JPH0822929A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
- Publication number
- JPH0822929A JPH0822929A JP15371194A JP15371194A JPH0822929A JP H0822929 A JPH0822929 A JP H0822929A JP 15371194 A JP15371194 A JP 15371194A JP 15371194 A JP15371194 A JP 15371194A JP H0822929 A JPH0822929 A JP H0822929A
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- JP
- Japan
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- phase
- ceramic
- secondary phase
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック電子部品に備えるセラミック素体
の機械的強度を高める。 【構成】 セラミック素体２に、主成分相４以外に２〜
２０μｍの大きさの２次相５を、５〜３０％の断面積上
での含有率で含有させる。
の機械的強度を高める。 【構成】 セラミック素体２に、主成分相４以外に２〜
２０μｍの大きさの２次相５を、５〜３０％の断面積上
での含有率で含有させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック電子部品
に関するもので、特に、セラミック電子部品の機械的強
度を向上させるための改良に関するものである。
に関するもので、特に、セラミック電子部品の機械的強
度を向上させるための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、セラミックコンデンサのよう
なセラミック電子部品において、その機械的強度を支配
するのは、主としてセラミック素体を構成するセラミッ
クのグレイン間の境界相の強度である。
なセラミック電子部品において、その機械的強度を支配
するのは、主としてセラミック素体を構成するセラミッ
クのグレイン間の境界相の強度である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、セラミッ
ク素体が所定以上の衝撃を受けて、グレイン間の境界相
が一部でも破壊されると、この破壊が境界相に沿って直
ちに伝播され、一挙にセラミック素体を破断するような
破壊に至ることがある。
ク素体が所定以上の衝撃を受けて、グレイン間の境界相
が一部でも破壊されると、この破壊が境界相に沿って直
ちに伝播され、一挙にセラミック素体を破断するような
破壊に至ることがある。
【０００４】それゆえに、この発明の目的は、セラミッ
ク電子部品に備えるセラミック素体において生じ得る破
壊をできるだけ小さくしようとすることである。
ク電子部品に備えるセラミック素体において生じ得る破
壊をできるだけ小さくしようとすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係るセラミッ
ク電子部品は、そのセラミック素体に、主成分相以外に
２〜２０μｍの大きさの２次相を含有させ、かつ当該２
次相の断面積上での含有率を５〜３０％としたことを特
徴としている。
ク電子部品は、そのセラミック素体に、主成分相以外に
２〜２０μｍの大きさの２次相を含有させ、かつ当該２
次相の断面積上での含有率を５〜３０％としたことを特
徴としている。
【０００６】
【作用】この発明において、主成分相以外に含有される
２次相は、セラミック素体に及ぼされる機械的衝撃に対
して緩衝作用を働かせる。すなわち、セラミック素体に
機械的衝撃が加わると、グレイン間の境界相（粒界）に
て破壊が進行するが、このようなセラミック素体内に２
次相が存在すると、破壊の進行を抑え、これにより、機
械的強度を向上させる。
２次相は、セラミック素体に及ぼされる機械的衝撃に対
して緩衝作用を働かせる。すなわち、セラミック素体に
機械的衝撃が加わると、グレイン間の境界相（粒界）に
て破壊が進行するが、このようなセラミック素体内に２
次相が存在すると、破壊の進行を抑え、これにより、機
械的強度を向上させる。
【０００７】前述したように、２次相の大きさを２〜２
０μｍ、２次相の含有率を５〜３０％としたのは、次の
理由による。
０μｍ、２次相の含有率を５〜３０％としたのは、次の
理由による。
【０００８】２次相の大きさが２μｍ未満、または含有
率が５％未満のときには、機械的衝撃に対する緩衝作用
の効果が現れない。
率が５％未満のときには、機械的衝撃に対する緩衝作用
の効果が現れない。
【０００９】他方、２次相の大きさが２０μｍを越えた
り、含有率が３０％を越えたりすると、２次相の影響に
より、セラミック電子部品の高温負荷での絶縁抵抗の劣
化の傾向が顕著となる。より具体的には、２次相の大き
さが２０μｍを越える場合、２次相がセラミック電子部
品に含まれる電気的要素を突き抜ける状態となり、高温
負荷時における絶縁抵抗の不良を招きやすくなる。ま
た、２次相の含有率が３０％を越える場合には、セラミ
ック素体の焼結時の酸素欠陥が生じやすく、高温負荷時
の絶縁抵抗が劣化しやすい。
り、含有率が３０％を越えたりすると、２次相の影響に
より、セラミック電子部品の高温負荷での絶縁抵抗の劣
化の傾向が顕著となる。より具体的には、２次相の大き
さが２０μｍを越える場合、２次相がセラミック電子部
品に含まれる電気的要素を突き抜ける状態となり、高温
負荷時における絶縁抵抗の不良を招きやすくなる。ま
た、２次相の含有率が３０％を越える場合には、セラミ
ック素体の焼結時の酸素欠陥が生じやすく、高温負荷時
の絶縁抵抗が劣化しやすい。
【００１０】
【発明の効果】このように、この発明によれば、電気特
性の劣化を招くことなく、２次相の存在により、セラミ
ック電子部品の機械的強度を高めることができる。
性の劣化を招くことなく、２次相の存在により、セラミ
ック電子部品の機械的強度を高めることができる。
【００１１】
【実施例】図１には、この発明の一実施例によるセラミ
ック電子部品１の断面図が示されている。このセラミッ
ク電子部品１は、積層セラミックコンデンサを意図して
いる。セラミック電子部品１は、セラミック素体２を備
え、セラミック素体２内には、複数の内部電極３が配置
されている。セラミック素体２の両端部には、図示しな
いが、外部電極が、内部電極３の特定のものと電気的に
接続されるように形成される。
ック電子部品１の断面図が示されている。このセラミッ
ク電子部品１は、積層セラミックコンデンサを意図して
いる。セラミック電子部品１は、セラミック素体２を備
え、セラミック素体２内には、複数の内部電極３が配置
されている。セラミック素体２の両端部には、図示しな
いが、外部電極が、内部電極３の特定のものと電気的に
接続されるように形成される。
【００１２】セラミック素体２において、主成分相４以
外に２次相５が含有されている。２次相５は、２〜２０
μｍの大きさを有していて、その断面積上での含有率は
５〜３０％とされる。このような２次相５は、針状のも
のが好ましく、セラミック素体２の表面や研磨面を顕微
鏡で観察することにより容易に確認することができる。
外に２次相５が含有されている。２次相５は、２〜２０
μｍの大きさを有していて、その断面積上での含有率は
５〜３０％とされる。このような２次相５は、針状のも
のが好ましく、セラミック素体２の表面や研磨面を顕微
鏡で観察することにより容易に確認することができる。
【００１３】上述したように、セラミック素体２に含有
される２次相は、２〜２０μｍの大きさで５〜３０％の
含有率を有するように制御されなければならない。この
ような制御は、セラミック素体２を得るための原材料の
組成を制御したり、セラミック素体２を得るための焼成
方法（特に、昇温速度）を制御したりすることによって
可能とされる。このことを確認するために行なった実験
例１〜３を以下に記載する。
される２次相は、２〜２０μｍの大きさで５〜３０％の
含有率を有するように制御されなければならない。この
ような制御は、セラミック素体２を得るための原材料の
組成を制御したり、セラミック素体２を得るための焼成
方法（特に、昇温速度）を制御したりすることによって
可能とされる。このことを確認するために行なった実験
例１〜３を以下に記載する。
【００１４】［実験例１］温度補償用コンデンサのため
のセラミック材料として、以下の表１に示す組成のもの
を焼成してセラミック素体を得た。
のセラミック材料として、以下の表１に示す組成のもの
を焼成してセラミック素体を得た。
【００１５】
【表１】
【００１６】［実験例２］高誘電率系コンデンサのため
のセラミック材料として、以下の表２に示す組成（微量
成分を０．５ｗｔ％含む。）のものを焼成してセラミッ
ク素体を得た。
のセラミック材料として、以下の表２に示す組成（微量
成分を０．５ｗｔ％含む。）のものを焼成してセラミッ
ク素体を得た。
【００１７】
【表２】
【００１８】［実験例３］実験例２のＮｏ．１の組成の
ものについて、焼成条件を以下の表３に示すように変更
してセラミック素体を得た。より詳細には、８００℃か
ら１３００℃までの昇温を表３に示すような昇温速度を
もって行ない、各試料とも１３００℃で３時間維持した
後、冷却し、セラミック素体を得た。
ものについて、焼成条件を以下の表３に示すように変更
してセラミック素体を得た。より詳細には、８００℃か
ら１３００℃までの昇温を表３に示すような昇温速度を
もって行ない、各試料とも１３００℃で３時間維持した
後、冷却し、セラミック素体を得た。
【００１９】
【表３】
【００２０】このように、焼成されるべきセラミックの
原材料の組成または焼成条件を制御することにより、２
次相の大きさおよび含有率を制御できることがわかる。
原材料の組成または焼成条件を制御することにより、２
次相の大きさおよび含有率を制御できることがわかる。
【００２１】このような裏付けの下に、２次相の大きさ
および含有率の好ましい範囲を決定すべく、以下のよう
な実験を行なった。
および含有率の好ましい範囲を決定すべく、以下のよう
な実験を行なった。
【００２２】［実験例４］温度補償用コンデンサのため
のセラミック材料を用いて、その組成比を制御すること
により、２次相の大きさおよび含有率を制御しながら、
種々の積層セラミックコンデンサを製造した。これら積
層セラミックコンデンサに備えるセラミック素体は、以
下の表４に示すような２次相の大きさおよび含有率を有
していた。
のセラミック材料を用いて、その組成比を制御すること
により、２次相の大きさおよび含有率を制御しながら、
種々の積層セラミックコンデンサを製造した。これら積
層セラミックコンデンサに備えるセラミック素体は、以
下の表４に示すような２次相の大きさおよび含有率を有
していた。
【００２３】
【表４】
【００２４】前記表４において、「耐基板曲げ性」は、
耐基板曲げ性試験における破壊値（ｍｍ）の（平均値）
／（最小値）を示している。「高温負荷寿命」は、３０
００時間の高温負荷寿命試験を２００個の試料について
実施した後、絶縁抵抗の不良がもたらされた試料の個数
を示している。
耐基板曲げ性試験における破壊値（ｍｍ）の（平均値）
／（最小値）を示している。「高温負荷寿命」は、３０
００時間の高温負荷寿命試験を２００個の試料について
実施した後、絶縁抵抗の不良がもたらされた試料の個数
を示している。
【００２５】上記表４において、２次相の大きさが２〜
２０μｍおよび含有率が５〜３０％の範囲にある試料Ｎ
ｏ．４，５，９は、耐基板曲げ性試験において高い機械
的強度を示し、かつ高温負荷寿命試験においても絶縁抵
抗の劣化をほとんど示していない。これに対して、２次
相の大きさが２μｍ未満または含有率が５％未満の試料
Ｎｏ．２，３，７では、耐基板曲げ性試験において機械
的強度の向上がほとんど見られず、２次相による機械的
衝撃の緩衝作用が働いていないことがわかる。また、２
次相の大きさが２０μｍを越えたり、含有率が３０％を
越えたりしている試料Ｎｏ．６，８では、２次相の影響
により、高温負荷での絶縁抵抗の劣化が顕著である。
２０μｍおよび含有率が５〜３０％の範囲にある試料Ｎ
ｏ．４，５，９は、耐基板曲げ性試験において高い機械
的強度を示し、かつ高温負荷寿命試験においても絶縁抵
抗の劣化をほとんど示していない。これに対して、２次
相の大きさが２μｍ未満または含有率が５％未満の試料
Ｎｏ．２，３，７では、耐基板曲げ性試験において機械
的強度の向上がほとんど見られず、２次相による機械的
衝撃の緩衝作用が働いていないことがわかる。また、２
次相の大きさが２０μｍを越えたり、含有率が３０％を
越えたりしている試料Ｎｏ．６，８では、２次相の影響
により、高温負荷での絶縁抵抗の劣化が顕著である。
【図１】この発明の一実施例によるセラミック電子部品
１の断面図である。
１の断面図である。
１ セラミック電子部品 ２ セラミック素体 ４ 主成分相 ５ ２次相
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック素体に、主成分相以外に２〜
２０μｍの大きさの２次相を含有させ、かつ当該２次相
の断面積上での含有率を５〜３０％とした、セラミック
電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15371194A JPH0822929A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15371194A JPH0822929A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822929A true JPH0822929A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15568431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15371194A Pending JPH0822929A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822929A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374470B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2003-03-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR100588282B1 (ko) * | 1997-12-18 | 2006-09-22 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 불소-함유중합체조성물 |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP15371194A patent/JPH0822929A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100588282B1 (ko) * | 1997-12-18 | 2006-09-22 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 불소-함유중합체조성물 |
| KR100374470B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2003-03-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010904 |