JPH0823112A - カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法 - Google Patents
カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法Info
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- JPH0823112A JPH0823112A JP6156081A JP15608194A JPH0823112A JP H0823112 A JPH0823112 A JP H0823112A JP 6156081 A JP6156081 A JP 6156081A JP 15608194 A JP15608194 A JP 15608194A JP H0823112 A JPH0823112 A JP H0823112A
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- thin film
- sputtering
- chalcopyrite
- type compound
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 カルコパイライト化合物を構成するＳ、Ｓｅ
又はＴｅ元素を含有するガスを導入するスパッタリング
により形成された薄膜を、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有
するガス雰囲気中で熱処理するカルコパイライト化合物
薄膜の形成方法及び該方法で得られた薄膜を用いる薄膜
太陽電池の製造方法。 【効果】 薄膜の組成均一性が面内方向で微視的にも良
好で、かつ粒径の均一なモルフォロジーを有するカルコ
パイライト化合物薄膜を作製できる。また、変換効率の
優れた薄膜太陽電池を作製できる。
又はＴｅ元素を含有するガスを導入するスパッタリング
により形成された薄膜を、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有
するガス雰囲気中で熱処理するカルコパイライト化合物
薄膜の形成方法及び該方法で得られた薄膜を用いる薄膜
太陽電池の製造方法。 【効果】 薄膜の組成均一性が面内方向で微視的にも良
好で、かつ粒径の均一なモルフォロジーを有するカルコ
パイライト化合物薄膜を作製できる。また、変換効率の
優れた薄膜太陽電池を作製できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池等に応用され
るカルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および該製
造方法で得られた薄膜を用いる太陽電池の製造方法に関
するものである。
るカルコパイライト型化合物薄膜の製造方法および該製
造方法で得られた薄膜を用いる太陽電池の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】カルコパイライト型化合物は、太陽電池
や発光素子等への応用が期待される材料である。特に、
ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＧａＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2 及びこ
れらの混晶化合物は、直接遷移型であるために光吸収係
数が大きく、またバンドギャップが太陽光スペクトルに
マッチしていることから、太陽電池材料としての応用が
期待されている。例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を少なく
とも表面が導電性を有する基板上に製造する方法とし
て、真空蒸着法、スパッタリング法、スプレー法、電着
法などが知られている。これらの中で、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｅの各元素を蒸発源として同時に用いる三源同時蒸着法
によるＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を用いた太陽電池で１５％以
上の変換効率が報告されている（Ｃｏｎｆ．Ｒｅｃ．２
３ｒｄ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖ．Ｓｐｅｃ．Ｃｏ
ｆ．，Ｌｏｎｉｓｖｉｌｌｅ，１９９３，ｐ．３６
４）。
や発光素子等への応用が期待される材料である。特に、
ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＧａＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2 及びこ
れらの混晶化合物は、直接遷移型であるために光吸収係
数が大きく、またバンドギャップが太陽光スペクトルに
マッチしていることから、太陽電池材料としての応用が
期待されている。例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を少なく
とも表面が導電性を有する基板上に製造する方法とし
て、真空蒸着法、スパッタリング法、スプレー法、電着
法などが知られている。これらの中で、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓ
ｅの各元素を蒸発源として同時に用いる三源同時蒸着法
によるＣｕＩｎＳｅ2 薄膜を用いた太陽電池で１５％以
上の変換効率が報告されている（Ｃｏｎｆ．Ｒｅｃ．２
３ｒｄ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖ．Ｓｐｅｃ．Ｃｏ
ｆ．，Ｌｏｎｉｓｖｉｌｌｅ，１９９３，ｐ．３６
４）。
【０００３】しかしながら、同時蒸着法は、太陽電池の
実用化に必須の大面積化、量産化には適しているとは言
い難い。それに対して、Ｃｕ／Ｉｎ積層膜、Ｃｕ−Ｉｎ
合金膜またはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ混合膜（Ｓｅ量は化学量
論比より少ない、つまりモル比でＳｅ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）
＜１）をＳｅ含有雰囲気中で熱処理することによりＣｕ
ＩｎＳｅ2 膜を形成するセレン化法が、量産化にも適
し、高変換効率が得られていることから、最近注目され
ている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３
２（１９９３）Ｓｕｐｐｌ．３２−３，ｐｐ．３５−４
０）。
実用化に必須の大面積化、量産化には適しているとは言
い難い。それに対して、Ｃｕ／Ｉｎ積層膜、Ｃｕ−Ｉｎ
合金膜またはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ混合膜（Ｓｅ量は化学量
論比より少ない、つまりモル比でＳｅ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）
＜１）をＳｅ含有雰囲気中で熱処理することによりＣｕ
ＩｎＳｅ2 膜を形成するセレン化法が、量産化にも適
し、高変換効率が得られていることから、最近注目され
ている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３
２（１９９３）Ｓｕｐｐｌ．３２−３，ｐｐ．３５−４
０）。
【０００４】セレン化法の中で、Ｃｕ／Ｉｎ積層膜及び
Ｃｕ−Ｉｎ合金膜を用いた場合には、熱処理によって形
成された薄膜の基板に対する密着性が悪く、また薄膜内
での組成が不均一であるという問題があり、それが変換
効率の低下に起因している。これらの問題を解決し高変
換効率を達成する方法として、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ混合膜
をセレン化する方法が期待されている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）Ｓｕｐｐ
ｌ．３２−３，ｐｐ．３５−４０）。
Ｃｕ−Ｉｎ合金膜を用いた場合には、熱処理によって形
成された薄膜の基板に対する密着性が悪く、また薄膜内
での組成が不均一であるという問題があり、それが変換
効率の低下に起因している。これらの問題を解決し高変
換効率を達成する方法として、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ混合膜
をセレン化する方法が期待されている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）Ｓｕｐｐ
ｌ．３２−３，ｐｐ．３５−４０）。
【０００５】Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅを形成する方法として、
同時蒸着法、スパッタリング法等があるが、大面積に高
効率の太陽電池を作製するためには、スパッタリング法
が最も有効である。しかしながら、スパッタリングによ
る上記薄膜の形成方法として、スパッタガスにＡｒを用
いて、スパッタターゲットにＣｕ、ＩｎおよびＳｅを用
いた同時スパッタ、ＣｕおよびＩｎ−Ｓｅ化合物を用い
た同時スパッタ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ化合物を用いたスパ
ッタなどが従来から知られているが、これらの方法に
は、形成されたＣｕＩｎＳｅ2 膜の面内で、微視的にＣ
ｕの多い部分とＩｎの多い部分とが存在し、結晶粒径の
不均一な表面モルフォロジーになり、この組成の不均一
さが太陽電池特性の低下の原因となるという問題があっ
た。
同時蒸着法、スパッタリング法等があるが、大面積に高
効率の太陽電池を作製するためには、スパッタリング法
が最も有効である。しかしながら、スパッタリングによ
る上記薄膜の形成方法として、スパッタガスにＡｒを用
いて、スパッタターゲットにＣｕ、ＩｎおよびＳｅを用
いた同時スパッタ、ＣｕおよびＩｎ−Ｓｅ化合物を用い
た同時スパッタ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ化合物を用いたスパ
ッタなどが従来から知られているが、これらの方法に
は、形成されたＣｕＩｎＳｅ2 膜の面内で、微視的にＣ
ｕの多い部分とＩｎの多い部分とが存在し、結晶粒径の
不均一な表面モルフォロジーになり、この組成の不均一
さが太陽電池特性の低下の原因となるという問題があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、大面積で面
内組成の均一性の良いＣｕＩｎＳｅ2 等のカルコパイラ
イト型化合物薄膜の作製方法及び変換効率の良い薄膜太
陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
内組成の均一性の良いＣｕＩｎＳｅ2 等のカルコパイラ
イト型化合物薄膜の作製方法及び変換効率の良い薄膜太
陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる状況下において、
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した
結果、スパッタ雰囲気中に存在する微量の酸素がＣｕ−
Ｉｎ−Ｓｅ膜に混入し、その酸素が、セレン化の昇温過
程においてＩｎ2 Ｏ3 として膜内に生成され、その部分
がセレン化終了後のＣｕＩｎＳｅ2 膜においてＩｎの多
い部分となり、組成の不均一及び粒径の不均一が発生す
ることを明らかにし、さらに、Ｃｕ及びＩｎ又はＣｕＩ
ｎ合金、さらにはそれらのセレン化物をターゲットとし
て用いるスパッタリングにおいて、スパッタガスにＨ2
Ｓｅ等のＳｅ化合物を添加することが酸素の含有されな
いＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ膜を形成し、それにより微視的にも
組成の均一なＣｕＩｎＳｅ2 薄膜の作製に有効であるこ
とを見いだし、本発明をなすに至った。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した
結果、スパッタ雰囲気中に存在する微量の酸素がＣｕ−
Ｉｎ−Ｓｅ膜に混入し、その酸素が、セレン化の昇温過
程においてＩｎ2 Ｏ3 として膜内に生成され、その部分
がセレン化終了後のＣｕＩｎＳｅ2 膜においてＩｎの多
い部分となり、組成の不均一及び粒径の不均一が発生す
ることを明らかにし、さらに、Ｃｕ及びＩｎ又はＣｕＩ
ｎ合金、さらにはそれらのセレン化物をターゲットとし
て用いるスパッタリングにおいて、スパッタガスにＨ2
Ｓｅ等のＳｅ化合物を添加することが酸素の含有されな
いＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ膜を形成し、それにより微視的にも
組成の均一なＣｕＩｎＳｅ2 薄膜の作製に有効であるこ
とを見いだし、本発明をなすに至った。
【０００８】すなわち、本発明は以下の通りである。 １． ＡＢＸ2 （式中、Ａは元素周期律表のＩｂ族元素
を、ＢはＩＩＩｂ族元素を表す。ＸはＳ、Ｓｅ又はＴｅ
を表す。）で表されるカルコパイライト型化合物薄膜の
製造方法において、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有するス
パッタガスを用いるスパッタリングにより薄膜を形成し
た後に、該薄膜をＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有するガス
雰囲気中で熱処理することを特徴とするカルコパイライ
ト型化合物薄膜の製造方法。 ２． スパッタガスが、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅの水素化物を
含有するガスであることを特徴とする請求項１記載のカ
ルコパイライト型化合物薄膜の製造方法。 ３． ＡＢＸ2 （式中、Ａは元素周期律表のＩｂ族元素
を、ＢはＩＩＩｂ族元素を表す。ＸはＳ、Ｓｅ又はＴｅ
を表す。）で表されるカルコパイライト型化合物薄膜を
用いる薄膜太陽電池の製造方法において、該カルコパイ
ライト型化合物薄膜を、請求項１又は請求項２に記載の
製造方法で製造することを特徴とする薄膜太陽電池の製
造方法。
を、ＢはＩＩＩｂ族元素を表す。ＸはＳ、Ｓｅ又はＴｅ
を表す。）で表されるカルコパイライト型化合物薄膜の
製造方法において、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有するス
パッタガスを用いるスパッタリングにより薄膜を形成し
た後に、該薄膜をＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有するガス
雰囲気中で熱処理することを特徴とするカルコパイライ
ト型化合物薄膜の製造方法。 ２． スパッタガスが、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅの水素化物を
含有するガスであることを特徴とする請求項１記載のカ
ルコパイライト型化合物薄膜の製造方法。 ３． ＡＢＸ2 （式中、Ａは元素周期律表のＩｂ族元素
を、ＢはＩＩＩｂ族元素を表す。ＸはＳ、Ｓｅ又はＴｅ
を表す。）で表されるカルコパイライト型化合物薄膜を
用いる薄膜太陽電池の製造方法において、該カルコパイ
ライト型化合物薄膜を、請求項１又は請求項２に記載の
製造方法で製造することを特徴とする薄膜太陽電池の製
造方法。
【０００９】本発明における薄膜太陽電池は図１の構造
を有する。ガラスなどの基板１上に、膜厚０．５〜２μ
ｍのＭｏ等の導電性薄膜２を形成し、その上に１〜３μ
ｍのカルコパイライト化合物薄膜３を形成し、さらに、
５〜１０００ｎｍのＣｄＳ等のｎ型半導体層４、０．１
〜２μｍのＩＴＯ等の透明電極層５を順次形成すること
により、薄膜太陽電池は作製される。
を有する。ガラスなどの基板１上に、膜厚０．５〜２μ
ｍのＭｏ等の導電性薄膜２を形成し、その上に１〜３μ
ｍのカルコパイライト化合物薄膜３を形成し、さらに、
５〜１０００ｎｍのＣｄＳ等のｎ型半導体層４、０．１
〜２μｍのＩＴＯ等の透明電極層５を順次形成すること
により、薄膜太陽電池は作製される。
【００１０】本発明におけるカルコパイライト化合物と
は、Ｃｕ、Ａｇ等の元素周期律表Ｉｂ族金属、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ等の元素周期律表ＩＩＩｂ族金属及びＳ、Ｓ
ｅ、Ｔｅのカルコゲン元素からなり、カルコパイライト
（黄銅鉱）型構造をとる化合物を総称したものである。
これらの中でもＣｕＩｎＳ2 、ＡｇＩｎＳ2 、ＣｕＩｎ
Ｓｅ2 、ＣｕＧａＳｅ2 、ＡｇＩｎＳｅ2 、ＡｇＧａＳ
ｅ2 、ＣｕＩｎＴｅ2 、ＣｕＧａＴｅ2 、ＡｇＩｎＴｅ
2 、ＡｇＧａＴｅ2 或いはそれらの固溶体などが、適当
なバンドギャップを持っており、薄膜太陽電池用材料と
して好ましく、これらの中でもＣｕＩｎX Ｇａ1-X Ｓｅ
Y Ｓ1-Y なる化学式で表される化合物がより好ましい。
は、Ｃｕ、Ａｇ等の元素周期律表Ｉｂ族金属、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ等の元素周期律表ＩＩＩｂ族金属及びＳ、Ｓ
ｅ、Ｔｅのカルコゲン元素からなり、カルコパイライト
（黄銅鉱）型構造をとる化合物を総称したものである。
これらの中でもＣｕＩｎＳ2 、ＡｇＩｎＳ2 、ＣｕＩｎ
Ｓｅ2 、ＣｕＧａＳｅ2 、ＡｇＩｎＳｅ2 、ＡｇＧａＳ
ｅ2 、ＣｕＩｎＴｅ2 、ＣｕＧａＴｅ2 、ＡｇＩｎＴｅ
2 、ＡｇＧａＴｅ2 或いはそれらの固溶体などが、適当
なバンドギャップを持っており、薄膜太陽電池用材料と
して好ましく、これらの中でもＣｕＩｎX Ｇａ1-X Ｓｅ
Y Ｓ1-Y なる化学式で表される化合物がより好ましい。
【００１１】本発明において、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を
含有するスパッタガスとしては、特に限定はされない
が、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素単体の蒸気、Ｓ、Ｓｅ又はＴ
ｅの水素化物、炭化物、メチル化物、エチル化物等があ
り、中でも、炭素等の不純物の混入がなく還元性の強い
水素化物がスパッタガスとして特に適している。これら
のスパッタガス中の濃度は、モル比で０より大きく１よ
り小さければ特に限定はされないが、０．１〜３０ｍｏ
ｌ％が好ましく、より好ましくは０．５〜２０ｍｏｌ％
である。濃度が０．１ｍｏｌ％より低いと、熱処理前の
薄膜中に酸素が混入しやすく、熱処理後の膜に組成ムラ
ができやすい。また、３０ｍｏｌ％以上では成膜速度が
低下しやすく、その意味では、あまり好ましくない。ま
た、希釈ガスとしては、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）等があ
り、一般的にはアルゴンが使用される。また、不活性ガ
スで希釈されていれば、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素含有ガス
の他に、本発明の目的達成を損なわない限り別のガスを
加えてもよい。例えば、水素のような還元性ガスを同時
に添加しても良い。
含有するスパッタガスとしては、特に限定はされない
が、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素単体の蒸気、Ｓ、Ｓｅ又はＴ
ｅの水素化物、炭化物、メチル化物、エチル化物等があ
り、中でも、炭素等の不純物の混入がなく還元性の強い
水素化物がスパッタガスとして特に適している。これら
のスパッタガス中の濃度は、モル比で０より大きく１よ
り小さければ特に限定はされないが、０．１〜３０ｍｏ
ｌ％が好ましく、より好ましくは０．５〜２０ｍｏｌ％
である。濃度が０．１ｍｏｌ％より低いと、熱処理前の
薄膜中に酸素が混入しやすく、熱処理後の膜に組成ムラ
ができやすい。また、３０ｍｏｌ％以上では成膜速度が
低下しやすく、その意味では、あまり好ましくない。ま
た、希釈ガスとしては、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）等があ
り、一般的にはアルゴンが使用される。また、不活性ガ
スで希釈されていれば、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素含有ガス
の他に、本発明の目的達成を損なわない限り別のガスを
加えてもよい。例えば、水素のような還元性ガスを同時
に添加しても良い。
【００１２】本発明におけるスパッタターゲットとして
は、元素周期律表Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属を個別に、
又は合金として用いる方法、Ｉｂ族、ＩＩＩｂ族金属の
うち何れかまたは全てをカルコゲナイド化合物として用
いる方法、Ｉｂ族、ＩＩＩｂ族金属及びＳ、Ｓｅ又はＴ
ｅ元素を別々とする方法、さらにはＩｂ−ＩＩＩｂ−Ｖ
Ｉｂ族化合物とする方法等があり、特に限定されるもの
ではないが、（１）成膜速度（２）ターゲットの純度等
の面から言えば、Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属を個別に、
又は合金として用いるターゲットが特に好ましい。
は、元素周期律表Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属を個別に、
又は合金として用いる方法、Ｉｂ族、ＩＩＩｂ族金属の
うち何れかまたは全てをカルコゲナイド化合物として用
いる方法、Ｉｂ族、ＩＩＩｂ族金属及びＳ、Ｓｅ又はＴ
ｅ元素を別々とする方法、さらにはＩｂ−ＩＩＩｂ−Ｖ
Ｉｂ族化合物とする方法等があり、特に限定されるもの
ではないが、（１）成膜速度（２）ターゲットの純度等
の面から言えば、Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属を個別に、
又は合金として用いるターゲットが特に好ましい。
【００１３】また本発明において、スパッタ中の基板温
度は特に限定はされないが、熱処理後の薄膜の結晶性と
いう意味から言えば、３００℃以下が好ましく、１００
℃以下であるとより好ましい。熱処理前の薄膜中の元素
周期律表Ｉｂ族金属とＩＩＩｂ族金属のモル比は、熱処
理後にカルコパイライト構造をとりうれば特に限定され
るものではないが、ＩＩＩｂ族金属に対するＩｂ族金属
のモル比が１から大きく外れると、熱処理後にカルコパ
イライト型化合物とともにＩｂ族金属やＩＩＩｂ族金属
のカルコゲナイド化合物等の異なる結晶相が混在しやす
くなり太陽電池特性の低下の原因となることがあるた
め、モル比が０．６から１．５の範囲にあることが好ま
しい。
度は特に限定はされないが、熱処理後の薄膜の結晶性と
いう意味から言えば、３００℃以下が好ましく、１００
℃以下であるとより好ましい。熱処理前の薄膜中の元素
周期律表Ｉｂ族金属とＩＩＩｂ族金属のモル比は、熱処
理後にカルコパイライト構造をとりうれば特に限定され
るものではないが、ＩＩＩｂ族金属に対するＩｂ族金属
のモル比が１から大きく外れると、熱処理後にカルコパ
イライト型化合物とともにＩｂ族金属やＩＩＩｂ族金属
のカルコゲナイド化合物等の異なる結晶相が混在しやす
くなり太陽電池特性の低下の原因となることがあるた
め、モル比が０．６から１．５の範囲にあることが好ま
しい。
【００１４】熱処理前の薄膜のＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素を
除く成分金属元素である元素周期律表Ｉｂ族及びＩＩＩ
ｂ族金属に対するＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素のモル比は特に
限定はされないが、好ましくは０．００５以上１未満で
あり、より好ましくは０．０２以上０．９以下である。
１以上であると、熱処理による結晶性向上の効果が小さ
くなりやすく、一方、０．００５未満であると熱処理し
た膜の基板に対する密着性が悪くなりやすい。また、モ
ル比の制御は、例えば、Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属元素
が同一ターゲットにある場合はターゲットの組成比を調
整し、Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属元素が別々のターゲッ
トである場合はターゲットに印加するパワー比を調整す
ることにより行うことができる。
除く成分金属元素である元素周期律表Ｉｂ族及びＩＩＩ
ｂ族金属に対するＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素のモル比は特に
限定はされないが、好ましくは０．００５以上１未満で
あり、より好ましくは０．０２以上０．９以下である。
１以上であると、熱処理による結晶性向上の効果が小さ
くなりやすく、一方、０．００５未満であると熱処理し
た膜の基板に対する密着性が悪くなりやすい。また、モ
ル比の制御は、例えば、Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属元素
が同一ターゲットにある場合はターゲットの組成比を調
整し、Ｉｂ族及びＩＩＩｂ族金属元素が別々のターゲッ
トである場合はターゲットに印加するパワー比を調整す
ることにより行うことができる。
【００１５】Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有するガス雰囲
気中で熱処理する場合のガスとしては、Ｓ、Ｓｅ又はＴ
ｅ元素単体の蒸気、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素の水素化物、
炭化物、メチル化物、エチル化物等があり、中でも水素
化物は熱処理効果が大きく現れ好ましい。Ｓ、Ｓｅ又は
Ｔｅ元素を含有するガスの濃度は特に限定されないが、
０．０１〜１００ｍｏｌ％が好ましく、より好ましくは
０．１〜３０ｍｏｌ．％である。希釈ガスとしては、ア
ルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスが用いられ、
水素を添加しても同様な効果が現れる。熱処理の温度に
ついては、３００℃以上８００℃以下であることが好ま
しいが、熱処理温度の上限は使用する基板の種類により
限定される。例えば、ソーダライムガラスを用いた場
合、６００℃以上の熱処理においてはガラスが歪むこと
があり好ましくない。また、熱処理時間については、熱
処理後の膜の結晶性の点から言えば、０．５時間以上で
あれば特に限定されないが、８時間以上行っても該結晶
性に変化がないことから０．５〜８時間が好ましい。
気中で熱処理する場合のガスとしては、Ｓ、Ｓｅ又はＴ
ｅ元素単体の蒸気、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素の水素化物、
炭化物、メチル化物、エチル化物等があり、中でも水素
化物は熱処理効果が大きく現れ好ましい。Ｓ、Ｓｅ又は
Ｔｅ元素を含有するガスの濃度は特に限定されないが、
０．０１〜１００ｍｏｌ％が好ましく、より好ましくは
０．１〜３０ｍｏｌ．％である。希釈ガスとしては、ア
ルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスが用いられ、
水素を添加しても同様な効果が現れる。熱処理の温度に
ついては、３００℃以上８００℃以下であることが好ま
しいが、熱処理温度の上限は使用する基板の種類により
限定される。例えば、ソーダライムガラスを用いた場
合、６００℃以上の熱処理においてはガラスが歪むこと
があり好ましくない。また、熱処理時間については、熱
処理後の膜の結晶性の点から言えば、０．５時間以上で
あれば特に限定されないが、８時間以上行っても該結晶
性に変化がないことから０．５〜８時間が好ましい。
【００１６】本発明の特徴は、カルコパイライト型化合
物薄膜を形成する際に、スパッタガスとしてＳ、Ｓｅ又
はＴｅ元素物を含有するガスを用いたスパッタリングに
より、熱処理前の薄膜中から酸素を除去することがで
き、構成するＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有する雰囲気中
で熱処理する過程において、ＩＩＩｂ属金属の酸化物の
生成を抑制することにより、面内で微視的に均一な組成
のカルコパイライト型化合物薄膜を形成できるというこ
とである。
物薄膜を形成する際に、スパッタガスとしてＳ、Ｓｅ又
はＴｅ元素物を含有するガスを用いたスパッタリングに
より、熱処理前の薄膜中から酸素を除去することがで
き、構成するＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有する雰囲気中
で熱処理する過程において、ＩＩＩｂ属金属の酸化物の
生成を抑制することにより、面内で微視的に均一な組成
のカルコパイライト型化合物薄膜を形成できるというこ
とである。
【００１７】
【実施例】以下に、この発明の実施例を具体的に説明す
る。
る。
【００１８】
【実施例１】Ａｒ希釈８ｍｏｌ％Ｈ2 Ｓをスパッタガ
ス、Ｃｕ及びＩｎをターゲットとした２元同時スパッタ
法によってＣｕ、Ｉｎ、Ｓからなる膜を形成した。この
際、基板温度は５０℃において形成した。基板にはＭｏ
をスパッタしたソーダライムガラスを用いた。この薄膜
のＣｕ、Ｉｎ、Ｓの組成比をＥＰＭＡ（日本電子（株）
製 ＪＣＸＡ−７３３）により測定したところ、それぞ
れ、４１ａｔ％、４１ａｔ％、１８ａｔ％（Ｃｕ／Ｉｎ
＝１．０、Ｓ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．２２）であった。
また、ＡＥＳ（オージェ電子分光）（日本電子（株）
ＪＡＭＰ−７１００）により、薄膜中酸素量を測定した
ところ、検出限界以下であった。
ス、Ｃｕ及びＩｎをターゲットとした２元同時スパッタ
法によってＣｕ、Ｉｎ、Ｓからなる膜を形成した。この
際、基板温度は５０℃において形成した。基板にはＭｏ
をスパッタしたソーダライムガラスを用いた。この薄膜
のＣｕ、Ｉｎ、Ｓの組成比をＥＰＭＡ（日本電子（株）
製 ＪＣＸＡ−７３３）により測定したところ、それぞ
れ、４１ａｔ％、４１ａｔ％、１８ａｔ％（Ｃｕ／Ｉｎ
＝１．０、Ｓ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．２２）であった。
また、ＡＥＳ（オージェ電子分光）（日本電子（株）
ＪＡＭＰ−７１００）により、薄膜中酸素量を測定した
ところ、検出限界以下であった。
【００１９】次に、この薄膜を５ｍｏｌ．％のＨ2 Ｓを
含むＡｒガス雰囲気中５５０℃で３時間熱処理を行っ
た。熱処理後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定した
ところ、Ｃｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓ５０ａｔ
％であり、化学量論組成のＣｕＩｎＳ2 薄膜が形成され
た。また、この薄膜の構造をＸ線回折（（株）リガク製
ＪＣＸＡ−７３３）にて解析したところ、ＣｕＩｎＳ2
の単一相であった。さらに、この薄膜の表面をＳＥＭ
（日立製作所（株）製 Ｓ−２７００）により観察した
ところ、粒径１μｍの均一なモルフォロジーであること
が確認された。また、基板との密着性は良好であった。
含むＡｒガス雰囲気中５５０℃で３時間熱処理を行っ
た。熱処理後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定した
ところ、Ｃｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓ５０ａｔ
％であり、化学量論組成のＣｕＩｎＳ2 薄膜が形成され
た。また、この薄膜の構造をＸ線回折（（株）リガク製
ＪＣＸＡ−７３３）にて解析したところ、ＣｕＩｎＳ2
の単一相であった。さらに、この薄膜の表面をＳＥＭ
（日立製作所（株）製 Ｓ−２７００）により観察した
ところ、粒径１μｍの均一なモルフォロジーであること
が確認された。また、基板との密着性は良好であった。
【００２０】また、この薄膜を上記と同様な雰囲気中で
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、硫化物と合金のピークのみで
Ｉｎ 2 Ｏ3 等の酸化物のピークはみられなかった。１μ
ｍのＭｏをスパッタ成膜したソーダライムガラス基板上
に、上記の方法により２μｍのＣｕＩｎＳ2 薄膜を形成
した。さらにその上に、５０ｎｍのＣｄＳ薄膜を溶液成
長法により、１．５μｍのＺｎＯ：Ａｌ薄膜（Ａｌドー
プＺｎＯ）をスパッタにより順次形成することにより、
図１と同じ構造の薄膜太陽電池を作製した。この太陽電
池素子にＡＭ１．５の光を照射したところ、変換効率は
６．５％であった。
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、硫化物と合金のピークのみで
Ｉｎ 2 Ｏ3 等の酸化物のピークはみられなかった。１μ
ｍのＭｏをスパッタ成膜したソーダライムガラス基板上
に、上記の方法により２μｍのＣｕＩｎＳ2 薄膜を形成
した。さらにその上に、５０ｎｍのＣｄＳ薄膜を溶液成
長法により、１．５μｍのＺｎＯ：Ａｌ薄膜（Ａｌドー
プＺｎＯ）をスパッタにより順次形成することにより、
図１と同じ構造の薄膜太陽電池を作製した。この太陽電
池素子にＡＭ１．５の光を照射したところ、変換効率は
６．５％であった。
【００２１】
【比較例１】Ａｒをスパッタガスとして用いたこと以外
は実施例１と同様にして、Ｃｕ、Ｉｎからなる薄膜を形
成した。この薄膜のＣｕ、Ｉｎの組成比をＥＰＭＡによ
り測定したところ、それぞれ５０ａｔ％、５０ａｔ％
（Ｃｕ／Ｉｎ＝１．０）であった。また、ＡＥＳにより
薄膜中酸素量を測定したところ１０ａｔ％であった。
は実施例１と同様にして、Ｃｕ、Ｉｎからなる薄膜を形
成した。この薄膜のＣｕ、Ｉｎの組成比をＥＰＭＡによ
り測定したところ、それぞれ５０ａｔ％、５０ａｔ％
（Ｃｕ／Ｉｎ＝１．０）であった。また、ＡＥＳにより
薄膜中酸素量を測定したところ１０ａｔ％であった。
【００２２】次に、この薄膜を５ｍｏｌ．％のＨ2 Ｓを
含むＡｒガス雰囲気中５５０℃で３時間熱処理を行っ
た。熱処理後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定した
ところ、Ｃｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓ５０ａｔ
％であり、化学量論組成のＣｕＩｎＳ2 薄膜が形成され
た。また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解析したとこ
ろ、ＣｕＩｎＳ2 の単一相であった。さらに、この薄膜
の表面をＳＥＭにより観察したところ、粒径が０．３〜
２．０μｍと不均一なモルフォロジーであった。また、
基板との密着性は悪く剥離し易かった。
含むＡｒガス雰囲気中５５０℃で３時間熱処理を行っ
た。熱処理後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定した
ところ、Ｃｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓ５０ａｔ
％であり、化学量論組成のＣｕＩｎＳ2 薄膜が形成され
た。また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解析したとこ
ろ、ＣｕＩｎＳ2 の単一相であった。さらに、この薄膜
の表面をＳＥＭにより観察したところ、粒径が０．３〜
２．０μｍと不均一なモルフォロジーであった。また、
基板との密着性は悪く剥離し易かった。
【００２３】また、この薄膜を上記と同様な雰囲気中で
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、硫化物と合金のピーク以外に
Ｉｎ 2 Ｏ3 のピークが確認された。このことより、硫化
の途中でＩｎ2 Ｏ3 が形成されていることがわかる。実
施例１と同様に作製した太陽電池素子にＡＭ１．５の光
を照射したところ、変換効率は３．２％であった。
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、硫化物と合金のピーク以外に
Ｉｎ 2 Ｏ3 のピークが確認された。このことより、硫化
の途中でＩｎ2 Ｏ3 が形成されていることがわかる。実
施例１と同様に作製した太陽電池素子にＡＭ１．５の光
を照射したところ、変換効率は３．２％であった。
【００２４】
【比較例２】スパッタガスとしてＡｒ、ターゲットとし
てＣｕおよびＩｎ2 Ｓ3 を用いて実施例１と同様にＣ
ｕ、Ｉｎ、Ｓからなる薄膜を形成した。この薄膜のＣ
ｕ、Ｉｎ、Ｓの組成比をＥＰＭＡにより測定したとこ
ろ、それぞれ３５ａｔ％、３５ａｔ％、３０ａｔ％（Ｃ
ｕ／Ｉｎ＝１．０、Ｓ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．４３）で
あった。また、ＡＥＳにより、薄膜中酸素量を測定した
ところ４ａｔ％であった。次に、この薄膜を５ｍｏｌ．
％のＨ2 Ｓを含むＡｒガス雰囲気中５５０℃で３時間熱
処理を行った。熱処理後の薄膜の組成比をＥＰＭＡによ
り測定したところ、Ｃｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、
Ｓ５０ａｔ％であり、化学量論組成のＣｕＩｎＳ2 薄膜
が形成された。また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解
析したところ、ＣｕＩｎＳ2 の単一相であった。さら
に、この薄膜の表面をＳＥＭにより観察したところ、粒
径が０．５〜１．５μｍと不均一なモルフォロジーであ
った。また、基板との密着性は良好であった。
てＣｕおよびＩｎ2 Ｓ3 を用いて実施例１と同様にＣ
ｕ、Ｉｎ、Ｓからなる薄膜を形成した。この薄膜のＣ
ｕ、Ｉｎ、Ｓの組成比をＥＰＭＡにより測定したとこ
ろ、それぞれ３５ａｔ％、３５ａｔ％、３０ａｔ％（Ｃ
ｕ／Ｉｎ＝１．０、Ｓ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．４３）で
あった。また、ＡＥＳにより、薄膜中酸素量を測定した
ところ４ａｔ％であった。次に、この薄膜を５ｍｏｌ．
％のＨ2 Ｓを含むＡｒガス雰囲気中５５０℃で３時間熱
処理を行った。熱処理後の薄膜の組成比をＥＰＭＡによ
り測定したところ、Ｃｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、
Ｓ５０ａｔ％であり、化学量論組成のＣｕＩｎＳ2 薄膜
が形成された。また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解
析したところ、ＣｕＩｎＳ2 の単一相であった。さら
に、この薄膜の表面をＳＥＭにより観察したところ、粒
径が０．５〜１．５μｍと不均一なモルフォロジーであ
った。また、基板との密着性は良好であった。
【００２５】また、この薄膜を上記と同様な雰囲気中で
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、硫化物と合金のピーク以外に
微小なＩｎ2 Ｏ3 のピークは確認された。このことよ
り、硫化の途中でＩｎ2 Ｏ3 が形成されていることがわ
かる。実施例１と同様に作製した太陽電池素子にＡＭ
１．５の光を照射したところ、変換効率は４．３％であ
った。
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、硫化物と合金のピーク以外に
微小なＩｎ2 Ｏ3 のピークは確認された。このことよ
り、硫化の途中でＩｎ2 Ｏ3 が形成されていることがわ
かる。実施例１と同様に作製した太陽電池素子にＡＭ
１．５の光を照射したところ、変換効率は４．３％であ
った。
【００２６】
【実施例２】Ａｒ希釈３ｍｏｌ％Ｈ2 Ｓｅをスパッタガ
ス、Ｃｕ、ＩｎおよびＳｅをターゲットとした３元同時
スパッタ法を用いて、それぞれのターゲットに印加する
パワーを制御することによりＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅからなる
膜を形成した。基板温度は５０℃とした。基板にはＭｏ
をスパッタしたソーダライムガラスを用いた。この薄膜
のＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅの組成比をＥＰＭＡにより測定した
ところ、それぞれ３２ａｔ％、３２ａｔ％、３６ａｔ％
（Ｃｕ／Ｉｎ＝１．０、Ｓｅ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．５
６）であった。また、ＡＥＳにより、薄膜中酸素量を測
定したところ検出限界以下であった。
ス、Ｃｕ、ＩｎおよびＳｅをターゲットとした３元同時
スパッタ法を用いて、それぞれのターゲットに印加する
パワーを制御することによりＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅからなる
膜を形成した。基板温度は５０℃とした。基板にはＭｏ
をスパッタしたソーダライムガラスを用いた。この薄膜
のＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅの組成比をＥＰＭＡにより測定した
ところ、それぞれ３２ａｔ％、３２ａｔ％、３６ａｔ％
（Ｃｕ／Ｉｎ＝１．０、Ｓｅ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．５
６）であった。また、ＡＥＳにより、薄膜中酸素量を測
定したところ検出限界以下であった。
【００２７】次に、この薄膜を真空中においてＳｅ蒸気
を当てながら５００℃で２時間熱処理を行った。熱処理
後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定したところ、Ｃ
ｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓｅ５０ａｔ％であ
り、化学量論組成のＣｕＩｎＳｅ2 薄膜が形成された。
また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解析したところ、
ＣｕＩｎＳｅ2 の単一相であった。さらに、この薄膜の
表面をＳＥＭにより観察したところ、粒径１μｍの均一
なモルフォロジーであることが確認された。また、基板
との密着性は良好であった。
を当てながら５００℃で２時間熱処理を行った。熱処理
後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定したところ、Ｃ
ｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓｅ５０ａｔ％であ
り、化学量論組成のＣｕＩｎＳｅ2 薄膜が形成された。
また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解析したところ、
ＣｕＩｎＳｅ2 の単一相であった。さらに、この薄膜の
表面をＳＥＭにより観察したところ、粒径１μｍの均一
なモルフォロジーであることが確認された。また、基板
との密着性は良好であった。
【００２８】また、この薄膜を上記と同様な雰囲気中で
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、セレン化物と合金のピークの
みでＩｎ2 Ｏ3 等の酸化物のピークはみられなかった。
上記の方法により作製したＣｕＩｎＳｅ2 薄膜をＣｕＩ
ｎＳ2 薄膜の代わりに用いて実施例１と同様な構造の太
陽電池素子を作製し、これにＡＭ１．５の光を照射した
ところ、変換効率は１０．５％であった。
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、セレン化物と合金のピークの
みでＩｎ2 Ｏ3 等の酸化物のピークはみられなかった。
上記の方法により作製したＣｕＩｎＳｅ2 薄膜をＣｕＩ
ｎＳ2 薄膜の代わりに用いて実施例１と同様な構造の太
陽電池素子を作製し、これにＡＭ１．５の光を照射した
ところ、変換効率は１０．５％であった。
【００２９】
【比較例３】スパッタガスとしてＡｒを用いたこと以外
は実施例２と同様にＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅからなる膜を形成
した。この薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定したとこ
ろ、それぞれ３４ａｔ％、３４ａｔ％、３２ａｔ％（Ｃ
ｕ／Ｉｎ＝１．０、Ｓｅ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．４７）
であった。また、ＡＥＳにより、薄膜中酸素量を測定し
たところ５ａｔ％であった。
は実施例２と同様にＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅからなる膜を形成
した。この薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定したとこ
ろ、それぞれ３４ａｔ％、３４ａｔ％、３２ａｔ％（Ｃ
ｕ／Ｉｎ＝１．０、Ｓｅ／（Ｃｕ＋Ｉｎ）＝０．４７）
であった。また、ＡＥＳにより、薄膜中酸素量を測定し
たところ５ａｔ％であった。
【００３０】次に、この薄膜を真空中においてＳｅ蒸気
を当てながら５００℃で２時間熱処理を行った。熱処理
後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定したところ、Ｃ
ｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓｅ５０ａｔ％であ
り、化学量論組成のＣｕＩｎＳｅ2 薄膜が形成された。
また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解析したところ、
ＣｕＩｎＳｅ2 の単一相であった。さらに、この薄膜の
表面をＳＥＭにより観察したところ、粒径が０．５〜
１．５μｍと不均一なモルフォロジーであった。また、
基板との密着性は良好であった。
を当てながら５００℃で２時間熱処理を行った。熱処理
後の薄膜の組成比をＥＰＭＡにより測定したところ、Ｃ
ｕ２５ａｔ％、Ｉｎ２５ａｔ％、Ｓｅ５０ａｔ％であ
り、化学量論組成のＣｕＩｎＳｅ2 薄膜が形成された。
また、この薄膜の構造をＸ線回折にて解析したところ、
ＣｕＩｎＳｅ2 の単一相であった。さらに、この薄膜の
表面をＳＥＭにより観察したところ、粒径が０．５〜
１．５μｍと不均一なモルフォロジーであった。また、
基板との密着性は良好であった。
【００３１】また、この薄膜を上記と同様な雰囲気中で
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、セレン化物と合金のピーク以
外にＩｎ2 Ｏ3 のピーク確認された。このことより、セ
レン化の途中でＩｎ2 Ｏ3 が形成されていることがわか
る。実施例２と同様に作製した太陽電池素子にＡＭ１．
５の光を照射したところ、変換効率は８．４％であっ
た。
２５０℃、１時間の熱処理を行った。この薄膜をＸ線回
折により解析したところ、セレン化物と合金のピーク以
外にＩｎ2 Ｏ3 のピーク確認された。このことより、セ
レン化の途中でＩｎ2 Ｏ3 が形成されていることがわか
る。実施例２と同様に作製した太陽電池素子にＡＭ１．
５の光を照射したところ、変換効率は８．４％であっ
た。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、面内で微視的にも組成
が均一で、かつ結晶粒径が均一なカルコパイライト型化
合物薄膜を形成することができ、この薄膜を用いて作製
した薄膜太陽電池は良好な特性を示す。
が均一で、かつ結晶粒径が均一なカルコパイライト型化
合物薄膜を形成することができ、この薄膜を用いて作製
した薄膜太陽電池は良好な特性を示す。
【図１】本発明によるカルコパイライト型化合物薄膜を
用いた太陽電池の素子構造の１例を示す断面図である。
用いた太陽電池の素子構造の１例を示す断面図である。
１ 基板 ２ 導電性薄膜 ３ カルコパイライト化合物薄膜 ４ ｎ型半導体層 ５ 透明電極層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＡＢＸ2 （式中、Ａは元素周期律表のＩ
ｂ族元素を、ＢはＩＩＩｂ族元素を表す。ＸはＳ、Ｓｅ
又はＴｅを表す。）で表されるカルコパイライト型化合
物薄膜の製造方法において、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含
有するスパッタガスを用いるスパッタリングにより薄膜
を形成した後に、該薄膜をＳ、Ｓｅ又はＴｅ元素を含有
するガス雰囲気中で熱処理することを特徴とするカルコ
パイライト型化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 スパッタガスが、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅの水
素化物を含有するガスであることを特徴とする請求項１
記載のカルコパイライト型化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 ＡＢＸ2 （式中、Ａは元素周期律表のＩ
ｂ族元素を、ＢはＩＩＩｂ族元素を表す。ＸはＳ、Ｓｅ
又はＴｅを表す。）で表されるカルコパイライト型化合
物薄膜を用いる薄膜太陽電池の製造方法において、該カ
ルコパイライト型化合物薄膜を、請求項１又は請求項２
に記載の製造方法で製造することを特徴とする薄膜太陽
電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6156081A JPH0823112A (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6156081A JPH0823112A (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823112A true JPH0823112A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15619887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6156081A Withdrawn JPH0823112A (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823112A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097849A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Hoya Corporation | 電極材料および半導体素子 |
| JP2010168260A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-07 JP JP6156081A patent/JPH0823112A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097849A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Hoya Corporation | 電極材料および半導体素子 |
| US7355213B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-04-08 | Hoya Corporation | Electrode material and semiconductor element |
| CN100390940C (zh) * | 2003-04-25 | 2008-05-28 | Hoya株式会社 | 电极材料和半导体元件 |
| JP2010168260A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |