JPH08204256A - レーザーダイオードポンピング固体レーザー - Google Patents
レーザーダイオードポンピング固体レーザーInfo
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- JPH08204256A JPH08204256A JP23401195A JP23401195A JPH08204256A JP H08204256 A JPH08204256 A JP H08204256A JP 23401195 A JP23401195 A JP 23401195A JP 23401195 A JP23401195 A JP 23401195A JP H08204256 A JPH08204256 A JP H08204256A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体レーザー結晶、ポンピング用半導体レー
ザー、および共振器を備えた固体レーザーモジュールを
取付板の一表面上に固定し、この固体レーザーモジュー
ルを温度制御素子によって温度調節するレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーにおいて、温度制御素子の
耐衝撃性を高める。 【解決手段】 取付板19に対して、固体レーザーモジュ
ール固定側と反対側の表面に対向する状態で、間隔を置
いてベースプレート21を配し、このベースプレート21と
取付板19とを断熱性の連結部材20によって連結し、取付
板19とベースプレート21との間に、それらの各々に弾性
接着剤層23、24を介して接合された温度制御素子22を配
設する。
ザー、および共振器を備えた固体レーザーモジュールを
取付板の一表面上に固定し、この固体レーザーモジュー
ルを温度制御素子によって温度調節するレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーにおいて、温度制御素子の
耐衝撃性を高める。 【解決手段】 取付板19に対して、固体レーザーモジュ
ール固定側と反対側の表面に対向する状態で、間隔を置
いてベースプレート21を配し、このベースプレート21と
取付板19とを断熱性の連結部材20によって連結し、取付
板19とベースプレート21との間に、それらの各々に弾性
接着剤層23、24を介して接合された温度制御素子22を配
設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体レーザー結晶
を半導体レーザー（レーザーダイオード）によってポン
ピングするレーザーダイオードポンピング固体レーザー
に関し、特に詳細には、温度制御素子の耐衝撃性を向上
させたレーザーダイオードポンピング固体レーザーに関
するものである。
を半導体レーザー（レーザーダイオード）によってポン
ピングするレーザーダイオードポンピング固体レーザー
に関し、特に詳細には、温度制御素子の耐衝撃性を向上
させたレーザーダイオードポンピング固体レーザーに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジム等の希土類が添加された固体レーザ
ー結晶を半導体レーザーによってポンピングするレーザ
ーダイオードポンピング固体レーザーが公知となってい
る。
るように、ネオジム等の希土類が添加された固体レーザ
ー結晶を半導体レーザーによってポンピングするレーザ
ーダイオードポンピング固体レーザーが公知となってい
る。
【０００３】この種のレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいては、例えば特開平5-235455号公報に
示されるように、半導体レーザーの発振波長制御および
固体レーザー共振器の安定化のために、半導体レーザ
ー、固体レーザー結晶および共振器からなる固体レーザ
ーモジュールを取付板上に固定し、この取付板に接合し
たペルチェ素子等の温度制御素子によって固体レーザー
モジュールを所定温度に温度調節することが多い。なお
通常は、上記固体レーザーモジュールが温度制御素子ご
と筐体内に収納された状態で使用される。
体レーザーにおいては、例えば特開平5-235455号公報に
示されるように、半導体レーザーの発振波長制御および
固体レーザー共振器の安定化のために、半導体レーザ
ー、固体レーザー結晶および共振器からなる固体レーザ
ーモジュールを取付板上に固定し、この取付板に接合し
たペルチェ素子等の温度制御素子によって固体レーザー
モジュールを所定温度に温度調節することが多い。なお
通常は、上記固体レーザーモジュールが温度制御素子ご
と筐体内に収納された状態で使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この温度調
節機能を備えた従来のレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいては、輸送時あるいは設置作業時に落
下等により衝撃が加わった際に、機械的強度が低いペル
チェ素子等の温度制御素子が劣化あるいは破損し、その
ために冷却能力が低下したり、温度調節不能になること
が多かった。
節機能を備えた従来のレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいては、輸送時あるいは設置作業時に落
下等により衝撃が加わった際に、機械的強度が低いペル
チェ素子等の温度制御素子が劣化あるいは破損し、その
ために冷却能力が低下したり、温度調節不能になること
が多かった。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、温度制御素子の耐衝撃性が高いレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーを提供することを目的とす
るものである。
であり、温度制御素子の耐衝撃性が高いレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーを提供することを目的とす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオードポンピング固体レーザーは、請求項１に記載の
ように、前述した固体レーザー結晶、ポンピング用半導
体レーザー、および共振器を備えた固体レーザーモジュ
ールの少なくとも一部を、取付板の一表面上に固定して
なるレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおい
て、取付板に対して、上記一表面と反対側の表面に対向
する状態で、間隔を置いてベースプレートを配し、この
ベースプレートと上記取付板とを断熱性の連結部材によ
って連結し、上記ベースプレートと取付板との間に、そ
れらの各々に弾性接着剤層を介して接合された温度制御
素子を配設したことを特徴とするものである。
イオードポンピング固体レーザーは、請求項１に記載の
ように、前述した固体レーザー結晶、ポンピング用半導
体レーザー、および共振器を備えた固体レーザーモジュ
ールの少なくとも一部を、取付板の一表面上に固定して
なるレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおい
て、取付板に対して、上記一表面と反対側の表面に対向
する状態で、間隔を置いてベースプレートを配し、この
ベースプレートと上記取付板とを断熱性の連結部材によ
って連結し、上記ベースプレートと取付板との間に、そ
れらの各々に弾性接着剤層を介して接合された温度制御
素子を配設したことを特徴とするものである。
【０００７】なお上記断熱性の連結部材を構成する材料
としては、機械的強度が高い例えばガラス、セラミック
等を好適に用いることができる。
としては、機械的強度が高い例えばガラス、セラミック
等を好適に用いることができる。
【０００８】また上記弾性接着剤層は、請求項２に記載
のように室温硬化性の材料を用いて構成されるのが好ま
しい。さらにこの弾性接着剤層は、請求項３に記載のよ
うに高熱伝導性の材料、例えばアルミナ、ボロンナイト
ライド等の高熱伝導性のフィラー入りのシリコンゴム
系、エポキシ系、ウレタン系の接着剤を用いて構成され
るのが好ましい。
のように室温硬化性の材料を用いて構成されるのが好ま
しい。さらにこの弾性接着剤層は、請求項３に記載のよ
うに高熱伝導性の材料、例えばアルミナ、ボロンナイト
ライド等の高熱伝導性のフィラー入りのシリコンゴム
系、エポキシ系、ウレタン系の接着剤を用いて構成され
るのが好ましい。
【０００９】また上記ベースプレートおよび／または取
付板には、その端面から切り込まれて、温度制御素子と
連結部材との間の部分まで延びる切り込みが設けられる
のが好ましい。
付板には、その端面から切り込まれて、温度制御素子と
連結部材との間の部分まで延びる切り込みが設けられる
のが好ましい。
【００１０】
【発明の効果】前述した従来のレーザーダイオードポン
ピング固体レーザーにおいて、温度制御素子が劣化ある
いは破損しやすいのは、筐体が無い場合は落下等により
温度制御素子が直接衝撃力を受けやすく、また筐体があ
る場合でも、筐体を介して衝撃力が直接的に温度制御素
子に伝わるためである。
ピング固体レーザーにおいて、温度制御素子が劣化ある
いは破損しやすいのは、筐体が無い場合は落下等により
温度制御素子が直接衝撃力を受けやすく、また筐体があ
る場合でも、筐体を介して衝撃力が直接的に温度制御素
子に伝わるためである。
【００１１】それに対して本発明のレーザーダイオード
ポンピング固体レーザーにおいては、温度制御素子は取
付板とベースプレートとの間に配設されているので直接
衝撃は受け難く、また、取付板、連結部材あるいはベー
スプレートに衝撃力が加わった際には、弾性接着剤層の
緩衝作用により温度制御素子に加わる力が減衰するの
で、温度制御素子の耐衝撃性が高められる。
ポンピング固体レーザーにおいては、温度制御素子は取
付板とベースプレートとの間に配設されているので直接
衝撃は受け難く、また、取付板、連結部材あるいはベー
スプレートに衝撃力が加わった際には、弾性接着剤層の
緩衝作用により温度制御素子に加わる力が減衰するの
で、温度制御素子の耐衝撃性が高められる。
【００１２】なお、当然ながら上記取付板は温度制御素
子の温調側に、ベースプレートは温度制御素子の放熱側
に接合されるので、これら取付板とベースプレートとの
間には温度差が生じるが、両者は断熱性の連結部材によ
って連結されているので、この連結部材のために温度制
御素子の温調効果が大きく損なわれることはない。
子の温調側に、ベースプレートは温度制御素子の放熱側
に接合されるので、これら取付板とベースプレートとの
間には温度差が生じるが、両者は断熱性の連結部材によ
って連結されているので、この連結部材のために温度制
御素子の温調効果が大きく損なわれることはない。
【００１３】しかし、温度差のある２つの部材（取付板
とベースプレート）が連結部材によってタイトに結合さ
れているため、これら取付板とベースプレートに熱応力
（熱歪）が生じ、この応力を受けてペルチェ素子等の温
度制御素子が劣化あるいは破損する恐れもある。
とベースプレート）が連結部材によってタイトに結合さ
れているため、これら取付板とベースプレートに熱応力
（熱歪）が生じ、この応力を受けてペルチェ素子等の温
度制御素子が劣化あるいは破損する恐れもある。
【００１４】そこで、前述したようにベースプレート
に、その端面から切り込まれて温度制御素子と連結部材
との間の部分まで延びる切り込みを設けておくと、上記
熱応力が温度制御素子まで伝わらなくなり、温度制御素
子の劣化、破損が効果的に防止される。この効果は、取
付板の方に同様の切り込みを設けた場合も、さらには、
ベースプレートと取付板の双方に切り込みを設けた場合
も同じように得られるものである。
に、その端面から切り込まれて温度制御素子と連結部材
との間の部分まで延びる切り込みを設けておくと、上記
熱応力が温度制御素子まで伝わらなくなり、温度制御素
子の劣化、破損が効果的に防止される。この効果は、取
付板の方に同様の切り込みを設けた場合も、さらには、
ベースプレートと取付板の双方に切り込みを設けた場合
も同じように得られるものである。
【００１５】一方、上記の弾性接着剤層を室温硬化性の
材料を用いて構成すれば、レーザーの組立て時に接着剤
層の硬化のための熱が温度制御素子に加わって該素子が
劣化、破損したり、この温度制御素子の電気的接続のた
めに使用されているハンダが溶けるようなことが回避さ
れる。
材料を用いて構成すれば、レーザーの組立て時に接着剤
層の硬化のための熱が温度制御素子に加わって該素子が
劣化、破損したり、この温度制御素子の電気的接続のた
めに使用されているハンダが溶けるようなことが回避さ
れる。
【００１６】また、上記の弾性接着剤層が高熱伝導性の
材料から構成されていれば、取付板およびベースプレー
トと温度制御素子との間の熱伝導が良くなり、該温度制
御素子による固体レーザーモジュールの温調効果、およ
びベースプレートへの放熱効果が良好に保たれる。
材料から構成されていれば、取付板およびベースプレー
トと温度制御素子との間の熱伝導が良くなり、該温度制
御素子による固体レーザーモジュールの温調効果、およ
びベースプレートへの放熱効果が良好に保たれる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施の形態である
レーザーダイオードポンピング固体レーザーを示すもの
である。このレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーは、ポンピング光としてのレーザービーム11を発する
半導体レーザー12と、発散光である上記レーザービーム
11を集光する屈折率分布型ロッドレンズ13と、ネオジウ
ム（Ｎｄ）がドーピングされた固体レーザー結晶である
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15の
前方側（図中右方側）に配された共振器ミラー16と、共
振器ミラー16およびＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15の間に配され
た光波長変換素子としてのＫＴＰ結晶17とからなる固体
レーザーモジュールを有する。
レーザーダイオードポンピング固体レーザーを示すもの
である。このレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーは、ポンピング光としてのレーザービーム11を発する
半導体レーザー12と、発散光である上記レーザービーム
11を集光する屈折率分布型ロッドレンズ13と、ネオジウ
ム（Ｎｄ）がドーピングされた固体レーザー結晶である
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15の
前方側（図中右方側）に配された共振器ミラー16と、共
振器ミラー16およびＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15の間に配され
た光波長変換素子としてのＫＴＰ結晶17とからなる固体
レーザーモジュールを有する。
【００１９】なお、上記半導体レーザー12およびロッド
レンズ13はホルダ５に保持され、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15
およびＫＴＰ結晶17はホルダ６に保持され、共振器ミラ
ー16はホルダ７に保持されている。これらのホルダ５、
６および７は熱伝導率の高い例えば銅からなり、取付板
19の上表面に固定されている。この取付板19も熱伝導率
の高い例えば銅から形成されている。
レンズ13はホルダ５に保持され、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15
およびＫＴＰ結晶17はホルダ６に保持され、共振器ミラ
ー16はホルダ７に保持されている。これらのホルダ５、
６および７は熱伝導率の高い例えば銅からなり、取付板
19の上表面に固定されている。この取付板19も熱伝導率
の高い例えば銅から形成されている。
【００２０】取付板19の下表面には、断熱性の高いセラ
ミックからなる３本の連結部材20の一端が固定され、こ
れらの連結部材20の他端は、熱伝導率の高い例えば銅か
らなるベースプレート21に固定されている。このように
して互いに間隔を置いて対向配置された取付板19とベー
スプレート21との間には、温度制御素子としてのペルチ
ェ素子22が配されている。なお図２には、ベースプレー
ト21上の３本の連結部材20およびペルチェ素子22の平面
配置状態を示してある。
ミックからなる３本の連結部材20の一端が固定され、こ
れらの連結部材20の他端は、熱伝導率の高い例えば銅か
らなるベースプレート21に固定されている。このように
して互いに間隔を置いて対向配置された取付板19とベー
スプレート21との間には、温度制御素子としてのペルチ
ェ素子22が配されている。なお図２には、ベースプレー
ト21上の３本の連結部材20およびペルチェ素子22の平面
配置状態を示してある。
【００２１】ペルチェ素子22は、温調側（図中の上端）
および放熱側（図中の下端）がそれぞれ弾性接着剤層2
3、24を介して取付板19、ベースプレート21に接合され
ている。これらの弾性接着剤層23、24は、前述した材料
を適宜選択して形成可能であるが、本例では特に、高熱
伝導性でかつ室温硬化性のアルミナフィラー入りシリコ
ンゴム系接着剤から構成されている。
および放熱側（図中の下端）がそれぞれ弾性接着剤層2
3、24を介して取付板19、ベースプレート21に接合され
ている。これらの弾性接着剤層23、24は、前述した材料
を適宜選択して形成可能であるが、本例では特に、高熱
伝導性でかつ室温硬化性のアルミナフィラー入りシリコ
ンゴム系接着剤から構成されている。
【００２２】また、後述のようにして一方の共振器ミラ
ーを構成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15と、共振器ミラー16
との間には、共振器内部温度を検出する温度センサ27が
配設されている。ペルチェ素子22の駆動は、この温度セ
ンサ27の出力を受ける駆動制御回路28によって制御され
る。
ーを構成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15と、共振器ミラー16
との間には、共振器内部温度を検出する温度センサ27が
配設されている。ペルチェ素子22の駆動は、この温度セ
ンサ27の出力を受ける駆動制御回路28によって制御され
る。
【００２３】半導体レーザー12としては、波長λ1 ＝80
9 ｎｍのレーザービーム11を発するものが用いられてい
る。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15は、上記レーザービーム11に
よってネオジウムイオンが励起されることにより、波長
λ2 ＝1064ｎｍのレーザービーム25を発する。
9 ｎｍのレーザービーム11を発するものが用いられてい
る。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15は、上記レーザービーム11に
よってネオジウムイオンが励起されることにより、波長
λ2 ＝1064ｎｍのレーザービーム25を発する。
【００２４】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶15の光入射側の表面15
ａには、波長1064ｎｍのレーザービーム25は良好に反射
させ（反射率99.9％以上）、波長809 ｎｍのポンピング
用レーザービーム11は良好に透過させる（透過率99％以
上）コーティングが施されている。一方共振器ミラー16
の内面16ａは球面の一部をなす形状とされ、その表面に
は、波長1064ｎｍのレーザービーム25は良好に反射さ
せ、そして後述する波長532 ｎｍの第２高調波26は良好
に透過させるコーティングが施されている。
ａには、波長1064ｎｍのレーザービーム25は良好に反射
させ（反射率99.9％以上）、波長809 ｎｍのポンピング
用レーザービーム11は良好に透過させる（透過率99％以
上）コーティングが施されている。一方共振器ミラー16
の内面16ａは球面の一部をなす形状とされ、その表面に
は、波長1064ｎｍのレーザービーム25は良好に反射さ
せ、そして後述する波長532 ｎｍの第２高調波26は良好
に透過させるコーティングが施されている。
【００２５】したがって波長1064ｎｍのレーザービーム
25は、上記の各面15ａ、16ａ間に閉じ込められて、レー
ザー発振を引き起こす。このレーザービーム25はＫＴＰ
結晶17に入射して、波長λ3 ＝532 ｎｍの第２高調波26
に波長変換される。なおＫＴＰ結晶17の両端面には、レ
ーザービーム25および第２高調波26をともに良好に透過
させるコーティングが施されている。
25は、上記の各面15ａ、16ａ間に閉じ込められて、レー
ザー発振を引き起こす。このレーザービーム25はＫＴＰ
結晶17に入射して、波長λ3 ＝532 ｎｍの第２高調波26
に波長変換される。なおＫＴＰ結晶17の両端面には、レ
ーザービーム25および第２高調波26をともに良好に透過
させるコーティングが施されている。
【００２６】前述したペルチェ素子22は駆動制御回路28
により、温度センサ27が検出する共振器内部温度が一定
となるように駆動される。こうして共振器部分が温度調
節されることにより、温度変化のために共振器長さが変
動してしまうことが防止される。また、この共振器と近
い位置に配された半導体レーザー12の温度も一定に保た
れ、その縦モードが一定に維持される。
により、温度センサ27が検出する共振器内部温度が一定
となるように駆動される。こうして共振器部分が温度調
節されることにより、温度変化のために共振器長さが変
動してしまうことが防止される。また、この共振器と近
い位置に配された半導体レーザー12の温度も一定に保た
れ、その縦モードが一定に維持される。
【００２７】このレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーにおいては、ペルチェ素子22は取付板19とベース
プレート21との間に配設されているので、落下する等し
た場合でも直接衝撃は受け難く、また、取付板19、連結
部材20あるいはベースプレート21に衝撃力が加わった際
には、弾性接着剤層23、24の緩衝作用によりペルチェ素
子22に加わる力が減衰するので、ペルチェ素子22の耐衝
撃性が高められる。
ーザーにおいては、ペルチェ素子22は取付板19とベース
プレート21との間に配設されているので、落下する等し
た場合でも直接衝撃は受け難く、また、取付板19、連結
部材20あるいはベースプレート21に衝撃力が加わった際
には、弾性接着剤層23、24の緩衝作用によりペルチェ素
子22に加わる力が減衰するので、ペルチェ素子22の耐衝
撃性が高められる。
【００２８】取付板19にペルチェ素子22を直接固定し、
このペルチェ素子22を筐体内部で該筐体に直接固定して
なる従来のレーザーダイオードポンピング固体レーザー
と、上述した本発明によるレーザーダイオードポンピン
グ固体レーザーとをそれぞれ落下させてペルチェ素子22
の耐衝撃性を調べたころ、以下のような結果となった。
このペルチェ素子22を筐体内部で該筐体に直接固定して
なる従来のレーザーダイオードポンピング固体レーザー
と、上述した本発明によるレーザーダイオードポンピン
グ固体レーザーとをそれぞれ落下させてペルチェ素子22
の耐衝撃性を調べたころ、以下のような結果となった。
【００２９】従来品を50ｍｍの高さから３回落下させる
と、ペルチェ素子22の内部抵抗は約５％上昇し、 100ｍ
ｍの高さから３回落下させると、ペルチェ素子22の内部
抵抗は∞（断線状態）となった。それに対して本発明に
よるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを50ｍ
ｍの高さから３回落下させた場合、ペルチェ素子22の内
部抵抗上昇は認められず、 100ｍｍの高さから３回落下
させた場合でもペルチェ素子22の断線は無く、内部抵抗
上昇は10％にとどまった。
と、ペルチェ素子22の内部抵抗は約５％上昇し、 100ｍ
ｍの高さから３回落下させると、ペルチェ素子22の内部
抵抗は∞（断線状態）となった。それに対して本発明に
よるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを50ｍ
ｍの高さから３回落下させた場合、ペルチェ素子22の内
部抵抗上昇は認められず、 100ｍｍの高さから３回落下
させた場合でもペルチェ素子22の断線は無く、内部抵抗
上昇は10％にとどまった。
【００３０】また本例では、弾性接着剤層23、24が高熱
伝導性の材料から構成されているので、取付板19および
ベースプレート21とペルチェ素子22との間の熱伝導が良
くなり、ペルチェ素子22による固体レーザーモジュール
の温調効果、およびベースプレート21への放熱効果が良
好に保たれる。さらに、この弾性接着剤層23、24は室温
硬化性の材料から構成されているので、熱硬化性の接着
剤から構成する場合と異なって、接着剤硬化のための熱
がペルチェ素子22に加わって該素子22が劣化、破損した
り、このペルチェ素子22の電気的接続のために使用され
ているハンダが溶けるようなことが回避される。
伝導性の材料から構成されているので、取付板19および
ベースプレート21とペルチェ素子22との間の熱伝導が良
くなり、ペルチェ素子22による固体レーザーモジュール
の温調効果、およびベースプレート21への放熱効果が良
好に保たれる。さらに、この弾性接着剤層23、24は室温
硬化性の材料から構成されているので、熱硬化性の接着
剤から構成する場合と異なって、接着剤硬化のための熱
がペルチェ素子22に加わって該素子22が劣化、破損した
り、このペルチェ素子22の電気的接続のために使用され
ているハンダが溶けるようなことが回避される。
【００３１】次に、図３〜６を参照して、本発明の別の
実施の形態について説明する。なお以下で説明する実施
の形態は、第１の実施の形態とはベースプレート21の形
状や、連結部材20およびペルチェ素子22の平面配置状態
が異なるものであり、その他の構成は基本的に第１の実
施の形態と同様である。
実施の形態について説明する。なお以下で説明する実施
の形態は、第１の実施の形態とはベースプレート21の形
状や、連結部材20およびペルチェ素子22の平面配置状態
が異なるものであり、その他の構成は基本的に第１の実
施の形態と同様である。
【００３２】図３に示す第２の実施の形態においては、
ベースプレート21に、その端面から切り込まれて、ペル
チェ素子22と各連結部材20との間の部分まで延びる３つ
の切り込み21ａが設けられている。
ベースプレート21に、その端面から切り込まれて、ペル
チェ素子22と各連結部材20との間の部分まで延びる３つ
の切り込み21ａが設けられている。
【００３３】ここで、ベースプレート21はほぼ環境温度
に等しく、例えば10〜50℃の範囲となり、取付板19はほ
ぼ温調温度で例えば15℃に保たれる。このように大きな
温度差がある２つの部材がタイトに結合されているた
め、これら取付板19とベースプレート21とに熱応力（熱
歪）が生じ、この応力を受けてペルチェ素子22が劣化、
破損する恐れもある。
に等しく、例えば10〜50℃の範囲となり、取付板19はほ
ぼ温調温度で例えば15℃に保たれる。このように大きな
温度差がある２つの部材がタイトに結合されているた
め、これら取付板19とベースプレート21とに熱応力（熱
歪）が生じ、この応力を受けてペルチェ素子22が劣化、
破損する恐れもある。
【００３４】しかし、ベースプレート21に上述のような
３つの切り込み21ａが設けられていると、上記熱応力が
ペルチェ素子22まで伝わらなくなり、ペルチェ素子22の
劣化、破損が効果的に防止される。このような効果は、
取付板19の方に同様の切り込みを設けた場合も、さらに
は、ベースプレート21と取付板19の双方に切り込みを設
けた場合も同じように得られるものである。
３つの切り込み21ａが設けられていると、上記熱応力が
ペルチェ素子22まで伝わらなくなり、ペルチェ素子22の
劣化、破損が効果的に防止される。このような効果は、
取付板19の方に同様の切り込みを設けた場合も、さらに
は、ベースプレート21と取付板19の双方に切り込みを設
けた場合も同じように得られるものである。
【００３５】次に、図４に示す第３の実施の形態におい
ては、ペルチェ素子22として孔あきタイプのものが用い
られ、このペルチェ素子22の中央部の孔22ａに１本の連
結部材20が通され、図示しない取付板とベースプレート
21はこの１本の連結部材20によって連結されている。
ては、ペルチェ素子22として孔あきタイプのものが用い
られ、このペルチェ素子22の中央部の孔22ａに１本の連
結部材20が通され、図示しない取付板とベースプレート
21はこの１本の連結部材20によって連結されている。
【００３６】図５に示す第４の実施の形態においては、
ペルチェ素子22が２個用いられ、これらのペルチェ素子
22、22の間に１本の連結部材20が配され、図示しない取
付板とベースプレート21はこの１本の連結部材20によっ
て連結されている。
ペルチェ素子22が２個用いられ、これらのペルチェ素子
22、22の間に１本の連結部材20が配され、図示しない取
付板とベースプレート21はこの１本の連結部材20によっ
て連結されている。
【００３７】図６に示す第５の実施の形態においては、
ペルチェ素子22が２個用いられ、これらのペルチェ素子
22、22の外側に計３本の連結部材20が配され、図示しな
い取付板とベースプレート21はこれら３本の連結部材20
によって連結されている。
ペルチェ素子22が２個用いられ、これらのペルチェ素子
22、22の外側に計３本の連結部材20が配され、図示しな
い取付板とベースプレート21はこれら３本の連結部材20
によって連結されている。
【００３８】なお、上記実施の形態においては、固体レ
ーザー結晶としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15が、そして光波
長変換素子としてＫＴＰ結晶17が用いられているが、本
発明はそれ以外の固体レーザー結晶や光波長変換素子を
用いるレーザーダイオードポンピング固体レーザーに対
しても同様に適用可能であることは勿論である。
ーザー結晶としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶15が、そして光波
長変換素子としてＫＴＰ結晶17が用いられているが、本
発明はそれ以外の固体レーザー結晶や光波長変換素子を
用いるレーザーダイオードポンピング固体レーザーに対
しても同様に適用可能であることは勿論である。
【００３９】また本発明は、固体レーザー発振ビームを
第２高調波に波長変換するもののみならず、その他、波
長変換は行なわないレーザーダイオードポンピング固体
レーザーや、固体レーザー発振ビームを１つの基本波と
して和周波を得るレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーや、さらには、上記発振ビームの第３高調波を発
生させるようにしたレーザーダイオードポンピング固体
レーザー等にも適用可能である。
第２高調波に波長変換するもののみならず、その他、波
長変換は行なわないレーザーダイオードポンピング固体
レーザーや、固体レーザー発振ビームを１つの基本波と
して和周波を得るレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーや、さらには、上記発振ビームの第３高調波を発
生させるようにしたレーザーダイオードポンピング固体
レーザー等にも適用可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態であるレーザーダイ
オードポンピング固体レーザーを示す側面図
オードポンピング固体レーザーを示す側面図
【図２】上記レーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーの要部を示す一部破断平面図
ーの要部を示す一部破断平面図
【図３】本発明の第２の実施の形態の要部を示す一部破
断平面図
断平面図
【図４】本発明の第３の実施の形態の要部を示す一部破
断平面図
断平面図
【図５】本発明の第４の実施の形態の要部を示す一部破
断平面図
断平面図
【図６】本発明の第５の実施の形態の要部を示す一部破
断平面図
断平面図
５、６、７ ホルダ 11 レーザービーム（ポンピング光） 12 半導体レーザー 13 ロッドレンズ 15 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 16 共振器ミラー 17 ＫＴＰ結晶 19 取付板 20 連結部材 21 ベースプレート 21ａ ベースプレートの切り込み 22 ペルチェ素子 23、24 弾性接着剤層 25 レーザービーム（固体レーザー発振ビーム） 26 第２高調波 27 温度センサ 28 ペルチェ素子駆動制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/094 3/109 3/131 3/16 Ｈ０１Ｓ 3/094 Ｓ
Claims (4)
- 【請求項１】 ネオジウム等の希土類が添加された固体
レーザー結晶、この固体レーザー結晶をポンピングする
半導体レーザー、および共振器を備えた固体レーザーモ
ジュールと、 一表面上にこの固体レーザーモジュールの少なくとも一
部を固定する取付板と、 この取付板に対して、前記一表面と反対側の表面に対向
する状態で、間隔を置いて配されたベースプレートと、 このベースプレートと前記取付板とを連結する断熱性の
連結部材と、 前記ベースプレートと前記取付板との間に配され、これ
らベースプレートおよび取付板の各々に弾性接着剤層を
介して接合された温度制御素子とからなるレーザーダイ
オードポンピング固体レーザー。 - 【請求項２】 前記弾性接着剤層が室温硬化性の材料か
らなることを特徴とする請求項１記載のレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザー。 - 【請求項３】 前記弾性接着剤層が高熱伝導性の材料か
らなることを特徴とする請求項１または２記載のレーザ
ーダイオードポンピング固体レーザー。 - 【請求項４】 前記ベースプレートおよび／または前記
取付板に、その端面から切り込まれて、前記温度制御素
子と連結部材との間の部分まで延びる切り込みが設けら
れていることを特徴とする請求項１から３いずれか１項
記載のレーザーダイオードポンピング固体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23401195A JPH08204256A (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-12 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-225068 | 1994-09-20 | ||
| JP22506894 | 1994-09-20 | ||
| JP23401195A JPH08204256A (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-12 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204256A true JPH08204256A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=26526418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23401195A Withdrawn JPH08204256A (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-12 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204256A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858106A1 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-12 | Nec Corporation | Optoelectronic element module with peltier device |
| KR100718128B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 단일한 히트싱크 위에 펌프 레이저와 함께 결합된 면발광레이저 |
| JP2007171491A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 光学結晶保持構造及び波長変換装置 |
| JP2012197978A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Toyota Industries Corp | ヒートポンプシステム |
| JP2014016644A (ja) * | 2013-09-26 | 2014-01-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバの接続部構造、レーザ光源装置、および光伝送方法 |
| JP2014029548A (ja) * | 2013-09-26 | 2014-02-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバの被覆部端部の保護構造、レーザ光源装置、および光ファイバの被覆部端部の保護方法 |
| CN110429454A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-11-08 | 南京罗默激光科技有限公司 | 一种激光器及定位方法 |
| CN113867448A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-31 | 北京工业大学 | 一种非线性光学晶体的控温装置 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP23401195A patent/JPH08204256A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2014029548A (ja) * | 2013-09-26 | 2014-02-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバの被覆部端部の保護構造、レーザ光源装置、および光ファイバの被覆部端部の保護方法 |
| CN110429454A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-11-08 | 南京罗默激光科技有限公司 | 一种激光器及定位方法 |
| CN110429454B (zh) * | 2019-07-08 | 2023-12-01 | 南京牧镭激光科技股份有限公司 | 一种激光器及定位方法 |
| CN113867448A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-31 | 北京工业大学 | 一种非线性光学晶体的控温装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |