JPH0823029A - Semiconductor integrated circuit and designing thereof - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and designing thereof

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JPH0823029A
JPH0823029A JP15361094A JP15361094A JPH0823029A JP H0823029 A JPH0823029 A JP H0823029A JP 15361094 A JP15361094 A JP 15361094A JP 15361094 A JP15361094 A JP 15361094A JP H0823029 A JPH0823029 A JP H0823029A
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JP
Japan
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power supply
wiring
semiconductor integrated
integrated circuit
branch
Prior art date
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Pending
Application number
JP15361094A
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Japanese (ja)
Inventor
Kengo Miyazawa
健悟 宮澤
Masato Hamamoto
正人 浜本
Hidehiro Okada
英宏 岡田
Kazuhisa Miyamoto
和久 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0823029A publication Critical patent/JPH0823029A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B28/00Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
    • C04B28/14Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements
    • C04B28/16Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements containing anhydrite, e.g. Keene's cement
    • C04B28/165Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements containing anhydrite, e.g. Keene's cement containing synthetic anhydrite

Abstract

PURPOSE:To improve electromigration resistance by normally operating a semiconductor integrated circuit device so as to route signal wiring with good efficiency. CONSTITUTION:This is a semiconductor integrated circuit device whereas semiconductor element is provided on the main surface, and on the upper layer thereof, wiring layers of lamination structure where wirings such as branch power supply wirings 5, trunk power supply wirings 6 and signal wirings are provided so as to constitute a base circuit cell group having a prescribed function where the semiconductor elements are connected by wiring, and the base circuit cell group is divided into a plurality of feed areas, every feed area 4 is connected to the branch power supply wires 5 and the branch power supply wirings 5 are connected to an external power supply through the branch power supply wirings 6. Wirings width of the branch power supply wirings 5 is different according to the kind and the number of base circuit cells arranged in each feed area 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特にASIC(Application Specific Integr
ated Circuit又はApplication Specific Standard
Product:特定用途向けIC)に適用して有効な技術に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and, more particularly, to an ASIC (Aplication Replication Integer).
ated Circuit or Application Replication Standard
Product: A technology effective when applied to a special purpose IC).

【0002】[0002]

【従来の技術】ASICとは、ゲートアレイ方式、スタ
ンダードセル方式、カスタム方式等の特定用途向け半導
体集積回路装置の設計方式のことであり、ASICの概
念には、これらの方式のうちいずれかを採用する半導体
集積回路装置のすべてが含まれる。
2. Description of the Related Art An ASIC is a design method of a semiconductor integrated circuit device for a specific application such as a gate array method, a standard cell method, a custom method, etc., and the concept of ASIC is one of these methods. All of the semiconductor integrated circuit devices adopted are included.

【0003】ASICを採用する半導体集積回路装置
は、基本的にコンピュータを利用した自動配線配置シス
テム(DA:Design Automation)の支援に基づき、
設計開発が行われる。例えば、前記スタンダードセル方
式を採用する半導体集積回路装置は、一般に、予め最適
な設計がなされた複数種類の機能を有する基本回路セル
(マクロセル)を自動配置配線システムに登録し、必要
に応じて該基本回路セルを配置し、この基本回路セル間
の夫々を結線する方式である。
A semiconductor integrated circuit device adopting an ASIC is basically based on the support of an automatic wiring arrangement system (DA: Design Automation) using a computer.
Design development is performed. For example, in a semiconductor integrated circuit device adopting the standard cell method, generally, a basic circuit cell (macro cell) having a plurality of types of functions, which has been optimally designed in advance, is registered in an automatic placement and routing system, and if necessary, This is a method of arranging basic circuit cells and connecting each of the basic circuit cells.

【0004】前記スタンダードセル方式を採用する半導
体集積回路装置は、平面形状が方形状の半導体基板を主
体にして構成される。この基板の主面上には、複数の給
電エリアがX及びY方向に行列状に配置される。給電エ
リア内には、論理回路セル、入出力回路セル及び診断回
路セル等の基本回路セルが配置されるとともに、これら
の基本回路セルに電源を供給する電源回路セルが配置さ
れる。
The semiconductor integrated circuit device adopting the standard cell system is mainly composed of a semiconductor substrate having a rectangular planar shape. A plurality of power supply areas are arranged in a matrix in the X and Y directions on the main surface of the substrate. In the power supply area, basic circuit cells such as logic circuit cells, input / output circuit cells and diagnostic circuit cells are arranged, and power supply circuit cells for supplying power to these basic circuit cells are arranged.

【0005】前記給電エリア内の論理回路セルは、他の
論理回路セルと結線され、内部論理回路を構成する。ま
た、給電エリア内の入出力回路は、論理回路セルに結線
され、外部との信号の入出力を行う。
The logic circuit cells in the power supply area are connected to other logic circuit cells to form an internal logic circuit. The input / output circuit in the power supply area is connected to the logic circuit cell to input / output signals to / from the outside.

【0006】前記給電エリア内及び給電エリア間の結線
は、多層配線構造の配線層に形成された配線により行わ
れる。例えば、6層配線構造の場合、第6層目の配線
層、所謂最上層の配線層は、例えばY方向に延在する幹
電源配線の配線層として使用され、低電圧幹電源配線、
終端幹電源配線及び接地幹電源配線とが交互に配置され
る。
The wiring within the power feeding area and between the power feeding areas is performed by wiring formed in a wiring layer of a multilayer wiring structure. For example, in the case of a 6-layer wiring structure, a sixth wiring layer, that is, a so-called uppermost wiring layer is used as a wiring layer of a main power supply wiring extending in the Y direction, and a low-voltage main power supply wiring,
The terminal trunk power wiring and the ground trunk power wiring are alternately arranged.

【0007】第5層目の配線層は、前記幹電源配線の枝
線として使用される枝電源配線の配線層として使用され
る。この枝電源配線は、X方向に整列する給電ブロック
列の夫々の上部に、低電圧枝電源配線、終端枝電源配線
及び接地枝電源配線とが列方向に延在して配置され、給
電ブロックに配置された論理回路セル、入出力回路セ
ル、診断回路セル、電源回路セルの夫々に接続される。
The wiring layer of the fifth layer is used as a wiring layer of the branch power wiring used as the branch of the main power wiring. The branch power supply wiring is arranged in the upper part of each of the power supply block rows aligned in the X direction with the low-voltage branch power supply wiring, the terminal branch power supply wiring, and the ground branch power supply wiring extending in the column direction. The logic circuit cell, the input / output circuit cell, the diagnostic circuit cell, and the power supply circuit cell that are arranged are respectively connected.

【0008】また、前記枝電源配線は、エレクトロンマ
イグレーション及び枝電源配線での電位降下を考慮し、
流れる電流量の最も多い給電エリアに合わせて配線幅が
設定される。
In addition, the branch power supply wiring has electron migration and potential drop in the branch power supply wiring,
The wiring width is set according to the power supply area where the amount of flowing current is the largest.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記従来技術を検討した結果、以下のような問題
点を見出した。
However, as a result of examining the above-mentioned prior art, the present inventor found the following problems.

【0010】前述した半導体集積回路装置によると、前
記幹電源配線は、流れる電流量の最も多い給電エリアに
合わせて、その配線幅を設定しているので、夫々の給電
エリアに接続される前記枝電源配線の配線幅は同じであ
るが、給電エリアは、配置された基本回路セルの種類や
数によって、流れる電流量が異なる。このため、前記枝
電源配線での電位降下に差があり、給電エリア毎に印加
される電位が異なり、半導体集積回路装置が誤動作する
という問題があった。
According to the above-mentioned semiconductor integrated circuit device, since the wiring width of the main power supply wiring is set according to the power feeding area where the amount of current flowing is the largest, the branches connected to the respective power feeding areas are set. Although the power supply wiring has the same wiring width, the amount of current flowing in the power supply area varies depending on the type and number of basic circuit cells arranged. For this reason, there is a problem that the semiconductor integrated circuit device malfunctions due to a difference in potential drop in the branch power supply wiring and a different potential applied to each power supply area.

【0011】また、従来、前記枝電源配線は、最大の電
流が流れる給電エリアの電流量に合わせて配線幅を決定
しているので、最大の電流が流れる給電エリアに給電す
る枝電源配線は、エレクトロンマイグレーションが発生
しない線幅を満足してはいるが、他の枝電源配線ほど配
線幅に余裕が無い。このため、エレクトロンマイグレー
ション現象による断線が発生する可能性があった。
Further, conventionally, the branch power supply wiring determines the wiring width according to the amount of current in the power supply area where the maximum current flows, so that the branch power supply wiring for supplying power to the power supply area where the maximum current flows is: Although it satisfies the line width at which electron migration does not occur, the line width is not as wide as that of other branch power supply lines. Therefore, there is a possibility that disconnection may occur due to the electron migration phenomenon.

【0012】また、流れる電流量が最も多い給電エリア
に合わせて、枝電源配線の配線幅を設定しているので、
流れる電流量の少ない給電エリアでは、必要以上に配線
幅の広い幹電源配線が配置されることになり、配線チャ
ネル領域を無駄に占領し、信号配線の引き回しが効率良
く行えないという問題があった。
Further, since the wiring width of the branch power wiring is set in accordance with the power feeding area where the amount of current flowing is the largest,
In the power supply area where the amount of flowing current is small, the trunk power supply wiring with a wiring width wider than necessary is arranged, and the wiring channel area is unnecessarily occupied, and the signal wiring cannot be routed efficiently. .

【0013】本発明の目的は、半導体集積回路装置にお
ける電源電圧の抵抗による電圧降下を防止することがで
きる技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing a voltage drop due to resistance of a power supply voltage in a semiconductor integrated circuit device.

【0014】本発明の他の目的は、半導体集積回路装置
の電源配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上す
ることができる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving the electromigration resistance of the power supply wiring of the semiconductor integrated circuit device.

【0015】本発明の他の目的は、半導体集積回路装置
の設計において、効率良く信号配線の引き回しをするこ
とができる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of efficiently arranging signal wirings in designing a semiconductor integrated circuit device.

【0016】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0018】(1)半導体基板の主面上に半導体素子が
設けられ、その上層に枝電源配線、幹電源配線及び信号
配線等の配線を配置する積層構造の配線層が設けられ、
該半導体素子が前記配線で結線されて所定の機能を有す
る基本回路セル群を構成し、該基本回路セル群が複数の
給電エリアに分割され、該給電エリア毎に前記枝電源配
線が接続され、該枝電源配線が前記幹電源配線を通じて
外部電源に接続される半導体集積回路装置であって、前
記枝電源配線の配線幅は、各給電エリアに配置された基
本回路セルの種類及び数によって異なる。
(1) A semiconductor element is provided on the main surface of a semiconductor substrate, and a wiring layer having a laminated structure for arranging wiring such as branch power wiring, trunk power wiring and signal wiring is provided on the semiconductor element.
The semiconductor element is connected by the wiring to form a basic circuit cell group having a predetermined function, the basic circuit cell group is divided into a plurality of power feeding areas, the branch power supply wiring is connected to each power feeding area, In the semiconductor integrated circuit device in which the branch power supply wiring is connected to an external power supply through the trunk power supply wiring, the wiring width of the branch power supply wiring varies depending on the type and number of basic circuit cells arranged in each power supply area.

【0019】(2)行列状に配置された複数の給電エリ
アに所定の基本回路セルを配置し、該給電エリアに電流
を供給する枝電源配線を配置する半導体集積回路装置の
設計方法であって、前記各給電エリアに配置された該基
本回路セルの種類及び数をもとに各給電エリアに流れる
電流量及び各給電エリアでの電位降下を算出し、該算出
結果に基づいて前記枝電源配線の配線幅を設定する。
(2) A method of designing a semiconductor integrated circuit device, wherein predetermined basic circuit cells are arranged in a plurality of power supply areas arranged in a matrix, and branch power supply lines for supplying a current to the power supply areas are arranged. Calculating the amount of current flowing in each power feeding area and the potential drop in each power feeding area based on the type and number of the basic circuit cells arranged in each power feeding area, and based on the calculation result, the branch power wiring Set the wiring width of.

【0020】[0020]

【作用】前述した手段(1)によれば、本発明の半導体
集積回路装置は、前記枝電源配線の配線幅が、各給電エ
リアに配置された基本回路セルの種類及び数によって異
なる。つまり、夫々の給電エリアに電位降下が同じにな
るように配線幅を設定するので、各回路セルに所定の電
位を供給することができ、各基本回路セルを安定に動作
させることができる。
According to the above-mentioned means (1), in the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the wiring width of the branch power wiring differs depending on the type and number of basic circuit cells arranged in each power feeding area. That is, since the wiring width is set so that the potential drop is the same in each power supply area, a predetermined potential can be supplied to each circuit cell, and each basic circuit cell can be stably operated.

【0021】また、電流量の少ない給電エリアの配線幅
を狭くした分、最大の電流量の流れる給電エリアに接続
される枝電源配線の配線幅に余裕を持たせることができ
るので、従来、配線幅に余裕が無かった電流量の多い給
電エリアにおいても、エレクトロンマイグレーション耐
性を向上することができる。
Further, since the wiring width of the power supply area having a small amount of current is narrowed, it is possible to allow a margin for the wiring width of the branch power supply wiring connected to the power supply area where the maximum amount of current flows. It is possible to improve the electron migration resistance even in a power supply area where there is no margin in width and the amount of current is large.

【0022】また、前述した手段(2)によれば、本発
明の半導体集積回路装置の設計方法は、前記各給電エリ
アに配置された該回路セルの種類及び数をもとに各給電
エリアに流れる電流量及び各給電エリアでの電位降下を
算出し、該算出結果に基づいて前記枝電源配線の配線幅
を設定する。つまり、各給電エリアに、エレクトロンマ
イグレーション規定を満たす配線幅の枝電源配線が接続
されるので、流れる電流量の少ない給電エリアに接続さ
れる枝電源配線は、従来より配線幅が狭くなり、配線チ
ャネル領域に信号配線を配置する余裕ができる。この結
果、信号配線の引き回しを効率良く行うことができる。
According to the above-mentioned means (2), the method for designing a semiconductor integrated circuit device of the present invention is such that the power supply area is selected based on the type and number of the circuit cells arranged in each power supply area. The amount of flowing current and the potential drop in each power supply area are calculated, and the wiring width of the branch power supply wiring is set based on the calculation result. In other words, since the branch power supply wiring having the wiring width satisfying the electron migration regulation is connected to each power supply area, the branch power supply wiring connected to the power supply area where the amount of current flowing is smaller has a smaller wiring width than the conventional one, and the wiring channel There is a margin to arrange the signal wiring in the area. As a result, it is possible to efficiently route the signal wiring.

【0023】以下、本発明の構成について、スタンダー
ドセル方式を採用する半導体集積回路装置に本発明を適
用した一実施例とともに説明する。
The structure of the present invention will be described below together with an embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit device adopting the standard cell system.

【0024】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same function are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【0025】[0025]

【実施例】本実施例は、スタンダードセル方式で設計さ
れた半導体集積回路装置に本発明を適用した一実施例で
ある。
This embodiment is an embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit device designed by the standard cell system.

【0026】図1は、本発明の一実施例である半導体集
積回路装置のチップレイアウト図である。
FIG. 1 is a chip layout diagram of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

【0027】図2は、前記半導体集積回路装置の給電エ
リアの構成を示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of the power supply area of the semiconductor integrated circuit device.

【0028】図3は、前記半導体集積回路装置の第5層
目の配線層に配置された枝電源配線のレイアウト図であ
る。
FIG. 3 is a layout diagram of the branch power supply wiring arranged in the fifth wiring layer of the semiconductor integrated circuit device.

【0029】図4は、前記半導体集積回路装置の第6層
目の配線層に配置された幹電源配線のレイアウト図であ
る。
FIG. 4 is a layout diagram of the trunk power supply wiring arranged in the sixth wiring layer of the semiconductor integrated circuit device.

【0030】図5は、前記枝電源配線の構成を示す要部
レイアウト図である。
FIG. 5 is a layout diagram of essential parts showing the structure of the branch power supply wiring.

【0031】図1に示すように、スタンダードセル方式
を採用する半導体集積回路装置は、平面形状が方形状の
単結晶珪素からなる基板1を主体に構成される。該基板
1の主面の中央領域には、内部論理回路2a、入出力回
路2b及び診断回路2c等が配置される。
As shown in FIG. 1, a semiconductor integrated circuit device adopting the standard cell system is mainly composed of a substrate 1 made of single crystal silicon having a rectangular planar shape. An internal logic circuit 2a, an input / output circuit 2b, a diagnostic circuit 2c, etc. are arranged in the central region of the main surface of the substrate 1.

【0032】また、図2に示すように、基板1の主面上
に配置された基本回路セル群は、複数の給電エリア4に
分割される。該給電エリア4は、論理回路セル3aと、
該論理回路セル3aに隣接して配置された入出力回路セ
ル3b、診断回路セル3c及び電源回路セル3dで構成
される。基板1の主面上は、X及びY方向に給電エリア
4が整列する。
As shown in FIG. 2, the basic circuit cell group arranged on the main surface of the substrate 1 is divided into a plurality of power feeding areas 4. The power supply area 4 includes a logic circuit cell 3a,
It is composed of an input / output circuit cell 3b, a diagnostic circuit cell 3c and a power supply circuit cell 3d which are arranged adjacent to the logic circuit cell 3a. On the main surface of the substrate 1, the power feeding areas 4 are aligned in the X and Y directions.

【0033】前記内部論理回路2aは図1中、X方向、
Y方向のいずれにも規則的に配置された複数個の論理回
路セル3aで構成される。論理回路セル3aは所定の論
理機能(又は記憶機能)を備えたマクロセル(機能回路
ブロック)又はこのマクロセルの一部を構成する繰り返
しの基本となる回路が配置される。論理回路セル3aに
は、フリップフロップ回路、NANDゲート、NORゲ
ート、ORゲート、NOTゲート回路等の論理回路(マ
クロセル又はマクロセルの一部)が配置される。
The internal logic circuit 2a is arranged in the X direction in FIG.
It is composed of a plurality of logic circuit cells 3a which are regularly arranged in any of the Y directions. The logic circuit cell 3a is provided with a macro cell (functional circuit block) having a predetermined logic function (or storage function) or a repeating basic circuit forming a part of this macro cell. A logic circuit (a macro cell or a part of a macro cell) such as a flip-flop circuit, a NAND gate, a NOR gate, an OR gate, and a NOT gate circuit is arranged in the logic circuit cell 3a.

【0034】前記論理回路セル3aは、バイポーラトラ
ンジスタを主体に構成される。バイポーラトランジスタ
は、例えば高速回路動作性能に優れた縦型構造のnpn
型で構成される。論理回路セル3aには、バイポーラト
ランジスタの他に複数個の抵抗素子等が配置される。
The logic circuit cell 3a is mainly composed of a bipolar transistor. The bipolar transistor is, for example, a vertical structure npn excellent in high-speed circuit operation performance.
Composed of molds. In the logic circuit cell 3a, a plurality of resistance elements and the like are arranged in addition to the bipolar transistor.

【0035】前記内部論理回路2aは、図1中、Y方向
に複数個に分割され配置される。この複数個に分割され
た内部論理回路2aの夫々の間には入出力回路2b、診
断回路2cが配置される。
The internal logic circuit 2a is divided into a plurality of parts in the Y direction in FIG. An input / output circuit 2b and a diagnostic circuit 2c are arranged between each of the plurality of divided internal logic circuits 2a.

【0036】前記入出力回路2bは、図1中、X方向、
Y方向のいずれにも規則的に配置された複数個の入出力
回路セル3bで構成される。この入出力回路2bは、外
部装置と前記内部論理回路2aに配置された論理回路セ
ル3aとのインターフェイス回路として使用され、主に
入力信号、出力信号のレベル変換を行う。
The input / output circuit 2b is arranged in the X direction in FIG.
It is composed of a plurality of input / output circuit cells 3b arranged regularly in any of the Y directions. The input / output circuit 2b is used as an interface circuit between an external device and the logic circuit cell 3a arranged in the internal logic circuit 2a, and mainly performs level conversion of an input signal and an output signal.

【0037】前記入出力回路セル3bは、バイポーラト
ランジスタやMISFETを主体に構成され、繰り返し
の基本となる回路例えばNOTゲート回路、ANDゲー
ト回路等が配置される。
The input / output circuit cell 3b is composed mainly of a bipolar transistor and a MISFET, and a basic circuit such as a NOT gate circuit and an AND gate circuit is arranged.

【0038】また、前記内部論理回路2aは、図1中、
X方向に複数個に分割され配置される。この複数個に分
割された内部論理回路2aの夫々の間には電源回路2d
が配置される。この電源回路2dは複数個に分割されて
おり、参照電圧発生回路が配置される。
Further, the internal logic circuit 2a has the same structure as in FIG.
It is divided into a plurality of pieces in the X direction and arranged. A power supply circuit 2d is provided between each of the plurality of divided internal logic circuits 2a.
Is arranged. The power supply circuit 2d is divided into a plurality of parts, and a reference voltage generating circuit is arranged.

【0039】前記電源回路2dは、前述の内部論理回路
2a及び入出力回路2bと同様に、X方向、Y方向に複
数個に分割される。電源回路2dは、論理回路セル3
a、入出力回路セル3b等の夫々で使用される参照電圧
を発生する。
The power supply circuit 2d is divided into a plurality of parts in the X and Y directions, like the internal logic circuit 2a and the input / output circuit 2b. The power supply circuit 2d includes the logic circuit cell 3
a, a reference voltage used in each of the input / output circuit cell 3b and the like is generated.

【0040】論理回路セル3aは、主に同じ給電エリア
4内に配置された論理回路セル3aと接続されて内部論
理回路2aの一部を構成し、この内部論理回路2aに
は、主に同じ給電エリア4内に配置された入出力回路セ
ル3bが接続される。また、給電エリア4内に配置され
る基本回路セルには、同じ給電エリア4に配置される電
源回路セル3dにより参照電圧が給電される。
The logic circuit cell 3a is mainly connected to the logic circuit cells 3a arranged in the same power supply area 4 to form a part of the internal logic circuit 2a. The internal logic circuit 2a is mainly the same. The input / output circuit cell 3b arranged in the power supply area 4 is connected. Further, the reference voltage is supplied to the basic circuit cells arranged in the power supply area 4 by the power supply circuit cells 3d arranged in the same power supply area 4.

【0041】また、前記半導体集積回路装置は、前述の
ように単結晶珪素からなる基板1を主体に構成される。
基板1の一主面には前述のバイポーラトランジスタやM
ISFET等の半導体素子が設けられ、この半導体素子
の上層であって、基板1の上部には多層構造の配線層が
積層される。
The semiconductor integrated circuit device is mainly composed of the substrate 1 made of single crystal silicon as described above.
On one main surface of the substrate 1, the aforementioned bipolar transistor or M
A semiconductor element such as an ISFET is provided, and a wiring layer having a multi-layered structure is stacked on the substrate 1, which is an upper layer of the semiconductor element.

【0042】例えば、配線層を6層備える、所謂6層配
線構造を採用する半導体集積回路装置の場合、第1層目
の配線層は、前記半導体素子の上部に層間絶縁膜を介在
して積層され、第1層目配線が配置される。第1層目配
線は、層間絶縁膜に形成された接続孔(コンタクトホー
ル)を通して前記半導体素子の各電極に電気的に接続さ
れ、主に半導体素子間の結線、所謂セル内結線として使
用される。
For example, in the case of a semiconductor integrated circuit device employing a so-called 6-layer wiring structure having 6 wiring layers, the first wiring layer is laminated on the semiconductor element with an interlayer insulating film interposed. Then, the first layer wiring is arranged. The first layer wiring is electrically connected to each electrode of the semiconductor element through a connection hole (contact hole) formed in the interlayer insulating film, and is mainly used as a connection between semiconductor elements, a so-called intra-cell connection. .

【0043】第2層目の配線層は、第1層目の配線層の
上部に層間絶縁膜を介在して積層され、Y方向に延在す
る第2層目配線が配置される。第2層目配線は、層間絶
縁膜に形成された接続孔(スルーホール)を通して第1
層目配線に電気的に接続し、主にセル内結線として使用
される。
The second-layer wiring layer is laminated on the first-layer wiring layer with an interlayer insulating film interposed, and the second-layer wiring extending in the Y direction is arranged. The second-layer wiring has a first hole through a connection hole (through hole) formed in the interlayer insulating film.
It is electrically connected to the layer wiring and is mainly used as an in-cell connection.

【0044】第3層目の配線層、第4層目の配線層は、
主に基本回路セル間を結線するセル間配線層(信号配線
層)として使用される。
The third wiring layer and the fourth wiring layer are
Mainly used as an inter-cell wiring layer (signal wiring layer) that connects basic circuit cells.

【0045】第3層目の配線層は、第2層目の配線層の
上部に層間絶縁膜を介在して積層され、X方向に延在す
る第3層目配線が配置される。第3層目配線は、層間絶
縁膜に形成された接続孔(スルーホール)を通して第2
層目配線に電気的に接続する。
The third-layer wiring layer is laminated on the second-layer wiring layer with an interlayer insulating film interposed, and the third-layer wiring extending in the X direction is arranged. The third-layer wiring passes through the connection hole (through hole) formed in the interlayer insulating film to the second-layer wiring.
Electrically connect to the layer wiring.

【0046】第4層目の配線層は、第3層目の配線層の
上部に層間絶縁膜を介在して積層され、Y方向に延在す
る第4層目配線が配置される。第4層目配線は、層間絶
縁膜に形成された接続孔(スルーホール)を通して第3
層目配線に電気的に接続する。
The fourth wiring layer is laminated on the third wiring layer with an interlayer insulating film interposed, and the fourth wiring layer extending in the Y direction is arranged. The fourth-layer wiring is connected to the third-layer wiring through the connection hole (through hole) formed in the interlayer insulating film.
Electrically connect to the layer wiring.

【0047】第5層目の配線層、第6層目の配線層の夫
々は、主に電源配線層として使用される。
The fifth wiring layer and the sixth wiring layer are mainly used as power supply wiring layers.

【0048】図3に示すように、第5層目の配線層は、
第4層目の配線層の上部に層間絶縁膜を介在して積層さ
れる。該第5層目の配線層には、枝電源配線5がX方向
に延在して配置される。
As shown in FIG. 3, the fifth wiring layer is
It is laminated on the fourth wiring layer with an interlayer insulating film interposed. In the fifth wiring layer, the branch power supply wiring 5 is arranged so as to extend in the X direction.

【0049】枝電源配線5には、終端枝電源配線5t、
低電圧枝電源配線5e及び接地枝電源配線5cの3種類
があり、第5層目の配線層にY方向に終端枝電源配線5
t、低電圧枝電源配線5e及び接地枝電源配線5cの順
番に繰り返し配置される。枝電源配線5は、X方向に整
列した給電エリア列の夫々の上部に一組づつ配置され
る。
The branch power supply wiring 5 includes a terminal branch power supply wiring 5t,
There are three types of low-voltage branch power supply wiring 5e and ground branch power supply wiring 5c, and the terminal branch power supply wiring 5 is arranged in the Y direction in the fifth wiring layer.
t, the low-voltage branch power supply wiring 5e, and the ground branch power supply wiring 5c are repeatedly arranged in this order. The branch power supply wirings 5 are arranged one by one above each of the power supply area rows aligned in the X direction.

【0050】前記枝電源配線5の夫々は、層間絶縁膜に
形成された接続孔を通して下層の配線層に配置された電
源配線を通して、各給電エリア4の論理回路セル3a、
入出力回路セル3b、診断回路セル3c、電源回路セル
3dに接続される。
Each of the branch power supply lines 5 is connected to a logic circuit cell 3a in each power supply area 4 through a power supply line arranged in a lower wiring layer through a connection hole formed in an interlayer insulating film.
It is connected to the input / output circuit cell 3b, the diagnostic circuit cell 3c, and the power supply circuit cell 3d.

【0051】図4に示すように、第6層目の配線層は、
第5層目の配線層の上部に層間絶縁膜を介在して積層さ
れる。該第6層目の配線層には、幹電源配線6がY方向
に延在して配置される。該幹電源配線6には、接地幹電
源配線6c、終端幹電源配線6e及び低電圧幹電源配線
6tとがあり、該幹電源配線6は、接地幹電源配線6
c、終端幹電源配線6t及び低電圧幹電源配線6eの順
番でY方向に繰り返し配置される。
As shown in FIG. 4, the sixth wiring layer is
It is laminated on the fifth wiring layer with an interlayer insulating film interposed. In the sixth wiring layer, the trunk power supply wiring 6 is arranged so as to extend in the Y direction. The trunk power supply wiring 6 includes a grounded trunk power supply wiring 6c, a terminal trunk power supply wiring 6e, and a low-voltage trunk power supply wiring 6t.
c, the terminal trunk power supply wiring 6t, and the low-voltage trunk power supply wiring 6e are repeatedly arranged in this order in the Y direction.

【0052】幹電源配線6の夫々は、層間絶縁膜に形成
された接続孔(スルーホール)を通して枝電源配線5に
(低電圧幹電源配線6eは低電圧枝電源配線5eに、終
端幹電源配線6tは終端枝電源配線5tに、接地幹電源
配線6cは接地枝電源配線5cに)接続される。
Each of the trunk power supply wirings 6 is connected to the branch power supply wiring 5 through the connection hole (through hole) formed in the interlayer insulating film (the low-voltage trunk power supply wiring 6e is connected to the low-voltage branch power supply wiring 5e, and the terminal trunk power supply wiring is connected). 6t is connected to the terminal branch power supply wiring 5t, and the ground trunk power supply wiring 6c is connected to the ground branch power supply wiring 5c).

【0053】図5に示すように、幹電源配線6は接続孔
7aを通して枝電源配線に接続され、該枝電源配線5
は、接続孔7bを通して給電エリア4に終端電圧、低電
圧、接地電圧を給電している。枝電源配線5は、矢印P
が指し示すように、各給電エリア4に流れる電流量によ
って配線幅が異なっている。流れる電流量の多い給電エ
リア4には、配線幅の広い枝電源配線5が接続され、流
れる電流量が少ない給電エリア4には、配線幅の狭い枝
電源配線5が接続されているので、枝電源配線5での電
位降下を一定にでき、エレクトロンマイグレーション耐
性を向上できる。
As shown in FIG. 5, the trunk power supply wiring 6 is connected to the branch power supply wiring through the connection hole 7a.
Supplies terminal voltage, low voltage, and ground voltage to the power supply area 4 through the connection hole 7b. The branch power supply wiring 5 has an arrow P
, The wiring width is different depending on the amount of current flowing in each power feeding area 4. The branch power supply wiring 5 having a wide wiring width is connected to the power supply area 4 having a large amount of flowing current, and the branch power supply wiring 5 having a small wiring width is connected to the power supply area 4 having a small amount of flowing current. The potential drop in the power supply wiring 5 can be made constant, and the electron migration resistance can be improved.

【0054】また、第6層目の配線層の上層に最終保護
膜が積層される。第6層目の配線層には、前記信号配線
や幹電源配線6に電気的につながる外部端子が設けら
れ、最終保護膜に形成された開孔を通して、最終保護膜
の表面上に引き出される。
A final protective film is laminated on the sixth wiring layer. The sixth wiring layer is provided with external terminals electrically connected to the signal wiring and the main power supply wiring 6, and is drawn out onto the surface of the final protective film through the holes formed in the final protective film.

【0055】前記半導体集積回路装置は、マザーボー
ド、ベビーボード、プリント配線基板(PCB)等の実
装基板にフェースダウンボンディング法(CCB法)で
実装される。
The semiconductor integrated circuit device is mounted on a mounting substrate such as a mother board, a baby board, and a printed wiring board (PCB) by the face down bonding method (CCB method).

【0056】次に、本発明をスタンダードセル方式に適
用した半導体集積回路装置の設計方法を説明する。
Next, a method of designing a semiconductor integrated circuit device in which the present invention is applied to the standard cell system will be described.

【0057】図6は、本発明をスタンダードセル方式に
適用した半導体集積回路装置の設計方法を説明するフロ
ーチャートである。
FIG. 6 is a flow chart for explaining a method for designing a semiconductor integrated circuit device in which the present invention is applied to the standard cell system.

【0058】スタンダードセル方式を採用する半導体集
積回路装置は、コンピュータの支援に基づく自動配線配
置システム(DA:Design Automation)でほぼ全面
的に自動的に設計される。
The semiconductor integrated circuit device adopting the standard cell system is almost entirely automatically designed by an automatic wiring arrangement system (DA: Design Automation) based on computer support.

【0059】図6に示すように、自動配線配置システム
による半導体集積回路装置の設計の順序は、まず、コン
ピュータのメモリ上に基板1主面及び配線層に対応した
2次元平面を仮想する。そして、基板主面に対応する該
2次元平面上に基本回路セルを配置する(ステップ6
1)。この基本回路セルは、予め設計され、コンピュー
タに登録されている。
As shown in FIG. 6, the order of designing the semiconductor integrated circuit device by the automatic wiring arrangement system is to first virtualize a two-dimensional plane corresponding to the main surface of the substrate 1 and the wiring layer on the memory of the computer. Then, the basic circuit cells are arranged on the two-dimensional plane corresponding to the main surface of the substrate (step 6).
1). This basic circuit cell is designed in advance and registered in the computer.

【0060】次に、配置した基本回路セルを複数の給電
エリア4に分割する(ステップ62)。該給電エリア4
は、論理回路セル3aと、該論理回路セル3aに隣接し
て配置された入出力回路セル3b、診断回路セル3c及
び電源回路セル3dで構成される。
Next, the arranged basic circuit cell is divided into a plurality of power supply areas 4 (step 62). The power supply area 4
Is composed of a logic circuit cell 3a and an input / output circuit cell 3b, a diagnostic circuit cell 3c and a power supply circuit cell 3d which are arranged adjacent to the logic circuit cell 3a.

【0061】次に、配線層に対応した2次元平面上にセ
ル内配線、セル間配線(信号配線)、電源配線等を配置
する(ステップ63)。例えば6層配線構造の配線層を
備える半導体集積回路装置を設計する場合、第1層目の
配線層、第2層目の配線層には主にセル内配線が配置さ
れ、第3層目の配線層、第4層目の配線層には、主にセ
ル間配線が配置される。第5層目の配線層には、主に枝
電源配線5が配置され、第6層目の配線層には幹電源配
線6が配置される。
Next, in-cell wiring, inter-cell wiring (signal wiring), power supply wiring, etc. are arranged on a two-dimensional plane corresponding to the wiring layer (step 63). For example, when designing a semiconductor integrated circuit device including a wiring layer having a 6-layer wiring structure, the intra-cell wiring is mainly arranged in the first wiring layer and the second wiring layer, and the third wiring layer is arranged. Inter-cell wiring is mainly arranged in the wiring layer and the fourth wiring layer. Branch power supply wirings 5 are mainly arranged in the fifth wiring layer, and trunk power supply wirings 6 are arranged in the sixth wiring layer.

【0062】前記枝電源配線5は、前記各給電エリア4
に電源を供給するための配線であり、基本回路セルの実
装率が標準的な給電エリア4に合わせて、エレクトロン
マイグレーション及び電位降下を考慮した配線幅で配置
する。
The branch power supply wiring 5 is connected to each of the power feeding areas 4
The wiring width is for supplying electric power to the device, and is arranged with a wiring width in consideration of electron migration and potential drop in accordance with the power supply area 4 where the mounting rate of the basic circuit cells is standard.

【0063】前記セル間配線(信号配線)は、主に第3
層目の配線層、第4層目の配線層に配置されるが、効率
良く接続するため、前記セル間配線の一部を第5層目の
配線層、第6層目の配線層に配置する。
The inter-cell wiring (signal wiring) is mainly the third wiring.
It is arranged in the wiring layer of the fourth layer, the wiring layer of the fourth layer, but for efficient connection, part of the inter-cell wiring is arranged in the wiring layer of the fifth layer and the wiring layer of the sixth layer. To do.

【0064】次に、配置された基本回路セルの種類及び
数にをもとに、各給電エリア4に必要な電流量及び各給
電エリア4での電位降下を算出する(ステップ64)。
Next, based on the type and number of arranged basic circuit cells, the amount of current required in each power feeding area 4 and the potential drop in each power feeding area 4 are calculated (step 64).

【0065】次に、(ステップ64)の算出結果に基づ
き、枝電源配線5の配線幅を各給電エリア4毎に設定す
る(ステップ65)。つまり、流れる電流量の多い給電
エリア4に接続される枝電源配線5の配線幅を太くし、
エレクトロマイグレーション耐性を向上させ、全ての給
電エリア4での電位降下量を一定にする。
Next, the wiring width of the branch power supply wiring 5 is set for each power feeding area 4 based on the calculation result of (step 64) (step 65). That is, the wiring width of the branch power supply wiring 5 connected to the power feeding area 4 in which a large amount of current flows is increased,
The electromigration resistance is improved and the potential drop amount in all the power supply areas 4 is made constant.

【0066】次に、(ステップ65)で設定した枝電源
配線5を前記2次元平面上に再配置する(ステップ6
6)。このように所定の動作をする半導体集積回路装置
を設計する。
Next, the branch power supply wiring 5 set in (step 65) is rearranged on the two-dimensional plane (step 6).
6). In this way, a semiconductor integrated circuit device that performs a predetermined operation is designed.

【0067】以上説明したように、本発明の半導体集積
回路装置は、前記枝電源配線5の配線幅が、各給電エリ
ア4に配置された基本回路セルの種類及び数によって異
なる。つまり、夫々の給電エリア4に電位降下が同じに
なるように配線幅が設定されているので、各基本回路セ
ルに所定の電位を供給することができ、各基本回路セル
を安定に動作させることができる。
As described above, in the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the wiring width of the branch power supply wiring 5 differs depending on the type and number of basic circuit cells arranged in each power feeding area 4. That is, since the wiring width is set so that the potential drop is the same in each power supply area 4, a predetermined potential can be supplied to each basic circuit cell, and each basic circuit cell can be operated stably. You can

【0068】また、前記枝電源配線5の配線幅は、各給
電エリア4に配置された基本回路セルの種類及び数によ
って異なる。つまり、電流量の少ない給電エリア4の配
線幅が狭くなった分、最大の電流量の流れる給電エリア
4に接続される枝電源配線の配線幅を太くして、余裕を
持たせることができるので、従来、配線幅に余裕の無か
った給電エリア4においても、エレクトロンマイグレー
ション耐性を向上することができる。
The wiring width of the branch power supply wiring 5 differs depending on the type and number of basic circuit cells arranged in each power feeding area 4. That is, since the wiring width of the power feeding area 4 having a small current amount is narrowed, the wiring width of the branch power wiring connected to the power feeding area 4 in which the maximum current amount flows can be thickened to allow a margin. Even in the power supply area 4 where the wiring width is conventionally narrow, the electron migration resistance can be improved.

【0069】また、本発明の半導体集積回路装置は、前
記各給電エリア4に配置された該基本回路セルの種類及
び数をもとに各給電エリア4に流れる電流量を算出し、
該電流量に基づいて前記枝電源配線5の配線幅を決定す
る。つまり、各給電エリア4に、エレクトロンマイグレ
ーション規定を満たす配線幅の枝電源配線5が接続され
るので、流れる電流量の少ない給電エリア4に接続され
る枝電源配線5は、従来より配線幅が狭くなり、配線チ
ャネル領域に空き領域が出来るので、そこに信号配線を
配置することができる。この結果、信号配線の引き回し
を効率良く行うことができる。
Further, the semiconductor integrated circuit device of the present invention calculates the amount of current flowing in each power feeding area 4 based on the type and number of the basic circuit cells arranged in each power feeding area 4,
The wiring width of the branch power supply wiring 5 is determined based on the current amount. That is, since the branch power supply wiring 5 having a wiring width satisfying the electron migration regulation is connected to each power supply area 4, the branch power supply wiring 5 connected to the power supply area 4 in which a small amount of current flows has a narrower wiring width than the conventional one. Since there is a free area in the wiring channel area, the signal wiring can be arranged there. As a result, it is possible to efficiently route the signal wiring.

【0070】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
As described above, the invention made by the present inventor is
Although the present invention has been specifically described based on the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0071】例えば、本発明は、ゲートアレイ方式、ス
タンダードセル方式、カスタム方式、セミカスタム方
式、マスタスライス方式のいずれの方式を採用する半導
体集積回路装置にも適用できる。
For example, the present invention can be applied to a semiconductor integrated circuit device adopting any of the gate array system, standard cell system, custom system, semi-custom system, and master slice system.

【0072】[0072]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0073】1.半導体集積回路装置を正常に動作させ
ることができる。
1. The semiconductor integrated circuit device can be operated normally.

【0074】2.半導体集積回路装置の電源配線のエレ
クトロマイグレーション耐性を向上することができる。
2. The electromigration resistance of the power supply wiring of the semiconductor integrated circuit device can be improved.

【0075】3.半導体集積回路装置の設計において、
効率良く信号配線の引き回しをすることができる。
3. In designing semiconductor integrated circuit devices,
The signal wiring can be efficiently routed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
チップレイアウト図、
FIG. 1 is a chip layout diagram of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention,

【図2】前記半導体集積回路装置の給電エリアの構成を
示す模式図、
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a power supply area of the semiconductor integrated circuit device,

【図3】前記半導体集積回路装置の第5層目の配線層に
配置された枝電源配線のレイアウト図、
FIG. 3 is a layout diagram of branch power supply wirings arranged in a fifth wiring layer of the semiconductor integrated circuit device;

【図4】前記半導体集積回路装置の第6層目の配線層に
配置された幹電源配線のレイアウト図、
FIG. 4 is a layout diagram of a main power supply wiring arranged in a sixth wiring layer of the semiconductor integrated circuit device;

【図5】前記半導体集積回路装置の電源配線の構成を示
す要部レイアウト図、
FIG. 5 is a layout diagram of a main part showing a configuration of power supply wiring of the semiconductor integrated circuit device;

【図6】本発明をスタンダードセル方式に適用した半導
体集積回路装置の設計方法を説明するフローチャート。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a method for designing a semiconductor integrated circuit device to which the present invention is applied in a standard cell system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2a…内部論理回路、2b…入出力回路、2
c…診断回路、2d…電源回路、3a…論理回路セル、
3b…入出力回路セル、3c…診断回路セル、3d…電
源回路セル、4…給電エリア、5e…低電圧枝電源配
線、5t…終端枝電源配線、5c…接地枝電源配線、6
e…低電圧枝電源配線、6t…終端枝電源配線、6c…
接地枝電源配線、7…接続孔。
1 ... Board, 2a ... Internal logic circuit, 2b ... Input / output circuit, 2
c ... Diagnostic circuit, 2d ... Power supply circuit, 3a ... Logic circuit cell,
3b ... I / O circuit cell, 3c ... Diagnostic circuit cell, 3d ... Power supply circuit cell, 4 ... Power supply area, 5e ... Low voltage branch power supply wiring, 5t ... Termination branch power supply wiring, 5c ... Ground branch power supply wiring, 6
e ... Low-voltage branch power supply wiring, 6t ... Termination branch power supply wiring, 6c ...
Ground branch power wiring, 7 ... Connection hole.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 和久 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuhisa Miyamoto 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Device Development Center

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体基板の主面上に半導体素子が設け
られ、その上層に枝電源配線、幹電源配線及び信号配線
等の配線を配置する積層構造の配線層が設けられ、該半
導体素子が前記配線で結線されて所定の機能を有する基
本回路セル群を構成し、該基本回路セル群が複数の給電
エリアに分割され、該給電エリア毎に前記枝電源配線が
接続され、該枝電源配線が前記幹電源配線を通じて外部
電源に接続される半導体集積回路装置であって、前記枝
電源配線の配線幅は、各給電エリアに配置された基本回
路セルの種類及び数によって異なることを特徴とする半
導体集積回路装置。
1. A semiconductor element is provided on a main surface of a semiconductor substrate, and a wiring layer having a laminated structure for arranging wiring such as branch power supply wiring, trunk power supply wiring and signal wiring is provided on the semiconductor element, and the semiconductor element is provided. The basic circuit cell group having a predetermined function is connected by the wiring, the basic circuit cell group is divided into a plurality of power supply areas, and the branch power supply wiring is connected to each of the power supply areas. Is a semiconductor integrated circuit device connected to an external power supply through the trunk power supply wiring, wherein the wiring width of the branch power supply wiring varies depending on the type and number of basic circuit cells arranged in each power feeding area. Semiconductor integrated circuit device.
【請求項2】 行列状に配置された複数の給電エリアに
所定の基本回路セルを配置し、該給電エリアに電流を供
給する枝電源配線を配置する半導体集積回路装置の設計
方法であって、前記各給電エリアに配置された該基本回
路セルの種類及び数をもとに各給電エリアに流れる電流
量及び各給電エリアでの電位降下を算出し、該算出結果
に基づいて前記枝電源配線の配線幅を設定することを特
徴とする半導体集積回路装置の設計方法。
2. A method for designing a semiconductor integrated circuit device, comprising: arranging predetermined basic circuit cells in a plurality of power supply areas arranged in a matrix, and arranging branch power supply wires for supplying a current to the power supply areas, The amount of current flowing in each power feeding area and the potential drop in each power feeding area are calculated based on the type and number of the basic circuit cells arranged in each power feeding area, and the branch power supply wiring is calculated based on the calculation result. A method of designing a semiconductor integrated circuit device, comprising setting a wiring width.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968409A (en) * 1997-07-14 1999-10-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Method for preparing trimer of α-methyl styrene or derivatives thereof
DE10318915A1 (en) * 2003-04-23 2004-11-25 Infineon Technologies Ag Voltage supply track arrangement for use with a number of standard cell series in a semiconductor component, wherein the width of the voltage tracks is matched to the length of the cell series

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