JPH0821673B2 - Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents
Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereofInfo
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- JPH0821673B2 JPH0821673B2 JP1225661A JP22566189A JPH0821673B2 JP H0821673 B2 JPH0821673 B2 JP H0821673B2 JP 1225661 A JP1225661 A JP 1225661A JP 22566189 A JP22566189 A JP 22566189A JP H0821673 B2 JPH0821673 B2 JP H0821673B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、リードフレーム、半導体装置およびその製
造方法に係り、特にそのインナーリード先端の構造に関
する。The present invention relates to a lead frame, a semiconductor device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a structure of an inner lead tip thereof.
（従来の技術） 半導体装置の小形化および高集積化に伴い、リードフ
レームのインナーリード先端が細くなり、変形を生じ易
くなってきている。このようなインナーリードの変形
は、リードの短絡やボンディング不良を生じ易く、リー
ドフレームの歩留まり低下や、半導体装置の信頼性低下
の原因の１つになっている。(Prior Art) With the miniaturization and high integration of semiconductor devices, the tips of the inner leads of the lead frame have become thin and are likely to be deformed. Such deformation of the inner leads is apt to cause short-circuiting of the leads and defective bonding, which is one of the causes of lowering the yield of the lead frame and lowering the reliability of the semiconductor device.
ところで、リードフレームと半導体素子（チップ）と
の接続方式はワイヤを用いるワイヤボンディング方式
と、ワイヤを用いることなく半導体素子を導体パターン
面に直接固着するワイヤボンディング方式とに大別され
る。By the way, the connection method between the lead frame and the semiconductor element (chip) is roughly classified into a wire bonding method using a wire and a wire bonding method in which the semiconductor element is directly fixed to the conductor pattern surface without using the wire.
これらのうちワイヤボンディング方式は、リードフレ
ームのダイパッドに、チップを熱圧着によりあるいは導
電性接着剤等により固着し、このチップのボンディング
パッドとリードフレームのインナーリードの先端とを金
線等のワイヤを用いて電気的に接続するもので、１本ず
つ接続するためボンディングに要する時間が長く製造作
業性が悪い反面、接続が可撓性のワイヤによってなされ
ているため、ボンディング時におけるワイヤ自体の機械
的強度が高いという長所を有している。Among them, the wire bonding method is a method in which a chip is fixed to a die pad of a lead frame by thermocompression bonding or a conductive adhesive, and a wire such as a gold wire is attached between the bonding pad of this chip and the tip of the inner lead of the lead frame. Since they are electrically connected by using the wires, the time required for bonding is long and the manufacturing workability is poor because they are connected one by one. However, since the connection is made by a flexible wire, the mechanical strength of the wire itself at the time of bonding is used. It has the advantage of high strength.
しかしながら、ピン数の増大に伴い、インナーリード
のリード間ピッチが小さくなり、製作技術も難しくなる
のみならず、インナーリード先端と半導体チップとの距
離も長くなるため、ボンディングワイヤがモールド時に
変形し短絡したりするという問題もある。However, as the number of pins increases, the lead pitch of the inner leads becomes smaller and the manufacturing technology becomes more difficult.In addition, the distance between the tip of the inner leads and the semiconductor chip becomes longer. There is also the problem of
そこで、リードフレームを多層構造とし、単位面積あ
たりのリード本数を増やすことが提案されているが、こ
の場合はモールド金型の製作が困難で、これが生産コス
ト上昇の原因となっている。Therefore, it has been proposed that the lead frame has a multi-layered structure to increase the number of leads per unit area, but in this case, it is difficult to manufacture a molding die, which causes an increase in production cost.
（発明が解決しようとする課題） このように、従来のリードフレームによれば、高密度
化に伴い、インナーリードのリード間ピッチには限界が
あり、このため、チップ搭載部とインナーリード先端と
の間隔を大きくとらなければならなくなり、ボンディン
グワイヤが長くなり、モールド時に変形し短絡を生じる
という問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, according to the conventional lead frame, the pitch between the leads of the inner leads is limited due to the increase in density, and therefore, the chip mounting portion and the inner lead tips are Therefore, there is a problem in that the bonding wire has to be made large, the bonding wire becomes long, and it deforms during molding to cause a short circuit.
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、高密度化
に際しても、信頼性の高い半導体装置を提供することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having high reliability even in high density.
（問題点を解決するための手段） そこで本発明の第１では、半導体素子搭載部分を囲む
ように形成された複数のインナーリードと、各インナー
リードそれぞれに連続して形成された複数のアウターリ
ードとを備えたリードフレーム本体部と、その外縁ライ
ンが前記各インナーリードの先端を結ぶラインより外側
にあり、中心部に半導体素子搭載用の穴を具備し、さら
に外縁側端部を有する複数の導体パターンを具えた絶縁
性フィルムとで構成され、各インナーリードの先端から
半導体素子搭載部分にむけて所定の距離だけ離れた位置
に各導体パターンの外縁側端部が位置すると共に両者が
ワイヤボンディングにより接続されるように絶縁性フィ
ルムの外縁と各インナーリードの先端とを固着してなる
ことを特徴とする。(Means for Solving the Problems) Therefore, according to the first aspect of the present invention, a plurality of inner leads formed so as to surround the semiconductor element mounting portion and a plurality of outer leads formed continuously with the respective inner leads. And a lead frame body portion having an outer edge line outside the line connecting the tips of the inner leads, a hole for mounting a semiconductor element in the central portion, and a plurality of outer edge side edge portions. It is composed of an insulating film with a conductor pattern, and the outer edge of each conductor pattern is located at a predetermined distance from the tip of each inner lead toward the semiconductor element mounting part and both are wire bonded. The outer edge of the insulating film and the tip of each inner lead are fixed so as to be connected by.
また、本発明の第２では、半導体素子搭載部分を囲む
ように形成された複数のインナーリードと、各インナー
リードそれぞれに連続して形成された複数のアウターリ
ードとを備えたリードフレーム本体部を形状加工するリ
ードフレーム本体部形成工程と、絶縁性フィルム上に導
体膜の形成されたフィルムを用意し、エッチングによ
り、その外縁ラインが前記各インナーリードの先端を結
ぶラインより外側にあり、中心部に半導体素子搭載用の
穴を具備し、さらに外縁側端部を有する複数の導体パタ
ーンを具えた絶縁性フィルムを形成する絶縁性フィルム
形成工程と、各インナーリードの先端から半導体素子搭
載部分にむけて所定の距離だけ離れた位置に各導体パタ
ーンの外縁側端部が位置すると共に両者がワイヤボンデ
ィングにより接続されるように前記絶縁性フィルムの外
縁と各インナーリードの先端とを固着する接続工程とを
含むことを特徴とする。Further, according to a second aspect of the present invention, a lead frame main body portion including a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion and a plurality of outer leads continuously formed on each inner lead is provided. A lead frame main body forming step of shaping and preparing a film on which a conductive film is formed on an insulating film, and the outer edge line is outside the line connecting the tips of the inner leads by etching, and the central portion Insulating film forming step of forming an insulating film having a plurality of conductor patterns having outer edge side end portions with holes for mounting semiconductor elements, and from the tip of each inner lead to the semiconductor element mounting portion And the outer edge of each conductor pattern is located at a predetermined distance away from each other and both are connected by wire bonding. Characterized in that it comprises a connection step of fixing the distal end of the outer edge and the inner lead of the insulating film as.
本発明の第３では、半導体素子搭載部分を囲むように
形成された複数のインナーリードと、各インナーリード
それぞれに連続して形成された複数のアウターリードと
を備えたリードフレーム本体部と、その外縁ラインが前
記各インナーリードの先端を結ぶラインより外側にあ
り、中心部に半導体素子搭載用の穴を具備し、さらに外
縁側端部を有する複数の導体パターンを具えた絶縁性フ
ィルムとで構成され、各インナーリードの先端から半導
体素子搭載部分にむけて所定の距離だけ離れた位置を各
導体パターンの外縁側端部が位置するように絶縁性フィ
ルムの外縁と各インナーリードの先端とを固着してなる
半導体素子搭載部分を囲むように形成された複数のイン
ナーリードと、各インナーリードそれぞれに連続して形
成された複数のアウターリードとを備えたリードフレー
ム本体部と、前記各インナーリードの先端から所定の間
隔を隔てて配設され、半導体素子搭載部部分にむけて伸
長する導体パターンを備えた絶縁性フィルムからなる先
端接続部とで構成され、前記インナーリード先端よりも
外側に位置するように形成された前記絶縁性フィルムの
外縁と、各インナーリードの先端を重ねて固着してなる
リードフレームと、前記絶縁性フィルムの裏面側に貼着
され、前記絶縁性フィルムの穴から半導体素子搭載部分
を露呈してなる放熱板と、前記放熱板の前記半導体素子
搭載部分に搭載された半導体素子と、前記導体パターン
の両端が前記各インナーリードの先端および前記半導体
素子のボンディングパッドにそれぞれボンディングワイ
ヤを介して接続され、前記絶縁性フィルムの導体パター
ンを介して、インナーリードと半導体素子のボンディグ
パッドとが導通するように接続されていることを特徴と
する。According to a third aspect of the present invention, a lead frame main body including a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads formed continuously with each inner lead, and The outer edge line is outside the line connecting the tips of the respective inner leads, is provided with a hole for mounting a semiconductor element in the center portion, and is further composed of an insulating film having a plurality of conductor patterns having outer edge side end portions. Then, the outer edge of the insulating film and the tip of each inner lead are fixed so that the outer edge of each conductor pattern is located a predetermined distance from the tip of each inner lead toward the semiconductor element mounting part. A plurality of inner leads formed so as to surround the semiconductor element mounting portion and a plurality of outer leads continuously formed on the respective inner leads. A lead frame main body portion provided with a lead, and a tip connection made of an insulating film provided with a predetermined distance from the tips of the inner leads and having a conductor pattern extending toward the semiconductor element mounting portion. And an outer edge of the insulating film formed so as to be positioned outside the inner lead tips, and a lead frame in which the tips of the inner leads are overlapped and fixed, and the insulating film A heat radiating plate which is attached to the back surface and exposes a semiconductor element mounting part from the hole of the insulating film, a semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting part of the heat radiating plate, and both ends of the conductor pattern are The tip of each inner lead and the bonding pad of the semiconductor element are connected via a bonding wire, respectively, Through the conductor pattern, characterized in that the a bonding pad of the inner lead and the semiconductor element are connected to conduct.
本発明の第４では、半導体素子搭載部分を囲むように
形成された複数のインナーリードと、各インナーリード
それぞれに連続して形成された複数のアウターリードと
を備えたリードフレーム本体部を形状加工するリードフ
レーム本体部形成工程と、絶縁性フィルム上に導体膜の
形成されたフィルムを用意し、エッチングにより、その
外縁ラインが前記各インナーリードの先端を結ぶライン
より外側にあり、中心部に半導体素子搭載用の穴を具備
し、さらに外縁側端部を有する複数の導体パターンを具
えた絶縁性フィルムを形成する絶縁性フィルム形成工程
と、前記絶縁性フィルムとほぼ同一の外縁を有する放熱
板上に、前記絶縁性フィルムを載置し、前記絶縁性フィ
ルムの穴から半導体素子搭載部分を露呈せしめるととも
に、さらに各インナーリードの先端から半導体素子搭載
部分にむけて所定の距離だけ離れた位置に各導体パター
ンの外縁側端部が位置するように、前記絶縁性フィルム
の外縁上に各インナーリードの先端を重ねて固着する接
続工程と、前記放熱板上の半導体素子搭載部分に半導体
チップを載置すると共にさらに各導体パターンの両端を
ワイヤボンディング法により、各インナーリードの先端
および半導体チップに接続するボンディング工程とを含
むようにしたことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, a lead frame main body portion having a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion and a plurality of outer leads continuously formed on each inner lead is formed. The step of forming the lead frame main body and the film in which the conductor film is formed on the insulating film are prepared, and the outer edge line is outside the line connecting the tips of the inner leads by etching, and the semiconductor is formed at the center. An insulating film forming step of forming an insulating film having a plurality of conductor patterns having holes for mounting elements and further having an outer edge side end, and a heat dissipation plate having an outer edge substantially the same as the insulating film. The insulating film, the semiconductor element mounting portion is exposed from the hole of the insulating film, and each inner The tip of each inner lead is superposed and fixed on the outer edge of the insulating film so that the outer edge of each conductor pattern is located at a predetermined distance from the tip of the lead toward the semiconductor element mounting portion. And a bonding step of mounting a semiconductor chip on the semiconductor element mounting portion on the heat dissipation plate and further connecting both ends of each conductor pattern to the tip of each inner lead and the semiconductor chip by a wire bonding method. It is characterized by doing so.
（作用） 上記構成によれば、インナーリード先端に高精度の導
体パターンがワイヤボンディングによって接続されるた
め、インナーリードの長さを通常よりも短く設計するこ
とができ、インナーリードが外力または内部応力により
変形し短絡するのを防止することができる。(Operation) According to the above configuration, since the high-precision conductor pattern is connected to the tip of the inner lead by wire bonding, the length of the inner lead can be designed shorter than usual, and the inner lead is not affected by external force or internal stress. This prevents deformation and short circuit.
そして導体パターンは高精度に形成することができる
ため、半導体素子のボンディングパッドにより近接して
形成することが可能となり、ボンディングワイヤの長さ
を短くすることが可能となる。Since the conductor pattern can be formed with high precision, it can be formed closer to the bonding pad of the semiconductor element, and the length of the bonding wire can be shortened.
すなわち、中央に半導体素子搭載用の穴を有し、導体
パターンの形成された絶縁性フィルム外縁表面に、リー
ドフレーム本体部のインナーリードの先端を、固着し
て、機械的接続を達成するとともに、電気的接続は、ワ
イヤボンディングによって達成するようにしたものであ
る。インナーリード先端は、絶縁性フィルムの導体パタ
ーン形成領域の外側に固着されるため、接続位置を高精
度に規定する必要はなく、電気的接続はボンディングワ
イヤを介して達成されるため、製造作業性が良好で、極
めて実用的である。That is, having a hole for mounting a semiconductor element in the center, the tip of the inner lead of the lead frame main body is fixed to the outer edge surface of the insulating film on which the conductor pattern is formed, while achieving mechanical connection, The electrical connection is made by wire bonding. Since the tip of the inner lead is fixed to the outside of the conductive pattern forming area of the insulating film, it is not necessary to specify the connection position with high accuracy, and the electrical connection is achieved through the bonding wire, so that the manufacturing workability is improved. Is good and extremely practical.
また、本発明の半導体装置およびその製造方法では、
放熱板上に、絶縁性フィルムを介して、リードフレーム
本体部のインナーリード先端部を重ねて固着し、その後
半導体素子を搭載し、ワイヤボンディングを行うように
構成されているため、上記効果に加え、製造時に、放熱
板によって絶縁性フィルムが支持された状態となる上、
半導体チップは絶縁性フィルムに形成された穴内で直接
放熱板に固着されるため、放熱性が良好で信頼性の高い
ものとなる。Further, in the semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the present invention,
In addition to the above effects, the inner lead tip of the lead frame main body is overlaid and fixed on the heat sink via the insulating film, and then the semiconductor element is mounted and wire bonding is performed. , In the manufacturing process, the heat dissipation plate supports the insulating film.
Since the semiconductor chip is directly fixed to the heat sink in the hole formed in the insulating film, the heat dissipation is good and the reliability is high.
また、上記方法によれば、インナーリードの先端部は
絶縁性フィルム上の導電性の膜をエッチングによりパタ
ーニングして形成されるため、導電性の膜は絶縁性フィ
ルムによって支持されない場合に比べ大幅に薄くするこ
とができ、パターン精度が極めて良好であり、肉薄パタ
ーンをエッチングで形成する場合に比べ、エッチング量
も少ないため、コストも低減することができる。Further, according to the above method, since the tip portion of the inner lead is formed by patterning the conductive film on the insulating film by etching, the conductive film is significantly larger than the case where it is not supported by the insulating film. The thickness can be reduced, the pattern accuracy is extremely good, and the etching amount is smaller than in the case of forming a thin pattern by etching, so that the cost can be reduced.
（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ、
詳細に説明する。(Examples) Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings.
The details will be described.
第１図（ａ）および第１図（ｂ）は、本発明実施例の
リードフレームを示す図、第１図（ｃ）は接合用の絶縁
性テープの断面拡大図、第２図（ａ）および第２図
（ｂ）は、本発明実施例のリードフレームを用いた半導
体装置を示す図（第２図（ｂ）は第２図（ａ）の断面図
を示すが、第２図（ａ）では内部のみを示し、ボンディ
ングワイヤ、モールド樹脂は省略した）である。1 (a) and 1 (b) are views showing a lead frame of an embodiment of the present invention, FIG. 1 (c) is an enlarged sectional view of an insulating tape for bonding, and FIG. 2 (a). 2 and FIG. 2 (b) are views showing a semiconductor device using the lead frame of the embodiment of the present invention (FIG. 2 (b) is a sectional view of FIG. 2 (a), but FIG. ) Indicates only the inside, and the bonding wire and mold resin are omitted).
このリードフレームは、半導体素子搭載部分２から所
定の間隔を隔てた位置から放射状に延びる複数のインナ
ーリード１と、各インナーリード本体に延設して一体的
に形成されたアウターリード３とを有するリードフレー
ム本体部R1と、各インナーリードの先端にボンディング
ワイヤを介して接続されるように配設され、半導体素子
搭載部分２にむけて伸長する金パターン1Pを備えたポリ
イミドフィルム11からなる先端接続部R2とが、ポリイミ
ド樹脂の両面にエポキシ樹脂を接合してなり、半導体素
子搭載領域に穴を形成した絶縁性テープ４を介して接合
されてなるものである。The lead frame has a plurality of inner leads 1 extending radially from a position spaced apart from the semiconductor element mounting portion 2 by a predetermined distance, and outer leads 3 formed integrally with the inner lead bodies so as to extend therein. Tip connection consisting of the lead frame body R1 and a polyimide film 11 provided with gold patterns 1P that are arranged so as to be connected to the tips of each inner lead via bonding wires and that extend toward the semiconductor element mounting portion 2. The part R2 is formed by bonding epoxy resin on both sides of polyimide resin and bonding them via an insulating tape 4 having a hole formed in a semiconductor element mounting region.
そしてこの半導体装置は、第２図に示すように、第１
図に示したリードフレームの該絶縁性テープ４の裏面に
放熱板７を接合し、この放熱板７上に上に半導体素子５
を固着すると共に、ボンディングワイヤ６によって金パ
ターン1Pの両端を半導体チップとインナーリードとに接
合し、外側を樹脂８によって封止されている。This semiconductor device, as shown in FIG.
A heat radiating plate 7 is bonded to the back surface of the insulating tape 4 of the lead frame shown in the figure, and the semiconductor element 5 is provided on the heat radiating plate 7.
The gold pattern 1P is bonded to both ends of the gold pattern 1P with the semiconductor chip and the inner leads by the bonding wires 6, and the outside is sealed with the resin 8.
次に、この半導体装置の製造方法について説明する。 Next, a method of manufacturing this semiconductor device will be described.
まず、スタンピング法により、銅合金からなる帯状材
料を加工することにより、半導体素子を搭載するための
領域２から所定の間隔（通常のリードフレームよりは長
くする）をおいて、このまわりに先端がくるように配列
された多数のインナーリード１と、各インナーリードに
接続するように配設せしめられたアウターリード３とを
含むリードフレーム本体R1を成型する。First, a band-shaped material made of a copper alloy is processed by a stamping method to leave a predetermined distance (longer than a normal lead frame) from a region 2 for mounting a semiconductor element, and a tip is formed around this region. A lead frame main body R1 including a large number of inner leads 1 arranged in a zigzag shape and outer leads 3 arranged so as to be connected to each inner lead is molded.
次いで、ポリイミド樹脂11の表面に金箔1Pを接合して
なる基板を用意し、これをエッチング法によりパターニ
ングし、各インナーリード本体の先端に対応するように
配設され、半導体素子を搭載するための領域２に穴が開
けられ、この領域にむけて伸長する金パターンを形成
し、先端接続部R2を形成する。Then, prepare a substrate obtained by bonding the gold foil 1P to the surface of the polyimide resin 11, patterning this by an etching method, and arranging so as to correspond to the tips of each inner lead body, for mounting a semiconductor element. A hole is drilled in the region 2 to form a gold pattern that extends toward this region to form the tip connection portion R2.
この後、第１図（ｃ）に示すように、ポリイミド樹脂
4sの両面にエポキシ樹脂4aを接合してなり、半導体素子
搭載領域に穴を形成した絶縁性テープ４を用意する。Then, as shown in FIG. 1 (c), the polyimide resin
An insulating tape 4 having epoxy resin 4a bonded to both surfaces of 4s and having holes formed in a semiconductor element mounting region is prepared.
そして、第１図（ａ）および第１図（ｂ）に示すよう
に、放熱板７上にこと絶縁性テープ４を介してリードフ
レーム本体部1Rおよび先端接続部R2を載置し接合する。Then, as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the lead frame main body portion 1R and the tip connecting portion R2 are placed and joined on the heat sink 7 via the insulating tape 4.
この後半導体素子を放熱板７上に載置し、ワイヤボン
ディング法により、先端接続部R2の金パターン1Pの両端
がそれぞれリードフレーム本体部のインナーリードおよ
び半導体素子５のボンディングパッドにワイヤを介して
接続する。After that, the semiconductor element is placed on the heat sink 7, and both ends of the gold pattern 1P of the tip connection portion R2 are respectively connected to the inner lead of the lead frame main body portion and the bonding pad of the semiconductor element 5 through the wire by the wire bonding method. Connecting.
そしてこの後、モールド工程、枠体の切除工程、アウ
ターリードを所望の形状に折りまげる整形工程を経て、
第２図（ａ）および第２図（ｂ）に示したような半導体
装置が完成する。Then, after this, through a molding step, a frame body cutting step, and a shaping step of folding the outer leads into a desired shape,
The semiconductor device as shown in FIGS. 2A and 2B is completed.
このようにして形成された半導体装置において、導体
パターンは、ポリイミドフィルム上に形成されているた
め、十分に薄く形成することができ、かつ十分な可撓性
を有しており、インナーリード先端の位置精度をより高
く維持することができ、半導体素子搭載領域により近接
して形成できるため、ボンディングワイヤを短くするこ
とができ、短絡のおそれもなく信頼性の高いものとな
る。In the semiconductor device thus formed, since the conductor pattern is formed on the polyimide film, it can be formed sufficiently thin and has sufficient flexibility. Since the positional accuracy can be maintained higher and it can be formed closer to the semiconductor element mounting region, the bonding wire can be shortened and there is no fear of short circuit, resulting in high reliability.
また、この金パターン1P（インナーリードの先端部）
はポリイミドフィルム上に接合された金箔の膜をエッチ
ングによりパターニングして形成されるため、フィルム
によって支持されない場合に比べ大幅に薄くすることが
でき、パターン精度が極めて良好であり、肉薄パターン
をエッチングで形成する場合に比べ、エッチング量も少
ないため、コストも大幅に低減することができる。Also, this gold pattern 1P (the tip of the inner lead)
Since it is formed by patterning a gold foil film bonded on a polyimide film by etching, it can be made significantly thinner than when it is not supported by the film, pattern accuracy is extremely good, and thin patterns can be etched. Since the amount of etching is small as compared with the case where it is formed, the cost can be significantly reduced.
さらに、打ち抜きによって形成されるリードフレーム
本体部のインナーリードは短く形成されるため変形はよ
り少なくてすみ、またリードフレームへのチップの実装
に際してチップのボンディングパッドとインナーリード
の先端の金パターンとの固着工程における熱履歴によっ
てもモールド工程における熱履歴によっても、インナー
リード先端部はポリイミドフィルム上の正しい位置に固
定されているため、接続不良を生じたりすることなく信
頼性の高い半導体装置を得ることが可能となる。Furthermore, since the inner lead of the lead frame body formed by punching is formed short, less deformation is required, and when mounting the chip on the lead frame, the bonding pad of the chip and the gold pattern at the tip of the inner lead are The tip of the inner lead is fixed at the correct position on the polyimide film due to both the heat history in the fixing process and the heat history in the molding process, so that a highly reliable semiconductor device can be obtained without causing connection failure. Is possible.
さらにまた、このようにして形成された半導体装置は
実装工程中のみならず、完成後においても、放熱板７の
存在により放熱性が極めて良好である上、インナーリー
ド先端部はポリイミドフィルム上の正しい位置に固定さ
れているため、極めて信頼性の高いものとなる。Furthermore, the semiconductor device formed in this manner has extremely good heat dissipation due to the presence of the heat dissipation plate 7 not only during the mounting process but also after completion, and the tip of the inner lead is correct on the polyimide film. Since it is fixed in position, it is extremely reliable.
なお、前記実施例では、導体パターンを金箔で形成し
たが、金箔に限定されることなく、銀箔、アルミニウム
箔あるいは他の導体薄膜や複合膜であってもよい。In addition, although the conductor pattern is formed of the gold foil in the above-described embodiment, the conductor pattern is not limited to the gold foil, and may be a silver foil, an aluminum foil, or another conductor thin film or a composite film.
さらにまた、前記実施例では、リードフレーム本体部
と先端接続部との接合を絶縁性テープを介して行うよう
にしたが、この絶縁性テープと同一形状の絶縁性フィル
ム上に導体パターンを形成するようにすれば、熱圧着等
により先端接続部とリードフレーム本体部とを直接接合
することが可能である。Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the lead frame main body and the tip connecting portion are joined via the insulating tape, but the conductor pattern is formed on the insulating film having the same shape as this insulating tape. By doing so, it is possible to directly join the tip connection portion and the lead frame main body portion by thermocompression bonding or the like.
以上説明したように本発明によれば、ワイヤボンディ
ング方式のリードフレームの各インナーリードの先端を
短く形成し、先端部を絶縁性フィルム上に形成された導
体パターンに置き換え、これらの間をワイヤボンディン
グによって接続するようにしているため、インナーリー
ドの変形や劣化を生じることなく、ボンディング性が良
好となり信頼性の高い半導体装置を提供することが可能
となる。As described above, according to the present invention, the tips of the inner leads of the wire bonding type lead frame are formed to be short, and the tips are replaced with the conductor pattern formed on the insulating film, and the wire bonding is performed between them. Since the connection is made by means of the above, it is possible to provide a semiconductor device having good bonding property and high reliability without causing deformation or deterioration of the inner leads.
第１図（ａ）および第１図（ｂ）は本発明実施例のリ
ードフレームのリードフレーム本体部および先端接続部
を示す図、第１図（ｃ）は同絶縁性テープを示す図、第
２図（ａ）および第２図（ｂ）は本発明実施例の半導体
装置を示す図である。 １……インナーリード,R1……リードフレーム本体部、R
2……先端接続部、1P……金パターン、２……半導体素
子搭載部分、３……アウターリード、４……絶縁性テー
プ、５……半導体チップ、７……放熱板、R1……リード
フレーム本体部、R2……先端接続部、11……ポリイミド
フィルム（絶縁性テープ）。1 (a) and 1 (b) are views showing a lead frame main body portion and a tip connecting portion of a lead frame of an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (c) is a view showing the same insulating tape. 2 (a) and 2 (b) are views showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 1 …… Inner lead, R1 …… Lead frame body, R
2 ... Tip connection part, 1P ... Gold pattern, 2 ... Semiconductor element mounting part, 3 ... Outer lead, 4 ... Insulating tape, 5 ... Semiconductor chip, 7 ... Heat sink, R1 ... Lead Frame body, R2 ... Tip connection, 11 ... Polyimide film (insulating tape).
Claims (4)
た複数のインナーリードと、各インナーリードそれぞれ
に連続して形成された複数のアウターリードとを備えた
リードフレーム本体部と、 その外縁ラインが前記各インナーリードの先端を結ぶラ
インより外側にあり、中心部に半導体素子搭載用の穴を
具備し、さらに外縁側端部を有する複数の導体パターン
を具えた絶縁性フィルムとで構成され、 各インナーリードの先端から半導体素子搭載部分にむけ
て所定の距離だけ離れた位置に各導体パターンの外縁側
端部が位置すると共に両者がワイヤボンディングにより
接続されるように絶縁性フィルムの外縁と各インナーリ
ードの先端とを固着してなることを特徴とするリードフ
レーム。1. A lead frame main body portion having a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion and a plurality of outer leads continuously formed on the respective inner leads, and an outer edge line thereof. Is outside the line connecting the tips of the inner leads, is provided with a hole for mounting a semiconductor element in the central portion, and is composed of an insulating film having a plurality of conductor patterns having outer edge portions, The outer edge of each conductor pattern is located at a predetermined distance from the tip of each inner lead toward the semiconductor element mounting portion, and the outer edge of the insulating film and the outer edge of the insulating film are connected so that they are connected by wire bonding. A lead frame characterized by being fixed to the tips of inner leads.
た複数のインナーリードと、各インナーリードそれぞれ
に連続して形成された複数のアウターリードとを備えた
リードフレーム本体部を形状加工するリードフレーム本
体部形成工程と、 絶縁性フィルム上に導体膜の形成されたフィルムを用意
し、エッチングにより、その外縁ラインが前記各インナ
ーリードの先端を結ぶラインより外側にあり、中心部に
半導体素子搭載用の穴を具備し、さらに外縁側端部を有
する複数の導体パターンを具えた絶縁性フィルムを形成
する絶縁性フィルム形成工程と、 各インナーリードの先端から半導体素子搭載部分にむけ
て所定の距離だけ離れた位置に各導体パターンの外縁側
端部が位置すると共に両者がワイヤボンディングにより
接続されるように前記絶縁性フィルムの外縁と各インナ
ーリードの先端とを固着する接続工程とを含むことを特
徴とするリードフレームの製造方法。2. A lead for forming a lead frame main body portion, comprising a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads continuously formed on the respective inner leads. The frame main body formation process and the film with the conductive film formed on the insulating film are prepared, and the outer edge line is outside the line connecting the tips of the inner leads by etching, and the semiconductor element is mounted in the center. Insulating film forming step of forming an insulating film having a plurality of conductor patterns having outer edge-side end portions, and a predetermined distance from the tip of each inner lead toward the semiconductor element mounting part Make sure that the outer edge of each conductor pattern is located at a distant position and that both are connected by wire bonding. Method for fabricating a lead frame, characterized in that it comprises a connection step of fixing the distal end of the outer edge and the inner lead of the insulating film.
た複数のインナーリードと、各インナーリードそれぞれ
に連続して形成された複数のアウターリードとを備えた
リードフレーム本体部と、 その外縁ラインが前記各インナーリードの先端を結ぶラ
インより外側にあり、中心部に半導体素子搭載用の穴を
具備し、さらに外縁側端部を有する複数の導体パターン
を具えた絶縁性フィルムとで構成され、 各インナーリードの先端から半導体素子搭載部分にむけ
て所定の距離だけ離れた位置に各導体パターンの外縁側
端部が位置するように絶縁性フィルムの外縁と各インナ
ーリードの先端とを固着してなる半導体素子搭載部分を
囲むように形成された複数のインナーリードと、各イン
ナーリードそれぞれに連続して形成された複数のアウタ
ーリードとを備えたリードフレーム本体部と、 前記各インナーリードの先端から所定の間隔を隔てて配
設され、半導体素子搭載部部分にむけて伸長する導体パ
ターンを備えた絶縁性フィルムからなる先端接続部とで
構成され、前記インナーリード先端よりも外側に位置す
るように形成された前記絶縁性フィルムの外縁と、各イ
ンナーリードの先端を重ねて固着してなるリードフレー
ムと、 前記絶縁性フィルムの裏面側に貼着され、前記絶縁性フ
ィルムの穴から半導体素子搭載部分を露呈してなる放熱
板と、 前記放熱板の前記半導体素子搭載部分に搭載された半導
体素子と、 前記導体パターンの両端が前記各インナーリードの先端
および前記半導体素子のボンディングパッドにそれぞれ
ボンディングワイヤを介して接続され、 前記絶縁性フィルムの導体パターンを介して、インナー
リードと半導体素子のボンディグパッドとが導通するよ
うに接続されていることを特徴とする半導体装置。3. A lead frame main body portion having a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads continuously formed on the respective inner leads, and an outer edge line thereof. Is outside the line connecting the tips of the inner leads, is provided with a hole for mounting a semiconductor element in the central portion, and is composed of an insulating film having a plurality of conductor patterns having outer edge portions, Secure the outer edge of the insulating film and the tip of each inner lead so that the outer edge of each conductor pattern is located at a predetermined distance from the tip of each inner lead toward the semiconductor element mounting part. Inner leads formed so as to surround the semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads formed continuously on each inner lead. And a lead frame main body portion provided with a conductor pattern, and a tip connection made of an insulating film provided with a conductor pattern extending at a predetermined distance from the tips of the inner leads and extending toward the semiconductor element mounting portion. An outer edge of the insulating film formed so as to be located outside of the inner lead tips, and a lead frame in which the tips of the inner leads are fixed by overlapping. A heat radiating plate which is attached to the back surface and exposes a semiconductor element mounting portion from the hole of the insulating film, a semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting portion of the heat radiating plate, and both ends of the conductor pattern are The insulating film is connected to the tips of the inner leads and the bonding pads of the semiconductor element via bonding wires, respectively. Via a conductor pattern, a semiconductor device which is characterized in that the a bonding pad of the inner lead and the semiconductor element are connected to conduct.
た複数のインナーリードと、各インナーリードそれぞれ
に連続して形成された複数のアウターリードとを備えた
リードフレーム本体部を形状加工するリードフレーム本
体部形成工程と、 絶縁性フィルム上に導体膜の形成されたフィルムを用意
し、エッチングにより、その外縁ラインが前記各インナ
ーリードの先端を結ぶラインより外側にあり、中心部に
半導体素子搭載用の穴を具備し、さらに外縁側端部を有
する複数の導体パターンを具えた絶縁性フィルムを形成
する絶縁性フィルム形成工程と、 前記絶縁性フィルムとほぼ同一の外縁を有する放熱板上
に、前記絶縁性フィルムを載置し、前記絶縁性フィルム
の穴から半導体素子搭載部分を露呈せしめるとともに、
さらに各インナーリードの先端から半導体素子搭載部分
にむけて所定の距離だけ離れた位置に各導体パターンの
外縁側端部が位置するように、前記絶縁性フィルムの外
縁上に各インナーリードの先端を重ねて固着する接続工
程と、 前記放熱板上の半導体素子搭載部分に半導体チップを載
置すると共にさらに各導体パターンの両端をワイヤボン
ディング法により、各インナーリードの先端および半導
体チップに接続するボンディング工程とを含むようにし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。4. A lead for shaping a lead frame main body portion, comprising: a plurality of inner leads formed so as to surround a semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads continuously formed on each inner lead. The frame main body formation process and the film with the conductive film formed on the insulating film are prepared, and the outer edge line is outside the line connecting the tips of the inner leads by etching, and the semiconductor element is mounted in the center. An insulating film forming step of forming an insulating film having a plurality of conductor patterns having holes for the outer edge side, and on a heat dissipation plate having an outer edge substantially the same as the insulating film, Place the insulating film, and expose the semiconductor element mounting portion from the hole of the insulating film,
Furthermore, the tip of each inner lead is placed on the outer edge of the insulating film so that the outer edge side end of each conductor pattern is located a predetermined distance from the tip of each inner lead toward the semiconductor element mounting portion. A connecting step of stacking and fixing, and a bonding step of mounting the semiconductor chip on the semiconductor element mounting portion on the heat dissipation plate and further connecting both ends of each conductor pattern to the tip of each inner lead and the semiconductor chip by a wire bonding method. And a method for manufacturing a semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225661A JPH0821673B2 (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225661A JPH0821673B2 (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389539A JPH0389539A (en) | 1991-04-15 |
| JPH0821673B2 true JPH0821673B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=16832796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1225661A Expired - Fee Related JPH0821673B2 (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821673B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232948A (en) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Lead frame |
| JPS6447058A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Shinko Electric Ind Co | Package for semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1225661A patent/JPH0821673B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0389539A (en) | 1991-04-15 |
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