JPH08227966A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH08227966A JPH08227966A JP7342372A JP34237295A JPH08227966A JP H08227966 A JPH08227966 A JP H08227966A JP 7342372 A JP7342372 A JP 7342372A JP 34237295 A JP34237295 A JP 34237295A JP H08227966 A JPH08227966 A JP H08227966A
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止型半導体装置、特に大型ペレットを
搭載する半導体装置であっても、そのパッケージの樹脂
とリードとの接着強度を大幅に増大することができる技
術を提供する。 【解決手段】 半導体集積回路が形成された回路形成面
およびこれに対して反対側の非回路形成面を有する四角
形の半導体ペレット１と、半導体ペレット１の一側辺に
沿って回路形成面に配置された複数のボンディングパッ
ド７と、前記一側辺とこれに対向する他の側辺との間に
おける回路形成面に接着される複数のリード２ａと、複
数のリード２ａのそれぞれの内部リード部と複数のボン
ディングパッド７とを接続する複数のワイヤ８と、半導
体ペレット１、複数のリード２ａそれぞれの内部リード
部を封止するパッケージ３とを有する。
搭載する半導体装置であっても、そのパッケージの樹脂
とリードとの接着強度を大幅に増大することができる技
術を提供する。 【解決手段】 半導体集積回路が形成された回路形成面
およびこれに対して反対側の非回路形成面を有する四角
形の半導体ペレット１と、半導体ペレット１の一側辺に
沿って回路形成面に配置された複数のボンディングパッ
ド７と、前記一側辺とこれに対向する他の側辺との間に
おける回路形成面に接着される複数のリード２ａと、複
数のリード２ａのそれぞれの内部リード部と複数のボン
ディングパッド７とを接続する複数のワイヤ８と、半導
体ペレット１、複数のリード２ａそれぞれの内部リード
部を封止するパッケージ３とを有する。
Description
【０００１】〔技術分野〕本発明は、樹脂封止型半導体
装置におけるペレットの電気的接続に適用して有効な技
術に関する。
装置におけるペレットの電気的接続に適用して有効な技
術に関する。
【０００２】〔背景技術〕いわゆる樹脂封止型半導体装
置においては、ペレットの大型化に伴い、パッケージ側
端とペレット取付部であるタブとの間の寸法が一段と狭
くなる傾向にある。これは、ペレットが大きくなってい
るのに、これを収容するパッケージのサイズが規格化さ
れているためパッケージを大きくすることができないこ
とに起因する。
置においては、ペレットの大型化に伴い、パッケージ側
端とペレット取付部であるタブとの間の寸法が一段と狭
くなる傾向にある。これは、ペレットが大きくなってい
るのに、これを収容するパッケージのサイズが規格化さ
れているためパッケージを大きくすることができないこ
とに起因する。
【０００３】その結果、外部端子であるリードのうち、
パッケージを形成する樹脂に埋設される長さがその構造
上短い、いわゆる短リードにおいてはその接着強度が一
段と小さくなるため、パッケージから抜け易く、またリ
ード折曲成形時にリードと樹脂との間の剥がれが生じ易
くなると考えられる。
パッケージを形成する樹脂に埋設される長さがその構造
上短い、いわゆる短リードにおいてはその接着強度が一
段と小さくなるため、パッケージから抜け易く、またリ
ード折曲成形時にリードと樹脂との間の剥がれが生じ易
くなると考えられる。
【０００４】そのため、電気的導通不良または耐湿性低
下等の半導体装置の信頼性低下を来し易くなることが本
発明者により見い出された。
下等の半導体装置の信頼性低下を来し易くなることが本
発明者により見い出された。
【０００５】なお、樹脂封止型半導体装置については、
１９８０年１月１５日、株式会社工業調査会発行、日本
マイクロエレクトロニクス協会編「ＩＣ化実装技術」Ｐ
１４９〜Ｐ１５０に説明されている。
１９８０年１月１５日、株式会社工業調査会発行、日本
マイクロエレクトロニクス協会編「ＩＣ化実装技術」Ｐ
１４９〜Ｐ１５０に説明されている。
【０００６】〔発明の目的〕本発明の目的は、樹脂封止
型半導体装置、特に大型ペレットを搭載する半導体装置
であっても、そのパッケージの樹脂とリードとの接着強
度を大幅に増大することができる技術を提供することに
ある。
型半導体装置、特に大型ペレットを搭載する半導体装置
であっても、そのパッケージの樹脂とリードとの接着強
度を大幅に増大することができる技術を提供することに
ある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】〔発明の概要〕本願において開示される発
明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。
明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【０００９】すなわち、本発明の半導体装置は、半導体
集積回路が形成された回路形成面およびこれに対して反
対側の非回路形成面を有する四角形の半導体ペレット
と、前記半導体ペレットの一側辺に沿って前記回路形成
面に配置された複数のボンディングパッドと、前記一側
辺とこれに対向する他の側辺との間における前記回路形
成面に接着される複数のリードと、前記複数のリードの
それぞれの内部リード部と前記複数のボンディングパッ
ドとを接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導
体ペレット、前記複数のリードそれぞれの内部リード部
を封止するパッケージ樹脂部とを有することを特徴とす
るものである。
集積回路が形成された回路形成面およびこれに対して反
対側の非回路形成面を有する四角形の半導体ペレット
と、前記半導体ペレットの一側辺に沿って前記回路形成
面に配置された複数のボンディングパッドと、前記一側
辺とこれに対向する他の側辺との間における前記回路形
成面に接着される複数のリードと、前記複数のリードの
それぞれの内部リード部と前記複数のボンディングパッ
ドとを接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導
体ペレット、前記複数のリードそれぞれの内部リード部
を封止するパッケージ樹脂部とを有することを特徴とす
るものである。
【００１０】このように、搭載されるペレットの回路形
成面に内部リードを接着することにより、該内部リード
とパッケージ形成樹脂との接着力を大幅に向上させるこ
とができる。
成面に内部リードを接着することにより、該内部リード
とパッケージ形成樹脂との接着力を大幅に向上させるこ
とができる。
【００１１】〔参考例１〕図１は本発明の参考例１であ
る半導体装置を示す、図２におけるＩ−Ｉ断面図であ
り、図２は参考例１の半導体装置におけるペレットとリ
ードとの関係を示す平面図である。
る半導体装置を示す、図２におけるＩ−Ｉ断面図であ
り、図２は参考例１の半導体装置におけるペレットとリ
ードとの関係を示す平面図である。
【００１２】参考例１の半導体装置は、いわゆる樹脂封
止型半導体装置である。すなわち、搭載される半導体ペ
レット（以下、ペレットと言う。）１が、外部端子であ
るリード２の一部である内部リードとともにエポキシ樹
脂等のパッケージ３を形成する樹脂（以下、パッケージ
樹脂とも言う。）４内に埋設され、該リード２のパッケ
ージ外の外部リードはパッケージ３の側端近傍において
下方に折り曲げられてなるものである。
止型半導体装置である。すなわち、搭載される半導体ペ
レット（以下、ペレットと言う。）１が、外部端子であ
るリード２の一部である内部リードとともにエポキシ樹
脂等のパッケージ３を形成する樹脂（以下、パッケージ
樹脂とも言う。）４内に埋設され、該リード２のパッケ
ージ外の外部リードはパッケージ３の側端近傍において
下方に折り曲げられてなるものである。
【００１３】ところで、通常樹脂封止型半導体装置にお
いては、ペレットは該ペレットと同程度の大きさの取付
基板であるタブに取り付けられ、そのペレットの電極で
あるボンディングパッドは、該タブの周囲に配列されて
いるリード内端部とワイヤを介して電気的に接続されて
いる。
いては、ペレットは該ペレットと同程度の大きさの取付
基板であるタブに取り付けられ、そのペレットの電極で
あるボンディングパッドは、該タブの周囲に配列されて
いるリード内端部とワイヤを介して電気的に接続されて
いる。
【００１４】ところが、参考例１の半導体装置では、ペ
レット１が該ペレット１の裏面すなわち半導体集積回路
を形成していない面である非回路形成主面に沿って延在
されたリードに接続されているポリイミド樹脂からなる
絶縁シート５に、接着剤６を介して取り付けられてお
り、ペレット取付部としてのタブは存在しない。
レット１が該ペレット１の裏面すなわち半導体集積回路
を形成していない面である非回路形成主面に沿って延在
されたリードに接続されているポリイミド樹脂からなる
絶縁シート５に、接着剤６を介して取り付けられてお
り、ペレット取付部としてのタブは存在しない。
【００１５】そして、前記ペレット１とリード２との位
置関係は、図２に示すように、ボンディングパッドが配
列形成されていないペレット辺（以下、ボンディングパ
ッド非形成辺ともいう。）の側方に外部リードが配列さ
れているリード２ａの内部リードが、ペレット１の非回
路形成主面に沿って延在され、その先端部２ｂがボンデ
ィングパッド７の配列形成されているペレット辺を越え
た位置まで延長されている。これらのリード２ａの上に
は、絶縁シート５が接着され、該絶縁シート５の上面に
ペレット１がその非回路形成主面を下にして取り付けら
れている。
置関係は、図２に示すように、ボンディングパッドが配
列形成されていないペレット辺（以下、ボンディングパ
ッド非形成辺ともいう。）の側方に外部リードが配列さ
れているリード２ａの内部リードが、ペレット１の非回
路形成主面に沿って延在され、その先端部２ｂがボンデ
ィングパッド７の配列形成されているペレット辺を越え
た位置まで延長されている。これらのリード２ａの上に
は、絶縁シート５が接着され、該絶縁シート５の上面に
ペレット１がその非回路形成主面を下にして取り付けら
れている。
【００１６】ところで、前記リード２ａが埋設されてい
る場所は、通常の樹脂封止型半導体装置にあっては、パ
ッケージ樹脂に埋設されているリード、すなわち内部リ
ードがパッケージ側端からタブ近傍までの極めて限られ
た長さしか確保できない、いわゆる短リードが設けられ
ている場所である。
る場所は、通常の樹脂封止型半導体装置にあっては、パ
ッケージ樹脂に埋設されているリード、すなわち内部リ
ードがパッケージ側端からタブ近傍までの極めて限られ
た長さしか確保できない、いわゆる短リードが設けられ
ている場所である。
【００１７】通常短リードは、そのパッケージ樹脂との
接着面積が小さいためその引張強度が弱く、パッケージ
から抜け易いという問題がある。これは、昨今のペレッ
トの大型化に伴い事態は深刻である。
接着面積が小さいためその引張強度が弱く、パッケージ
から抜け易いという問題がある。これは、昨今のペレッ
トの大型化に伴い事態は深刻である。
【００１８】ところが、参考例１の半導体装置では、前
記短リードに相当する場所に設けられているリード２ａ
の内部リードは極めて長い形状であるため、パッケージ
樹脂４との接着強度は大幅に向上できるものである。そ
のため、大型ペレットを搭載している場合であっても、
外部リードの折曲成形時等に発生するリード界面におけ
る剥がれを有効に防止でき、半導体装置の耐湿性を向上
することができる。その上、前記リード２ａには絶縁シ
ート５が強固に接着されているため、該リード２ａは極
めて大きな引張強度を有している。
記短リードに相当する場所に設けられているリード２ａ
の内部リードは極めて長い形状であるため、パッケージ
樹脂４との接着強度は大幅に向上できるものである。そ
のため、大型ペレットを搭載している場合であっても、
外部リードの折曲成形時等に発生するリード界面におけ
る剥がれを有効に防止でき、半導体装置の耐湿性を向上
することができる。その上、前記リード２ａには絶縁シ
ート５が強固に接着されているため、該リード２ａは極
めて大きな引張強度を有している。
【００１９】また、リード２ａが絶縁シート５を介して
はいるが、ペレット１の非回路形成主面に取り付けられ
ているので、動作時にペレットに生じた熱を該リードを
通して直接パッケージ外へ放散させることが可能であ
る。
はいるが、ペレット１の非回路形成主面に取り付けられ
ているので、動作時にペレットに生じた熱を該リードを
通して直接パッケージ外へ放散させることが可能であ
る。
【００２０】さらに、ペレット１とリード２ａとの電気
的接続は、ボンディングパッド７ａとこれに近いペレッ
ト辺近傍に延在されている先端部２ｂとをワイヤボンデ
ィングすることにより達成されるため、ワイヤ８を短く
することができる。それ故、ワイヤショートの発生を防
止でき、またワイヤ８の使用量を削減できるのでコスト
低減をも達成できる。
的接続は、ボンディングパッド７ａとこれに近いペレッ
ト辺近傍に延在されている先端部２ｂとをワイヤボンデ
ィングすることにより達成されるため、ワイヤ８を短く
することができる。それ故、ワイヤショートの発生を防
止でき、またワイヤ８の使用量を削減できるのでコスト
低減をも達成できる。
【００２１】なお、参考例１の半導体装置は、所定のリ
ード形状のリードフレームを形成し、その内部リードの
所定部に絶縁シート５を接着し、該絶縁シート５にペレ
ット１を接着剤６を介して取り付け、次いで該ペレット
１のボンディングパッド７とリードのボンディング部と
のワイヤボンディングを行い、その後通常の樹脂封止型
半導体装置と同様の製造工程を経て容易に完成される。
なお、この場合、絶縁シート５はリードフレームを補強
する役割も果たしている。
ード形状のリードフレームを形成し、その内部リードの
所定部に絶縁シート５を接着し、該絶縁シート５にペレ
ット１を接着剤６を介して取り付け、次いで該ペレット
１のボンディングパッド７とリードのボンディング部と
のワイヤボンディングを行い、その後通常の樹脂封止型
半導体装置と同様の製造工程を経て容易に完成される。
なお、この場合、絶縁シート５はリードフレームを補強
する役割も果たしている。
【００２２】ところで、前記リードのボンディング部
は、リードの一部に、たとえば金を部分めっき法で被着
することによって形成することができる。
は、リードの一部に、たとえば金を部分めっき法で被着
することによって形成することができる。
【００２３】図３には絶縁シート５が接着されたリード
フレームを、そのタイバー９の付近から内側における部
分平面図で示してある。参考例１の半導体装置の場合に
は、絶縁シート５自体がマスクとして機能するため、図
３において二点鎖線で示す開口部を有するマスクを用い
るだけで、リード２の先端部２ｂのみに選択的に部分め
っきを行うことができるため、ボンディング部を容易に
形成することができる。
フレームを、そのタイバー９の付近から内側における部
分平面図で示してある。参考例１の半導体装置の場合に
は、絶縁シート５自体がマスクとして機能するため、図
３において二点鎖線で示す開口部を有するマスクを用い
るだけで、リード２の先端部２ｂのみに選択的に部分め
っきを行うことができるため、ボンディング部を容易に
形成することができる。
【００２４】なお、図３においては、長さ方向にのみ隙
間ができるマスクを示してあるが、タイバー９の方向に
も隙間が生じる開口部のマスクを使用すれば、絶縁シー
ト５の四周囲のリードに容易に部分めっきをすることが
できる。このようにすると、ボンディングパッドがその
四周囲に形成されているペレットを搭載する半導体装置
をも容易に製造できる。
間ができるマスクを示してあるが、タイバー９の方向に
も隙間が生じる開口部のマスクを使用すれば、絶縁シー
ト５の四周囲のリードに容易に部分めっきをすることが
できる。このようにすると、ボンディングパッドがその
四周囲に形成されているペレットを搭載する半導体装置
をも容易に製造できる。
【００２５】〔参考例２〕図４は本発明の参考例２であ
る半導体装置におけるペレットとリードとの関係を示す
平面図である。
る半導体装置におけるペレットとリードとの関係を示す
平面図である。
【００２６】参考例２の半導体装置は、前記参考例１の
半導体装置とほぼ同一のものである。しかし、絶縁シー
ト５が用いられていないこと、およびペレット１より小
さいタブ１０が存在することが異なっている。
半導体装置とほぼ同一のものである。しかし、絶縁シー
ト５が用いられていないこと、およびペレット１より小
さいタブ１０が存在することが異なっている。
【００２７】すなわち、参考例２の半導体装置は、ペレ
ットのボンディングパッド非形成辺の側方に外部リード
が配列されているリード２ａの内部リードおよびタブ
に、ペレット１が接着剤を介して取り付けられているも
のである。
ットのボンディングパッド非形成辺の側方に外部リード
が配列されているリード２ａの内部リードおよびタブ
に、ペレット１が接着剤を介して取り付けられているも
のである。
【００２８】参考例２の場合は、絶縁シート５を間に介
在させていないため、ペレット１からの放熱が直接的で
あり、参考例１に比べて熱抵抗が一段と低く、それだけ
信頼性が高いものである。また、タブ１０が設けてある
ため、ペレット取付強度も確保されている。なお、図５
に図４のＶ−Ｖ切断面におけるペレット１とリード２の
先端部との電気的接続の状態を示す部分断面図を示す
が、リード２ａの先端部２ｂには凹部２ｃが形成されて
いる。
在させていないため、ペレット１からの放熱が直接的で
あり、参考例１に比べて熱抵抗が一段と低く、それだけ
信頼性が高いものである。また、タブ１０が設けてある
ため、ペレット取付強度も確保されている。なお、図５
に図４のＶ−Ｖ切断面におけるペレット１とリード２の
先端部との電気的接続の状態を示す部分断面図を示す
が、リード２ａの先端部２ｂには凹部２ｃが形成されて
いる。
【００２９】すなわち、ペレット１を接着剤１１で取り
付ける際、該接着剤１１が流出してボンディング部１２
の表面を汚すために、ペレット１のボンディングパッド
７と該ボンディング部１２とをワイヤ８でボンディング
できなくなることがある。前記凹部２ｃは、このような
事態が発生することを未然に防止するため、流出する接
着剤１１のダムとして設けたものである。
付ける際、該接着剤１１が流出してボンディング部１２
の表面を汚すために、ペレット１のボンディングパッド
７と該ボンディング部１２とをワイヤ８でボンディング
できなくなることがある。前記凹部２ｃは、このような
事態が発生することを未然に防止するため、流出する接
着剤１１のダムとして設けたものである。
【００３０】〔実施例〕図６は本発明による実施例であ
る半導体装置を示す断面図であり、図７はその半導体装
置におけるペレットとリードとの関係を示す平面図であ
る。
る半導体装置を示す断面図であり、図７はその半導体装
置におけるペレットとリードとの関係を示す平面図であ
る。
【００３１】本実施例の半導体装置は、前記参考例１ま
たは２と異なり、内部リードがペレットの回路形成面に
沿って延在されているものである。
たは２と異なり、内部リードがペレットの回路形成面に
沿って延在されているものである。
【００３２】すなわち、図６に示すように、内部リード
の裏面に接着されたポリイミド樹脂からなる絶縁シート
５に、ペレット１をその回路形成面において接着剤６を
介して取り付けたものである。
の裏面に接着されたポリイミド樹脂からなる絶縁シート
５に、ペレット１をその回路形成面において接着剤６を
介して取り付けたものである。
【００３３】図７に示すように、ペレット１の回路形成
面に、ボンディングパッドに被らない大きさの絶縁シー
ト５が接着され、該絶縁シート５の上面にはペレットの
ボンディングパッド非形成辺の側方に外部リードを有す
るリード２ａの内部リードが延在されている。それぞれ
のリード２ａの内部リードは、その先端部をボンディン
グパッドの手前に位置させて、前記絶縁シート５ａに接
着されている。すなわち、図７に示すように、ペレット
１の一側辺１ａに沿って回路形成面に配置された複数の
ボンディングパッドと、前記１側辺１ａに対向する他の
側辺１ｂとの間における回路形成面にリード２ａの内部
リードが延在されている。
面に、ボンディングパッドに被らない大きさの絶縁シー
ト５が接着され、該絶縁シート５の上面にはペレットの
ボンディングパッド非形成辺の側方に外部リードを有す
るリード２ａの内部リードが延在されている。それぞれ
のリード２ａの内部リードは、その先端部をボンディン
グパッドの手前に位置させて、前記絶縁シート５ａに接
着されている。すなわち、図７に示すように、ペレット
１の一側辺１ａに沿って回路形成面に配置された複数の
ボンディングパッドと、前記１側辺１ａに対向する他の
側辺１ｂとの間における回路形成面にリード２ａの内部
リードが延在されている。
【００３４】本実施例の半導体装置では、内部リードが
ペレット１の回路形成面側に接着されているため、参考
例１の場合に比べより放熱性に優れている。
ペレット１の回路形成面側に接着されているため、参考
例１の場合に比べより放熱性に優れている。
【００３５】また、絶縁シート５が耐α線性能に優れた
ポリイミド樹脂であり、それが回路形成面を覆っている
ため、α線に対する信頼性向上も達成されている。
ポリイミド樹脂であり、それが回路形成面を覆っている
ため、α線に対する信頼性向上も達成されている。
【００３６】なお、本実施例の場合はリード２ａの先端
部がボンディングパッド７の内側に配置されているた
め、前記参考例１の場合とその位置関係が反対であり、
ボンディング方向も逆になっている。しかし、ボンディ
ング距離はほぼ同一である。
部がボンディングパッド７の内側に配置されているた
め、前記参考例１の場合とその位置関係が反対であり、
ボンディング方向も逆になっている。しかし、ボンディ
ング距離はほぼ同一である。
【００３７】〔効果〕本願において開示される発明のう
ち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明す
れば、以下の通りである。
ち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明す
れば、以下の通りである。
【００３８】(1).樹脂封止型半導体装置において、搭載
されるペレットの回路形成面に内部リードを接着するこ
とにより、該内部リードとパッケージ形成樹脂との接着
力を大幅に向上させることができるので、大型ペレット
を搭載する場合であっても、パッケージ形成樹脂からの
リードの抜けを防止できる。
されるペレットの回路形成面に内部リードを接着するこ
とにより、該内部リードとパッケージ形成樹脂との接着
力を大幅に向上させることができるので、大型ペレット
を搭載する場合であっても、パッケージ形成樹脂からの
リードの抜けを防止できる。
【００３９】(2).前記(1) と同様の理由により、外部リ
ードの折曲成形時に、該リードとパッケージ形成樹脂と
の接着面に剥がれが発生することを防止できる。
ードの折曲成形時に、該リードとパッケージ形成樹脂と
の接着面に剥がれが発生することを防止できる。
【００４０】(3).前記(1) および(2) により、小型パッ
ケージに大型ペレットを搭載してなる半導体装置であっ
ても耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供でき
る。
ケージに大型ペレットを搭載してなる半導体装置であっ
ても耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供でき
る。
【００４１】(4).内部リードをペレットの回路形成面に
取り付けることにより、動作時に回路に発生した熱をリ
ードを通して、より直接的かつ効率的に外部に放散させ
ることができる。
取り付けることにより、動作時に回路に発生した熱をリ
ードを通して、より直接的かつ効率的に外部に放散させ
ることができる。
【００４２】〔利用分野〕以上、本発明者によってなさ
れた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明
は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
れた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明
は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【００４３】たとえば、実施例では全てペレットの第１
の主面に絶縁シートを用いて内部リードを取り付けたも
のを示したが、これに限るものではなく、全部または一
部の内部リードを回路形成面の近傍に延在させるもので
あってもよい。
の主面に絶縁シートを用いて内部リードを取り付けたも
のを示したが、これに限るものではなく、全部または一
部の内部リードを回路形成面の近傍に延在させるもので
あってもよい。
【００４４】それに、実施例ではいわゆる短リードの位
置に相当するペレット側方のリードのみを延在させたも
のを示したが、これに限らず通常の半導体装置において
内部リードが長いリードについても延在させたものであ
ってもよい。また、絶縁シートはポリイミドに限るもの
でなく、シリコーンゴムであってもよく、放熱性を高め
るため接着剤または絶縁シートにシリコンカーバイド
（ＳｉＣ）粉末等の熱伝導性フィラーを含有させること
も当然にできる。
置に相当するペレット側方のリードのみを延在させたも
のを示したが、これに限らず通常の半導体装置において
内部リードが長いリードについても延在させたものであ
ってもよい。また、絶縁シートはポリイミドに限るもの
でなく、シリコーンゴムであってもよく、放熱性を高め
るため接着剤または絶縁シートにシリコンカーバイド
（ＳｉＣ）粉末等の熱伝導性フィラーを含有させること
も当然にできる。
【００４５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である、いわ
ゆるＤＩＰ型半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、パッ
ケージが樹脂封止して形成されるものであれば、フラッ
トパッケージ等種々の形式のパッケージ構造の半導体装
置に適用して有効な技術である。
なされた発明をその背景となった利用分野である、いわ
ゆるＤＩＰ型半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、パッ
ケージが樹脂封止して形成されるものであれば、フラッ
トパッケージ等種々の形式のパッケージ構造の半導体装
置に適用して有効な技術である。
【図１】本発明の参考例１である半導体装置を示し、図
２におけるＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
２におけるＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図２】参考例１の半導体装置のペレットとリードとの
関係を示す平面図である。
関係を示す平面図である。
【図３】参考例１の半導体装置に適用されるリードフレ
ームをめっき工程における状態で示す部分平面図であ
る。
ームをめっき工程における状態で示す部分平面図であ
る。
【図４】本発明の参考例２である半導体装置におけるペ
レットとリードとの関係を示す平面図である。
レットとリードとの関係を示す平面図である。
【図５】参考例２の半導体装置の内部構造を示し、図４
におけるＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
におけるＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】本発明による実施例である半導体装置を示し、
図７におけるVI−VI線に沿う断面図である。
図７におけるVI−VI線に沿う断面図である。
【図７】本実施例の半導体装置のペレットとリードとの
関係を示す平面図である。
関係を示す平面図である。
１ 半導体ペレット ２，２ａ リード ２ｂ 先端部 ２ｃ 凹部 ３ パッケージ ４ 樹脂 ５ 絶縁シート ６ 接着剤 ７，７ａ ボンディングパッド ８ ワイヤ ９ タイバー １０ タブ １１ 接着剤 １２ ボンディング部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 舘 宏 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 尾崎 弘 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 大塚 寛治 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 古川 道明 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 山崎 康行 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所デバイス開発センタ内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路が形成された回路形成面
およびこれに対して反対側の非回路形成面を有する四角
形の半導体ペレットと、 前記半導体ペレットの一側辺に沿って前記回路形成面に
配置された複数のボンディングパッドと、 前記一側辺とこれに対向する他の側辺との間における前
記回路形成面に接着される複数のリードと、 前記複数のリードのそれぞれの内部リード部と前記複数
のボンディングパッドとを接続する複数のボンディング
ワイヤと、 前記半導体ペレット、前記複数のリードそれぞれの内部
リード部を封止するパッケージ樹脂部とを有することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342372A JP2577879B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342372A JP2577879B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5840785A Division JPH06105721B2 (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227966A true JPH08227966A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2577879B2 JP2577879B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=18353225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7342372A Expired - Lifetime JP2577879B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577879B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009283663A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Powertech Technology Inc | 半導体パッケージ及びリードフレーム |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7342372A patent/JP2577879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009283663A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Powertech Technology Inc | 半導体パッケージ及びリードフレーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2577879B2 (ja) | 1997-02-05 |
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