JPH08209363A - 電子ビームエッチング装置 - Google Patents

電子ビームエッチング装置

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JPH08209363A
JPH08209363A JP7013492A JP1349295A JPH08209363A JP H08209363 A JPH08209363 A JP H08209363A JP 7013492 A JP7013492 A JP 7013492A JP 1349295 A JP1349295 A JP 1349295A JP H08209363 A JPH08209363 A JP H08209363A
Authority
JP
Japan
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electron beam
substrate
plasma
container
plasma generating
Prior art date
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Pending
Application number
JP7013492A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Sato
忠 佐藤
Tomoyuki Kiyono
知之 清野
Satoshi Ichimura
智 市村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】中性ガスを電離してプラズマを発生するプラズ
マ発生容器2と、プラズマより電子を電子ビームとして
引き出す引き出し電極6,7と、電子ビームが入射する
基板12と真空容器13よりなる装置において、プラズ
マ発生容器2の外周又は内周に交互に磁極が変化するよ
うに永久磁石3を設けたプラズマ発生室から引き出した
電子ビームにより基板表面のエッチングガスを電離し、
基板表面をエッチングする。 【効果】従来の電子ビーム利用装置では困難であった6
吋或いは8吋以上の大面積基板を一括してエッチングで
きるようになった。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板表面を微細に加工す
るためのエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子ビームエッチング装置は、電
子ビームの強度と均一性が充分でなく直径6吋或いは8
吋以上の基板を均一にエッチングすることは困難であっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大面
積にわたり均一で高密度の電子ビームを発生させ、エッ
チングガスを基板上に供給しながら、電子ビームを基板
に照射することで、大面積基板表面上のエッチングガス
を電離し、エッチングする装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】大面積にわたり均一で高
密度の電子ビームを得るために、多数の永久磁石のマル
チカスプ磁界でプラズマを閉じ込め、プラズマより複数
の引き出し電極孔でもって電子ビームを引き出し、エッ
チングガスの供給されている基板表面に照射した。
【0005】
【作用】多数の永久磁石が形成するマルチカスプ磁界で
プラズマを閉じ込め、大面積に均一な密度のプラズマを
生成した後、このプラズマから多孔の引き出し電極によ
り電子を引き出すことで、大面積に渡ってほぼ同一の電
流密度の電子ビーム出力を得ることができる。この電子
ビームでエッチングガスを電離し、高周波で負バイアス
を印加した基板に、イオン化したエッチングガスを衝突
させ、基板表面をエッチングする。
【0006】
【実施例】本発明の実施例を、以下図面に基づき詳細に
説明する。カソード1はヘアピン状のタングステンフィ
ラメントで作られ、熱電子を放出する。プラズマ発生室
を形成するプラズマ発生容器2は、カソード1との間で
アーク放電を行わせるアノード電極を兼ねている。プラ
ズマ発生容器2の外周には、多数の永久磁石3を、プラ
ズマ発生容器2の面上で磁極が交互に変わるように設け
ている。プラズマ発生容器2は、例えば、内径300m
m,外径308mm,深さ200mmのステンレス製で、幅
8mm,高さ25mm,長さ200mmで高さ方向に磁化した
永久磁石3を32列、円筒上に配置し、カソード1を保
持している面上には、幅と高さが同じで長さ280mm,
270mm,240mm,190mm,100mmの5種類の永
久磁石を各2個、磁極がプラズマ発生室を向くととも
に、隣接する磁石の極性はN極とS極が交互に変化する
ように、間隔30mmの等間隔で設けている。永久磁石3
の残留磁化はいずれも8500ガウスのコバルトサマリ
ウム磁石を使用した。カソード1とプラズマ発生容器2
の間に直流電圧を印加し、低気圧でのアーク放電によ
り、ガス導入口20から導入した水素ガスを電離し、電
子を電子ビームとして引き出す引き出し電極として、お
のおのに多数の孔を設けた加速電極6,減速電極7より
構成されている。さらに、基板12と共に真空容器13
に取付け、真空ポンプ14で排気されている。基板12
の周囲に直径100μmの小孔を36個等間隔に開けた
円環21を一周させ、エッチング用ガスを供給した。円
環21は、外形6mmの無酸素銅製の管を直径300mmの
ドーナツ状に加工して用いた。高周波電源22は、1
3.56MHz 500Wであり、基板12に負のバイア
スを与えるために基板ホルダ10をとおして基板12に
容量結合で接続されている。電子ビームは、加速電極
6,減速電極7間の電界で加速され、円環21から供給
されるエッチングガスを電離する。電離されたエッチン
グガスは、基板の負バイアスで加速され、基板に衝突
し、基板をエッチングする。エッチングガスは、ハロゲ
ンガスやアルコール類を使用する。
【0007】加速電極6に加速電源8より負の高電圧を
印加し、減速電極7は接地するかあるいは、減速電源9
より正極性の電圧を印加し、正イオンがプラズマ発生室
側へ逆流することを防止する。本実施例では、プラズマ
発生室の清掃等の保守が容易である。
【0008】なお、図1の実施例ではプラズマ発生容器
2の外側(大気圧側)に永久磁石3を設けたが、プラズ
マ発生容器2の内側(真空側)に永久磁石を配置するこ
とも可能である。このときは、プラズマ発生容器とし
て、磁性材も使用できる。永久磁石をプラズマ発生容器
内に設けることにより、プラズマ閉じ込め磁界の強度を
より大きくでき、より低いガス圧での放電ができる。ま
た、プラズマ発生容器に磁性材を使用することによっ
て、永久磁石の高さを図1の5割に低減できる。
【0009】さらに、カソード1のタングステンフィラ
メントの代わりに、マイクロ波や高周波で電離したプラ
ズマを導入することも可能であり、高温のフィラメント
を除くことにより、連続動作時間を増す。
【0010】
【発明の効果】本発明により、従来の電子ビーム利用装
置では困難であった6吋或いは8吋以上の大面積基板を
一括してエッチングできるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す縦断面図。
【符号の説明】
1…カソード、2…プラズマ発生容器、3…永久磁石、
6…加速電極、7…減速電極、8…加速電源、9…減速
電源、10…基板ホルダ、11…温度モニタ、12…基
板、13…真空容器、14…真空ポンプ、20…ガス導
入口、21…円環、22…高周波電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】中性ガスを電離してプラズマを発生するプ
    ラズマ発生容器と、前記プラズマより電子を電子ビーム
    として引き出す引き出し電極と、前記電子ビームが入射
    する基板と真空容器よりなる電子ビーム装置において、
    前記基板にバイアス電圧発生用高周波電源を接続し前記
    基板上にエッチング用ガスを供給する手段と、前記プラ
    ズマ発生容器の外周又は内周に、交互に磁極が変化する
    ように永久磁石を設け、前記プラズマ発生容器から電子
    ビームを取り出し、電子ビームで基板を照射することを
    特徴とする電子ビームエッチング装置。
JP7013492A 1995-01-31 1995-01-31 電子ビームエッチング装置 Pending JPH08209363A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107425A1 (ja) * 2003-05-28 2004-12-09 Kyoto University イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107425A1 (ja) * 2003-05-28 2004-12-09 Kyoto University イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置
JPWO2004107425A1 (ja) * 2003-05-28 2006-08-17 国立大学法人京都大学 イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置

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