JPH0823591B2 - 非アクティブ化および再アクティブ化可能な磁束ステップ変化を示す磁気マーカー - Google Patents

非アクティブ化および再アクティブ化可能な磁束ステップ変化を示す磁気マーカー

Info

Publication number
JPH0823591B2
JPH0823591B2 JP5176094A JP17609493A JPH0823591B2 JP H0823591 B2 JPH0823591 B2 JP H0823591B2 JP 5176094 A JP5176094 A JP 5176094A JP 17609493 A JP17609493 A JP 17609493A JP H0823591 B2 JPH0823591 B2 JP H0823591B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
marker
magnetic field
state
composition
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5176094A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0694841A (ja
Inventor
ウィング・ケイ・ホー
ジロー・ヤマサキ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sensormatic Electronics Corp
Original Assignee
Sensormatic Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sensormatic Electronics Corp filed Critical Sensormatic Electronics Corp
Publication of JPH0694841A publication Critical patent/JPH0694841A/ja
Publication of JPH0823591B2 publication Critical patent/JPH0823591B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/22—Electrical actuation
    • G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
    • G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
    • G08B13/2405—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting characterised by the tag technology used
    • G08B13/2408—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting characterised by the tag technology used using ferromagnetic tags
    • G08B13/2411—Tag deactivation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
    • G01V15/00—Tags attached to, or associated with, an object, in order to enable detection of the object
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/22—Electrical actuation
    • G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
    • G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
    • G08B13/2428—Tag details
    • G08B13/2437—Tag layered structure, processes for making layered tags
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/22—Electrical actuation
    • G08B13/24—Electrical actuation by interference with electromagnetic field distribution
    • G08B13/2402—Electronic Article Surveillance [EAS], i.e. systems using tags for detecting removal of a tagged item from a secure area, e.g. tags for detecting shoplifting
    • G08B13/2428—Tag details
    • G08B13/2437—Tag layered structure, processes for making layered tags
    • G08B13/2442—Tag materials and material properties thereof, e.g. magnetic material details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geophysics (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子的物品監視（elec
tronic article surveillance, EAS）システムに関し、
特に改良されたマーカーおよびかかる改良マーカーを使
用、製造する方法、装置、システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気式マーカーを使用するＥＡＳシステ
ムの設計においてはマーカーの応答の固有性（uniquene
ss）を強化する努力が払われてきた。これを達成する一
つの方法はマーカーの磁束反転により発生する電圧パル
スの高調成分を増大することにより、行われる。その結
果マーカーの応答信号は、低周波バックグラウンド並び
にＥＡＳシステムにしばしば見られる他の磁性材料から
発生される磁気シールドノイズおよび信号から容易に区
別され、検出可能となる。
【０００３】高度の固有性を示す磁気マーカーは、本出
願の譲受人に譲渡された「非アクティブ化可能な、磁束
のステップ変化を示す磁気マーカー」と題する米国特許
第４，９８０，６７０号（以下、「６７０号特許」と呼
称する）に開示されている。６７０号特許のマーカーで
はマーカーの応答の固有性はその材料のヒステリシス特
性に帰着する。特に、そのヒステリシス特性は印加され
る磁場のしきい値において磁束のステップ変化を示す。
【０００４】上記ヒステリシス特性は、印加した磁場が
予定しきい値に達する迄、定着したドメイン−ウォール
（ｐｉｎｎｅｄ ｄｏｍａｉｎ ｗａｌｌ）を保持する
ようにマーカー材料を条件付けることによって得られ
る。上記予定しきい値においては、この定着状態は、磁
束のステップ変化を起こさせる磁場を印加すると克服さ
れる。そのような磁束のステップ変化は高調成分に富ん
だマーカーからの応答信号を与える。従ってその応答信
号は固有であり、それゆえ容易に検出可能である。
【０００５】定着ウォールがそのような効果を達成する
ための６７０号特許に記載の条件は、所望のドメイン−
ウォール形状を定着すべく当該マーカー材料を加熱する
こと、すなわち焼鈍を必要とする。６７０号特許はマー
カーとして使用できる多数の軟性のアモルファス遷移金
属−メタロイド組成物（soft amorphous transitionmet
al-metalloid compositions）（Co75.2 Fe4.8 Si2 B17;
C074.26 Fe4.74 Si3B17; C074.24 Fe4.76 Si2 B19）を
記載している。上記特許は又焼鈍の温度および時間に関
する条件を記載している。
【０００６】６７０号特許に記載されている軟性の（Co
-Fe-Si-B）アモルファス材料を加熱すると、それらアモ
ルファス材料は、メタロイドを形成するガラスのほとん
どが除去され、かつ実質的に幾分か溶融鉄を含む結晶質
Ｃｏ（crystallized Co ）からなる強磁性材料を成分と
する内部結晶層が生ずる。この層が、元の軟性の金属−
メタロイド組成物を含むバルク（bulk）部分を包囲す
る。その結果得られる焼鈍した材料は所望の定着ウォー
ル形状を有し、ステップ磁束効果を与える。結晶化した
層に加えて、酸化物の外表面層が形成される（例えば S
iO2 および B2O3すなわちボロシリケート）。しかしな
がらこの酸化層は非磁性材料である。
【０００７】６７０号マーカーの非アクティブ化（deac
tivation）はマーカーを高周波または高振幅ＡＣ磁場に
晒すことにより達成される。いずれの場合でもマーカー
内に付加的ドメイン−ウォールが生じ、非アクティブ化
磁場からマーカーを取り出した後、これらのドメイン−
ウォールがマーカー内に残留する。付加されたこれらの
ドメイン−ウォールはもとの磁束ステップが再度起きる
ことを阻止する。さらに、６７０号マーカーは一旦非ア
クティブ化されると、容易に再アクティブ化できない。
このことがマーカーの再使用を阻止する。
【０００８】マーカーを非アクティブ化することと共に
再アクティブ化可能であるマーカーを与えることが有利
である場合がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】それゆえ本発明の主な
目的は、改良された非アクティブ化可能なマーカーを与
えることである。
【００１０】本発明の別の目的はアクティブ化が可能で
あることに加えて再アクティブ化も可能である改良され
たマーカーを与えることである。
【００１１】本発明のさらに別の目的は改良されたマー
カーを作成する方法を与えることである。本発明のさら
に別の目的は上記改良された磁気マーカーを含む電子的
物品監視システムを与えることである。
【００１２】本発明のさらに別の目的は、非アクティブ
化手段、再アクティブ化手段および上記の改良された磁
気マーカーを含む電子的物品監視システムを与えること
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の原理に基づけ
ば、６７０号特許のマーカーに類似するがさらに安定か
つ制御しやすいマーカーを作成することができ、上記諸
目的その他の目的が達成される。本発明のマーカーは６
７０号特許に教示された処理条件により作成される。さ
らに、このマーカーは処理段階の期間に予定の磁場に晒
すことによりマーカーを非アクティブ化可能とし、且つ
再アクティブ化可能にすることができる。特に本発明の
マーカーはマーカーのバルクを構成する軟磁性材料から
なる第一組成物を含むように選択される。準硬性の（ｓ
ｅｍｉ−ｈａｒｄ）もしくは硬性の（ｈａｒｄ）磁性材
料からなる第二組成物は第一組成物と一体的である。こ
のマーカーは、第二組成物がマーカーをアクティブ状態
および非アクティブ状態にさせるアクティブ状態および
非アクティブ状態（すなわち非アクティブ化された）状
態とを有するように、条件付けられる。アクティブ状態
ではマーカーは６７０号特許におけると同様、磁束にス
テップ変化を伴った定着ウォールヒステリシス特性（ｐ
ｉｎｎｅｄ ｗａｌｌ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ ｃｈａ
ｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）を示す。非アクティブ状態で
は、マーカーは別のヒステリシス特性を示し、好ましく
はより小さな磁束ステップ変化ないし僅かづつ変化する
磁束特性を有することが好ましい。
【００１４】マーカーのこの構成によって、マーカーは
第二組成物がそのアクティブ状態にあるときにアクティ
ブとなり、第二組成物がその非アクティブ状態にあると
きに非アクティブとなる。このように第二組成物をその
アクティブ状態と非アクティブ状態との間で変換(switc
hing）することにより、マーカーをそのアクティブ状態
および非アクティブ状態の間で変換することができる。
所望のステップ状磁束変化を伴い、非アクティブ化およ
び再アクティブ化が可能である反復使用可能なマーカー
がこのようにして実現される。
【００１５】上述したように本発明のマーカーは６７０
号特許に記載された条件に従い一つ以上の材料を、予定
磁場条件と組み合わせて処理することにより製造するこ
とができる。本発明の一実施例では軟磁性の一アモルフ
ァス磁性材料がある条件の焼鈍および選択された磁場に
晒される。この処理がマーカーの第二組成物を確定する
準硬磁性もしくは硬磁性を帯有するマーカー領域を生ぜ
しめる。軟磁性を有するアモルファス材料の残りのバル
ク部分がマーカーの前記第一組成物を確定する。
【００１６】本発明のこの実施例では上記軟性アモルフ
ァス磁性材料は６７０号特許に規定されている温度条件
および時間条件の下で行われる第一加熱ステップを受け
る。この第一加熱ステップと同時的に、もしくはその後
に、この材料に予定のＤＣ磁場が印加される。この磁場
の存在は６７０号特許には特定されていない。次いで６
７０号特許に規定されている温度条件および時間条件の
下で第二加熱ステップが行われる。上述した第一および
第二組成物を有するマーカーがこのようにして得られ、
このマーカーは非アクティブ化可能かつ再アクティブ化
可能である。
【００１７】本発明のもう一つの実施例では、最初に準
硬性又は硬性の一磁性材料が軟性アモルファス磁性材料
上にこれと一体的になるように堆積（deposition）され
る。次いで上記結果物に予定磁場が印加される。この材
料は次いで６７０号特許に規定された焼鈍条件に晒さ
れ、本発明のマーカーができる。
【００１８】本発明のさらに別の局面として、本マーカ
ーを利用する電子的物品監視システムおよび監視方法を
開示する。
【００１９】
【実施例】図１には本発明の原理に基づくタグ１が示さ
れている。タグ１は基板３と上層４との間に配置される
磁性マーカー２を含む。基板３の下面には監視下におい
て管理すべき物品に固着するための適当な感圧性粘着物
を塗布することができる。この代わりに、タグ１および
マーカー２を物品にタグ１およびマーカー２を固着させ
るため他の公知構成を採用することができる。
【００２０】図２は図１のマーカー２をより詳細に示
す。図に示すようにマーカー２はアモルファス軟磁性材
料５を本体とする第一組成物を含む。このマーカーは又
もっと薄い第二層６を含むが、この層は第一組成物５と
一体的に形成され、かつ予定の磁性を有する準硬性若し
くは硬性の層である。後述するように組成物６の特定の
性質は、この組成物を形成するに使用する処理に依存す
る。
【００２１】図に示すように、組成物６は第一組成物５
の全表面にわたり拡がり、かつこれを包囲する。しかし
組成物６は必要に応じて第一組成物５の選択された領域
のみに拡がるようにしてもよい。
【００２２】図３に示すマーカー２は、マーカー２がア
クティブ状態にあるときに６７０号特許の定着ウォール
ヒステリシス特性を有するようにしたものである。従っ
て、マーカー２がアクティブであるときはこれは印加磁
場が予め選択されたオフセット磁場（ｐｒｅｓｅｌｅｃ
ｔｅｄ ｏｆｆｓｅｔ ｆｉｅｌｄ，以下、予定選択オ
フセット磁場と言う）の値Ｈ１を超えてある予定のしき
い値（Ｈｐ＋、Ｈｐ−）に達すると、再アクティブ化可
能な磁束のステップ変化をする。印加磁場が前記しきい
値を超えたところから前記予定選択オフセット磁場値に
向かって戻るに伴い、磁束は僅かづつ変化する。マーカ
ーの磁束はこの印加磁場が予定選択オフセット磁場値か
ら予定しきい値に向けて変化するとき、実質上何ら変化
もしない。
【００２３】図３に例示するように、予定選択磁場オフ
セット値Ｈ１は実質上ゼロに等しい。これは両方向の印
加磁場の下で再アクティブ化が可能なステップ変化を当
該材料中に起こすことを可能にするに必要な励起磁場を
最小限にするためである。しかし図４に示すように、定
着ウォールの形成期間中、この材料の飽和レベル以下の
小さな磁場をマーカーに印加することにより、マーカー
にバイアスを掛けることが可能である。この場合、Ｈ１
はゼロでなく、又、前記予定のしきい値は再びＨｐ＋お
よびＨｐ−で示されるものである。
【００２４】上記定着ウォールヒステリシス特性を有す
るようにマーカー２を条件付けした状態でしきい値を超
える交流磁場にマーカーを晒すと、マーカーは固有の応
答信号を発生する。マーカーをＥＡＳシステムに使用し
たとき、この事実がマーカーの検出を一層容易にする。
【００２５】本発明の原理に従ってマーカー２はさらに
容易に非アクティブ化および再アクティブ化が可能なも
のにされている。マーカーを非アクティブ化可能なもの
とすることによってマーカーのヒステリシス特性を上記
の定着ウォールヒステリシスとは異なる非アクティブ状
態のものにすることができる。特に非アクティブ状態で
はマーカーのヒステリシス特性はより小さなステップ変
化または僅かづつの磁束変化（ｇｒａｄｕａｌ ｃｈａ
ｎｇｅ ｉｎ ｆｌｕｘ）のみを呈する。マーカーの再
アクティブ化はひいてはマーカーを元の定着状態に戻
し、その結果ヒステリシス特性が再び元の磁束ステップ
変化を呈するようになる。
【００２６】マーカー２を非アクティブ化可能および再
アクティブ化可能なものとすることは、予定選択磁場の
印加に併せて６７０号特許の処理条件を利用してマーカ
ー２を形成することにより達成される。これにより、ア
クティブ化状態および非アクティブ化状態をとり得る、
準硬性又は硬磁性を示す組成物６が得られる。その結果
これらの状態がそれぞれ、マーカー２をアクティブ化状
態および非アクティブ状態にさせる。従って組成物６を
そのアクティブ状態と非アクティブ化状態との間で変換
することにより、マーカー２が同様にそのアクティブ状
態および非アクティブ状態の間で変換される。
【００２７】マーカー２を発生させるのに使用したアモ
ルファス磁性材料は任意数の軟性アモルファス磁性材料
でよい。使用可能な材料は、Fe、Co、Niを含む群から選
択された遷移金属を全組成の６０ないし９０％含むアモ
ルファス遷移金属−メタロイド組成物である。適当な材
料例はつぎの通りである。
【００２８】Co74.26 Fe4.74 Si2.1 B18.9 Co39.5 Fe39.5 Si2.1 B18.9 使用できる他の材料はアモルファス遷移金属−金属組成
物である。使用可能な遷移金属−金属組成物は遷移金属
として Co を含み、その場合 Co は組成の７５％ないし
９５％を占める。これらの例はつぎの通りである。
【００２９】Co90 Zr10 Co90 Zr8 Nb2 Co90 Zr5 Nb5 さらに数原子％のガラス形成元素（glass forming elem
ents）を含む遷移金属−金属組成物も使用できる。その
一例は Co84 Nb12 B4 である。
【００３０】本発明の一実施例ではマーカー２は、第一
組成物５および組成物６を含んだ一体的構造体を生ずる
ように軟性アモルファス磁性材料を熱処理する６７０号
特許規定の焼鈍条件を使用して製造される。より特定し
て言うと、このアモルファス材料は磁気的に硬性もしく
は準硬性の結晶質内部層（crystallized inner layer）
を含む表面領域を生じる一方、この表面領域に包囲され
た残りのバルク領域は実質的にアモルファスすなわち非
晶質（non-crystallized）のままに留まる。この場合、
結晶質の準硬性若しくは硬性内部層が組成物６を確定
し、他方バルク領域が第一組成物５を確定する。
【００３１】上記焼鈍に使用される特定の温度および時
間は、使用する特定のアモルファス材料および組成物６
に所望される厚さ等の多数の因子に依存する。一般的に
言って、低めの温度は長めの焼鈍時間を要し、高めの温
度は短めの焼鈍時間を要する。焼鈍時間の選択において
は、短めの時間は当該材料の脆性を防止する一方、長め
の時間は処理の制御により優れているという事実を指標
とすべきである。下に論ずるようにアクティブマーカー
に所望される定着ウォールヒステリシス特性を実現する
ための処理を加えることを可能にするため、バルクの結
晶化は回避すべきである。
【００３２】また、焼鈍に対する温度をいかに低めにす
るかは大量生産の見地から勘案しなければならない。大
量生産は通常、多くのマーカーを所望の焼鈍温度にする
ための大きな加熱領域を必要とし、又所望の焼鈍時間中
この温度を維持するため、低めの温度は処理時間を増大
させ、従って製造を遅延させる。
【００３３】又、組成物６の成長は第一組成物５の消耗
下になされるので、最初の焼鈍は組成物６が比較的薄く
なるように行うことが好ましい。第一組成物５の容量を
低減すると残余の材料の信号出力が低減する。従って、
マーカー２の第一組成物５の厚さが数１０ミクロン程度
である場合は、組成物６は厚さ約１ミクロン未満にする
ことが好ましい。
【００３４】上記焼鈍処理はまた結晶質層の成長を促進
させる環境において行うことが好ましい。典型的な環境
は空気である。しかしながら窒素その他の気体もしくは
気体の混合体も脆性の防止および結晶質層のさらなる成
長制御のため、使用することができる。
【００３５】組成物６を形成する処理手順の間、あるい
はその手順が完了してその材料が室温まで冷えた後、こ
の材料はさらに、組成物６がそのアクティブ状態に備え
るように条件付けられる。これを達成する一つの方法
は、この材料に予定選択された磁気ＤＣ磁場を材料の長
さ方向に、かつ前記結晶質層を飽和させ若しくは実質上
飽和させるに足る十分な強度で印加することである。通
常、この磁場を焼鈍処理中でなくて焼鈍完了後に印加す
るのであれば、もっと強い磁場強度が必要である。この
飽和磁場が除去された後、組成物６は実質上磁化された
アクティブ化状態に留まる。そのときの磁化は当該材料
の残留レベルにある。
【００３６】所望の磁場を前記アモルファス材料に印加
するもう一つの方法は、多重極磁石を使用することであ
る。そのときの各交互の極間距離は０. １９インチ（極
密度が５. ３極／インチ）とし、表面磁場強度は４００
エルステッド（Oe）とすればよい。この場合、結晶質層
６はこの多重極磁石により加えられる磁場パターンを取
る。これもまた組成物６をアクティブ化状態にする。
【００３７】組成物６はこれをアクティブ化状態にして
おいてさらに６７０号特許の焼鈍条件を使用して処理さ
れる。この処理はマーカー中に安定な定着ウォールを与
え、この定着ウォールは６７０号特許におけると同様、
定着されたウォールおよび急峻なステップ変化（ａｂｒ
ｕｐｔ ｓｔｅｐ ｃｈａｎｇｅ）を具えたヒステリシ
ス特性を呈するアクティブマーカーを生ずる。
【００３８】この第二焼鈍において使用される前記選択
加熱温度および時間もまた、第一組成物５を構成するア
モルファス材料のバルク内に全く結晶化が起きないよう
なものでなければならない。ドメインウォールを定着す
るに必要な非等方性を導入しうるためには、この加熱温
度／時間のプロフィルはある上昇温度において、ただし
そのアモルファス材料のキュリー温度Ｔｃの下の温度
で、有効な時間を含めるべきである。さらに、ある与え
られた焼鈍温度に対してもっと短い焼鈍を行うとより低
い定着化しきい値（pinning threshold ）を来たす、と
言うことに注意されたい。
【００３９】もしもヒステリシス特性が実質上ゼロであ
るオフセット磁場値Ｈ１を持たせるべきときは、第二焼
鈍期間中、その環境は磁場なしに保つべきである。そう
しないでもしもバイアス磁場が存在すると、ヒステリシ
ス特性はシフトする。又焼鈍雰囲気は空気、窒素、ある
いは他の気体若しくはそれらの混合体でよい。
【００４０】上記安定な定着ウォールをマーカー中に形
成し、組成物６がそのアクティブ化状態になった後、も
しも所望するなら、組成物６を非アクティブ化状態にす
ることができる（これは例えば当該層のアクティブ化状
態が磁化中の層に対応するときに結晶質層を非磁化（ｄ
ｅｍａｇｎｅｔｉｚｉｎｇ）することにより行える）。
この非磁化状態は同時に定着ウォール状態を変化させ
る。このことが本マーカーのヒステリシス特性を変化さ
せ、マーカーが低減された磁束のステップ変化若しくは
僅かづつの変化を呈するようにさせることにより、マー
カーを非アクティブ状態にする。次いで組成物６をその
アクティブ化状態に戻すことにより（例えば結晶質層
を、そのアクティブ化状態が磁化すべき層に対応すると
きに、再磁化することにより）定着ウォールがそれらの
元の安定状態に戻り、それによって元のステップ変化ヒ
ステリシス特性を取り戻す。マーカー２はこのようにし
て再びアクティブになる。
【００４１】本発明のマーカーの一例ではマーカーは組
成 Co74.26 Fer.74 Si2.1 B18.9 を有するアモルファス
材料を処理することにより造られる。この処理は四つの
異なる標本について温度３８０℃でそれぞれ１５、３
０、４５、および６０分間行われた。その結果、一体的
組成物５および６が得られた。結晶質組成物６は主とし
て結晶質の Co および Fe からなる強磁性の準硬性内部
層に形成された。この層の上に酸化した Si およびＢか
らなるアモルファス非磁性層が外側にできた。この酸化
層は本マーカーの磁性特性には何らの役割も果たさない
と考えられる。
【００４２】最初の焼鈍手順の期間、組成物６の結晶質
層を磁化するため、６０エルステッドのＤＣ磁場をマー
カーの長さ方向に印加することにより組成物６をアクテ
ィブ状態にした。
【００４３】次いで温度４００℃で５分間、印加磁場無
しに（すなわちゼロ磁場で）マーカーに第二の加熱処理
を行った。次にこの材料は冷却された。この結果、制御
可能な再生可能なステップ変化しきい値を持つ所望の安
定かつ制御可能な定着ウォール特性を持つマーカーがで
きた。
【００４４】別の例では同じ材料を温度３８０℃で１５
ないし９０分間加熱することにより結晶質層６を形成し
て非アクティブ化可能かつ再アクティブ化可能なマーカ
ーが造られた。最良の結果は１５分ないし６０分間の加
熱の場合に得られた。この材料を冷却した後、組成物６
の長さ方向に４００−％００エルステッドのＤＣ磁場を
印加することによりこの層６を磁化し、組成物６をアク
ティブ化状態にした。その後、このマーカーはゼロ磁場
内で５分間、４００℃で加熱し、次いで所望のマーカー
を造るべく冷却した。
【００４５】本発明のマーカーを形成するために使用し
た第一および第二加熱手順について、上記の方法が特定
温度および時間の例を与えるが、加熱が２分から１２０
分間の場合の第一焼鈍に対する好ましい温度は３５０℃
から４５０℃の範囲である。第二焼鈍の場合は好ましい
温度範囲は時間が１分ないし５分の間のときは４００℃
ないし４２０℃である。他の時間および温度は基板とな
るアモルファス材料の組成に応じて決定し、それを利用
することができる。しかしながら、マーカーを加熱する
ときは基板材料の結晶温度を超えないことが重要であ
る。
【００４６】本発明の別の実施例では組成物６はデポジ
ション法（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｐｒｏｃｅｄｕｒｅ）
によりマーカー２の第一組成物５と一体的に形成され
る。本発明のこの実施例では組成物６を形成する準硬性
又は硬性磁性材料は、第一組成物５を形成する軟磁性材
料上に直接に堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）される。使
用可能な準硬性又は硬性磁性材料はバァキュムシュメル
ツ社で製造されている商標名「バァイカロイ（Ｖｉｃａ
ｌｌｏｙ）」または「クロバァック（Ｃｒｏｖａｃ）」
として販売されている。この軟磁性材料は上記のアモル
ファス材料となりえる。
【００４７】組成物６が第一組成物５上に堆積される本
発明の実施例では組成物６を飽和させるべくＤＣ磁場を
印加することにより組成物６をそのアクティブ化状態に
し、次いで定着ウォールヒステリシス特性を設立すべく
マーカー内に定着ウォールが形成される。これらのステ
ップもまた６７０号特許の焼鈍手順を使用し、上述した
予定選択磁場を印加することが好ましい。しかしなが
ら、組成物６をそのアクティブ化状態にするためには、
堆積された硬性若しくは準硬性材料の保磁能（ｃｏｅｒ
ｓｉｖｉｔｙ）に応じて、もっと強い磁場が必要とされ
よう。
【００４８】アクティブマーカーの磁束において再生可
能なステップ変化が起きる予定選択定着しきい値はいろ
いろの方法で制御することができる。その一つの方法は
組成物６がアモルファス材料の結晶質層として形成され
る場合、アモルファス材料の組成を適当に選択すること
であり、あるいは前記堆積手順を使用する場合は堆積さ
れる層の材料を適当に選択することである。もう一つの
方法は焼鈍置時間および温度を適当に選択することであ
る。これらの手段により、組成物６が結晶質層として形
成される。
【００４９】マーカー２の形成において、定着ウォール
ヒステリシス特性を生成すべくマーカーを処理する前に
マーカーの大きさを設定しておくことが望ましい。すな
わち前記処理に先立ってマーカーの任意のトリミングす
なわち所望寸法に切断することが実行されるべきであ
る。
【００５０】定着ウォールがアモルファス材料中に形成
された後に切断を許す代わりの手順は、切断およびトリ
ミングまたはいずれか一方が、既に形成された定着ウォ
ールその他の磁気的性質に顕著な変化を来たすことがな
いように当該切断若しくはトリミング領域を処理するこ
とである。従って例えば切断若しくはトリミングすべき
アモルファス材料の領域は当該領域がバルク全体にわた
り結晶化するように処理することができる。バルクの結
晶化領域における切断は、アクティブ定着ウォール領域
に構成されたドメインウォールその他の磁性に最小限の
影響しか与えない。アモルファス材料をこのように結晶
化させることは、高出力レーザーを使用して当該材料を
加熱すること、もしくは材料を突起状棟付き高温ローラ
ーに接触させることにより達成することができる。
【００５１】図５は材料の連続的ストリップからマーカ
ー２を個別に形成するための処理に上記原理を適用する
例を示す。図に示すように、アモルファスストリップを
バルク連続処理することにより形成された個別的各マー
カー２は、幅の狭い結晶バルク領域１１によって分離さ
れている。このバルク領域１１は通常、幅が１．５mmで
ある。この領域１１は磁気的にマーカー２を孤立させ、
その結果これらの領域において切断しストリップから個
別的各マーカーを分離することは、個別的各マーカーの
磁性を顕著に変えない。一般的に言って、領域１１の幅
が広くなるほど、隣接マーカー間の磁気的結合は小さく
なり、上記連続的ストリップから分離されるときに個別
的各マーカーの磁性はさらに一貫的（consistent）なも
のなる。
【００５２】マーカー２の製造においてはマーカー材料
の単位体積あたりのマーカー応答を最適にするため、マ
ーカーの長さおよびウォール定着化しきい値（wall pin
ningthreshold）に応じていろいろのマーカー材料につ
いてマーカー２の断面積を調節しなければならない。一
般的に言って、マーカー材料の最適な使用を実現するた
めには、ウォール定着化しきい値は、当該マーカーが有
限長である結果として発生した非磁化磁場を超えるもの
でなければならない。
【００５３】マーカーの長さが短いとき、すなわち約５
０mm未満であるときは、非磁化磁場が顕著であり、定着
化しきい値を超える可能性が強い。そのような場合、非
磁化磁場を低減するためにマーカーの断面積を低減する
ことができる。そしてそれゆえにそれ非磁化磁場をウォ
ール定着化しきい値に近付けるこことができる。この方
法は応答を発生する見地からすると発生する信号レベル
を低くするが、すべてのマーカー材料をより良く利用す
る方法ではある。
【００５４】図６は本発明に基づき作成され、かつその
組成物６がこれを磁化することによりそのアクティブ化
状態にされている、アクティブマーカー２のヒステリシ
ス特性を示す。このマーカーを非アクティブ化するため
には、マーカーを次第に減衰するＡＣ消磁磁場（ｄｅｇ
ａｕｓｓｉｎｇ ｆｉｅｌｄ）に晒す。図７乃至図１７
はマーカーをそれぞれ異なるＡＣ消磁磁場に晒して組成
物６を非磁化して組成物６を非磁化状態にすることによ
りマーカー２を非アクティブにした後の、マーカーの磁
気特性を示す。図７乃至図１７は、周波数が１０ヘル
ツ、初期強度が５０エルステッド（図７）から５３２エ
ルステッドまで（図１７）の消磁磁場で発生したマーカ
ーの特性に対応する。
【００５５】これらの図から分かるように消磁磁場の大
きさはマーカーを非アクティブ化すべく選択することが
できる。ここで初期レベル５００エルステッドを有する
消磁磁場を使用すると、マーカーヒステリシス特性のウ
ォール定着化しきい値は実質上消滅する。従ってそのよ
うな初期レベル以上のＡＣ消磁磁場がマーカー２に印加
されると、マーカー２の組成物６は十分に非磁化され、
その結果ウォール定着が全く存在しなくなり、マーカー
が非アクティブ状態になる。消磁磁場を除去すると、マ
ーカーの組成物６は非磁化状態に留まり、それゆえマー
カー２は非アクティブ状態に留まる。
【００５６】組成物６をその非アクティブ化状態にする
代わりの手順は、ＡＣ消磁磁場の代わりに多重磁石を使
用することである。通常の磁石は極密度が５．３極／イ
ンチ、ピーク磁場が４００エルステッドを持つフレキシ
ブル多重極（flexible multipole）磁石である。通常、
組成物６の表面上にこの磁石を置いて組成物６の磁気状
態を変更することにより、マーカー２が非アクティブに
される。
【００５７】マーカー２をそのアクティブ状態に戻すに
は組成物６を再び磁化する。これはマーカーに長さ方向
のＤＣ磁場を印加すること等により組成物６を再磁化す
る。図１８は非アクティブマーカー２のヒステリシス特
性を示し、図１９乃至図２４はいろいろの再磁化磁場に
マーカーを晒した後のマーカーのヒステリシス特性を示
す。図１９乃至図２４は強度１００、２００、３００、
４００、４５１、および−４４６エルステッドの再磁化
ＤＣ磁場をそれぞれ印加した後のマーカーの応答に対応
する。
【００５８】これから分かるように、マーカーのウォー
ル定着化しきい値はほぼ２００エルステッドに戻る。従
って、２００エルステッド以上のＤＣ磁場がマーカー２
に印加されると、組成物６はマーカーの元のウォール定
着化を回復するまで十分に飽和し、このためマーカーを
そのアクティブ状態に戻す。ＤＣ磁場を除去すると、組
成物６は磁化されたままに留まり、それゆえマーカー２
はアクティブに留まる。
【００５９】マーカー２の非アクティブ化および再アク
ティブ化特性が上記特性からずれたときの変化は、組成
物６のアクティブ化状態に対応するいろいろの磁気的状
態を組成物６中に構成することにより達成することがで
きる。例えば上述したように、組成物６の表面に多重磁
石を接触させて置くことにより多重磁石により与えられ
る磁気的形状（magnetic configuration）を組成物６に
与えることができる。組成物６の磁気的形状は次いでＡ
Ｃ磁場又はＤＣ磁場（例えば１５０エルステッドのＤＣ
磁場）のいずれかを使用して変化させることができ、こ
れにより組成物６をその非アクティブ状態に変化させて
マーカーを非アクティブ化状態にすることができる。
【００６０】マーカー２が非アクティブ化又は再アクテ
ィブ化される磁場レベルは組成物６の保磁能に依存す
る。組成物６の保磁能を制御することにより、いろいろ
の非アクティブ化磁場レベルおよび再アクティブ化磁場
レベルが得られる。特に組成物６および／またはマーカ
ー２の組成物を形成するための焼鈍条件を変えることに
より、組成物６はいろいろの保磁能を有するようにする
ことができる。
【００６１】又、組成物６がそのアクティブ状態におい
て実質的に非磁化されるようにマーカーの組成物６を形
成することにより、改良された非アクティブ化可能なマ
ーカー２が実現できる。これは組成物６を形成するため
の最初の焼鈍手順の期間、またはその後の冷却期間中若
しくは冷却段階の後、数百エルステッドのＡＣ磁場を印
加することにより達成することができる。次いで組成物
６をその非アクティブ化状態にすべく組成物６を磁化す
ることにより、マーカー２を非アクティブ化することが
できる。
【００６２】図２５はマーカー２を、アクティブ化／非
アクティブ化ユニット１８を具えた物品監視システム１
９に使用する例を示す。さらに特定すると、物品監視シ
ステム１９は訊問領域若しくは監視領域（例えば図に点
線で示した位置２６の店舗出口領域）を含む。図には本
発明のマーカー２に類似した属性を有するマーカー２Ａ
が、監視領域２６に在る物品に付着されて示されてい
る。
【００６３】本システムの発信部分は出力が出力増幅器
２１に供給される周波数発生器２０を含む。出力増幅器
２１はさらに磁場発生コイル２２に出力を与える。後者
コイルは監視領域２６に所望周波数の交流磁場を生ず
る。この磁場の振幅はもちろん訊問領域の大きさ等のシ
ステムパラメータに依存して変わる。しかしながら、そ
の振幅は監視領域２６のマーカー２Ａが上記マーカーし
きい値を超えた磁場を観測できるだけの最小磁場を超え
ていなければならない。
【００６４】本システムの受信部分は磁場受承コイル
（field receiving coil）２５を含む。このコイルの出
力は受信器２４に印加される。この受信器が、マーカー
２Ａから発生され、かつ予め指定した範囲内の或特定の
高調成分等の予定の摂動を、コイル２５から受信した信
号中に検出すると、受信器は警報をアクティブ化するた
めの警報ユニット２３にトリガー信号を与える。
【００６５】やはり本発明のマーカー２と類似の属性を
有する第二マーカー２Ｂが、アクティブ化／非アクティ
ブ化ユニット１８により構成されるアクティブ化および
又は非アクティブ化領域２７に示されている。第二マー
カー２Ｂを非アクティブ化するには、非アクティブ化磁
場発生器３０が発生コイル２８を駆動し、このコイルが
領域２７にＡＣ消磁磁場を作成する。このとき、マーカ
ーの組成物６を非磁化するに十分なレベルの消磁磁場を
第二マーカー２Ｂが受けることによりマーカーを非アク
ティブするような最小レベルをＡＣ消磁磁場の初期振幅
が超えていなければならない。非アクティブプロセスの
期間中、アクティブ化磁場発生器２９は不作動状態にあ
る。
【００６６】上述したように非アクティブ化したマーカ
ーをアクティブ化することも可能である。第二マーカー
２Ｂをアクティブ化するにはアクティブ化磁場発生器２
９は、非アクティブ化領域２７にＤＣパルス磁場を生ず
る発生コイル２８を駆動する。このとき、マーカーの組
成物６を磁化するに十分なレベルのＤＣパルス磁場を第
二マーカー２Ｂが受けることによりマーカー２Ｂを上記
のようにアクティブ化するような最小レベルを、アクテ
ィブ化磁場の振幅が超えていなければならない。上記ア
クティブ化プロセスの期間、非アクティブ化磁場発生器
３０は不作動状態にある。
【００６７】上のことから了解できようが、アクティブ
化／非アクティブ化ユニット１８は二つの分離されたユ
ニットでよい。第一のユニットはマーカーをアクティブ
化するのに使用することができ、第二ユニットはマーカ
ーを非アクティブ化するのに使用することができる。
【００６８】軟性、硬性、および準硬性という用語は上
記議論では本発明のマーカーを製造する際に採用する材
料の磁性を記述するための用語であることに注意された
い。この用語法では軟磁性材料とは、その保磁能が約１
０エルステッド以下の磁性材料を意味するのに使用し、
準硬磁性材料とはその保磁能が約１０エルステッド以上
かつ約５００エルステッド未満の磁性材料を意味するの
に使用し、硬磁性材料とはその残留時間が約５００エル
ステッド以上の磁性材料を意味するのに使用した。
【００６９】本発明の原理に従うことにより、改良され
た特性を有する固有のマーカーが与えられることが明白
であろう。このマーカーは定着ウォール特性およびヒス
テリシス特性におけるステップ変化を含めて６７０号特
許のマーカーのすべての特徴を有する。加えて、このマ
ーカーは容易に作成できると共に、より安定かつ制御可
能な、非アクティブ化可能かつ非アクティブ化可能なマ
ーカーである。さらにそのステップ変化が起きるしきい
値が制御可能であり、マーカーの結晶質層の保磁能を適
当に選択することによりアクティブ化ＤＣ磁場も又制御
可能である。
【００７０】本発明のマーカーは電子的物品監視システ
ムに組み込まれたときは公知システムよりも一層の適応
性および信頼性があり誤警報の少ないシステムを与え
る。
【００７１】すべての場合に上述の構成は、本発明の適
用法を表す多数の可能な特定的実施例に対するものに過
ぎないことを了解されたい。本発明の原理に基づき本発
明の特許請求の範囲および要旨を逸脱することなく多数
の設計変更が直ちに可能である。
【図面の簡単な説明】上記その他の本発明の特徴および
諸局面は、添付図面と併せて以下の詳細な説明を参照す
ることにより明瞭となろう。ここに
【図１】本発明の原理に基づく磁性マーカーを含むタグ
を示す。
【図２】図１の磁性マーカーをより詳細に例示する。
【図３】図１および図２のマーカーのヒステリシス特性
を示す。
【図４】図１および図２のマーカーの別のヒステリシス
特性を示す。
【図５】図１および図２のマーカーの形成に使用される
連続的アモルファス材料を例示する。
【図６】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に晒
されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒステ
リシス特性を例示する。
【図７】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に晒
されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒステ
リシス特性を例示する。
【図８】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に晒
されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒステ
リシス特性を例示する。
【図９】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に晒
されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒステ
リシス特性を例示する。
【図１０】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１１】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１２】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１３】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１４】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１５】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１６】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１７】いろいろの強度のＡＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２のマーカーの代表的ヒス
テリシス特性を例示する。
【図１８】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図１９】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図２０】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図２１】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図２２】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図２３】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図２４】いろいろの強度のＤＣ非アクティブ化磁場に
晒されたときの図１および図２の非アクティブ化済みマ
ーカーの代表的ヒステリシス特性を例示する。
【図２５】図１および図２のマーカーに使用できる物品
監視システムを例示する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 米国特許4980670（ＵＳ，Ａ)

Claims (70)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 監視領域に印加交番磁場が作られて該磁
    場に予定の摂動が検出されると警報がアクティブ化され
    る物品監視システムに使用するマーカーであって、該マ
    ーカーが、 ａ） 第一および第二の一体的組成物であって、該第一
    組成物が軟磁性材料を含み、該第二組成物が硬または準
    硬磁性材料を含むようにされた一体的な第一および第二
    組成物からなり、 ｂ） 該マーカーがアクティブ状態を有し、その状態に
    おいては、該マーカーが前記印加交番磁場に晒されると
    ヒステリシス特性を表わし、そのヒステリシス特性は、
    前記印加磁場が予定選択オフセット磁場値を通過して予
    定しきい値に達するときは該マーカーの磁束が再生可能
    なステップ変化をし、また、前記印加磁場が前記しきい
    値を超えて戻って前記予定選択されたオフセット磁場値
    に向かうときは僅かずつ変化し、さらに前記印加磁場が
    前記予定選択オフセット磁場値から前記予定しきい値に
    向かうときは実質上変化しないヒステリシス特性であ
    り、 ｃ） 該マーカーが非アクティブ状態を有し、その状態
    においては、前記アクティブ状態にいて該マーカーが呈
    する前記ヒステリシス特性と異なるヒステリシス特性を
    呈し、 ｄ） 該マーカーの前記第二組成物が、該マーカーを前
    記アクティブ状態にするアクティブ化状態と、該マーカ
    ーを前記非アクティブ状態にする非アクティブ化状態と
    を有し、 ｅ） 前記第二組成物を前記アクティブ化状態から前記
    非アクティブ化状態に変化させ、また前記非アクティブ
    化状態から前記アクティブ化状態に変化させることによ
    り、前記マーカーをそれぞれ前記アクティブ状態から前
    記非アクティブ状態に、また前記非アクティブ状態から
    前記アクティブ状態に変換することを特徴とするマーカ
    ー。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のマーカーにおいて、該
    マーカーが前記非アクティブ状態においては磁束ステッ
    プ変化を伴うヒステリシス特性を呈するがその変化は前
    記アクティブ状態で該マーカーが呈するステップ変化よ
    りも小さく、磁束が僅かずつ変化するヒステリシス特性
    を呈することを特徴とするマーカー。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載のマーカーにおいて、前
    記第二組成物の前記アクティブ化状態が前記第二組成物
    の第一磁気状態に対応し、前記第二組成物の前記非アク
    ティブ化状態が前記第二組成物の第二磁気状態に対応す
    ることを特徴とするマーカー。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のマーカーにおいて、前
    記第一磁気状態が、前記第二組成物が実質上飽和状態に
    磁化されている状態であり、該第二磁気状態が、前記第
    二組成物が実質的に非磁化されている状態であることを
    特徴とするマーカー。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載のマーカーにおいて、前
    記第二組成物の前記硬若しくは準硬磁性材料が前記第一
    組成物を包囲する層を含むことを特徴とするマーカー。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載のマーカーにおいて、前
    記第二組成物が約１ミクロン未満の厚さを有することを
    特徴とするマーカー。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載のマーカーにおいて、前
    記予定選択オフセット磁場値が実質的にゼロであり、前
    記アクティブ状態にある前記マーカーの前記ヒステリシ
    ス特性が、 Ａ） 前記予定のしきい値に至るまでの前記印加磁場の
    第一方向値に対して、無視可能な磁束変化を呈し、 Ｂ） 前記印加磁場の第一方向値が前記予定しきい値に
    等しい大きさのとき、磁束の第一方向ステップ変化を呈
    し、 Ｃ） 前記印加磁場の第一方向値が前記しきい値に等し
    い前記磁場値から僅かづつ減少するとき、僅かづつの磁
    束変化を呈し、 Ｄ） 前記第一方向とは逆方向における印加磁場の第二
    方向値が前記予定しきい値に至るまで、無視可能な磁束
    変化を呈し、 Ｅ） 前記印加磁場の第二方向値が前記予定しきい値に
    等しいとき、磁束の第二方向ステップ変化を呈し、 Ｆ） 前記印加磁場の第二方向値が前記予定しきい値に
    等しい値を超えて減少するときに磁束の僅かづつの減少
    を呈することを特徴とするマーカー。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載のマーカーにおいて、前
    記軟磁性材料が軟性アモルファス磁性材料を含み、前記
    第二組成物が前記軟性アモルファス磁性材料の結晶質領
    域を含むことを特徴とするマーカー。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載のマーカーにおいて、前
    記軟性アモルファス磁性材料が遷移金属−メタロイド組
    成物を含むことを特徴とするマーカー。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載のマーカーにおいて、
    前記遷移金属−メタロイド組成物の遷移金属が前記組成
    物の６０％ないし９０％を占めることを特徴とするマー
    カー。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載のマーカーにおい
    て、前記遷移金属−メタロイド組成物がＦｅ、Ｃｏ、お
    よびＮｉ を含む群から選択された一又は二以上の遷移
    金属を含むことを特徴とするマーカー。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載のマーカーにおい
    て、前記遷移金属−メタロイド組成物が実質上、式Ｃｏ
    ７４．２６ Ｆｅ４．７４ Ｓｉ２．１ Ｂ１８．９で
    与えられることを特徴とするマーカー。
  13. 【請求項１３】 請求項９に記載のマーカーにおいて、
    前記遷移金属−メタロイド組成物が実質上、式Ｃｏ３
    ９．５ Ｆｅ３９．５ Ｓｉ２．１ Ｂ１８．９ で与
    えられることを特徴とするマーカー。
  14. 【請求項１４】 請求項１に記載のマーカーにおいて、
    前記軟磁性材料が遷移金属−金属組成物を含むことを特
    徴とするマーカー。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載のマーカーにおい
    て、前記遷移金属−金属組成物が 前記組成物の約７５
    ％ないし９５％の量のＣｏ を含むことを特徴とするマ
    ーカー。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載のマーカーにおい
    て、前記遷移金属−金属組成物が下記の組成物の群、 Ｃｏ９０ Ｚｒ１０ Ｃｏ９０ Ｚｒ８ Ｎｂ２ Ｃｏ９０ Ｚｒ５ Ｎｂ５ から選択されていることを特徴とするマーカー。
  17. 【請求項１７】 請求項１に記載のマーカーにおいて、
    前記軟磁性材料がアモルファスであり、前記準硬若しく
    は硬磁性材料が前記軟性アモルファス磁性材料上に堆積
    されていることを特徴とするマーカー。
  18. 【請求項１８】 請求項１に記載のマーカーにおいて、
    前記マーカーは、前記アクティブ状態にあるときは、ウ
    ォールが定着状態にあり、印加磁場値が予定選択された
    オフセット磁場値から前記予定しきい値に向かうときも
    定着状態に留まり、前記しきい値で前記ウォールが前記
    定着状態から開放されて磁束の前記再生可能なステップ
    変化を起こすが、前記印加磁場が前記予定しきい値を超
    えて戻って前記予定選択されたオフセット磁場値に達す
    ると前記ウォールが前記定着状態に戻るドメインを有
    し、 前記マーカーは、前記非アクティブ状態にあるときは、
    ウォールが前記定着状態をとることを抑止されたドメイ
    ンを有することを特徴とするマーカー。
  19. 【請求項１９】 監視領域に印加交番磁場が作られて前
    記磁場に予定の摂動が検出されると警報がアクティブ化
    される物品監視システムに使用するマーカーであって、
    該マーカーが ａ） 第一および第二の一体的組成物であって、前記第
    一組成物が軟磁性材料を含み、前記第二組成物が前記第
    一組成物から作られた硬若しくは準硬磁性材料を含むよ
    うにされた一体的な第一および第二組成物を含み、 ｂ） 該マーカーがアクティブ状態を有し、この状態に
    おいては、該マーカーが前記印加交番磁場に晒されると
    ヒステリシス特性を表わし、そのヒステリシス特性は、
    前記印加磁場が予定選択オフセット磁場値を通過して予
    定しきい値に達するときは前記マーカーの磁束が再生可
    能なステップ変化をし、また、前記印加磁場が前記しき
    い値を超えて戻って前記予定選択されたオフセット磁場
    値に向かうときは僅かずつ変化し、さらに、前記印加磁
    場が前記予定選択オフセット磁場値から前記予定しきい
    値に向かうときは実質上変化しないヒステリシス特性で
    あり、 ｃ） 前記第二組成物が実質上前記マーカーをそのアク
    ティブ状態にする程度に磁化されていることを特徴とす
    るマーカー。
  20. 【請求項２０】 請求項１９に記載のマーカーにおい
    て、前記予定しきい値が前記第一組成物の材料の組成を
    選択することにより制御されることを特徴とするマーカ
    ー。
  21. 【請求項２１】 訊問領域において物品の存在を検出す
    る電子的物品監視システムであって、 前記訊問領域において印加交番訊問磁場を発生する手段
    であって前記訊問領域における前記訊問磁場の強度が予
    定しきい値を超えている印加交番訊問磁場手段と、 物品に固着されたマーカーであって、 ａ） 第一および第二の一体的組成物であって、前記第
    一組成物が軟磁性材料を含み、前記第二組成物が硬若し
    くは準硬磁性材料を含むようにされた一体的第一および
    第二組成物を有し、 ｂ） 該マーカーがアクティブ状態を有し、その状態に
    おいては、該マーカーが前記印加交番磁場に晒されると
    ヒステリシス特性を表わし、そのヒステリシス特性は、
    前記印加磁場が予定選択オフセット磁場値を通過して予
    定しきい値に達するときは前記マーカーの磁束が再生可
    能なステップ変化をし、また、前記印加磁場が前記しき
    い値を超えて戻って前記予定選択されたオフセット磁場
    値に向かうときは僅かずつ変化し、さらに、前記印加磁
    場が前記予定選択オフセット磁場値から前記予定しきい
    値に向かうときは実質上変化しないヒステリシス特性で
    あり、 ｃ） 前記マーカーが非アクティブ状態を有し、その状
    態においては、前記アクティブ状態における該マーカー
    が呈する前記ヒステリシス特性と異なるヒステリシス特
    性を呈し、 ｄ） 該マーカーの前記第二組成物が、該マーカーを前
    記アクティブ状態にするアクティブ化状態と該マーカー
    を前記非アクティブ状態にする非アクティブ化状態とを
    有し、 ｅ） 前記第二組成物を前記アクティブ化状態から前記
    非アクティブ化状態に変化させ、また前記非アクティブ
    化状態から前記アクティブ化状態に変化させることによ
    り、該マーカーをそれぞれ前記アクティブ状態から前記
    非アクティブ状態に、また前記非アクティブ状態から前
    記アクティブ状態に変換するマーカーと、 該マーカーが前記訊問領域にあってアクティブ状態にな
    っている間、前記訊問磁場の摂動を検出することにより
    前記マーカーの存在を検出するための受信器手段とを含
    むことを特徴とする電子的物品監視システム。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載のシステムにおい
    て、前記第二組成物の前記アクティブ化状態が前記第二
    組成物の第一磁気状態に対応し、前記第二組成物の前記
    非アクティブ化状態が前記第二組成物の第二磁気状態に
    対応することを特徴とするシステム。
  23. 【請求項２３】 請求項２２に記載のシステムにおい
    て、前記第二組成物の磁気状態をその第一磁気状態から
    前記第二磁気状態に変える第一手段を含むことを特徴と
    するシステム。
  24. 【請求項２４】 請求項２３に記載のシステムにおい
    て、前記第二組成物の前記第一磁気状態が、前記第二組
    成物が前記マーカーにＤＣ磁場を印加することにより実
    質上磁化される状態であり、 前記第一手段が、前記第二組成物を前記第二磁気状態に
    すべく前記第二組成物を実質上非磁化する手段を含むこ
    とを特徴とするシステム。
  25. 【請求項２５】 請求項２４に記載のシステムにおい
    て、前記非磁化手段が、前記マーカーにＡＣ消磁磁場ま
    たは多重磁石の磁場のいずれかを印加することを特徴と
    するシステム。
  26. 【請求項２６】 請求項２５に記載のシステムにおい
    て、前記ＡＣ消磁磁場が５００エルステッド以上の初期
    振幅を有することを特徴とするシステム。
  27. 【請求項２７】 請求項２３に記載のシステムにおい
    て、前記第二組成物の前記第一磁気状態が多重磁石を前
    記マーカーに隣接させることにより作られる磁気状態で
    あり、前記第一手段がＡＣ消磁磁場又はＤＣ磁場のいず
    れかを前記マーカーに与える手段を含むことを特徴とす
    るシステム。
  28. 【請求項２８】 請求項２３に記載のシステムであっ
    て、さらに、前記第二組成物の磁気状態を前記第二磁気
    状態から前記第一磁気状態に変えるための第二手段を含
    むことを特徴とするシステム。
  29. 【請求項２９】 請求項２８に記載のシステムにおい
    て、前記第二手段が前記マーカーにＤＣ磁場を印加する
    手段を含むことを特徴とするシステム。
  30. 【請求項３０】 請求項２９に記載のシステムにおい
    て、前記ＤＣ磁場が２００エルステッド以上であること
    を特徴とするシステム。
  31. 【請求項３１】 請求項２１に記載のシステムにおい
    て、前記マーカーは、前記アクティブ状態にあるとき
    は、ウォールが定着状態にあり、印加磁場値が予定選択
    されたオフセット磁場値から前記予定しきい値に向かう
    ときも定着状態に留まり、前記しきい値で前記ウォール
    が前記定着状態から開放されて磁束の前記再生可能なス
    テップ変化を起こすが、前記印加磁場が前記予定しきい
    値を超えて前記予定選択されたオフセット磁場値に戻る
    と前記ウォールが前記定着状態に戻るドメインを有し、 前記マーカーは前記非アクティブ状態にあるときは、ウ
    ォールが前記定着状態をとることを抑止されたドメイン
    を有することを特徴とするシステム。
  32. 【請求項３２】 物品監視システムに使用するマーカー
    の製造方法であって、前記マーカーが ａ） 第一および第二の一体的組成物であって、前記第
    一組成物が軟磁性材料を含み、前記第二組成物が硬若し
    くは準硬磁性材料を含むようにされた、一体的第一およ
    び第二組成物を有し、 ｂ） 前記マーカーがアクティブ状態を有し、その状態
    においては、前記マーカーが前記印加交番磁場に晒され
    るとヒステリシス特性を表わし、そのヒステリシス特性
    は、前記印加磁場が予定選択オフセット磁場値を通過し
    て予定しきい値に達するときは前記マーカーの磁束が再
    生可能なステップ状変化をし、また、前記印加磁場が前
    記しきい値を超えて前記予定選択されたオフセット磁場
    値に向かうときは僅かずつ変化し、さらに、前記印加磁
    場が前記予定選択オフセット磁場値から前記しきい値に
    向かって変化するときは実質上変化しないヒステリシス
    特性であり、 ｃ） 前記マーカーが非アクティブ状態を有し、その状
    態においては、前記アクティブ状態における前記マーカ
    ーが呈する前記ヒステリシス特性と異なるヒステリシス
    特性を呈し、 ｄ） 前記マーカーの前記第二組成物が、前記マーカー
    を前記アクティブ状態にするアクティブ化状態と前記マ
    ーカーを前記非アクティブ状態にする非アクティブ化状
    態とを有し、 ｅ） 前記第二組成物を前記アクティブ化状態から前記
    非アクティブ化状態に変化させ、また前記非アクティブ
    化状態から前記アクティブ化状態に変化させることによ
    り、前記マーカーをそれぞれ前記アクティブ状態から前
    記非アクティブ状態に、また前記非アクティブ状態から
    前記アクティブ状態に変換するマーカーであり、 該方法が、 前記第二組成物が前記アクティブ化状態となるように、
    前記第一および第二組成物を形成すべく一又は二以上の
    材料を処理する第一処理段階と、 前記マーカーが前記アクティブ状態にあるときに前記マ
    ーカーが呈する前記ヒステリシス特性を前記マーカー中
    に作成すべく前記第一および第二組成物を処理する第二
    処理段階とを含むマーカー製造方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３２に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一処理が、前記一又は二以上の材料か
    ら前記第一および第二組成物を形成する処理と、前記第
    二組成物中に前記アクティブ化状態を作成する処理とを
    含む製造方法。
  34. 【請求項３４】 請求項３３に記載のマーカー製造方法
    において、前記作成を行う段階が前記形成段階と同時に
    又はその後に起きることを特徴とする製造方法。
  35. 【請求項３５】 請求項３４に記載のマーカー製造方法
    において、前記処理段階が前記第一処理段階に続いて起
    こり、前記印加磁場が前記予定選択されたオフセット磁
    場値を超えて前記予定しきい値に向かうときは前記マー
    カーが定着状態に留まるドメインウォールを作成する段
    階を含むことを特徴とする製造方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３４に記載のマーカー製造方法
    において、 前記一又は二以上の材料が軟性アモルファス磁性材料を
    含み、 前記第一処理が前記軟性アモルファス磁性材料をある温
    度において前記軟性アモルファス磁性材料の少なくとも
    一領域を実質上結晶化させるに十分な時間焼鈍すること
    により、前記結晶質領域が前記マーカーの前記第二組成
    物を形成すると共に、前記軟性アモルファス磁性材料の
    非晶質バルク領域が前記マーカーの前記第一組成物を形
    成するようにされた第一焼鈍段階を含むことを特徴とす
    る製造方法。
  37. 【請求項３７】 請求項３６に記載のマーカー製造方法
    において、前記軟性アモルファス磁性材料が遷移金属−
    メタロイド組成物を含むことを特徴とする製造方法。
  38. 【請求項３８】 請求項３７に記載のマーカー製造方法
    において、前記遷移金属−メタロイド組成物の遷移金属
    が前記組成物の６０％ないし９０％を占めることを特徴
    とする製造方法。
  39. 【請求項３９】 請求項３８に記載のマーカー製造方法
    において、前記遷移金属−メタロイド組成物がＦｅ、Ｃ
    ｏ、およびＮｉを含む群から選択された一又は二以上の
    遷移金属を含むことを特徴とする製造方法。
  40. 【請求項４０】 請求項３９に記載のマーカー製造方法
    において、前記遷移金属−メタロイド組成物が実質上、
    式Ｃｏ７４．２６ Ｆｅ４．７４ Ｓｉ２．１ Ｂ１
    ８．９で与えられることを特徴とする製造方法。
  41. 【請求項４１】 請求項４０に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一焼鈍が行われる前記時間が約１５分
    から約６０分の範囲にあり、前記第一焼鈍が行われる前
    記温度が約３８０℃であることを特徴とする製造方法。
  42. 【請求項４２】 請求項４１に記載のマーカー製造方法
    において、前記第二処理が、 前記マーカー中にドメインウォールを作成すべく前記軟
    性アモルファス磁性材料を焼鈍することにより、印加磁
    場値が前記予定選択オフセット磁場値を超えて前記予定
    しきい値に向かうときは前記ドメインウォールが定着状
    態に留まるようにされた第二焼鈍段階を含み、該第二焼
    鈍段階が温度約４００℃で約５分間行われることを特徴
    とする製造方法。
  43. 【請求項４３】 請求項４２に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一処理が、 前記アモルファス磁性材料に強度約６０エルステッドの
    ＤＣ磁場を印加する段階または前記アモルファス磁性材
    料を多重磁石に接触させる段階のいずれか一方を含むこ
    とを特徴とする製造方法。
  44. 【請求項４４】 請求項４３に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一および第二焼鈍が、各々、実質上空
    気、窒素又はそれらの混合体の一つからなる雰囲気中で
    行われることを特徴とする製造方法。
  45. 【請求項４５】 請求項３６に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一焼鈍が行われる前記時間が約２分か
    ら約１２０分の範囲にあり、前記第一焼鈍が行われる前
    記温度が約３５０℃ないし４５０℃の範囲内にあり、 前記第二処理が前記軟性アモルファス磁性材料の第二焼
    鈍段階を含み、該第二焼鈍段階が約１ないし５分間、約
    ４００℃ないし４２０℃の範囲内の温度で行われること
    を特徴とする製造方法。
  46. 【請求項４６】 請求項３６に記載のマーカー製造方法
    において、前記第二処理が、 前記マーカー中にドメインウォールを作成すべき温度お
    よび時間で前記軟性アモルファス磁性材料を焼鈍するこ
    とにより、印加磁場値が前記予定選択オフセット磁場値
    を超えて前記予定しきい値に向かうときは前記ドメイン
    ウォールが定着状態に留まるようにされた第二焼鈍段階
    を含むことを特徴とする製造方法。
  47. 【請求項４７】 請求項３７に記載のマーカー製造方法
    において前記軟性アモルファス遷移金属−メタロイド組
    成物が実質上、式Ｃｏ３９．５Ｆｅ３９．５ Ｓｉ２．
    １ Ｂ１８．９で与えられることを特徴とする製造方
    法。
  48. 【請求項４８】 請求項３４に記載のマーカー製造方法
    において、前記軟性アモルファス磁性材料がアモルファ
    ス遷移金属−メタロイド組成物を含むことを特徴とする
    製造方法。
  49. 【請求項４９】 請求項４８に記載のマーカー製造方法
    において、前記遷移金属−金属組成物が 前記組成物の
    約７５％ないし９５％の量のＣｏを含むことを特徴とす
    る製造方法。
  50. 【請求項５０】 請求項４９に記載の方法において、前
    記遷移金属−金属組成物が下記の組成物の群、 Ｃｏ９０ Ｚｒ１０ Ｃｏ９０ Ｚｒ８ Ｎｂ２ Ｃｏ９０ Ｚｒ５ Ｎｂ５ から選択されることを特徴とする製造方法。
  51. 【請求項５１】 請求項３６に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一処理が前記軟性アモルファス磁性材
    料の長さ方向にＤＣ磁場を印加することを含むことを特
    徴とする製造方法。
  52. 【請求項５２】 請求項３６に記載のマーカー製造方法
    において、前記第一処理が前記軟性アモルファス磁性材
    料を多重磁石に接触させることを含むことを特徴とする
    製造方法。
  53. 【請求項５３】 請求項３２に記載のマーカー製造方法
    において、 前記材料の第一のものが軟性アモルファス磁性材料を含
    み、前記材料の第二のものが準硬又は硬磁性材料を含
    み、前記第一処理が前記材料の前記第一のものの上に前
    記第二のものを一体的に堆積させることを含むことを特
    徴とする製造方法。
  54. 【請求項５４】 請求項３２に記載のマーカー製造方法
    において、前記第二組成物の厚さが約１ミクロン未満で
    あることを特徴とする製造方法。
  55. 【請求項５５】 請求項３２に記載のマーカー製造方法
    において、 前記マーカーは前記アクティブ状態にあるときは、ウォ
    ールが定着状態にあり、印加磁場値が予定選択されたオ
    フセット磁場値から前記予定しきい値に向かうときも定
    着状態に留まり、前記しきい値で前記ウォールが前記定
    着状態から開放されて磁束の前記再生可能なステップ状
    変化を起こすが、前記印加磁場が前記予定しきい値を超
    えて前記予定選択されたオフセット磁場値に達すると前
    記ウォールが前記定着状態に戻るドメインを有し、 前記マーカーは前記非アクティブ状態にあるときは、ウ
    ォールが前記定着状態をとることを抑止されたドメイン
    を有することを特徴とする製造方法。
  56. 【請求項５６】 訊問領域にある物品の存在を検出する
    方法であって、 前記訊問領域に印加される交番訊問磁場を発生する段階
    にして、前記訊問領域における前記訊問磁場の強度が予
    定しきい値を超えるように発生する段階と、 前記物品にマーカーを固着させる段階とを有し、前記マ
    ーカーが ａ） 第一および第二の一体的組成物であって、前記第
    一組成物が軟磁性材料を含み、前記第二組成物が硬若し
    くは準硬磁性材料を含むようにされた、一体的第一およ
    び第二組成物と、 ｂ） 該マーカーがアクティブ状態を有し、その状態に
    おいては、該マーカーが前記印加交番磁場に晒されると
    ヒステリシス特性を表わし、そのヒステリシス特性は、
    前記印加磁場が予定選択オフセット磁場値を通過して予
    定しきい値に達するときは前記マーカーの磁束が再生可
    能なステップ状変化をし、また、前記印加磁場が前記し
    きい値を超えて戻って前記予定選択されたオフセット磁
    場値に向かうときは僅かずつ変化し、さらに、前記印加
    磁場が前記予定選択オフセット磁場値から前記予定しき
    い値に向かうときは実質上変化しないヒステリシス特性
    であり、 ｃ） 前記マーカーが非アクティブ状態を有し、その状
    態においては、前記アクティブ状態における前記マーカ
    ーが呈する前記ヒステリシス特性と異なるヒステリシス
    特性を呈し、 ｄ） 前記マーカーの前記第二組成物が、前記マーカー
    を前記アクティブ状態にするアクティブ化状態と前記マ
    ーカーを前記非アクティブ状態にする非アクティブ化状
    態とを有し、 ｅ） 前記第二組成物を前記アクティブ化状態から前記
    非アクティブ化状態に変化させ、また前記非アクティブ
    化状態から前記アクティブ化状態に変化させることによ
    り、前記マーカーをそれぞれ前記アクティブ状態から前
    記非アクティブ状態に、また前記非アクティブ状態から
    前記アクティブ状態に変換するマーカーであり、また、 該マーカーが前記訊問領域にあて前記アクティブ状態に
    なっている間、前記訊問磁場の摂動を検出することによ
    り前記マーカーの存在を検出する段階、 を含むことを特徴とする検出方法。
  57. 【請求項５７】 非アクティブ化可能、再アクティブ化
    が可能な電子的物品監視システム用マーカーを製造する
    方法であって、 ａ） 軟性アモルファス磁性材料を加熱して該軟性アモ
    ルファス材料のバルクと一体的な硬性若しくは準硬性組
    成物を形成する段階と、 ｂ） 前記マーカーに十分なＤＣ磁場を印加して前記硬
    性若しくは準硬性組成物を第一磁気状態にする段階と、 ｃ） 前記硬性若しくは準硬性組成物が前記第一磁気状
    態にあるときは印加した交番訊問磁場に晒すと前記マー
    カーがヒステリシス特性を呈するようにさせる前記マー
    カーを加熱する段階であって、その場合、前記印加磁場
    の強度が予定選択オフセット磁場値を通過して予定しき
    い値に達するときは前記マーカーの磁束が再生可能なス
    テップ状変化をし、また、前記印加磁場が前記しきい値
    を超えて戻って前記予定選択されたオフセット磁場値に
    向かうときは前記磁束が僅かずつ変化し、さらに、前記
    印加磁場が前記予定選択オフセット磁場値から前記予定
    しきい値に至るまでは前記磁束が実質上変化しないヒス
    テリシス特性を呈するようにさせる加熱段階とを含み、 ｄ） 前記硬性若しくは準硬性組成物を第二磁気状態に
    することにより前記マーカーの非アクティブ化が可能で
    あり、かつ前記硬性若しくは準硬性組成物を第一磁気状
    態に戻すことにより再アクティブ化が可能なものとなる
    ことを特徴とするマーカー製造方法。
  58. 【請求項５８】 請求項５７に記載のマーカー製造方法
    において、前記ＤＣ磁場の印加が、前記硬性若しくは準
    硬性組成物の形成のための前記軟性アモルファス磁性材
    料の加熱と同時にまたは前記加熱の後に行われることを
    特徴とするマーカー製造方法。
  59. 【請求項５９】 請求項５８に記載のマーカー製造方法
    において、前記マーカーが前記ヒステリシス特性を呈す
    るようにさせるための前記加熱段階が前記ＤＣ磁場の前
    記印加の後に起き、かつ前記印加磁場が前記予定選択さ
    れたオフセット磁場値を超えて前記予定しきい値に向か
    うときに前記マーカーが定着状態に留まるドメインウォ
    ールを作成する段階を含むことを特徴とする製造方法。
  60. 【請求項６０】 請求項５９に記載のマーカー製造方法
    において、前記硬性又は準硬性組成物を形成するために
    前記軟性アモルファス磁性材料を加熱する段階が、前記
    軟性アモルファス磁性材料の少なくとも一領域を実質的
    に結晶化させるに十分な時間行われ、その場合前記結晶
    化した領域が前記硬性若しくは準硬性組成物を形成する
    ことを特徴とするマーカー製造方法。
  61. 【請求項６１】 請求項６０に記載のマーカー製造方法
    において、前記軟性アモルファス磁性材料が遷移金属−
    メタロイド組成物を含むことを特徴とするマーカー製造
    方法。
  62. 【請求項６２】 請求項６１に記載のマーカー製造方法
    において、 前記硬性若しくは準硬性組成物を形成するための前記加
    熱が約１５分から約６０分の時間範囲にあり、温度が約
    ３８０℃であり、 前記ヒステリシス特性を呈するようにさせる前記加熱が
    約４００℃で約５分間であり、 ＤＣ磁場の前記印加が、前記アモルファス磁性材料に約
    ６０エルステッドのＤＣ磁場を印加することまたは前記
    アモルファス磁性材料を多重磁石に接触させることの一
    方を含むことを特徴とするマーカー製造方法。
  63. 【請求項６３】 請求項６１に記載のマーカー製造方法
    において、 前記硬性若しくは準硬性組成物を形成するための前記加
    熱が約２分から約１２０分の時間範囲にあり、温度が約
    ３５０℃ないし４５０℃の範囲にあり、 前記マーカーが前記ヒステリシス特性を呈するようにさ
    せる前記加熱が約１分から約５分の時間範囲にあり、温
    度が約４００℃ないし４２０℃の範囲にあることを特徴
    とするマーカー製造方法。
  64. 【請求項６４】 請求項６１に記載のマーカー製造方法
    において、前記軟性アモルファス磁性材料の遷移金属−
    メタロイド組成が実質上、式Ｃｏ３９．５Ｆｅ３９．５
    Ｓｉ２．１ Ｂ１８．９ で与えられることを特徴と
    するマーカー製造方法。
  65. 【請求項６５】 請求項５６に記載のマーカー製造方法
    において、前記軟性アモルファス磁性材料が下記の組成
    物の群、 Ｃｏ９０ Ｚｒ１０ Ｃｏ９０ Ｚｒ８ Ｎｂ２ Ｃｏ９０ Ｚｒ５ Ｎｂ５ から選択されることを特徴とするマーカー製造方法。
  66. 【請求項６６】 請求項５７に記載のマーカー製造方法
    において、 前記マーカーは前記アクティブ状態にあるときは、ウォ
    ールが定着状態にあり、印加磁場値が予定選択されたオ
    フセット磁場値から前記予定しきい値に向かうときも定
    着状態に留まり、前記しきい値で前記ウォールが前記定
    着状態から開放されて磁束の前記再生可能なステップ状
    変化を起こすが、前記印加磁場が前記予定しきい値を超
    えて戻って前記予定選択されたオフセット磁場値に達す
    ると前記ウォールが前記定着状態に戻るドメインを有
    し、 前記マーカーは前記非アクティブ状態にあるときは、ウ
    ォールが前記定着状態をとることを抑止されたドメイン
    を有することを特徴とするマーカー製造方法。
  67. 【請求項６７】 監視領域に印加交番磁場が作られて前
    記磁場に予定の摂動が検出されると警報がアクティブ化
    される電子的物品監視システムに使用するマーカーの製
    造方法であって、前記マーカーが、 ａ） 第一および第二の一体的組成物であって、前記第
    一組成物が軟磁性材料を含み、前記第二組成物が硬若し
    くは準硬磁性材料を含むようにされた、一体的第一およ
    び第二組成物と、 ｂ） 該マーカーがアクティブ状態を有し、その状態に
    おいては、該マーカーが前記印加交番磁場に晒されると
    ヒステリシス特性を表わし、そのヒステリシス特性は、
    前記印加磁場が予定選択オフセット磁場値を通過して予
    定しきい値に達するときは前記マーカーの磁束が再生可
    能なステップ状変化をし、また、前記印加磁場が前記し
    きい値を超えて戻って前記予定選択されたオフセット磁
    場値に向かうときは僅かずつ変化し、さらに、前記印加
    磁場が前記予定選択オフセット磁場値から前記予定しき
    い値に向かうときは実質上変化しないヒステリシス特性
    を呈し、 ｃ） 前記マーカーが非アクティブ状態を有し、その状
    態においては、前記アクティブ状態における前記マーカ
    ーが呈する前記ヒステリシス特性と異なるヒステリシス
    特性を呈し、 ｄ） 前記第二組成物が実質的に非磁化されている状態
    で前記マーカーを前記アクティブ状態にするアクティブ
    化状態と、前記第二組成物が実質的に磁化されている状
    態で前記マーカーを前記非磁化状態にする非アクティブ
    化状態とを前記第二組成物が有し、 ｅ） 前記第二組成物を前記アクティブ化状態から前記
    非アクティブ化状態に変化させることにより、前記マー
    カーを前記アクティブ状態から前記非アクティブ状態に
    変換することができることを特徴とするマーカー製造方
    法。
  68. 【請求項６８】 電子的物品監視システムに使用するマ
    ーカーの製造方法であって ａ） 前記マーカーが形成するもとになる基板材料とし
    て軟性アモルファス磁性材料を選択する段階と、 ｂ） 前記基板材料を約３５０℃ないし約４５０℃の範
    囲内の温度で約２分ないし１２０分間加熱して、前記軟
    性アモルファス磁性材料上に一体的な硬性若しくは準硬
    性結晶質層を形成する段階と、 ｃ） 少なくとも前記結晶質層を長さ方向に実質的に磁
    化すべく十分な強度のＤＣ磁場を印加する段階と ｄ） 前記マーカーを約４００℃ないし４２０℃の温度
    範囲で約１分ないし約５分の時間範囲で加熱することに
    より、前記マーカーがそのアクティブ状態にある状態に
    あり、さらに印加交番磁場に晒されるとヒステリシス特
    性を呈し、そのヒステリシス特性は、前記印加磁場が予
    定選択オフセット磁場値を通過して予定しきい値に達す
    るときは前記マーカーの磁束が再生可能なステップ状変
    化をし、前記印加磁場が前記しきい値を超えて戻って前
    記予定選択されたオフセット磁場値に向かうときは前記
    磁束が僅かずつ変化し、前記印加磁場が前記予定選択オ
    フセット磁場値から前記予定しきい値に向かうときは前
    記磁束が実質上変化しないヒステリシス特性である、加
    熱段階とを含むことを特徴とするマーカー製造方法。
  69. 【請求項６９】 請求項６８に記載のマーカー製造方法
    において、前記予定しきい値が前記結晶質層の保磁力を
    制御することにより決定されることを特徴とするマーカ
    ー製造方法。
  70. 【請求項７０】 請求項６８に記載のマーカー製造方法
    において、前記予定しきい値が前記結晶質層に印加され
    る前記ＤＣ磁場の強度を制御することにより決定される
    ことを特徴とするマーカー製造方法。
JP5176094A 1992-07-02 1993-06-23 非アクティブ化および再アクティブ化可能な磁束ステップ変化を示す磁気マーカー Expired - Lifetime JPH0823591B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/907,600 US5313192A (en) 1992-07-02 1992-07-02 Deactivatable/reactivatable magnetic marker having a step change in magnetic flux
US07/907,600 1992-07-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0694841A JPH0694841A (ja) 1994-04-08
JPH0823591B2 true JPH0823591B2 (ja) 1996-03-06

Family

ID=25424371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5176094A Expired - Lifetime JPH0823591B2 (ja) 1992-07-02 1993-06-23 非アクティブ化および再アクティブ化可能な磁束ステップ変化を示す磁気マーカー

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5313192A (ja)
EP (1) EP0577015B1 (ja)
JP (1) JPH0823591B2 (ja)
AU (1) AU663773B2 (ja)
BR (1) BR9302717A (ja)
CA (1) CA2093938C (ja)
DE (1) DE69324300T2 (ja)
ES (1) ES2132152T3 (ja)
TW (1) TW233342B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000514245A (ja) * 1996-07-01 2000-10-24 センサーマティック・エレクトロニクス・コーポレーション 磁気特性安定のための焼き鈍し磁性要素

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5395460A (en) * 1992-10-16 1995-03-07 Alliedsignal Inc. Harmonic markers made from Fe-Ni based soft magnetic alloys having nanocrystalline structure
US5527399A (en) * 1993-08-30 1996-06-18 The Arnold Engineering Company Magnetic strips and methods for making the same
US5431746A (en) * 1993-08-30 1995-07-11 Sps Technologies, Inc. Method for making thin magnetic strips
ES2099012B1 (es) * 1994-02-15 1998-08-01 Univ Madrid Complutense Etiquetas magneticas activables y/o personalizadas y tecnica de recocidos locales para su obtencion.
US5532598A (en) * 1994-05-25 1996-07-02 Westinghouse Electric Corporation Amorphous metal tagging system for underground structures including elongated particles of amorphous metal embedded in nonmagnetic and nonconductive material
US5469140A (en) * 1994-06-30 1995-11-21 Sensormatic Electronics Corporation Transverse magnetic field annealed amorphous magnetomechanical elements for use in electronic article surveillance system and method of making same
US5786762A (en) * 1994-06-30 1998-07-28 Sensormatic Electronics Corporation Magnetostrictive element for use in a magnetomechanical surveillance system
AU711803B2 (en) * 1994-06-30 1999-10-21 Tyco Fire & Security Gmbh Transverse magnetic field annealed amorphous magnetomechanical elements for use in electronic article surveillance system and method of making same
US5493275A (en) * 1994-08-09 1996-02-20 Sensormatic Electronics Corporation Apparatus for deactivation of electronic article surveillance tags
US5538803A (en) * 1994-11-23 1996-07-23 International Business Machines Corporation Multibit tag using Barkhausen effect
US5602528A (en) * 1995-06-20 1997-02-11 Marian Rubber Products Company, Inc. Theft detection marker and method
US5729201A (en) * 1995-06-29 1998-03-17 International Business Machines Corporation Identification tags using amorphous wire
US7002475B2 (en) * 1997-12-31 2006-02-21 Intermec Ip Corp. Combination radio frequency identification transponder (RFID tag) and magnetic electronic article surveillance (EAS) tag
US5939984A (en) * 1997-12-31 1999-08-17 Intermec Ip Corp. Combination radio frequency transponder (RF Tag) and magnetic electronic article surveillance (EAS) material
US5586657A (en) * 1995-12-22 1996-12-24 Rayovac Corporation Security blister package
JPH09180936A (ja) 1995-12-27 1997-07-11 Unitika Ltd 磁気素子
DE19604746A1 (de) * 1996-02-09 1997-08-14 Esselte Meto Int Gmbh Sicherungselement für die elektronische Artikelsicherung
JPH09232141A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Unitika Ltd 磁気素子
US5716460A (en) * 1996-05-08 1998-02-10 The Arnold Engineering Company Methods for making magnetic strips
US5801630A (en) * 1996-11-08 1998-09-01 Sensormatic Electronics Corporation Article surveillance magnetic marker having an hysteresis loop with large barkhausen discontinuities at a low field threshold level
DE19650610A1 (de) * 1996-12-06 1998-06-10 Meto International Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von elektronischen Sicherungselementen
JP2000505951A (ja) * 1996-12-13 2000-05-16 バクームシュメルツェ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 磁気式盗難防護システムに用いられる表示素子
US5745039A (en) * 1997-02-21 1998-04-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Remote sterilization monitor
DE19740442A1 (de) * 1997-09-15 1999-03-18 Meto International Gmbh Deaktivierbares Sicherungselement für die elektronische Überwachung von Artikeln
DE19740908C1 (de) * 1997-09-17 1999-08-05 Vacuumschmelze Gmbh Anzeigeelement für die Verwendung in einem magnetischen Diebstahlsicherungssystem und Verfahren zur Herstellung eines Aktivierungsstreifens hierfür
US5990791A (en) * 1997-10-22 1999-11-23 William B. Spargur Anti-theft detection system
US5999098A (en) * 1998-02-03 1999-12-07 Sensormatic Electronics Corporation Redistributing magnetic charge in bias element for magnetomechanical EAS marker
US6011472A (en) * 1998-03-06 2000-01-04 The Stanley Works Theft-deterrent tape rule package
US5926095A (en) * 1998-03-18 1999-07-20 Sensormatic Electronics Corporation Transverse field annealing process to form E.A.S. marker having a step change in magnetic flux
US6121878A (en) * 1998-05-01 2000-09-19 Intermec Ip Corp. System for controlling assets
US6154137A (en) * 1998-06-08 2000-11-28 3M Innovative Properties Company Identification tag with enhanced security
GB9906814D0 (en) * 1999-03-24 1999-05-19 Whiley Foils Ltd Security devices
US6472987B1 (en) * 2000-07-14 2002-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Wireless monitoring and identification using spatially inhomogeneous structures
US6732923B2 (en) * 2001-04-04 2004-05-11 Ncr Corporation Radio frequency identification system and method
US6752837B2 (en) 2002-06-28 2004-06-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Security tags with a reversible optical indicator
GB2411794A (en) * 2004-03-05 2005-09-07 A C S Advanced Coding Systems A magnetic tag comprised of a soft magnetic unit and a hard magnetic unit having coercivity higher than 1000oe
US11270182B2 (en) 2005-02-07 2022-03-08 Mynette Technologies, Inc. RFID financial device including mechanical switch
US10650199B2 (en) 2005-02-07 2020-05-12 Steven Michael Colby Passport including metallic fibers
US10956689B2 (en) 2005-02-07 2021-03-23 Mynette Technologies, Inc. Passport including RFID shielding
ES2268964B1 (es) * 2005-04-21 2008-04-16 Micromag 2000, S.L. "etiqueta magnetica activable/desactivable basada en microhilo magnetico y metodo de obtencion de la misma".
US11347949B2 (en) 2005-05-06 2022-05-31 Mynette Technologies, Inc. Cellular device including inductive antenna
ES2317769B1 (es) 2006-12-15 2010-02-03 Micromag 2000, S.L. Etiqueta magnetoacustica basada en micro-hilo magnetico, y metodo de obtencion de la misma.
US20100314277A1 (en) 2009-06-11 2010-12-16 Stanley Black & Decker, Inc. Tape rule anti-theft device and package
EP2845807B1 (en) * 2013-09-04 2018-12-05 Airbus Operations S.L. Method of manufacturing an aircraft element provided with auxiliary material
US10595957B2 (en) * 2015-06-04 2020-03-24 Endomagnetics Ltd Marker materials and forms for magnetic marker localization (MML)
ES2581127B2 (es) 2016-04-13 2017-05-04 Universidad Complutense De Madrid Etiqueta, sistema y método para la detección de objetos a larga distancia

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4980670A (en) 1987-11-04 1990-12-25 Sensormatic Electronics Corporation Deactivatable E.A.S. marker having a step change in magnetic flux

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2988466A (en) * 1957-11-29 1961-06-13 Gen Electric Magnetic material
US4298862A (en) * 1979-04-23 1981-11-03 Allied Chemical Corporation Amorphous antipilferage marker
US4660025A (en) * 1984-11-26 1987-04-21 Sensormatic Electronics Corporation Article surveillance magnetic marker having an hysteresis loop with large Barkhausen discontinuities
US4745401A (en) * 1985-09-09 1988-05-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company RF reactivatable marker for electronic article surveillance system
EP0295085B1 (en) * 1987-06-08 1996-11-06 Esselte Meto International GmbH Article detection and/or recognition using magnetic devices
US4800457A (en) * 1987-09-29 1989-01-24 Carnegie-Mellon University Magnetoresistive sensor element
JP2713711B2 (ja) * 1987-11-17 1998-02-16 日立金属株式会社 防犯センサ用マーカ
DE4007701A1 (de) * 1990-03-10 1991-09-12 Vacuumschmelze Gmbh Deaktivierbarer diebstahlsicherungsstreifen
US5146204A (en) * 1990-03-13 1992-09-08 Knogo Corporation Theft detection apparatus and flattened wire target and method of making same
US5029291A (en) * 1990-04-10 1991-07-02 Knogo Corporation Electromagnetic sensor element and methods and apparatus for making and using same
US5191315A (en) * 1990-12-31 1993-03-02 Pitney Bowes Inc. Deactivatable electronic article surveillance markers using short semi-hard magnetic wires
US5121106A (en) * 1990-12-31 1992-06-09 Pitney Bowes Inc. Electronic article surveillance markers with diagonal deactivation elements

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4980670A (en) 1987-11-04 1990-12-25 Sensormatic Electronics Corporation Deactivatable E.A.S. marker having a step change in magnetic flux

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000514245A (ja) * 1996-07-01 2000-10-24 センサーマティック・エレクトロニクス・コーポレーション 磁気特性安定のための焼き鈍し磁性要素

Also Published As

Publication number Publication date
BR9302717A (pt) 1994-02-01
JPH0694841A (ja) 1994-04-08
TW233342B (ja) 1994-11-01
CA2093938A1 (en) 1994-01-03
EP0577015A1 (en) 1994-01-05
ES2132152T3 (es) 1999-08-16
US5313192A (en) 1994-05-17
DE69324300T2 (de) 1999-11-18
DE69324300D1 (de) 1999-05-12
EP0577015B1 (en) 1999-04-07
CA2093938C (en) 1997-03-04
AU663773B2 (en) 1995-10-19
AU3697593A (en) 1994-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0823591B2 (ja) 非アクティブ化および再アクティブ化可能な磁束ステップ変化を示す磁気マーカー
JPH01150881A (ja) 不作動化可能な磁気マーカー及びその製造方法及びそれを使用した物品監視システム
JPH0887237A (ja) 電子物品監視装置用磁気標識及び製造方法
CA2345814C (en) Iron-rich magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic
US4797658A (en) Article surveillance marker capable of being deactivated by relieving the retained stress therein and method and system for deactivating the marker
JPH06124818A (ja) 半硬磁気要素及び製造方法
JPH0127125B2 (ja)
KR20010032028A (ko) 전자기기 감시용 비결정질 리본 및 마커의 어닐링 방법
US4475962A (en) Annealing method for amorphous magnetic alloy
CA2280143C (en) Active element for magnetomechanical eas marker incorporating particles of bias material
EP1066612B1 (en) Redistributing magnetic charge in bias element for magnetomechanical eas marker
JP4091664B2 (ja) 磁気電子物品監視マーカ、磁気電子物品監視システム、及び磁歪要素形成方法
JP4731641B2 (ja) 磁気特性安定のための焼き鈍し磁性要素
US5926095A (en) Transverse field annealing process to form E.A.S. marker having a step change in magnetic flux
JP2000514502A (ja) 軟磁性体の焼き鈍しと酸化抑制により形成された半硬磁性要素

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term