JPH01150881A - 不作動化可能な磁気マーカー及びその製造方法及びそれを使用した物品監視システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 及曹しと色量 本発明は磁気現象を利用する電子式物品監視システムに
係わり、特にこの種の物品監視システムに使用するマー
カー、方法及び装置に関する。

磁気マーカーを使用して監視中の物品の存在を検出する
電子式物品監視システムはよく知られており、ピカード
（Ｐｉｃａｒｄ）の発明による仏国特許第７６３．６８
１号には、この種の初期のシステムが開示されている。

このピカード（Ｐ　１ｃａｒｄ　）特許の開示によると
、パーマロイの如き低保磁力かつ高透磁率の金属は、交
番磁界を受けると、自身を他の磁性金属から区別するよ
うな高周波を誘導する。

このような特有の高周波を生ずる金属を磁気マーカーと
して使用すれば、このマーカーを取付けた物体を同定す
ることができる。

ピカード（Ｐｉｃａｒｄ）特許以来、既存のマーカーを
改良する試みが色々行われて来た。このような試みは、
従来のものよりも保磁力がもつと低くかつ透磁率が高い
材料を発見することに向けられていた。マーカーによっ
て発生ずる電圧パルスはマーカーの磁性材料のヒステリ
シス特性に依存しているので、保磁力が低くかつ透磁率
が高い材料を使用することによって、印加磁場の値が小
さい場合にも振幅が大きい高次の高周波が得ることがで
きる。

はとんどの研究者は透磁率がより高く保磁力がより小さ
い材料を探すのに腐心していたが、ところがそれまでと
は基本的に異なったアプローチが米国特許第４．６６０
．０２５号で行われた。この゛０２５０２５特許は、「
大きなバルクハウセン不連続性（Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ
　　Ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｉｅｓ　）のヒステリシ
スループを有する物品監視磁気マーカー」を発明の名称
とし本願と同一出願人に譲渡されたもので、高透磁率・
低保磁力材料に依存しない磁気マーカーを開示している
。更に、この特許によるとマーカーの存在に応じて発生
する出力パルスは、磁場の強さが小さい値の最小閾値を
越えていれば、検査磁場の時間的変化率（ｔｔ＋ｅ　ｔ
ｉｍｅ　ｒａｔｅｏｆ　ｃｈａｎｑｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　
１ｎｔｅｒｒｏｑａｔｉｎｑ　ｆｉｅｌｄ　）及び、磁
場の強さに実質的に無関係となる。上記°０２５特許は
、更に磁性材料が応力を保持するように作られたマーカ
ーは、大きなバルクハウゼン不連続性を持つヒステリシ
ス特性を呈することを開示している。従って、マーカー
が小さな閾値を越えた検査磁場中に置かれると、マーカ
ーの磁気分極は再生反転Ｄｅｇｅｎｃｒａｔｉｖｅ　ｒ
ｅｖｅｒｓａｌ　）を受ける。このような磁気分極のい
わゆる［スナップアクション」反転の結果、高次の高周
波に富んだ鋭い電圧パルスが発生ずる。このパルスはこ
れまでのものよりも特異であり検知し易い信号である。

上記°０２５号特許のマーカーは、高周波及びパルス出
力の点で非常に有利であることに加えて、更に種々の方
法によって不作動化できるという利点もある。これらの
不作動化法は、本願と同一出願人に譲渡された、発明の
名称「物品監視方法とそのシステム及び装置」の米国特
許第４．６８６．５１６号に開示されている。詳述する
と、この°５１６号特許には、上記′０２５号特許のマ
ーカーを不作動化する方法としてマーカーのアモルファ
ス材料を結晶化する方法が開示されている。この結晶化
は、レーザー光の如き放射エネルギか又は電流を印加す
ることによって、マーカーの少なくとも一部を結晶化温
度以上に加熱することによって行われる。この種のマー
カーに使用できる別の方法として上記゛５１６号特許に
開示された方法は、マーカーの内部応力を解放する為に
機械的又は放射エネルギを印加することである。これら
の不作動化法のいくつかは、マーカーに非接触で不作動
化できるが、しかし不作動化エネルギを隣接の物品を照
射しないように細心の注意を払わねばならない。

そこで、本発明の主たる目的は、マーカーが印加磁場の
小さい閾値でもって磁束がスナップ動作又はステップ状
に変化すると共に簡単な手段によって無接触で不作動化
可能な、電子式物品監視システム用磁気マーカーを提供
することである。

本発明の別の目的は上述の改良型磁気マーカーを作製す
る方法を提供することである。

本発明の別の目的は上述の改良型磁気マーカーを組込ん
だ電子式物品監視システムを提供することである。

本発明の更に別の目的は、不作動化手段と上述の改良型
磁気マーカーとの両方を組込んだ電子式物品監視システ
ムを提供することである。

１皿五里力 本発明の原理によると、上述した目的及びその他の目的
は、予め選定したヒステリシス特性を有するようにコン
ディショニングされた磁気手段即ち磁性材料からマーカ
ーを構成することによって達成される。具体的に述べる
と、磁気手段の磁束は、この磁気手段に印加された磁場
が実質零から閾値まで増大した時に、再生的ステップ状
変化（ｒｅｇｅｎｅｒａｔｉｖｅ　５ｔｅｐ　ｃｈａｎ
ｏｅ）を呈し、かつ上記磁場が上記閾値から実質零にま
で減少した時に漸進的変化を呈する。磁場の値が上記閾
値未満の時には、上記磁性材料の磁束には実質的に変化
が生じない。

本発明の図示例では、上述の特性は予め選定した特性の
磁区構造を持つようにマーカーの磁性材料をコンディシ
ョニングすることによって達成される。特に、磁性材料
の磁区構造は、印加磁場の大きさが上述の閾値に達する
までは、不変であり、即ち磁壁が拘束状態にある。尚、
この拘束状態は磁性材料の消磁状態若しくは無視可能な
程小さい磁束状態に対応している。上記閾値に達すると
、上記拘束されていた磁壁は拘束状態から解放され、こ
れにより上記磁性材料の磁束の値が再生的ステップ状変
化を呈する。その後に、印加磁場の大きさが上記閾値未
満に低減すると、磁束も、徐々に減少し消磁状態、即ち
無視可能磁束状態になり、磁壁が拘束状態に復帰する。

磁性材料の磁束がステップ状に変化するので、本発明の
マーカーは検知用印加磁場に乱れを誘導し、この乱れは
高次の高周波が多く含まれかつ比較的印加磁場に無関係
であり上記°０２５号特許のマーカーに類似している。

更に、マーカーは、磁束のステップ状変化に依存して磁
場に対して乱れを発生ずるので、ステップ状変化を漸進
的変化に置き代える手段によって不作動化することがで
きる。

本発明の上述の拘束磁壁構成では、上記不作動化は、磁
壁がその拘束状態に復帰したりその拘束状態を持続する
能力を著しく小さくするように第２のコンディショニン
グを行うことによって容易に達成できる。本明細書に開
示した方法によると、このような第２のコンディショニ
ングは、検知用磁場の周波数及び／又は振幅それぞれよ
りも実質的に大きい周波数及び／又は振幅を持つ不作動
化磁場の印加によって達成される。

また、本明細書には、更に上述のマーカーを所望の拘束
磁壁構成にするように作る、即ちコンディショニングす
る方法が開示され、更にマーカーとマーカー用の不作動
化手段とを組込んだ電子式物品監視システム及びその方
法も開季されている。

本発明の上述した特長及びその他の特長は添附図面を参
照した以下の詳細な説明から一層明らかになるであろう
。

註ｊじｄ区画 第１図は、本発明の原理によるタッグ（付札）１を示し
たもので、このタッグ１は基板１１と上層１２とこれら
の間に配設された磁性材料製のマーカー１３とから構成
されている。基板１１の下面に適当な感圧接着剤を塗布
すれば、マーカー１３を監視下の物品に固着することが
できる。マーカー１３を物品に固着する方法としては、
上述の感圧接着剤の代わりに、池の公知の方法を使用で
きることは言うまでもない。

本発明によると、タッグ１の磁気マーカー１３は、予め
選定したヒステリシス特性を呈するようにコンディショ
ニング（条件付け）されている。

更に具体的に述べると、本発明の図示例では、マーカー
が消磁された磁束状態又は無視できる程小さい（即ち無
視可能な）磁束状態にある時に拘束状態の（ｐｉｎｎｅ
ｄ）磁壁を持つ所定の又は予め選定した磁区構造を呈す
るようにマーカーをコンディショニングすることによっ
て、上述の特性を実現している。この磁区ｉ造は成る閾
値までの印加磁場の大きさに対して拘束状態の磁壁によ
って持続され、この閾値になった時に拘束状態の磁壁が
その拘束を解かれ磁区構造が突然変化し、これに応じて
磁束に再生ステップ状変化（ｒｅ！１ｌｅｎｅｒａ−ｔ
ｉｖｅｓｔｅｐ　ｃｈａｎｇｅ）又は遷移が生ずる。印
加磁場の大きさがその後に拘束用（ｐｉｎｎｉｎｇ）閾
値より小さい値（この値になると再び無視可能な磁束、
即ち消磁状態になる）に減少すると、磁区構造は磁区が
再び拘束される平衡状態に復帰する。

第２図Ａ−Ｅは、磁区構造が印加磁場に伴い変化する様
子を説明する為にマーカー１３の磁区構造を単純化して
模式的に示したものである。第３図は、この磁区構ｍの
変化によって生ずる所望のヒステリシス特性を示してい
る。第２図の単純化した磁区構造では、単一の磁壁１３
Ｃが当初マーカー１３の幅方向の中央において、マーカ
ー１３の長手方向に沿って延在して、大きさの等しい磁
区１３ａと１３ｂを形成している。磁区構造は、このよ
うに長い比較的単純な磁壁を有するものが好ましいけれ
ども、これに限らず任意の所望の形状を取り得る。第３
図のヒステリシス特性ら本質的に模式的なものであり、
正確に一定の割合い又は一定の縮尺で描いたものではな
い。

第２図及び第３図から分るように、マーカー１３の初期
の消磁状態（第２図のＡに示した状態）では、マーカー
１３の等しい大きさの磁区１３ａ、１３ｂの磁気分極は
互いに逆向きの第１及び第２方向（以下に夫々「正」方
向及び「負」方向と称する。）であり、これにより磁束
は実質的に無視できる大きさとなっている。印加磁場が
正方向に増加しても、磁区１３ａ、１３ｂを分離してい
る磁壁１３ｃは不変のまま又は拘束されたままであり、
無視可能な磁束状態が第３図のしステリシス特性の部分
ａに示したように持続される。しかし、磁場が正の閾値
子■Ｄに達すると、磁壁１３ｃは突然拘束が解かれ左方
ヘシフトし、これにより正方向分極磁区１３ａが負方向
分極磁区１３ｂよりも大きくなる。この変化によって、
マーカー１３は突然に全体として正の磁気分極となり、
この結果、磁束はステップ状に正に変化する。この変化
は第３図の曲線部分すに示されており、磁束は、印加磁
場＋ＩＩＤにおいてステップ状に遷移し即ちジャンプし
、正の飽和状ｆｉ十Ｂｓの付近の正磁束＋ｅ１１に達す
る。

印加磁場を正の拘束閾値子Ｈｐより小さく減少させると
、磁束も第３図の曲線部ｑに示すように徐々に（即ち、
滑らかな「変圧器状」の特性で）減少して、マーカー１
３の消磁状態に対応する無視可能磁束状態に達する。非
拘束状態の磁壁１３ｃはこの間に、第２図Ｃに示したよ
うに徐々に初期の拘束位置に復帰し、再び拘束され、こ
れによって磁区１３ａ、１３ｂも夫々の初期形状を取る
。

印加磁場の方向が逆になっても、マーカー１３の磁壁１
３ｃは拘束状態のままであり、消磁又は無視可能な磁束
状態が再び第３図の曲線部亘に示したように持続する。

負の拘束閾値−１１ｐに達すると、磁壁１３ｃは突然に
解放され、この時の右方向のシフトによって負方向分極
磁区１３ｂが正方向分極磁区１３ａに比べて大きくなる
（第２図のＤ）。

こうしてマーカーは突然に全体として負方向分極を呈し
、これにより磁束は第３図の曲線部且に示したように負
方向にステップ状に遷移、即ち変化する。こうして、磁
束は負の飽和値−Ｂｓに近い負の値−ＢＥＩを取る。そ
れから、負の磁場が減少すると、磁束が第３図の曲線部
工に沿って徐々に減少して消磁即ち無視可能磁束状態に
達し、マーカー１３の磁壁１３ｃは再度第２図のＥに示
したように拘束された状態に復帰する。

マーカー１３の拘束閾値１−１ｐは、マーカーのコンデ
ィショニングの間に確立されるもので、約１．０エルス
テッド未満が好ましい。マーカー１３の消磁用磁場も約
１．０エルステッド未満が好ましく、更に好ましくは０
．５〜０．８エルステッドの範囲内がよい、この消磁用
磁場の下限値は、地球の磁場がマーカーに影響を及ぼず
のをできるだけ小さくする為に定められ、その上限値は
、印加磁場の駆動が許容限界内となるように定められて
いる。動作をｉ＆適化するには、消磁用磁場を拘束閾値
Ｈｐと等しいか又はそれよりわずかに小さく定めること
が好ましい。

マーカー１３の消磁用磁場は、印加磁場に対抗してマー
カーに生ずる磁場であり、マーカーの長さによって決ま
るものである。マーカー１３用の磁気材料は、マーカー
に適した長さに切断される前には、第５図に示したよう
なヒステリシス特性５１を呈しており、この特性には、
この材料の消磁用磁場が表れていない。ところが、−度
、この材料が有限長に切断されると、ヒステリシス特性
は第６図の曲線６１に示すように傾き、消磁用磁場Ｈ８
Ｈが線６１の延長線と破線６２との交点によって決定さ
れる。上述したマーカー１３の磁区の相対的配置を得る
為に、この後にマーカー材料のコンディショニングを行
えば、実質的に消磁用磁場ＨＤＨは変わらず同一である
が、しステリシス特性が変化した第３図のマーカー特性
が得られる。

マーカー１３の形状を変えることによって、マーカー１
３の消磁用磁場を制御できこれにより上述の磁場値を得
ることができる。マーカーの寸法を長さ５■、幅２間、
厚さ２８μ（ミクロン）に泗定することによって、消磁
用磁場が０，５エルステッドになる。またこれらのマー
カーのコンディショニングによって拘束閾値は実質的に
同一値になる。長さ５．０８ｃｍ　（２インチ）、幅６
゜３５ｍｍ（０，２５インチ）、厚さ２８μのリボンを
用いれば、消磁用磁場及び拘束閾値は上記値の約２倍、
即ち約１．０エルステッドになるものと思われる。こう
して、本発明のマーカーは細長いけれども、従来のタッ
グのマーカーはど長さを極端な値にする必要がなくなる
。

以上の説明かられかるように、本発明のマーカー１３は
、その特異な？ｉｉ１壁特性とヒステリシス特性とによ
って、印加磁場が比較的小さな値、即ち約１．０エルス
テッド未満の値でステップ状の磁束遷移を呈する。この
ステップ状遷移によって、印加磁場に乱れが生じ、これ
により高周波に富んだ鋭い電圧パルスが発生し、上記°
０２５号特許のマーカーで生ずる信号に類似するがそれ
よりももっと特異な検知可能な信号を生ずる。

マーカー１３の磁気材料は第３図のヒステリシス特性を
有するものであれば任意の材料又はそれらの材料の組合
わせたものを使用できる。こうして、この方法を適用す
るならパーマロイの如き結晶質の磁性材料を使用するこ
とができる。同様に、アモルファス磁性材料も使用可能
である。更に、非磁気歪性のアモルファス材料が好まし
いけれどもある種の正の磁気歪性材料も使用可能である
。

以下の組成のアモルファス材料が所望の拘束壁の特性を
呈することが分った。

ＣＯＦ　ｅｓ、ａｓＳｌ　５　Ｂ１５ＭＯ２（Ｗ）７２
．１５ ７５．２　　４．８　　２　１８　　（芥）Ｃｏ　　　
Ｆｅ　　　Ｓｉ　　Ｂ Ｃｏ　　　　Ｆｅ　　　Ｓｔ　　Ｂ１８　　（Ｙ）７４
．２６　　４．７４　　３ ｃｏ　　　Ｆｅ４．７６Ｓ１２Ｂ１９　（Ｚ）７４．２
４ 上記組成（Ｙ）のマーカーは、消磁用磁場が０．３エル
ステッドで、拘束閾値が０．５エルステッドで、飽和磁
場が１．０エルステッドであった。

上で簡単に述べたように、タッグ１のマーカー１３はそ
のコンディショニング法又は作製法によって上述の所望
の磁壁及びしステリシス特性を呈する。第４図はこのコ
ンディショニング法の各工程を示したもので、供給源か
らの磁気マーカー材料は最初に、通常の成形法によって
連結体に成形される。この成形法はマーカーの形状、即
ちマーカーがリボン、ワイヤ、シート、フィルム又はそ
の他の形状等のいずれを取るかによって決定される。

この供給された磁気マーカー材料は通常、局部的歪や欠
陥による偽の磁区構造が存在しないが、もしこの時点で
偽の磁区構造が存在することが分った場合には、この材
料を加熱、即ちダリアニールすれば歪を除くことができ
る。

成形後の上記連続体はマーカー用に所定の長さに切断さ
れる。その後、マーカー全体を更に処理して所望の磁区
相対的配置を作り上げる。この磁区相対配置はその後ア
ニールによってマーカー内に固定され、このアニール後
、マーカーは冷却され工程を終了する。

上述の所望の磁区相対配置を作り上げる工程は、種々の
方法によって行うことができる。このうちの一つの方法
は、マーカーを変化する磁場中に置き、それから磁場を
ゆっくりと減少させるかそれともマーカーをこの磁場か
らゆっくりと取り出して、マーカーを消磁するものであ
る。これにより、マーカー内に消磁された、無視可能な
磁束状態に対応した磁区構造が形成され、この構造はマ
ーカーの形状及び／又は磁場の印加の調整によって、所
望の要件に適合させることができる。磁区構造がこの方
法によって作られた場合には、その後のアニール及び冷
却工程は、実質的に磁場の無い環境の下で行う必要があ
る。この為には、この環境を地球の磁場から遮蔽する必
要があり、この遮蔽が不可能である場合には地球の磁場
を埋め合せる必要がある。

所望の磁区構造を作り上げる別の方法は、マーカーに磁
場をかけ、この磁場とマーカーとを一定の関係に保持し
、この関係をその後のアニール工程と冷却工程の間も保
持することである。従って、この場合には、マーカーと
一郡の磁石とを例えば治具に保持して所望の相対配置を
作ることができる。その後この治具は、磁区相対配置が
リボンに固定されている間に、この磁区相対配置を保つ
ように、アニール装置と冷却装置内に載置させることが
できる。

上述したように、第６図は、マーカー１３の材料が所定
の長さに切断されたがまだ所望の磁区構造への成長前の
状態のマーカー１３のヒステリシス特性を示したもので
、これから分るようにマーカーは磁束にステップ状の遷
移が存在しない正常のヒステリシスを有している。磁区
パターンを作り上げてアニールを行いこのパターンを固
定すると、ヒステリシスは上述のように第３図に示した
ものに変化する。

マーカー１３のコンディショニングにおけるアニール工
程の温度及びその時間は、その特別の条件を決めるファ
クタに依存する。例えば、マーカーを作った時の温度は
３００°Ｃで時間は２０分、３０分及び１時間であり、
また温度が４００°Ｃの時は時間は３０分であった。適
当な温度は２５０〜５００°Ｃの範囲であり、時間は３
０秒〜５分である。もちろん、アニール温度はキューり
温度未満でなければならず、磁性材料がアモルファスの
場合には結晶化温度未満でなければならない。

上述のように、本発明のマーカー１３は、磁場の値が小
さい場合でもその印加磁場に比較的無関係に高次の高周
波を発生するという利点に加えて、更にマーカーに物理
的に接触することなく、容易に不作動化できる利点を有
する。本発明によると、この不作動化は、マーカーヒス
テリシス特性のステップ状磁束遷移を漸次変化に変える
手段にマーカー１３をさらすことによって達成できる０
本発明の図示例では、これは、印加磁場が減少して消磁
された無視可能磁束状態になった時にマーカーの磁壁が
拘束平衡状態に復帰するのを妨げる手段によって達成さ
れる。また本発明によると、不作動化は、単に以下の方
法によって達成することが好ましい。即ち、消磁磁場の
大きさ及び／又は周波数を磁区相対配置を粉砕できる値
に選定し、この消磁用磁場をマーカーに印加して磁壁を
拘束状態にならないようにすることによって達成するこ
とができる。

マーカー１３を不作動化するのに必要な磁場の特定の周
波数及び／又は振幅は、アニールの条件の場合のように
、各状況に伴うファクタに依存する。しかしながら、最
少の不作動化周波数及び／又は振幅は、マーカーを不作
動化することなく監視を可能とする磁場の周波数及び／
又は振幅よりも少なくとも充分に大きく定めるべきであ
る。上述した例のマーカーの場合（即ち、消磁用磁場が
０．３エルステッドである組成（Ｙ）のマーカーの場合
）、１０エルステッドの不作動化磁場はリボンを不作動
するのに充分な大きさであることが判明した。また、組
成が上述の組成（Ｚ）であり、周波数１０Ｈ２の監視磁
場で作動するマーカーの場合には、３．０エルステッド
で周波数ｌＫＨ２の印加磁場でもって不作動化すること
ができた。不作動化磁場の振幅及び／又は周波数を、監
視磁場の振幅及び周波数よりも少なくとも大きく定める
ことによって適正な動作が保証される。

上述の高周波又は高振幅の磁場をマーカー１３に印加す
ると、マーカーは短時間で磁気極性を反転する。この為
に、マーカーの磁壁は、強制的に粉砕され、もっと多く
の磁壁が発生し反転が一層急速に行われる。こうして初
期の磁壁相対配置が壊される。この結果、第３図におい
て旦及び工が消磁された又は無視可能な磁束状態に達し
た時の特性位置に対応した磁束状態の磁壁相対的配置は
、もはや初期にマーカーにアニールされた相対的配置に
マツチしなくなる。従って、磁壁は、拘束状態でなくな
り、この結果ヒステリシス特性は、拘束された磁壁相対
的配置の成長前の特性、即ち第６図に示した特性に似た
ものとなる。従って、マーカーは、もはや高次の高周波
に富んだ応答性を呈すことなく通常の磁性材料片のよう
に作用するようになる。

第７図は、不作動化ユニットを具備した物品監視システ
ムのタッグ１の使用法を示したもので、システム５１は
破線で囲んだ監視領域５２、例えば店の出口領域を有す
る。タッグＩＡは本発明のタッグ１と類似した属性を有
するもので、領域５２内の物品に取付けられている。こ
のシステムの送信機部は、周波数発生器５３を有し、こ
の発生器５３の出力は電力増幅器５４に送られ、この増
幅器５４の出力は磁場発生用コイル５５に送られる。こ
のコイルは監視領域５２内に所望の周波数と振幅の交番
磁場を作る。もちろん、この磁場の振幅は、コイルの寸
法や監視領域の大きさなどのシステム・パラメータに依
存して変化するが、領域５２内のタッグがいかなる条件
でも上述の拘束閾値を越えた磁場内に存在するように、
最低磁場を上回っていることが必要である。この典型的
な最低磁場は約１．２エルステッドである。

本システムの受信部は磁場受信コイル５６を有し、この
コイル５６の出力は受信器５７に印加される。この受信
器５７は、タッグＩＡから発生し、規定された範囲でコ
イル５６から受けた信号中の高周波を検出し、この検出
によりトリガー信号を警告ユニット５８に送り、これを
警告作動させる。

監視領域５２内には磁場のレベルがタッグを不作動化す
るのに充分な位置（例えば、発生コイル５５に掻く接近
した位置）が存在するので、システム５１の受信器部の
応答時間は、マーカーＩＡがこのような位置に達する前
にこのタッグＩＡを素早く検出できるように定めるべき
である。この為には、本システム５１の送信部は、この
監視領域５２で不作動化を行わないように磁場を低減す
ることができる。またこの代わりに、タッグＩＡの不作
動化がタッグの検出後に起こるように本システムを初期
の磁場レベルに保持するようにしてもよい。

本発明のタッグ１に類似した属性を有する第２のタッグ
ＩＢは、監視領域５２の外に位置する物品に付着されて
いるので、この領域の監視磁場の作用を受けない。店の
代金支払所にはタッグ不作動化ユニット５つが設置され
ており、タッグＩＢは、この不作動化ユニット５９の通
路を通過することによって不作動化される。即ちタッグ
ＩＢはこの通路を通過すると、不作動化済のタッグＩＣ
になり、この不作動化済タッグＩＣは、警告ユニット５
８を起動することなく監視領域５２を自由に通過するこ
とができる。

以上の説明から明らかなように、不作動化ユニット５つ
は、タッグＩＢの磁区相対的配置の拘束状態を無力化し
て不作動化済タッグ１ｃに変えるのに充分な周波数及び
／又は振幅の磁場を発生する磁場発生器によって構成す
ることができる。

磁気マーカー１３は種々の形状及び形態を取ることがで
きるので、リボン状、ワイヤ状、フィルム状その他の形
状にすることが可能である。

上に簡単に述べたように、本発明のマーカー１３は従来
のマーカーよりも長さを短くすることができると共に出
力信号を大きくできる。更に、監視システムのパラメー
タや環境が種々変化してもマーカーの寸法及び形状を変
えることによってそれに適合するこができる。上述の利
点及び、マーカーを無接触で容易に不作動化できる利点
があるので、製品の値札への使用を含め、種々の分野に
使用することができる。

上述した装置は、本発明の適用例を示す種々の実施例を
単に「・“示したものであり、本発明の原理によれば、
発明の精神及び範囲から逸脱することなく、多くの変形
例を容易に推考することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の原理に従った磁気マーカーを組込ん
だタッグを示している。 第２図は、印加磁場をいろいろな値に変えた時の第１図
のマーカーの磁区相対配置を単純化して示したものであ
る。 第３図は、第１図のマーカーのヒステリシス特性を示し
たものである。 第４図は、第１図のマーカーを製造する工程を示したも
のである。 第５図は、第１図のマーカーを作るのに使用される磁性
材料連続体のヒステリシス特性を示したものである。 第６図は、上記磁性材料連続体を第１図のマーカーに適
した長さに切断した後であって、本発明による方法でコ
ンディショニングを行う前の状態の第５図の磁性材料の
ヒステリシス特性を示したものである。 第７図は、不作動化ユニットを具備しがっ第１図のマー
カーを組込んだ電子式物品監視システムを示したもので
ある。 ［主要部分の符号の説明］ １・・・タッグ。 １１・・・基板。 １２・・・上層。 １３・・・マーカー。 １３ａ、１３ｂ−・−磁区。 １３ｃ・・・磁壁。 ＦＩＧ、２ Ｄ　　　　　　　　　　　Ｅ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、監視領域に検出用交番磁場を発生させ、この磁場に
   対する所定の乱れを検出した時に警告を発する物品監視
   システムに使用されるマーカーであつて、このマーカー
   は磁気手段を具備し、この磁気手段は磁束がステップ状
   に変化するヒステリシス特性を有し、上記磁気手段が交
   番磁場内に位置すると、上記磁気手段の磁束は、上記磁
   場が実質的零から或る閾値まで増大した時にこの閾値で
   再生的ステップ状に変化し、上記磁場が上記閾値から実
   質的零に減少する時には徐々に変化し、更に上記磁束は
   磁場の値が上記閾値未満の間で増加しても実質的に変化
   しないことを特徴とするマーカー。 ２、上記磁束の再生的ステップ状変化は、上記マーカー
   か所定値よりも大きい振幅の印加磁場を受けた後では漸
   進的変化になることを特徴とする請求項１記載のマーカ
   ー。 ３、上記磁束の再生的ステップ状変化は、上記マーカー
   か所定値よりも大きい周波数の印加磁場を受けた後では
   漸進的変化になることを特徴とする請求項１記載のマー
   カー。 ４、上記磁気手段の上記ヒステリシス特性は、Ａ）印加
   磁場の第１方向の値が上記閾値に達するまでの間は磁束
   が無視可能な程小さな値となり、Ｂ）上記印加磁場の第
   １方向値が上記閾値に等しくなると、磁束がステップ状
   遷移の為に変化し、Ｃ）上記印加磁場の第１方向値が上
   記閾値に等しい磁場値未満で減少すると、磁束が徐々に
   減少し上記無視可能な値になり、 Ｄ）上記第１方向と逆方向の印加磁場の第２方向値が上
   記閾値に達するまでの間は、磁束が上記無視可能な値と
   なり、 Ｅ）上記印加磁場の第２方向値が上記閾値に等しくなる
   と、磁束がステップ遷移の為に第２方向に変化し、 Ｆ）上記印加磁場の第２方向値が上記閾値に等しい値未
   満で減少すると、磁束が徐々に減少し上記無視可能な値
   になることを特徴とする請求項１記載のマーカー。 ５、上記磁気手段が無視可能な磁束状態に対応する実質
   的消磁状態にあるとき、上記磁気手段の磁区は、その磁
   壁の相対的配置が拘束状態であり、かつ印加磁場の大き
   さが増大し、上記閾値に達するまでの間は、拘束状態に
   保持され、この閾値に達すると、上記磁壁の相対配置が
   上記拘束状態から解放され、これにより磁束が上記再生
   的ステップ状に変化し、印加磁場の大きさが上記閾値未
   満に減少して上記消磁状態をもたらす値に達すると、上
   記磁壁相対配置が上記拘束状態に復帰し、これにより上
   記磁束が徐々に減少し上記無視可能な値に達することを
   特徴とする請求項１記載のマーカー。 ６、上記磁気手段の上記磁壁相対配置は、上記磁気手段
   が或る周波数よりも大きい周波数の印加磁場内に置かれ
   た時に上記拘束状態に復帰することができなくなること
   を特徴とする請求項５記載のマーカー。 ７、上記磁気手段の上記磁壁相対配置は、上記磁気手段
   が或る振幅よりも大きい振幅の印加磁場内に置かれた時
   に上記拘束状態に復帰することができなくなることを特
   徴とする請求項５記載のマーカー。 ８、上記磁区の上記磁壁相対配置は、磁壁が上記磁気手
   段の幅方向の中央において上記磁気手段の長手方向に延
   在していることを特徴とする請求項５記載のマーカー。 ９、上記拘束状態にある上記磁壁相対配置の磁区は、ア
   ニールによつて上記磁気手段内に生ずることを特徴とす
   る請求項５記載のマーカー。 １０、上記アニールは温度２５０〜５００℃で、時間３
   ０秒〜５分間行われることを特徴とする請求項９記載の
   マーカー。 １１、検知領域内に検知用交番磁場を発生する手段と、
   上記検知用磁場に上記マーカーによって生じた乱れを検
   出し警告作動する手段とに組合わせられて使用されるこ
   とを特徴とする請求項５記載のマーカー。 １２、上記磁壁相対配置が拘束状態に復帰不可能にする
   ことによつて上記マーカーを不作動化する手段と組合わ
   せて使用されることを特徴とする請求項１１記載のマー
   カー。 １３、上記不作動化手段は不作動化磁場を上記マーカー
   に印加する手段を含むことを特徴とする請求項１２記載
   のマーカー。 １４、上記不作動化磁場の振幅は上記検知用磁場の振幅
   に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項１
   ３記載のマーカー。 １５、上記不作動化磁場の周波数は上記検知用磁場の周
   波数に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求
   項１３記載のマーカー。 １６、上記磁気手段の消磁用磁場は上記閾値に等しいか
   、それよりもわずかに小さいことを特徴とする請求項１
   記載のマーカー。 １７、上記消磁用磁場は０．５〜０．８エルステッドの
   範囲内であることを特徴とする請求項１６記載のマーカ
   ー。 １８、上記磁気手段はアモルファス磁性材料を含むこと
   を特徴とする請求項１記載のマーカー。 １９、上記磁性材料は非磁歪性であることを特徴とする
   請求項１８記載のマーカー。 ２０、上記磁性材料の組成はＣｏ７４．２６Ｆｅ４．７
   ４Ｓｉ３Ｂ１８であることを特徴とする請求項１８記載
   のマーカー。 ２１、上記磁性材料の組成はＣｏ７４．２４Ｆｅ４．７
   ６Ｓｉ２Ｂ１９であることを特徴とする請求項１８記載
   のマーカー。 ２２、上記磁性材料の組成はＣｏ７５．２Ｆｅ４．８Ｓ
   ｉ２Ｂ１８であることを特徴とする請求項１８記載のマ
   ーカー。 ２３、上記磁性材料の組成はＣｏ７２．１５Ｆｅ５．８
   ５Ｓｉ５Ｂ１５Ｍｏ２であることを特徴とする請求項１
   ８記載のマーカー。 ２４、上記閾値は約１．０エルステッド未満であること
   を特徴とする請求項１記載のマーカー。 ２５、上記閾値は０．５〜１．０エルステッドの範囲内
   であることを特徴とする請求項２４記載のマーカー。 ２６、上記マーカーの形状はリボン、ワイヤ、フィルム
   又はシート状のいずれかであることを特徴とする請求項
   １記載のマーカー。 ２７、検知領域内に検知用交番磁場を発生する手段と、
   上記検知用磁場に上記マーカーによって生じた乱れを検
   出し警告作動する手段とに組合わせられて使用されるこ
   とを特徴とする請求項１記載のマーカー。 ２８、磁束のステップ状変化を磁束の漸進的変化にする
   ことによって上記マーカーを不作動化する手段と組合わ
   せて使用することを特徴とする請求項２７記載のマーカ
   ー。 ２９、上記不作動化手段は不作動化磁場を上記マーカー
   に印加する手段を含むことを特徴とする請求項２８記載
   のマーカー。 ３０、上記不作動化磁場の振幅は上記検知用磁場の振幅
   に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項２
   ９記載のマーカー。 ３１、上記不作動化磁場の周波数は上記検知用磁場の周
   波数に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求
   項２９記載のマーカー。 ３２、上記マーカーを物品に取付ける手段を具備するこ
   とを特徴とする請求項１記載のマーカー。 ３３、物品監視システムに使用され磁気手段から成るマ
   ーカーを製造する方法であつて、 磁壁相対配置を持つ磁区を上記磁気手段に作り出すステ
   ップと、 印加磁場の値が閾値未満の場合に上記磁区の磁壁相対配
   置が拘束状態に保持されるように上記磁気手段をアニー
   ルするステップと、 を具備することを特徴とする方法。 ３４、上記作り出しステップは上記磁気手段を消磁化す
   るステップを含み、 上記アニールステップは正味の磁場が実質的に零に等し
   い環境で行われることを特徴とする請求項３３記載の方
   法。 ３５、上記作り出しステップは、磁場を上記磁気手段に
   印加し上記磁気手段と上記印加磁場との関係を固定する
   ステップを含み、 上記アニールステップは、上記磁気手段と上記印加磁場
   とが上記固定された関係に保たれている間に行われるこ
   とを特徴とする請求項３３記載の方法。 ３６、上記磁壁相対配置は、上記磁気手段が無視可能磁
   束に対応する実質的消磁状態にある時に拘束状態であり
   、かつ印加磁場の大きさが増大して閾値に達するまでの
   間拘束状態に保持され、この印加磁場が閾値に達した時
   に上記磁壁相対配置が上記拘束状態から解放され、これ
   により磁束に再生的ステップ状変化が生じ、印加磁場の
   大きさが上記閾値未満に減少して、上記消磁状態の値に
   まで達した際に、上記磁壁相対配置が上記拘束状態に復
   帰し、これにより上記磁束が徐々に上記無視可能な値に
   まで減少することを特徴とする請求項３３記載の方法。 ３７、上記アニールは２５０〜５００℃の温度で３０秒
   〜５分間にわたって行われるこを特徴とする請求項３６
   記載の方法。 ３８、検知領域内の物品の存在を検出する方法において
   、 或る閾値を越える検知用交番磁場を上記検知領域に発生
   するステップと、 磁気手段を含むマーカーを上記物品に固着するステップ
   と、 上記マーカーが上記検知領域に存在する時にこの検知領
   域内に生ずる上記検知用磁場の乱れを検出するステップ
   と、 を具備し、上記磁気手段は磁束がステップ状に変化する
   ヒステリシス特性を有し、上記磁気手段に交番磁場を印
   加すると、上記磁気手段の磁束は、上記磁場が実質的零
   から或る閾値にまで増大した時にこの閾値で再生的ステ
   ップ状に変化し、上記磁場が上記閾値から実質的零に減
   少した時には徐々に変化し、更に上記磁束は磁場の値が
   上記閾値未満の間で増加しても実質的に変化しないこと
   を特徴とする方法。 ３９、上記磁束のステップ状変化を漸進的変化にしてこ
   れにより上記マーカーを不作動化ステップを更に具備す
   ることを特徴とする請求項３８記載の方法。 ４０、上記不作動化ステップは不作動化磁場を上記マー
   カーに印加するステップを含むことを特徴とする請求項
   ３９記載の方法。 ４１、上記不作動化磁場の振幅は、上記検知用磁場の振
   幅に等しいか、それよりも大きいことを特徴とする請求
   項４０記載の方法。 ４２、上記不作動化磁場の周波数は、上記検知用磁場の
   周波数に等しいか、それよりも大きいことを特徴とする
   請求項４０記載の方法。 ４３、上記磁気手段が無視可能な磁束状態に対応する実
   質消磁状態にあるとき、上記磁手段の磁区は、その磁壁
   の相対的配置が拘束状態であり、かつ印加磁場の大きさ
   が増大し上記閾値に達するまでの間は拘束状態に保持さ
   れ、この閾値に達すると、上記磁壁の相対配置が上記拘
   束状態から解放され、これにより磁束が再生的ステップ
   状に変化し、印加磁場の大きさが上記閾値未満に減少し
   て上記消磁状態をもたらす値に達すると、上記磁壁相対
   配置が上記拘束状態に復帰し、これにより上記磁束が徐
   々に減少し上記無視可能な値に達することを特徴とする
   請求項３８記載の方法、４４、上記磁気手段の磁区の磁
   壁相対配置がその拘束状態に復帰することを不可能にし
   て、上記マーカーを不作動化するステップを更に具備す
   ることを特徴とする請求項４３記載の方法。 ４５、上記不可能ステップは不作動化磁場を上記マーカ
   ーに印加するステップを含むことを特徴とする請求項４
   ４記載の方法。 ４６、上記不作動化磁場の周波数は上記検知用磁場の周
   波数に等しいかそれよりも大きく、かつ上記拘束状態へ
   の復帰を不可能化するように定められていることを特徴
   とする請求項４５記載の方法。 ４７、上記不作動化磁場の振幅は上記検知用磁場の振幅
   に等しいかそれよりも大きく、かつ上記拘束状態への復
   帰を不可能化するように定められていることを特徴とす
   る請求項４５記載の方法。 ４８、検知領域内の物品の存在を検出するシステムにお
   いて、 或る閾値を越える検知用交番磁場を上記検知領域に発生
   する手段と、 磁気手段を含み、物品に固着されたマーカーと、上記マ
   ーカーが上記検知領域に存在する時に、この検知領域内
   の上記検知用磁場に対する乱れを検出する手段と、 を具備し、上記磁気手段は磁束がステップ状に変化する
   ヒステリシス特性を有し、上記磁気手段に交番磁場を印
   加すると、上記磁気手段の磁束は、上記磁場が実質的零
   から或る閾値にまで増大した時にこの閾値で再生的ステ
   ップ状に変化し、上記磁場が上記閾値から実質的零に減
   少した時には徐々に変化し、更に上記磁束は磁場の値が
   上記閾値未満の間で増加しても実質的に変化しないこと
   を特徴とするシステム。 ４９、上記磁束のステップ状変化を漸進的変化にしてこ
   れにより上記マーカーを不作動化する不作動化手段を更
   に具備することを特徴とする請求項４８記載のシステム
   。 ５０、上記不作動化手段は不作動化磁場を上記マーカー
   に印加する手段を含むことを特徴とする請求項４９記載
   のシステム。 ５１、上記不作動化磁場の振幅は上記検知用磁場の振幅
   に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項５
   ０記載のシステム。 ５２、上記不作動化磁場の周波数は上記検知用磁場の周
   波数に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求
   項５０記載のシステム。 ５３、上記磁気手段が無視可能な磁束状態に対応する実
   質消磁状態にあるとき、上記磁気手段の磁区は、その磁
   壁の相対的配置が拘束状態であり、かつ印加磁場の大き
   さが増大し上記閾値に達するまでの間は、拘束状態に保
   持され、この閾値に達すると、上記磁壁の相対配置が上
   記拘束状態から解放され、これにより磁束が再生的ステ
   ップ状に変化し、印加磁場の大きさが上記閾値未満に減
   少して上記消磁状態をもたらす値に達すると、上記磁壁
   相対配置が上記拘束状態に復帰し、これにより上記磁束
   が徐々に減少し上記無視可能な値に達することを特徴と
   する請求項４８記載のシステム。 ５４、上記磁気手段の磁区の磁壁相対配置がその拘束状
   態に復帰することを不可能にして上記マーカーを不作動
   化する不可能手段を更に具備することを特徴とする請求
   項５３記載のシステム。 ５５、上記不可能手段は不作動化磁場を上記マーカーに
   印加する手段を含むことを特徴とする請求項５４記載の
   システム。 ５６、上記不作動化磁場の周波数は上記検知用磁場の周
   波数に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求
   項５５記載のシステム。 ５７、上記不作動化磁場の振幅は上記検知用磁場の振幅
   に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項５
   ５記載のシステム。 ５８、不作動化処理を受けない場合には磁壁相対配置に
   よって、検知用交番磁場に応答して物品監視システムに
   警告出力を発生させる特性を呈するように磁壁が相対配
   置された磁区を有する磁性材料を含む物品監視マーカー
   を不作動化する方法であって、上記磁区の上記磁壁相対
   配置の特性を無力化することを特徴とする方法。 ５９、上記不可能ステップは不作動化磁場を上記マーカ
   ーに印加するステップを含むことを特徴とする請求項５
   ８記載の方法。 ６０、上記不作動化磁場の周波数は上記検知用磁場の周
   波数に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求
   項５９記載の方法。 ６１、上記不作動化磁場の振幅は上記検知用磁場の振幅
   に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項５
   ９記載の方法。 ６２、上記磁区の上記磁壁相対配置の特性によると上記
   磁性材料が無視可能な程小さな磁束に対応する実質消磁
   状態にある時に上記磁壁の相対的配置が拘束状態であり
   、かつ印加磁場の大きさが増大し閾値に達するまでの間
   は拘束状態に保持され、この閾値に達すると、上記磁壁
   の相対配置が上記拘束状態から解放され、これにより磁
   束が再生的ステップ状に変化し、印加磁場の大きさが上
   記閾値未満に減少して上記消磁状態をもたらす値に達す
   ると、上記磁壁相対配置が上記拘束状態に復帰し、これ
   により上記磁束が徐々に減少し上記無視可能な値に達す
   ることを特徴とする請求項５８記載の方法。 ６３、監視領域に検出用交番磁場を発生させ、この磁場
   に対する所定の乱れを検出した時に警告を発する物品監
   視システムに使用するマーカーであつて、このマーカー
   は磁気手段を具備し、上記磁気手段が無視可能な磁束状
   態に対応する実質消磁状態にあるとき、上記磁気手段の
   磁区は、その磁壁相対配置が拘束状態であり、かつ印加
   磁場の大きさが増大し閾値に達するまでの間は拘束状態
   に保持され、この閾値に達すると上記磁壁相対配置が上
   記拘束状態から解放され、これにより磁束が再生的ステ
   ップ状に変化し、印加磁場の大きさが上記閾値未満に減
   少して上記消磁状態をもたらす値に達すると上記磁壁相
   対配置が上記拘束状態に復帰し、これにより上記磁束が
   徐々に減少し上記無視可能な値に達することを特徴とす
   るマーカー。 ６４、上記磁区の上記磁壁相対配置は、上記磁気手段が
   所定の周波数を越えた周波数の印加磁場を受けた後には
   、拘束状態に復帰することができないことを特徴とする
   請求項６３記載のマーカー。 ６５、上記磁区の上記磁壁相対配置は、上記磁気手段が
   或る振幅値を越えた振幅の印加磁場を受けた後には、拘
   束状態に復帰することができないことを特徴とする請求
   項６３記載のマーカー。 ６６、上記磁気手段の消磁用磁場は上記閾値に等しいか
   、それよりもわずかに小さいことを特徴とする請求項６
   ３記載のマーカー。 ６７、上記消磁用磁場は０．５〜０．８エルステッドの
   範囲内であることを特徴とする請求項６６記載のマーカ
   ー。 ６８、上記閾値は約１．０エルステッド未満であること
   を特徴とする請求項６３記載のマーカー。 ６９、上記閾値は０．５〜１．０エルステッドの範囲内
   であることを特徴とする請求項６８記載のマーカー。