超伝導７−極
低域通過フィルタと直に連結される。又、試験治具（ｔ
ｅｓｔ−ｊｉｇ）のハウジングに付着されたＫ−型コネ
クタピンと連結される。
は高温超伝導部材で構成されたマイクロストリップ線
（ｌｉｎｅ：５０ｏｈｍ）で製作され、本発明の核心的
特徴であるマイクロストリップ方式の高温超伝導７−極
低域通過フィルタと直に連結される。又、試験治具（ｔ
ｅｓｔ−ｊｉｇ）のハウジングに付着されたＫ−型コネ
クタピンと連結される。
【００１１】フィルタパタン２は、本発明の核心的特徴
であるマイクロストリップ方式の高温超伝導薄膜による
７極低域通過フィルタパタンであり、遮断周波数（ｃｕ
ｔ−ｏｆｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）は８ＧＨｚであり、
極数（マイクロストリップとオープンスタブ個数）は７
個である。なお、ここでは、図中の上下方向に伸びてい
る４つの部分がオープンスタッブであり、当該４つのオ
ープンスタッブにより分けられた左右方向に伸びている
部分がマイクロストリップである。
であるマイクロストリップ方式の高温超伝導薄膜による
７極低域通過フィルタパタンであり、遮断周波数（ｃｕ
ｔ−ｏｆｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）は８ＧＨｚであり、
極数（マイクロストリップとオープンスタブ個数）は７
個である。なお、ここでは、図中の上下方向に伸びてい
る４つの部分がオープンスタッブであり、当該４つのオ
ープンスタッブにより分けられた左右方向に伸びている
部分がマイクロストリップである。
【００１２】本実施形態によるフィルタは、移動通信、
衛星通信及び衛星放送を考慮した低域通過フィルタであ
るから、信号を通過させる帯域の遮断周波数（ｆｃ）は
８ＧＨｚ、リプル（ｒｉｐｐｌｅ）が殆どなく、平坦度
（ｆｌａｔｎｅｓｓ）が良好な通過帯域（ｐａｓｓ ｂ
ａｎｄ）を有する。
衛星通信及び衛星放送を考慮した低域通過フィルタであ
るから、信号を通過させる帯域の遮断周波数（ｆｃ）は
８ＧＨｚ、リプル（ｒｉｐｐｌｅ）が殆どなく、平坦度
（ｆｌａｔｎｅｓｓ）が良好な通過帯域（ｐａｓｓ ｂ
ａｎｄ）を有する。
【００１３】さらに、遮断周波数以上のストップ帯域
（ｓｔｏｐ ｂａｎｄ）をいっそう増加させ、低域通過
フィルタのスカート（ｓｋｉｒｔ）特性を向上させるこ
とで、いっそうきり立つ（ｓｔｅｅｐ）ようにする為
に、フィルタの極数（ｐｏｌｅｎｕｍｂｅｒ）を７にし
た。
（ｓｔｏｐ ｂａｎｄ）をいっそう増加させ、低域通過
フィルタのスカート（ｓｋｉｒｔ）特性を向上させるこ
とで、いっそうきり立つ（ｓｔｅｅｐ）ようにする為
に、フィルタの極数（ｐｏｌｅｎｕｍｂｅｒ）を７にし
た。
【００１４】さらに、低域通過フィルタ設計時に使用さ
れる単結晶基板であるＭｇＯ及びＬａＡｌＯ3各々の誘
電率（εｒ）及び厚さと、此の単結晶基板上で成長させ
るＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δの高温超伝導エピタキシアル薄膜
の厚さ等を考慮し、入出力端とマイクロストリップ及び
オープンスタブの線幅及び長さを決定した。
れる単結晶基板であるＭｇＯ及びＬａＡｌＯ3各々の誘
電率（εｒ）及び厚さと、此の単結晶基板上で成長させ
るＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δの高温超伝導エピタキシアル薄膜
の厚さ等を考慮し、入出力端とマイクロストリップ及び
オープンスタブの線幅及び長さを決定した。
【００１５】続いて、複数回に渡るシミュレーション
（ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ）を介して、７極低域通過フィ
ルタの最適化あるいはほぼ最適化された回路パタンを得
て、同時にマイクロ波伝送応答（ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｒｅｓｐｏｎｓｅｓ）特性
を測定した。
（ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ）を介して、７極低域通過フィ
ルタの最適化あるいはほぼ最適化された回路パタンを得
て、同時にマイクロ波伝送応答（ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｒｅｓｐｏｎｓｅｓ）特性
を測定した。
【００１６】此のような課程を経て決定、設計されたフ
ィルタパタンを基礎にし、高温超伝導マイクロ波７極低
域通過フィルタを製造出来る電子線マスク（Ｃｒがコー
ティングされたガラスマスク）を製作した。
ィルタパタンを基礎にし、高温超伝導マイクロ波７極低
域通過フィルタを製造出来る電子線マスク（Ｃｒがコー
ティングされたガラスマスク）を製作した。
【００１７】信号伝送用出力端３は、信号伝送用入力端
１と同じく、高温超伝導マイクロストリップ線（５０ｏ
ｈｍ）で製作され、低域通過フィルタパタンを形成する
マイクロストリップ線と連結され試験治具のハウジング
に付着されたＫ−型コネクタピンと連結される。
１と同じく、高温超伝導マイクロストリップ線（５０ｏ
ｈｍ）で製作され、低域通過フィルタパタンを形成する
マイクロストリップ線と連結され試験治具のハウジング
に付着されたＫ−型コネクタピンと連結される。
【００１８】本実施形態において使用したマイクロ波低
域通過フィルタ用基板４は、ＭｇＯあるいはＬａＡｌＯ
3等の単結晶基板である。
域通過フィルタ用基板４は、ＭｇＯあるいはＬａＡｌＯ
3等の単結晶基板である。
【００１９】特に、ＬａＡｌＯ3基板自体の低温マイク
ロ波特性は、ＭｇＯ基板を使用する場合より劣るが、Ｌ
ａＡｌＯ3基板上で製造した高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-δエピタキシアル薄膜の電気的特性あるいは表面特性
は、ＭｇＯ基板を使用する時よりももっと優秀なものと
して知られている。
ロ波特性は、ＭｇＯ基板を使用する場合より劣るが、Ｌ
ａＡｌＯ3基板上で製造した高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-δエピタキシアル薄膜の電気的特性あるいは表面特性
は、ＭｇＯ基板を使用する時よりももっと優秀なものと
して知られている。
【００２０】また、試験治具の内部平面と優秀な電気的
整合及び接触のため蒸着する接地平面５用Ｔｉ／Ａｇ二
重薄膜は電子線蒸着装置により均一に蒸着されるように
して、ＭｇＯあるいはＬａＡｌＯ3単結晶基板４との接
着も、いたって良好である。
整合及び接触のため蒸着する接地平面５用Ｔｉ／Ａｇ二
重薄膜は電子線蒸着装置により均一に蒸着されるように
して、ＭｇＯあるいはＬａＡｌＯ3単結晶基板４との接
着も、いたって良好である。
【００２１】さらに、上記接地平面５は、一般的にマイ
クロ波通信部品に使用する金（Ａｕ）薄膜に比べマイク
ロ波特性も優れており、製造価格も非常に安く接地平面
として最も適当である。
クロ波通信部品に使用する金（Ａｕ）薄膜に比べマイク
ロ波特性も優れており、製造価格も非常に安く接地平面
として最も適当である。
【００２２】本実施形態では、上記入出力端１、３及び
フィルタパタン２を形成する高温超伝導体は、例えば、
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系、Ｔｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｈｇ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ−Ｏ系、及びＬａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導部材
のうちのいずれかで構成されるものとする。また、上記
単結晶基板４には、上述したＭｇＯやＬａＡｌＯ3の他
に、ＳｒＴｉＯ3、ＮｄＧａＯ3、Ｙｓ2、ＬｉＮｂＯ3、
ＭｇＦ、ＧＧＧ、及びＭｇＡｌＯ3のうちいずれかで構
成するものとしても良い。
フィルタパタン２を形成する高温超伝導体は、例えば、
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系、Ｔｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｈｇ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ−Ｏ系、及びＬａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導部材
のうちのいずれかで構成されるものとする。また、上記
単結晶基板４には、上述したＭｇＯやＬａＡｌＯ3の他
に、ＳｒＴｉＯ3、ＮｄＧａＯ3、Ｙｓ2、ＬｉＮｂＯ3、
ＭｇＦ、ＧＧＧ、及びＭｇＡｌＯ3のうちいずれかで構
成するものとしても良い。
【００２３】次に、本発明の他の実施形態によるオープ
ンスタブ方式の高温超伝導７−極低域通過フィルタを、
図２に示す。
ンスタブ方式の高温超伝導７−極低域通過フィルタを、
図２に示す。
【００２４】上記図２に図示されたオープンスタブ方式
の高温超伝導７極低域通過フィルタは、図１に図示され
たオープンスタブ方式の高温超伝導７極低域通過フィル
タとその基本的構成は同じであるが、フィルタパタンの
形状がやや異なるものである。フィルタパタン以外の各
部の構成は、上記図１の場合と同じであるので、その説
明は省略する。
の高温超伝導７極低域通過フィルタは、図１に図示され
たオープンスタブ方式の高温超伝導７極低域通過フィル
タとその基本的構成は同じであるが、フィルタパタンの
形状がやや異なるものである。フィルタパタン以外の各
部の構成は、上記図１の場合と同じであるので、その説
明は省略する。
【００２５】次に、本発明による高温超伝導薄膜に形成
した７−極低域通過フィルタの製造方法の一実施形態に
ついて説明する。
した７−極低域通過フィルタの製造方法の一実施形態に
ついて説明する。
【００２６】本実施形態では、例えば上述したような平
面形状を備える、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7- δ／ＬａＡｌＯ3／
Ｔｉ／Ａｇ構造の高温超伝導低域通過フィルタの製作工
程を説明する。
面形状を備える、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7- δ／ＬａＡｌＯ3／
Ｔｉ／Ａｇ構造の高温超伝導低域通過フィルタの製作工
程を説明する。
【００２７】ここで、図３（Ａ）はＥＣＲ−ｉｏｎ ｍ
ｉｌｌｉｎｇによるＬａＡｌＯ3単結晶基板４の表面処
理工程、図３（Ｂ）はパルスレーザ蒸着法による高温超
伝導体ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δエピタキシアル薄膜６の製造
工程、図３（Ｃ）はフォトリソグラフィック工程を遂行
するためのフォトレジスト膜（ＰＲ）７を塗布する工
程、図３（Ｄ）はフォトリソグラフィック工程とＥＤＴ
Ａエッチング工程による微細形状化のためのパタニング
工程、図３（Ｅ）はアセトンと蒸溜水（ＤＩ−Ｗａｔｅ
ｒ）によるフォトレジスト膜７の除去、及び不純物洗浄
工程をそれぞれ示している。なお、図３（Ｂ）の基板４
及びエピタキシャル薄膜６の上方に示されているのは、
レーザー蒸着時に発生するプラズマのフレーム（ｐｌｕ
ｍｅ）である。
ｉｌｌｉｎｇによるＬａＡｌＯ3単結晶基板４の表面処
理工程、図３（Ｂ）はパルスレーザ蒸着法による高温超
伝導体ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δエピタキシアル薄膜６の製造
工程、図３（Ｃ）はフォトリソグラフィック工程を遂行
するためのフォトレジスト膜（ＰＲ）７を塗布する工
程、図３（Ｄ）はフォトリソグラフィック工程とＥＤＴ
Ａエッチング工程による微細形状化のためのパタニング
工程、図３（Ｅ）はアセトンと蒸溜水（ＤＩ−Ｗａｔｅ
ｒ）によるフォトレジスト膜７の除去、及び不純物洗浄
工程をそれぞれ示している。なお、図３（Ｂ）の基板４
及びエピタキシャル薄膜６の上方に示されているのは、
レーザー蒸着時に発生するプラズマのフレーム（ｐｌｕ
ｍｅ）である。
【００２８】優秀な高温超伝導マイクロ波伝送線素子を
製作するために良質のエピタキシアル薄膜が要求される
ので、本実施形態に於いては、優秀性が立証されたパル
スレーザ蒸着法を利用して、単結晶基板４の上部表面に
高温超伝導エピタキシアル薄膜６を製造する。
製作するために良質のエピタキシアル薄膜が要求される
ので、本実施形態に於いては、優秀性が立証されたパル
スレーザ蒸着法を利用して、単結晶基板４の上部表面に
高温超伝導エピタキシアル薄膜６を製造する。
【００２９】また、本実施形態においては、上記高温超
伝導エピタキシアル薄膜６を、７５０℃程度の温度を有
する単結晶基板４上に、ＸｅＣｌエクサイマーレーザ
（波長：３０８ｍｍ）等を使用して、２００ｍＴｏｒｒ
の酸素分圧状態の蒸着チャンバ内で成長させる。上記単
結晶基板４には、マイクロ波特性も良好であるし、良質
の高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δエピタキシアル薄膜６
製造に優秀な、ＭｇＯ又はＬａＡｌＯ3基板を使用す
る。エピタキシャル薄膜６を成長させた後に５５０℃の
温度で１時間程度、酸素を流しながら熱処理した。
伝導エピタキシアル薄膜６を、７５０℃程度の温度を有
する単結晶基板４上に、ＸｅＣｌエクサイマーレーザ
（波長：３０８ｍｍ）等を使用して、２００ｍＴｏｒｒ
の酸素分圧状態の蒸着チャンバ内で成長させる。上記単
結晶基板４には、マイクロ波特性も良好であるし、良質
の高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δエピタキシアル薄膜６
製造に優秀な、ＭｇＯ又はＬａＡｌＯ3基板を使用す
る。エピタキシャル薄膜６を成長させた後に５５０℃の
温度で１時間程度、酸素を流しながら熱処理した。
【００３０】上記で良質のエピタキシアル薄膜６を製造
し、設計されたフィルタパタンが転写されている電子線
マスクを準備した後、フォトリソグラフィック工程とエ
ッチング工程を通じて信号伝送線入力端１及び出力端３
と低域通過フィルタパタン２とで成る高温超伝導マイク
ロ波低域通過フィルタ（図１又は図２参照）を、ＭｇＯ
又はＬａＡｌＯ3単結晶基板４上に具現した。なお、本
実施形態において、入力端１、出力端２及びフィルタパ
タン２は、単一の上記電子線マスクにより、１体的に形
成されるものである。
し、設計されたフィルタパタンが転写されている電子線
マスクを準備した後、フォトリソグラフィック工程とエ
ッチング工程を通じて信号伝送線入力端１及び出力端３
と低域通過フィルタパタン２とで成る高温超伝導マイク
ロ波低域通過フィルタ（図１又は図２参照）を、ＭｇＯ
又はＬａＡｌＯ3単結晶基板４上に具現した。なお、本
実施形態において、入力端１、出力端２及びフィルタパ
タン２は、単一の上記電子線マスクにより、１体的に形
成されるものである。
【００３１】上述した工程を、さらに詳細に説明する。
【００３２】先に、高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δエピ
タキシアル薄膜６を、ＭｇＯ又はＬａＡｌＯ3単結晶基
板４上でレーザ蒸着法により成長させる。
タキシアル薄膜６を、ＭｇＯ又はＬａＡｌＯ3単結晶基
板４上でレーザ蒸着法により成長させる。
【００３３】次は、マイクロ波低域通過フィルタ設計及
び解析理論とシミュレーションプログラム（ＥＥｓｏｆ
社製の「Ｔｏｕｃｈｓｔｏｎｅ」あるいはヒューレット
パッカード社製の「ＭＤＳ−ＥＥｓｏｆ」）で得たパタ
ン（図１あるいは図２の平面図）が転写されている電子
線マスクと、半導体素子製造時に使用するフォトリソグ
ラフィック工程及びウェットエッチング工程とを応用
し、７極低域通過フィルタパタンをＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ
エピタキシアル薄膜６上でパターニング（ｐａｔｔｅｒ
ｎｉｎｇ）する。
び解析理論とシミュレーションプログラム（ＥＥｓｏｆ
社製の「Ｔｏｕｃｈｓｔｏｎｅ」あるいはヒューレット
パッカード社製の「ＭＤＳ−ＥＥｓｏｆ」）で得たパタ
ン（図１あるいは図２の平面図）が転写されている電子
線マスクと、半導体素子製造時に使用するフォトリソグ
ラフィック工程及びウェットエッチング工程とを応用
し、７極低域通過フィルタパタンをＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ
エピタキシアル薄膜６上でパターニング（ｐａｔｔｅｒ
ｎｉｎｇ）する。
【００３４】即ち、実験室用小型のスピンコータ（ｓｐ
ｉｎ ｃｏａｔｅｒ）のヘッド（チャック）に、ＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δエピタキシアル薄膜６を成長させた単結晶
基板４を置いて、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉ
ｓｉｌａｚｅｎ）を塗布しスピニング（ｓｐｉｎｎｉｎ
ｇ）して、エピタキシアル薄膜６の表面をきれいにした
後、フォトレジスタ膜７を４０００ｒｐｍの回転速度で
３０秒間スピニングして均一に塗布する。
ｉｎ ｃｏａｔｅｒ）のヘッド（チャック）に、ＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δエピタキシアル薄膜６を成長させた単結晶
基板４を置いて、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉ
ｓｉｌａｚｅｎ）を塗布しスピニング（ｓｐｉｎｎｉｎ
ｇ）して、エピタキシアル薄膜６の表面をきれいにした
後、フォトレジスタ膜７を４０００ｒｐｍの回転速度で
３０秒間スピニングして均一に塗布する。
【００３５】又、ソフトベーキング（ｓｏｆｔ ｂａｋ
ｉｎｇ；８５℃、５分間）工程を通じてＰＲ膜７を硬化
させた後、ＰＲ膜７を塗布した試料を、実験室用接点整
列試験器（ｃｏｎｔａｃｔ ａｌｉｇｎｅｒ）上に置
き、高温超伝導エピタキシアル薄膜６とマスクとを整列
させた後、１０Ｗ用ＵＶソース（ｓｏｕｒｃｅ）に５分
間露光させる。
ｉｎｇ；８５℃、５分間）工程を通じてＰＲ膜７を硬化
させた後、ＰＲ膜７を塗布した試料を、実験室用接点整
列試験器（ｃｏｎｔａｃｔ ａｌｉｇｎｅｒ）上に置
き、高温超伝導エピタキシアル薄膜６とマスクとを整列
させた後、１０Ｗ用ＵＶソース（ｓｏｕｒｃｅ）に５分
間露光させる。
【００３６】露光された試料をＡＺ−３５１現像液（ｄ
ｅｖｅｌｏｐｅｒ）で１０〜３０秒程度処理し、感光さ
れたＰＲ膜７を除去した後、蒸留水で素子表面を洗浄す
る。
ｅｖｅｌｏｐｅｒ）で１０〜３０秒程度処理し、感光さ
れたＰＲ膜７を除去した後、蒸留水で素子表面を洗浄す
る。
【００３７】此の時、ウェットエッチング（ｗｅｔ ｅ
ｔｃｈｉｎｇ）を使用する場合にはＥＤＴＡ（酢酸類）
でエッチングし（化学エッチング）、ドライエッチング
（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）を使用する場合にはＥＣＲ
−ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ装置で、エッチングを行なう
（物理エッチング）。
ｔｃｈｉｎｇ）を使用する場合にはＥＤＴＡ（酢酸類）
でエッチングし（化学エッチング）、ドライエッチング
（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）を使用する場合にはＥＣＲ
−ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ装置で、エッチングを行なう
（物理エッチング）。
【００３８】例えば、ドライエッチングを行う場合に
は、上記 ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）−ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ装
置として、２．５ＧＨｚ／５００Ｗマイクロ波生成用ソ
ース（ｓｏｕｒｃｅ）、四角形ホーン（ｈｏｒｎ）形の
キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）、ＥＣＲプラズマ源（ｐｌ
ａｓｍａ ｓｏｕｒｃｅ）、及び、８００Ｇａｕｓｓ用
電磁石等により構成される装置を用い、生成された酸素
又はアルゴンイオンを加速させ、エピタキシアル薄膜の
表面をミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）することで、単結晶
基板表面の平坦度（ｆｌａｔｎｅｓｓ）が向上され、側
面が鋭利な回路パターンを得られる。
は、上記 ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）−ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ装
置として、２．５ＧＨｚ／５００Ｗマイクロ波生成用ソ
ース（ｓｏｕｒｃｅ）、四角形ホーン（ｈｏｒｎ）形の
キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）、ＥＣＲプラズマ源（ｐｌ
ａｓｍａ ｓｏｕｒｃｅ）、及び、８００Ｇａｕｓｓ用
電磁石等により構成される装置を用い、生成された酸素
又はアルゴンイオンを加速させ、エピタキシアル薄膜の
表面をミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）することで、単結晶
基板表面の平坦度（ｆｌａｔｎｅｓｓ）が向上され、側
面が鋭利な回路パターンを得られる。
【００３９】エッチングが完了したらフィルタパタンの
鋭利度を高め、感光がされていないＰＲ膜７又は其の他
不純物等を除去するため、蒸留水（ＤＩ−Ｗａｔｅｒ）
とアセトンにより素子を洗浄した後、ハードベーキング
（ｈａｒｄ ｂａｋｉｎｇ）工程を５分程度行ない、高
温超伝導低域通過フィルタのパターニング工程を終了す
る。
鋭利度を高め、感光がされていないＰＲ膜７又は其の他
不純物等を除去するため、蒸留水（ＤＩ−Ｗａｔｅｒ）
とアセトンにより素子を洗浄した後、ハードベーキング
（ｈａｒｄ ｂａｋｉｎｇ）工程を５分程度行ない、高
温超伝導低域通過フィルタのパターニング工程を終了す
る。
【００４０】次に、接地平面５（上記図１あるいは図２
参照）を製造するため、パタンされた高温超伝導フィル
タパタン６の反対側、即ち、単結晶基板４の背面に、電
子蒸着法を使用して、１０~ 2Ｔｏｒｒ程度の真空度と
５００℃程度の温度を有する真空チャンバ内で、Ｔｉ／
Ａｇ二重薄膜で蒸着する。
参照）を製造するため、パタンされた高温超伝導フィル
タパタン６の反対側、即ち、単結晶基板４の背面に、電
子蒸着法を使用して、１０~ 2Ｔｏｒｒ程度の真空度と
５００℃程度の温度を有する真空チャンバ内で、Ｔｉ／
Ａｇ二重薄膜で蒸着する。
【００４１】Ｔｉ／Ａｇ二重構造は、ＭｇＯ又はＬａＡ
ｌＯ3単結晶基板４と接着が大体良好であり、たやすく
接着出来るだけでなく、高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ
エピタキシアル薄膜６にも殆ど影響が及ばなかった。
ｌＯ3単結晶基板４と接着が大体良好であり、たやすく
接着出来るだけでなく、高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ
エピタキシアル薄膜６にも殆ど影響が及ばなかった。
【００４２】特に、薄膜蒸着時に、接着剤に銀ペースト
（Ａｇ−ｐａｓｔｅ）を主として使用するため、接地平
面５の蒸着時に銀薄膜を使用したら、他物質の汚染を最
大に防止出来るという点も備えている。又、銀薄膜はマ
イクロ波特性だけでなく電気伝導性も非常に優秀であ
り、パッケージで構成する場合、試験治具（ｔｅｓｔ−
ｊｉｇ）内部平面との優秀な接触と整合を成す事にも有
利である。
（Ａｇ−ｐａｓｔｅ）を主として使用するため、接地平
面５の蒸着時に銀薄膜を使用したら、他物質の汚染を最
大に防止出来るという点も備えている。又、銀薄膜はマ
イクロ波特性だけでなく電気伝導性も非常に優秀であ
り、パッケージで構成する場合、試験治具（ｔｅｓｔ−
ｊｉｇ）内部平面との優秀な接触と整合を成す事にも有
利である。
【００４３】以上の工程を経て８ＧＨｚ用オープンスタ
ブ方式の高温超伝導７極低域通過フィルタが完成され
る。
ブ方式の高温超伝導７極低域通過フィルタが完成され
る。
【００４４】上記製作された８ＧＨｚ用高温超伝導７極
低域通過フィルタの低温マイクロ波特性は、マイクロ波
特性が優秀なＫ−形コネクタ（２．９ｍｍφ、４０ＧＨ
ｚ、Ｗｉｌｔｓｏｎ社製品）を中間成分であるハウジン
グに付着した後３成分試験治具（ｔｅｓｔ−ｊｉｇ）で
測定された。
低域通過フィルタの低温マイクロ波特性は、マイクロ波
特性が優秀なＫ−形コネクタ（２．９ｍｍφ、４０ＧＨ
ｚ、Ｗｉｌｔｓｏｎ社製品）を中間成分であるハウジン
グに付着した後３成分試験治具（ｔｅｓｔ−ｊｉｇ）で
測定された。
【００４５】本実施形態によるマイクロ波用高温超伝導
７極低域通過フィルタは、良質の高温超伝導薄膜を利用
したオープンスタブ方式の伝送線素子であるから、製作
はＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖ
ｅ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）よりも簡
単であるばかりでなく、高温超伝導体の無損失、無抵抗
特性を利用するため、優秀な性能及び信頼度を有するマ
イクロ波核心素子である。
７極低域通過フィルタは、良質の高温超伝導薄膜を利用
したオープンスタブ方式の伝送線素子であるから、製作
はＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖ
ｅ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）よりも簡
単であるばかりでなく、高温超伝導体の無損失、無抵抗
特性を利用するため、優秀な性能及び信頼度を有するマ
イクロ波核心素子である。
【００４６】さらに、本実施形態によるマイクロ波用高
温超伝導７極低域通過フィルタは、従来の３次及び５次
の低域通過フィルタよりもパタンの大きさは少し大きい
けれど、先にコンピュータシミュレーションして得られ
た結果と一致した。
温超伝導７極低域通過フィルタは、従来の３次及び５次
の低域通過フィルタよりもパタンの大きさは少し大きい
けれど、先にコンピュータシミュレーションして得られ
た結果と一致した。
【００４７】特に、入力信号の通過帯域（ｐａｓｓ ｂ
ａｎｄ）両端の、阻止帯域（ｓｔｏｐ ｂａｎｄ）が多
く増加するだけでなく、スカート（ｓｋｉｒｔ）特性が
一層優秀であり、通過帯域の挿入損失は０．５ｄＢ以下
で非常に小さく、リップルも殆ど発生されない、平坦な
通過帯域を有する、優秀な７極低域通過フィルタである
事を現わした。
ａｎｄ）両端の、阻止帯域（ｓｔｏｐ ｂａｎｄ）が多
く増加するだけでなく、スカート（ｓｋｉｒｔ）特性が
一層優秀であり、通過帯域の挿入損失は０．５ｄＢ以下
で非常に小さく、リップルも殆ど発生されない、平坦な
通過帯域を有する、優秀な７極低域通過フィルタである
事を現わした。
【００４８】さらに、本実施形態を利用すれば、電波資
源の利用技術に関連されるマイクロ波通信システムのサ
ブシステム（部品）の小型化に寄与出来るし、情報通信
システムの性能を向上させる事が出来る、という効果を
得る事が出来る。
源の利用技術に関連されるマイクロ波通信システムのサ
ブシステム（部品）の小型化に寄与出来るし、情報通信
システムの性能を向上させる事が出来る、という効果を
得る事が出来る。
【００４９】一方、高温超伝導エピタキシアル薄膜を使
用したため、軽薄短小であり高性能を備えた通信部品を
製作出来るし、次世代マイクロ波通信及び放送用（３〜
３３ＧＨｚ）に所要される新技能、新構造の色々多くの
マイクロ波素子及び回路の創出研究にも大きい効果を得
ることが出来る。
用したため、軽薄短小であり高性能を備えた通信部品を
製作出来るし、次世代マイクロ波通信及び放送用（３〜
３３ＧＨｚ）に所要される新技能、新構造の色々多くの
マイクロ波素子及び回路の創出研究にも大きい効果を得
ることが出来る。
【００５０】同時に、急増する電波サービスの需要に能
動的に対処出来る優秀なマイクロ波通信システムの開発
も期待出来る。
動的に対処出来る優秀なマイクロ波通信システムの開発
も期待出来る。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波特性が優秀
な高温超伝導エピタキシアル薄膜とオープンスタブ方式
を採用したフィルタパターンを利用した、衛星通信及び
衛星放送等マイクロ波通信システムに使用出来る、高温
超伝導薄膜により形成したマイクロ波７−極低域通過フ
ィルタを提供することができる。
な高温超伝導エピタキシアル薄膜とオープンスタブ方式
を採用したフィルタパターンを利用した、衛星通信及び
衛星放送等マイクロ波通信システムに使用出来る、高温
超伝導薄膜により形成したマイクロ波７−極低域通過フ
ィルタを提供することができる。
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態例によるオープンスタブ方
式の高温超伝導７極低域通過フィルタの平面図。
式の高温超伝導７極低域通過フィルタの平面図。
【図２】本発明の他の実施形態例によるオープンスタブ
方式の高温超伝導７極低域通過フィルタの平面図。
方式の高温超伝導７極低域通過フィルタの平面図。
【図３】図３（Ａ）：本発明による製造工程の一実施形
態におけるフィルタの断面図。 図３（Ｂ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。 図３（Ｃ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。 図３（Ｄ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。 図３（Ｅ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。
態におけるフィルタの断面図。 図３（Ｂ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。 図３（Ｃ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。 図３（Ｄ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。 図３（Ｅ）：本発明による製造工程の一実施形態におけ
るフィルタの断面図。
１ 信号伝送用入力端 ２ オープンスタブ方式の７極低減通過フィルタパタ
ン ３ 信号伝送用出力端 ４ 単結晶基板 ５ 接地平面用薄膜
ン ３ 信号伝送用出力端 ４ 単結晶基板 ５ 接地平面用薄膜
Claims (6)
- 【請求項１】上部表面及び下部表面を有する単結晶基板
と、 上記単結晶基板の上部表面上の一側に、高温超伝導薄膜
を使用したマイクロストリップ線で形成され、入力用コ
ネクタと連結され、外部からマイクロ波信号の入力を受
ける入力端と、 上記単結晶基板の上部表面上の他側に、上記入力端と同
一な高温超伝導体を使用したマイクロストリップ線で形
成され、出力用コネクタと連結され、フィルタリングさ
れた信号を外部に出力する出力端と、 上記単結晶基板の上記表面上の上記入力端及び出力端の
間に、上記同一な高温超伝導体で、上記入力端及び出力
端と直ちに連結されるように形成され、上記単結晶基板
の誘電率及び厚さと上記高温超伝導薄膜の厚さに応じ
た、所定の線幅及び長さのマイクロストリップ線により
構成され、上記入力端から入力される信号をフィルタリ
ングして上記出力端へ出力するフィルタパタンとを具備
することを特徴とする高温超伝導薄膜に形成したマイク
ロ波７−極低域通過フィルタ。 - 【請求項２】請求項１に於いて、 上記フィルタパタンは、オープンスタブ方式による低域
通過フィルタを構成するもので、４個のオープンスタッ
ブを有することを特徴とする高温超伝導薄膜に形成した
マイクロ波７−極低域通過フィルタ。 - 【請求項３】請求項１に於いて、 上記単結晶基板の下部表面に形成される、試験治具との
電気的整合及び接触のための接地平面用薄膜をさらに有
することを特徴とする高温超伝導薄膜に形成したマイク
ロ波７−極低域通過フィルタ。 - 【請求項４】請求項３に於いて、 上記接地平面用薄膜が、Ａｇ／Ｔｉで形成されたことを
特徴とする高温超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極
低域通過フィルタ。 - 【請求項５】請求項１に於いて、 上記高温超伝導体が、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系、Ｈｇ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、及びＬａ−Ｃｕ−
Ｏ系で構成されることを特徴とする高温超伝導薄膜に形
成したマイクロ波７−極低域通過フィルタ。 - 【請求項６】請求項１に於いて、 上記単結晶基板が、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＯ、ＬａＡｌ
Ｏ3、ＮｄＧａＯ3、Ｙｓ2、ＬｉＮｂＯ3、ＭｇＦ、ＧＧ
Ｇ、及びＭｇＡｌＯ3で構成されたグループから選択さ
れた一種で形成される事を特徴とする高温超伝導薄膜に
形成したマイクロ波７−極低域通過フィルタ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035156A KR960026995A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터의 제조방법 |
| KR94-35156 | 1994-12-19 | ||
| KR1019940035157A KR960026996A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터의 제조방법 |
| KR94-35157 | 1994-12-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08237005A true JPH08237005A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=26630778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31697195A Withdrawn JPH08237005A (ja) | 1994-12-19 | 1995-12-05 | 高温超伝導薄膜に形成したマイクロ波７−極低域通過フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08237005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1172880A1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-01-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pass filter |
| JP2008131342A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Yokogawa Electric Corp | 高周波フィルタ |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31697195A patent/JPH08237005A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1172880A1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-01-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pass filter |
| EP1172880A4 (en) * | 2000-01-31 | 2006-05-03 | Mitsubishi Electric Corp | LOW PASS |
| JP2008131342A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Yokogawa Electric Corp | 高周波フィルタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |