JP2000514245A - 磁気特性安定のための焼き鈍し磁性要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 磁気機械的ＥＡＳマーカー用の制御要素は、アモルファス半金属（２０）を実質的に平坦に維持しながら、部分的に結晶化するように焼き鈍しすることにより形成される。好ましくは、二段階の処理が、鋳造されたままの軟磁性のアモルファス金属材料（２０）に半硬磁性特性を導入するために適用される。第一段階（２６）では、材料がその結晶化温度よりも低い温度で少なくとも一時間に亘って焼き鈍しされる。これは材料の体積の縮小を生起する。第二段階（３０）は、材料の嵩を結晶化し、且つ半硬磁性特性を与えるのに充分な時問に亘って結晶化温度よりも高い温度で実行される。この二段階焼き鈍し処理は、通常の結晶化処理に起因する材料の変形を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】 磁気特性安定のための焼き鈍し磁性要素 発明の背景 本発明は、磁性要素に関し、特に半硬磁性要素とその製造方法に関する。 本明細書で使用されるように、用語「半硬磁性要素」は、本明細書では、保磁 力が約１０−５００エルステッド(Oe)の範囲であり、磁気要素を実質的に飽和す るように磁化させるDC磁化場を消磁した後の残留磁化が約６キロガウス(KG)以上 として定義される半硬磁性特性を有する磁性要素を意味する。これらの半硬磁性 特性を有する半硬磁性要素は何件もの出願で用いられている。一つの特定の出願 では、この要素は磁気電子的物品監視（EAS）システムにおけるマーカーのため の制御要素として働く。この形式の磁気マーカーは、例えば米国特許第４,５１ ０,４８９号に開示されている。 この’４８９号特許のマーカーにおいては、半硬磁性要素が磁気歪みアモルフ ァス要素に近接して配置されている。半硬磁性要素を実質的に飽和へ磁化するこ とにより、結果的な磁性要素の残留磁化磁性誘導は、磁気歪み要素を有効化、即 ち励磁して呼び掛け場(interrogating magnetic field)に応答して所定周波数で 磁気的に共鳴または振動できる。 この機械的振動に起因して磁気歪み要素は所定周波数の磁場を発生する。発生 した磁場はマーカーの存在を検出するように感応することができる。半硬磁性要 素の消磁により、磁気歪み要素は、無効化、即ち非励磁されるので、作動磁場に 応答して所定周波数で共鳴することはできない。この形式のマーカーは、しばし ば「磁気機械的」マーカーと称されており、それに対応するＥＡＳシステムは磁 気機械的ＥＡＳシステムと称されている。 磁気機械的マーカにおける制御要素として使用可能な低コストの半硬磁性要素 を製造する技術は、米国特許第５,３５１,０３３号に開示されており、この特許 は本願と共通の譲受人に譲渡されている。この’０３３号特許の開示によれば、 アモルファス半金属材料、例えばMertglas（商標名）２６０５ＴＣＡおよび ２６０５Ｓ２などキャストのような軟磁性特性を有する材料が、半硬磁性特性を 発現するように処理される。この’０３３号特許に開示された工程は、鋳造され たままのアモルファス合金リボンを個々のストリップに切断して、次いでこのス トリップを焼き鈍し、このストリップの嵩の少なくとも一部を結晶化させるよう にすることを含む。 アモルファス合金ストリップが’０３３号特許の教示によって処理されたとき 、アモルファス相から結晶相への遷移に付随する体積の減少がある。一般に体積 の減少は異方性であるので、その結果としてストリップはねじれを受けて、この ねじれはストリップに歪み、または「波打ち状(rippled)」の状態をもたらす。 処理されたストリップの波打ち状形状に起因する多くの不都合がある。そのな かには、ストリップの取り扱いやＥＡＳマーカーを形成するようにストリップを 纏めることにおける困難性がある。更に、磁性要素がその波打ち状態で制御要素 として使用されると、制御要素により与えられる有効バイアス場について、各要 素間で変動が生じてしまい、これは組立後のマーカーの共鳴周波数の変動をもた らしてしまう。これはマーカーの実効性および信頼性に悪影響を与える。 発明の目的と概要 本発明の目的は、軟磁性アモルファス合金ストリップの結晶化により、磁気機 械的ＥＡＳマーカー用の低コストの制御要素を与えることである。 本発明の更なる目的は、合金ストリップの寸法変形を実質的に回避する方式で 結晶化処理を実行することである。 本発明の原理によれば、上述と他の目的は、実質的に平坦を保持しながら部分 的に結晶化するように焼き鈍しされたアモルファス半金属で形成されたリボン形 状の不連続な磁性要素を与えることにより実現される。 本発明の他の観点によれば、磁性要素の製造方法が与えられ、この方法は、磁 気軟アモルファス金属材料から形成された磁性要素を設ける段階と、アモルファ ス材料をその結晶化温度よりも低い温度で少なくとも一時間に亘って第一の焼き 鈍しをする第一焼き鈍し段階と、この第一の焼き鈍し段階の後に、アモルファス 材料を、磁性材料全体に半硬磁性特性を与えるようにアモルファス材料の嵩を結 晶化するのに充分な温度で或る時間に亘って第二の焼き鈍しをする第二焼き鈍し 段階とを含む。 上記に要約した工程は、Metglas（商標名）２６０５ＳＢ１を有する材料に関 して実行し得る。ここで第一の焼き鈍しは約４８５℃の温度で実行され、第二の 焼き鈍しは６００℃を越える温度で実行される。 本発明の他の観点によれば、磁性要素の製造方法が与えられ、この方法は、磁 気軟アモルファス金属材料から形成された磁性要素を設ける段階と、そのアモル ファス材料を室温からそのアモルファス材料の結晶化温度より高い焼き鈍し温度 へ加熱する段階であり、その加熱は、アモルファス材料の温度が常に０．２６５ ℃／秒を超える率で実行される加熱段階と、アモルファス材料を、磁性材料全体 に半硬磁性特性を与えるようにアモルファス材料の嵩を結晶化するのに充分な時 間に亘って焼き鈍し温度で焼き鈍しをする段階とを含む。 上述の工程を用いると、磁気機械的マーカーのための制御要素が軟磁性アモル ファス合金の平坦なストリップの熱処理により形成することができ、その熱処理 は、材料の寸法安定性を保ち、実質的に平坦な制御要素を生じる方式でなされる 。本発明により生成された制御要素は、平坦な形態と、個々のマーカーの間の大 きな変動がない磁気特性とを有するマーカーに容易に纏めることができる。 図面の簡単な説明 本発明の上述およびその他の特徴、観点および利点は、添付図面を参照しなが ら以下の詳細な説明を読むことにより一層に明らかになるであろう。 図１は、本発明の原理により生成された半硬磁性要素を含む磁気マーカーを使 用するＥＡＳシステムを示す。 図２は、本発明の半硬磁性要素を形成するようにアモルファス半金属材料へ施 された工程段階のフローダイアグラムである。 図３は、図２の工程の一部をなす加熱処理段階を示すグラフである。 詳細な説明 図１は、磁気機械的ＥＡＳシステム１を示し、ここでは呼び掛け領域６におけ る物品１１の存在が、その物品に貼付されたマーカー２の感応により検出される 。マーカー２は、本発明の原理により設計された半硬磁性要素３を含む。この半 硬磁性要素３は、マーカー２内で隣接する信号発生要素を能動化および非能動化 するために使用される。この信号発生要素４は、上述の’４８９号特許または係 属中の米国特許出願第０８／５０８,５８０号（１９９５年７月２８日出願）に 説明された如きアモルファス磁気歪み要素とすることができる。 ＥＡＳシステム１は、ＡＣ磁場を呼び掛け領域６へ送信する送信器５を更に含 む。呼び掛け領域６におけるマーカー２ひいては物品１１の存在は、受信器７に より検出され、この受信器７は、マーカー２の信号発生要素４と、送信された磁 場との干渉により発生した信号を検出する。 半硬磁性要素３を第一の磁気状態（磁化）におくことにより、マーカーの信号 発生要素４を有効にさせて能動状態にさせることができるので、作動磁場に干渉 させて信号を発生させることができる。次いで、要素３の磁化状態を（磁化から 非磁化へ）切り替えることにより、信号発生要素４を無効にさせて非能動状態に させることができるので、信号を発生するように磁場に干渉することはない。こ の方式においては、マーカー２は、再能動化ユニット８および能動化／非能動化 ユニット９における所望の設定により能動化、非能動化、および再能動化できる 。 例 ここで本発明の原理の例示的な例について説明する。この例において処理され た材料は、AlliedSignal Corp.から２６０５ＳＢ１の名称の下に商業的に入手可 能である。この材料は、鉄、シリコンおよびボロンのみから組成されていると考 えられる。この材料は、リールに巻回された約１１.４５ｍｍ幅、約５０.８ミク ロン（２ミル）厚の長く薄いアモルファス半金属の形式でAlliedSignalから入手 できる。 この例により実行された工程段階は、図２に示されており、初期化段階２０を 含み、ここでは鋳造されたままの材料の連続的リボンを個々のストリップへ切断 する。各切断は、連続的リボンの長さ方向軸に対して９０度の角度でなして、矩 形形状を有する個々のストリップを生成するようにすることが好ましい。その切 断の間の間隔は、各々の尖端から尖端までの長さが約３８.１ｍｍのストリップ を生成するようにする。個々のストリップの幅は、個々のストリップの最も長い 側に対して垂直方向にとって、連続的リボンと同一の幅、即ち１１.４５ｍｍで ある。 次いで各切断要素を取り扱い易いように配置し、初めには室温にある炉の中に 置く(段階２２)。図３に符号２４で示され、且つ図２に段階２６で示されるよう に、炉内の要素を、その材料についての結晶化温度よりも低い温度へ加熱し、そ の温度を一時間に亘って維持する。この初期加熱処理段階はしばしば「前段焼き 鈍し(pre-annealing)」と称する。 ＳＢ１材料については、結晶化温度ＴＣＲＹは約５４５℃であり、前段焼き鈍 しのための好適温度は約４８５℃である。 段階２６における前段焼き鈍し期問中、要素は相当に漸進的で実質的に異方性 の体積縮小を被り、且つ寸法安定性が保持されるので、要素は実質的に平坦に保 たれる。この段階は、要素の長さ方向において約０.６５パーセント(０．００６ ５)の縮小を生じることが見い出されている。 前段焼き鈍しの後、図３に符号２８で示され、図２に段階３０で示されるよう に、ＴＣＲＹより高い温度にて熱処理を続ける。結晶化温度よりも高い処理は、 要素の嵩の一部または全部の結晶化により、所望の半硬磁性特性を得るのに充分 な温度において長時間に亘って実行する。図３に示された特定例においては、約 二時間半続け、約６５０℃よりも高い温度で実行した。このとき、要素は更なる 体積縮小を被るが、従来技術の結晶化工程に特徴付けられる捻れや歪みを伴わず に、適度な大きさになるのみである。 結晶化段階３０の終端において、要素を室温へ冷却する(図２の段階３２)。 上記の例に説明した工程は、磁気機械的マーカ用の制御要素を低コストで、且 つ従来の公知の工程方法により生じる変形または波打ちを免れて、実質的に平坦 な幾何学的プロフィールで生成する。結果的に産した要素は取り扱いに便利であ り、小さく纏められたマーカーに組み込むことができる。更に、結果的に産した 制御要素は、磁化が飽和したときに、予想されるバイアス場レベルを確実に与え 、制御要素が使用されているマーカーは、制御要素により与えられたバイアス場 の変動に起因する変化を受けない共鳴周波数を持つ。 上述の特定例の特定のパラメータは、処理された制御要素の所望の寸法安定性 を依然として達成するという観点で、多数の変更が可能である。例えば、前段焼 き鈍しは、４５０℃よりも高く、５４５℃の結晶化温度ＴＣＲＹよりも低い様々 な温度で実行することができると考えられる。前段焼き鈍しについての好適な範 囲は約４８５−５２０℃である。前段焼き鈍し段階は、所望の寸法安定性を与え るために少なくとも一時間に亘って維持する必要があると考えられる。前段焼き 鈍しを一時間以上に亘って続けることも企図される。何れの場合においても、長 さ方向へ０.６５パーセントだけ縮小させるに充分な材料の体積縮小は、捻れを 防止する目的で、結晶化に先立って達成すべきであると考えられる。 上述の工程をＳＢ１材料以外の材料に適用することも企図される。例えば、少 なくとも部分的な結晶化が続く前段焼き鈍しの工程は、先に引用した’０３３号 特許に説明された２６０５ＴＣＡおよび２６０５Ｓ２材料に適用できる。他の軟 磁性アモルファス合金に対するこの工程の適用も企図される。 ＳＢ１材料以外の材料については、前段焼き鈍しおよび結晶化段階についての 適切なパラメータを確立するためには、適度な回数の実験をなす必要があろう。 とにかく、前段焼き鈍しは、問題の材料についての結晶化温度よりも低い温度で 実行せねばならない。寸法安定性が達成されるとすれば、少なくとも４００℃の 温度と少なくとも一時間の期間が、前段焼き鈍しについての最小パラメータであ ると考えられる。結晶化段階の温度と期間とは、材料の結晶化温度と、材料に誘 導することが望まれる特定の磁性特性との双方に依存する。 上述した特定例では、切断された磁性要素には、４５０℃よりも高く、結晶化 温度よりも低い温度を少なくとも約一時間に亘って維持した。しかしながら、満 足できる結果は、これに代わる方式の前段焼き鈍しを実行しても得られると考え られる。この代替例によれば材料は、室温から、結晶化段階がなされる温度ＴＣ ＲＹよりも高い温度へ漸進的に加熱される。室温から結晶化処理温度への加熱が 充分に緩慢になされるならば、結晶化の前に前段収縮(pre-shrinkage)が生じる と考えられ、不所望な寸法変形が防止される。試料が処理される加熱率が充分に 緩慢であること、即ち試料の一部または全部を自然に熱解除する場合に遷移相(「 再熱現象」として知られる過程）で起き得るような炉内の温度のスパイクが自然 発 生しないようにすることは重要であると考えられる。再熱現象に起因する加熱ス パイクは、ＳＢ１材料の場合には、加熱率を毎秒あたり.２６５℃以下に制御す れば防止できる。 本発明の出願人によりなされた他の発明の原理を本発明の原理に組み合わせて 適用することも企図される。この他の発明は、代理人整理番号Ｃ４−４４６、発 明の名称「軟磁性体の焼き鈍しと酸化抑制により形成された半硬磁性要素(Semi- Hard Magnetic Elements Formed By Annealing And Controlled Oxidation of S oftMagnetic Material)」として本願と同時に出願された係属中の特許出願に開 示されている。 この他の発明の原理によれば、室温から適切な温度、即ち焼き鈍し温度への材 料の加熱と、焼き鈍し温度から室温への材料の冷却とは、何れも不活性雰囲気、 例えば純粋な窒素ガスの存在下で実行される。これら加熱段階と冷却段階との間 と、結晶化の目的のための熱処理期間中とにおいて、材料は、酸化が起きる度合 いが抑制されるように制御された期間に亘って酸素に晒される。その酸化の度合 いは、結果的に産する制御要素が磁化されて飽和したときに与えられる磁束レべ ルの増加を与えるように選択される。 本発明と上記他の発明との双方の教示が採用された好適実施例によれば、材料 は不活性雰囲気中で室温から４８５℃へ加熱される。前段焼き鈍しが一時間に亘 って４８５℃で実行される間、不活性雰囲気が維持される。不活性雰囲気を依然 として維持しながら、材料の温度は再び５８５℃へ上昇し、この温度は一時間に 亘って維持される。次いで、更に一時間に亘って５８５℃に維持され、この期間 には、酸化抑制段階を実行するように周囲の空気を炉内へ流入可能とし、それに 続いて、復帰された不活性雰囲気中で更に一時間の処理が５８５℃でなされる。 復帰した不活性雰囲気は、材料が一時間に亘る７１０℃における更なる処理のた めに加熱されるように続けて維持され、次いで材料は、依然として不活性雰囲気 中で７１０℃から室温へ冷却される。結果的に産する材料は、約１９０ｅの保磁 力を有する。 他の変形例のように、最後の一時間の熱処理を７１０℃に代えて８００℃で実 行すると、約１１０ｅの保磁力が生じる。 全ての場合において、上述した配置構成は、本発明の適用を示す幾多の可能な 特定実施例の単なる例示であることが明らかである。多数の様々な他の配置構成 が、本発明の要旨と目的とから逸脱することなく、本発明の原理に従って容易に 案出できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ， ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，Ｆ Ｉ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ， ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，Ｎ Ｏ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ， ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．アモルファス半金属からなるリボン形状の不連続な磁性要素であり、そのア モルファス半金属は、実質的に平坦を保ちながら少なくとも部分的に結晶化す るように焼き鈍しされているリボン形状の不連続な磁性要素。 ２．前記半金属が、実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成されている請求 項１記載のリボン形状の不連続な磁性要素。 ３．前記半金属が、基本的にＭｅｔｇｌａｓ（商標名）２６０５ＳＢ１からなる 請求項２記載のリボン形状の不連続な磁性要素。 ４．約５０．８ミクロンの最小寸法を有する請求項３記載のリボン形状の不連続 な磁性要素。 ５．磁性要素を製造する方法であって、 磁気軟アモルファス金属材料から形成された磁性要素を設ける段階と、 前記アモルファス材料をその結晶化温度よりも低い温度で少なくとも一時間 に亘って第一の焼き鈍しをする第一焼き鈍し段階と、 この第一焼き鈍し段階の後、前記アモルファス材料を、磁性材料全体に半硬 磁性特性を与えるようにアモルファス材料の嵩を結晶化するのに充分な温度で 或る時間に亘って第二の焼き鈍しをする第二焼き鈍し段階とを含む方法。 ６．前記アモルファス材料が、実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成され ている請求項５記載の方法。 ７．前記アモルファス材料が、基本的にＭｅｔｇｌａｓ２６０５ＳＢ１からなる 請求項６記載の方法。 ８．第一焼き鈍し段階が、４５０℃より高い温度で実行される請求項７記載の方 法。 ９．第二焼き鈍し段階が、少なくとも５４５℃の温度で実行される請求項８記載 の方法。 10．第一焼き鈍し段階が、４８５℃−５２０℃の範囲の温度で実行される請求項 ８記載の方法。 11．第一焼き鈍し段階が、少なくとも４００℃の温度で実行される請求項５記載 の方法。 12．一焼き鈍し段階が、実質的に不活性雰囲気中で実行される請求項５記載の方 法。 13．磁性要素を製造する方法であって、 磁気軟アモルファス金属材料から形成された磁性要素を設ける段階と、 前記アモルファス材料を室温から前記アモルファス材料の結晶化温度よりも 高い温度へ加熱し、その加熱は、前記アモルファス材料の温度が常に０.２６ ５℃／秒を超えて増大する率で実行される加熱段階と、 前記アモルファス材料を、磁性材料全体に半硬磁性特性を与えるようにアモ ルファス材料の嵩を結晶化するのに充分な温度で或る時間に亘って焼き鈍しを する焼き鈍し段階とを含む方法。 14．前記アモルファス材料が、実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成され ている請求項１３記載の方法。 15．前記アモルファス材料が、基本的にＭｅｔｇｌａｓ２６０５ＳＢ１からなる 請求項１４記載の方法。 16．前記焼き鈍し段階が、少なくとも５４５℃の温度で実行される請求項１５記 載の方法。 17．前記アモルファス材料を室温から前記焼き鈍し温度へ加熱する段階が、実質 的に不活性雰囲気中で実行される請求項１３記載の方法。 18．磁性要素であり、この磁性要素全体に半硬磁性特性を与えるように嵩の一部 が結晶化されたアモルファス磁気軟鉄半金属材料を備え、前記アモルファス磁 気軟鉄半金属材料は、結晶化に先立って少なくとも一時間に亘って前段焼き鈍 しされており、その焼き鈍しは前記アモルファス磁気軟鉄半金属材料の結晶化 温度よりも低い温度でなされる磁性要素。 19．前記前段焼き鈍し段階が、少なくとも４００℃の温度でなされる請求項１８ 記載の磁性要素。 20．実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成されている請求項１８記載の磁 性要素。 21．基本的にＭｅｔｇｌａｓ２６０５ＳＢ１からなる請求項２０記載の磁性要素 。 22．前記前段焼き鈍し段階が、４５０℃を超えるより温度でなされる請求項２１ 記載の磁性要素。 23．前記前段焼き鈍し段階が、４８５℃−５２０℃の範囲の温度でなされる請求 項２２記載の磁性要素。 24．ＥＡＳシステムに使用するマーカーであって、 信号発生第一磁性要素であり、この要素が、作動磁場に干渉できる能動状態 と、前記作動磁場に干渉できない非能動状態とを有する信号発生第一磁性要素 と、 この信号発生第一磁性要素に隣接して配置され、前記信号発生第一磁性要素 を前記能動状態および非能動状態にさせる第二の磁性要素であり、その第二の 磁性要素は、嵩の少なくとも一部が第二の磁性要素全体に半硬磁性特性を与え るように結晶化されたアモルファス磁気軟鉄半金属材料を含み、このアモルフ ァス磁気軟鉄半金属材料は、結晶化に先だって少なくとも一時間に亘って前段 焼き鈍しされ、その前段焼き鈍しは、前記アモルファス磁気軟鉄半金属材料の 結晶化温度よりも低い温度である第二の磁性要素とを備えるマーカー。 25．第二の磁性要素が、実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成されている 請求項２４記載のマーカー。 26．第二の磁性要素が、基本的にＭｅｔｇｌａｓ２６０５ＳＢ１からなる請求項 ２０記載の磁性要素。 27．呼び掛け領域におけるマーカーの存在を検出する電子的物品監視システムで あって、 マーカーであって、作動磁場に干渉できる能動状態と、前記作動磁場に干渉 できない非能動状態とを有する信号発生第一磁性要素と、この信号発生第一磁 性要素に隣接して配置され、前記信号発生第一磁性要素を前記能動状態および 非能動状態にさせる第二の磁性要素であり、その第二の磁性要素は、嵩の少な くとも一部が第二の磁性要素全体に半硬磁性特性を与えるように結晶化された アモルファス磁気軟鉄半金属材料を含み、このアモルファス磁気軟鉄半金属材 料は、結晶化に先だって少なくとも一時間に亘って前段焼き鈍しされ、その前 段焼き鈍しは、前記アモルファス磁気軟鉄半金属材料の結晶化温度よりも低い 温度である第二の磁性要素とを含むマーカーと、 前記磁場を前記呼び掛け領域へ送信する手段と、 前記磁場に干渉する前記マーカーの信号発生第一要素からの生じる信号を受 信する手段とを備える電子的物品監視システム。 28．第二の磁性要素が、実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成されている 請求項２７記載の電子的物品監視システム。 29．第二の磁性要素が、基本的にＭｅｔｇｌａｓ２６０５ＳＢ１からなる請求項 ２８記載の電子的物品監視システム。 30．磁性要素を製造する方法であって、 実質的に平坦なストリップの形態の磁気軟アモルファス金属材料から形成さ れた磁性要素を設ける段階と、 前記アモルファス材料をその結晶化温度よりも低い温度で、前記アモルファ ス材料のストリップの長さ方向における寸法が実質的に０．６５パーセント縮 小するのに充分な時間に亘って第一の焼き鈍しをする第一焼き鈍し段階と、 この第一焼き鈍し段階の後、前記アモルファス材料を、磁性材料全体に半硬 磁性特性を与えるようにアモルファス材料の嵩を結晶化するのに充分な温度で 或る時間に亘って第二の焼き鈍しをする第二焼き鈍し段階とを含む方法。 31．前記アモルファス材料が、実質的に鉄、シリコン、ボロンのみから組成され ている請求項３０記載の方法。 32．前記アモルファス材料が、基本的にＭｅｔｇｌａｓ２６０５ＳＢ１からなる 請求項３１記載の方法。 33．第一焼き鈍し段階が、少なくとも約４００℃の温度で実行される請求項３０ 記載の方法。 34．第一焼き鈍し段階が、少なくとも一時間に亘って終了する請求項３２記載の 方法。