JPH08221720A - 磁気抵抗ヘッド - Google Patents
磁気抵抗ヘッドInfo
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- JPH08221720A JPH08221720A JP7307208A JP30720895A JPH08221720A JP H08221720 A JPH08221720 A JP H08221720A JP 7307208 A JP7307208 A JP 7307208A JP 30720895 A JP30720895 A JP 30720895A JP H08221720 A JPH08221720 A JP H08221720A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
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-
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- G11B5/008—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires
- G11B5/00813—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes
- G11B5/00817—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes on longitudinal tracks only, e.g. for serpentine format recording
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- G11B5/00826—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes on longitudinal tracks only, e.g. for serpentine format recording using stationary heads comprising a plurality of single poles or gaps or groups thereof operative at the same time
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/11—Shielding of head against electric or magnetic fields
-
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- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 追加の製造工程を必要とすることなく、静放
電保護を有する磁気抵抗ヘッドを提供する。 【解決手段】 MRセンサは、2つの高抵抗率磁気材料
81,83間に挟まれたSFB磁気読取りセンサ69を
備えている。MRセンサは、2つのMRシールド間に設
けられている。各MRシールドは、抵抗89によって、
MRセンサ接地信号リード88に接続される。抵抗は、
抵抗がMRセンサと同じ製造工程で堆積されるように、
高抵抗率磁気材料で作られている。
電保護を有する磁気抵抗ヘッドを提供する。 【解決手段】 MRセンサは、2つの高抵抗率磁気材料
81,83間に挟まれたSFB磁気読取りセンサ69を
備えている。MRセンサは、2つのMRシールド間に設
けられている。各MRシールドは、抵抗89によって、
MRセンサ接地信号リード88に接続される。抵抗は、
抵抗がMRセンサと同じ製造工程で堆積されるように、
高抵抗率磁気材料で作られている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般には磁気記
録、特に、静放電からの保護を有する薄膜磁気抵抗(M
R)ヘッドに関するものである。
録、特に、静放電からの保護を有する薄膜磁気抵抗(M
R)ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】商業,科学,娯楽のアプリケーション
は、データを処理および記憶するコンピュータ、およ
び、多くの場合、不揮発性記憶媒体に記憶または転送さ
れる多量のデータに依存している。不揮発性記憶媒体
は、典型的に、磁気ディスク,磁気テープ・カートリッ
ジ,光ディスク・カートリッジ,フロッピ・ディスケッ
ト,またはフロプティカル・ディスケットを有してい
る。不揮発性記憶媒体にデータを記憶することは、多く
の利点がある。例えば、数百メガバイトまたはギガバイ
トのデータを記憶できる能力(追加のカートリッジを用
いて、さらに多くのデータを記憶することができる)、
長期間にわたる記憶および保存のための手段を与える、
不揮発性記憶媒体に格納されるデータをバックアップす
る、コンピュータ間でデータ転送するための便利な手段
を与える、などである。典型的に、磁気テープ媒体は、
データを記憶または保存する最も経済的な手段である。
は、データを処理および記憶するコンピュータ、およ
び、多くの場合、不揮発性記憶媒体に記憶または転送さ
れる多量のデータに依存している。不揮発性記憶媒体
は、典型的に、磁気ディスク,磁気テープ・カートリッ
ジ,光ディスク・カートリッジ,フロッピ・ディスケッ
ト,またはフロプティカル・ディスケットを有してい
る。不揮発性記憶媒体にデータを記憶することは、多く
の利点がある。例えば、数百メガバイトまたはギガバイ
トのデータを記憶できる能力(追加のカートリッジを用
いて、さらに多くのデータを記憶することができる)、
長期間にわたる記憶および保存のための手段を与える、
不揮発性記憶媒体に格納されるデータをバックアップす
る、コンピュータ間でデータ転送するための便利な手段
を与える、などである。典型的に、磁気テープ媒体は、
データを記憶または保存する最も経済的な手段である。
【0003】コンピュータによって記憶され、アクセス
され、処理されるデータの量は、内部プロセッサの演算
力が増大するにしたがって、大きくなってきた。したが
って、記憶技術は、記憶容量(および記憶信頼性)を増
大させるように常に働いてきた。磁気記憶媒体における
記憶密度の改良は、多くの分野で行われてきた。たとえ
ば、改良された媒体材料、改良された誤り訂正技術、お
よび増大されたビット・サイズである。1/2インチ磁
気テープに記憶されるデータの量は、たとえば、9本の
データ・トラックに記憶されるメガバイトのデータか
ら、128本のデータ・トラックに記憶されるギガバイ
トのデータに増大した。
され、処理されるデータの量は、内部プロセッサの演算
力が増大するにしたがって、大きくなってきた。したが
って、記憶技術は、記憶容量(および記憶信頼性)を増
大させるように常に働いてきた。磁気記憶媒体における
記憶密度の改良は、多くの分野で行われてきた。たとえ
ば、改良された媒体材料、改良された誤り訂正技術、お
よび増大されたビット・サイズである。1/2インチ磁
気テープに記憶されるデータの量は、たとえば、9本の
データ・トラックに記憶されるメガバイトのデータか
ら、128本のデータ・トラックに記憶されるギガバイ
トのデータに増大した。
【0004】磁気記憶媒体上のデータ密度の改良は、磁
気記憶媒体にデータを読取りおよび書込むために用いら
れるトランスデューサの改良に大部分依存している。ト
ランスデューサ技術における主な改良は、IBMコーポ
レーションによって開発された磁気抵抗(MR)トラン
スデューサによって実現された。MRトランスデューサ
は、磁界信号をMRストライプにおける抵抗変化として
検出する。MRトランスデューサを用いることによっ
て、データ密度を増大させることができる。というの
は、MRトランスデューサに対する信号レベルは、典型
的に、普通のインダクティブ読取りヘッドに対する信号
レベルよりも、かなり高いからである。さらに、MRト
ランスデューサの出力は、磁気記憶媒体からの瞬時磁界
にのみ依存し、記憶媒体の速度、または検出磁界の変化
の時間割合には依存しない。
気記憶媒体にデータを読取りおよび書込むために用いら
れるトランスデューサの改良に大部分依存している。ト
ランスデューサ技術における主な改良は、IBMコーポ
レーションによって開発された磁気抵抗(MR)トラン
スデューサによって実現された。MRトランスデューサ
は、磁界信号をMRストライプにおける抵抗変化として
検出する。MRトランスデューサを用いることによっ
て、データ密度を増大させることができる。というの
は、MRトランスデューサに対する信号レベルは、典型
的に、普通のインダクティブ読取りヘッドに対する信号
レベルよりも、かなり高いからである。さらに、MRト
ランスデューサの出力は、磁気記憶媒体からの瞬時磁界
にのみ依存し、記憶媒体の速度、または検出磁界の変化
の時間割合には依存しない。
【0005】磁気テープ(ある程度は磁気ディスク)
は、MRトランスデューサ上に非常に近接して、あるい
はトランスデューサ上に接して通過し、データ読取りお
よびデータを書込む。磁気記憶媒体上での静電荷の蓄積
が、もし生じるならば、これは、1ビット障害または2
ビット障害を生じ、あるいは最悪の場合、MRトランス
デューサを損傷し、これにより許容しえないほどに信頼
性が低下する。従来、酸化クロム磁気テープのような低
抵抗磁気テープ媒体は、静電荷が蓄積し、テープ・ハウ
ジングを通じて、あるいはテープ経路に沿った他の箇所
で放電する。しかし、この出願の発明者は、高抵抗率媒
体、たとえば金属粒子媒体が、特定の大気状態の下で、
蓄積静電荷の十分な放電を許容しないことを発見した。
は、MRトランスデューサ上に非常に近接して、あるい
はトランスデューサ上に接して通過し、データ読取りお
よびデータを書込む。磁気記憶媒体上での静電荷の蓄積
が、もし生じるならば、これは、1ビット障害または2
ビット障害を生じ、あるいは最悪の場合、MRトランス
デューサを損傷し、これにより許容しえないほどに信頼
性が低下する。従来、酸化クロム磁気テープのような低
抵抗磁気テープ媒体は、静電荷が蓄積し、テープ・ハウ
ジングを通じて、あるいはテープ経路に沿った他の箇所
で放電する。しかし、この出願の発明者は、高抵抗率媒
体、たとえば金属粒子媒体が、特定の大気状態の下で、
蓄積静電荷の十分な放電を許容しないことを発見した。
【0006】すなわち、蓄積静電荷を効果的に放電する
ための保護を有するMRトランスデューサが必要とされ
る。
ための保護を有するMRトランスデューサが必要とされ
る。
【0007】この発明の目的は、改良された磁気抵抗ヘ
ッドを提供することにある。
ッドを提供することにある。
【0008】この発明の他の目的は、静電保護を有する
磁気抵抗ヘッドを提供することにある。
磁気抵抗ヘッドを提供することにある。
【0009】この発明のさらに他の目的は、追加の製造
工程を必要とすることなく、保護手段を実現できる静電
保護を有する磁気抵抗ヘッドを提供することにある。
工程を必要とすることなく、保護手段を実現できる静電
保護を有する磁気抵抗ヘッドを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の実施例
によれば、磁束信号を与える少なくとも1つの書込みギ
ャップと、磁束信号を読取る少なくとも1つの対応する
MR読取りトランスデューサとを有する磁気抵抗(M
R)ヘッドが提供される。磁束信号が、MR読取りトラ
ンスデューサから所定の距離内にくるまで、少なくとも
1つのMR読取りトランスデューサからの磁束信号をシ
ールドするために、少なくとも1つのMRシールド対が
設けられる。少なくとも1つのMRシールドと接地信号
との間に接続され、MRヘッドからの蓄積静電荷を放電
する抵抗が設けられる。
によれば、磁束信号を与える少なくとも1つの書込みギ
ャップと、磁束信号を読取る少なくとも1つの対応する
MR読取りトランスデューサとを有する磁気抵抗(M
R)ヘッドが提供される。磁束信号が、MR読取りトラ
ンスデューサから所定の距離内にくるまで、少なくとも
1つのMR読取りトランスデューサからの磁束信号をシ
ールドするために、少なくとも1つのMRシールド対が
設けられる。少なくとも1つのMRシールドと接地信号
との間に接続され、MRヘッドからの蓄積静電荷を放電
する抵抗が設けられる。
【0011】この発明の他の実施例では、磁気テープ駆
動機構において、磁気抵抗(MR)ヘッドが、複数のM
R読取りトランスデューサと、対応する複数の書込みト
ランスデューサとを備え、MRヘッドが通過する磁気記
憶媒体によりMRヘッドに生じる静電荷蓄積および放電
に起因する1ビット誤りまたは2ビット誤りを減らす方
法が提供される。この方法は、第1および第2のMRシ
ールドで、各MR読取りトランスデューサをシールドす
るステップと、各MRシールドから、複数のMR読取り
トランスデューサの各々接地リードへの抵抗路を与える
ステップとを含んでいる。磁気記憶媒体は、MRヘッド
が通過し、前記MRヘッド上の蓄積静電荷は、各MRシ
ールドから抵抗路を経て、接地に短絡される。
動機構において、磁気抵抗(MR)ヘッドが、複数のM
R読取りトランスデューサと、対応する複数の書込みト
ランスデューサとを備え、MRヘッドが通過する磁気記
憶媒体によりMRヘッドに生じる静電荷蓄積および放電
に起因する1ビット誤りまたは2ビット誤りを減らす方
法が提供される。この方法は、第1および第2のMRシ
ールドで、各MR読取りトランスデューサをシールドす
るステップと、各MRシールドから、複数のMR読取り
トランスデューサの各々接地リードへの抵抗路を与える
ステップとを含んでいる。磁気記憶媒体は、MRヘッド
が通過し、前記MRヘッド上の蓄積静電荷は、各MRシ
ールドから抵抗路を経て、接地に短絡される。
【0012】
【発明の実施の形態】図において、同一の要素には、同
一の参照番号を付して示す。この発明を、データ処理環
境において使用される、自動磁気テープ記憶装置に実施
した例について説明する。この発明を、磁気テープ・カ
ートリッジを用いて説明するが、当業者であれば、この
発明を、ダイレクト・アクセス記憶装置(DASD)に
用いられる磁気ヘッドにも同様に適用できることを理解
するであろう。さらに、磁気テープ記憶装置の説明は、
データ記憶のアプリケーションにこの発明を限定するこ
とを意味するものではない。というのは、ここで説明す
る発明は、一般に、磁気抵抗ヘッドにも適用できるから
である。
一の参照番号を付して示す。この発明を、データ処理環
境において使用される、自動磁気テープ記憶装置に実施
した例について説明する。この発明を、磁気テープ・カ
ートリッジを用いて説明するが、当業者であれば、この
発明を、ダイレクト・アクセス記憶装置(DASD)に
用いられる磁気ヘッドにも同様に適用できることを理解
するであろう。さらに、磁気テープ記憶装置の説明は、
データ記憶のアプリケーションにこの発明を限定するこ
とを意味するものではない。というのは、ここで説明す
る発明は、一般に、磁気抵抗ヘッドにも適用できるから
である。
【0013】技術上周知のように、マルチ・トラック記
録媒体から磁気変位を読取りおよび書込むのに、インタ
リーブ磁気テープが有益である。代表的なテープ駆動装
置は、IBM3490テープ駆動機構である。テープ駆
動装置においては、MRヘッドの多数のトランスデュー
サにより読取りおよび書込むために、テープが両方向に
MRヘッドを横切って移動する際に、MRヘッドを固定
して保持することができる。MRヘッドは、磁気テープ
上の複数本のトラックのうちの1本以上のトラックにデ
ータを読取りまたは書込むためのものである。あるいは
また、MRヘッドを磁気テープを横断するように動かし
て、MRヘッド上にあるトランスデューサの数よりもか
なり多くのテープ上トラックをアクセスするようにする
ことができる。インタリーブMRヘッドは、記録媒体の
双方向動作を与え、かつ、記録媒体へ書込んだ直後のデ
ータの即座のリード・バック・チェックを同時に可能と
しながら、トラック数の増大を可能にする。読取り書込
みトランスデューサの形状寸法を小さくすることによっ
て、より多くのトラックを形成することが可能となる。
形状寸法が小さくなるにしたがって、読取り書込み精度
は、記録媒体上の蓄積静電荷を含む周囲状態に対しより
敏感になる。
録媒体から磁気変位を読取りおよび書込むのに、インタ
リーブ磁気テープが有益である。代表的なテープ駆動装
置は、IBM3490テープ駆動機構である。テープ駆
動装置においては、MRヘッドの多数のトランスデュー
サにより読取りおよび書込むために、テープが両方向に
MRヘッドを横切って移動する際に、MRヘッドを固定
して保持することができる。MRヘッドは、磁気テープ
上の複数本のトラックのうちの1本以上のトラックにデ
ータを読取りまたは書込むためのものである。あるいは
また、MRヘッドを磁気テープを横断するように動かし
て、MRヘッド上にあるトランスデューサの数よりもか
なり多くのテープ上トラックをアクセスするようにする
ことができる。インタリーブMRヘッドは、記録媒体の
双方向動作を与え、かつ、記録媒体へ書込んだ直後のデ
ータの即座のリード・バック・チェックを同時に可能と
しながら、トラック数の増大を可能にする。読取り書込
みトランスデューサの形状寸法を小さくすることによっ
て、より多くのトラックを形成することが可能となる。
形状寸法が小さくなるにしたがって、読取り書込み精度
は、記録媒体上の蓄積静電荷を含む周囲状態に対しより
敏感になる。
【0014】図1は、サプライリール・モータ14に連
結された供給リール・タコメータ12から情報を受取る
コントローラ10を示している。供給リール・モータ1
4は、モータ駆動回路23により駆動され、1つの供給
リール・カートリッジ16A内に示される供給リール1
6を逆転可能に回転させる。タコメータ12は、カウン
トパルスをカウンタ19に送って、モータ14にしたが
う供給リール16の回転数および回転位置を指示する。
カウンタ19の出力は、制御ユニット17に送られる。
制御ユニット17の他の入力は、巻取リール・タコメー
タ20からのカウント・パルスを受取るカウンタ19か
らのものである。タコメータ20は、巻取リール・モー
タ22に連結されている。モータ22は、モータ駆動回
路23により逆転可能に駆動される。駆動回路23は、
制御ユニット17の制御の下に、トルクを供給する。モ
ータ22は、巻取リール24を駆動する。タイマ26
が、コントローラ10の制御ユニット17に接続され、
モータ14および22への電力供給につきモータ駆動回
路23を制御する。
結された供給リール・タコメータ12から情報を受取る
コントローラ10を示している。供給リール・モータ1
4は、モータ駆動回路23により駆動され、1つの供給
リール・カートリッジ16A内に示される供給リール1
6を逆転可能に回転させる。タコメータ12は、カウン
トパルスをカウンタ19に送って、モータ14にしたが
う供給リール16の回転数および回転位置を指示する。
カウンタ19の出力は、制御ユニット17に送られる。
制御ユニット17の他の入力は、巻取リール・タコメー
タ20からのカウント・パルスを受取るカウンタ19か
らのものである。タコメータ20は、巻取リール・モー
タ22に連結されている。モータ22は、モータ駆動回
路23により逆転可能に駆動される。駆動回路23は、
制御ユニット17の制御の下に、トルクを供給する。モ
ータ22は、巻取リール24を駆動する。タイマ26
が、コントローラ10の制御ユニット17に接続され、
モータ14および22への電力供給につきモータ駆動回
路23を制御する。
【0015】磁気テープ28およびそのリーダ・ブロッ
クは、点線27で示すように、供給リール16からアイ
ドラ・ベアリング30を経て巻取リール24に至る経路
をとる。テープ経路27は、テンション・アーム変換器
18のローラ38を経て、巻取リール24に続いてい
る。MRヘッド36の出力は、読取り/書込み回路15
に接続される。読取り/書込み回路15は、制御ユニッ
ト17の制御の下で、読取りフォーマットでデータをデ
ータ・ユニット13に送り、MRヘッド36によってテ
ープ28にデータが書込まれるときに、データ・ユニッ
ト13からデータを受取る。図1のテープ駆動機構は、
一般に、1つのリール・カートリッジを有する1/2イ
ンチ・タイプのものである。テープ駆動機構の分野にお
いて周知のように、他の媒体フォーマットをも利用でき
る。たとえば、1/4インチ・カートリッジ(QI
C),デジタル・リニア・テープ(DLT),デジタル
・アナログ・テープ(DAT),およびビデオ(19m
m)などである。
クは、点線27で示すように、供給リール16からアイ
ドラ・ベアリング30を経て巻取リール24に至る経路
をとる。テープ経路27は、テンション・アーム変換器
18のローラ38を経て、巻取リール24に続いてい
る。MRヘッド36の出力は、読取り/書込み回路15
に接続される。読取り/書込み回路15は、制御ユニッ
ト17の制御の下で、読取りフォーマットでデータをデ
ータ・ユニット13に送り、MRヘッド36によってテ
ープ28にデータが書込まれるときに、データ・ユニッ
ト13からデータを受取る。図1のテープ駆動機構は、
一般に、1つのリール・カートリッジを有する1/2イ
ンチ・タイプのものである。テープ駆動機構の分野にお
いて周知のように、他の媒体フォーマットをも利用でき
る。たとえば、1/4インチ・カートリッジ(QI
C),デジタル・リニア・テープ(DLT),デジタル
・アナログ・テープ(DAT),およびビデオ(19m
m)などである。
【0016】MRヘッドは、多数の周知の構造および配
置の形態をとることができる。薄膜フォトリソグラフィ
構造は、磁気テープの表面領域の使用を最大にすること
ができる。というのは、近接した細いトラックを書込む
ことができるからである。横断的に隣接するヘッド素子
は同時に動作しないので、クロストークなどの可能性を
最小にする。MRヘッド36に用いられる薄膜トランス
デューサの好適な実施例では、書込み素子は、インダク
ティブ書込み素子である。この素子は、標準的なフォト
リソグラフィ工程で作成した薄膜コイルによって駆動さ
れる、2層の磁気材料を有している。好適な読取り素子
は、磁気抵抗素子である。MR読取りギャップは、ソフ
ト・フィルム・バイアス(SFB)タイプのものが好適
である。
置の形態をとることができる。薄膜フォトリソグラフィ
構造は、磁気テープの表面領域の使用を最大にすること
ができる。というのは、近接した細いトラックを書込む
ことができるからである。横断的に隣接するヘッド素子
は同時に動作しないので、クロストークなどの可能性を
最小にする。MRヘッド36に用いられる薄膜トランス
デューサの好適な実施例では、書込み素子は、インダク
ティブ書込み素子である。この素子は、標準的なフォト
リソグラフィ工程で作成した薄膜コイルによって駆動さ
れる、2層の磁気材料を有している。好適な読取り素子
は、磁気抵抗素子である。MR読取りギャップは、ソフ
ト・フィルム・バイアス(SFB)タイプのものが好適
である。
【0017】図2において、MRヘッド36の読取り素
子は、“R”と表示され、書込み素子は“W”と表示さ
れている。読取りおよび書込みギャップは、直接に交互
する奇数/偶数態様で使用される。ターム(term)
交互形式は、他のフォーマットを含むことを意図してい
る。たとえば、1つのフォーマットは、奇数番のトラッ
ク1,3,5,…が、順方向テープ駆動中に動作し、一
方、偶数番のトラック2,4,6,…が、逆方向テープ
駆動中に動作する。この発明の実施に使用できる他のフ
ォーマットは、当業者には自明であり、この発明の教示
の範囲である。
子は、“R”と表示され、書込み素子は“W”と表示さ
れている。読取りおよび書込みギャップは、直接に交互
する奇数/偶数態様で使用される。ターム(term)
交互形式は、他のフォーマットを含むことを意図してい
る。たとえば、1つのフォーマットは、奇数番のトラッ
ク1,3,5,…が、順方向テープ駆動中に動作し、一
方、偶数番のトラック2,4,6,…が、逆方向テープ
駆動中に動作する。この発明の実施に使用できる他のフ
ォーマットは、当業者には自明であり、この発明の教示
の範囲である。
【0018】一般に、磁気テープ28は、矢印40,4
2で示すように、順および逆の両方向に移動する。矢印
40は、テープ28の順方向移動を示し、矢印42は、
逆方向移動を示している。磁気テープ28は、標準的な
周知のフォーマットで、MRヘッド36との変換関係で
動作する。MRヘッド36は、ほぼ同一構造の2つのモ
ジュール44,46を有している。モジュール44,4
6は、一緒に取付けられて、1つの物理的なユニットを
形成する。このようにして、一方のモジュールの変換ギ
ャップは、他方のユニットの変換ギャップに近接配置さ
れているだけでなく、モジュール・ギャップは、テープ
の移動方向に正確に配列されている。
2で示すように、順および逆の両方向に移動する。矢印
40は、テープ28の順方向移動を示し、矢印42は、
逆方向移動を示している。磁気テープ28は、標準的な
周知のフォーマットで、MRヘッド36との変換関係で
動作する。MRヘッド36は、ほぼ同一構造の2つのモ
ジュール44,46を有している。モジュール44,4
6は、一緒に取付けられて、1つの物理的なユニットを
形成する。このようにして、一方のモジュールの変換ギ
ャップは、他方のユニットの変換ギャップに近接配置さ
れているだけでなく、モジュール・ギャップは、テープ
の移動方向に正確に配列されている。
【0019】各モジュール44,46は、それぞれ、1
つのギャップ・ライン48,50を有し、MRヘッド3
6の1つの物理的ユニットを形成する。各モジュール4
4,46の個々のギャップは、ギャップ・ライン48,
50に沿って正確に配列されている。ギャップ・ライン
48,50は、平行であり、MRヘッド36は、テープ
駆動機構(図1)内に、ギャップ・ライン48,50
が、矢印40,42で示されるテープ移動の方向に垂直
となるように、設けられている。MRヘッド36は、モ
ジュール44,46の各々に対して、ギャップ・ライン
48,50の各々の長さ方向に沿って、交互する読取り
/書込みギャップを有している。各モジュールには、1
8個の読取りトランスデューサと18個の書込みトラン
スデューサとがある。したがって、磁気テープ28は、
1/2インチ(1.27cm)幅に、少なくとも36本
のトラックを有している。トラックは、読取りギャップ
が読取られるよりも約35%広く書込まれる。1つのモ
ジュール、たとえばモジュール44のギャップは、モジ
ュール46の同一番号のギャップと協働する。したがっ
て、モジュール44の“1”〜“36”で示されたギャ
ップは、モジュール46の“1”〜“36”で示された
同一の番号のギャップと協働する。一方のモジュールの
読取りギャップは、他方のモジュールの書込みギャップ
と位置決めされ、また、他方のモジュールの読取りギャ
ップは、一方のモジュールの書込みギャップと位置決め
される。したがって、モジュール44の書込みギャップ
52は、モジュール46の読取りギャップ54と位置決
めされる。モジュール44,46の各々は、基板56と
クロージャ・ピース58とを有している。
つのギャップ・ライン48,50を有し、MRヘッド3
6の1つの物理的ユニットを形成する。各モジュール4
4,46の個々のギャップは、ギャップ・ライン48,
50に沿って正確に配列されている。ギャップ・ライン
48,50は、平行であり、MRヘッド36は、テープ
駆動機構(図1)内に、ギャップ・ライン48,50
が、矢印40,42で示されるテープ移動の方向に垂直
となるように、設けられている。MRヘッド36は、モ
ジュール44,46の各々に対して、ギャップ・ライン
48,50の各々の長さ方向に沿って、交互する読取り
/書込みギャップを有している。各モジュールには、1
8個の読取りトランスデューサと18個の書込みトラン
スデューサとがある。したがって、磁気テープ28は、
1/2インチ(1.27cm)幅に、少なくとも36本
のトラックを有している。トラックは、読取りギャップ
が読取られるよりも約35%広く書込まれる。1つのモ
ジュール、たとえばモジュール44のギャップは、モジ
ュール46の同一番号のギャップと協働する。したがっ
て、モジュール44の“1”〜“36”で示されたギャ
ップは、モジュール46の“1”〜“36”で示された
同一の番号のギャップと協働する。一方のモジュールの
読取りギャップは、他方のモジュールの書込みギャップ
と位置決めされ、また、他方のモジュールの読取りギャ
ップは、一方のモジュールの書込みギャップと位置決め
される。したがって、モジュール44の書込みギャップ
52は、モジュール46の読取りギャップ54と位置決
めされる。モジュール44,46の各々は、基板56と
クロージャ・ピース58とを有している。
【0020】図3は、MRヘッド36の薄膜構造の一部
を示す。モジュール46が、基板56上に設けられた2
つの薄膜磁気抵抗読取り素子60,62の切欠き断面で
示されている。1つの薄膜書込みコイル64が、2つの
MR読取り素子60,62に隣接して配置されて示され
ている。基板56の変換ギャップは、66で示される。
バック・ギャップ領域68は、書込みコイル64によっ
て付勢される。次に、クロージャ58(図示せず)が、
基板56に貼付けられる。MRヘッド・トランスデュー
サを囲むMRシールドを、以下に詳細に説明する。
を示す。モジュール46が、基板56上に設けられた2
つの薄膜磁気抵抗読取り素子60,62の切欠き断面で
示されている。1つの薄膜書込みコイル64が、2つの
MR読取り素子60,62に隣接して配置されて示され
ている。基板56の変換ギャップは、66で示される。
バック・ギャップ領域68は、書込みコイル64によっ
て付勢される。次に、クロージャ58(図示せず)が、
基板56に貼付けられる。MRヘッド・トランスデュー
サを囲むMRシールドを、以下に詳細に説明する。
【0021】図4は、技術上周知のMR読取りセンサ・
ストライプ形状を示す。最も簡単な形では、MR読取り
センサは、高さhおよび幅がWtの、NiFe,NiC
oまたはCoFeのような磁気抵抗材料の細いストライ
プよりなる。このストライプは、記録媒体に垂直な面に
取付けられ、両端で導体に接続され、センス電流Isを
流す。磁気抵抗効果により、このストライプの各部の抵
抗率は、技術上周知のように、磁化Msの方向と電流密
度ベクトルとの間の角度θに依存する。一般に、磁化ベ
クトルMsは、局部バイアス磁界と記録媒体からの磁界
との和を示す。
ストライプ形状を示す。最も簡単な形では、MR読取り
センサは、高さhおよび幅がWtの、NiFe,NiC
oまたはCoFeのような磁気抵抗材料の細いストライ
プよりなる。このストライプは、記録媒体に垂直な面に
取付けられ、両端で導体に接続され、センス電流Isを
流す。磁気抵抗効果により、このストライプの各部の抵
抗率は、技術上周知のように、磁化Msの方向と電流密
度ベクトルとの間の角度θに依存する。一般に、磁化ベ
クトルMsは、局部バイアス磁界と記録媒体からの磁界
との和を示す。
【0022】デバイスは、本質的には平均供給磁界に応
答するので、未シールドのストライプの分解能は、実際
には、ストライプ高さhにより制限される。この欠点
は、従来のインダクティブ・ヘッドと比べて、MRスト
ライプからのより高い出力信号レベルによって、相殺さ
れる。
答するので、未シールドのストライプの分解能は、実際
には、ストライプ高さhにより制限される。この欠点
は、従来のインダクティブ・ヘッドと比べて、MRスト
ライプからのより高い出力信号レベルによって、相殺さ
れる。
【0023】図5は、技術上周知のシールドされたMR
ストライプ形状を示す。2つのシールド71,72が、
MRストライプ69の周りに間隔bで配置される。MR
ストライプは、これらシールドの中央にある。磁気材料
を用いて作られたシールド71,72は、記録された磁
気変位が、MRストライプ69のギャップ幅b内にくる
まで、MRストライプ69が、記録媒体中の磁界を受け
ることから防止する働きをする。電位感度関数U(x,
0)は、薄い媒体内の非常に狭い磁気変位の通過に応答
するストライプ69の出力の形状を近似する。このよう
に、ギャップ・スペースbが小さくなるにつれて、電位
感度関数は、増大した感度分解能を示す。
ストライプ形状を示す。2つのシールド71,72が、
MRストライプ69の周りに間隔bで配置される。MR
ストライプは、これらシールドの中央にある。磁気材料
を用いて作られたシールド71,72は、記録された磁
気変位が、MRストライプ69のギャップ幅b内にくる
まで、MRストライプ69が、記録媒体中の磁界を受け
ることから防止する働きをする。電位感度関数U(x,
0)は、薄い媒体内の非常に狭い磁気変位の通過に応答
するストライプ69の出力の形状を近似する。このよう
に、ギャップ・スペースbが小さくなるにつれて、電位
感度関数は、増大した感度分解能を示す。
【0024】薄膜技術は、非常に狭いギャップ間隔bお
よびストライプ高さhの有利な効果の故に、MRセンサ
の製造に広く用いられている。両側がシールドされたM
Rストライプ69は、記録された磁気変位が非常に接近
するまで、記録媒体からの磁界を受けることを防止する
ことによって、感度分解能を改善できることは知られて
いる。MRストライプ69のエッジが、MRヘッド36
の面から後退すると、電位感度はわずかに広がり、後退
の量に従い低下する。シールドの1つの方へのMRスト
ライプ69の横方向移動は、MR素子の感度をかなり減
少させるものではない。非常に薄いシールドは、未シー
ルドMRストライプの比較的低い分解能に特性を与える
傾向がある。
よびストライプ高さhの有利な効果の故に、MRセンサ
の製造に広く用いられている。両側がシールドされたM
Rストライプ69は、記録された磁気変位が非常に接近
するまで、記録媒体からの磁界を受けることを防止する
ことによって、感度分解能を改善できることは知られて
いる。MRストライプ69のエッジが、MRヘッド36
の面から後退すると、電位感度はわずかに広がり、後退
の量に従い低下する。シールドの1つの方へのMRスト
ライプ69の横方向移動は、MR素子の感度をかなり減
少させるものではない。非常に薄いシールドは、未シー
ルドMRストライプの比較的低い分解能に特性を与える
傾向がある。
【0025】薄膜シールドMRヘッドは、特定種類の媒
体、たとえば、この発明の発明者によって発見された金
属粒子テープのような高抵抗率磁気テープに用いられる
場合、静放電には敏感である。静電荷蓄積は、MRヘッ
ドの面に固着したデブリ(debris)により発生す
る(たとえば、摩擦電気荷電)。金属粒子媒体は、静電
荷が、テープ・ハウジングまたは磁気テープに接触する
他の点を介して消散することができる適当な経路(pa
th)を与えない。低湿度のような周囲条件は、問題を
さらに悪化させる。静放電は、典型的に、大きな狭いパ
ルスを発生し、これがデータ流に入って、1ビット誤り
および2ビット誤りを発生させる。多くの誤りを訂正す
るには、誤り訂正コード(ECC)が信頼でき、信頼性
の対応する減少は、一般に、受け入れられない。
体、たとえば、この発明の発明者によって発見された金
属粒子テープのような高抵抗率磁気テープに用いられる
場合、静放電には敏感である。静電荷蓄積は、MRヘッ
ドの面に固着したデブリ(debris)により発生す
る(たとえば、摩擦電気荷電)。金属粒子媒体は、静電
荷が、テープ・ハウジングまたは磁気テープに接触する
他の点を介して消散することができる適当な経路(pa
th)を与えない。低湿度のような周囲条件は、問題を
さらに悪化させる。静放電は、典型的に、大きな狭いパ
ルスを発生し、これがデータ流に入って、1ビット誤り
および2ビット誤りを発生させる。多くの誤りを訂正す
るには、誤り訂正コード(ECC)が信頼でき、信頼性
の対応する減少は、一般に、受け入れられない。
【0026】図6は、この発明の好適な実施例による静
放電保護を有するMRセンサ69の平面図である。MR
センサ69は、たとえば、NiFe/Ta/NiFeR
hよりなる磁気ソフト・フィルム・バイアス(SFB)
材料82を備えている。この材料は、たとえばCr/C
oPtCr磁気材料よりなる2つの高抵抗率永久磁石8
1,83の間に挟まれている。MRセンサ69は、上下
にMRシールドを有している(図には、下部MRシール
ドは見えないので、MRシールド84のみ示す)。MR
シールドを単に接地することは、MRセンサ69が電荷
を累積せず、したがって荷電の問題を避けることを保証
する。しかし、接地のための追加の接続が、多くの製造
工程、および、すでに使用された多数のピンアウト(p
inout)を潜在的に増大させることによって、テー
プ・ヘッドをさらに複雑にする。さらに他の問題は、電
位ショート,ピンホール,不鮮明な感度といった問題を
含んでいる。さらに、MRシールド84の単なる接地
は、そこに発生する潜在的に大きな電流のために、MR
センサ69の大きな障害を生じるかもしれない。また、
MRセンサ69とMRシールド84との間の電位差は、
シールドが接地されるならば、MRリードおよびバイア
ス回路(図示せず)の電圧降下だけ増大する。これらの
問題は、MRセンサ・シールド84を、抵抗89を経
て、接地信号リード88に接地することによって避けら
れる。抵抗89は、エレメント81,83のように、高
抵抗率永久磁石材料で作られる。したがって、抵抗89
は、同一のマスク層で画成され、同時に処理され、これ
により追加の処理要件を避けることができる。同様に、
MRセンサ・シールド84および接地信号リード88
に、抵抗89をコンタクトするバイアは、エレメント8
1,83にそれぞれ信号リード85,86をコンタクト
するように処理されたバイアと同様に、同時に処理され
る。
放電保護を有するMRセンサ69の平面図である。MR
センサ69は、たとえば、NiFe/Ta/NiFeR
hよりなる磁気ソフト・フィルム・バイアス(SFB)
材料82を備えている。この材料は、たとえばCr/C
oPtCr磁気材料よりなる2つの高抵抗率永久磁石8
1,83の間に挟まれている。MRセンサ69は、上下
にMRシールドを有している(図には、下部MRシール
ドは見えないので、MRシールド84のみ示す)。MR
シールドを単に接地することは、MRセンサ69が電荷
を累積せず、したがって荷電の問題を避けることを保証
する。しかし、接地のための追加の接続が、多くの製造
工程、および、すでに使用された多数のピンアウト(p
inout)を潜在的に増大させることによって、テー
プ・ヘッドをさらに複雑にする。さらに他の問題は、電
位ショート,ピンホール,不鮮明な感度といった問題を
含んでいる。さらに、MRシールド84の単なる接地
は、そこに発生する潜在的に大きな電流のために、MR
センサ69の大きな障害を生じるかもしれない。また、
MRセンサ69とMRシールド84との間の電位差は、
シールドが接地されるならば、MRリードおよびバイア
ス回路(図示せず)の電圧降下だけ増大する。これらの
問題は、MRセンサ・シールド84を、抵抗89を経
て、接地信号リード88に接地することによって避けら
れる。抵抗89は、エレメント81,83のように、高
抵抗率永久磁石材料で作られる。したがって、抵抗89
は、同一のマスク層で画成され、同時に処理され、これ
により追加の処理要件を避けることができる。同様に、
MRセンサ・シールド84および接地信号リード88
に、抵抗89をコンタクトするバイアは、エレメント8
1,83にそれぞれ信号リード85,86をコンタクト
するように処理されたバイアと同様に、同時に処理され
る。
【0027】抵抗89は、典型的に、数キロオームであ
り、MRシールド84にショートまたはピンホールが生
じる場合には、無視しうるMR変化のみを生じる。した
がって、MRセンサ69は、静放電から保護されつつ、
動作し続ける。リード85,86は、薄い金リードであ
り、これら金リードは、信号リード87,88(厚い金
リード)につながり、これら信号リードは、リード取付
け部につながっている。
り、MRシールド84にショートまたはピンホールが生
じる場合には、無視しうるMR変化のみを生じる。した
がって、MRセンサ69は、静放電から保護されつつ、
動作し続ける。リード85,86は、薄い金リードであ
り、これら金リードは、信号リード87,88(厚い金
リード)につながり、これら信号リードは、リード取付
け部につながっている。
【0028】以上、各MR読取りセンサに対し静電保護
を与える回路を有する磁気抵抗(MR)ヘッドについて
説明した。MRヘッドは、また、各MRセンサに対し少
なくとも1つの書込みギャップを有している。効果的な
静電保護を与えるのに、追加の製造工程またはフォトリ
ソグラフィ・マスクが不要なMRヘッドが作製される。
各MRセンサの上下に、MRシールドが設けられる。第
1および第2の永久磁石が、MRヘッド・センサの第1
および第2の端部に設けられ、第1および第2の薄い金
リードが、第1および第2の永久磁石にそれぞれ接続さ
れる。第1および第2の厚い金信号リードが、第1およ
び第2の薄い金リードにそれぞれ接続され、第1および
第2の厚い金リードは、信号端子および接地端子をそれ
ぞれコンタクトするために設けられる。第1および第2
の永久磁石と同じ永久磁石材料よりなる抵抗は、第1の
MRシールドと第2の厚い金リードとの間に接続され
る。この抵抗は、MRヘッドでの蓄積静電荷を消散させ
るために、接地への経路を与える。
を与える回路を有する磁気抵抗(MR)ヘッドについて
説明した。MRヘッドは、また、各MRセンサに対し少
なくとも1つの書込みギャップを有している。効果的な
静電保護を与えるのに、追加の製造工程またはフォトリ
ソグラフィ・マスクが不要なMRヘッドが作製される。
各MRセンサの上下に、MRシールドが設けられる。第
1および第2の永久磁石が、MRヘッド・センサの第1
および第2の端部に設けられ、第1および第2の薄い金
リードが、第1および第2の永久磁石にそれぞれ接続さ
れる。第1および第2の厚い金信号リードが、第1およ
び第2の薄い金リードにそれぞれ接続され、第1および
第2の厚い金リードは、信号端子および接地端子をそれ
ぞれコンタクトするために設けられる。第1および第2
の永久磁石と同じ永久磁石材料よりなる抵抗は、第1の
MRシールドと第2の厚い金リードとの間に接続され
る。この抵抗は、MRヘッドでの蓄積静電荷を消散させ
るために、接地への経路を与える。
【0029】この発明を、好適な実施例について説明し
たが、当業者であれば、この発明の趣旨と範囲内におい
て、種々の変更を行うことができることを理解するであ
ろう。たとえば、重量,強度などの限界要件が満たされ
る限り、特定の材料に対し、種々の変更を行うことがで
きる。さらに、この発明の範囲から逸脱することなく、
構造を一緒に取付ける手段を、変更することができる。
静電保護されたMRヘッドは、磁気テープまたはディス
クの応用に限定されることを意味せず、MRヘッドの使
用を一般的に拡張することを意味している。
たが、当業者であれば、この発明の趣旨と範囲内におい
て、種々の変更を行うことができることを理解するであ
ろう。たとえば、重量,強度などの限界要件が満たされ
る限り、特定の材料に対し、種々の変更を行うことがで
きる。さらに、この発明の範囲から逸脱することなく、
構造を一緒に取付ける手段を、変更することができる。
静電保護されたMRヘッドは、磁気テープまたはディス
クの応用に限定されることを意味せず、MRヘッドの使
用を一般的に拡張することを意味している。
【0030】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 (1)外部または近接した信号源により与えられる磁束
信号を検出する磁気抵抗(MR)ヘッドであって、前記
外部信号源は、前記MRヘッドに蓄積静電荷を発生し、
さらに、信号リードおよび接地リードを有する、MRヘ
ッドにおいて、磁束信号を読取る少なくとも1つのMR
読取りトランスデューサと、磁束信号が、前記MR読取
りトランスデューサの所定の距離内にくるまで、前記少
なくとも1つのMR読取りトランスデューサからの磁束
信号をシールドする少なくとも1つのMRシールドと、
前記少なくとも1つのMRシールドと接地信号との間に
接続され、前記MRヘッドからの蓄積静電荷を放電する
抵抗と、を備えるMRヘッド。 (2)前記MR読取りトランスデューサは、第1および
第2の端部を有するソフト・フィルム・バイアス磁石
と、前記第1および第2の端部にそれぞれ接続された、
第1および第2の高抵抗率永久磁石と、を有する上記
(1)に記載のMRヘッド。 (3)前記抵抗は、高抵抗率永久磁石材料よりなる、上
記(2)に記載のMRヘッド。 (4)前記外部信号源に供給する磁束信号を発生する少
なくとも1つの書込みギャップを備える、上記(3)に
記載のMRヘッド。 (5)前記抵抗は、前記第2の高抵抗率永久磁石と、前
記接地リードとの間に接続され、前記抵抗は、前記第2
の高抵抗率永久磁石と同様の材料であり、前記抵抗は、
前記第2の高抵抗率永久磁石と同じ製造工程で製造され
る、上記(4)に記載のMRヘッド。 (6)前記外部信号源は、磁気テープである、上記
(1)に記載のMRヘッド。 (7)高抵抗率磁気テープへデータを書込み、および高
抵抗率磁気テープからデータを読取る磁気抵抗(MR)
ヘッドであって、前記MRヘッド上を通過する前記磁気
テープにより生じる蓄積静電荷からの静電保護を、蓄積
静電荷を接地リードに短絡することにより与える、MR
ヘッドにおいて、複数の書込みトランスデューサと、複
数のMR読取りトランスデューサとを備え、前記複数の
MR読取りトランスデューサの各々は、ソフト・フィル
ム・バイアス(SFB)磁石と、前記SFB磁石を挟
む、第1および第2の高抵抗率永久磁石と、前記複数の
MR読取りトランスデューサの各々の上下の第1および
第2のシールドと、各MRシールドを接地リードに接続
する抵抗と、を有する、MRヘッド。 (8)各抵抗は、前記第1および第2高抵抗率磁石と同
様の材料である、上記(7)に記載のMRヘッド。 (9)前記第1および第2のシールドは、磁気材料より
なる、上記(7)に記載のMRヘッド。 (10)磁気テープ駆動機構において、磁気抵抗(M
R)ヘッドが、複数のMR読取りトランスデューサと、
対応する複数の書込みトランスデューサとを備え、前記
MRヘッドが通過する磁気記憶媒体によりMRヘッドに
生じる蓄積静電荷に起因する1ビット誤りまたは2ビッ
ト誤りを減らす方法において、(a)第1および第2の
MRシールドで、各MR読取りトランスデューサをシー
ルドするステップと、(b)各MRシールドから、前記
複数のMR読取りトランスデューサの各々接地リードへ
の抵抗路を与えるステップと、(c)前記MRヘッド
に、磁気記憶媒体を通過させるステップと、(d)各M
Rシールドから前記抵抗路を経て、前記MRヘッド上の
蓄積静電荷を短絡するステップと、を含む方法。 (11)前記MR読取りトランスデューサは、高抵抗率
永久磁石材料間に挟まれたソフト・フィルム・バイアス
材料よりなり、前記抵抗路は、高抵抗率永久磁石により
作られた抵抗により構成される、上記(10)に記載の
方法。 (12)前記MRヘッドにより通過される前記磁気記憶
媒体が、金属粒子磁気テープである、上記(10)に記
載の方法。 (13)少なくとも1つのMR読取りセンサと、少なく
とも1つの書込みギャップを有し、前記MR読取りセン
サに蓄積され外部信号源により発生された静電荷から、
前記MR読取りセンサの保護を与える、磁気抵抗(M
R)ヘッドにおいて、前記MRセンサの上に設けられた
第1のMRシールドと、前記MRセンサの下に設けられ
た第2のMRシールドと、前記MR読取りセンサの第1
および第2の端部に設けられた第1および第2の永久磁
石と、前記第1および第2の永久磁石にそれぞれ接続さ
れた第1および第2の薄い金リードと、前記第1および
第2の薄い金リードにそれぞれ接続された第1および第
2の厚い金信号リードとを備え、前記第1および第2の
厚い金リードは、信号リードおよび接地リードをそれぞ
れコンタクトするために設けられ、前記第1および第2
永久磁石と同じ永久磁石材料よりなり、前記第1のMR
シールドと前記第2の厚い金リードとの間に接続され、
前記MRヘッド上の蓄積静電荷を消散させるための、接
地への通路を与える抵抗と、を備えるMRヘッド。 (14)前記抵抗は、前記第1の厚い金リードと第2の
厚い金リードとの間にほぼ設けられている、上記(1
3)に記載のMRヘッド。 (15)前記外部信号源は、磁気テープである、上記
(13)に記載のMRヘッド。
の事項を開示する。 (1)外部または近接した信号源により与えられる磁束
信号を検出する磁気抵抗(MR)ヘッドであって、前記
外部信号源は、前記MRヘッドに蓄積静電荷を発生し、
さらに、信号リードおよび接地リードを有する、MRヘ
ッドにおいて、磁束信号を読取る少なくとも1つのMR
読取りトランスデューサと、磁束信号が、前記MR読取
りトランスデューサの所定の距離内にくるまで、前記少
なくとも1つのMR読取りトランスデューサからの磁束
信号をシールドする少なくとも1つのMRシールドと、
前記少なくとも1つのMRシールドと接地信号との間に
接続され、前記MRヘッドからの蓄積静電荷を放電する
抵抗と、を備えるMRヘッド。 (2)前記MR読取りトランスデューサは、第1および
第2の端部を有するソフト・フィルム・バイアス磁石
と、前記第1および第2の端部にそれぞれ接続された、
第1および第2の高抵抗率永久磁石と、を有する上記
(1)に記載のMRヘッド。 (3)前記抵抗は、高抵抗率永久磁石材料よりなる、上
記(2)に記載のMRヘッド。 (4)前記外部信号源に供給する磁束信号を発生する少
なくとも1つの書込みギャップを備える、上記(3)に
記載のMRヘッド。 (5)前記抵抗は、前記第2の高抵抗率永久磁石と、前
記接地リードとの間に接続され、前記抵抗は、前記第2
の高抵抗率永久磁石と同様の材料であり、前記抵抗は、
前記第2の高抵抗率永久磁石と同じ製造工程で製造され
る、上記(4)に記載のMRヘッド。 (6)前記外部信号源は、磁気テープである、上記
(1)に記載のMRヘッド。 (7)高抵抗率磁気テープへデータを書込み、および高
抵抗率磁気テープからデータを読取る磁気抵抗(MR)
ヘッドであって、前記MRヘッド上を通過する前記磁気
テープにより生じる蓄積静電荷からの静電保護を、蓄積
静電荷を接地リードに短絡することにより与える、MR
ヘッドにおいて、複数の書込みトランスデューサと、複
数のMR読取りトランスデューサとを備え、前記複数の
MR読取りトランスデューサの各々は、ソフト・フィル
ム・バイアス(SFB)磁石と、前記SFB磁石を挟
む、第1および第2の高抵抗率永久磁石と、前記複数の
MR読取りトランスデューサの各々の上下の第1および
第2のシールドと、各MRシールドを接地リードに接続
する抵抗と、を有する、MRヘッド。 (8)各抵抗は、前記第1および第2高抵抗率磁石と同
様の材料である、上記(7)に記載のMRヘッド。 (9)前記第1および第2のシールドは、磁気材料より
なる、上記(7)に記載のMRヘッド。 (10)磁気テープ駆動機構において、磁気抵抗(M
R)ヘッドが、複数のMR読取りトランスデューサと、
対応する複数の書込みトランスデューサとを備え、前記
MRヘッドが通過する磁気記憶媒体によりMRヘッドに
生じる蓄積静電荷に起因する1ビット誤りまたは2ビッ
ト誤りを減らす方法において、(a)第1および第2の
MRシールドで、各MR読取りトランスデューサをシー
ルドするステップと、(b)各MRシールドから、前記
複数のMR読取りトランスデューサの各々接地リードへ
の抵抗路を与えるステップと、(c)前記MRヘッド
に、磁気記憶媒体を通過させるステップと、(d)各M
Rシールドから前記抵抗路を経て、前記MRヘッド上の
蓄積静電荷を短絡するステップと、を含む方法。 (11)前記MR読取りトランスデューサは、高抵抗率
永久磁石材料間に挟まれたソフト・フィルム・バイアス
材料よりなり、前記抵抗路は、高抵抗率永久磁石により
作られた抵抗により構成される、上記(10)に記載の
方法。 (12)前記MRヘッドにより通過される前記磁気記憶
媒体が、金属粒子磁気テープである、上記(10)に記
載の方法。 (13)少なくとも1つのMR読取りセンサと、少なく
とも1つの書込みギャップを有し、前記MR読取りセン
サに蓄積され外部信号源により発生された静電荷から、
前記MR読取りセンサの保護を与える、磁気抵抗(M
R)ヘッドにおいて、前記MRセンサの上に設けられた
第1のMRシールドと、前記MRセンサの下に設けられ
た第2のMRシールドと、前記MR読取りセンサの第1
および第2の端部に設けられた第1および第2の永久磁
石と、前記第1および第2の永久磁石にそれぞれ接続さ
れた第1および第2の薄い金リードと、前記第1および
第2の薄い金リードにそれぞれ接続された第1および第
2の厚い金信号リードとを備え、前記第1および第2の
厚い金リードは、信号リードおよび接地リードをそれぞ
れコンタクトするために設けられ、前記第1および第2
永久磁石と同じ永久磁石材料よりなり、前記第1のMR
シールドと前記第2の厚い金リードとの間に接続され、
前記MRヘッド上の蓄積静電荷を消散させるための、接
地への通路を与える抵抗と、を備えるMRヘッド。 (14)前記抵抗は、前記第1の厚い金リードと第2の
厚い金リードとの間にほぼ設けられている、上記(1
3)に記載のMRヘッド。 (15)前記外部信号源は、磁気テープである、上記
(13)に記載のMRヘッド。
【図1】この発明の磁気ヘッドに有用なテープ駆動機構
とコントローラの概略図である。
とコントローラの概略図である。
【図2】磁気テープと、インタリーブ磁気テープとの関
係を示す上面図である。
係を示す上面図である。
【図3】インタリーブ・ヘッドの一部の断面図である。
【図4】従来技術の磁気抵抗センサ・ストライプ形状の
概略図である。
概略図である。
【図5】従来技術のシールドされた磁気抵抗ストライプ
の概略図である。
の概略図である。
【図6】この発明の好適な実施例による静放電保護を有
するシールドされたMRセンサの平面図である。
するシールドされたMRセンサの平面図である。
28 磁気テープ 36 MRヘッド 44,46 モジュール 48,50 ギャップ・ライン 69 MRストライプ 71,72 シールド 84 MRシールド 81,83 永久磁石 85,86 リード 87,88 信号リード 89 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィンセント・ノエル・カーワティ アメリカ合衆国 アリゾナ州 ツーソン ハイウェイ プレイス 7856 (72)発明者 アントニオ・ルビオ アメリカ合衆国 アリゾナ州 ツーソン ウエスト エリック ストリート 225 (72)発明者 ジョセフ・エム・シュマルホースト アメリカ合衆国 アリゾナ州 ツーソン イースト コーレ オージョス バーデ
Claims (5)
- 【請求項1】外部または近接した信号源により与えられ
る磁束信号を検出する磁気抵抗(MR)ヘッドであっ
て、前記外部信号源は、前記MRヘッドに蓄積静電荷を
発生し、さらに、信号リードおよび接地リードを有す
る、MRヘッドにおいて、 磁束信号を読取る少なくとも1つのMR読取りトランス
デューサと、 磁束信号が、前記MR読取りトランスデューサの所定の
距離内にくるまで、前記少なくとも1つのMR読取りト
ランスデューサからの磁束信号をシールドする少なくと
も1つのMRシールドと、 前記少なくとも1つのMRシールドと接地信号との間に
接続され、前記MRヘッドからの蓄積静電荷を放電する
抵抗と、を備えるMRヘッド。 - 【請求項2】前記MR読取りトランスデューサは、第1
および第2の端部を有するソフト・フィルム・バイアス
磁石と、 前記第1および第2の端部にそれぞれ接続された、第1
および第2の高抵抗率永久磁石と、を有する請求項1記
載のMRヘッド。 - 【請求項3】高抵抗率磁気テープへデータを書込み、お
よび高抵抗率磁気テープからデータを読取る磁気抵抗
(MR)ヘッドであって、前記MRヘッド上を通過する
前記磁気テープにより生じる蓄積静電荷からの静電保護
を、蓄積静電荷を接地リードに短絡することにより与え
る、MRヘッドにおいて、 複数の書込みトランスデューサと、 複数のMR読取りトランスデューサとを備え、 前記複数のMR読取りトランスデューサの各々は、 ソフト・フィルム・バイアス(SFB)磁石と、 前記SFB磁石を挟む、第1および第2の高抵抗率永久
磁石と、 前記複数のMR読取りトランスデューサの各々の上下の
第1および第2のシールドと、 各MRシールドを接地リードに接続する抵抗と、を有す
る、MRヘッド。 - 【請求項4】磁気テープ駆動機構において、磁気抵抗
(MR)ヘッドが、複数のMR読取りトランスデューサ
と、対応する複数の書込みトランスデューサとを備え、
前記MRヘッドが通過する磁気記憶媒体によりMRヘッ
ドに生じる蓄積静電荷に起因する1ビット誤りまたは2
ビット誤りを減らす方法において、(a)第1および第
2のMRシールドで、各MR読取りトランスデューサを
シールドするステップと、(b)各MRシールドから、
前記複数のMR読取りトランスデューサの各々接地リー
ドへの抵抗路を与えるステップと、(c)前記MRヘッ
ドに、磁気記憶媒体を通過させるステップと、(d)各
MRシールドから前記抵抗路を経て、前記MRヘッド上
の蓄積静電荷を短絡するステップと、を含む方法。 - 【請求項5】少なくとも1つのMR読取りセンサと、少
なくとも1つの書込みギャップを有し、前記MR読取り
センサに蓄積され外部信号源により発生された静電荷か
ら、前記MR読取りセンサの保護を与える、磁気抵抗
(MR)ヘッドにおいて、 前記MRセンサの上に設けられた第1のMRシールド
と、 前記MRセンサの下に設けられた第2のMRシールド
と、 前記MR読取りセンサの第1および第2の端部に設けら
れた第1および第2の永久磁石と、 前記第1および第2の永久磁石にそれぞれ接続された第
1および第2の薄い金リードと、 前記第1および第2の薄い金リードにそれぞれ接続され
た第1および第2の厚い金信号リードとを備え、前記第
1および第2の厚い金リードは、信号リードおよび接地
リードをそれぞれコンタクトするために設けられ、 前記第1および第2永久磁石と同じ永久磁石材料よりな
り、前記第1のMRシールドと前記第2の厚い金リード
との間に接続され、前記MRヘッド上の蓄積静電荷を消
散させるための、接地への通路を与える抵抗と、を備え
るMRヘッド。
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