JP4021115B2 - Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a compact, multiple-terminal resin-sealing semiconductor device. SOLUTION: A plurality of leads 2 for transmitting signals that are made of copper foil, and a die pad 3 are allowed to adhere onto an insulating film 6. A terminal land film is used, where the terminal land film has a terminal land 5 that is connected to the lands 2 for transmitting signals, projects from a hole 20 of the film 6, has a recessed part 5-1 inside, and is made of the copper foil. A semiconductor device 13 is bonded onto the die pad 3 by an adhesive 16 for connecting the semiconductor device 13 to the lead 2 for connecting signals by a metal thin wire 14, and the lead 2 for transmitting signals, die pad 3, semiconductor device 13, metal thin wire 14, and recessed part 5-1 of the terminal land part 5 are sealed into a sealing resin 15.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を構成した際、その底面で外部電極を構成するためのランド部を有したターミナルランドフィルムおよびその製造方法とそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】
以下、従来の半導体部品として、樹脂封止型半導体装置について説明する。
【０００４】
現在、半導体装置をプリント基板表面に高密度に実装するために、半導体素子を封止した正方形または長方形の封止樹脂の側面にガル・ウイング形状のリード端子を多数配置したＱＦＰパッケージ化技術が広く使用されている。しかしながら、半導体素子の高機能化（高ＬＳＩ化）により、ＱＦＰパッケージ化技術には、更に外部リード端子数を増やすことが強く望まれている。そこでＱＦＰパッケージの外形寸法を大きくすることなく外部リード端子数を増やすために、現在、端子ピッチが０．３ｍｍの狭ピッチＱＦＰパッケージが一部実用化されている。しかし、これらの半導体装置は、その取り扱いにおいて端子リードの曲がりが大きな問題になる。すなわち、狭ピッチＱＦＰパッケージの製造および実装においては、リード曲がりによる半導体装置の製造歩留まりの低下、そしてプリント基板への半導体実装時の歩留まり低下、および半導体装置を実装したプリント基板の品質低下等に十分な対策が必要になる。
【０００５】
そのためＱＦＰパッケージの上述の課題を解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発されている。図１４に従来の樹脂封止型半導体装置であるＢＧＡパッケージの断面構造を示す。
【０００６】
図示するようにＢＧＡパッケージでは、半導体素子１０４は接着剤１０７を介して両面配線基板１０３の上面に搭載、接着されている。両面配線基板１０３の上下面には配線パターン１０８ａ，１０８ｂが形成され、その上下面の配線パターン１０８ａと配線パターン１０８ｂとは、スルーホール１０９の表面に形成される導体１１０で電気的に接続されている。半導体素子１０４の上面に形成された電極パッド１１１と配線パターン１０８ａとは金属細線１０５で電気的に接続される。この金属細線１０５による電気的接続をする場所以外の配線パターン１０８ａの表面は、ソルダレジスト１１２で被覆されている。半導体素子１０４、金属細線１０５、両面配線基板１０３は封止樹脂１０６によりモールドされて保護されている。
【０００７】
そして両面配線基板１０３の下面の配線パターン１０８ｂの表面も一部を除いて、ソルダレジスト１１２で被覆されている。ソルダレジスト１１２で被覆されていない配線パターン１０８ｂの表面には、半田ボール１１３が形成される。半田ボール１１３は、両面配線基板１０３の下面で、格子状に２次元的に配置される。そしてＢＧＡパッケージ方式で実装された半導体装置をプリント基板に実装する場合の電気的接続は半田ボール１１３を介して行われるものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の樹脂封止型半導体装置はいずれも、下記のような種々の問題点をそれぞれ有していた。
【０００９】
半導体素子の高機能化（高ＬＳＩ化）により、ＱＦＰパッケージ化技術には、さらに外部リード端子数を増やすことが強く望まれている。しかし、ＱＦＰパッケージに代表される樹脂封止型半導体装置は、その取り扱いにおいて端子リードの曲がりが大きな問題になる。また、実装技術においても課題が多く、すなわち、狭ピッチＱＦＰパッケージの製造および実装においては、半導体装置の製造歩留まりの低下、プリント基板への半導体実装時の歩留まり低下、および半導体装置を実装したプリント基板の品質低下等に十分な対策が必要になる。
【００１０】
図１４に示したＢＧＡパッケージ方式の樹脂封止型半導体装置は、半導体装置の下面に２次元的に外部電極端子を配列することにより、同一パッケージサイズでＱＦＰパッケージよりも端子数を多くすることができるという特徴がある。しかし、その反面、ＱＦＰパッケージに比べて劣る点もある。
【００１１】
すなわち、ＢＧＡパッケージ方式の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子１０４を接着・支持する両面配線基板１０３が必要である。また、従来のＱＦＰパッケージの製造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠となり、設備コスト等が発生する。さらに、ＢＧＡパッケージ方式では、通常、両面配線基板１０３としてガラス・エポキシ樹脂基板を使用する。このため半導体素子１０４の樹脂接着・加熱硬化工程で半導体素子１０４に加わる歪み対策、半導体素子１０４の各電極パッド１１１と両面配線基板１０３の表面の配線パターン１０８ａとをワイヤーボンディングにより電気的に接続する工程での両面配線基板１０３の反り対策、半導体素子１０４を接着した面側のみを樹脂封止することによる両面配線基板１０３の反り対策、両面配線基板１０３の反りが多少あった場合における複数の半田ボール１１３の水平面の高さの均一性を確保すること等の製造技術上解決すべき多くの課題がある。
【００１２】
さらに、パッケージの信頼性、特に耐湿性の保証も重要な検討課題となる。例えば、両面配線基板１０３のガラス・エポキシ樹脂とモールドしている封止樹脂１０６との界面の密着力が弱い場合は、高温高湿試験・プレッシャ・クッカー試験等の環境試験において品質保証が困難になるという課題がある。
【００１３】
これらの諸課題の解決策として、セラミック製の両面配線基板の使用は非常に有効な方法であるが、その反面、基板コストが高いという欠点がある。
【００１４】
また、リードフィルムを使用したＢＧＡも数多く提案されているが、リードフィルムの加工限界でアレー状に多くの端子を配列できないため多端子化が困難で、小型、多端端子化の要求に応える半導体装置が実現できず一部の少ない端子の小型化がはかられているに過ぎなかった。
【００１５】
また、ポリミドフィルムを使用したＢＧＡも数多く提案されているが、加工工程の搬送上の課題、はんだボールをつける工数、はんだボールの検査等のコストが高いという欠点がある。
【００１６】
本発明は、上述した従来のリードフィルムを用いたＱＦＰパッケージ技術および基板、フィルムを用いたＢＧＡパッケージ技術を用いた場合の樹脂封止型半導体装置の製造工程、実装時の種々の課題に鑑みて、それら課題を解決するものであり、小型、多端子化の樹脂封止型半導体装置を実現するために、それに適したターミナルランドフィルムおよびその製造方法ならびにそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
また、他の目的として、はんだリフロー工程での信頼性を向上させ、また基板実装後の機械的、熱的、強度不足などに起因する電気的接続不良を低減し、実装信頼性の高い安価なフィルムタイプの電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置を実現できるターミナルランドフィルムおよびその製造方法ならびにそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、複数の穴を有する絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの上面に形成されたダイパッド部と、ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、絶縁性フィルムの上面のダイパッド部の周囲に配置され、半導体素子の電極と金属細線により接続された複数の信号接続用リード部とを備え、信号接続用リード部は、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出した複数のターミナルランド部を有し、複数の信号接続用リード部の金属細線と接続する接続部が一列となるように信号接続用リードが形成されていることを特徴とする。
【００３５】
この請求項１の構成によれば、ダイパッド部，信号接続用リード部およびターミナルランド部を金属箔をエッチング加工して形成でき、この金属箔のエッチング加工において容易にエッチング幅を狭くでき、また、ターミナルランド部は絶縁性フィルムの裏面側に突出して半導体装置の底面に露出した外部電極となり、半導体装置の多端子化、小型化を実現できる。また、外部電極のターミナルランド部は高いスタンドオフを有しているため、基板実装時の接続強度を確保でき、実装信頼性の高いものとなる。なお、絶縁性フィルムの裏面からのターミナルランド部の突出量がそのまま段差を構成してスタンドオフの高さとなる。また、封止樹脂の底面の絶縁性フィルムは樹脂との密着性が良く、水分の進入を抑制できるものである。
【００３６】
請求項２記載の樹脂封止型半導体装置は、複数の穴を有する絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの上面に形成された複数の信号接続用リード部と、信号接続用リード部の上面に形成されたレジスト上に載置された半導体素子とを備え、信号接続用リード部は、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出した複数のターミナルランド部を有し、複数の信号接続用リード部は半導体素子の電極と金属細線により接続されており、複数の信号接続用リード部の金属細線と接続する接続部が一列となるように信号接続用リードが形成されていることを特徴とする。
【００３７】
このようにダイパッド部を無くし、レジスト上に半導体素子を搭載したことにより、同一面積においてより多くの信号接続用リード部およびターミナルランド部を形成できるため、半導体装置の多端子化あるいは小型化をより図ることができる。
請求項３記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置において、ターミナルランド部の絶縁性フィルムの上面側には窪み部が形成され、絶縁性フィルムの上面側を封止樹脂で封止し、かつ窪み部を樹脂で充填したことを特徴とする。
このように、ターミナルランド部の窪みに樹脂を充填したことにより、強度を確保でき、ターミナルランド部の変形を防止でき、実装基板への接続も良好となる。
請求項４記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド部は、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出したサーマルランド部を有することを特徴とする。
請求項５記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置において、サーマルランド部の絶縁性フィルムの上面側には窪み部が形成され、窪み部は樹脂で充填されていることを特徴とする。
このように、ダイパッド部の裏面側に突出したサーマルランド部を設けることにより、搭載される半導体素子からの発熱をサーマルランド部を通して実装基板に放熱することができる。
【００３８】
請求項６記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置において、ターミナルランド部の絶縁性フィルムの下面からの突出量は３０μｍから１００μｍであることを特徴とする。
【００３９】
このようにターミナルランド部の突出量を３０μｍから１００μｍとすることにより、基板実装時のスタンドオフを確保し、適切な実装強度を得ることが可能になる。
【００４０】
請求項７記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド部は、半導体素子よりも小さく形成され、半導体素子の下方にターミナルランド部が存在することを特徴とする。
請求項８記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置において、信号接続用リード部の接続部は、信号接続用リード部のターミナルランド部の上面側部分よりも細く形成されていることを特徴とする。
【００４２】
請求項９記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に、ダイパッド部とダイパッド部の周囲に配置された複数の信号接続用リード部とを形成する工程と、信号接続用リード部を、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、ダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程とを備え、信号接続用リード部を形成する工程においては、複数の信号接続用リードの金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする。
【００４３】
この請求項９の製造方法により、ターミナルランド部の窪みに樹脂を充填した樹脂封止型半導体装置を製造できる。また、ターミナルランドフィルムの絶縁性フィルムが封止工程において樹脂をそのフィルムの裏面に回さない役割も果たし、裏面側への樹脂バリの発生を防止でき、ターミナルランド部の実装基板との接続の信頼性が向上し、バリとり工程も不要となる。
【００４４】
請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に複数の信号接続用リード部を形成する工程と、信号接続用リード部の上面にレジストを形成し、レジスト上に半導体素子を載置する工程と、信号接続用リード部を、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、半導体素子と信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程とを備え、信号接続用リード部を形成する工程においては、複数の信号接続用リードの金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする。
【００４５】
この請求項１０の製造方法により、ターミナルランド部の窪みに樹脂を充填した樹脂封止型半導体装置を製造できる。また、ターミナルランドフィルムの絶縁性フィルムが封止工程において樹脂をそのフィルムの裏面に回さない役割も果たし、裏面側への樹脂バリの発生を防止でき、ターミナルランド部の実装基板との接続の信頼性が向上し、バリとり工程も不要となる。
請求項１１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド部とダイパッド部の周囲に配置された複数の信号接続用リードとを１つのユニットとして、複数のユニットを複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に配置する工程と、信号接続用リード部を、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、ダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程と、ユニットにそれぞれ分離する工程とを備え、信号接続用リード部を形成する工程においては、複数の信号接続用リードの金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする。
請求項１２記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の信号接続用リードと信号接続用リードの上面に形成されたレジスト上に載置された半導体素子とを１つのユニットとして、複数のユニットを複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に配置する工程と、信号接続用リード部を、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、半導体素子と信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程と、ユニットにそれぞれ分離する工程とを備え、信号接続用リード部を形成する工程においては、複数の信号接続用リードの金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする。
請求項１３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項９から１２のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止するとともにターミナルランド部の絶縁性フィルムの上面側に形成された窪み部に樹脂を充填する工程とからなることを特徴とする。
【００４６】
請求項１４記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１１または１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、絶縁性フィルムの複数のユニットが配置された周囲の裏面に補強材を設けて樹脂封止することを特徴とする。
【００４７】
このように補強材を設けることにより、封止工程において、ターミナルランドフィルムの補強による安定と、一定の厚みの確保が可能になる。
【００５２】
請求項１５記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１１または請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、絶縁性フィルムの裏面に封止フィルムを設けて樹脂封止することを特徴とする。
請求項１６記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項９から１５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、ダイパッド部に、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出させることでサーマルランド部を形成することを特徴とする。
請求項１７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、サーマルランド部の絶縁性フィルムの上面側に形成された窪み部を樹脂で充填することを特徴とする。
【００５３】
このようにターミナルランドフィルムの裏面に封止フィルムを設けて樹脂封止することにより、ターミナルランド部の突出の影響を廃して生産性のよい安定した樹脂封止を行うことができる。
また、ダイパッド部の裏面側に突出したサーマルランド部を設けることにより、搭載される半導体素子からの発熱をサーマルランド部を通して実装基板に放熱することができる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のターミナルランドフィルムおよびその製造方法ならびに本発明のターミナルランドフィルムを使用した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００５５】
まず本発明のターミナルランドフィルムの実施の形態について説明する。図１は本実施の形態のターミナルランドフィルムを裏面から見た平面図である。図２は本実施の形態のターミナルランドフィルムを示す断面図であり、図１のＡ−Ａ’箇所の断面を示している。また、図３は本実施の形態のターミナルランドフィルムの１個の樹脂封止型半導体装置に対応する部分を拡大した表面から見た平面図であり、破線で囲んだ領域が１個の樹脂封止型半導体装置の形成領域である。
【００５６】
本実施の形態のターミナルランドフィルム１は、図１に示すように、規格化された一般的にＴＡＢ用テープと呼ばれる標準化されたテープ幅・厚さ、スプロケットホール１１の大きさ・ピッチ等を有する絶縁性フィルム６（図２参照）を母材にしているため、生産設備の汎用性が高く、効率的な生産が可能で、生産性の良い製造工程に適応した安価なターミナルランドフィルムである。搬送、位置決めに使用するスプロケットホール１１、テープ幅・厚さ、接着剤の厚さあるいは種類等も標準的な仕様から選択することが可能である。
【００５７】
図３の拡大図に示すように、信号接続用リード部２が複数列配置され、その中央部にダイパッド部３が配置されている。各信号接続用リード部２の一端はターミナルランド部５を形成するためのターミナルランド形成部５Ａが接続されている。このターミナルランド形成部５Ａを含む信号接続用リード部２とダイパッド部３とは銅箔により構成され、１８，２５μｍ等の規格化された寸法により安価に入手できる。また、下面は、フィルム６に接着剤により密着されている三層フレーム、あるいはフィルム６に蒸着等により密着されている二層フレームよりなる。
【００５８】
信号接続用リード部２に接続されたターミナルランド部５は、内部に窪み部５−１を有しアレー状に配置され、フィルム６に開けられた穴２０より突出している。そして、信号接続用リード部２、ダイパッド部３およびターミナルランド部５の必要なそれぞれの表面には金、パラジウム等の金属メッキを施している。このことにより、小型ではんだボールを必要としない安価で接続信頼性の高い樹脂封止型半導体装置に使用できる。フープで従来のリードフレームのＰｄメッキ工程においてメッキが可能で、金メッキの従来のはんだボールを使用する工法に比べて特に安価である。
【００５９】
ダイパッド部３上には半導体素子が接着剤により固着され、ダイパッド部３より大きな半導体素子の搭載が可能で、半導体素子を信号接続用リード部２の上面に位置させることができる。このことによりランド部５が実質的に半導体素子の下面に位置する小型の半導体装置の生産が可能になる。少なくとも信号接続用リード部２、ダイパッド部３、信号接続用リード部２に接続するターミナルランド部５は薄厚の銅箔であるが、外部端子であるターミナルランド部５は窪み部５−１に樹脂が充填され、それにより強度を確保でき、実装基板に接続されて電気信号を外部に伝達する働きが可能になる。表面には所望する位置にレジスト（図示せず）が塗布されている。
【００６０】
なお、ダイパッド部３にも、窪み部５−１を有するランド部５と同様なサーマルランド部を設け、樹脂封止型半導体装置を製造後、実装基板搭載時に、ランド部５同様半田付け等により半導体素子から発生する熱を逃がす役割をさせることも可能で、サーマルランド部の窪み部にもランド部５の窪み部５−１同様、樹脂が充填されることにより強度を確保できる。
【００６１】
また、ダイパッド部３を設けずに、信号接続用リード部２の少なくとも半導体素子搭載部をレジストによって覆うことにより、レジスト上に半導体素子を接着剤により接着することも可能である。この場合、信号接続用リード部２の数を増やし、より多端子化を図ることができ、発熱量の少ない半導体素子を搭載する場合に有効である。
【００６２】
また、図２のように、フィルム６の表面には、信号接続用リード部２やダイパッド部３と同じ銅箔よりなるフィルム枠４がターミナルランドフィルム１の周囲に形成されている。また、フィルム６の裏面には、フィルム枠４と対向配置して補強材４−１を接着することにより従来のリードフィルムと同様な厚みにすることができ、半導体装置の製造工程においてジグ等を用いて搬送する必要がなく、ＱＦＰ同様の製造の容易さを実現できる。また、信号接続用リード部２、ダイパッド部３は、フィルム６に固着しエッチングするため、信号接続用リード部２および信号接続用リード部間を狭く加工でき、小型でランド数の多いターミナルランドフィルム１である。
【００６３】
また、フィルム６は、信号接続用リード部２、ダイパッド部３の固着とともに、特にダイパッド部３の下面側および信号接続用リード部２の裏面側のターミナルランド部５に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、このフィルム６の存在によって、ダイパッド部３の下面や、信号接続用リード部２の裏面側およびターミナルランド部５の樹脂バリが形成されるのを防止することができる。ランド部５は補強材４−１を接着した領域の内側にあるため、生産各工程において生産性がよく好適なターミナルランドフィルム１を供給できる。
【００６４】
また、このフィルム６は樹脂封止後は切断され、封止樹脂と密着して半導体装置の裏面に存在し、水分の進入を防止し耐湿性を向上する働きもある。
【００６５】
また、このフィルム６はターミナルランド部５がその穴部より突出しスタンドオフを形成する働きもする。ランド部５の形状は必ずしも丸でなくても良く、角形、矩形等でも良い。また、その先端部（下面）は平坦な形状の他に、球形にすることにより半田接続の信頼性がより向上する。大型の半導体装置で実装応力が多くかかり高い信頼性が必要な場合に特に有効である。
【００６６】
また、このフィルム６は少なくとも信号接続用リード部２、ダイパッド部３、信号接続用リード部２に接続するターミナルランド部５と固着し、フィルム枠４と接続する働きをさせることができる。このことにより樹脂封止後切断が容易で生産性のよいターミナルランドフィルム１を供給できる。
【００６７】
この絶縁性フィルム６は、ポリミドフィルムであり、例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂フィルムをベースとして片面に接着剤を有したテープであり、樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。なお、バリとは樹脂封止の際に発生する残余樹脂であり、樹脂成形上不必要な部分である。
【００６８】
また、樹脂封止の際の下側の金型は、このフィルム６の働きにより封止樹脂と接することがないため、バリの発生のほかにも、離型のための押し出しピンや樹脂から金型変形を防止する焼き入れ等の金型構造を単純化することが出来る。
【００６９】
なを、ターミナルランドフィルム１は図１に示したようにパターンが１つではなく複数個、左右、上下の連続した配列になっている。
【００７０】
次に、本実施の形態のターミナルランドフィルム１の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４および図５は、本実施の形態のターミナルランドフィルム１の製造方法を工程順に示した断面図であり、断面図の高さ方向は拡大して表している。
【００７１】
まず図４（ａ）に示すように、第１の工程として、銅箔よりなる金属板７に対して、ランド部形成位置に穴２０加工をしたフィルム６を位置あわせして高温でフィルム６の接着剤で接着する。このフィルムは、基材がポリイミドフィルムで接着剤がエポキシ系の接着剤付きフィルムに銅箔の金属板７を張り付けた三層のポリイミドといわれているものである。また、二層のポリイミドといわれるフィルムとしてもよく、この場合、ポリイミドフィルムに蒸着等で銅箔を密着させた後に穴２０の加工を行うのが一般的で、穴２０加工はレーザーあるいは金型で行いスプロケットホールとともに精度よく加工される。以下、二層のポリイミドの場合も同様の加工方法であり差異はない。
【００７２】
次に図４（ｂ）に示すように、第２の工程として、金属板７に対して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜８ａ，８ｂを形成する。
【００７３】
次に図４（ｃ）に示すように、第３の工程として、エッチングレジスト膜８ａの所定の領域をそれぞれ除去して、開口部９を形成する。この工程は、いわゆるエッチングしない領域のマスクを形成するものである。
【００７４】
次に図５（ａ）に示すように、第４の工程として、金属板７を片面よりエッチングして、開口部９に露出した金属板７部分を除去することにより、フィルム６に固着された薄厚の銅箔よりなる信号接続用リード部２およびダイパッド部３を形成する。このとき同様に、フィルム枠４（図２参照）も銅箔で形成する。
【００７５】
次に図５（ｂ）に示すように、第５の工程として、エッチングレジスト膜８ａ，８ｂの除去を行う。
【００７６】
次に図５（ｃ）に示すように、第６の工程として、金型加工により金属板７をフィルム６の穴２０に突出させ、ランド部５を形成するとともにランド部５の内部に窪み部５−１を形成する。この下面に突出したランド部５は、本実施の形態のターミナルランドフィルムを用いて作製した樹脂封止型半導体装置の実装時にスタンドオフの働きをする。ランド部５の形状は実装信頼性、搭載する半導体素子の電気性能検査コンタクト性等を考慮して決定する。丸形あるいは矩形を基本として先端は平らな形状あるいは球形の形状とする。図６に示す部分拡大図は金型（２１ａ，２１ｂ）でランド部５を形成する概略断面図である。フィルム６の穴２０の周囲を下部金型２１ｂで受け、穴２０よりサイズの小さい上部金型２１ａを上から穴２０部分に押し込むことにより、内部に窪み部５−１を有するランド部５が下面に突出される。
【００７７】
次に図５（ｄ）に示すように、第７の工程として、ターミナルランド部５、信号接続用リード部２、ダイパッド部３等に対して、パラジウム金属積層メッキを必要部分に行う。この金属メッキ層１２はＮｉ−Ｐｄ−Ａｕの三層メッキである。すなわち、銅箔よりなる金属板７を加工して表面をメッキすることにより、最終的な信号接続用リード部２、ダイパッド部３およびランド部５が形成される。また、この一連の工程はＴＡＢ用テープの加工工程の超尺のリールで加工が出来るため生産性のよいメッキ法である。また、このほかにも銀，金などのメッキも可能である。またリードフレームのメッキ工程でのメッキも可能である。
【００７８】
なお、第７の工程で行う金属メッキ層１２の形成は、必ずしも最後でなくても良く、たとえば第５の工程のエッチングレジスト膜８ａ，８ｂの除去後で、第６の工程の金型加工によりランド部５を突出させる前に、金属メッキ層１２を形成することができ、この場合ランド部５の突出の制限が少なくなる。
【００７９】
また、ターミナルランド部５、信号接続用リード部２およびダイパッド部３に同じ金属メッキ層１２を形成したが、例えば、信号接続用リード部２の金属細線の接続部には銀メッキを行い、ランド部５にははんだ接続に適した半田メッキを行うことも可能であり、このように用途にあった複数のメッキを行うことにより品質が向上する。
【００８０】
また、第１の工程において、銅箔の金属板７に、穴２０加工をしたフィルム６を位置あわせし接着する工程は、第５の工程の後でも良く、ランド部５の数、樹脂封止型半導体装置の大きさ、金属板７の銅箔よりなるフィルム枠４との接着方法等により最適化することができる。
【００８１】
その他にも生産性を考慮して適宜工程の順序を変更することができる。
【００８２】
以上のような工程により、フィルム６上に各先端部が延在して配置された信号接続用リード部２、ダイパッド部３の裏面を密着し、フィルム６の裏面より窪み部５−１を有したターミナルランド部５を突出させたターミナルランドフィルム１を製造することが出来る。
【００８３】
図６のように金型による加工の深さによりスタンドオフ高さを決めることが出来るため、ランド部５のピッチが狭くても高いスタンドオフを実現できるとともに、各ランド部５の突出量（スタンドオフ高さ）を均一にできる。これにより、実装接続強度が高い樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【００８４】
また、フィルム６に補強材４−１（図２）を接着することにより、従来のリードフィルムの製造工程で生産される厚さとほぼ同等の厚さにできるため、ターミナルランドフィルム１を製造する工程が安定して確保できると共に、半導体装置の生産も安定した搬送が可能で安価に生産が出来る。つまり長尺のフープでの生産と補強材を接続して必要な工程を短冊で生産することにより、生産の数量、加工制度、装置の特性等により選択できる。なお、補強材４−１は通常、フィルム６を用意する段階で設け、フィルム６と同材料でもよい。
【００８５】
また、本実施の形態の製造方法によると、エッチング加工により信号接続用リード部２およびダイパッド部３を形成するため、容易に幅の狭い信号接続用リード部２およびその間隔を実現でき、図３のように信号接続用リード部２の金属細線の接続部を細く加工し、一列にそろえて配することができ、小型の多くのランド部５を有したターミナルランドフィルム１を容易に実現できる。エッチング加工により、複数の信号接続用リード部２およびダイパッド部３のそれぞれの間隔を２０〜７０μｍにできる。
【００８６】
本実施の形態では、例えば、フィルム６の厚みは２５μｍ、信号接続用リード部２およびダイパッド部３の銅箔の金属板７の厚みは２５μｍとし、ランド部５のフィルム６下面からの突出量（スタンドオフ高さ）を５０μｍとした。また、銅箔をフィルム６に蒸着する場合、例えば、蒸着の銅箔の厚さは１８μｍ、フィルム６の厚みは２５μｍで、接着剤がないため、図４（ａ）の状態では総厚みを５０μｍ以下にできる。
【００８７】
また、ランドの窪み部５−１に予め樹脂等を充填しておくこともできる。
【００８８】
また、後述のように、ダイパッド部３の下面にサーマルランド部２２（図７，図８等参照）を設けてあってもよいことについては、先にも述べた。
【００８９】
次に、本実施の形態の樹脂封止型半導体装置について図面を参照しながら説明する。図７は本実施の形態における樹脂封止型半導体装置の平面図で、封止樹脂は外形のみを表示し透明体とした。図８（ａ）は同樹脂封止型半導体装置の断面図で、図８（ｂ）はその部分拡大断面図である。また、図９（ａ）は同樹脂封止型半導体装置を表面側から見た斜視図、図９（ｂ）は裏面側から見た斜視図であり、図９（ａ）の封止樹脂１５の表面に形成されている円形状の凹みはインデックスマーク（１ピン位置を特定するための印）を示す。なお、図８（ａ），（ｂ）では、各信号接続用リード部２および各ターミナルランド部５についてはそれぞれの断面を図示しており、それらの奥行きについては考慮していない。
【００９０】
本実施の形態の樹脂封止型半導体装置は、前述のターミナルランドフィルム１、すなわち、フィルム６上に、各先端部が延在して配置された複数列の信号接続用リード部２、ダイパッド部３の裏面を密着し、フィルム６の穴２０より窪み部５−１を有したターミナルランド部５を突出させたものを使用している。ただし、ここでは、ダイパッド部３の下面にサーマルランド部２２を形成したものを用いている。このサーマルランド部２２はターミナルランド部５と同様の構成であり、形状および高さ（突出量）もランド部５と略同じであり、前述のターミナルランドフィルムの製造工程において、ランド部５に対応する穴２０に加えてサーマルランド部２２の位置に対応して穴が開けられたフィルム６を用い、図５（ｃ）と図５（ｄ）の工程においてランド部５の形成時に同様にして形成される。すなわち、サーマルランド部２２は、ダイパッド部３の銅箔がフィルム６に開けた穴から突出し、その下面がメッキ加工されて構成されている。
【００９１】
そして、ダイパッド部３上に半導体素子（チップ）１３が接着剤１６により接着されており、半導体素子１３の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード２とは、金属細線１４により互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リード部２，ダイパッド部３，半導体素子１３，金属細線１４およびランド部５の窪み部５−１は封止樹脂１５内に封止されている。また、ダイパッド部３はその大きさが半導体素子１３よりも小さく構成され、半導体素子１３が信号接続用リード部２の上部にまで配置されている。
【００９２】
この樹脂封止型半導体装置では、フィルム６より下面に突出したターミナルランド部５が実装基板との接続端子となる。すなわち、信号接続用リード部２に接続するランド部５の下部が外部電極となっている。図９（ｂ）に示すように、下面はフィルム６により覆われ、ランド部５が突出している。ランド部５には樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、実装基板の電極との接着の信頼性が向上する。
【００９３】
本実施の形態の樹脂封止型半導体装置では、信号接続用リード部２の側方には外部電極端子となるアウターリードが存在せず、信号接続用リード部２に接続され下面に突出したランド部５が外部電極となっているので、ランド数の多い半導体装置の小型化を図ることができる。
【００９４】
また、ランド部５がフィルム６の面より突出して形成されているため、実装基板に実装する際のランド部５と実装基板の電極との接着において、ランド部５のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。
【００９５】
したがって、メッキされたランド部５をそのまま外部端子として用いることができ、金型加工におけるランド部５の窪みの深さ調整とフィルム６の厚さの変更によりスタンドオフ高さを容易に変えることができ、接続信頼性が高く、実装基板への実装のために外部電極部にはんだボールを付設する必要がなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
【００９６】
ここで、本実施の形態の特徴は、ダイパッド部３、信号接続用リード部２の底面側に接着性を有したフィルム６を密着させ、フィルム６に開けた穴２０に、信号接続用リード２に接続され窪み部５−１を有したランド部５を突出させたターミナルランドフィルム１を使用することにある。
【００９７】
また、使用する金属板７が薄厚のため容易に間隔を狭くエッチング加工でき、ボンデング位置を１列にそろえた図１のような多くのランド部５を半導体素子１３の周辺部および下面にアレー状に容易に配することができ、多端子の安価な小型半導体装置が実現できる。
【００９８】
また、ボンデング位置およびボンデング列は容易にエッチングにより変更が可能で、ランド数、半導体素子１３の大きさ等により組み合わせを選択できる。ダイパッド部３を最小のポスト形状にして半導体素子１３の下面により多くの信号接続用リード部２とそれに接続するランド部５を配することも可能で、小型の半導体装置の多端子化が可能になる。
【００９９】
また、本実施の形態では、ダイパッド部３の下面にサーマルランド部２２を形成してあり、半導体素子１３からの発熱をサーマルランド部２２を通して実装基板に放熱する効率の良い働きがある。このサーマルランド部２２にも、ランド部５同様の窪み部があり樹脂が充填されている。
【０１００】
なお、ダイパッド部３を設けず、レジストを信号接続用リード部２の必要な上部に接着して半導体素子１３を搭載するように構成することにより、信号接続用リード部２の数を増やし、さらなる多端子化を図ることもできる。これは、発熱量の少ない半導体素子には有効である。
【０１０１】
次に、本実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１０は本実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【０１０２】
まず、第１の工程で、図１０（ａ）に示すＴＡＢ用に規格化された基本寸法からなるターミナルランドフィルム１を用意する。このターミナルランドフィルム１は、前述のように、ダイパッド部３、信号接続用リード部２の底面側にフィルム６を密着させ、フィルム６に開けた穴２０に信号接続用リード２に接続する窪みを有したランド部５を突出してあり、また、図示を省略しているが、ダイパッド部３の下面にもサーマルランド部２２をランド部５と同様に突出したものである。補強材４−１をつけることにより従来のＱＦＰ等の工程で生産することができる。
【０１０３】
また、本実施の形態におけるターミナルランドフィルム１は、銅（Ｃｕ）素材に対して、下地メッキとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層の金属メッキ済みのターミナルランドフィルム１である。また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。
【０１０４】
次に、図１０（ｂ）に示す第２の工程で、用意したターミナルランドフィルム１のダイパッド部３上に半導体素子１３を載置して、接着剤１６により両者を互いに接着する（図８（ａ）参照）。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。
【０１０５】
次に、図１０（ｃ）に示す第３の工程で、半導体素子１３の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部２とを金属細線１４により電気的に接着する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線１４の接続部は細く加工されているが、フィルム６で固定されているため安定した金属細線１４の接続ができる。また、接続部の下面はランド部５の下面より上部にあるが、設備の工夫で容易に従来同様のボンディング安定性が得られる。
【０１０６】
次に、図１０（ｄ）に示す第４の工程で、半導体素子１３を搭載したターミナルランドフィルム１を金型内に収納し、金型でターミナルランドフィルム１の（外枠）を押圧して、金型内に封止樹脂１５を流し込んで樹脂封止を行う。ターミナルランドフィルム１はランド部５内の窪み部５−１にも樹脂が充填され、安定した封止ができる。ランド部５内の窪み部５−１にも樹脂が充填されるため、薄厚のフィルムにも関わらず実装時の半田接着においてランド部５の変形はない。
【０１０７】
また、第４の工程で、より強い樹脂圧力においても安定した生産を可能にするには、図１１に示すように、ターミナルランドフィルム１の裏面に封止フィルム１７を張り付け、この封止フィルム１７を張り付けたターミナルランドフィルム１の（外枠）を押圧して、金型内に封止樹脂１５を流し込んで樹脂封止を行う。この封止フィルム１７は、特にダイパッド部３の下面側および信号接続用リード部２の裏面側に樹脂封止時に樹脂の圧力がかかり変形するのを緩和する役割を果たし、この封止フィルム１７を張り付けることによって、下面にランド部５やサーマルランド部２２（図９（ｂ）参照）が突出した半導体装置を容易に樹脂封止することができる。なお、少しの変形は構造上、品質、生産上の問題がないのもこの工法の特徴である。
【０１０８】
このような封止フィルム１７を張り付けると、ダイパッド部３の下面の金型部に凸部を設ける必要がなく、金型の共用化が可能で、特に上記のような大型キャビテーを使用する一括封止に有効である。図１１に示す詳細部分図は、金型の締め付け圧力と金型温度により軟化した封止フィルム１７が、突出したランド部５によって生じているターミナルランドフィルム１の裏面側の空隙を埋めている状態を示し、樹脂の圧力を受ける止める働きがある。すなわち、金型とターミナルランドフィルム１の下面の間に封止フィルム１７を介在させ、金型の熱で軟化した封止フィルム１７にランド部５が食い込み、安定した生産が可能になる。
【０１０９】
封止フィルム１７は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。本実施の形態では、ポリイミドを主成分とした封止フィルム１７を用い、厚みは５０μｍとした。
【０１１０】
また、金型で封止する方法には、上記のように大型の金型で一括成形する方法（一括封止）の他、半導体装置ごとに小型の金型で個別に成形する方法（個別封止）が可能で、いずれにしてもターミナルランドフィルム１の上面を樹脂封止する際にランド部５の内部の窪み部５−１にも樹脂を充填して変形を防止して樹脂封止型半導体装置を成型する。なお、封止フィルム１７を用いずに、下側の金型に窪みを設けてランド部５やサーマルランド部２２をはめ込んでもよい。
【０１１１】
次に、封止フィルム１７を張り付けた場合には、封止フィルム１７を剥がした後、図１０（ｅ）に示す第５の工程で、封止樹脂１５で一括封止した多数の半導体装置を切断部１９で切り離すことにより個々の樹脂封止型半導体装置に分離する。これは、図１２に示すように、回転刃１８により切断部１９を切り離す。切り離した個々の樹脂封止型半導体装置の構成は図８と同様である。なお、個別封止した場合は、回転刃１８の代わりに金型による切断も可能である。
【０１１２】
切断部１９に金属部分をなくするターミナルランドフィルム設計も可能で、それにより切断工程の生産性向上がはかれる。また、図１２のように、周囲のフィルム枠４には切断部１９を設けずに、周囲のフィルム枠４を切断しないで各半導体装置に切断分離することにより、後工程の半導体装置の整列工程等の生産性の向上もはかれる。生産性の悪いＣｕフィルムでの生産性が大幅に向上し、回転刃１８の寿命が長くなる。また、図１０（ｄ）の封止済みのターミナルランドフィルムを上下逆から切断することも可能である。
【０１１３】
なお、図１３に、個別封止により製造した樹脂封止型半導体装置の断面を示す。この場合、封止樹脂１５の側面が斜面になっている他は、図８の構成と同様である。また、図１３も図８同様、各信号接続用リード部２および各ターミナルランド部５についてはそれぞれの断面を図示しており、それらの奥行きについては考慮していない。
【０１１４】
本実施の形態の製造方法によると、樹脂封止工程の前に予めダイパッド部３の下面および信号接続用リード部２の裏面にフィルム６を貼付しているので、封止樹脂１５が回り込むことがなく、ダイパッド部３や信号接続用リード部２の裏面には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リード部２の下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、ダイパッド部３の下面や外部電極部上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。
【０１１５】
なお、樹脂封止工程においては、封止金型の熱によって封止フィルム１７が軟化するとともに変形するので、樹脂の圧力と金型の締め付け圧力によりランド部５が封止フィルム１７に食い込み、金型とフィルム６の空隙には封止フィルム１７が埋められる。
【０１１６】
本実施の形態では、図８や図１３に示すように、ターミナルランド部５が突出した構造となり、信号接続用リード部２の下部の外部電極となるランド部５のフィルム６下面からの突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施の形態では、フィルム６の厚みを２５μｍとしており、ランド部５の突出量と同じスタンドオフが得られ５０μｍ程度にできる。このランド部５の突出量は、３０μｍ〜１００μｍの間で設定するのが好ましい。これは、３０μｍ以上でないとスタンドオフとして機能せず、また１００μｍを超えると総高さが大きくなり好ましくないからである。
【０１１７】
なお、用いる封止フィルム１７については、ターミナルランド部５の所望する突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を有する材質を選択することができる。
【０１１８】
また、本発明の要旨を越えない限り種々の変形実施が可能であることはいうまでもない。たとえば、ターミナルランド部５およびサーマルランド部２２の窪み部内部に予め樹脂を充填して強化した後、生産工程に投入することも可能で強度が向上する。
【０１２１】
【発明の効果】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、複数の穴を有する絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの上面に形成されたダイパッド部と、ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、絶縁性フィルムの上面のダイパッド部の周囲に配置され、半導体素子の電極と金属細線により接続された複数の信号接続用リード部とを備え、信号接続用リード部は、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出した複数のターミナルランド部を有し、複数の信号接続用リード部の金属細線と接続する接続部が一列となるように信号接続用リードが形成されていることを特徴とするものである。この構成によれば、ダイパッド部，信号接続用リード部およびターミナルランド部を金属箔をエッチング加工して形成でき、この金属箔のエッチング加工において容易にエッチング幅を狭くでき、また、ターミナルランド部は絶縁性フィルムの裏面側に突出して半導体装置の底面に露出した外部電極となり、半導体装置の多端子化、小型化を実現できる。また、外部電極のターミナルランド部は高いスタンドオフを有しているため、基板実装時の接続強度を確保でき、実装信頼性の高いものとなる。なお、絶縁性フィルムの裏面からのターミナルランド部の突出量がそのまま段差を構成してスタンドオフの高さとなる。また、封止樹脂の底面の絶縁性フィルムは樹脂との密着性が良く、水分の進入を抑制できるものである。
【０１２２】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に、ダイパッド部とダイパッド部の周囲に配置された複数の信号接続用リード部とを形成する工程と、信号接続用リード部を、絶縁性フィルムに開けられた穴を貫通して絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、ダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程とを備え、信号接続用リード部を形成する工程においては、複数の信号接続用リードの金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする。この製造方法により、多端子化、小型化を実現した樹脂封止型半導体装置を製造できる。また、ターミナルランドフィルムの絶縁性フィルムが封止工程において樹脂をそのフィルムの裏面に回さない役割も果たし、裏面側への樹脂バリの発生を防止でき、ターミナルランド部の実装基板との接続の信頼性が向上し、バリとり工程も不要となる。
【０１２３】
また、ターミナルランドフィルムのダイパッド部を無くし、半導体素子を搭載する領域内の信号接続用リード部上にレジストを形成し、レジスト上に半導体素子を搭載することにより、同一面積においてより多くの信号接続用リード部およびターミナルランド部を形成できるため、半導体装置の多端子化あるいは小型化をより図ることができる。
【０１２４】
以上のように本発明によれば、小型、多端子化の樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、基板実装後の機械的、熱的、強度不足などに起因する電気的接続不良を低減し、実装信頼性の高い安価なフィルムタイプの電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のターミナルランドフィルムを裏面から見た平面図。
【図２】本発明の実施の形態のターミナルランドフィルムを示す断面図。
【図３】本発明の実施の形態のターミナルランドフィルムの要部を示す平面図。
【図４】本発明の実施の形態のターミナルランドフィルムの製造工程を示す断面図。
【図５】本発明の実施の形態のターミナルランドフィルムの製造工程を示す断面図。
【図６】本発明の実施の形態のターミナルランドフィルムの製造工程を示す断面図。
【図７】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す平面図。
【図８】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図９】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す斜視図。
【図１０】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図１１】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図１２】本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す斜視図。
【図１３】本発明の他の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図１４】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置の断面図。
【符号の説明】
１ ターミナルランドフィルム
２ 信号接続用リード部
３ ダイパッド部
４ フィルム枠
４−１ 補強材
５ ターミナルランド部
５−１ 窪み部
６ 絶縁性フィルム
７ 金属板
８ａ，８ｂ エッチングレジスト膜
９ 開口部
１１ スプロケットホール
１２ 金属メッキ層
１３ 半導体素子（チップ）
１４ 金属細線
１５ 封止樹脂
１６ 接着剤
１７ 封止フィルム
１８ 回転刃
１９ 切断部
２０ 穴
２２ サーマルランド部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a terminal land film having a land portion for forming an external electrode on the bottom surface of a semiconductor device, a manufacturing method thereof, a resin-encapsulated semiconductor device using the same, and a manufacturing method thereof It is.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in order to cope with the downsizing of electronic devices, it has been required to mount semiconductor components mounted on electronic devices with high density, and accordingly, the downsizing and thinning of semiconductor components have been accelerated. .
[0003]
Hereinafter, a resin-encapsulated semiconductor device will be described as a conventional semiconductor component.
[0004]
Currently, in order to mount a semiconductor device on a printed circuit board surface with high density, QFP packaging technology is widely used in which a large number of gull-wing shaped lead terminals are arranged on the side of a square or rectangular sealing resin encapsulating semiconductor elements. in use. However, the QFP packaging technology is strongly desired to further increase the number of external lead terminals due to the higher functionality of semiconductor elements (higher LSI). Thus, in order to increase the number of external lead terminals without increasing the external dimensions of the QFP package, a narrow pitch QFP package with a terminal pitch of 0.3 mm is currently in practical use. However, in these semiconductor devices, the bending of terminal leads becomes a big problem in handling. That is, in manufacturing and mounting of a narrow pitch QFP package, it is sufficient for a decrease in manufacturing yield of the semiconductor device due to lead bending, a decrease in yield when mounting the semiconductor on the printed circuit board, and a decrease in quality of the printed circuit board on which the semiconductor device is mounted. Measures are required.
[0005]
Therefore, a BGA (Ball Grid Array) package has been developed as a package technology that solves the above-described problems of the QFP package. FIG. 14 shows a cross-sectional structure of a BGA package which is a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
[0006]
As shown in the figure, in the BGA package, the semiconductor element 104 is mounted and bonded to the upper surface of the double-sided wiring substrate 103 via an adhesive 107. Wiring patterns 108 a and 108 b are formed on the upper and lower surfaces of the double-sided wiring substrate 103, and the wiring patterns 108 a and 108 b on the upper and lower surfaces are electrically connected by a conductor 110 formed on the surface of the through hole 109. Yes. The electrode pad 111 formed on the upper surface of the semiconductor element 104 and the wiring pattern 108 a are electrically connected by a thin metal wire 105. The surface of the wiring pattern 108 a other than the place where electrical connection is made by the fine metal wire 105 is covered with a solder resist 112. The semiconductor element 104, the fine metal wire 105, and the double-sided wiring substrate 103 are protected by being molded with a sealing resin 106.
[0007]
The surface of the wiring pattern 108 b on the lower surface of the double-sided wiring substrate 103 is also covered with a solder resist 112 except for a part. Solder balls 113 are formed on the surface of the wiring pattern 108 b that is not covered with the solder resist 112. The solder balls 113 are two-dimensionally arranged in a lattice shape on the lower surface of the double-sided wiring board 103. The electrical connection when the semiconductor device mounted by the BGA package method is mounted on the printed board is made through the solder balls 113.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, each of the above conventional resin-encapsulated semiconductor devices has the following various problems.
[0009]
It is strongly desired to further increase the number of external lead terminals in the QFP packaging technology due to the higher functionality of semiconductor elements (higher LSI). However, in the resin-encapsulated semiconductor device represented by the QFP package, the bending of the terminal lead becomes a big problem in handling. There are also many problems in the mounting technology, that is, in the manufacture and mounting of a narrow pitch QFP package, the manufacturing yield of the semiconductor device decreases, the yield decreases when the semiconductor is mounted on the printed circuit board, and the printed circuit board on which the semiconductor device is mounted Sufficient measures are required to reduce the quality of the product.
[0010]
In the BGA package type resin-encapsulated semiconductor device shown in FIG. 14, the external electrode terminals are two-dimensionally arranged on the lower surface of the semiconductor device, so that the number of terminals is larger than that of the QFP package with the same package size. There is a feature that can be done. However, it is inferior to the QFP package.
[0011]
That is, the BGA package type resin-encapsulated semiconductor device requires the double-sided wiring substrate 103 that adheres and supports the semiconductor element 104. In addition, it is indispensable to introduce new manufacturing equipment other than the conventional QFP package manufacturing equipment, resulting in equipment costs. Further, in the BGA package system, a glass / epoxy resin substrate is usually used as the double-sided wiring substrate 103. For this reason, countermeasures against distortion applied to the semiconductor element 104 in the resin bonding / heat-curing process of the semiconductor element 104, and each electrode pad 111 of the semiconductor element 104 and the wiring pattern 108a on the surface of the double-sided wiring substrate 103 are electrically connected by wire bonding. Countermeasures for warpage of double-sided wiring board 103 in the process, countermeasures for warping of double-sided wiring board 103 by resin-sealing only the side to which semiconductor element 104 is bonded, and a plurality of solders when there is some warpage of double-sided wiring board 103 There are many problems to be solved in manufacturing technology, such as ensuring the uniformity of the height of the horizontal surface of the ball 113.
[0012]
Furthermore, ensuring the reliability of the package, in particular moisture resistance, is also an important consideration. For example, if the adhesive strength at the interface between the glass / epoxy resin of the double-sided wiring board 103 and the molded sealing resin 106 is weak, quality assurance becomes difficult in environmental tests such as high-temperature and high-humidity tests, pressure and cooker tests. There is a problem of becoming.
[0013]
As a solution to these various problems, the use of a ceramic double-sided wiring board is a very effective method, but on the other hand, there is a drawback that the board cost is high.
[0014]
Many BGAs using lead film have also been proposed, but it is difficult to increase the number of terminals because the number of terminals cannot be arranged in an array due to the processing limit of the lead film. However, the miniaturization of a small number of terminals was only attempted.
[0015]
Although many BGAs using a polyimide film have been proposed, there are disadvantages such as problems in conveying the processing steps, man-hours for attaching solder balls, and costs for inspection of solder balls.
[0016]
The present invention is in view of various problems during the manufacturing process and mounting of a resin-encapsulated semiconductor device using the above-described conventional QFP package technology and substrate using a lead film, and BGA package technology using a film. In order to solve these problems, in order to realize a small-sized, multi-terminal resin-encapsulated semiconductor device, a terminal land film suitable for the same, a manufacturing method thereof, and a resin-encapsulated semiconductor device using the same It aims at providing the manufacturing method.
[0017]
In addition, for other purposes, reliability in the solder reflow process is improved, and electrical connection failures due to mechanical, thermal, and insufficient strength after mounting on the board are reduced, and mounting reliability is high and inexpensive. It is an object to provide a terminal land film capable of realizing a film-type electrode-bottom-exposed resin-encapsulated semiconductor device, a manufacturing method thereof, a resin-encapsulated semiconductor device using the terminal land film, and a manufacturing method thereof.
[0034]
[Means for Solving the Problems]
  Claim1The resin-encapsulated semiconductor device described isAn insulating film having a plurality of holes, a die pad portion formed on the upper surface of the insulating film, a semiconductor element mounted on the upper surface of the die pad portion, and a semiconductor disposed around the die pad portion on the upper surface of the insulating film. A plurality of signal connection leads connected by thin metal wires, the signal connection leads passing through holes formed in the insulating film and projecting to the lower surface of the insulating film. The signal connection lead has a terminal land portion, and the signal connection leads are formed so that the connection portions connected to the metal thin wires of the plurality of signal connection lead portions are in a line..
[0035]
  This claim1According to the configuration, the die pad portion, the signal connection lead portion, and the terminal land portion can be formed by etching the metal foil, and the etching width can be easily narrowed in the etching processing of the metal foil. The external electrode protrudes to the back side of the insulating film and is exposed on the bottom surface of the semiconductor device, so that the semiconductor device can be multiterminal and miniaturized. Further, since the terminal land portion of the external electrode has a high standoff, the connection strength at the time of mounting on the board can be secured, and the mounting reliability is high. In addition, the protrusion amount of the terminal land part from the back surface of the insulating film constitutes a step as it is and becomes the height of the standoff. Further, the insulating film on the bottom surface of the sealing resin has good adhesion to the resin and can suppress the ingress of moisture.
[0036]
  Claim2The resin-encapsulated semiconductor device described isAn insulating film having a plurality of holes, a plurality of signal connecting lead portions formed on the upper surface of the insulating film, and a semiconductor element mounted on a resist formed on the upper surface of the signal connecting lead portion The signal connection lead portion has a plurality of terminal land portions that protrude through the hole formed in the insulating film and protrude from the lower surface of the insulating film, and the plurality of signal connection lead portions are electrodes of the semiconductor element. The signal connection leads are formed so that the connection portions connected to the metal thin wires of the plurality of signal connection lead portions are in a line.
[0037]
  By eliminating the die pad portion and mounting the semiconductor element on the resist in this way, more signal connection lead portions and terminal land portions can be formed in the same area, thereby further increasing the number of terminals or miniaturization of the semiconductor device. Can be planned.
The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 3 is the resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein a recess is formed on the upper surface side of the insulating film of the terminal land portion, and the insulating film The upper surface side is sealed with a sealing resin, and the recess is filled with a resin.
Thus, by filling the depression in the terminal land portion with the resin, the strength can be ensured, the deformation of the terminal land portion can be prevented, and the connection to the mounting substrate is also improved.
The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 4 is the resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the die pad portion protrudes from a lower surface of the insulating film through a hole formed in the insulating film. It has a thermal land portion.
The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 5 is the resin-encapsulated semiconductor device according to claim 4, wherein a recess is formed on the upper surface side of the insulating film of the thermal land portion, and the recess is made of resin. It is filled.
As described above, by providing the thermal land portion protruding on the back side of the die pad portion, the heat generated from the mounted semiconductor element can be radiated to the mounting substrate through the thermal land portion.
[0038]
  Claim6The resin-encapsulated semiconductor device according to claim1Or2In the resin-encapsulated semiconductor device described in 4, the terminal land portionFrom the bottom of the insulating filmThe protrusion amount is 30 μm to 100 μm.
[0039]
As described above, by setting the protruding amount of the terminal land portion to 30 μm to 100 μm, it is possible to secure a stand-off at the time of mounting the substrate and obtain an appropriate mounting strength.
[0040]
  Claim7The resin-encapsulated semiconductor device according to claim1In the resin-encapsulated semiconductor device described inThe die pad portion is formed to be smaller than the semiconductor element, and a terminal land portion exists below the semiconductor element.
The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 8 is the resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the connection portion of the signal connection lead portion is an upper surface of a terminal land portion of the signal connection lead portion. It is characterized by being formed thinner than the side portion.
[0042]
  Claim9The manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device described isForming a die pad portion and a plurality of signal connection lead portions arranged around the die pad portion on the upper surface of the insulating film in which a plurality of holes are formed; A step of forming a plurality of terminal land portions by penetrating the opened holes and projecting from the lower surface of the insulating film; a step of mounting semiconductor elements on the die pad portion; and a semiconductor element and a lead portion for signal connection A step of electrically connecting with a fine metal wire and a step of resin-sealing the surface side of the insulating film, and in the step of forming the signal connection lead portion, The signal connection leads are formed so that the connection portions are in a line.
[0043]
  This claim9Depending on the manufacturing method, TaA resin-encapsulated semiconductor device in which a recess in the final land portion is filled with resin can be manufactured. In addition, the insulating film of the terminal land film also plays the role of not turning the resin to the back side of the film in the sealing process, preventing the occurrence of resin burrs on the back side, and connecting the terminal land part to the mounting board Reliability is improved and no deburring process is required.
[0044]
  Claim10The manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device described isForming a plurality of signal connection leads on the top surface of the insulating film having a plurality of holes, forming a resist on the top surface of the signal connection leads, and placing a semiconductor element on the resist; A step of forming a plurality of terminal land portions by projecting the signal connection lead portion through the hole formed in the insulating film and projecting from the lower surface of the insulating film; and a semiconductor element and a signal connection lead portion; In the step of forming a signal connection lead portion, and a step of forming a signal connection lead portion, and a step of forming a signal connection lead portion. The signal connection leads are formed so that the connection portions of the two are in a line..
[0045]
  This claim10Depending on the manufacturing method, TaA resin-encapsulated semiconductor device in which a recess in the final land portion is filled with resin can be manufactured. In addition, the insulating film of the terminal land film also plays the role of not turning the resin to the back side of the film in the sealing process, preventing the occurrence of resin burrs on the back side, and connecting the terminal land part to the mounting board Reliability is improved and no deburring process is required.
The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11, wherein the plurality of units are formed with a plurality of holes, with the die pad portion and the plurality of signal connection leads arranged around the die pad portion as one unit. A step of arranging on the upper surface of the insulating film, and a step of forming a plurality of terminal land portions by projecting the signal connection leads through the holes formed in the insulating film and projecting to the lower surface of the insulating film A step of mounting a semiconductor element on the die pad portion, a step of electrically connecting the semiconductor element and the signal connection lead portion with a fine metal wire, a step of resin-sealing the surface side of the insulating film, and a unit In the step of forming the signal connection leads, the signal connection leads are arranged so that the connection portions of the plurality of signal connection leads to the thin metal wires are in a line. And forming a.
The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 12 includes a plurality of signal connection leads and a plurality of signal connection leads and a semiconductor element mounted on a resist formed on an upper surface of the signal connection leads as one unit. By placing the unit on the upper surface of the insulating film in which a plurality of holes are formed, and projecting the signal connection lead portion through the hole opened in the insulating film to the lower surface of the insulating film. Separated into a unit, a step of forming a plurality of terminal land portions, a step of electrically connecting a semiconductor element and a signal connection lead portion with a fine metal wire, a step of resin-sealing the surface side of an insulating film, and a unit Forming the signal connection leads, and forming the signal connection leads so that the connection portions of the plurality of signal connection leads to the thin metal wires are in a line. And butterflies.
The method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 13 is the method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 9 to 12, wherein the surface side of the insulating film is resin-encapsulated. And a step of filling a resin into a recess formed on the upper surface side of the insulating film of the terminal land portion.
[0046]
  Claim14The manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device described isThe method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11 or 12, wherein the insulating filmProvide reinforcement on the back of the surrounding area where multiple units are placed.Seal with resinIt is characterized by that.
[0047]
  By providing the reinforcing material in this way,Sealing processTherefore, the terminal land film can be stabilized by reinforcing the terminal land film, and a certain thickness can be secured.
[0052]
  The method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 15 is the method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11 or 12, wherein a resin is provided by providing a sealing film on the back surface of the insulating film. It is characterized by sealing.
  A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 16 is the method according to claim 9.15In the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of the above, a thermal land portion is formed by penetrating a hole formed in the insulating film and projecting from the lower surface of the insulating film in the die pad portion. It is characterized by.
  The method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 17 is the method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 16, wherein the depression formed on the upper surface side of the insulating film of the thermal land portion is provided. It is filled with resin.
[0053]
  Thus, by providing a sealing film on the back surface of the terminal land film and sealing with resin, it is possible to eliminate the influence of the protrusion of the terminal land portion and perform stable resin sealing with good productivity.
Further, by providing the thermal land portion protruding on the back side of the die pad portion, the heat generated from the mounted semiconductor element can be radiated to the mounting substrate through the thermal land portion.
[0054]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a terminal land film of the present invention, a manufacturing method thereof, a resin-encapsulated semiconductor device using the terminal land film of the present invention, and a manufacturing method thereof will be described with reference to the drawings.
[0055]
First, an embodiment of the terminal land film of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of the terminal land film of the present embodiment as viewed from the back side. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a terminal land film according to the present embodiment, and shows a cross section taken along line A-A ′ of FIG. 1. FIG. 3 is a plan view of a portion of the terminal land film according to the present embodiment corresponding to one resin-encapsulated semiconductor device as viewed from an enlarged surface, and a region surrounded by a broken line is one resin seal. This is a formation region of the stationary semiconductor device.
[0056]
As shown in FIG. 1, the terminal land film 1 of the present embodiment has a standardized tape width / thickness generally called a TAB tape, a size / pitch of the sprocket holes 11, and the like. Since the insulating film 6 (see FIG. 2) is used as a base material, it is an inexpensive terminal land film that is highly versatile in production facilities, can be efficiently produced, and is suitable for a production process with good productivity. Sprocket holes 11 used for conveyance and positioning, tape width / thickness, adhesive thickness and type, etc. can be selected from standard specifications.
[0057]
As shown in the enlarged view of FIG. 3, a plurality of signal connection lead portions 2 are arranged, and the die pad portion 3 is arranged at the center thereof. One end of each signal connection lead portion 2 is connected to a terminal land forming portion 5 </ b> A for forming a terminal land portion 5. The signal connection lead portion 2 and the die pad portion 3 including the terminal land forming portion 5A are made of copper foil, and can be obtained at low cost due to standardized dimensions such as 18, 25 μm. The lower surface is formed of a three-layer frame that is in close contact with the film 6 with an adhesive, or a two-layer frame that is in close contact with the film 6 by vapor deposition or the like.
[0058]
The terminal land portion 5 connected to the signal connecting lead portion 2 has a recessed portion 5-1 inside and is arranged in an array, and protrudes from a hole 20 formed in the film 6. The necessary surfaces of the signal connection lead portion 2, the die pad portion 3, and the terminal land portion 5 are plated with metal such as gold or palladium. As a result, it can be used in a resin-encapsulated semiconductor device that is small and does not require solder balls and that is inexpensive and has high connection reliability. Plating can be performed in the Pd plating process of a conventional lead frame with a hoop, which is particularly inexpensive compared to a conventional method using gold-plated solder balls.
[0059]
A semiconductor element is fixed on the die pad portion 3 with an adhesive, and a semiconductor element larger than the die pad portion 3 can be mounted, and the semiconductor element can be positioned on the upper surface of the signal connection lead portion 2. This makes it possible to produce a small semiconductor device in which the land portion 5 is substantially located on the lower surface of the semiconductor element. The terminal land portion 5 connected to at least the signal connecting lead portion 2, the die pad portion 3, and the signal connecting lead portion 2 is a thin copper foil, but the terminal land portion 5 which is an external terminal is resin in the hollow portion 5-1. Thus, the strength can be ensured, and the function of being connected to the mounting substrate and transmitting an electric signal to the outside becomes possible. A resist (not shown) is applied to the surface at a desired position.
[0060]
The die pad portion 3 is also provided with a thermal land portion similar to the land portion 5 having the recessed portion 5-1, and after manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device, when mounting the mounting substrate, the soldering or the like is performed similarly to the land portion 5. It is also possible to release the heat generated from the semiconductor element, and the strength can be ensured by filling the recess of the thermal land portion with the resin like the recess portion 5-1 of the land portion 5.
[0061]
In addition, by providing at least the semiconductor element mounting portion of the signal connection lead portion 2 with a resist without providing the die pad portion 3, it is possible to adhere the semiconductor element on the resist with an adhesive. In this case, the number of signal connection leads 2 can be increased to increase the number of terminals, which is effective when a semiconductor element with a small amount of heat generation is mounted.
[0062]
As shown in FIG. 2, a film frame 4 made of the same copper foil as the signal connection lead portion 2 and the die pad portion 3 is formed on the surface of the film 6 around the terminal land film 1. Further, the back surface of the film 6 can be made to have the same thickness as a conventional lead film by arranging the reinforcing material 4-1 so as to be opposed to the film frame 4, and a jig or the like can be formed in the manufacturing process of the semiconductor device. There is no need to use and convey, and the same ease of manufacturing as QFP can be realized. Further, since the signal connection lead 2 and the die pad 3 are fixed to the film 6 and etched, the space between the signal connection lead 2 and the signal connection lead can be narrowed, and the terminal land film is small and has a large number of lands. 1.
[0063]
Further, the film 6 is sealed with resin when sealing the terminal land portion 5 on the lower surface side of the die pad portion 3 and the back surface side of the signal connecting lead portion 2 together with the fixing of the signal connecting lead portion 2 and the die pad portion 3. The film 6 is used to prevent the wraparound from occurring, and the presence of the film 6 causes the resin on the lower surface of the die pad portion 3, the back surface side of the signal connection lead portion 2, and the terminal land portion 5. It is possible to prevent the formation of burrs. Since the land portion 5 is inside the region where the reinforcing material 4-1 is bonded, the terminal land film 1 can be supplied with good productivity in each production process.
[0064]
In addition, the film 6 is cut after sealing with the resin, and is in close contact with the sealing resin and is present on the back surface of the semiconductor device, thereby preventing moisture from entering and improving moisture resistance.
[0065]
The film 6 also has a function of forming a standoff by projecting the terminal land portion 5 from the hole portion. The shape of the land portion 5 is not necessarily round, and may be a square, a rectangle, or the like. In addition to the flat shape of the tip (lower surface), the reliability of solder connection is further improved by making it spherical. This is particularly effective when a large semiconductor device requires a lot of mounting stress and requires high reliability.
[0066]
Further, the film 6 can be fixed to at least the terminal land portion 5 connected to the signal connecting lead portion 2, the die pad portion 3, and the signal connecting lead portion 2, and can be connected to the film frame 4. Accordingly, it is possible to supply the terminal land film 1 that is easy to cut after resin sealing and has good productivity.
[0067]
This insulating film 6 is a polyimide film, for example, a tape having an adhesive on one side based on a resin film mainly composed of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, etc. Anything that is resistant is acceptable. In addition, a burr | flash is a residual resin generated at the time of resin sealing, and is a part unnecessary for resin molding.
[0068]
In addition, since the lower mold at the time of resin sealing does not come into contact with the sealing resin by the function of this film 6, in addition to the generation of burrs, the mold from the extrusion pin or resin for mold release It is possible to simplify the mold structure such as quenching to prevent mold deformation.
[0069]
As shown in FIG. 1, the terminal land film 1 is not a single pattern, but a plurality of patterns, such as a left and right, and an upper and lower continuous arrangement.
[0070]
Next, the manufacturing method of the terminal land film 1 of this Embodiment is demonstrated, referring drawings. 4 and 5 are cross-sectional views showing the method of manufacturing the terminal land film 1 of the present embodiment in the order of steps, and the height direction of the cross-sectional views is enlarged.
[0071]
First, as shown in FIG. 4A, as a first step, the film 6 with holes 20 processed at the land portion forming position is aligned with the metal plate 7 made of copper foil, and the film 6 is heated at a high temperature. Glue with adhesive. This film is said to be a three-layer polyimide in which a base film is a polyimide film and an adhesive is a film with an epoxy adhesive and a copper foil metal plate 7 is attached. Moreover, it is good also as a film called two-layer polyimide, In this case, it is common to process the hole 20 after making copper foil adhere | attach a polyimide film by vapor deposition etc., and the hole 20 process is a laser or a metal mold | die. Performed with sprocket holes and processed accurately. Hereinafter, in the case of two-layer polyimide, the processing method is the same and there is no difference.
[0072]
Next, as shown in FIG. 4B, as a second step, etching resist films 8a and 8b are formed on the upper surface and the lower surface of the metal plate 7, respectively.
[0073]
Next, as shown in FIG. 4C, as a third step, predetermined regions of the etching resist film 8a are removed to form openings 9 respectively. This process forms a mask for a so-called non-etched region.
[0074]
Next, as shown in FIG. 5 (a), as a fourth step, the metal plate 7 was etched from one side, and the metal plate 7 exposed at the opening 9 was removed, thereby being fixed to the film 6. A signal connecting lead portion 2 and a die pad portion 3 made of a thin copper foil are formed. At this time, the film frame 4 (see FIG. 2) is also formed of copper foil.
[0075]
Next, as shown in FIG. 5B, as a fifth step, the etching resist films 8a and 8b are removed.
[0076]
Next, as shown in FIG. 5 (c), as a sixth step, the metal plate 7 is projected into the hole 20 of the film 6 by mold processing to form the land portion 5 and the recessed portion inside the land portion 5. 5-1. The land portion 5 protruding from the lower surface functions as a standoff when the resin-sealed semiconductor device manufactured using the terminal land film of the present embodiment is mounted. The shape of the land portion 5 is determined in consideration of mounting reliability, electrical performance inspection contact property of a semiconductor element to be mounted, and the like. The tip is round or rectangular, and the tip is flat or spherical. The partial enlarged view shown in FIG. 6 is a schematic cross-sectional view in which the land portion 5 is formed by a mold (21a, 21b). The periphery of the hole 20 of the film 6 is received by the lower mold 21b, and the upper mold 21a having a smaller size than the hole 20 is pushed into the hole 20 portion from above, so that the land 5 having the recessed portion 5-1 is formed on the lower surface. Protruding.
[0077]
Next, as shown in FIG. 5 (d), as a seventh step, palladium metal multilayer plating is performed on the terminal land portion 5, the signal connection lead portion 2, the die pad portion 3 and the like on necessary portions. This metal plating layer 12 is a three-layer plating of Ni—Pd—Au. That is, by processing the metal plate 7 made of copper foil and plating the surface, the final signal connection lead portion 2, the die pad portion 3, and the land portion 5 are formed. In addition, this series of steps is a plating method with good productivity because it can be processed with an ultra-long reel of the TAB tape processing step. In addition, plating of silver, gold, etc. is also possible. Also, plating in the lead frame plating process is possible.
[0078]
The formation of the metal plating layer 12 performed in the seventh step is not necessarily the last. For example, after the removal of the etching resist films 8a and 8b in the fifth step, the die processing in the sixth step is performed. The metal plating layer 12 can be formed before the land portion 5 is protruded, and in this case, the restriction on the protrusion of the land portion 5 is reduced.
[0079]
Further, the same metal plating layer 12 is formed on the terminal land portion 5, the signal connection lead portion 2 and the die pad portion 3. For example, the metal thin wire connection portion of the signal connection lead portion 2 is plated with silver, The portion 5 can be subjected to solder plating suitable for solder connection, and the quality is improved by performing a plurality of plating suitable for the application.
[0080]
Further, in the first step, the step of aligning and bonding the film 6 processed with the holes 20 to the copper foil metal plate 7 may be performed after the fifth step. It can be optimized by the size of the mold semiconductor device, the adhesion method of the metal plate 7 to the film frame 4 made of copper foil, and the like.
[0081]
In addition, the order of the processes can be changed as appropriate in consideration of productivity.
[0082]
Through the steps as described above, the back surfaces of the signal connection lead portion 2 and the die pad portion 3 that are arranged with the respective leading ends extending on the film 6 are brought into close contact with each other, and the recessed portion 5-1 is formed from the back surface of the film 6. The terminal land film 1 in which the terminal land portion 5 is protruded can be manufactured.
[0083]
As shown in FIG. 6, since the standoff height can be determined by the depth of processing by the mold, a high standoff can be realized even if the pitch of the land portions 5 is narrow, and the protrusion amount of each land portion 5 (stands (Off height) can be made uniform. Thereby, a resin-encapsulated semiconductor device having high mounting connection strength can be realized.
[0084]
In addition, since the reinforcing material 4-1 (FIG. 2) is bonded to the film 6, the thickness can be made almost the same as the thickness produced in the conventional lead film manufacturing process. Can be ensured stably, and the semiconductor device can be stably transported and manufactured at low cost. In other words, by connecting a production with a long hoop and a reinforcing material to produce a necessary process in a strip, the production can be selected according to the production quantity, the processing system, the characteristics of the apparatus, and the like. The reinforcing material 4-1 is usually provided at the stage of preparing the film 6, and may be the same material as the film 6.
[0085]
In addition, according to the manufacturing method of the present embodiment, the signal connection lead portion 2 and the die pad portion 3 are formed by etching, so that the narrow signal connection lead portion 2 and its interval can be easily realized. As described above, the connection portion of the thin metal wire of the signal connection lead portion 2 can be processed thinly and arranged in a line, and the terminal land film 1 having many small land portions 5 can be easily realized. The distance between each of the plurality of signal connecting lead portions 2 and the die pad portion 3 can be set to 20 to 70 μm by etching.
[0086]
In the present embodiment, for example, the thickness of the film 6 is 25 μm, the thickness of the metal plate 7 of the copper foil of the signal connection lead portion 2 and the die pad portion 3 is 25 μm, and the protruding amount of the land portion 5 from the lower surface of the film 6 ( The standoff height was 50 μm. When copper foil is deposited on the film 6, for example, the thickness of the deposited copper foil is 18 μm, the thickness of the film 6 is 25 μm, and there is no adhesive, so the total thickness is 50 μm in the state of FIG. You can:
[0087]
Moreover, resin etc. can also be beforehand filled into the hollow part 5-1 of a land.
[0088]
As described later, as described above, the thermal land portion 22 (see FIGS. 7 and 8, etc.) may be provided on the lower surface of the die pad portion 3.
[0089]
Next, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a plan view of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment, and the encapsulating resin displays only the outer shape and is a transparent body. FIG. 8A is a sectional view of the resin-encapsulated semiconductor device, and FIG. 8B is a partially enlarged sectional view thereof. 9A is a perspective view of the resin-encapsulated semiconductor device as viewed from the front surface side, FIG. 9B is a perspective view of the resin-encapsulated semiconductor device as viewed from the back surface side, and the sealing resin 15 in FIG. A circular recess formed on the surface of the surface indicates an index mark (a mark for specifying the position of one pin). 8A and 8B, the cross sections of the signal connection lead portions 2 and the terminal land portions 5 are shown, and the depths thereof are not considered.
[0090]
The resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment includes a plurality of rows of signal connection leads 2 and die pad portions, each of which is arranged on the terminal land film 1, that is, the film 6, with each tip portion extending. 3 is used in which the back surface of 3 is in close contact, and the terminal land portion 5 having the recessed portion 5-1 is protruded from the hole 20 of the film 6. However, here, a structure in which the thermal land portion 22 is formed on the lower surface of the die pad portion 3 is used. The thermal land portion 22 has the same configuration as the terminal land portion 5 and has substantially the same shape and height (projection amount) as the land portion 5, and corresponds to the land portion 5 in the manufacturing process of the terminal land film described above. In addition to the hole 20 to be formed, the film 6 having a hole corresponding to the position of the thermal land portion 22 is used, and the land portion 5 is formed in the same manner in the steps of FIGS. 5C and 5D. Is done. That is, the thermal land portion 22 is configured such that the copper foil of the die pad portion 3 protrudes from a hole formed in the film 6 and the lower surface thereof is plated.
[0091]
A semiconductor element (chip) 13 is bonded to the die pad portion 3 with an adhesive 16, and an electrode pad (not shown) of the semiconductor element 13 and the signal connection lead 2 are electrically connected to each other by a thin metal wire 14. It is connected to the. The signal connection lead portion 2, the die pad portion 3, the semiconductor element 13, the fine metal wire 14, and the recessed portion 5-1 of the land portion 5 are sealed in the sealing resin 15. The die pad portion 3 is configured to be smaller than the semiconductor element 13, and the semiconductor element 13 is disposed up to the upper portion of the signal connection lead portion 2.
[0092]
In this resin-encapsulated semiconductor device, the terminal land portion 5 protruding from the lower surface of the film 6 serves as a connection terminal to the mounting substrate. That is, the lower part of the land part 5 connected to the signal connection lead part 2 is an external electrode. As shown in FIG. 9B, the lower surface is covered with the film 6, and the land portion 5 protrudes. The land portion 5 does not have a resin burr that is a protruding portion of the resin in the resin sealing process, and the reliability of adhesion with the electrode of the mounting substrate is improved.
[0093]
In the resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment, there is no outer lead serving as an external electrode terminal on the side of the signal connection lead 2, and the land that is connected to the signal connection lead 2 and protrudes from the lower surface. Since the portion 5 is an external electrode, it is possible to reduce the size of a semiconductor device having a large number of lands.
[0094]
Further, since the land portion 5 is formed so as to protrude from the surface of the film 6, the stand-off height of the land portion 5 is secured in advance in bonding the land portion 5 and the electrode of the mounting substrate when mounted on the mounting substrate. Will be.
[0095]
Therefore, the plated land portion 5 can be used as an external terminal as it is, and the standoff height can be easily changed by adjusting the depth of the depression of the land portion 5 and changing the thickness of the film 6 in the die processing. In addition, the connection reliability is high, and it is not necessary to attach solder balls to the external electrode portion for mounting on the mounting substrate, which is advantageous in terms of manufacturing man-hours and manufacturing costs.
[0096]
Here, the feature of this embodiment is that the film 6 having adhesiveness is brought into close contact with the bottom surface side of the die pad portion 3 and the signal connection lead portion 2, and the signal connection lead 2 is placed in the hole 20 formed in the film 6. The terminal land film 1 is used in which the land portion 5 having a recess portion 5-1 connected thereto is protruded.
[0097]
In addition, since the metal plate 7 to be used is thin, it can be easily etched with a narrow interval, and many land portions 5 as shown in FIG. Therefore, it is possible to realize an inexpensive small semiconductor device with multiple terminals.
[0098]
In addition, the bonding position and the bonding row can be easily changed by etching, and a combination can be selected depending on the number of lands, the size of the semiconductor element 13, and the like. It is also possible to arrange the signal pad leads 2 and the land parts 5 connected to the lower surface of the semiconductor element 13 with the die pad part 3 having the smallest post shape, thereby enabling a multi-terminal of a small semiconductor device. Become.
[0099]
Further, in the present embodiment, the thermal land portion 22 is formed on the lower surface of the die pad portion 3, and has an efficient function of radiating heat from the semiconductor element 13 to the mounting substrate through the thermal land portion 22. The thermal land portion 22 also has a recessed portion similar to the land portion 5 and is filled with resin.
[0100]
In addition, by providing a semiconductor element 13 by adhering a resist to a necessary upper portion of the signal connection lead portion 2 without providing the die pad portion 3, the number of the signal connection lead portions 2 is increased, and further, Multiple terminals can also be achieved. This is effective for a semiconductor element that generates a small amount of heat.
[0101]
Next, a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment.
[0102]
First, in the first step, a terminal land film 1 having basic dimensions standardized for TAB shown in FIG. As described above, the terminal land film 1 has the film 6 in close contact with the bottom surface side of the die pad portion 3 and the signal connection lead portion 2, and the hole 20 formed in the film 6 has a recess connected to the signal connection lead 2. The land portion 5 is protruded, and although not shown, the thermal land portion 22 protrudes on the lower surface of the die pad portion 3 in the same manner as the land portion 5. By attaching the reinforcing material 4-1, it can be produced by a conventional process such as QFP.
[0103]
The terminal land film 1 according to the present embodiment has a nickel (Ni) layer as a base plating, a palladium (Pd) layer thereon as a base plating, and a thin gold (Au) layer as the uppermost layer. 3) a metal-plated terminal land film 1 with each layer plated. Moreover, noble metal plating other than nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au) may be applied, and it is not always necessary to use three-layer plating.
[0104]
Next, in the second step shown in FIG. 10B, the semiconductor element 13 is placed on the die pad portion 3 of the prepared terminal land film 1, and the two are bonded to each other with the adhesive 16 (FIG. 8 ( a)). This process is a so-called die bonding process.
[0105]
Next, in the third step shown in FIG. 10C, the electrode pads (not shown) of the semiconductor element 13 and the signal connection leads 2 are electrically bonded by the fine metal wires 14. This process is a so-called wire bonding process. Although the connection part of the metal fine wire 14 is processed thinly, since it is fixed with the film 6, the metal fine wire 14 can be stably connected. Moreover, although the lower surface of the connection part is above the lower surface of the land part 5, the same bonding stability as that of the prior art can be easily obtained by devising the equipment.
[0106]
Next, in the fourth step shown in FIG. 10 (d), the terminal land film 1 on which the semiconductor element 13 is mounted is housed in a mold, and the (outer frame) of the terminal land film 1 is pressed with the mold. Then, sealing resin 15 is poured into the mold to perform resin sealing. The terminal land film 1 is filled with a resin in the recess portion 5-1 in the land portion 5 and can be stably sealed. Since the resin is also filled in the recess portion 5-1 in the land portion 5, the land portion 5 is not deformed in the solder bonding at the time of mounting regardless of the thin film.
[0107]
Further, in the fourth step, in order to enable stable production even at a higher resin pressure, as shown in FIG. 11, a sealing film 17 is attached to the back surface of the terminal land film 1, and this sealing film 17 The (land) of the terminal land film 1 to which is attached is pressed, and the sealing resin 15 is poured into the mold to perform resin sealing. The sealing film 17 serves to alleviate deformation due to the pressure of the resin applied during resin sealing, particularly on the lower surface side of the die pad portion 3 and the back surface side of the signal connection lead portion 2. By sticking, the semiconductor device in which the land portion 5 and the thermal land portion 22 (see FIG. 9B) protrude from the lower surface can be easily resin-sealed. It is a feature of this construction method that there is no problem in structure, quality, and production due to slight deformation.
[0108]
When such a sealing film 17 is pasted, it is not necessary to provide a convex part on the mold part on the lower surface of the die pad part 3, and the mold can be used in common. Effective for sealing. In the detailed partial view shown in FIG. 11, the sealing film 17 softened by the mold clamping pressure and the mold temperature fills the gap on the back surface side of the terminal land film 1 generated by the protruding land portion 5. And has the function of stopping the pressure of the resin. That is, the sealing film 17 is interposed between the mold and the lower surface of the terminal land film 1, and the land portion 5 bites into the sealing film 17 softened by the heat of the mold, thereby enabling stable production.
[0109]
The sealing film 17 is a tape based on a resin mainly composed of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, or the like, and may be any tape that is resistant to a high temperature environment during resin sealing. In the present embodiment, the sealing film 17 mainly composed of polyimide is used, and the thickness is 50 μm.
[0110]
As a method of sealing with a mold, in addition to the method of batch molding with a large mold (bulk sealing) as described above, the method of individual molding with a small mold for each semiconductor device (individual sealing) In any case, when the upper surface of the terminal land film 1 is resin-sealed, the recess portion 5-1 inside the land portion 5 is also filled with resin to prevent deformation, and the resin-sealing type Mold a semiconductor device. Instead of using the sealing film 17, the land 5 or the thermal land 22 may be fitted by providing a depression in the lower mold.
[0111]
Next, when the sealing film 17 is pasted, after the sealing film 17 is peeled off, a number of semiconductor devices collectively sealed with the sealing resin 15 in the fifth step shown in FIG. By separating with a cutting part 19, it is separated into individual resin-encapsulated semiconductor devices. As shown in FIG. 12, this cuts off the cutting part 19 by the rotary blade 18. The configuration of each separated resin-encapsulated semiconductor device is the same as that shown in FIG. In addition, when individually sealed, cutting with a metal mold is possible instead of the rotary blade 18.
[0112]
It is possible to design a terminal land film in which the metal part is eliminated from the cutting part 19, thereby improving the productivity of the cutting process. In addition, as shown in FIG. 12, the peripheral film frame 4 is not provided with the cutting part 19, and the peripheral film frame 4 is cut and separated into the respective semiconductor devices without cutting, so that the semiconductor device alignment process in the subsequent process is performed. Etc. can also improve productivity. Productivity in a Cu film with poor productivity is greatly improved, and the life of the rotary blade 18 is extended. It is also possible to cut the sealed terminal land film of FIG.
[0113]
FIG. 13 shows a cross section of a resin-encapsulated semiconductor device manufactured by individual encapsulation. In this case, the configuration is the same as that of FIG. 8 except that the side surface of the sealing resin 15 is an inclined surface. Similarly to FIG. 8, FIG. 13 shows cross sections of each signal connection lead portion 2 and each terminal land portion 5, and their depth is not considered.
[0114]
According to the manufacturing method of the present embodiment, since the film 6 is applied in advance to the lower surface of the die pad portion 3 and the rear surface of the signal connection lead portion 2 before the resin sealing step, the sealing resin 15 may wrap around. No resin burr is generated on the back surface of the die pad portion 3 or the signal connection lead portion 2. Therefore, the resin burrs formed on the lower surface of the die pad portion 3 and the external electrode portion are removed by a water jet or the like as in the conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which the lower surface of the signal connection lead portion 2 is exposed. There is no need. That is, by eliminating the troublesome process for removing the resin burrs, the process in the mass production process of the resin-encapsulated semiconductor device can be simplified.
[0115]
In the resin sealing process, since the sealing film 17 is softened and deformed by the heat of the sealing mold, the land portion 5 bites into the sealing film 17 due to the pressure of the resin and the clamping pressure of the mold. A sealing film 17 is buried in the gap between the mold and the film 6.
[0116]
In this embodiment, as shown in FIGS. 8 and 13, the terminal land portion 5 protrudes, and the protruding amount from the lower surface of the film 6 of the land portion 5 serving as the external electrode below the signal connecting lead portion 2. (Standoff height) can be secured. For example, in the present embodiment, the thickness of the film 6 is 25 μm, and the same standoff as the protruding amount of the land portion 5 is obtained, so that the thickness can be about 50 μm. The protruding amount of the land portion 5 is preferably set between 30 μm and 100 μm. This is because if it is not 30 μm or more, it does not function as a standoff, and if it exceeds 100 μm, the total height becomes large, which is not preferable.
[0117]
In addition, about the sealing film 17 to be used, the material which has a predetermined hardness, thickness, and the softening characteristic by a heat | fever can be selected by the protrusion amount which the terminal land part 5 desires.
[0118]
Needless to say, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, after the resin is filled in and strengthened in the recessed portions of the terminal land portion 5 and the thermal land portion 22 in advance, it can be put into the production process, and the strength is improved.
[0121]
【The invention's effect】
  The resin-encapsulated semiconductor device of the present invention isAn insulating film having a plurality of holes, a die pad portion formed on the upper surface of the insulating film, a semiconductor element mounted on the upper surface of the die pad portion, and a semiconductor disposed around the die pad portion on the upper surface of the insulating film. A plurality of signal connection leads connected by thin metal wires, the signal connection leads passing through holes formed in the insulating film and projecting to the lower surface of the insulating film. The signal connection lead has a terminal land portion, and the signal connection leads are formed so that the connection portions connected to the metal thin wires of the plurality of signal connection lead portions are in a line.Is. According to this configuration, the die pad portion, the signal connection lead portion, and the terminal land portion can be formed by etching the metal foil, the etching width can be easily narrowed in the etching processing of the metal foil, and the terminal land portion is The external electrode protrudes to the back side of the insulating film and is exposed on the bottom surface of the semiconductor device, so that the semiconductor device can be multiterminal and miniaturized. Further, since the terminal land portion of the external electrode has a high standoff, the connection strength at the time of mounting on the board can be secured, and the mounting reliability is high. In addition, the protrusion amount of the terminal land part from the back surface of the insulating film constitutes a step as it is and becomes the height of the standoff. Further, the insulating film on the bottom surface of the sealing resin has good adhesion to the resin and can suppress the ingress of moisture.
[0122]
  Moreover, the method for producing the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention includesForming a die pad portion and a plurality of signal connection lead portions arranged around the die pad portion on the upper surface of the insulating film in which a plurality of holes are formed; A step of forming a plurality of terminal land portions by penetrating the opened holes and projecting from the lower surface of the insulating film; a step of mounting semiconductor elements on the die pad portion; and a semiconductor element and a lead portion for signal connection A step of electrically connecting with a fine metal wire and a step of resin-sealing the surface side of the insulating film, and in the step of forming the signal connection lead portion, The signal connection leads are formed so that the connection portions are in a line.With this manufacturing method, it is possible to manufacture a resin-encapsulated semiconductor device that realizes multiple terminals and downsizing. In addition, the insulating film of the terminal land film also plays the role of not turning the resin to the back side of the film in the sealing process, preventing the occurrence of resin burrs on the back side, and connecting the terminal land part to the mounting board Reliability is improved and no deburring process is required.
[0123]
In addition, by eliminating the die pad part of the terminal land film, forming a resist on the signal connection lead in the area where the semiconductor element is mounted, and mounting the semiconductor element on the resist, more signal connections can be made in the same area. Since the lead portion and the terminal land portion can be formed, the number of terminals or the size of the semiconductor device can be further reduced.
[0124]
As described above, according to the present invention, a resin-encapsulated semiconductor device having a small size and multiple terminals can be realized. In addition, it is possible to reduce an electrical connection failure caused by mechanical, thermal, or insufficient strength after mounting on a substrate, and to realize an inexpensive film-type electrode bottom-exposed resin-encapsulated semiconductor device with high mounting reliability. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a terminal land film according to an embodiment of the present invention viewed from the back side.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a terminal land film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a main part of the terminal land film according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a process for manufacturing a terminal land film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the terminal land film according to the embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the terminal land film according to the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a perspective view showing a manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device having an external electrode on the back surface side.
[Explanation of symbols]
1 Terminal land film
2 Lead for signal connection
3 Die pad section
4 Film frame
4-1 Reinforcing material
5 Terminal Land
5-1 Indentation
6 Insulating film
7 Metal plate
8a, 8b Etching resist film
9 opening
11 Sprocket hole
12 Metal plating layer
13 Semiconductor device (chip)
14 Thin metal wire
15 Sealing resin
16 Adhesive
17 Sealing film
18 Rotating blade
19 Cutting part
20 holes
22 Thermal Land

Claims (17)

複数の穴を有する絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムの上面に形成されたダイパッド部と、
前記ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、
前記絶縁性フィルムの上面の前記ダイパッド部の周囲に配置され、前記半導体素子の電極と金属細線により接続された複数の信号接続用リード部とを備え、
前記信号接続用リード部は、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出した複数のターミナルランド部を有し、
前記複数の信号接続用リード部の前記金属細線と接続する接続部が一列となるように前記信号接続用リードが形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。An insulating film having a plurality of holes;
A die pad portion formed on the upper surface of the insulating film;
A semiconductor element mounted on the upper surface of the die pad portion;
A plurality of signal connection lead portions disposed around the die pad portion on the upper surface of the insulating film and connected to the electrodes of the semiconductor element by metal thin wires;
The signal connection lead portion has a plurality of terminal land portions that protrudes from the lower surface of the insulating film through the hole formed in the insulating film.
The resin-encapsulated semiconductor device, wherein the signal connection leads are formed so that the connection portions connected to the thin metal wires of the plurality of signal connection lead portions are in a line. 複数の穴を有する絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムの上面に形成された複数の信号接続用リード部と、
前記信号接続用リード部の上面に形成されたレジスト上に載置された半導体素子とを備え、
前記信号接続用リード部は、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出した複数のターミナルランド部を有し、
前記複数の信号接続用リード部は前記半導体素子の電極と金属細線により接続されており、前記複数の信号接続用リード部の前記金属細線と接続する接続部が一列となるように前記信号接続用リードが形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。An insulating film having a plurality of holes;
A plurality of signal connecting leads formed on the upper surface of the insulating film;
A semiconductor element mounted on a resist formed on the upper surface of the signal connection lead portion,
The signal connection lead portion has a plurality of terminal land portions that protrudes from the lower surface of the insulating film through the hole formed in the insulating film.
The plurality of signal connection leads are connected to the electrodes of the semiconductor element by thin metal wires, and the signal connection leads are arranged so that the connection portions connected to the thin metal wires of the plurality of signal connection leads are in a line. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein a lead is formed. 前記ターミナルランド部の前記絶縁性フィルムの上面側には窪み部が形成され、
前記絶縁性フィルムの上面側を封止樹脂で封止し、かつ前記窪み部を樹脂で充填したことを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。A depression is formed on the upper surface side of the insulating film of the terminal land portion,
3. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein an upper surface side of the insulating film is sealed with a sealing resin, and the hollow portion is filled with a resin. 前記ダイパッド部は、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出したサーマルランド部を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。  2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the die pad portion has a thermal land portion that penetrates the hole formed in the insulating film and protrudes from a lower surface of the insulating film. . 前記サーマルランド部の前記絶縁性フィルムの上面側には窪み部が形成され、前記窪み部は樹脂で充填されていることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置。  5. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 4, wherein a recess is formed on an upper surface side of the insulating film of the thermal land portion, and the recess is filled with a resin. 前記ターミナルランド部の前記絶縁性フィルムの下面からの突出量は３０μｍから１００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。  The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein an amount of protrusion of the terminal land portion from the lower surface of the insulating film is 30 μm to 100 μm. 前記ダイパッド部は、前記半導体素子よりも小さく形成され、前記半導体素子の下方に前記ターミナルランド部が存在することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。  2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the die pad portion is formed smaller than the semiconductor element, and the terminal land portion exists below the semiconductor element. 前記信号接続用リード部の前記接続部は、前記信号接続用リード部の前記ターミナルランド部の上面側部分よりも細く形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。  3. The resin sealing according to claim 1, wherein the connection portion of the signal connection lead portion is formed narrower than an upper surface side portion of the terminal land portion of the signal connection lead portion. Type semiconductor device. 複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に、ダイパッド部と前記ダイパッド部の周囲に配置された複数の信号接続用リード部とを形成する工程と、
前記信号接続用リード部を、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、
前記ダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、
前記絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程とを備え、
前記信号接続用リード部を形成する工程においては、前記複数の信号接続用リードの前記金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。Forming a die pad portion and a plurality of signal connection lead portions disposed around the die pad portion on the upper surface of the insulating film in which a plurality of holes are formed;
Forming a plurality of terminal land portions by projecting the signal connection leads through the holes formed in the insulating film and projecting from the lower surface of the insulating film;
Mounting a semiconductor element on the die pad portion;
Electrically connecting the semiconductor element and the signal connecting lead with a fine metal wire;
And a step of resin sealing the surface side of the insulating film,
In the step of forming the signal connection lead portion, the signal connection lead is formed so that the connection portions of the plurality of signal connection leads to the metal thin wires are in a line. Device manufacturing method. 複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に複数の信号接続用リード部を形成する工程と、
前記信号接続用リード部の上面にレジストを形成し、前記レジスト上に半導体素子を載置する工程と、
前記信号接続用リード部を、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、
前記半導体素子と前記信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、
前記絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程とを備え、
前記信号接続用リード部を形成する工程においては、前記複数の信号接続用リードの前記金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。Forming a plurality of signal connection leads on the upper surface of the insulating film in which a plurality of holes are formed;
Forming a resist on the upper surface of the signal connection lead portion, and placing a semiconductor element on the resist; and
Forming a plurality of terminal land portions by projecting the signal connection leads through the holes formed in the insulating film and projecting from the lower surface of the insulating film;
Electrically connecting the semiconductor element and the signal connecting lead with a fine metal wire;
And a step of resin sealing the surface side of the insulating film,
In the step of forming the signal connection lead portion, the signal connection lead is formed so that the connection portions of the plurality of signal connection leads to the metal thin wires are in a line. Device manufacturing method. ダイパッド部と前記ダイパッド部の周囲に配置された複数の信号接続用リードとを１つのユニットとして、複数の前記ユニットを複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に配置する工程と、
前記信号接続用リード部を、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、
前記ダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、
前記絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程と、
前記ユニットにそれぞれ分離する工程とを備え、
前記信号接続用リード部を形成する工程においては、前記複数の信号接続用リードの前記金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。A plurality of signal connection leads arranged around the die pad portion and the die pad portion as a unit, and a step of arranging the plurality of units on the upper surface of the insulating film in which a plurality of holes are formed;
Forming a plurality of terminal land portions by projecting the signal connection leads through the holes formed in the insulating film and projecting from the lower surface of the insulating film;
Mounting a semiconductor element on the die pad portion;
Electrically connecting the semiconductor element and the signal connecting lead with a fine metal wire;
A step of resin-sealing the surface side of the insulating film;
Separating each of the units,
In the step of forming the signal connection lead portion, the signal connection lead is formed so that the connection portions of the plurality of signal connection leads to the metal thin wires are in a line. Device manufacturing method. 複数の信号接続用リードと前記信号接続用リードの上面に形成されたレジスト上に載置された半導体素子とを１つのユニットとして、複数の前記ユニットを複数の穴が形成された絶縁性フィルムの上面に配置する工程と、
前記信号接続用リード部を、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出させることで複数のターミナルランド部を形成する工程と、
前記半導体素子と前記信号接続用リード部とを金属細線で電気的に接続する工程と、
前記絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止する工程と、
前記ユニットにそれぞれ分離する工程とを備え、
前記信号接続用リード部を形成する工程においては、前記複数の信号接続用リードの前記金属細線との接続部が一列になるよう信号接続用リードを形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。A plurality of signal connection leads and a semiconductor element mounted on a resist formed on an upper surface of the signal connection lead are used as one unit, and the plurality of units are formed of a plurality of holes. Placing on the top surface;
Forming a plurality of terminal land portions by projecting the signal connection leads through the holes formed in the insulating film and projecting from the lower surface of the insulating film;
Electrically connecting the semiconductor element and the signal connecting lead with a fine metal wire;
A step of resin-sealing the surface side of the insulating film;
Separating each of the units,
In the step of forming the signal connection lead portion, the signal connection lead is formed so that the connection portions of the plurality of signal connection leads to the metal thin wires are in a line. Device manufacturing method. 前記絶縁性フィルムの表面側を樹脂封止するとともに前記ターミナルランド部の前記絶縁性フィルムの上面側に形成された窪み部に樹脂を充填する工程とからなることを特徴とする請求項９から１２のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  The method further comprises: sealing the surface side of the insulating film with resin and filling a resin into a recess formed on the upper surface side of the insulating film of the terminal land portion. A method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of the above. 前記絶縁性フィルムの複数の前記ユニットが配置された周囲の裏面に補強材を設けて樹脂封止することを特徴とする請求項１１または１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11, wherein a resin is sealed by providing a reinforcing material on a back surface around the plurality of units of the insulating film. 前記絶縁性フィルムの裏面に封止フィルムを設けて樹脂封止することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  The method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11, wherein a resin film is provided by providing a sealing film on a back surface of the insulating film. 前記ダイパッド部に、前記絶縁性フィルムに開けられた前記穴を貫通して前記絶縁性フィルムの下面に突出させることでサーマルランド部を形成することを特徴とする請求項９から１５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。The die pad, in any of 15 claims 9, characterized in that to form a thermal land portion by protrude to the lower surface of the insulating film through the opened in the insulating film above the holes A method for producing the resin-encapsulated semiconductor device according to claim. 前記サーマルランド部の前記絶縁性フィルムの上面側に形成された窪み部を樹脂で充填することを特徴とする請求項１６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。  The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 16, wherein a hollow portion formed on the upper surface side of the insulating film of the thermal land portion is filled with resin.
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