JPH08211438A - カメラの測光装置 - Google Patents
カメラの測光装置Info
- Publication number
- JPH08211438A JPH08211438A JP1784395A JP1784395A JPH08211438A JP H08211438 A JPH08211438 A JP H08211438A JP 1784395 A JP1784395 A JP 1784395A JP 1784395 A JP1784395 A JP 1784395A JP H08211438 A JPH08211438 A JP H08211438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photometric
- value
- camera
- brightness
- luminance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で低輝度および高輝度であっても
適正な測光値を得ることができるカメラの測光装置を提
供することにある。 【構成】被写体光を受光素子１で受光し、測光演算手段
によりカメラ動作のための被写体輝度を演算するカメラ
の測光装置において、該測光演算手段は、各輝度対設計
測光値と測光倍率値の対応関係があらかじめ設定された
設定値に基づき、所定計算式で各輝度に対する目標値を
求め、実測した測光値と比較して測光値が目標値に実質
的に一致する最も近い時のその目標値に対する輝度を測
光結果として処理することを特徴とする。
適正な測光値を得ることができるカメラの測光装置を提
供することにある。 【構成】被写体光を受光素子１で受光し、測光演算手段
によりカメラ動作のための被写体輝度を演算するカメラ
の測光装置において、該測光演算手段は、各輝度対設計
測光値と測光倍率値の対応関係があらかじめ設定された
設定値に基づき、所定計算式で各輝度に対する目標値を
求め、実測した測光値と比較して測光値が目標値に実質
的に一致する最も近い時のその目標値に対する輝度を測
光結果として処理することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカメラの測光装置、特に
光抵抗素子（Ｃｄｓ）を受光手段に用い、測光情報より
シャッタの駆動を制御する測光装置に関する。
光抵抗素子（Ｃｄｓ）を受光手段に用い、測光情報より
シャッタの駆動を制御する測光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】カメラの露光システムとして、露光兼用
のシャッタ装置が提案されており、このシステムの測光
系の概略構成を図７に示す。
のシャッタ装置が提案されており、このシステムの測光
系の概略構成を図７に示す。
【０００３】図７において、１はＣｄｓからなる受光素
子で、被写体からの入射光の輝度変化により抵抗値が変
化し、この抵抗値の変化は分圧抵抗Ｒ１との分圧Ｖ１の
変化としてアンプ２１の一方の（＋）側入力端子に入力
される。また、アンプ２１の出力をトランジスタＴｒ１
を介して他方の（−）側入力端子に入力しているので、
アンプ２１によってオフセットされ、抵抗Ｒ２とグラン
ド（ＧＮＤ）の間に印加されている電圧Ｖ２も分圧Ｖ１
の変化により変化する。抵抗Ｒ２を流れる電流Ｉは、Ｉ
＝（Ｖ２／Ｒ２）であるから、電流値Ｉも変化する。こ
こで、積分コンデンサＣに流れる電流Ｉｃは、抵抗Ｒ２
を流れる電流値Ｉと略等しいので、受光素子１に入射す
る被写体輝度の変化で、積分コンデンサＣにおける充電
時間が変化することになる。
子で、被写体からの入射光の輝度変化により抵抗値が変
化し、この抵抗値の変化は分圧抵抗Ｒ１との分圧Ｖ１の
変化としてアンプ２１の一方の（＋）側入力端子に入力
される。また、アンプ２１の出力をトランジスタＴｒ１
を介して他方の（−）側入力端子に入力しているので、
アンプ２１によってオフセットされ、抵抗Ｒ２とグラン
ド（ＧＮＤ）の間に印加されている電圧Ｖ２も分圧Ｖ１
の変化により変化する。抵抗Ｒ２を流れる電流Ｉは、Ｉ
＝（Ｖ２／Ｒ２）であるから、電流値Ｉも変化する。こ
こで、積分コンデンサＣに流れる電流Ｉｃは、抵抗Ｒ２
を流れる電流値Ｉと略等しいので、受光素子１に入射す
る被写体輝度の変化で、積分コンデンサＣにおける充電
時間が変化することになる。
【０００４】一方、撮影のためにＡＥ制御が開始されシ
ャッタが開放されると、ＡＥ制御開始スイッチＳＷがオ
フとなり、積分コンデンサＣに被写体の輝度変化に応じ
て変化した電流Ｉｃが流れて充電が開始される。コンデ
ンサＣの電圧はコンパレータ２０の（−）側端子に入力
され、コンパレータ２０で基準電圧Ｖｒｅｆと比較さ
れ、この基準電圧Ｖｒｅｆに達すると、コンパレータ２
０の出力Ｖｏがロウレベル（Ｌ）からハイレベル（Ｈ）
に転換する。ＡＥ制御の開始からコンパレータ２０の信
号が転換するまでの時間を充電時間Ｔとし、この充電時
間Ｔに達すると、コンパレータ２０の出力Ｖｏの転換を
検知してシャッタを閉じ、被写体輝度に応じた露出制御
が行われる。すなわち、被写体輝度が明るいと受光素子
１の抵抗値が下がるので、充電電流Ｉｃが大きくなって
充電時間Ｔ１が短くなり、シャッタ秒時が速く、逆に被
写体輝度が暗いと受光素子１の抵抗値が上るので、充電
電流Ｉｃが小さくなって充電時間Ｔ２が長くなり（Ｔ２
＜Ｔ１）、シャッタ秒時も長くなる。
ャッタが開放されると、ＡＥ制御開始スイッチＳＷがオ
フとなり、積分コンデンサＣに被写体の輝度変化に応じ
て変化した電流Ｉｃが流れて充電が開始される。コンデ
ンサＣの電圧はコンパレータ２０の（−）側端子に入力
され、コンパレータ２０で基準電圧Ｖｒｅｆと比較さ
れ、この基準電圧Ｖｒｅｆに達すると、コンパレータ２
０の出力Ｖｏがロウレベル（Ｌ）からハイレベル（Ｈ）
に転換する。ＡＥ制御の開始からコンパレータ２０の信
号が転換するまでの時間を充電時間Ｔとし、この充電時
間Ｔに達すると、コンパレータ２０の出力Ｖｏの転換を
検知してシャッタを閉じ、被写体輝度に応じた露出制御
が行われる。すなわち、被写体輝度が明るいと受光素子
１の抵抗値が下がるので、充電電流Ｉｃが大きくなって
充電時間Ｔ１が短くなり、シャッタ秒時が速く、逆に被
写体輝度が暗いと受光素子１の抵抗値が上るので、充電
電流Ｉｃが小さくなって充電時間Ｔ２が長くなり（Ｔ２
＜Ｔ１）、シャッタ秒時も長くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、受光素子の
輝度と抵抗値との関係は、図４に示すように一定の輝度
範囲、例えばＬＶ９．５〜ＬＶ１５でしかリニア特性を
有しないため、この範囲を超える低輝度側、例えばＬＶ
９．５未満の場合、また高輝度側、例えばＬＶ１５以上
の場合では正確なＡＥ制御が得られない。
輝度と抵抗値との関係は、図４に示すように一定の輝度
範囲、例えばＬＶ９．５〜ＬＶ１５でしかリニア特性を
有しないため、この範囲を超える低輝度側、例えばＬＶ
９．５未満の場合、また高輝度側、例えばＬＶ１５以上
の場合では正確なＡＥ制御が得られない。
【０００６】そこで、このリニア特性以外の範囲での制
御を行うために、メインリフト（図４の実線で示す設計
値の特性）にて傾き補正およびレベルシフト補正を行っ
ている。
御を行うために、メインリフト（図４の実線で示す設計
値の特性）にて傾き補正およびレベルシフト補正を行っ
ている。
【０００７】しかしながら、このような補正処理は演算
処理の複雑化を招いていた。
処理の複雑化を招いていた。
【０００８】本出願に係る発明の目的は、簡単な構成で
低輝度および高輝度であっても適正な測光値を得ること
ができるカメラの測光装置を提供することにある。
低輝度および高輝度であっても適正な測光値を得ること
ができるカメラの測光装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】本願に係る発
明の目的を実現する構成は、請求項１に記載のように、
被写体光を受光素子で受光し、測光演算手段によりカメ
ラ動作のための被写体輝度を演算するカメラの測光装置
において、該測光演算手段は、各輝度対設計測光値と測
光倍率値の対応関係があらかじめ設定された設定値に基
づき、所定計算式で各輝度に対する目標値を求め、実測
した測光値と比較して測光値が目標値に実質的に一致す
る最も近い時のその目標値に対する輝度を測光結果とし
て処理することを特徴とするカメラの測光装置にある。
明の目的を実現する構成は、請求項１に記載のように、
被写体光を受光素子で受光し、測光演算手段によりカメ
ラ動作のための被写体輝度を演算するカメラの測光装置
において、該測光演算手段は、各輝度対設計測光値と測
光倍率値の対応関係があらかじめ設定された設定値に基
づき、所定計算式で各輝度に対する目標値を求め、実測
した測光値と比較して測光値が目標値に実質的に一致す
る最も近い時のその目標値に対する輝度を測光結果とし
て処理することを特徴とするカメラの測光装置にある。
【００１０】この構成では、所定の計算式で、低輝度側
から高輝度側、または高輝度側から低輝度側へ順次目標
値を求め、実測測光値と実質的に一致すると、その目標
値に対する輝度を測光結果とするので、従来のように低
輝度領域および高輝度領域での傾き補正およびレベルシ
フト補正といった複雑な処理を行う必要がなく、簡単で
高精度の輝度情報を出力することができる。
から高輝度側、または高輝度側から低輝度側へ順次目標
値を求め、実測測光値と実質的に一致すると、その目標
値に対する輝度を測光結果とするので、従来のように低
輝度領域および高輝度領域での傾き補正およびレベルシ
フト補正といった複雑な処理を行う必要がなく、簡単で
高精度の輝度情報を出力することができる。
【００１１】また、測光結果を用いて、例えばフィルム
感度によりシャッタのＡＥ連動秒時の設定を行う場合、
単純に例えばフィルムのＩＳＯ１００を基準として測光
した結果を段数でシフトすれば対応することができる。
感度によりシャッタのＡＥ連動秒時の設定を行う場合、
単純に例えばフィルムのＩＳＯ１００を基準として測光
した結果を段数でシフトすれば対応することができる。
【００１２】
【実施例】図１ないし図６は本発明の第１の実施例を示
す。
す。
【００１３】図１はカメラの測光装置のブロックで、受
光素子１の輝度変化に伴い、分圧抵抗Ｒ１とによる分圧
ＢＶがＡ／Ｄ変換回路３に入力される。なお、この受光
素子１には図２に示すように被写体に対向配置された受
光レンズＬ１を通して被写体光が結像する。
光素子１の輝度変化に伴い、分圧抵抗Ｒ１とによる分圧
ＢＶがＡ／Ｄ変換回路３に入力される。なお、この受光
素子１には図２に示すように被写体に対向配置された受
光レンズＬ１を通して被写体光が結像する。
【００１４】Ａ／Ｄ変換回路３は、８ビットで構成さ
れ、Ａ／Ｄ変換された実測測光値を出力する。この実測
測光値はマイクロコンピュータ４へ入力される。マイク
ロコンピュータ４は、表１に示す、各ＬＶ値（ＩＳＯ１
００の基準であれば、ＬＶ＝ＥＶ）ごとにあらかじめ設
定された設計測光テーブル５と、設計測光倍率テーブル
６および不図示のＥ2 ＰＲＯＭ内のデータに基づいて、
仮定実測測光値Ａｎを求める。
れ、Ａ／Ｄ変換された実測測光値を出力する。この実測
測光値はマイクロコンピュータ４へ入力される。マイク
ロコンピュータ４は、表１に示す、各ＬＶ値（ＩＳＯ１
００の基準であれば、ＬＶ＝ＥＶ）ごとにあらかじめ設
定された設計測光テーブル５と、設計測光倍率テーブル
６および不図示のＥ2 ＰＲＯＭ内のデータに基づいて、
仮定実測測光値Ａｎを求める。
【００１５】Ａｎ＝設計測光値−［（中輝度の測光補正
量）×（Ｇｎ±Ｅ2 Ｐ）／１２８］ ここで、表１における設計測光値は、受光素子１の抵抗
と分圧抵抗Ｒ１との直列回路の出力の論理的な計算にて
求めた各ＬＶに対する計算値を表す。
量）×（Ｇｎ±Ｅ2 Ｐ）／１２８］ ここで、表１における設計測光値は、受光素子１の抵抗
と分圧抵抗Ｒ１との直列回路の出力の論理的な計算にて
求めた各ＬＶに対する計算値を表す。
【００１６】例えばＣｄｓの式によって、受光素子の抵
抗をＲx （ｘはＬＶに対応する抵抗値）、その時の分圧
をＥＶx とすると、 Ｒx ＝Ｒ0 ×２-rEVx ・・・ Ｒ10＝Ｒ0 ×２-rEV10・・・式と、式によって、
（Ｒx ／Ｒ10）＝２rEV(10-x) Ｒx ＝Ｒ10×２rEV(10-x) ＶEVx ＝ｋＶC ×［Ｒ／（Ｒ＋Ｒx ）］ ＝ｋＶC ×［Ｒ／（Ｒ10×２rEV(10-x) ＋Ｒ）］・・・ 式において、Ｒ10の抵抗値をＲとすれば、 ＶEVx ＝ｋＶC ×［１／（２rEV(10-x) ＋１）］・・・・・・ この式によって、各ＥＶでのＶEVx （設計測光値）を
求めることができる。
抗をＲx （ｘはＬＶに対応する抵抗値）、その時の分圧
をＥＶx とすると、 Ｒx ＝Ｒ0 ×２-rEVx ・・・ Ｒ10＝Ｒ0 ×２-rEV10・・・式と、式によって、
（Ｒx ／Ｒ10）＝２rEV(10-x) Ｒx ＝Ｒ10×２rEV(10-x) ＶEVx ＝ｋＶC ×［Ｒ／（Ｒ＋Ｒx ）］ ＝ｋＶC ×［Ｒ／（Ｒ10×２rEV(10-x) ＋Ｒ）］・・・ 式において、Ｒ10の抵抗値をＲとすれば、 ＶEVx ＝ｋＶC ×［１／（２rEV(10-x) ＋１）］・・・・・・ この式によって、各ＥＶでのＶEVx （設計測光値）を
求めることができる。
【００１７】また設計測光倍率Ｇｎは以下の手法により
求める。例えばカメラに上記した受光素子１の抵抗と分
圧抵抗Ｒ１の直列回路を組み込んだ状態で、例えば１０
台分のカメラにおける各上記した直列回路の各ＬＶに対
する実際の出力の平均値をまず求める。そして、その各
ＬＶに対する平均値を図４の破線で示す特性線とし、実
線で示す実際の測光値との差を調整点を基準（１２８）
として設計測光倍率とする。さらに中輝度の測光補正量
は、そのカメラにおけるある輝度、例えばＬＶ＝１０で
の実測値を表すデータとする。
求める。例えばカメラに上記した受光素子１の抵抗と分
圧抵抗Ｒ１の直列回路を組み込んだ状態で、例えば１０
台分のカメラにおける各上記した直列回路の各ＬＶに対
する実際の出力の平均値をまず求める。そして、その各
ＬＶに対する平均値を図４の破線で示す特性線とし、実
線で示す実際の測光値との差を調整点を基準（１２８）
として設計測光倍率とする。さらに中輝度の測光補正量
は、そのカメラにおけるある輝度、例えばＬＶ＝１０で
の実測値を表すデータとする。
【００１８】また、設計測光倍率Ｇｎの補正値として、
倍率補正Ｅ2 ＰをＥ2 ＲＯＭに書き込み可能とし、設計
測光倍率Ｇｎのバラツキの補正を行っている。この倍率
補正Ｅ2 Ｐは工程での入力を可能とし、測光量のバラツ
キの微調整を行い、精度を高めている。
倍率補正Ｅ2 ＰをＥ2 ＲＯＭに書き込み可能とし、設計
測光倍率Ｇｎのバラツキの補正を行っている。この倍率
補正Ｅ2 Ｐは工程での入力を可能とし、測光量のバラツ
キの微調整を行い、精度を高めている。
【００１９】また、上記した式中の「１２８」は計算値
の精度を高めるために定められた係数。
の精度を高めるために定められた係数。
【００２０】すなわち、ＬＶ＝１０での差（設計測光値
と実測測光値との差）を１とした場合、各ＬＶでの差
を、ＬＶ１０での差に対する倍率で表したのが設計測光
倍率である。
と実測測光値との差）を１とした場合、各ＬＶでの差
を、ＬＶ１０での差に対する倍率で表したのが設計測光
倍率である。
【００２１】そして、これらの各ＬＶに対する上記した
仮定実測測光値Ａｎは、設計測光値と実測測光値との間
の点線で示す値であり、したがって、カメラの測光値Ｌ
Ｖに対する測光出力を表すことになる。この仮定実測測
光値から、ＡＥ秒時制御手段７により、シャッタ秒時を
決定する。
仮定実測測光値Ａｎは、設計測光値と実測測光値との間
の点線で示す値であり、したがって、カメラの測光値Ｌ
Ｖに対する測光出力を表すことになる。この仮定実測測
光値から、ＡＥ秒時制御手段７により、シャッタ秒時を
決定する。
【００２２】つまり、あらかじめ設定されている中輝度
の測光補正量を調整点とし、製造工程で測光の補正を決
め、（設計測光倍率テーブルＧｎと倍率補正Ｗ2 Ｐ）Ｅ
2 ＰＲＯＭに書き込み、これとメインソフトに書き込ま
れた設計測光テーブルを用いて、上記の計算式で計算し
た被写体の実測輝度を比較判断する。
の測光補正量を調整点とし、製造工程で測光の補正を決
め、（設計測光倍率テーブルＧｎと倍率補正Ｗ2 Ｐ）Ｅ
2 ＰＲＯＭに書き込み、これとメインソフトに書き込ま
れた設計測光テーブルを用いて、上記の計算式で計算し
た被写体の実測輝度を比較判断する。
【００２３】
【表１】
【００２４】図３は本実施例を有効に実施できるカメラ
の基本的構成の概略ブロック図で、レリーズ釦の第１ス
トロークでオンする第１スイッチ（ＳＷ１）１１がオン
すると、測光動作が開始し、測光手段１３で得られた被
写体の輝度情報が制御手段１５に入力され、図５に示す
動作に従って輝度判定を行う。その後、制御手段１５
は、情報手段１４からのＩＳＯ情報に基づいて、制御手
段１５で判断された輝度（仮定実測測光値）を、ＩＳＯ
１００を基準にして段数シフトでシフトさせた後、メモ
リ１７に格納されている表２に示すＡＥ連動秒時のテー
ブルの値が選択される。そして、レリーズ釦の第２スト
ロークでオンする第２スイッチ（ＳＷ）１２がオンする
ことにより、シャッタ部１６の解放動作を制御する。
の基本的構成の概略ブロック図で、レリーズ釦の第１ス
トロークでオンする第１スイッチ（ＳＷ１）１１がオン
すると、測光動作が開始し、測光手段１３で得られた被
写体の輝度情報が制御手段１５に入力され、図５に示す
動作に従って輝度判定を行う。その後、制御手段１５
は、情報手段１４からのＩＳＯ情報に基づいて、制御手
段１５で判断された輝度（仮定実測測光値）を、ＩＳＯ
１００を基準にして段数シフトでシフトさせた後、メモ
リ１７に格納されている表２に示すＡＥ連動秒時のテー
ブルの値が選択される。そして、レリーズ釦の第２スト
ロークでオンする第２スイッチ（ＳＷ）１２がオンする
ことにより、シャッタ部１６の解放動作を制御する。
【００２５】
【表２】
【００２６】図５のフローチャートにおいて、実測測光
値はＡ／Ｄ変換器３で変換され（Ｓ１０１）、Ｓ１０２
において、仮定実測測光値Ａｎの計算式に基づいて演算
した値と、実測測光値（Ｂ値）と比較し、仮定実測測光
値Ａｎが実測測光値（Ｂ）よりも大きければ測光を完了
する（Ｓ１０５）。また、仮定実測測光値Ａｎが実測測
光値（Ｂ値）よりも小さいと、Ａn+1 を計算し（Ｓ１０
３）、これをＡｎとし（Ｓ１０４）、仮定実測測光値Ａ
ｎが実測測光値（Ｂ）よりも大きくなるまで繰り返す。
値はＡ／Ｄ変換器３で変換され（Ｓ１０１）、Ｓ１０２
において、仮定実測測光値Ａｎの計算式に基づいて演算
した値と、実測測光値（Ｂ値）と比較し、仮定実測測光
値Ａｎが実測測光値（Ｂ）よりも大きければ測光を完了
する（Ｓ１０５）。また、仮定実測測光値Ａｎが実測測
光値（Ｂ値）よりも小さいと、Ａn+1 を計算し（Ｓ１０
３）、これをＡｎとし（Ｓ１０４）、仮定実測測光値Ａ
ｎが実測測光値（Ｂ）よりも大きくなるまで繰り返す。
【００２７】例えば、調整点をＥＶ＝１０（ＩＳＯ１０
０の場合）とすると、工程で実測値が例えば５０Ｈであ
ると、ＥＶ＝１０の設計値である８０Ｈと比較して、差
（８０Ｈ−５０Ｈ＝３０Ｈ＝４８Ｄ）を計算し、中輝度
の測光補正量として記憶装置（Ｅ2 ＰＲＯＭ）に記憶す
る。
０の場合）とすると、工程で実測値が例えば５０Ｈであ
ると、ＥＶ＝１０の設計値である８０Ｈと比較して、差
（８０Ｈ−５０Ｈ＝３０Ｈ＝４８Ｄ）を計算し、中輝度
の測光補正量として記憶装置（Ｅ2 ＰＲＯＭ）に記憶す
る。
【００２８】次に、受光素子１から得られた被写体の輝
度の実測Ａ／Ｄ変換値、例えば２３Ｈ＝３５Ｄに対して
順番（低輝度ＥＶ６から）に表１の設計測光値（２３
Ｄ）、設計倍率値（３９Ｄ）に基づき、ＥＶ１０の中輝
度の測光補正量（４８Ｄ）と一緒に、図５に示す測光判
定フローチャートに従い、仮定実測測光値Ａｎを計算
し、実測測光Ａ／Ｄ値（この場合には上述した３５Ｄ）
と比較して測光判定を行う。
度の実測Ａ／Ｄ変換値、例えば２３Ｈ＝３５Ｄに対して
順番（低輝度ＥＶ６から）に表１の設計測光値（２３
Ｄ）、設計倍率値（３９Ｄ）に基づき、ＥＶ１０の中輝
度の測光補正量（４８Ｄ）と一緒に、図５に示す測光判
定フローチャートに従い、仮定実測測光値Ａｎを計算
し、実測測光Ａ／Ｄ値（この場合には上述した３５Ｄ）
と比較して測光判定を行う。
【００２９】ここで、ＬＶ値が６の場合、Ａ６＝２３−
４８×（３９＋１０）／１２８≒４．６であるから、こ
の値はまだ実測測光Ａ／Ｄ値よりも小さいので、次のＬ
Ｖ値６．２５での仮定実測測光値を同様に演算し、再度
実測測光Ａ／Ｄ値と比較する。この場合のＡｎ値（Ａ
6.25）は６．４であるから、実測測光Ａ／Ｄ値よりもま
だ小さいので、続けて繰り返し計算を行い、実測測光Ａ
／Ｄ値よりも大きくなると、この計算を止め、一つ前の
ＬＶ値を被写体輝度とする。この場合にはＥＶ＝８．２
５と判断する。
４８×（３９＋１０）／１２８≒４．６であるから、こ
の値はまだ実測測光Ａ／Ｄ値よりも小さいので、次のＬ
Ｖ値６．２５での仮定実測測光値を同様に演算し、再度
実測測光Ａ／Ｄ値と比較する。この場合のＡｎ値（Ａ
6.25）は６．４であるから、実測測光Ａ／Ｄ値よりもま
だ小さいので、続けて繰り返し計算を行い、実測測光Ａ
／Ｄ値よりも大きくなると、この計算を止め、一つ前の
ＬＶ値を被写体輝度とする。この場合にはＥＶ＝８．２
５と判断する。
【００３０】Ａ8.25＝［６９−４８×（９７＋４）／１
２８］≒３１．１ ＜３５ Ａ8 ＝［７６−４８×（１０１＋４）／１２８］≒３
６．６ ＞３５ したがって、ＥＶ＝８．２５が判断される。
２８］≒３１．１ ＜３５ Ａ8 ＝［７６−４８×（１０１＋４）／１２８］≒３
６．６ ＞３５ したがって、ＥＶ＝８．２５が判断される。
【００３１】一方、シャッタを制御するＡＥ連動秒時
は、仮定実測測光値Ａｎが実施的に実測測光Ａ／Ｄ値と
なったときのｎ値を、その実質測光Ａ／Ｄ値に対するＬ
Ｖとし、ＬＶを決定し表２よりするＡＥ連動秒時が決定
される。
は、仮定実測測光値Ａｎが実施的に実測測光Ａ／Ｄ値と
なったときのｎ値を、その実質測光Ａ／Ｄ値に対するＬ
Ｖとし、ＬＶを決定し表２よりするＡＥ連動秒時が決定
される。
【００３２】図６は、図上記した図３のカメラの動作を
示すフローチャートで、まずＳ−１でカメラの第１スト
ロークスイッチＳＷ１がオンすると、Ｓ−２においてカ
メラのバッテリーチェックを行い、その結果が規定電圧
以上であると、測距を行い（Ｓ−３）、上記した測光動
作を行う（Ｓ−４）。
示すフローチャートで、まずＳ−１でカメラの第１スト
ロークスイッチＳＷ１がオンすると、Ｓ−２においてカ
メラのバッテリーチェックを行い、その結果が規定電圧
以上であると、測距を行い（Ｓ−３）、上記した測光動
作を行う（Ｓ−４）。
【００３３】次に、ストロボ発光の要否のためにＬＬＴ
（Ｌｏｗ Ｌｇｈｔ Ｔｅｓｔ）を行い、ストロボ発光
が必要であると、Ｓ−６においてストロボの充電を行
い、不要であるとそのままＳ−７に進む。
（Ｌｏｗ Ｌｇｈｔ Ｔｅｓｔ）を行い、ストロボ発光
が必要であると、Ｓ−６においてストロボの充電を行
い、不要であるとそのままＳ−７に進む。
【００３４】Ｓ−７において、レリーズ釦の第２ストロ
ークスイッチＳＷ２がオンすると、測距情報に基づいて
フォーカスレンズの駆動を行い（Ｓ−８）、Ｓ−９にお
いて表２で決定した測光結果に基づくＡＥ連動秒時でシ
ャッタの開放を制御する。シャッタが閉じてから、レン
ズを待機位置まで戻し（Ｓ−１０）、その後Ｓ−１１に
おいてフィルムの巻上を行う。
ークスイッチＳＷ２がオンすると、測距情報に基づいて
フォーカスレンズの駆動を行い（Ｓ−８）、Ｓ−９にお
いて表２で決定した測光結果に基づくＡＥ連動秒時でシ
ャッタの開放を制御する。シャッタが閉じてから、レン
ズを待機位置まで戻し（Ｓ−１０）、その後Ｓ−１１に
おいてフィルムの巻上を行う。
【００３５】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、所定の
計算式で、低輝度側から高輝度側、または高輝度側から
低輝度側へ順次目標値を求め、実測測光値と実質的に一
致すると、その目標値に対する輝度を測光結果とするの
で、従来のように低輝度領域および高輝度領域での傾き
補正およびレベルシフト補正といった複雑な処理を行う
必要がなく、簡単で高精度の輝度情報を低輝度および高
輝度の領域を含めて出力することができる。
計算式で、低輝度側から高輝度側、または高輝度側から
低輝度側へ順次目標値を求め、実測測光値と実質的に一
致すると、その目標値に対する輝度を測光結果とするの
で、従来のように低輝度領域および高輝度領域での傾き
補正およびレベルシフト補正といった複雑な処理を行う
必要がなく、簡単で高精度の輝度情報を低輝度および高
輝度の領域を含めて出力することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すブロック図。
【図２】図１の受光素子の配置状態を示す縦断面図。
【図３】図１の測光装置を有効に実施できるカメラの概
略ブロック図。
略ブロック図。
【図４】第１の実施例における実測測光値ＬＶと設計測
光値との間における特性線を示す図。
光値との間における特性線を示す図。
【図５】ＥＶ値の決定動作を示すフローチャート。
【図６】図３のカメラの動作を示すフローチャート。
【図７】従来の測光装置を示し、（ａ）は回路図、
（ｂ）は充電電圧と輝度との関係を示すタイミングチャ
ート。
（ｂ）は充電電圧と輝度との関係を示すタイミングチャ
ート。
１ 受光素子 ３ Ａ／Ｄ変換器 ４ マイクロコンピュータ ５ 設計測光テーブル ６ 設計測光倍率テーブル ７ ＡＥ秒時決定手段 １３ 測光手段 １４ 情報手段 １５ 制御手段 １６ シャッタ部 １７ 記憶手段
Claims (1)
- 【請求項１】 被写体光を受光素子で受光し、測光演算
手段によりカメラ動作のための被写体輝度を演算するカ
メラの測光装置において、 該測光演算手段は、各輝度対設計測光値と測光倍率値の
対応関係があらかじめ設定された設定値に基づき、所定
計算式で各輝度に対する目標値を求め、実測した測光値
と比較して測光値が目標値に実質的に一致する最も近い
時のその目標値に対する輝度を測光結果として処理する
ことを特徴とするカメラの測光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1784395A JPH08211438A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | カメラの測光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1784395A JPH08211438A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | カメラの測光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08211438A true JPH08211438A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11954962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1784395A Pending JPH08211438A (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | カメラの測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08211438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012113055A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 撮像装置及び測光値の予測方法 |
-
1995
- 1995-02-06 JP JP1784395A patent/JPH08211438A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012113055A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 撮像装置及び測光値の予測方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5006879A (en) | Electronic flash lighting device for camera | |
| US6272292B1 (en) | Electronic flash control apparatus | |
| US4984006A (en) | Brightness measuring apparatus for providing adequate object brightness and a flashlight emission apparatus providing adequate exposure, irrespective of photographing conditions | |
| JP4312975B2 (ja) | ストロボ光制御装置を備える測光装置 | |
| JP3106720B2 (ja) | カメラの測光制御装置 | |
| US6564014B1 (en) | Flash control device | |
| KR100524223B1 (ko) | 카메라의 발광량 제어 장치 및 그 제어 방법 | |
| US20020154910A1 (en) | Electronic flash controlling device | |
| JPH08211438A (ja) | カメラの測光装置 | |
| JP2002006374A (ja) | ストロボ光制御装置 | |
| JPS62259022A (ja) | 合焦検出素子を用いた測光装置 | |
| JP2585989B2 (ja) | カメラの制御装置 | |
| JP3262839B2 (ja) | 閃光発光制御装置 | |
| JP3624471B2 (ja) | 測光装置 | |
| JP3141027B2 (ja) | カメラ | |
| JP2000338569A (ja) | 閃光制御装置 | |
| JP2884691B2 (ja) | Ｔｔｌ自動調光カメラ | |
| JPH08240834A (ja) | カメラ | |
| JP3131434B2 (ja) | カメラ | |
| JP2529957B2 (ja) | ストロボ自動発光カメラ | |
| JP2003043547A (ja) | 露出制御装置 | |
| JP3174204B2 (ja) | カメラの自動露出装置 | |
| JPH06148715A (ja) | カメラの測光装置 | |
| JP2935465B2 (ja) | 露出制御装置 | |
| JP2930238B2 (ja) | 固体撮像素子を用いた電子カメラの露出制御装置 |