JPH08236030A - 負イオン源 - Google Patents
負イオン源Info
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- JPH08236030A JPH08236030A JP3845395A JP3845395A JPH08236030A JP H08236030 A JPH08236030 A JP H08236030A JP 3845395 A JP3845395 A JP 3845395A JP 3845395 A JP3845395 A JP 3845395A JP H08236030 A JPH08236030 A JP H08236030A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、負イオンの生成効率が高く、メイ
ンテナンスが容易な負イオン源の提供をする。 【構成】 アーク放電源１で発生した励起ガスビーム
（ヘリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，準安定励起
状態のヘリウムＨｅ* ）をスキマー２ａを通過させて余
分なガスを除去した後、偏向電極３及びスキマー２ｂに
よってイオン種であるヘリウム正イオンＨｅ+ を除去す
る。これにより、スキマー２ｂを通過したビームは準安
定励起状態のヘリウムＨｅ* とヘリウムＨｅのみを含む
ビームとなる。一方、フィラメント４ａから放出された
電子ｅは、ビームの進行路周囲に複数形成された永久磁
石５によって形成されるカプス磁場によってその中心付
近に向かう力を受け、ビームの進行路付近に集められ
る。これにより、スキマー２ｂを通過したヘリウムＨｅ
* は、高密度状態となった電子と衝突するため、電子が
付着する確率が高まり、負イオンの生成効率が高まる。
ンテナンスが容易な負イオン源の提供をする。 【構成】 アーク放電源１で発生した励起ガスビーム
（ヘリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，準安定励起
状態のヘリウムＨｅ* ）をスキマー２ａを通過させて余
分なガスを除去した後、偏向電極３及びスキマー２ｂに
よってイオン種であるヘリウム正イオンＨｅ+ を除去す
る。これにより、スキマー２ｂを通過したビームは準安
定励起状態のヘリウムＨｅ* とヘリウムＨｅのみを含む
ビームとなる。一方、フィラメント４ａから放出された
電子ｅは、ビームの進行路周囲に複数形成された永久磁
石５によって形成されるカプス磁場によってその中心付
近に向かう力を受け、ビームの進行路付近に集められ
る。これにより、スキマー２ｂを通過したヘリウムＨｅ
* は、高密度状態となった電子と衝突するため、電子が
付着する確率が高まり、負イオンの生成効率が高まる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、タンデム型静
電加速器に入射させる負イオンビームの発生源として用
いられる負イオン源に関する。
電加速器に入射させる負イオンビームの発生源として用
いられる負イオン源に関する。
【０００２】
【従来技術】２〜３ＭｅＶ程度の正インビームを比較的
小型な装置で得る場合、一般にタンデム型静電加速器が
用いられることが多いが、かかる加速器では、その前段
において負イオン（希ガス：Ｈｅ- 等）ビームを発生す
る必要がある。
小型な装置で得る場合、一般にタンデム型静電加速器が
用いられることが多いが、かかる加速器では、その前段
において負イオン（希ガス：Ｈｅ- 等）ビームを発生す
る必要がある。
【０００３】ここで、希ガス、特にＨｅにおいては、そ
の基底状態では電子が付着しないため、従来、ヘリウム
負イオンＨｅ- は、まず、アーク放電等の適当な方法で
ヘリウム正イオンＨｅ+ を生成し、これを１０KeV 程度
に加速して、その正イオンビームをアルカリ金属蒸気が
存在するセル内を通過させ、荷電変換つまりアルカリ金
属原子（Ａ）から電子移動を行うことによって生成され
ていた。
の基底状態では電子が付着しないため、従来、ヘリウム
負イオンＨｅ- は、まず、アーク放電等の適当な方法で
ヘリウム正イオンＨｅ+ を生成し、これを１０KeV 程度
に加速して、その正イオンビームをアルカリ金属蒸気が
存在するセル内を通過させ、荷電変換つまりアルカリ金
属原子（Ａ）から電子移動を行うことによって生成され
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルカ
リ金属からの電子移動は、 （１）Ｈｅ+ ＋Ａ→Ｈｅ* （２3S; 準安定状態） （２）Ｈｅ* ＋Ａ→Ｈｅ- （２4P; ） という２段階の過程を経るため、かかる従来の負イオン
源ではヘリウム正イオンＨｅ+ からヘリウム負イオンＨ
ｅ- への変換効率は高々１％程度にすぎない。また、荷
電変換にアルカリ金属を利用することから、その取り扱
いが難しい点、さらには、アルカリ金属蒸気による周囲
の汚染が激しいため、装置のメインテナンスを十分に行
う必要が生じるなどの問題もある。
リ金属からの電子移動は、 （１）Ｈｅ+ ＋Ａ→Ｈｅ* （２3S; 準安定状態） （２）Ｈｅ* ＋Ａ→Ｈｅ- （２4P; ） という２段階の過程を経るため、かかる従来の負イオン
源ではヘリウム正イオンＨｅ+ からヘリウム負イオンＨ
ｅ- への変換効率は高々１％程度にすぎない。また、荷
電変換にアルカリ金属を利用することから、その取り扱
いが難しい点、さらには、アルカリ金属蒸気による周囲
の汚染が激しいため、装置のメインテナンスを十分に行
う必要が生じるなどの問題もある。
【０００５】本発明は、かかる問題を解決するために創
案されたもので、負イオンの生成効率が高く、メインテ
ナンスが容易な負イオン源の提供を目的とする。
案されたもので、負イオンの生成効率が高く、メインテ
ナンスが容易な負イオン源の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にかかる負イオン源は、励起ガスビームを射
出するガスビーム発生源と、その射出口に対して所定の
距離を隔てた位置に配置されるスキマーを備えた真空室
と、この真空室に対して前記スキマーを通じて差動排気
される排気室によって構成され、この排気室に、前記ス
キマーを通過した励起ガスビーム中に含まれるイオン種
を当該ビームの進行路から偏向するための偏向手段と、
前記イオン種が除かれた後のビームの進行路の周囲にカ
プス磁場を発生する磁場発生手段と、前記カプス磁場に
電子を供給する電子供給手段と、を配設したことを特徴
とする。
に、本発明にかかる負イオン源は、励起ガスビームを射
出するガスビーム発生源と、その射出口に対して所定の
距離を隔てた位置に配置されるスキマーを備えた真空室
と、この真空室に対して前記スキマーを通じて差動排気
される排気室によって構成され、この排気室に、前記ス
キマーを通過した励起ガスビーム中に含まれるイオン種
を当該ビームの進行路から偏向するための偏向手段と、
前記イオン種が除かれた後のビームの進行路の周囲にカ
プス磁場を発生する磁場発生手段と、前記カプス磁場に
電子を供給する電子供給手段と、を配設したことを特徴
とする。
【０００７】ここで、前記磁場発生手段は、イオン種が
除かれた後のビームの進行路を中心として、その略円周
位置にその磁極が交互に逆になるよう配設された複数の
磁石によって構成される。そして、前記複数の磁石を永
久磁石とし、これらを円筒状に形成された排気室の内壁
に配設することで、ビーム進行路の周囲にカプス磁場が
発生する。
除かれた後のビームの進行路を中心として、その略円周
位置にその磁極が交互に逆になるよう配設された複数の
磁石によって構成される。そして、前記複数の磁石を永
久磁石とし、これらを円筒状に形成された排気室の内壁
に配設することで、ビーム進行路の周囲にカプス磁場が
発生する。
【０００８】また、前記電子供給手段は、フィラメント
と、これに負電圧を印加する電圧源とによって構成さ
れ、この電圧源によってフィラメントに印加する負電圧
は、１ｅＶ以下とすればよい。
と、これに負電圧を印加する電圧源とによって構成さ
れ、この電圧源によってフィラメントに印加する負電圧
は、１ｅＶ以下とすればよい。
【０００９】
【作用】本発明にかかる負イオン源の作用を図１に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】まず、アーク放電源１で発生した励起ガス
ビーム（ヘリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，準安
定励起状態のヘリウムＨｅ* ）をスキマー２ａを通過さ
せて余分なガスを除去した後、偏向電極３及びスキマー
２ｂによってイオン種であるヘリウム正イオンＨｅ+ を
除去する。これにより、スキマー２ｂを通過したビーム
は準安定励起状態のヘリウムＨｅ* とヘリウムＨｅのみ
を含むビームとなる。一方、フィラメント４ａから放出
された電子ｅは、ビームの進行路周囲に複数配設された
複数の永久磁石５ａ（磁場発生手段５）によって形成さ
れる多重カプス磁場により、その中心付近に向かう力を
受け、ビームの進行路付近に集められる。これにより、
スキマー２ｂを通過したヘリウムＨｅ* は、高密度状態
となった電子と衝突するため、電子が付着する確率が高
まり、負イオンの生成効率が高まる。
ビーム（ヘリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，準安
定励起状態のヘリウムＨｅ* ）をスキマー２ａを通過さ
せて余分なガスを除去した後、偏向電極３及びスキマー
２ｂによってイオン種であるヘリウム正イオンＨｅ+ を
除去する。これにより、スキマー２ｂを通過したビーム
は準安定励起状態のヘリウムＨｅ* とヘリウムＨｅのみ
を含むビームとなる。一方、フィラメント４ａから放出
された電子ｅは、ビームの進行路周囲に複数配設された
複数の永久磁石５ａ（磁場発生手段５）によって形成さ
れる多重カプス磁場により、その中心付近に向かう力を
受け、ビームの進行路付近に集められる。これにより、
スキマー２ｂを通過したヘリウムＨｅ* は、高密度状態
となった電子と衝突するため、電子が付着する確率が高
まり、負イオンの生成効率が高まる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図４に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１に全体概略図が示される負イオン源
は、大きく４つの排気室Ｃ１〜Ｃ４から構成されてお
り、これらの各排気室Ｃ１〜Ｃ４は上流側から順次差動
排気されている。
は、大きく４つの排気室Ｃ１〜Ｃ４から構成されてお
り、これらの各排気室Ｃ１〜Ｃ４は上流側から順次差動
排気されている。
【００１３】第１の排気室Ｃ１（特許請求の範囲の真空
室に相当）に配置されたアーク放電源１には、１気圧程
度に設定されたヘリウムＨｅが封入されており、放電作
用によってへリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，及
び準安定励起状態のヘリウムＨｅ* からなる励起ガスビ
ームを発生する。なお、アーク放電源１の射出口１ａを
１mm程度にすれば、射出する励起ガスの並進エネルギー
は５ｅＶ程度になり拡がりの小さい指向性の良いビーム
が比較的多く得られる。
室に相当）に配置されたアーク放電源１には、１気圧程
度に設定されたヘリウムＨｅが封入されており、放電作
用によってへリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，及
び準安定励起状態のヘリウムＨｅ* からなる励起ガスビ
ームを発生する。なお、アーク放電源１の射出口１ａを
１mm程度にすれば、射出する励起ガスの並進エネルギー
は５ｅＶ程度になり拡がりの小さい指向性の良いビーム
が比較的多く得られる。
【００１４】アーク放電源１の射出口１ａ近傍にはスキ
マー２ａが配設されており、図２に示されるように、ス
キマー２ａによって、アーク放電源１から射出した指向
性の良いビームのみが取り出され、不要なビームが排除
される。このため、このスキマー２ａは、次段以降の排
気室Ｃ２〜Ｃ４の排気負担が軽減されるとともに、生成
した準安定励起状態のヘリウムＨｅ* が残留ガスとの衝
突によって脱励起されることを防ぐ効果をもたらす。
マー２ａが配設されており、図２に示されるように、ス
キマー２ａによって、アーク放電源１から射出した指向
性の良いビームのみが取り出され、不要なビームが排除
される。このため、このスキマー２ａは、次段以降の排
気室Ｃ２〜Ｃ４の排気負担が軽減されるとともに、生成
した準安定励起状態のヘリウムＨｅ* が残留ガスとの衝
突によって脱励起されることを防ぐ効果をもたらす。
【００１５】スキマー２ａを通過した励起ガスビーム
は、次に偏向電極３によってイオン種であるヘリウム正
イオンＨｅ+ の軌道が曲げられるため、電気的極性を持
たないヘリウムＨｅと準安定励起状態のヘリウムＨｅ*
のみが直進してスキマー２ｂを通過する。
は、次に偏向電極３によってイオン種であるヘリウム正
イオンＨｅ+ の軌道が曲げられるため、電気的極性を持
たないヘリウムＨｅと準安定励起状態のヘリウムＨｅ*
のみが直進してスキマー２ｂを通過する。
【００１６】第３の排気室Ｃ３には、ヘリウムＨｅとヘ
リウムＨｅ* のみを含むビームの進行路の周囲にカプス
磁場を発生するための磁場発生手段５と、このカプス磁
場内に電子を供給する電子供給手段４とが配設されてい
る。
リウムＨｅ* のみを含むビームの進行路の周囲にカプス
磁場を発生するための磁場発生手段５と、このカプス磁
場内に電子を供給する電子供給手段４とが配設されてい
る。
【００１７】図３は図１に示される負イオン源のＡ−Ａ
断面図であり、図３の上半分であるａ部は永久磁石５ａ
から生じる磁力線の状態を、また図３の下半分であるｂ
部は、この磁力線によって形成される等磁界線図を示す
ものである。この磁場発生手段５は、ビーム進行路の略
円周位置にその磁極が交互に逆になるよう略等間隔で配
設された複数の永久磁石５ａによって構成されている。
各永久磁石５ａから生じる多数の磁力線は、同図ａ部に
示されるように両隣りに配設された磁極が逆の永久磁石
に向うため、これらの磁力線の形は相隣り合う各永久磁
石間で略同一の形をなす放物線となる。
断面図であり、図３の上半分であるａ部は永久磁石５ａ
から生じる磁力線の状態を、また図３の下半分であるｂ
部は、この磁力線によって形成される等磁界線図を示す
ものである。この磁場発生手段５は、ビーム進行路の略
円周位置にその磁極が交互に逆になるよう略等間隔で配
設された複数の永久磁石５ａによって構成されている。
各永久磁石５ａから生じる多数の磁力線は、同図ａ部に
示されるように両隣りに配設された磁極が逆の永久磁石
に向うため、これらの磁力線の形は相隣り合う各永久磁
石間で略同一の形をなす放物線となる。
【００１８】このため、同図ｂ部に示されるように各永
久磁石間毎に形成される多数の磁力線によって、ビーム
進行路を中心とした同心円状に１０Ｇ（グラディアン
ト），３０Ｇ，１００Ｇ，３００Ｇ，１ｋＧといった等
磁場かなる多段のカプス磁場が形成される。なお、かか
る永久磁石５ａは第３の排気室Ｃ３を円筒状に形成し、
その内壁に配設するようにすれば構成が簡単となる。ま
た、永久磁石に代えて電磁石を用いることも可能であ
る。
久磁石間毎に形成される多数の磁力線によって、ビーム
進行路を中心とした同心円状に１０Ｇ（グラディアン
ト），３０Ｇ，１００Ｇ，３００Ｇ，１ｋＧといった等
磁場かなる多段のカプス磁場が形成される。なお、かか
る永久磁石５ａは第３の排気室Ｃ３を円筒状に形成し、
その内壁に配設するようにすれば構成が簡単となる。ま
た、永久磁石に代えて電磁石を用いることも可能であ
る。
【００１９】図１において、電子供給手段４は、永久磁
石５ａの近傍に配設されたフィラメント４ａと、これに
所定の負電圧を印加する電圧源４ｂとから構成され、電
圧源４ｂのプラス側を零電位であるスキマー２ｂに接続
することで、マイナス側に接続されたフィラメント４ａ
は所定の負電位に保持され、適当な電流を流しておくこ
とにより、フィラメント４ａから電子が発生すると共
に、発生した電子は所定のエネルギーに制御される。
石５ａの近傍に配設されたフィラメント４ａと、これに
所定の負電圧を印加する電圧源４ｂとから構成され、電
圧源４ｂのプラス側を零電位であるスキマー２ｂに接続
することで、マイナス側に接続されたフィラメント４ａ
は所定の負電位に保持され、適当な電流を流しておくこ
とにより、フィラメント４ａから電子が発生すると共
に、発生した電子は所定のエネルギーに制御される。
【００２０】第４の排気室Ｃ４には、所定電位に保持さ
れた引出電極７が配設されており、この引出電極７は、
第３の排気室Ｃ３からヘリウム負イオンＨｅ- を引き出
し、負イオンビームとして外部に射出する機能を有す
る。
れた引出電極７が配設されており、この引出電極７は、
第３の排気室Ｃ３からヘリウム負イオンＨｅ- を引き出
し、負イオンビームとして外部に射出する機能を有す
る。
【００２１】本発明にかかる負イオン源の作用を図１に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２２】まず、アーク放電源１で発生した励起ガス
ビーム（ヘリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，準安
定励起状態のヘリウムＨｅ* ）をスキマー２ａを通過さ
せて余分なガスを除去した後、偏向電極３及びスキマー
２ｂによってイオン種であるヘリウム正イオンＨｅ+ を
除去する。これにより、スキマー２ｂを通過したビーム
は準安定励起状態のヘリウムＨｅ* とヘリウムＨｅのみ
を含むビームとなる。一方、フィラメント４ａから放出
された電子ｅは、かかるビームの進行路周囲に複数配設
された永久磁石５によって形成される多段カプス磁場に
よって、その磁場中心である進行路付近に向かう力を受
け、ビームの進行路付近に集められその密度が非常に高
くなる。
ビーム（ヘリウムＨｅ，ヘリウム正イオンＨｅ+ ，準安
定励起状態のヘリウムＨｅ* ）をスキマー２ａを通過さ
せて余分なガスを除去した後、偏向電極３及びスキマー
２ｂによってイオン種であるヘリウム正イオンＨｅ+ を
除去する。これにより、スキマー２ｂを通過したビーム
は準安定励起状態のヘリウムＨｅ* とヘリウムＨｅのみ
を含むビームとなる。一方、フィラメント４ａから放出
された電子ｅは、かかるビームの進行路周囲に複数配設
された永久磁石５によって形成される多段カプス磁場に
よって、その磁場中心である進行路付近に向かう力を受
け、ビームの進行路付近に集められその密度が非常に高
くなる。
【００２３】図４は、フィラメントからカプス磁場へ放
出された電子が運動する様子を示す図であり、それぞれ
放出された電子は磁力線に沿って巻き付く形で移動し、
中心部に向かうため、ビームの進行路付近の電子密度が
高まると共に第３の排気室Ｃ３の壁面に吸収されるまで
の時間が長くなる。このため、スキマー２ｂを通過した
ヘリウムＨｅ* は、高密度状態で存在時間が長い電子と
衝突することとなり、その衝突回数が大幅に増すため、
電子が付着される確率が非常に高まり、負イオンの生成
が効率よく行われることとなる。
出された電子が運動する様子を示す図であり、それぞれ
放出された電子は磁力線に沿って巻き付く形で移動し、
中心部に向かうため、ビームの進行路付近の電子密度が
高まると共に第３の排気室Ｃ３の壁面に吸収されるまで
の時間が長くなる。このため、スキマー２ｂを通過した
ヘリウムＨｅ* は、高密度状態で存在時間が長い電子と
衝突することとなり、その衝突回数が大幅に増すため、
電子が付着される確率が非常に高まり、負イオンの生成
が効率よく行われることとなる。
【００２４】ここで、電圧源４ｂによってフィラメント
４ａに印加する負電圧を１ｅＶ以下の所定電圧に調整す
ることにより、放出される電子ｅと準安定励起状態のヘ
リウムＨｅ* との衝突エネルギーが数十から数百ｍｅＶ
となって、ヘリウムＨｅ* の電子親和力が８０ｍｅＶで
あることから、ヘリウムＨｅ* への電子付着を共鳴的と
でき、より高い効率で負イオンを得ることができる。
４ａに印加する負電圧を１ｅＶ以下の所定電圧に調整す
ることにより、放出される電子ｅと準安定励起状態のヘ
リウムＨｅ* との衝突エネルギーが数十から数百ｍｅＶ
となって、ヘリウムＨｅ* の電子親和力が８０ｍｅＶで
あることから、ヘリウムＨｅ* への電子付着を共鳴的と
でき、より高い効率で負イオンを得ることができる。
【００２５】そして、生成されたヘリウム負イオンＨｅ
- は、引出電極６で加速されて所定のエネルギーを有す
る負イオンビームとなる。
- は、引出電極６で加速されて所定のエネルギーを有す
る負イオンビームとなる。
【００２６】本発明にかかる負イオン源よれば、励起状
態のヘリウムＨｅ* の進行路の周囲に形成したカプス磁
場によって、その進行路付近に電子ｅが高密度に集めら
れるため、ヘリウムＨｅ* と電子との衝突回数が大幅に
増して電子がヘリウムＨｅ*に付着される確率が非常に
高まり、負イオンの生成効率が極めて高まる。また、荷
電変換のためのアルカリ金属を使用する必要がなくなる
ため、装置のメインテナンスが容易となる。
態のヘリウムＨｅ* の進行路の周囲に形成したカプス磁
場によって、その進行路付近に電子ｅが高密度に集めら
れるため、ヘリウムＨｅ* と電子との衝突回数が大幅に
増して電子がヘリウムＨｅ*に付着される確率が非常に
高まり、負イオンの生成効率が極めて高まる。また、荷
電変換のためのアルカリ金属を使用する必要がなくなる
ため、装置のメインテナンスが容易となる。
【００２７】さらに、フィラメント４ａに印加する負電
圧を１ｅＶ以下とすることにより、放出される電子ｅと
準安定励起状態のヘリウムＨｅ* への電子付着を共鳴的
となり、より高い効率で負イオンを得ることができる。
圧を１ｅＶ以下とすることにより、放出される電子ｅと
準安定励起状態のヘリウムＨｅ* への電子付着を共鳴的
となり、より高い効率で負イオンを得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、励起状態のヘリウムＨ
ｅ* の進行路の周囲に形成したカプス磁場によって、そ
の進行路付近に電子ｅが高密度に集められるように構成
したため、電子がヘリウムＨｅ* に付着される確率が増
大し、負イオンの生成効率が極めて高まる。また、荷電
変換のためのアルカリ金属を使用する必要がなくなるた
め、装置のメインテナンスが容易となる。
ｅ* の進行路の周囲に形成したカプス磁場によって、そ
の進行路付近に電子ｅが高密度に集められるように構成
したため、電子がヘリウムＨｅ* に付着される確率が増
大し、負イオンの生成効率が極めて高まる。また、荷電
変換のためのアルカリ金属を使用する必要がなくなるた
め、装置のメインテナンスが容易となる。
【図１】本発明にかかる負イオン源の全体概略図であ
る。
る。
【図２】スキマーで不要な粒子が排除される様子を示す
図である。
図である。
【図３】本発明にかかる磁場発生手段の正面断面図であ
る。
る。
【図４】フィラメントからカプス磁場へ放出された電子
が運動する様子を示す図である。
が運動する様子を示す図である。
１・・・・・・・・アーク放電源 ２ａ，２ｂ・・・・スキマー ３・・・・・・・・偏向電極 ４・・・・・・・・電子供給手段 ５・・・・・・・・磁場発生手段 ６・・・・・・・・引出電極
Claims (1)
- 【請求項１】 励起ガスビームを射出するガスビーム発
生源と、その射出口に対して所定の距離を隔てた位置に
配置されるスキマーを備えた真空室と、この真空室に対
して前記スキマーを通じて差動排気される排気室によっ
て構成され、 この排気室に、前記スキマーを通過した励起ガスビーム
中に含まれるイオン種を当該ビームの進行路から偏向す
るための偏向手段と、前記イオン種が除かれた後のビー
ムの進行路の周囲にカプス磁場を発生する磁場発生手段
と、前記カプス磁場に電子を供給する電子供給手段と、
を配設したことを特徴とする負イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3845395A JPH08236030A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 負イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3845395A JPH08236030A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 負イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236030A true JPH08236030A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12525702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3845395A Pending JPH08236030A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 負イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002170700A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Japan Atom Energy Res Inst | 負イオン中性粒子入射装置の制御装置及び制御方法 |
| KR100951389B1 (ko) * | 2007-01-17 | 2010-04-08 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 박막 형성 장치 |
| JP2015185233A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | フラーレン及び有機高分子の負イオンビーム生成方法 |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP3845395A patent/JPH08236030A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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