JPH08223023A - 温度検知回路 - Google Patents

温度検知回路

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Publication number
JPH08223023A
JPH08223023A JP2816595A JP2816595A JPH08223023A JP H08223023 A JPH08223023 A JP H08223023A JP 2816595 A JP2816595 A JP 2816595A JP 2816595 A JP2816595 A JP 2816595A JP H08223023 A JPH08223023 A JP H08223023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
transistor
diode
circuit
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP2816595A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiyuki Komatsu
明幸 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 トランジスタ回路において、温度上昇を検知
して動作を停止させる温度検知回路に関し、ダイオード
を用いてより安価にする。 【構成】 ダイオードの逆電流は、ある温度に達すると
急激に増加する。ベース電圧を分圧する抵抗3,4の分
圧点において、その接地側の抵抗3に並列に、かつ逆方
向にショットキーバリアダイオード10を接続する。ト
ランジスタ回路の動作時に、温度が上昇し、ショットキ
ーバリアダイオードに大きな電流が流れると、トランジ
スタ1のベースに印加されるバイアス電圧は低下し、ト
ランジスタ1はオフする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタ回路にお
いて、温度上昇を検知して動作を停止させる温度検知回
路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、トランジスタ回路において、温度
変化により回路をオンオフさせるためには、一般的には
ポジスタやサーミスタを用いている。
【0003】以下、トランジスタ回路に使用した従来の
温度検知回路について図面を参照して説明する。図3に
おいて、1はトランジスタ、2,3,4は抵抗、5はサ
ーミスタ、6は信号入力端子、7は定電圧印加端子、8
は信号出力端子、9はGND端子である。
【0004】上記のトランジスタ回路において、定電圧
印加端子7に電圧を印加し、抵抗3、抵抗4及びサーミ
スタ5に分圧されているトランジスタ1のベース電圧が
バイアス電圧にまでなると、トランジスタ1がオンす
る。
【0005】このトランジスタ回路の出力側の回路に、
過負荷のものが接続されて、大きな電流が流れる等し
て、温度が上昇した場合、サーミスタ5の抵抗は小さく
なり、トランジスタ1のバイアス電圧は減少する。トラ
ンジスタ1のバイアス電圧が所定の電圧より小さくなる
と、トランジスタ1はオフするので、このトランジスタ
回路や、これに接続された他の回路の過熱が防止され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成においては、トランジスタをオン、オフさせるサ
ーミスタやポジスタには、ばらつきが小さくかつ精度の
高い、高価なものが要求されるため、コストにおいて難
点があった。そこで本発明では、より安価に温度検知回
路を構成することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の温度検知回路は、トランジスタのベース電圧
を分圧する抵抗のうち、ベース・エミッタ間に配置され
た抵抗と並列に、ダイオードを逆方向に接続したことを
特徴とするものである。
【0008】
【作用】ダイオードは、周囲の温度変化に対する逆電流
の変化が非直線的であり、ある温度になると急激に逆電
流が増加する性質を持っている。この性質を利用して、
ベース電圧の分圧点の接地側に、ダイオードを逆方向に
接続すれば、ある温度以上になって大きな逆電流が流れ
たときには、ベースのバイアス電圧が小さくなるので、
トランジスタの動作を停止させることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の温度検知回路について、その
実施例を図面を参照しながら説明する。図1において、
図3の従来のトランジスタ回路の構成と異なる点は、サ
ーミスタの代わりに、ショットキーバリアダイオード1
0で構成している点である。このショットキーバリアダ
イオード10は、ベース電圧を分圧する抵抗3,4の分
圧点において、その接地側の抵抗3に並列に、かつ逆方
向に接続している。
【0010】図2はショットキーバリアダイオードの特
性を示している。図2(a)は、逆電流と温度との関係
を示したものであり、温度の変化にともなって、その逆
電流は非直線的に増加し、ある温度に達すると、急激に
増加することを示している。また図2(b)は、特定の
温度における逆電流と逆電圧の関係を示したものであ
り、逆電圧が1ボルト程度まででは、温度が高い程、逆
電流が大きいことを示している。
【0011】トランジスタ回路の動作時に、例えば過負
荷のものが接続されたりして、回路の周囲の温度が上昇
し、逆電流が急峻に増加する温度にまで達したとする。
するとショットキーバリアダイオードに大きな電流が流
れるため、トランジスタ1のベースに印加されるバイア
ス電圧は低下し、トランジスタ1はオフする。
【0012】そこでショットキーバリアダイオード10
について、その電流が急峻に立ち上がる温度を、危険温
度に近いところに設定しておけば、危険温度に達する前
にトランジスタ回路の動作は停止し、火災などを未然に
防止することができる。
【0013】そして周囲の温度が低下し、ショットキー
バリアダイオード10の抵抗値が大きくなれば、ベース
電圧が上昇するので、トランジスタ1はオンし、回路は
再び動作する。
【0014】なお上記実施例においては、ショットキー
ダイオードについて説明したが、その他のダイオードで
も、適当な特性のものを選択すれば使用することができ
る。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明は、トランジスタ回
路の過熱を防止するために、周囲の温度を検知して回路
の動作を停止させる温度検知回路を、ダイオードで構成
したものであり、ダイオードの新規な利用例を提案する
ものである。
【0016】ベース・エミッタ間の電圧をオン・オフさ
せるような、小さな電流を扱うダイオードは、上述のサ
ーミスタやポジスタに比べ、コストも安いので安価に回
路を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の温度検知回路の一実施例を示す回路図
【図2】同検知回路に使用するショットキーバリアダイ
オードの特性図
【図3】従来の温度検知回路を示す回路図
【符号の説明】
1 トランジスタ 2,3,4 抵抗 5 サーミスタ 6 信号入力端子 7 定電圧入力源 8 信号出力端子 9 GND端子 10 ショットキーバリアダイオード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】トランジスタのベース電圧を分圧する抵抗
    のうち、ベース・エミッタ間に配置された抵抗と並列
    に、ダイオードを逆方向に接続したことを特徴とする温
    度検知回路。
JP2816595A 1995-02-16 1995-02-16 温度検知回路 Pending JPH08223023A (ja)

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JP2816595A JPH08223023A (ja) 1995-02-16 1995-02-16 温度検知回路

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2841686A1 (fr) * 2002-06-18 2004-01-02 Bosch Gmbh Robert Installation de detection d'un evenement de surtemperature excessive d'un composant electronique et procede de detection de cet evenement
WO2004017507A1 (ja) * 2002-08-13 2004-02-26 Sanken Electric Co., Ltd. 過熱保護装置
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JP2011124269A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Mitsubishi Electric Corp イグナイタ用電力半導体装置

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