JPH0823030A

JPH0823030A - 集積回路装置の配線の設計方法

Info

Publication number: JPH0823030A
Application number: JP6153674A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Shirota; 博史城田; Kazuhiro Takahashi; 一浩高橋; Masayuki Terai; 正幸寺井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-07-05
Filing date: 1994-07-05
Publication date: 1996-01-23

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体集積回路装置の高速配線方法を提供す
る。【構成】集積回路上で未処理の等高セル列を選択し
（ステップＳ１）、選択した等高セル列内で第１層配線
のみを用いて配線できる結線要求を配線する（ステップ
Ｓ２）。そして選択した等高セル列内の端子の内、第２
層のパターンを含まない端子に対して、第２層において
矩形パターンを割り当て、この第２層の矩形パターンと
当該端子とを配線する（ステップＳ３）。【効果】全ての端子に対して第２層のパターンが与え
られるので、これに対して詳細配線が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、等高セルを含む集積
回路装置、プリント基板等における配線の設計方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】大規模集積回路装置の設計において、そ
の内部の配線を如何に設計するかは重要な問題である。
即ち、単に端子間を接続するのみならず、その配線容
量、配線抵抗を考慮し、かつ所定の領域内に配線を収容
しなければならない。これは集積回路の規模が増大する
程複雑となり、かかる問題に対処するために、種々の手
法が考案されている。

【０００３】例えば、迷路法、線分探索法、チャネル配
線法などが考案されている。これらの手法は、例えば文
献「配線処理手法」（情報処理Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．１
０（昭和５９年１０月）“論理装置ＣＡＤの最近の動
向”特集３．３、第１０９０頁〜第１０９９頁、情報処
理学会）において紹介されている。

【０００４】図３５は迷路法を用いた従来の配線方法を
示すフローチャートである。ステップＳ１０１は概略配
線を行うステップである。このステップＳ１０１におい
ては、集積回路装置を設計すべき領域を粗い概略配線格
子で区切る。そして個々の配線に関して詳細な配線経路
や交差を無視し、どの概略配線格子上を通すかだけを決
定する。つまり、各概略配線格子に結線要求を割り当て
る。

【０００５】次にステップＳ１０２は迷路法を実行する
ステップである。ステップＳ１０２においては各概略配
線格子に割り当てられた結線要求に従い、迷路法により
この概略配線格子内の詳細な配線経路を決定する。

【０００６】しかし、短いターンアラウンドタイムを要
求される集積回路装置等の設計においては、設計時間の
短縮の為、設計、とりわけ配線の設計方法の高速化の必
要が年々高まってきている。迷路法、線分探索法など
は、一般に非常に遅く、大規模集積回路装置の配線の設
計には不向きである。

【０００７】一方、チャネル配線法は、集積回路装置の
うちセルが配置されていない領域をチャネルと呼ばれる
長方形の配線領域に分割する。そして第１段階としての
概略配線法と、第２段階としての詳細配線法とが用いら
れる。

【０００８】概略配線法においては、個々の詳細な配線
経路や交差を無視して配線をどのチャネルに通すかだけ
を決定する。そして、結線されるべき端子の集合である
結線要求を各チャネルに割り当てる。詳細配線法は、個
々のチャネル毎に詳細な配線経路を決定する。

【０００９】ところで、チャネル上のみならず、互いに
高さが等しい複数のセル（ここでは「等高セル」と記
す。逆に高さの不均一なセルを「非等高セル」と記
す。）からなり、列状に配置されたセル列（ここでは
「等高セル列」と記す）上にも配線を行うことができ
る。従って、チャネル配線法において、特に配線層が３
層以上の場合において等高セル列上においても調整的に
配線が設計される、チャネルベース配線法が考案されて
いる。ここでは簡単のために、配線を設計する事を単に
「配線する」あるいは「配線を行う」という。

【００１０】チャネルベース配線法においては、まず概
略配線を行った後、チャネルに割り当てられた結線要求
の一部を等高セル列上で配線（等高セル上で配線される
配線を「セル列上配線」という）する。セル列上配線に
関しては、例えば“ＡＮｅｗａｐｐｒｏａｃｈｔ
ｏＯｖｅｒ−ｔｈｅ−ＣｅｌｌＣｈａｎｎｅｌＲｏ
ｕｔｉｎｇｗｉｔｈＴｈｒｅｅＬａｙｅｒｓ”
（ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮＣＯＭ
ＰＵＴＥＲ−ＡＩＤＥＤＤＥＳＩＧＮＯＦＩＮＴＥ
ＧＲＡＴＥＤＣＩＲＣＵＴＳＡＮＤＳＹＴＳＴＥ
ＭＳ．ＶＯＬ．１３，ＮＯ．２，１９９４年２月）に紹
介されている。

【００１１】次に、チャネル上に割り当てられた結線要
求のうち、セル列上配線で配線しきれなかったものがチ
ャネル上で配線される（チャネル上で配線される配線を
「チャネル配線」という）。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このようなチャネルベ
ース配線方法は、迷路法、線分探索法と比べて一般に高
速な手法である。しかし、セル列上配線は、等高セル列
と等高セル列との間を結ぶ配線を必要とし、またチャネ
ルが存在することを前提としてチャネルに配線すべきも
のをセル列上において配線するものである。更に等高セ
ル列上では、所定の層のパターンしか端子として扱えな
いという制約があった。このため、チャネルベース配線
方法が適用できる集積回路装置の種類が限定される、と
いう問題点があった。

【００１３】本発明は、上記の問題点を解消するために
なされたものであり、等高セル列と等高セル列との間に
チャネルが存在しない場合であっても、また所定の層の
パターンでなくても端子を取り出すことができ、高速な
配線を行うことができる技術を提供することを目的とし
ている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
にかかるものは、各々が端子を含み、複数の等高セル及
び非等高セルを有する集積回路装置において、接続され
るべき前記端子の集合である結線要求に対応して複数層
の配線を施す配線の設計方法である。そして前記等高セ
ルは配列されて等高セル列を構成し、前記端子は少なく
とも一つのパターンから構成される。そして（ａ）前記
等高セル列において、前記端子のうち所定の層の前記パ
ターンを含まない特定端子に対して前記所定の層のパタ
ーンたる取り出し口を設定し、前記取り出し口と前記特
定端子とを配線するステップと、（ｂ）（ｂ−１）前記
集積回路装置を前記等高セル列と、前記非等高セルと、
チャネルとに分割し、（ｂ−２）隣接する前記等高セル
列の境界において仮想チャネルを更に仮想的に設け、前
記等高セル列、前記非等高セル、及び前記チャネル、並
びに前記仮想チャネルからなる配線領域を設定するステ
ップと、（ｃ）前記結線要求に含まれる前記端子間を配
線する際に、前記ステップ（ｂ）で設けられた前記配線
領域のうちのいずれを通って配線を行うかを決定し、前
記配線領域の各々毎に前記結線要求を割り当てて配線す
るステップと、（ｄ）前記非等高セルに割り当てられた
前記結線要求を前記非等高セル上で配線するステップ
と、（ｅ）前記チャネル及び前記仮想チャネルに割り当
てられた前記結線要求の内、前記ステップ（ｄ）におい
て配線されなかったものの少なくとも一部を、前記チャ
ネル及び前記仮想チャネルに隣接する前記等高セル列上
で前記所定の層に関して配線するステップと、（ｆ）前
記チャネル及び前記仮想チャネルに割り当てられた前記
結線要求の内、前記ステップ（ｄ），（ｅ）において配
線されなかったものの少なくとも一部を、前記チャネル
及び前記仮想チャネルにおいて配線するステップと、
（ｇ）前記ステップ（ｄ）〜（ｆ）のいずれでも配線さ
れなかった前記結線要求を前記配線領域の全体を対象と
して配線するステップとを備える。

【００１５】この発明のうち請求項２にかかるものは、
請求項１記載の集積回路装置の配線の設計方法であっ
て、前記集積回路装置は基板において形成され、前記複
数層は前記基板に近い方から順次第１層、第２層、…と
規定され、前記所定の層は前記第２層に該当する。そし
て前記ステップ（ａ）に先立ち、（ｈ）前記等高セルの
各々において、前記第１層のみにおいて配線可能な前記
結線要求を配線するステップを更に備える。

【００１６】この発明のうち請求項３にかかるものは、
請求項１記載の集積回路装置の配線の設計方法であっ
て、前記等高セル列には互いに直交する複数の縦方向配
線格子線及び横方向配線格子線が設定される。そして前
記ステップ（ａ）は（ａ−１）前記特定端子を構成する
パターンと交差し且つ前記所定の層のパターンを通らな
い前記縦方向配線格子線と、前記等高セル列の中心に最
も近い前記横方向配線格子線との交点に仮の取り出し口
を設定するステップと、（ａ−２）前記等高セル列にお
いて、その各々の内部のみで配線可能な前記特定端子を
接続する配線をするステップと、（ａ−３）前記ステッ
プ（ａ−２）で配線されなかった前記特定端子に対して
設定された前記仮の取り出し口に前記取り出し口を設定
するステップとを有する。

【００１７】この発明のうち請求項４にかかるものは、
請求項３記載の集積回路装置の配線の設計方法であっ
て、前記集積回路装置は基板において形成され、前記複
数層は前記基板に近い方から順次第１層、第２層、…と
規定され、前記所定の層は前記第２層に該当する。そし
て前記ステップ（ａ−２）において前記特定端子の間を
（ａ−２−１）前記第１層において前記縦方向配線格子
線及び前記横方向配線格子線に沿って配線するステップ
と、（ａ−２−２）前記特定端子以外の前記端子の取り
出し口が設定されている前記縦方向配線格子線以外の前
記縦方向配線格子線に沿って、前記第２層において配線
するステップとを含む。

【００１８】

【作用】この発明のうち請求項１にかかる集積回路の配
線の設計方法においては、等高セル列が隣接してチャネ
ルが存在しない場合においても仮想的にチャネルを設定
し、その後この仮想チャネルに割り当てられた結線要求
に対する配線を、仮想チャネルに隣接する当該等高セル
列上で設計することができる。

【００１９】更に、所定の層のパターンを有しない端子
に対しては、所定の層において取り出し口を設定するの
で、全ての端子に対してチャネルベース配線法を適用す
ることができる。

【００２０】この発明のうち請求項２にかかる集積回路
の配線の設計方法においては、各等高セル列内で第１層
配線のみを用いて配線できる結線要求を配線するので、
不要な第２層のパターンを設定する必要がない。

【００２１】この発明のうち請求項３にかかる集積回路
の配線の設計方法においては、等高セル列の中心に最も
近い前記横方向配線格子線との交点に仮の取り出し口を
設定するので、ステップ（ｅ）における配線の際に障害
物としての影響を小さくすることができる。

【００２２】この発明のうち請求項４にかかる集積回路
の配線の設計方法においては、取り出し口の存在する縦
方向配線格子線上には他の第２層パターンが存在しない
ため、ステップ（ｅ）における配線の際に障害物として
の影響を小さくすることができる。

【００２３】

【実施例】

第１実施例：図１乃至図３は、本発明の第１実施例にか
かる集積回路装置の配線方法を示すフローチャートであ
る。また図４乃至図７は半導体集積回路の概略を示す平
面図であり、第１実施例にかかる集積回路装置の配線方
法を示している。

【００２４】図１及び図２は両者相まって連続したフロ
ーチャートを示しており、接続子Ｊ１において連続す
る。一方、図４乃至図７は四者相まって集積回路装置１
００の平面図を示しており、図４は仮想線Ｑ₁Ｑ₁にお
いて図５と連続し、図５は仮想線Ｑ₂Ｑ₂において図６
と連続し、図７は仮想線Ｑ₃Ｑ₃において図６と、かつ
仮想線Ｑ₄Ｑ₄において図４と、それぞれ連続してい
る。

【００２５】集積回路１００は、等高セル列１２ａ〜１
２ｃ、メガセル１３、入出力バッファセル１４ａ〜１４
ｘ、配線領域１５を備えている。

【００２６】等高セル列１２ａは等高セル１１ａ〜１１
ｄを、等高セル列１２ｂは等高セル１１ｅ〜１１ｇを、
等高セル列１２ｃは等高セル１１ｈ〜１１ｊを、それぞ
れ有している。これらの等高セル１１ａ〜１１ｊは、論
理設計、レイアウト設計の最小単位のセルであり、或る
論理機能を持っている。これらは対応する等高セル列に
おいて横一列に並べられている。

【００２７】等高セル１１ｃは他のセルと接続されるべ
き端子１８を有している。端子１８は第１層配線のパタ
ーンにより定義される。

【００２８】等高セル１１ｅは他のセルと接続されるべ
き端子１９を有している。端子１９は第１層配線のパタ
ーン１９ｂ及びこのパターン１９ｂが接続されている半
導体パターン１９ａ，１９ｃによって定義される。

【００２９】等高セル１１ｆは他のセルと接続されるべ
き端子２０を有している。端子２０は第１層配線のパタ
ーンによって定義される。

【００３０】等高セル１１ｈは他のセルと接続されるべ
き端子２１を有している。端子２１は第１層配線のパタ
ーン２１ｂ及びこのパターン２１ｂが接続されている半
導体パターン２１ａ，２１ｃによって定義される。

【００３１】等高セル１１ｉは他のセルと接続されるべ
き端子２２，２３を有している。端子２２は第１層配線
のパターン２２ａによって定義される。端子２３は第１
層配線のパターン２３ｂ及びこのパターン２３ｂが接続
されている半導体パターン２３ａ，２３ｃによって定義
される。

【００３２】等高セル１１ｊは他のセルと接続されるべ
き端子２４，２５を有している。端子２４は第１層配線
のパターン２４ａによって定義される。端子２５は第２
層配線のパターン２５ｂ及びこのパターン２５ｂが接続
されている第１層配線のパターン２５ａ，２５ｂによっ
て定義される。

【００３３】メガセル１３は例えばＲＯＭ、ＲＡＭ等で
あって、その高さは不均一である。そして他のセルと接
続されるべき端子１７を有している。端子１７は第１層
配線の矩形パターンにより定義される。

【００３４】入出力バッファセル１４ａ〜１４ｘは等高
セル以外のセルで構成されており、集積回路１００の周
辺に配置される。入出力バッファセル１４ｂは他のセル
と接続されるべき端子１６を有している。端子１６は第
２層配線の矩形パターンにより定義されている。

【００３５】配線領域１５は入出力バッファセル１４ａ
〜１４ｘで囲まれた領域の内、等高セル列１２ａ〜１２
ｃ及びメガセル１３以外において定義されている。

【００３６】第１実施例は、以上の様に構成された集積
回路装置１００において、各端子１６〜２５の間を配線
する配線方法に関するものである。

【００３７】どの端子間を配線すべきかは結線要求と呼
ばれ、結線要求は互いに接続されるべき端子の集合とし
て定義される。第１実施例では以下の結線要求Ｗ₁〜Ｗ
₃が存在すると仮定する。

【００３８】

【数１】

【００３９】まずステップＳ１において、集積回路装置
上に何等処理されていない等高セル列を一つ選択する。
例えば図４乃至図７においてセル列１２ａが選択され
る。

【００４０】次いでステップＳ２においては、選択した
等高セル列内（ここではセル列１２ａ）で、第１層配線
のみを用いて配線できる結線要求を配線する。図３はス
テップＳ２の詳細を示すフローチャートである。まず、
選択した等高セル列内に、第１層配線のみで配線可能な
結線要求が存在するか否かを判断する（ステップＳ２
ａ）。等高セル列１２ａにおいては、そのような結線要
求は存在しない。従って、ステップＳ２ｂ，Ｓ２ｃに進
むことなくステップＳ３へと進む。ステップＳ２ｂ，Ｓ
２ｃは後で説明される。

【００４１】ステップＳ３においては選択された等高セ
ル列において、第２層配線のパターンを含まない端子に
対して、第２層配線に設けられる矩形パターンを割り当
てる。そしてこの第２層配線の矩形パターンと当該端子
とを接続する。例えば今選択されている等高セル列１２
ａにおいては端子１８が存在し、これは第１層配線のパ
ターンにより定義されている。即ち第２層配線のパター
ンを含まない端子である。よって、ステップＳ３では、
第２層配線において設けられる矩形パターンが端子１８
に割り当てられる。この矩形パターンは、後にパターン
３０ｅとして図１２に示される。

【００４２】次にステップＳ４において集積回路上に未
処理の等高セル列が存在するか判断される。今は等高セ
ル列１２ｂ，１２ｃが未処理のまま残っているので、再
度ステップＳ１に戻る。

【００４３】再度実行されるステップＳ１では、等高セ
ル列１２ｂが選択されるとする。等高セル列１２ｂにお
いては２つの端子１９，２０が存在するが、これらは互
いに接続されるような結線要求が存在しないため、ステ
ップＳ２ａにおける判断はＮであり、ステップＳ３に進
む。

【００４４】端子１９は第１層配線のパターン１９ｂは
含むが、第２層配線のパターンは含まない。端子２０に
ついても第２層配線のパターンは含まれていない。そこ
でステップＳ３において、それぞれの端子に対して第２
層配線の矩形パターンが割り当てられる。これらの矩形
パターンは、後にパターン３０ｃ，３０ｄとして図１３
に示される。

【００４５】再びステップＳ４において判断がなされ、
等高セル列１２ｃが未処理であるのでステップＳ１に戻
る。

【００４６】三度目に実行されるステップＳ１では等高
セル列１２ｃが選択される。ステップＳ２に進み、ステ
ップＳ２ａに関する判断が行われる。等高セル１１ｉ，
１１ｊにそれぞれ存在する端子２３，２４の集合として
定義される結線要求Ｗ₃が存在するので、端子２３，２
４を第１層配線のみで配線できれば、ステップＳ２ａに
おける判断結果は“Ｙ”となる。

【００４７】図８は、図６において示された等高セル列
１２ｃの詳細を示す平面図である。第１層配線のパター
ン２７ａ〜２７ｆが既に設定されており、もはやこれに
重なる第１層配線は禁止されている。縦方向配線格子線
２８ａ〜２８ｌは第２層配線可能な位置を設定する仮想
的な線であり、これから配線されるであろう第２層の配
線は、これに沿って配置されることになる。なお等高セ
ル１１ｈ，１１ｉは縦方向配線格子線２８ｅによって、
等高セル１１ｉ，１１ｊは縦方向配線格子線２８ｉによ
って、それぞれ区分されている。

【００４８】図８に示された構造から解るように、パタ
ーン２７ｂ，２７ｅの間を通れば、端子２３，２４を結
ぶ経路にはパターン２７ａ〜２７ｆが存在しない。即ち
かかる経路において第１層配線を行うことは禁止されな
い。そこでステップＳ２ａにおける判断結果は“Ｙ”と
なり、ステップＳ２ｂに進む。ステップＳ２ｂにおいて
は迷路法によって当該結線要求Ｗ₃に対応した配線が行
われる。かかる配線を行うことにより不要な第２層配線
のパターンを設定する必要がない。

【００４９】図９は結線要求Ｗ₃に対応した第１層配線
２９ａが配線された様子を示す平面図であり、ステップ
Ｓ２ｂが実行された直後の集積回路装置１００に対応し
ている。

【００５０】次にステップＳ２ｃに進み、ステップＳ２
ｂで配線された結線要求が削除される。今説明している
例では結線要求Ｗ₃が削除され、結線要求Ｗ₁，Ｗ₂が
残る。

【００５１】更にステップＳ３に進み、現在選択されて
いる等高セル列１２ｃにおける端子のうち、第２層配線
のパターンを含まないものに対して第２層矩形パターン
が割り当てられる。端子２１，２２は第２層配線のパタ
ーンを含まず、端子２５は第２層配線のパターン２５ｂ
を含む。従って、端子２５に関してはステップＳ３は実
行されず、端子２１，２２に関しては第２層矩形パター
ンが割り当てられることになる。

【００５２】図１０はステップＳ３が実行された直後の
集積回路装置１００に対応している平面図である。端子
２１，２２に関しては第２層矩形パターン３０ａ，３０
ｂがそれぞれ割り当てられている。そして端子２１を構
成する半導体パターン２１ａは、ビアホール３１ａ，３
１ｂを介し、パターン２９ｂによって、第２層矩形パタ
ーン３０ａと接続される。また、端子２２を構成するパ
ターン２２ａは、ビアホール３１ｃを介し、パターン２
９ｃによって第２層矩形パターン３０ｂと接続される。

【００５３】ここで、これらの第２層矩形パターン及
び、これと端子とを結ぶ配線をどの様に設計するか、に
は迷路法を用いることができる。

【００５４】まず第２層矩形パターンの設定であるが、
まず、これを配置すべき第２層縦方向配線格子線を求め
る。その条件としては、割り当てるべき端子を構成する
半導体パターンや第１層配線パターン上、もしくはその
近傍と交差し、かつ、セル列内でその上に第２層配線パ
ターンが存在しないことが要求される。端子２１に関し
ていえば第２層縦方向配線格子線２８ｃがこれを満足し
ている。端子２２に関していえば第２層縦方向配線格子
線２８ｆがこれを満足している。

【００５５】このようにして特定された第２層縦方向配
線格子線上において、仮想配線長が最も短くなる位置に
第２層矩形パターンが設定される。この仮想配線長の計
算方法は種々存在する。例えば、当該端子を要素とする
結線要求を構成する全ての端子（つまり今の例でいえば
端子２１，２２を要素とする結線要求Ｗ₂の含む全要素
である端子１７，１９，２１，２２，２５）を含み、か
つ最小である矩形を考える。そして仮想配線長は、この
矩形の周囲長の半分として見積もることができる。図４
においては、第２層矩形パターン３０ａ，３０ｂがそれ
ぞれ第２層縦方向配線格子線２８ｃ，２８ｆ上に設定さ
れている。

【００５６】このように、ステップＳ２において配線可
能な端子を除き、更に第２層配線パターンを有する端子
を除き、第２層矩形パターンを割り当てる。このような
工程を設けているのは、後に行う工程において（従来の
技術で説明されたチャネルベース配線方法と同様に）等
高セル列上では所定の層の矩形パターンしか端子として
扱えないためである。そこで、この所定の層として第２
層を設定し、他の層に存在する端子を第２層に引き出し
ているのである。

【００５７】なお、後に行う工程において別途行われる
結線要求の実現（配線）において、障害物として大きな
影響を与えない配線経路を得るためには、第２層におけ
る配線の方向が、等高セル列の延びる方向とは垂直な方
向に限定することが望ましい。そのために第２層縦方向
配線格子線が規定されているのである。

【００５８】図１１乃至図１４は四者相まって、ステッ
プＳ３が実行された直後の集積回路装置１００の構成を
示す平面図である。図１１は仮想線Ｑ₅Ｑ₅において図
１２と連続し、図１２は仮想線Ｑ₆Ｑ₆において図１３
と連続し、図１４は仮想線Ｑ₇Ｑ₇において図１３と、
かつ仮想線Ｑ₈Ｑ₈において図１１と、それぞれ連続し
ている。

【００５９】簡単のため、これらの図においては、等高
セル列に関しては、各端子に割り当てられた第２層矩形
パターンもしくは各端子の有する第２層配線パターンの
みを示している。図１２において示された第２層矩形パ
ターン３０ｅに関しても図示されないが、端子１８とは
ステップＳ３において第１層配線で接続されている。

【００６０】従って、以降の配線においては、端子１
６，１７及び第２層矩形パターン３０ａ〜３０ｅの接続
を考慮すれば良い。これらは取り出し口として扱われ
る。

【００６１】この様にしてステップＳ３が実行された
後、ステップＳ４に進む。もはや未処理の等高セル列が
存在しないので、更にステップＳ５に進む。

【００６２】ステップＳ５においては配線領域の分割が
行われる。図１５乃至図１８は四者相まって、ステップ
Ｓ５が実行された直後の集積回路装置１００の構成を示
す平面図である。図１５は仮想線Ｑ₉Ｑ₉において図１
６と連続し、図１６は仮想線Ｑ₁₀Ｑ₁₀において図１７と
連続し、図１８は仮想線Ｑ₁₁Ｑ₁₁において図１７と、か
つ仮想線Ｑ₁₂Ｑ₁₂において図１５と、それぞれ連続して
いる。

【００６３】ステップＳ５では集積回路装置全体を非等
高セルのセル列（ここでは「非等高セル列」と記す）
と、等高セル列と非等高セル列の間に存在する配線領域
をチャネルと呼ばれる長方形領域に分割する。更に、従
来の技術では提案されなかった仮想チャネルをも設定す
る。

【００６４】この仮想チャネルは、隣接する２つの等高
セル列の間に配線領域が存在しない場合に当該２つの等
高セル列の間に高さ０のチャネルを仮想的に設けられる
ものである。勿論実際には幅が存在しない（零である）
が、ステップＳ５においてはその幅が存在するとして仮
想的に取扱い、後の工程において仮想チャネルは除去さ
れる。

【００６５】図１５乃至図１７に基づいてステップＳ５
を説明すると、メガセル１３、等高セル列１２ａ，１２
ｂ，１２ｃ、入出力バッファセル１４ａ〜１４ｘはその
ままで分割されないが、配線領域１５はチャネル３２ａ
〜３２ｈに分割される。チャネルへの分割は、まず第２
層縦方向配線格子線の方向に連続した長方形が得られる
様に分割される。従って、まずチャネル３２ａ，３２
ｃ，３２ｅが得られる。そして次には、メガセル１３に
よって隔離されたチャネル３２ｂ，３２ｇと、等高セル
列１２ａによって隔離されたチャネル３２ｄ，３２ｆ
と、隣接する等高セル列１２ｂ，１２ｃによって隔離さ
れたチャネル３２ｈが求められる。

【００６６】そして、仮想チャネル３３が隣接する等高
セル列１２ｂ，１２ｃの間において設定される。既述の
ように仮想チャネル３３の高さは０に設定される。

【００６７】そしてステップＳ６に進み、結線要求が存
在する端子間の配線を非等高セル列、チャネル、仮想チ
ャネルのいずれの領域上を通すかを決定する。換言すれ
ば、これらの領域へ結線要求を割り当てて、概略配線を
求めるのである。ここで仮想チャネルに対しても結線要
求を割り当てることができるので、セル列とセル列の間
にチャネルが存在しない集積回路装置に対しても、概略
配線を行うことができる。

【００６８】図１９乃至図２２は四者相まって、ステッ
プＳ６が実行された直後の集積回路装置１００の構成を
示す平面図である。図１９は仮想線Ｑ₁₃Ｑ₁₃において図
２０と連続し、図２０は仮想線Ｑ₁₄Ｑ₁₄において図２１
と連続し、図２２は仮想線Ｑ₁₅Ｑ₁₅において図２１と、
かつ仮想線Ｑ₁₆Ｑ₁₆において図１９と、それぞれ連続し
ている。

【００６９】図１９乃至図２１に基づいてステップＳ６
を説明すると、結線要求Ｗ₁は、配線領域の分割によっ
てバッファセル１４ｂ上の結線要求３４ａと、チャネル
３２ｂ上の結線要求３４ｂと、チャネル３２ｃ上の結線
要求３４ｃと、チャネル３２ｄ上の結線要求３４ｄ，３
４ｅと、チャネル３２ｆ上の結線要求３４ｆとに分割さ
れ、各領域にそれぞれ割り当てられる。同様にして結線
要求Ｗ₂は、メガセル１３上の結線要求３４ｇと、チャ
ネル３２ｃ上の結線要求３４ｈと、チャネル３２ｆ上の
結線要求３４ｉと、仮想チャネル３３上の結線要求３４
ｊ，３４ｋ，３４ｌとに分割され、各領域にそれぞれ割
り当てられる。

【００７０】そしてステップＳ７に進み、まず非等高セ
ル列上に割り当てられた結線要求を、当該非等高セル列
上で迷路法を用いて配線する。迷路法を用いることによ
り非等高セルの端子の位置、層に関しては、チャネル配
線法のような制限が課せられない。しかも、配線領域を
当該非等高セル列上に限定することにより、迷路法を用
いても高速に配線する事ができる。配線された結線要求
は削除される。

【００７１】図２３は、図１９乃至図２２に示された構
成においてステップＳ７を実行した場合に得られる構成
を示す平面図であり、図１９と置換されるべきものであ
る。入出力バッファセル１４ｂ上に割り当てられた結線
要求３４ａに対応して第２層配線３５ａが配線され、メ
ガセル１３上領域に割り当てられた結線要求３４ｇに対
応して第１層配線２９ｆが配線される。

【００７２】ステップＳ７実行後に残っている結線要求
は、分割された結線要求３４ｂ〜３４ｆ，３４ｈ〜３４
ｌである。

【００７３】ステップＳ８においては、取り出し口のう
ち第２層に存在するものを用い、セル列上配線を行うこ
とによって、各チャネル及び仮想チャネル内に割り当て
られた結線要求に対応して、当該チャネル及び仮想チャ
ネルと隣接するセル列上で配線する。勿論、各チャネル
及び仮想チャネル内に割り当てられた結線要求の全ての
ものに対してセル列上配線が可能となるわけではない
が、ステップＳ８においてセル列上配線によって対応し
きれなかったものに関しては、次に説明されるステップ
Ｓ９による配線が対応する。ステップＳ８においても、
配線された結線要求は削除される。

【００７４】図２４乃至図２７は四者相まって、ステッ
プＳ８が実行された直後の集積回路装置１００の構成を
示す平面図である。図２４は仮想線Ｑ₁₇Ｑ₁₇において図
２５と連続し、図２５は仮想線Ｑ₁₈Ｑ₁₈において図２６
と連続し、図２７は仮想線Ｑ₁₉Ｑ₁₉において図２６と、
かつ仮想線Ｑ₂₀Ｑ₂₀において図２４と、それぞれ連続し
ている。図２４乃至図２７はそれぞれ図２０乃至図２３
によって示される構成に対してステップＳ８が実行され
た様子を示すことになる。

【００７５】仮想チャネル３３に割り当てられた（分割
された）結線要求３４ｊ，３４ｋ，３４ｌに対応して、
仮想チャネル３３と隣合うセル列１２ｃ上で配線が行わ
れる。即ち、第２艘配線３５ｊ，３５ｋ，３５ｌ，３５
ｍ，３５ｎ、第３層配線３６ｆ、ビアホール３１ｍ，３
１ｎ，３１ｏ，３１ｐ，３１ｑが用いられて配線され
る。

【００７６】同様にして、チャネル３２ｆに割り当てら
れた（分割された）結線要求３４ｉ，３４ｆに対応し
て、チャネル３２ｆと隣合うセル列１２ｂ上で配線が行
われる。即ち、第２層配線３５ｇ，３５ｈ、第３層配線
３６ｃ、ビアホール３１ｉ，３１ｊが用いられて配線さ
れる。

【００７７】また、チャネル３２ｄに割り当てられた結
線要求３４ｄ，３４ｅに対応して、チャネル３２ｄと隣
合うセル列１２ａ上で、第２層配線３５ｄ，３５ｅ、第
３層配線３６ｂ、ビアホール３１ｇ，３１ｈが用いられ
て配線される。

【００７８】ステップＳ８実行後に残っている結線要求
は分割された結線要求３４ｂ，３４ｃ，３４ｈである。
ここで注意すべきことは、仮想チャネル３３に割り当て
られた結線要求は全て配線されることである。これによ
って、仮想チャネルはもはや設定しておく必要がなくな
るため、削除される。

【００７９】次にステップＳ９に進み、チャネルに割り
当てられた結線要求の内、ステップＳ８で対応できなか
ったものをチャネルにおいて配線する。この配線は当該
チャネル内で、第１層、第２層、第３層の３層を用い
て、チャネル配線法により配線する。

【００８０】図２８乃至図３１は四者相まって、ステッ
プＳ９が実行された直後の集積回路装置１００の構成を
示す平面図である。図２８は仮想線Ｑ₂₁Ｑ₂₁において図
２９と連続し、図２９は仮想線Ｑ₂₂Ｑ₂₂において図３０
と連続し、図３１は仮想線Ｑ₂₃Ｑ₂₃において図３０と、
かつ仮想線Ｑ₂₄Ｑ₂₄において図２８と、それぞれ連続し
ている。

【００８１】チャネル３２ｂにおいて割り当てられた結
線要求３４ｂに対しては、第１層配線２９ｇ、第２層配
線３５ｂ、ビアホール３１ｂ、及び第１層配線２９ｄが
用いられて配線される。

【００８２】チャネル３２ｃにおいて割り当てられた結
線要求３４ｃに対しては、第１層配線２９ｅ、第２層配
線３５ｃ、第３層配線３６ａ及びビアホール３１ｅ，３
１ｆが用いられて配線される。

【００８３】チャネル３２ｃにおいて割り当てられた結
線要求３４ｈに対しては、第２層配線３５ｉ、第３層配
線３６ｄ、及びビアホール３１ｋ，３１ｌが用いられて
配線される。更に、チャネル３２ｃにおいて割り当てら
れた結線要求３４ｆに対しては、第２層配線３５ｆが用
いられて配線される。

【００８４】次にステップＳ１０に進み、結線要求の
内、ステップＳ７〜ステップＳ９のいずれのステップで
も配線経路を決定できなかった結線要求に対応する配線
を行う。

【００８５】ここでは集積回路装置全体を配線領域とす
る迷路法を用いて配線が行われ、ステップＳ１０はクリ
ーンアップ配線ステップである。集積回路装置１００に
関しては、ステップＳ７〜ステップＳ９で全ての結線要
求に対応した配線を既に完了しているので、ここで示さ
れた例では実行はされない。

【００８６】以上のように、この発明の第１実施例によ
ればチャネルベース配線法を基礎としているが、等高セ
ル列が隣接してチャネルが存在しない場合においても仮
想的にチャネルを設定し、その後この仮想チャネルに割
り当てられた結線要求に対する配線を、仮想チャネルに
隣接する当該等高セル列上で設計することができる。

【００８７】更に、第２層配線のパターンを有しない端
子に対しては、第２層の矩形パターンを接続するので、
全ての端子に対してチャネルベース配線法を適用するこ
とができる。

【００８８】なお、ステップＳ２，Ｓ３，Ｓ７におい
て、迷路法が用いられているが、領域を狭く限定して適
用されているので、集積回路装置全体に対して適用する
場合のように、速度が非常に遅くなるということはな
い。

【００８９】また迷路法の代わりに線分探索法、線分展
開法を用いることもできる。

【００９０】更に、第１層、第２層、第３層の３層の配
線層を用いた配線について説明したが、２層以上であれ
ば、任意の層の配線層を用いた集積回路装置にも適用で
きることは明白である。

【００９１】また、全配線領域を非等高セル列、等高セ
ル列、チャネルに分割して、各領域毎に異なる詳細配線
手法を用いたが、さらにスイッチボックス、Ｌ型チャネ
ル領域にも分割し、各領域でそれぞれスイッチボックス
配線方法、Ｌ型チャネル配線方法を用いて配線すること
もできる。

【００９２】勿論、この発明をプリント基板の配線を設
計する際に適用することも可能であることは明かであ
る。

【００９３】第２実施例：図３２はこの発明の第２実施
例にかかる集積回路装置の配線方法の一部を示すフロー
チャートである。また図３３，図３４はいずれも等高セ
ル列１２ｃの詳細を示す平面図である。

【００９４】第２実施例は、図１に示されたステップＳ
２，Ｓ３が図３２に示されたステップＳ２１〜Ｓ２３と
置換された点のみで第１実施例と異なる。

【００９５】ステップＳ１で等高セル列が選択される
と、その端子のうち、第２層のパターンを含まない端子
に対して、仮取り出し口が設定される（ステップＳ２
１）。

【００９６】この仮取り出し口は、以下の規則に従って
設定される。

【００９７】第２層縦方向配線格子線の内、仮取り出
し口を設定しようとする端子を構成するパターンと交差
し、且つ、その上に第２層パターンが存在しないものを
特定する。そして当該第２層縦方向配線格子線と、セル
の中心に最も近い横方向配線格子線との交点に仮取り出
し口が設定される。

【００９８】特定された第２層縦方向配線格子線上に
複数の端子のパターンが存在する場合には、当該第２層
縦方向配線格子線上において、セルの中心に最も近い横
方向配線格子線に最も近いパターンを有する端子に優先
して仮取り出し口を設定する。

【００９９】当該第２層縦方向配線格子線上に仮の取
り出し口を設定できない場合は、端子を構成するパター
ンの最も近傍に存在し、その上に第２層パターンが存在
しない第２層配線格子線と、セルの中心に最も近い横方
向配線格子線との交点に仮の取り出し口を設定する。

【０１００】図８に示された等高セル１２ｃが選択され
た場合を例にとって説明する。等高セル１２ｃにおいて
第２層縦方向配線格子線と垂直な横方向配線格子線４１
ａ〜４１ｏが設定される（図３３）。そして、接続され
るべき端子２１，２２，２５のうち、第２層配線パター
ンを含まない端子２１，２２について、仮取り出し口が
設定される。

【０１０１】端子２１を構成するパターン２１ａ，２１
ｂ，２１ｃと交差し、且つ、その上に第２層配線パター
ンが存在しない第２層縦方向配線格子線として、第２層
縦方向配線格子線２８ｃが特定される。同様にして、端
子２２，２３，２４に対応してそれぞれ第２層縦方向配
線格子線２８ｆ，２８ｇ，２８ｊが特定される。

【０１０２】そしてこれらの第２層縦方向配線格子線２
８ｃ，２８ｆ，２８ｇ，２８ｊと、等高セル列１２ｃの
中心に最も近い横方向配線格子線４１ｈとの交点に、そ
れぞれ仮の取り出し口４４，４５，４６，４７が設定さ
れる。ここまでがステップＳ２１に対応する（図３
３）。

【０１０３】次にステップＳ２２において、等高セル列
上で、第１層配線と第２層配線とを用いて配線できる結
線要求を配線する。ここで第１層配線は水平／垂直方向
で、第２層配線は垂直方向にのみ限定して配線される。
そして第２層配線は最短化され、ステップＳ２２におい
て配線されるべき端子と異なる端子の取り出し口が既に
設定されている第２層縦方向配線格子線上では、第２層
での配線が行われない。

【０１０４】等高セル列１２ｃを例に採ると、ステップ
Ｓ２２によって第１層配線及び第２層配線のみで配線で
きる結線要求Ｗ₃を配線する。等高セル列１２ｃにおい
ては図９で示されたのと同様にして、第１層配線２９ａ
のみで端子２３，２４を相互に結線することができる。

【０１０５】次にステップＳ２３に進み、ステップＳ２
２で配線されず、かつ、ステップＳ２１で仮の取り出し
口が設定されている端子に対して、仮の取り出し口の位
置に取り出し口を設定し、この取り出し口と端子間を配
線する。

【０１０６】等高セル列１２ｃを例に採ると、ステップ
Ｓ２３によって仮取りだし口４４，４５が設定されつつ
もステップＳ２２で配線されなかった端子２１，２２に
それぞれ第２層矩形パターン４２ａ，４２ｂが割り当て
られる。端子２１，２２と第２層矩形パターン４２ａ，
４２ｂとはそれぞれビアホール４３ａ，４３ｂを介して
接続されている。一方、端子２３，２４に関しては既に
ステップＳ２２で配線されたので、仮取り出し口４６，
４７には第２層矩形パターンは割り当てられない（図３
４）。

【０１０７】本方法により、取り出し口の存在する第２
層縦方向配線格子線上には他の第２層配線パターンが存
在しないため、ステップＳ８のセル列上配線ステップに
おける配線の際に障害物としての影響を小さくすること
ができる。従って、配線をより容易に行うことができ
る。

【０１０８】

【発明の効果】この発明のうち請求項１乃至２にかかる
集積回路の配線の設計方法においては、等高セル列が隣
接してチャネルが存在しない場合においても、更に所定
の層のパターンを有しない端子が存在しても、全ての端
子に対してチャネルベース配線法を適用することができ
る。

【０１０９】この発明のうち請求項３乃至４にかかる集
積回路の配線の設計方法においては、後の配線の際に障
害物としての影響が小さくなるように配線するので、配
線をより容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例にかかる集積回路装置の
配線方法を示すフローチャートである。

【図２】本発明の第１実施例にかかる集積回路装置の
配線方法を示すフローチャートである。

【図３】本発明の第１実施例にかかる集積回路装置の
配線方法を示すフローチャートである。

【図４】図５、図６、図７と相まって、第１実施例に
かかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体集積回路
の概略を示す平面図である。

【図５】図４、図６、図７と相まって、第１実施例に
かかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体集積回路
の概略を示す平面図である。

【図６】図４、図５、図７と相まって、第１実施例に
かかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体集積回路
の概略を示す平面図である。

【図７】図４、図５、図６と相まって、第１実施例に
かかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体集積回路
の概略を示す平面図である。

【図８】等高セル列１２ｃの詳細を示す平面図であ
る。

【図９】第１層配線２９ａが配線された様子を示す平
面図である。

【図１０】ステップＳ３が実行された直後の様子を示
す平面図である。

【図１１】図１２、図１３、図１４と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１２】図１１、図１３、図１４と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１３】図１１、図１２、図１４と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１４】図１１、図１２、図１３と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１５】図１６、図１７、図１８と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１６】図１５、図１７、図１８と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１７】図１５、図１６、図１８と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１８】図１５、図１６、図１７と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図１９】図２０、図２１、図２２と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２０】図１９、図２１、図２２と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２１】図１８、図１９、図２０と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２２】図１９、図２０、図２１と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２３】図２０、図２１、図２２と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２４】図２５、図２６、図２７と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２５】図２４、図２６、図２７と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２６】図２４、図２５、図２７と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２７】図２４、図２５、図２６と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２８】図２９、図３０、図３１と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図２９】図２８、図３０、図３１と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図３０】図２８、図２９、図３１と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図３１】図２８、図２９、図３０と相まって、第１
実施例にかかる集積回路装置の配線方法を示し、半導体
集積回路の概略を示す平面図である。

【図３２】この発明の第２実施例にかかる集積回路装
置の配線方法の一部を示すフローチャートである。

【図３３】等高セル列１２ｃの詳細を示す平面図であ
る。

【図３４】等高セル列１２ｃの詳細を示す平面図であ
る。

【図３５】従来の配線方法を示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

１１ａ〜１１ｊ等高セル、１２ａ〜１２ｃ等高セル
列、１４ａ〜１４ｘ入出力バッファセル、１９〜２５
端子、２９ｄ〜２９ｈ第１層配線、３０ａ，３０ｂ
第２層矩形パターン、３１ｄ〜３０ｐビアホール、３
２ａ〜３２ｈチャネル、３３仮想チャネル、３５ａ〜
３５ｍ第２層配線、３６ａ〜３６ｆ第３層配線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者寺井正幸兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電機株式会社システムエル・エス・アイ開発研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】各々が端子を含み、複数の等高セル及び
非等高セルを有する集積回路装置において、接続される
べき前記端子の集合である結線要求に対応して複数層の
配線を施す配線の設計方法であって、前記等高セルは配列されて等高セル列を構成し、前記端子は少なくとも一つのパターンから構成され、（ａ）前記等高セル列において、前記端子のうち所定の
層の前記パターンを含まない特定端子に対して前記所定
の層のパターンたる取り出し口を設定し、前記取り出し
口と前記特定端子とを配線するステップと、（ｂ）（ｂ−１）前記集積回路装置を前記等高セル列
と、前記非等高セルと、チャネルとに分割し、（ｂ−２）隣接する前記等高セル列の境界において仮想
チャネルを更に仮想的に設け、前記等高セル列、前記非等高セル、及び前記チャネル、
並びに前記仮想チャネルからなる配線領域を設定するス
テップと、（ｃ）前記結線要求に含まれる前記端子間を配線する際
に、前記ステップ（ｂ）で設けられた前記配線領域のう
ちのいずれを通って配線を行うかを決定し、前記配線領
域の各々毎に前記結線要求を割り当てて配線するステッ
プと、（ｄ）前記非等高セルに割り当てられた前記結線要求を
前記非等高セル上で配線するステップと、（ｅ）前記チャネル及び前記仮想チャネルに割り当てら
れた前記結線要求の内、前記ステップ（ｄ）において配
線されなかったものの少なくとも一部を、前記チャネル
及び前記仮想チャネルに隣接する前記等高セル列上で前
記所定の層に関して配線するステップと、（ｆ）前記チャネル及び前記仮想チャネルに割り当てら
れた前記結線要求の内、前記ステップ（ｄ），（ｅ）に
おいて配線されなかったものの少なくとも一部を、前記
チャネル及び前記仮想チャネルにおいて配線するステッ
プと、（ｇ）前記ステップ（ｄ）〜（ｆ）のいずれでも配線さ
れなかった前記結線要求を前記配線領域の全体を対象と
して配線するステップとを備える集積回路装置の配線の
設計方法。
【請求項２】前記集積回路装置は基板において形成さ
れ、前記複数層は前記基板に近い方から順次第１層、第２
層、…と規定され、前記所定の層は前記第２層に該当し、前記ステップ（ａ）に先立ち、（ｈ）前記等高セルの各々において、前記第１層のみに
おいて配線可能な前記結線要求を配線するステップを更
に備える、請求項１記載の集積回路装置の配線の設計方
法。
【請求項３】前記等高セル列には互いに直交する複数
の縦方向配線格子線及び横方向配線格子線が設定され、前記ステップ（ａ）は（ａ−１）前記特定端子を構成するパターンと交差し且
つ前記所定の層のパターンを通らない前記縦方向配線格
子線と、前記等高セル列の中心に最も近い前記横方向配
線格子線との交点に仮の取り出し口を設定するステップ
と、（ａ−２）前記等高セル列において、その各々の内部の
みで配線可能な前記特定端子を接続する配線をするステ
ップと、（ａ−３）前記ステップ（ａ−２）で配線されなかった
前記特定端子に対して設定された前記仮の取り出し口に
前記取り出し口を設定するステップとを有する請求項１
記載の集積回路装置の配線の設計方法。
【請求項４】前記集積回路装置は基板において形成さ
れ、前記複数層は前記基板に近い方から順次第１層、第２
層、…と規定され、前記所定の層は前記第２層に該当し、前記ステップ（ａ−２）において前記特定端子の間を
（ａ−２−１）前記第１層において前記縦方向配線格子
線及び前記横方向配線格子線に沿って配線するステップ
と、（ａ−２−２）前記特定端子以外の前記端子の取り
出し口が設定されている前記縦方向配線格子線以外の前
記縦方向配線格子線に沿って、前記第２層において配線
するステップとを含む請求項３記載の集積回路装置の配
線の設計方法。