JPH0887237A - 電子物品監視装置用磁気標識及び製造方法 - Google Patents
電子物品監視装置用磁気標識及び製造方法Info
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- JPH0887237A JPH0887237A JP12305595A JP12305595A JPH0887237A JP H0887237 A JPH0887237 A JP H0887237A JP 12305595 A JP12305595 A JP 12305595A JP 12305595 A JP12305595 A JP 12305595A JP H0887237 A JPH0887237 A JP H0887237A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱処理されると同時に横断飽和磁場を適用さ
れた無定形磁気合金製のリボン状ストリップを提供す
る。 【構成】 処理されたスルリップは、パルス尋問電子物
品監視システム用の標識内で用いられる。ストリップ用
材料は、鉄、コバルト、ケイ素、ホウ素から成り、コバ
ルトの原子百分率割合は30％を越える。
れた無定形磁気合金製のリボン状ストリップを提供す
る。 【構成】 処理されたスルリップは、パルス尋問電子物
品監視システム用の標識内で用いられる。ストリップ用
材料は、鉄、コバルト、ケイ素、ホウ素から成り、コバ
ルトの原子百分率割合は30％を越える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子物品監視（EAS)シ
ステムに関し、特に同システム内で用いられる磁気機械
（回転磁気）標識及びその製法に関する。
ステムに関し、特に同システム内で用いられる磁気機械
（回転磁気）標識及びその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】小売店から商品が盗まれるのを防止又は
妨げるために電子物品監視システムを設けることは良く
知られている。典型的なシステムでは、商店出口に置か
れた電磁場又は磁場と相互作用するようにされた標識が
商品に固定される。もし標識が当該場又は「尋問（質
問）区域」内にもたらされると標識の存在が検波（検
出）されて警報が発生される。この種の標識の中には商
品に対する支払い時に勘定台で取外すことを意図してい
るものもある。他の種類の標識は勘定時に不活性化（解
除）装置により不活性化される。同装置は標識の電磁気
又は磁気特性を変化させて標識がもはや尋問区域で検出
されないようにする。
妨げるために電子物品監視システムを設けることは良く
知られている。典型的なシステムでは、商店出口に置か
れた電磁場又は磁場と相互作用するようにされた標識が
商品に固定される。もし標識が当該場又は「尋問（質
問）区域」内にもたらされると標識の存在が検波（検
出）されて警報が発生される。この種の標識の中には商
品に対する支払い時に勘定台で取外すことを意図してい
るものもある。他の種類の標識は勘定時に不活性化（解
除）装置により不活性化される。同装置は標識の電磁気
又は磁気特性を変化させて標識がもはや尋問区域で検出
されないようにする。
【０００３】磁気EASシステムの１種は調波システムと
呼ばれる。何故ならば選ばれた周波数を有する電磁場を
通過する磁気材料が場を乱して、選択周波数の調波摂動
を生じさせるからである。検出システムは一定の調波周
波数を識別するように同調され、もしそれがあれば警報
を鳴らす。発生された調波周波数は磁気材料のヒステリ
シスループの非直線性の度合いの関数である。
呼ばれる。何故ならば選ばれた周波数を有する電磁場を
通過する磁気材料が場を乱して、選択周波数の調波摂動
を生じさせるからである。検出システムは一定の調波周
波数を識別するように同調され、もしそれがあれば警報
を鳴らす。発生された調波周波数は磁気材料のヒステリ
シスループの非直線性の度合いの関数である。
【０００４】他の種類のEASシステムは、磁歪要素を含
む磁気機械標識を用いる。例えば、Anderson他に対する
米国特許第4,510,489は、ある長さのリボン形状の無定
形磁歪材料で形成された標識を開示し、同材料はバイア
ス磁気要素に近接する細長いハウジング内に含まれる。
磁歪要素は、バイアス要素が一定のレベルまで磁化され
たときに先決の周波数で共鳴するように造られる。尋問
区域において適切な発振器が先決の周波数で交流磁場を
提供し、バイアス要素が一定のレベルまで磁化されたと
きに磁場にさらされるとこの周波数で機械的に共鳴す
る。
む磁気機械標識を用いる。例えば、Anderson他に対する
米国特許第4,510,489は、ある長さのリボン形状の無定
形磁歪材料で形成された標識を開示し、同材料はバイア
ス磁気要素に近接する細長いハウジング内に含まれる。
磁歪要素は、バイアス要素が一定のレベルまで磁化され
たときに先決の周波数で共鳴するように造られる。尋問
区域において適切な発振器が先決の周波数で交流磁場を
提供し、バイアス要素が一定のレベルまで磁化されたと
きに磁場にさらされるとこの周波数で機械的に共鳴す
る。
【０００５】Anderson特許で開示された技術によれば、
標識は磁気共鳴周波数に加えて「反共鳴周波数」を有
し、同周波数では磁気機械結合から結果的に生じる蓄積
された機械エネルギは殆ど零である。尋問区域で磁場を
提供する尋問回路は、標識の共鳴及び非共鳴周波数を含
む周波数範囲を通して掃引される。尋問区域には受信回
路が設けられ、共鳴周波数で発生する発信されたピーク
（尖頭）エネルギレベル及び反共鳴周波数で谷レベルを
検波することにより標識特有の特徴を検出するようにす
る。
標識は磁気共鳴周波数に加えて「反共鳴周波数」を有
し、同周波数では磁気機械結合から結果的に生じる蓄積
された機械エネルギは殆ど零である。尋問区域で磁場を
提供する尋問回路は、標識の共鳴及び非共鳴周波数を含
む周波数範囲を通して掃引される。尋問区域には受信回
路が設けられ、共鳴周波数で発生する発信されたピーク
（尖頭）エネルギレベル及び反共鳴周波数で谷レベルを
検波することにより標識特有の特徴を検出するようにす
る。
【０００６】同様にAnderson他は、標識の共鳴及び非共
鳴周波数間の周波数の差に関する磁気機械結合係数kを
増大させるために、数百エルステッドの飽和横断磁場の
存在の下で約300乃至450℃の温度範囲において磁歪要素
を7乃至120 min.に亘り焼鈍することを提案している。A
nderson他によれば、より大きな結合係数kは標識特有の
特徴である検波能力を増加させる。
鳴周波数間の周波数の差に関する磁気機械結合係数kを
増大させるために、数百エルステッドの飽和横断磁場の
存在の下で約300乃至450℃の温度範囲において磁歪要素
を7乃至120 min.に亘り焼鈍することを提案している。A
nderson他によれば、より大きな結合係数kは標識特有の
特徴である検波能力を増加させる。
【０００７】Anderson他により提案された別の監視装置
では、磁歪標識は掃引されるよりはむしろ標識の共鳴周
波数のままで止まる尋問周波数で用いられる。この周波
数における尋問場はパルス又はバーストの形で提供され
る。尋問場に存在する標識は各バーストにより励起さ
れ、各バーストが終わった後標識の機械的発振が減衰さ
れる。結果的に標識により放射される信号は、尋問回路
と同期すると共にバースト後の静止期間中に活性化（作
動化）するようにされた検波回路により検出される。こ
のパルス場型EASシステムは、本出願の譲受者により“U
ltra*Max”の商標名で販売され、広く用いられている。
では、磁歪標識は掃引されるよりはむしろ標識の共鳴周
波数のままで止まる尋問周波数で用いられる。この周波
数における尋問場はパルス又はバーストの形で提供され
る。尋問場に存在する標識は各バーストにより励起さ
れ、各バーストが終わった後標識の機械的発振が減衰さ
れる。結果的に標識により放射される信号は、尋問回路
と同期すると共にバースト後の静止期間中に活性化（作
動化）するようにされた検波回路により検出される。こ
のパルス場型EASシステムは、本出願の譲受者により“U
ltra*Max”の商標名で販売され、広く用いられている。
【０００８】パルス尋問システムで用いられる標識にと
って、各励起パルスの終了後同部材が表示し続ける振動
の振幅及び持続時間は非常に重要である。残留振動
（「リングダウン（余韻）」として知られる）の振幅及
び持続時間が大きいほど尋問区域内の静止期間中の信号
は益々独特なものとなり、それゆえに標識は検波回路に
より検出が益々容易になる。
って、各励起パルスの終了後同部材が表示し続ける振動
の振幅及び持続時間は非常に重要である。残留振動
（「リングダウン（余韻）」として知られる）の振幅及
び持続時間が大きいほど尋問区域内の静止期間中の信号
は益々独特なものとなり、それゆえに標識は検波回路に
より検出が益々容易になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】磁気機械標識の不活性
化は、バイアス要素を消磁することにより行われ、磁歪
要素が機械的共鳴を停止するか又はその共鳴周波数が変
わるようにされる。しかし、バイアス要素が消磁される
ときは、標識はもはや磁気機械監視システム内では検波
されないが、磁歪要素はそれにも拘らず無定形磁気要素
として作動し、電磁尋問場に応答してまだ調波周波数を
生成することができる。これは望ましくない。何故なら
ば磁気機械標識を帯びた商品の購入者が勘定台で標識を
消磁した後その購入者が他の小売店に入り、そこで調波
EASシステムが用いられていると、消磁した標識が第２
の小売店で尋問信号に応答して調波周波数を発生させる
かも知れないので、それが警報を停止させる可能性が有
るからである。
化は、バイアス要素を消磁することにより行われ、磁歪
要素が機械的共鳴を停止するか又はその共鳴周波数が変
わるようにされる。しかし、バイアス要素が消磁される
ときは、標識はもはや磁気機械監視システム内では検波
されないが、磁歪要素はそれにも拘らず無定形磁気要素
として作動し、電磁尋問場に応答してまだ調波周波数を
生成することができる。これは望ましくない。何故なら
ば磁気機械標識を帯びた商品の購入者が勘定台で標識を
消磁した後その購入者が他の小売店に入り、そこで調波
EASシステムが用いられていると、消磁した標識が第２
の小売店で尋問信号に応答して調波周波数を発生させる
かも知れないので、それが警報を停止させる可能性が有
るからである。
【００１０】本発明者は、パルス尋問システムで用いら
れる磁歪材料を横断磁場の存在下で焼鈍する場合には、
材料のリングダウン特性が逆の影響を受けることを発見
した。リングダウン時間が大幅に低減され、それにより
標識の磁気機械標識としての特異性が減少する。
れる磁歪材料を横断磁場の存在下で焼鈍する場合には、
材料のリングダウン特性が逆の影響を受けることを発見
した。リングダウン時間が大幅に低減され、それにより
標識の磁気機械標識としての特異性が減少する。
【００１１】Martisに対する米国特許第5,252,144は、
リングダウン特性を改良するために各種の磁歪材料を焼
鈍することを提案している。しかし、本発明と異なり、
Martis特許は加熱中に磁場を用いることは開示していな
い。
リングダウン特性を改良するために各種の磁歪材料を焼
鈍することを提案している。しかし、本発明と異なり、
Martis特許は加熱中に磁場を用いることは開示していな
い。
【００１２】従って本発明の第１の目的は、パルス場EA
S尋問システムで用いるのに適した磁気機械標識を提供
することである。別の目的は、解除されたときは、調波
検波EASシステムによる尋問に応答して実質的な振幅の
調波信号を発生させないような標識を提供することであ
る。
S尋問システムで用いるのに適した磁気機械標識を提供
することである。別の目的は、解除されたときは、調波
検波EASシステムによる尋問に応答して実質的な振幅の
調波信号を発生させないような標識を提供することであ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、従来の磁気機械標識
よりも容易に製造できる磁歪標識を提供することであ
る。
よりも容易に製造できる磁歪標識を提供することであ
る。
【００１４】本発明のさらなる目的は、従来の磁気機械
標識よりも薄い磁気機械標識を提供することである。
標識よりも薄い磁気機械標識を提供することである。
【００１５】本発明のさらに別の目的は、改良されたリ
ングダウン特性を有する磁気機械標識を提供することで
ある。
ングダウン特性を有する磁気機械標識を提供することで
ある。
【００１６】
【問題点を解決するための手段】本発明の１面によれ
ば、無定形強磁性材料を一定長さのストリップ（細片）
に切断した後で焼鈍する。材料に加える焼鈍工程は、飽
和磁場を材料で形成されたリボン状部材の長手軸を横断
する方向に加えると同時に材料を加熱し、その後材料を
そのまま横断磁場中に置いたまま比較的徐々に冷却する
ことを含む。
ば、無定形強磁性材料を一定長さのストリップ（細片）
に切断した後で焼鈍する。材料に加える焼鈍工程は、飽
和磁場を材料で形成されたリボン状部材の長手軸を横断
する方向に加えると同時に材料を加熱し、その後材料を
そのまま横断磁場中に置いたまま比較的徐々に冷却する
ことを含む。
【００１７】本発明の別の面によれば、材料は鉄、コバ
ルト、ケイ素及びホウ素から形成され、少なくとも原子
百分率で30％のコバルトを含む。
ルト、ケイ素及びホウ素から形成され、少なくとも原子
百分率で30％のコバルトを含む。
【００１８】本発明のさらに別の面によれば、焼鈍工程
は300乃至540℃の範囲内の温度で少なくとも５分間材料
を加熱することを含む。
は300乃至540℃の範囲内の温度で少なくとも５分間材料
を加熱することを含む。
【００１９】
【実施例】本明細書における「磁歪要素」の用語は、適
切に活性化させたとき尋問信号に応答して独特なリング
ダウン信号を生成する、作動的磁気成分（図１に示す要
素12）を指す。「バイアス要素」の用語は、磁歪要素の
最大保磁力と比較して比較的高い最大保磁力を有する磁
気材料から成りかつ磁歪要素の機械的共鳴周波数を制御
するために磁化又は消磁（すなわち、バイアスをかける
か又はかけない）可能な制御要素（図１の要素16）を指
す。「標識」（一般的に参照番号10で示す）の用語は、
通常ハウジング（図１の要素14）内に含まれる、磁歪要
素12及びバイアス要素16の組合せ（結合）であって、盗
難から保護するために商品につけるか又はそれと関連付
けることができるものを指す。
切に活性化させたとき尋問信号に応答して独特なリング
ダウン信号を生成する、作動的磁気成分（図１に示す要
素12）を指す。「バイアス要素」の用語は、磁歪要素の
最大保磁力と比較して比較的高い最大保磁力を有する磁
気材料から成りかつ磁歪要素の機械的共鳴周波数を制御
するために磁化又は消磁（すなわち、バイアスをかける
か又はかけない）可能な制御要素（図１の要素16）を指
す。「標識」（一般的に参照番号10で示す）の用語は、
通常ハウジング（図１の要素14）内に含まれる、磁歪要
素12及びバイアス要素16の組合せ（結合）であって、盗
難から保護するために商品につけるか又はそれと関連付
けることができるものを指す。
【００２０】先行技術のMetglas 2826 MB(Fe40Ni38Mo4B
18 組成の登録商標）のような従来の材料が、標識の磁
歪要素として焼鈍せずに用いられる。このような材料の
焼鈍はリングダウン期間を低下させる傾向があり、もし
焼鈍すれば、パルス場磁気機械EASシステムでこのよう
な材料を用いるのを不適当にしがちである。
18 組成の登録商標）のような従来の材料が、標識の磁
歪要素として焼鈍せずに用いられる。このような材料の
焼鈍はリングダウン期間を低下させる傾向があり、もし
焼鈍すれば、パルス場磁気機械EASシステムでこのよう
な材料を用いるのを不適当にしがちである。
【００２１】本発明によれば、コバルトに富む材料を一
定の固定した長さのストリップに切断する。ストリップ
は、パルス場EASシステム用の標識を造るのに用いられ
る磁歪要素を提供するために焼鈍される。本発明による
好ましい材料は、Fe-Co基本合金の無定形リボン、例え
ば、（Fe0.5Co0.5）79Si6B15又は（Fe0.5Co0.5）79Si26
B19である。原子百分率で少なくとも30％Coを含むFe-Co
合金が満足すべき結果を生むと信じられている。例え
ば、原子百分率で、組合せた割合で少なくとも70％の鉄
及びコバルトから成り、コバルトが少なくとも30％及び
残余のケイ素及びホウ素を含む合金が適切であると信じ
られている。このような適切な合金の鉄及びコバルトの
組合せた割合は90％を越えてもよく、鉄及びコバルトの
最大組合せ割合は、合金が無定形の形で鋳造できるよう
にするのに十分なケイ素及びホウ素を含ませるための必
要性により限定されるのみである。
定の固定した長さのストリップに切断する。ストリップ
は、パルス場EASシステム用の標識を造るのに用いられ
る磁歪要素を提供するために焼鈍される。本発明による
好ましい材料は、Fe-Co基本合金の無定形リボン、例え
ば、（Fe0.5Co0.5）79Si6B15又は（Fe0.5Co0.5）79Si26
B19である。原子百分率で少なくとも30％Coを含むFe-Co
合金が満足すべき結果を生むと信じられている。例え
ば、原子百分率で、組合せた割合で少なくとも70％の鉄
及びコバルトから成り、コバルトが少なくとも30％及び
残余のケイ素及びホウ素を含む合金が適切であると信じ
られている。このような適切な合金の鉄及びコバルトの
組合せた割合は90％を越えてもよく、鉄及びコバルトの
最大組合せ割合は、合金が無定形の形で鋳造できるよう
にするのに十分なケイ素及びホウ素を含ませるための必
要性により限定されるのみである。
【００２２】好ましい実施態様においては、材料は幅0.
5 in.のリボンとして鋳造される。リボンは焼鈍前に均
一な1.56 in.長さに切断され、従来の直流磁気バイアス
場をかける際に58kHz(従来のパルス場検波装置に相当す
る）の共鳴周波数を得るようにする。
5 in.のリボンとして鋳造される。リボンは焼鈍前に均
一な1.56 in.長さに切断され、従来の直流磁気バイアス
場をかける際に58kHz(従来のパルス場検波装置に相当す
る）の共鳴周波数を得るようにする。
【００２３】リボンとして鋳造された材料に本発明を適
用するのは好ましいが、例えば、ワイヤ等その他のスト
リップ形状の材料も同様に用いることができる。本発明
による焼鈍は、切断したリボンストリップの長手軸を横
断して加えられる強い（飽和）直流磁場を用いて行う。
この磁場の存在下でリボンストリップを300乃至540℃の
温度で５乃至60分間に亘り加熱し、その後室温まで冷却
するようにさせると同時に磁場を少なくとも材料が200
℃未満に冷却されるまで磁場を維持する。
用するのは好ましいが、例えば、ワイヤ等その他のスト
リップ形状の材料も同様に用いることができる。本発明
による焼鈍は、切断したリボンストリップの長手軸を横
断して加えられる強い（飽和）直流磁場を用いて行う。
この磁場の存在下でリボンストリップを300乃至540℃の
温度で５乃至60分間に亘り加熱し、その後室温まで冷却
するようにさせると同時に磁場を少なくとも材料が200
℃未満に冷却されるまで磁場を維持する。
【００２４】冷却する方法は、それが急激過ぎない限り
重要な問題ではない。例えば、２分未満で室温まで冷却
するのは最適な結果をもたらさないとされ、従って直ち
に空気中にさらすことにより冷却することは避けた方が
よい。好ましい技術によれば材料は、加熱してない囲ま
れた管を通して運ぶことにより、少なくとも２分を越え
る時間をかけて室温まで冷却される。
重要な問題ではない。例えば、２分未満で室温まで冷却
するのは最適な結果をもたらさないとされ、従って直ち
に空気中にさらすことにより冷却することは避けた方が
よい。好ましい技術によれば材料は、加熱してない囲ま
れた管を通して運ぶことにより、少なくとも２分を越え
る時間をかけて室温まで冷却される。
【００２５】図２は、焼鈍により誘発される異方性の度
合いが焼鈍温度と共にどのように変わるかを例示する。
特に、図２の横軸は焼鈍温度を示す一方縦軸は誘発され
た異方性の度合いを示し、異方性の度合いは異方性に打
ち勝つために必要な場の強さで表される。本発明では30
0乃至540℃の範囲の焼鈍温度を考えている。好ましい温
度範囲は390乃至500℃である。約71/2分間に亘り450℃
の焼鈍温度をかけて、約71/2分を越える期間で室温まで
冷却することで満足な結果が得られた。
合いが焼鈍温度と共にどのように変わるかを例示する。
特に、図２の横軸は焼鈍温度を示す一方縦軸は誘発され
た異方性の度合いを示し、異方性の度合いは異方性に打
ち勝つために必要な場の強さで表される。本発明では30
0乃至540℃の範囲の焼鈍温度を考えている。好ましい温
度範囲は390乃至500℃である。約71/2分間に亘り450℃
の焼鈍温度をかけて、約71/2分を越える期間で室温まで
冷却することで満足な結果が得られた。
【００２６】上述のように、横断飽和磁場は加熱及び冷
却の間双方共に維持される。焼鈍及び冷却中に加えられ
る必要最低の横断磁場の強さは処理する特定の材料に依
存する。場は特定な材料が飽和するのに十分な強さでな
ければならない。すでに論じた大抵の材料にとって、最
適場は500 Oeを越え、飽和させるためには800O Oe又は
それ以上の場がしばし必要となるであろう。本発明では
悪影響も好影響ももたらすことなく、飽和に要するもの
を越えて場の強さを増加させることを考えている。
却の間双方共に維持される。焼鈍及び冷却中に加えられ
る必要最低の横断磁場の強さは処理する特定の材料に依
存する。場は特定な材料が飽和するのに十分な強さでな
ければならない。すでに論じた大抵の材料にとって、最
適場は500 Oeを越え、飽和させるためには800O Oe又は
それ以上の場がしばし必要となるであろう。本発明では
悪影響も好影響ももたらすことなく、飽和に要するもの
を越えて場の強さを増加させることを考えている。
【００２７】焼鈍温度の高さ及び処理時間の長さは、そ
れぞれ最低量のもの以上の結晶が発生する程高くなく又
長くならないようにすべきである。なぜならば過度の結
晶はリングダウン特性に悪影響を及ぼす傾向がありかつ
望ましくない程度の脆さを与えるからである。
れぞれ最低量のもの以上の結晶が発生する程高くなく又
長くならないようにすべきである。なぜならば過度の結
晶はリングダウン特性に悪影響を及ぼす傾向がありかつ
望ましくない程度の脆さを与えるからである。
【００２８】本発明により形成された磁歪ストリップ
は、従来の磁気機械標識とほぼ同一構造の標識に組込む
ことができる。例えば、図１に示すように、本発明によ
る標識10は、上述のように造られて処理された磁歪スト
リップ12、ポリエチレンのような重合体で形成された剛
性ハウジング14、およびバイアス要素16から形成しても
よい。標識10を構成する成分は、磁歪ストリップ12がハ
ウジング14の凹所18内に位置し、凹所18の覆いを形成す
るようにバイアス要素16がハウジング14内に保持される
ように組立てられる。凹所18及び磁歪ストリップ12の寸
法は相対的なものとし、適切な磁場にさらされることに
より生じるストリップ12の機械的共鳴が、ハウジング14
及びバイアス要素16により機械的に停止又は減衰されな
いようにすることを理解されたい。
は、従来の磁気機械標識とほぼ同一構造の標識に組込む
ことができる。例えば、図１に示すように、本発明によ
る標識10は、上述のように造られて処理された磁歪スト
リップ12、ポリエチレンのような重合体で形成された剛
性ハウジング14、およびバイアス要素16から形成しても
よい。標識10を構成する成分は、磁歪ストリップ12がハ
ウジング14の凹所18内に位置し、凹所18の覆いを形成す
るようにバイアス要素16がハウジング14内に保持される
ように組立てられる。凹所18及び磁歪ストリップ12の寸
法は相対的なものとし、適切な磁場にさらされることに
より生じるストリップ12の機械的共鳴が、ハウジング14
及びバイアス要素16により機械的に停止又は減衰されな
いようにすることを理解されたい。
【００２９】ストリップの切断長さは、58 kHzで共鳴す
る標識を造りかつ現存する検波装置との両立性を与える
ために、従来の磁気機械標識で用いるレベルで磁化され
た従来のバイアス要素16を用いて、好ましい慣用手段に
したがって選択される。
る標識を造りかつ現存する検波装置との両立性を与える
ために、従来の磁気機械標識で用いるレベルで磁化され
た従来のバイアス要素16を用いて、好ましい慣用手段に
したがって選択される。
【００３０】本発明により造られた標識10は、バイアス
要素16を消磁することにより従来の方法で非作動（不活
性）化し、標識10が「非同調」にされそれによりもはや
先決の尋問周波数に応答しないようにしてもよい。
要素16を消磁することにより従来の方法で非作動（不活
性）化し、標識10が「非同調」にされそれによりもはや
先決の尋問周波数に応答しないようにしてもよい。
【００３１】図３に示す通り、本出願により形成されて
処理された磁歪ストリップを組込んだ標識10は、図３の
（ｂ）カーブにより示すヒステリシス特性を有する。こ
の特性は、比較的小さい適用磁場（10 Oe未満）に対し
て、カーブ（ａ）で例示された特性により著しく直線的
かつなだらかであることに注目されたい。カーブ（ａ）
は、Allied社から市販されている合金Metglas 2826 MB
で形成された未処理（鋳造）ストリップのような、従来
の磁歪ストリップを組入れた標識により示されるもので
ある。その結果、本発明により造られた標識は、消磁に
より磁気機械EASシステムで非作動化されたときは、従
来の調波検波EASシステムにより提供された尋問場に応
答して遥かに低い調波信号を生成し、したがって調波シ
ステムによる警報の発生可能性は、従来の非作動化され
た磁歪型標識より遥かに少ない。例えば、消磁された本
発明による標識は、尋問信号にさらされたとき、本出願
の譲受人により“Aislekeeper”の商標で市販される従
来の調波検波EASシステムで用いられる標識と比べて、
調波発生において少なくとも約60 dBの低減を与える。
本発明の好ましい実施例では、調波発生において60 dB
の低減を達成しているが、調波検波EASシステムにより
非作動化磁気機械標識に応答して警報をほぼ除去する目
的を達成するためには、調波発生における約20dBの低減
で十分であると信じられている。焼鈍工程は、非直線性
を低減させることにより材料のヒステリシス特性を平滑
化するのに役立つ。
処理された磁歪ストリップを組込んだ標識10は、図３の
（ｂ）カーブにより示すヒステリシス特性を有する。こ
の特性は、比較的小さい適用磁場（10 Oe未満）に対し
て、カーブ（ａ）で例示された特性により著しく直線的
かつなだらかであることに注目されたい。カーブ（ａ）
は、Allied社から市販されている合金Metglas 2826 MB
で形成された未処理（鋳造）ストリップのような、従来
の磁歪ストリップを組入れた標識により示されるもので
ある。その結果、本発明により造られた標識は、消磁に
より磁気機械EASシステムで非作動化されたときは、従
来の調波検波EASシステムにより提供された尋問場に応
答して遥かに低い調波信号を生成し、したがって調波シ
ステムによる警報の発生可能性は、従来の非作動化され
た磁歪型標識より遥かに少ない。例えば、消磁された本
発明による標識は、尋問信号にさらされたとき、本出願
の譲受人により“Aislekeeper”の商標で市販される従
来の調波検波EASシステムで用いられる標識と比べて、
調波発生において少なくとも約60 dBの低減を与える。
本発明の好ましい実施例では、調波発生において60 dB
の低減を達成しているが、調波検波EASシステムにより
非作動化磁気機械標識に応答して警報をほぼ除去する目
的を達成するためには、調波発生における約20dBの低減
で十分であると信じられている。焼鈍工程は、非直線性
を低減させることにより材料のヒステリシス特性を平滑
化するのに役立つ。
【００３２】本発明の他の利点は、既に述べたように形
成した磁歪材料を含む標識は、上記鋳造Metglas材料を
用いる従来の標識よりより有利なリングダウン特性を与
えることである。特に図４は、本発明によりある範囲の
焼鈍温度を用いて処理した磁歪ストリップで構成した標
識で実現した優れたリングダウン振幅を例示する。図４
に示すカーブA0は、励起パルス終了直後に標識から得た
放射信号の振幅を示し、カーブA1は、パルス終了１秒後
に得られた振幅を表し、カーブA2は、パルス終了２秒後
に得られた振幅を表わす。図４に示す結果は、30分の焼
鈍時間を反映している。尋問中のバイアス場は5 Oeであ
った。図４は、より高い焼鈍温度を用いることにより約
410乃至510℃の範囲に亘りより高いリングダウン振幅が
得られることを示す。概してこれらの振幅は、鋳造Metg
lasを磁歪材料として用いる従来の標識により提供され
る振幅より高い。
成した磁歪材料を含む標識は、上記鋳造Metglas材料を
用いる従来の標識よりより有利なリングダウン特性を与
えることである。特に図４は、本発明によりある範囲の
焼鈍温度を用いて処理した磁歪ストリップで構成した標
識で実現した優れたリングダウン振幅を例示する。図４
に示すカーブA0は、励起パルス終了直後に標識から得た
放射信号の振幅を示し、カーブA1は、パルス終了１秒後
に得られた振幅を表し、カーブA2は、パルス終了２秒後
に得られた振幅を表わす。図４に示す結果は、30分の焼
鈍時間を反映している。尋問中のバイアス場は5 Oeであ
った。図４は、より高い焼鈍温度を用いることにより約
410乃至510℃の範囲に亘りより高いリングダウン振幅が
得られることを示す。概してこれらの振幅は、鋳造Metg
lasを磁歪材料として用いる従来の標識により提供され
る振幅より高い。
【００３３】ここに開示した処理により提供されるさら
なる利点は、磁歪ストリップの共鳴周波数に関する改良
された一貫性である。
なる利点は、磁歪ストリップの共鳴周波数に関する改良
された一貫性である。
【００３４】従来の鋳造磁歪材料における変動のため
に、材料を均一な固定した長さのストリップに切断する
ことが、必ずしもすべてが所望の機械的共鳴周波数を有
する標識には帰着しない。もし標識が、尋問場の周波数
火十分近い共鳴周波数を持たないなら、標識は尋問場に
より十分に励起されないであろう。従来の磁歪材料の変
動が大きすぎるので、１工程を設けて各ストリップの共
鳴周波数を測定する必要がある。もし必要なら、各スト
リップを切断する長さは、バッチの第３ストリップの後
で、先行する３つのストリップの測定した共鳴周波数に
基づいて調節される。一般的に、切断長さはしばしば、
ときには各ストリップ毎に、概して５つ又は６つのスト
リップ後に調節しなければならない。従って、従来の鋳
造材料の変動を補償するために、磁歪要素を製造するた
めの従来の工程は、切断したストリップの共鳴周波数の
頻繁な試験及びその後所望の共鳴周波数を得るためにス
トリップを切断する長さを調節することを含む。
に、材料を均一な固定した長さのストリップに切断する
ことが、必ずしもすべてが所望の機械的共鳴周波数を有
する標識には帰着しない。もし標識が、尋問場の周波数
火十分近い共鳴周波数を持たないなら、標識は尋問場に
より十分に励起されないであろう。従来の磁歪材料の変
動が大きすぎるので、１工程を設けて各ストリップの共
鳴周波数を測定する必要がある。もし必要なら、各スト
リップを切断する長さは、バッチの第３ストリップの後
で、先行する３つのストリップの測定した共鳴周波数に
基づいて調節される。一般的に、切断長さはしばしば、
ときには各ストリップ毎に、概して５つ又は６つのスト
リップ後に調節しなければならない。従って、従来の鋳
造材料の変動を補償するために、磁歪要素を製造するた
めの従来の工程は、切断したストリップの共鳴周波数の
頻繁な試験及びその後所望の共鳴周波数を得るためにス
トリップを切断する長さを調節することを含む。
【００３５】しかし、本発明は先決のストリップ長さに
対して非常に一貫した共鳴周波数を示す磁歪要素を製造
する。本技術より提供されるより優れた一貫性の理由と
しては、本焼鈍技術は一貫した度合いの異方性を生成す
るために制御できるが、これに対して従来の鋳造材料の
異方性は、内在的に変動を受けやすい鋳造工程から結果
的に生じる組成の産物であるためであると信じられてい
る。
対して非常に一貫した共鳴周波数を示す磁歪要素を製造
する。本技術より提供されるより優れた一貫性の理由と
しては、本焼鈍技術は一貫した度合いの異方性を生成す
るために制御できるが、これに対して従来の鋳造材料の
異方性は、内在的に変動を受けやすい鋳造工程から結果
的に生じる組成の産物であるためであると信じられてい
る。
【００３６】図５に示すように、すべてが均一な長さ
（1.56 in.）に切断され、本発明に従って熱処理（飽和
横断交流磁場と共に450℃で7.5分間）され、その後５エ
ルステッドのバイアス場にさらされて共鳴周波数試験さ
れた約150のストリップから成るサンプルにおいて、殆
どすべてのストリップが、所望の58 kHzの共鳴周波数の
周辺200 Hz以内の共鳴周波数を示した。この高度な一貫
性は、増大した歩留まりを提供し、従来のMetglas材料
を用いるときに必要とされるような、共鳴周波数の変動
に対して試験するか又はストリップの長さを周期的に調
節することによりこの様な変動を補償することを不必要
にしている。
（1.56 in.）に切断され、本発明に従って熱処理（飽和
横断交流磁場と共に450℃で7.5分間）され、その後５エ
ルステッドのバイアス場にさらされて共鳴周波数試験さ
れた約150のストリップから成るサンプルにおいて、殆
どすべてのストリップが、所望の58 kHzの共鳴周波数の
周辺200 Hz以内の共鳴周波数を示した。この高度な一貫
性は、増大した歩留まりを提供し、従来のMetglas材料
を用いるときに必要とされるような、共鳴周波数の変動
に対して試験するか又はストリップの長さを周期的に調
節することによりこの様な変動を補償することを不必要
にしている。
【００３７】本発明により提供されるさらに別の利点
は、本発明で開示した焼鈍工程方法は、従来の鋳造磁歪
ストリップと比べて比較的平坦な磁歪ストリップを生成
することである。例えば、図６Ａは、鋳造磁歪ストリッ
プ12′を含む、先行技術による標識10′を示す。同図で
は幾分図式的に例示されているが、ストリップ12′には
残留応力に起因するとされる顕著な度合いのカールが見
られる。従って、従来の標識10′のために設けられるハ
ウジング14′は、ストリップの所望の磁気機械共鳴を妨
げることなく、カールしたストリップ12′を収容するた
めに比較的高い高さH'を持たなければならない。もし応
力を緩和するために従来のストリップを焼鈍するなら、
独特なリングダウン特性が大幅に減少することが分かっ
ている。
は、本発明で開示した焼鈍工程方法は、従来の鋳造磁歪
ストリップと比べて比較的平坦な磁歪ストリップを生成
することである。例えば、図６Ａは、鋳造磁歪ストリッ
プ12′を含む、先行技術による標識10′を示す。同図で
は幾分図式的に例示されているが、ストリップ12′には
残留応力に起因するとされる顕著な度合いのカールが見
られる。従って、従来の標識10′のために設けられるハ
ウジング14′は、ストリップの所望の磁気機械共鳴を妨
げることなく、カールしたストリップ12′を収容するた
めに比較的高い高さH'を持たなければならない。もし応
力を緩和するために従来のストリップを焼鈍するなら、
独特なリングダウン特性が大幅に減少することが分かっ
ている。
【００３８】しかし、図６Ｂに示すように、本発明の開
示により調製されたストリップ12は、ほぼ平坦でかつ最
低のカールのみを有し、本発明により設けるハウジング
14は、従来の標識10′より遥かに低い断面及び従来の標
識の高さH′より遥かに低い高さHを有することができ
る。例えば、従来の厚さ１ミルのMitglasストリップ1
2′Hを収容するためにH′が70乃至100ミルのハウジング
を必要とするが、ハウジング14は、本発明により処理し
た厚さ１ミルのストリップを収容するのにHが５乃至30
ミルを必要とするのみである。これは、より好便に商品
に付けられる薄い標識を提供する。より薄いか又はより
かさばらない標識が遥かに望ましい。標識用ハウジング
の全体の厚さもまたハウジングを形成するのに用いられ
る材料の厚さ及び均一性に依存する。
示により調製されたストリップ12は、ほぼ平坦でかつ最
低のカールのみを有し、本発明により設けるハウジング
14は、従来の標識10′より遥かに低い断面及び従来の標
識の高さH′より遥かに低い高さHを有することができ
る。例えば、従来の厚さ１ミルのMitglasストリップ1
2′Hを収容するためにH′が70乃至100ミルのハウジング
を必要とするが、ハウジング14は、本発明により処理し
た厚さ１ミルのストリップを収容するのにHが５乃至30
ミルを必要とするのみである。これは、より好便に商品
に付けられる薄い標識を提供する。より薄いか又はより
かさばらない標識が遥かに望ましい。標識用ハウジング
の全体の厚さもまたハウジングを形成するのに用いられ
る材料の厚さ及び均一性に依存する。
【００３９】本発明の焼鈍方法は、図６Ｂに示す平坦な
ストリップよりはむしろ、所望の曲線形状の磁歪ストリ
ップを形成するのにも同様に用いることができることに
注目すべきである。
ストリップよりはむしろ、所望の曲線形状の磁歪ストリ
ップを形成するのにも同様に用いることができることに
注目すべきである。
【００４０】図７は、本発明により造られた磁気機械標
識を用いるパルス尋問EASシステムを例示する。図７に
示すシステムは、作動回路201及び受信回路202の作動を
制御する同期回路200を含む。同期回路200は、同期ゲー
トパルスを作動回路201に送信し、同期ゲートパルス
は、加圧回路、すなわち、作動回路201を作動させる。
作動されると、作動回路201は、尋問信号を発生させ、
同期パルスの持続時間の間これを尋問コイル206に送信
する。尋問信号に応答して尋問コイル206は、尋問磁場
を発生させ、それがまた標識10を励起させて機械共鳴状
態にさせる。
識を用いるパルス尋問EASシステムを例示する。図７に
示すシステムは、作動回路201及び受信回路202の作動を
制御する同期回路200を含む。同期回路200は、同期ゲー
トパルスを作動回路201に送信し、同期ゲートパルス
は、加圧回路、すなわち、作動回路201を作動させる。
作動されると、作動回路201は、尋問信号を発生させ、
同期パルスの持続時間の間これを尋問コイル206に送信
する。尋問信号に応答して尋問コイル206は、尋問磁場
を発生させ、それがまた標識10を励起させて機械共鳴状
態にさせる。
【００４１】パルス尋問信号の完成に際し、同期回路20
0は受信回路202にゲートパルスを送信し、後者のゲート
パルスが回路202を作動させる。回路202が作動される期
間中、また、もし標識が尋問磁場内に存在するなら、こ
のような標識は同標識の機械共鳴周波数で信号を受信コ
イル207内に発生させる。この信号はが受信回路202によ
り検知され、同受信回路が検知信号に応答して表示装置
203に信号を発生させ、警報等を発生させるようにす
る。要するに、受信回路202が作動回路201と同期して、
パルス尋問場のパルス間の静止期間の間のみ受信回路20
2が作動するようにされる。
0は受信回路202にゲートパルスを送信し、後者のゲート
パルスが回路202を作動させる。回路202が作動される期
間中、また、もし標識が尋問磁場内に存在するなら、こ
のような標識は同標識の機械共鳴周波数で信号を受信コ
イル207内に発生させる。この信号はが受信回路202によ
り検知され、同受信回路が検知信号に応答して表示装置
203に信号を発生させ、警報等を発生させるようにす
る。要するに、受信回路202が作動回路201と同期して、
パルス尋問場のパルス間の静止期間の間のみ受信回路20
2が作動するようにされる。
【００４２】本発明から逸脱することなく前記標識及び
実施例につき各種の改変が可能である。従って、本発明
の特定の好ましい実施態様は限定ではなく例示を意図す
るものである。本発明の特徴及び範囲は以下の請求項で
定める。
実施例につき各種の改変が可能である。従って、本発明
の特定の好ましい実施態様は限定ではなく例示を意図す
るものである。本発明の特徴及び範囲は以下の請求項で
定める。
【００４３】
【発明の効果】上記により明らかな通り本発明により造
られた標識は、消磁により磁気機械EASシステムで非作
動化されたときは、従来の調波検波EASシステムにより
提供された尋問場に応答して遥かに低い調波信号を生成
し、したがって調波システムによる警報の発生可能性
は、従来の非作動化された磁歪型標識より遥かに少な
い。本発明は先決のストリップ長さに対して非常に一貫
した共鳴周波数を示す磁歪要素を製造する。この高度な
一貫性は、増大した歩留まりを提供し、従来のMetglas
材料を用いるときに必要とされるような、共鳴周波数の
変動に対して試験するか又はストリップの長さを周期的
に調節することによりこの様な変動を補償することを不
必要にしている。本発明により提供されるさらに別の利
点は、本発明で開示した焼鈍工程方法は、従来の鋳造磁
歪ストリップと比べて比較的平坦な磁歪ストリップを生
成し、従ってより好便に商品に付けられる薄い標識を提
供する。
られた標識は、消磁により磁気機械EASシステムで非作
動化されたときは、従来の調波検波EASシステムにより
提供された尋問場に応答して遥かに低い調波信号を生成
し、したがって調波システムによる警報の発生可能性
は、従来の非作動化された磁歪型標識より遥かに少な
い。本発明は先決のストリップ長さに対して非常に一貫
した共鳴周波数を示す磁歪要素を製造する。この高度な
一貫性は、増大した歩留まりを提供し、従来のMetglas
材料を用いるときに必要とされるような、共鳴周波数の
変動に対して試験するか又はストリップの長さを周期的
に調節することによりこの様な変動を補償することを不
必要にしている。本発明により提供されるさらに別の利
点は、本発明で開示した焼鈍工程方法は、従来の鋳造磁
歪ストリップと比べて比較的平坦な磁歪ストリップを生
成し、従ってより好便に商品に付けられる薄い標識を提
供する。
【図１】本発明に従って提供された磁気機械標識の成分
を示す等角投影図である。
を示す等角投影図である。
【図２】焼鈍温度範囲に亘って生じる異方性を示すグラ
フである。
フである。
【図３】先行技術の磁歪標識及び本発明により造られた
標識のヒステリシス特性をそれぞれ例示する。
標識のヒステリシス特性をそれぞれ例示する。
【図４】焼鈍温度範囲に亘って得られたそれぞれのリン
グダウン特性を示すグラフである。
グダウン特性を示すグラフである。
【図５】本発明に従って一定の長さに切断して焼鈍した
一群のサンプルの焼鈍周波数を示すヒストグラムであ
る。
一群のサンプルの焼鈍周波数を示すヒストグラムであ
る。
【図６】６Ａ及び６Ｂはそれぞれ先行技術の標識及び本
発明による標識を断面示す概略立面図である。
発明による標識を断面示す概略立面図である。
【図７】図１の磁気機械標識を用いる電子物品監視シス
テムの概略ブロック図である。
テムの概略ブロック図である。
１０ 標識 １２ 磁歪要素 １４ ハウジング １６ バイアス要素 ２０５ 尋問コイル ２０７ 受信コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２２Ｃ 38/10 (72)発明者 ミン‐レン・リァン アメリカ合衆国、フロリダ州 34622、ク リアウォーター、スプーンビル・レーン 14001 (72)発明者 ジミー・キャンテイ アメリカ合衆国、フロリダ州 34622、フ ォート・ローダデイル、エスダブリュー・ フィフス・ストリート 2930
Claims (55)
- 【請求項１】 磁気機械電子物品監視装置で用いる標識
であって、鉄及びコバルトの合金で形成される磁歪スト
リップから成り、コバルトの割合が原子百分率で少なく
とも30％である標識。 - 【請求項２】 前記合金の鉄及びコバルトを合わせた割
合が原子百分率で少なくとも70％である、請求項１の標
識。 - 【請求項３】 前記合金が十分な割合のケイ素及びホウ
素を含み、該合金を無定形の形で鋳造できるようにす
る、請求項２の標識。 - 【請求項４】 前記合金の鉄及びコバルトのそれぞれの
割合が原子百分率でほぼ等しい、請求項３の標識。 - 【請求項５】 前記合金がFe0.5Co0.5）79Si6B15及び
（Fe0.5Co0.5）79Si26B19のいずれかである、請求項４
の標識。 - 【請求項６】 前記無定形ストリップがリボン状であ
る、請求項１の標識。 - 【請求項７】 磁気機械電子物品監視装置で用いる標識
を製造する方法であって、 コバルトの割合が原子百分率で少なくとも30％である鉄
及びコバルトの合金で形成される無定形磁歪要素を提供
し、 前記磁歪要素を、該磁歪要素に対して直流磁気バイアス
場を提供する、バイアス要素に近接する取付部材内に取
付け、該磁歪要素が先決の磁気機械共鳴周波数を持つよ
うにさせることから成る標識製造方法。 - 【請求項８】 前記合金の鉄及びコバルトを合わせた割
合が原子百分率で少なくとも70％である、請求項７の方
法。 - 【請求項９】 前記無定形ストリップがリボン状であ
る、請求項７の方法。 - 【請求項１０】 磁気機械電子物品監視システムであっ
て、 尋問区域内において選択された交流周波数で電磁場を発
生させる装置であって、尋問コイルを含む発生装置と、 前記尋問区域を通して通過するようにされた物品に固定
される標識であって、コバルトの割合が原子百分率で少
なくとも30％である鉄及びコバルトの合金で形成される
無定形磁歪要素及び該磁歪要素に近接して設けるバイア
ス要素を含み、該バイアス要素は磁気的にバイアスをか
けられ、前記交流場にさらされるとき該磁歪要素が機械
的に共鳴するようにさせる標識とから成る磁気機械電子
物品監視システム。 - 【請求項１１】 前記合金の鉄及びコバルトを合わせた
割合が原子百分率で少なくとも70％である、請求項１０
のシステム。 - 【請求項１２】 前記無定形磁歪要素がリボン状であ
る、請求項１０のシステム。 - 【請求項１３】 磁気機械電子物品監視システムで用い
る標識を製造する方法であって、 無定形磁気要素に飽和磁場を印加し、 前記磁場を印加中に460乃至540℃の範囲の温度で少なく
とも５分間前記要素を加熱し、 該焼鈍した要素を室温まで冷却することから成る標識製
造方法。 - 【請求項１４】 前記無定形磁気要素が長手軸を有する
リボンで、前記飽和磁場が該要素の前記長手軸を横断す
るように印加される、請求項１３の方法。 - 【請求項１５】 該焼鈍及び冷却した要素を、該要素に
対して直流磁気バイアス場を提供する磁気要素に近接す
る取付部材内に取付け、該要素が先決の磁気機械共鳴周
波数を持つようにさせることをさらに含む、請求項１４
の方法。 - 【請求項１６】 前記無定形磁気要素が鉄及び少なくと
も原子百分率で30％のコバルトの合金である、請求項１
３の方法。 - 【請求項１７】 前記無定形磁気要素がFe0.5Co0.5）79
Si6B15及び（Fe0.5Co0.5）79Si26B19のいずれかで構成
される、請求項１６の方法。 - 【請求項１８】 磁気機械電子物品監視システムで用い
る標識であって、無定形磁気部材を460乃至540℃の範囲
の温度で少なくとも５分間加熱する一方で前記部材に飽
和磁場を印加し、該部材を焼鈍することにより形成され
る磁歪要素から成る標識。 - 【請求項１９】 前記無定形磁気要素がリボン状であ
る、請求項１８の標識。 - 【請求項２０】 前記無定形磁気要素が鉄及び少なくと
も原子百分率で30％のコバルトの合金である、請求項１
８の標識。 - 【請求項２１】 尋問区域内において選択した交流周波
数で電磁場を発生させる装置であって、尋問コイルを含
む発生装置と、 前記尋問区域を通して通過するようにされた物品に固定
される標識であって、無定形磁気部材を460乃至540℃の
範囲の温度で少なくとも5分間加熱する一方で前記部材
に飽和磁場を印加し、該部材を焼鈍することにより形成
される無定形磁歪要素及び該磁歪要素に近接して設ける
バイアス要素を含み、該バイアス要素は磁気的にバイア
スがかけられて、前記交流場にさらされるとき該磁歪要
素が機械的に共鳴させられるようにする標識と、 該磁歪要素の前記機械共鳴を検波するための検波装置と
から成る磁気機械電子物品監視システム。 - 【請求項２２】 前記無定形磁歪要素がリボン状であ
る、請求項２１のシステム。 - 【請求項２３】 前記無定形磁歪要素が鉄及び少なくと
も原子百分率で30％のコバルトの合金である、請求項２
１のシステム。 - 【請求項２４】 磁気機械電子物品監視システムで用い
る標識であって、 無定形磁歪要素と、 前記磁歪要素と近接して設けるバイアス要素と、 該磁歪要素及び前記バイアス要素を収容するハウジング
であって、前記ハウジングの総体厚さが0.065 in.未満
であるハウジングとから成る磁気機械電子物品監視シス
テム用標識。 - 【請求項２５】 前記ハウジングの総体厚さが0.03 in.
未満である、請求項２４の標識。 - 【請求項２６】 前記ハウジングの総体厚さが0.005 i
n.未満である、請求項２４の標識。 - 【請求項２７】 前記磁歪要素が鉄及び少なくとも原子
百分率で30％のコバルトの合金である、請求項２４の標
識。 - 【請求項２８】 磁気機械電子物品監視システムで用い
る標識を製造する方法であって、 無定形磁歪要素を製造し、 前記磁歪要素及びバイアス要素を、総体厚さが0.065 i
n.未満のハウジング内に収容することから成る磁気機械
電子物品監視システム用標識製造方法。 - 【請求項２９】 前記ハウジングの総体厚さが0.030 i
n.未満である、請求項２８の方法。 - 【請求項３０】 前記ハウジングの総体厚さが0.005 i
n.未満である、請求項２９の方法。 - 【請求項３１】 前記磁歪要素を製造する段階が無定形
磁気材料を焼鈍することを含む、請求項２８の方法。 - 【請求項３２】 前記磁歪要素が鉄及び少なくとも原子
百分率で30％のコバルトの合金である、請求項３１の方
法。 - 【請求項３３】 尋問区域内において選択された交流周
波数で電磁場を発生させる装置であって、尋問コイルを
含む発生装置と、 前記尋問区域を通して通過するようにされた物品に固定
される標識であって、無定形磁歪要素及び該磁歪要素に
近接して設けるバイアス要素を含み、前記磁歪要素及び
前記バイアス要素が１ハウジング内に収容され、該ハウ
ジングの総体厚さが0.065 in.未満であり、該バイアス
要素は磁気的にバイアスがかけられて、前記交流場にさ
らされるとき該磁歪要素が機械的に共鳴するようにさせ
た標識と、 該磁歪要素の前記機械共鳴を検波するための検波装置と
から成る磁気機械電子物品監視システム。 - 【請求項３４】 前記ハウジングの総体厚さが0.030 i
n.未満である、請求項３３のシステム。 - 【請求項３５】 前記ハウジングの総体厚さが0.005 i
n.未満である、請求項３４のシステム。 - 【請求項３６】 前記発生装置が、前記交流電磁場をパ
ルスの形で発生させるために作動し、前記磁歪要素が、
該交流電磁場が停止した後の時間期間中に前記検波装置
で検波可能な、機械的摂動を発生させる、請求項３３の
システム。 - 【請求項３７】 前記磁歪要素が鉄及び少なくとも原子
百分率で30％のコバルトの合金で形成される、請求項３
３のシステム。 - 【請求項３８】 無定形磁歪要素と、 前記磁歪要素と近接して設けるバイアス要素とから成
り、該磁歪要素がヒステリシス特性を有し、交流電磁場
内にあるときは該磁歪要素が検波可能な調波周波数を発
生させないようにする磁気機械電子物品監視システム用
標識。 - 【請求項３９】 前記バイアス要素が磁気的にバイアス
をかけられ、選択された周波数で交番するパルス電磁場
にさらされるとき前記磁歪要素が機械的に共鳴するよう
にされる、請求項３８の標識。 - 【請求項４０】 前記磁歪要素が機械的に共鳴して、該
交流電磁場が停止した後の時間期間に亘り前記周波数に
同調された受信機により検波可能な周波数で機械的摂動
を発生させ、前記バイアス要素が消磁された状態にある
とき前記磁歪要素は、該交流電磁場が停止した後の時間
期間の間前記周波数に同調された受信機により検波可能
な周波数で機械的摂動を発生させることができない、請
求項３９の標識。 - 【請求項４１】 磁気機械電子物品監視システムで用い
る標識を製造する方法であって、 無定形磁歪要素を製造し、 前記磁歪要素をバイアス要素と近接して取付けることか
ら成り、 該磁歪要素がヒステリシスループ特性を有し、交流電磁
場内にあるとき該磁歪要素が検出可能な調波周波数を発
生させないようにする磁気機械電子物品監視システム用
標識製造方法。 - 【請求項４２】 前記バイアス要素が磁気的にバイアス
をかけられ、選択された周波数で交番するパルス電磁場
にさらされるとき前記磁歪要素が機械的に共鳴するよう
にされる、請求項４１の方法。 - 【請求項４３】 前記磁歪要素が機械的に共鳴して、該
交流電磁場が停止した後の時間期間の間前記周波数に同
調された受信機により検波可能な周波数で機械的摂動を
発生させ、前記バイアス要素が消磁された状態にあると
き前記磁歪要素は、該交流電磁場が停止した後の時間期
間の間前記周波数に同調された受信機により検波可能な
周波数で機械的摂動を発生させることができない、請求
項４２の方法。 - 【請求項４４】 尋問区域内において選択された交流周
波数で電磁場を発生させる装置であって、尋問コイルを
含む発生装置と、 前記尋問区域を通して通過するようにされた物品に固定
される標識であって、無定形磁歪要素及び該磁歪要素に
近接して設けるバイアス要素を含み、前記磁歪要素がヒ
ステリシスループ特性を有し、交流電磁場内にあるとき
該磁歪要素が検波可能な調波周波数を発生させないよう
にし、前記バイアス要素が磁気的にバイアスをかけら
れ、前記選択された周波数で交番するパルス電磁場にさ
らされるとき該磁歪要素が機械的に共鳴するようにされ
る標識と、 該磁歪要素の前記機械共鳴を検波するための検波装置と
から成る磁気機械電子物品監視システム。 - 【請求項４５】 前記発生装置が、前記交流電磁場を前
記選択された周波数のパルスの形で発生させるために作
動し、前記磁歪要素が、該選択された周波数の該交流電
磁場が停止した後の時間期間中に前記検波装置で検波可
能な、機械的摂動を発生させる、請求項４４のシステ
ム。 - 【請求項４６】 前記バイアス要素が消磁された状態に
あるとき前記磁歪要素は、該交流電磁場が停止した後の
時間期間の間前記周波数に同調された受信機により検波
可能な周波数で機械的摂動を発生させることができな
い、請求項４５のシステム。 - 【請求項４７】 無定形磁気材料を提供し、 飽和磁場内において前記材料を熱処理し、該材料のヒス
テリシス特性が平滑になるようにすることから成る磁歪
要素形成方法。 - 【請求項４８】 前記無定形磁気要素が長手軸を有する
リボン状で、前記磁場が該材料の前記長手軸を横断する
ように印加される、請求項４７の方法。 - 【請求項４９】 前記材料を、加熱していない包囲され
た領域を通して運ぶことにより前記熱処理段階の後で該
材料を冷却し、該材料が少なくとも２分間を越えて室温
まで冷却するようにされることをさらに含む、請求項４
８の方法。 - 【請求項５０】 磁気機械電子物品監視システムで標識
として用いる磁歪要素を製造する方法であって、 無定形磁気材料を選択し、 前記材料を先決の固定した一定長さのストリップに切断
し、最終的に該ストリップが所望の周波数で機械的に共
鳴するようにさせ、 該ストリップを室温まで冷却し、少なくとも500エルス
テッドの強さの横断磁場内で２分を越える期間に亘り該
冷却を行うようにし、 それにより該ストリップが、前記所望の共鳴周波数及び
リングダウン期間中における独特な検波可能信号を有す
る磁歪特性を示すようにすることから成る磁歪要素製造
方法。 - 【請求項５１】 前記材料が鉄、コバルト、ケイ素及び
ホウ素から成り、原子百分率でコバルトが少なくとも30
％を占める、請求項５０の方法。 - 【請求項５２】 該材料を切断し、前記先決の固定した
一定長さの少なくとも10本のストリップを含むバッチを
形成するようにする、請求項５０の方法。 - 【請求項５３】 前記バッチが少なくとも50本のストリ
ップを含む、請求項５０の方法。 - 【請求項５４】 磁気機械電子物品監視システムで用い
る標識であって、無定形磁気材料を選択することにより
造られる磁歪要素と、前記材料を先決の固定した一定長
さのストリップに切断して最終的に所望の周波数で機械
的に共鳴するようにさせ、該ストリップを、少なくとも
500エルステッドの強さの横断磁場内において300乃至54
0℃の温度で２乃至60間焼鈍することから成り、 該ストリップが、前記所望の機械共鳴周波数及びリング
ダウン期間中における独特な検波可能信号を有する磁歪
特性を示す磁気機械電子物品監視システム用標識。 - 【請求項５５】 尋問区域内において選択された交流周
波数で電磁場を発生させる装置であって、尋問コイルを
含む発生装置と、 前記尋問区域を通して通過するようにされた物品に固定
される標識であって、無定形磁気材料を選択することに
より造られる磁歪要素と、最終的に所望の周波数で機械
的に共鳴するようにさせるために、前記材料を先決の固
定した一定長さのストリップに切断し、少なくとも500
エルステッドの強さの横断磁場内において300乃至540℃
の温度で２乃至60間焼鈍し、該ストリップを、少なくと
も500エルステッドの強さの横断磁場内で２分を越える
期間に亘って室温まで冷却することからなり、該標識は
該磁歪ストリップに近接して設けるバイアス要素をも含
み、前記バイアス要素が磁気的にバイアスをかけられ、
前記選択された周波数で交番するパルス電磁場にさらさ
れるとき該磁歪要素が機械的に共鳴するようにされ、前
記磁歪要素がリングダウン期間中に独特な信号を有する
標識と、 該磁歪要素の前記独特な信号を検波するための検波装置
とから成る磁気機械電子物品監視システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/269,651 | 1994-06-30 | ||
| US08/269,651 US5469140A (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Transverse magnetic field annealed amorphous magnetomechanical elements for use in electronic article surveillance system and method of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887237A true JPH0887237A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3152862B2 JP3152862B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=23028120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12305595A Expired - Lifetime JP3152862B2 (ja) | 1994-06-30 | 1995-04-25 | 電子物品監視装置用磁気標識及び製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5469140A (ja) |
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| CA (1) | CA2146814C (ja) |
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| RU (1) | RU2126553C1 (ja) |
| TW (1) | TW291559B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6893511B1 (en) | 1998-09-10 | 2005-05-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Production method for semirigid magnetic material and semirigid material and magnetic marker using it |
| WO2008013245A1 (fr) | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Next Corporation | Marqueur magnétique et son procédé de fabrication |
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