JPH08204071A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH08204071A
JPH08204071A JP7011229A JP1122995A JPH08204071A JP H08204071 A JPH08204071 A JP H08204071A JP 7011229 A JP7011229 A JP 7011229A JP 1122995 A JP1122995 A JP 1122995A JP H08204071 A JPH08204071 A JP H08204071A
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JP
Japan
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heat dissipation
dissipation plate
insulating substrate
fixed
case
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Application number
JP7011229A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Ueda
和宏 上田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH08204071A publication Critical patent/JPH08204071A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 製品の歩留がよく、機器に組み込みを行った
際においても所定の性能が得られ、経時的な性能も良好
である半導体装置を提供する。 【構成】 固着された絶縁基板21をケース30を立設
して包囲し、充填部材31及びターミナルホルダ32を
設け封止部材33で封止しするようにした放熱板26
が、絶縁基板21を固着した中間部とケース30を立設
した部分との間に変形緩衝部である溝28を有している
ので、封止を行った際に封止部材33の固化にともなう
熱収縮で放熱板26に反りが生じるが、反りは溝28に
よって放熱板26の外周部のみが変形して発生し、絶縁
基板21を固着した中間部は変形しない。このため中間
部に固着した絶縁基板21及び半導体素子24は変形せ
ず、製品の歩留が向上し、機器への組み込みの際にも外
周部には強制的な力が作用するが中間部には力が作用せ
ず、基板及び半導体素子にひび割れ等が発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、大電流をスイッチング
等する大電力用の半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の通り、交流の直流変換や周波数変
換等の電力変換を行う半導体装置のうちの大電力用の装
置では、より高い電圧、より大きい電流のスイッチング
等が可能となるよう開発が進められている。そしてこれ
を実現するために、半導体素子をより大形化すること
と、また同時に複数の半導体素子を同一の基板上に載置
し1つのパッケージ内に収納しモジュール化することが
行われている。
【0003】以下、モジュール化した半導体装置の従来
例を図9乃至図11を参照して説明する。図9は斜視図
であり、図10は断面図であり、図11は放熱板の反り
状況を模式的に示す断面図である。
【0004】図9乃至図11において、1は比較的薄く
形成されたセラミック製の絶縁基板で、その両面に薄い
銅膜2,3が形成されており、4は絶縁基板1の上面側
の銅膜2上に搭載された複数の半導体素子であり、5は
同じく絶縁基板1の上面側の銅膜2上の中央部に片端が
固着されたターミナルである。また6は方形状の放熱板
であって、その上面には絶縁基板1が半田付けによって
固着されている。7は固着の際の半田層であり、8は放
熱板6の4隅部に形成された取着部を構成するねじ止め
用の取付け孔である。
【0005】9は放熱板6の外周に絶縁基板1を取り囲
むように立設されたポリエステル系樹脂製のケースであ
り、このケース9の4角部には取付け孔8に対応して逃
げ部9aが設けてある。また10はケース9内の放熱板
6及び絶縁基板1上に半導体素子4を埋め尽くすように
設けられたシリコンレジンでなる充填部材であり、これ
は充填後に高温雰囲気で硬化されてゲル状となってい
る。
【0006】さらに11はターミナル5を貫通させて充
填部材10上に設けられたポリエステル系樹脂製のター
ミナルホルダであり、12はケース9の開口寸法より小
さく形成されたターミナルホルダ11の外周とケース9
との間に充填され、高温雰囲気において固化されたエポ
キシ樹脂製の封止部材である。
【0007】そして、このように構成された半導体装置
は、取着部のねじ止め用の取付け孔8を使い、図示しな
い組込み機器の取付板にねじを螺着することによって固
定される。なお、組込み機器の取付板は半導体装置から
の熱の放熱路を形成する。
【0008】しかしながら上記の従来技術においては、
ケース9内に充填した充填部材10を高温雰囲気で硬化
しゲル状にした後に封止部材12を充填し、これを再び
高温雰囲気に置くことによって封止部材12を固化す
る。この固化によって封止部材12が熱収縮し、図11
に示すようにケース9の上部は白抜き矢印Xの方向の力
が作用する。そして放熱板6には反りxが生じ、この反
りxは場合によっては約100μm程度となる。
【0009】このように放熱板6が反ったままの半導体
装置を組込み機器の取付け板の平坦面にねじ止めし固定
すると、反った放熱板6には強制的に平坦化する方向に
力が加わる。また、同時にケース9内の放熱板6上面に
固着され同様に反った絶縁基板1、さらに絶縁基板1上
面に搭載された半導体素子4にも平坦化する方向に力が
加わり、これにより絶縁基板1や半導体素子4がひび割
れしたり、破断したり等してしまう虞がある。
【0010】こうした放熱板等の反りのために製品の歩
留が悪く、また、半導体装置を組込み機器に取り付けた
際に所定の性能が得られなかったり、経時的に性能が劣
化する等する虞があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体装置では、製造過程での固化で封止部材が熱収縮し
て放熱板に反りが生じると共に絶縁基板及び半導体素子
にも反りが生じ、製品の歩留が悪く、また、こうした半
導体装置を機器に組み込んだ際に、絶縁基板や半導体素
子がひび割れしたり、破断したり等して所定の性能が得
られなかったり、経時的に性能が劣化する等する虞があ
った。このような状況に鑑みて本発明はなされたもの
で、その目的とするところは製品の歩留が向上すると共
に、機器に組み込みを行った際においても所定の性能が
得られ、経時的な性能も良好である半導体装置を提供す
ることにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
放熱板と、この放熱板の外周部に設けられた取着部と、
半導体素子を搭載して放熱板の中間部に固着された基板
と、この基板を包囲するよう放熱板の外周に沿うと共に
取着部と中間部との間に立設されたケースと、このケー
ス内に基板を封止するよう設けられた合成樹脂製の封止
部材とを備える半導体装置において、放熱板が、基板を
固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩
衝部を有することを特徴とするものであり、さらに、変
形緩衝部が、放熱板に削設された溝によって形成したも
のであることを特徴とするものであり、さらに、変形緩
衝部が、放熱板の外周部の厚さを中間部よりも薄くする
ことによって形成したものであることを特徴とするもの
であり、さらに、放熱板が方形状をなしていると共に、
取着部が該放熱板の4隅部に取付け孔を有していること
を特徴とするものであり、さらに、放熱板が長方形状を
なしていると共に、取着部が該放熱板の短辺側の外周部
に取付け孔を有していることを特徴するものである。
【0013】
【作用】上記のように構成された半導体装置は、固着さ
れた基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しす
るようにした放熱板が、基板を固着した中間部とケース
を立設した部分との間に変形緩衝部を有しているので、
封止を行った際に封止部材の固化にともなう熱収縮で放
熱板に反りが生じるが、反りは変形緩衝部によって放熱
板の外周部のみが変形して発生し、基板を固着した中間
部は変形しない。このため中間部に固着した基板及びこ
れに搭載した半導体素子は変形せず、製品の歩留が向上
し、また機器に組み込みを行う際に反っている外周部に
は強制的な力が作用するものの中間部には力が作用せ
ず、基板及び半導体素子にひび割れ等の発生がなく、確
実に所定の性能が得られ、経時的な性能も良好なものと
なる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
【0015】先ず、第1の実施例であるモジュール化し
た半導体装置を図1乃至図4により説明する。図1は斜
視図であり、図2は断面図であり、図3は放熱板の斜視
図であり、図4は放熱板の反り状況を模式的に示す断面
図である。
【0016】図1乃至図4において、21は窒化アルミ
ニウム(AlN)等で形成された比較的薄いセラミック
製の絶縁基板で、その両面に薄い銅膜22,23が形成
されている。この絶縁基板21には、その片面側の銅膜
22の表面に複数の半導体素子24が搭載されており、
さらに片面側の銅膜22の表面には中央部にターミナル
25の片端が固着されている。なお、このターミナル2
5の固定位置は銅膜22の中央部でなくてもよく、端部
でもよい。
【0017】そして絶縁基板21は、Niめっきが施さ
れた銅製の方形状の放熱板26の片面に半田付けによっ
て固着されている。なお、27は固着の際の半田層であ
る。
【0018】また放熱板26の片面には、各辺に沿って
変形緩衝部を構成する断面形状が矩形の4本の溝28
が、固着された絶縁基板21を取り囲むように井桁状に
削設されている。さらに放熱板26の4隅部には、溝2
8よりも外方側に取着部を構成するねじ止め用の取付け
孔29が形成されている。
【0019】またさらに放熱板26の片面の外周には、
溝28よりも外方側の位置で絶縁基板21を包囲するよ
うに、ポリエステル系樹脂等でなる略方形のケース30
が各辺縁に沿って立設するよう接着剤によって固着され
ている。そしてこのケース30には、その4角部に取付
け孔29に対応して逃げ部30aが設けてある。
【0020】このように立設されたケース30で囲まれ
た中の放熱板26の片面には、絶縁基板21及び半導体
素子24を埋め尽くすように、シリコンレジンでなる充
填部材31がケース30の深さの途中にまで充填されて
いる。そして充填部材31は、充填後に高温雰囲気で硬
化処理されゲル状となっている。
【0021】さらにゲル状となっ充填部材31の表面に
は、ターミナル25を貫通させたポリエステル系樹脂等
でなる略方形平板状のターミナルホルダ32が設けられ
ている。このターミナルホルダ32はケース30の開口
寸法より小さく形成されており、ターミナルホルダ32
の外周とケース30との間にはエポキシ樹脂等でなる封
止部材33が充填されている。そして、封止部材33は
充填後に高温雰囲気において固化処理され、充填部材3
1を介し絶縁基板21及び半導体素子24を放熱板26
の表面上に封止する。
【0022】この固化処理によって封止部材33は熱収
縮し、図4に示すようにケース30の開口端部には、封
止部材33が固着することによって白抜き矢印Yの方向
の力が作用する。この力により放熱板26は、その各辺
に沿って削設された変形緩衝部の溝28部分が変形して
反りyが生じる。
【0023】放熱板26の反りyは、溝28より外方側
の取着部が設けられた外周部が反ることによって生じた
もので、絶縁基板21が固着された溝28よりも内方側
の放熱板26の中間部が反るまでに至っていない。すな
わち、放熱板26の中間部は平坦なままであり、このた
め中間部に固着された絶縁基板21やこれに搭載されて
いる半導体素子24は反ることなく平坦なままとなって
いる。
【0024】そして、このような半導体装置を図示しな
い組込み機器の取付け板の平坦面に固定する場合、放熱
板26の外周部に形成された取付け孔29を使いねじ止
めにより行われる。この放熱板26の取り付けの際に、
取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔29
が形成された外周部は反りyを修正し取付け板に密着す
るよう強制的に平坦化される。
【0025】これに対し放熱板26の中間部は、その他
面側が平坦であるためそのまま取付け板の平坦面に密着
し、強制的な形状修正が行われない。それ故、中間部に
固着された絶縁基板21や半導体素子24にも形状修正
を行うための強制的な力が加わることがなく、絶縁基板
21や半導体素子24がひび割れしたり、破断したり等
してしまうことがない。
【0026】この結果、放熱板に生じる反りをその外周
部だけにとどめ、中間部に固着された絶縁基板21や半
導体素子24に及ばないようにしているので製品の歩留
が向上し、また、組込み機器に取り付けた際にも所定通
りの性能が得られ、経時的にも性能が劣化する等の虞が
ない。
【0027】次に、第2の実施例であるモジュール化し
た半導体装置を図5及び図6により説明する。図5は断
面図であり、図6は放熱板の斜視図である。
【0028】図5及び図6において、41は窒化アルミ
ニウム等で形成された比較的薄いセラミック製の絶縁基
板で、その両面に薄い銅膜42,43が形成されてい
る。この絶縁基板41には、その片面側の銅膜42の表
面に複数の半導体素子24が搭載されており、さらに片
面側の銅膜42の表面には中央部にターミナル25の片
端が固着されている。また絶縁基板41は、Niめっき
が施された銅製の長方形状の放熱板44の片面に半田付
けによって固着されている。
【0029】この絶縁基板41が固着された放熱板44
は、その他面側に両短辺に沿って変形緩衝部を構成する
断面形状が矩形の2本の溝45が削設されている。この
溝45は固着された絶縁基板41と短辺縁との間に設け
られたものであり、さらに放熱板44の短辺縁と溝45
との間の外周部には、取着部を構成するねじ止め用の取
付け孔29が形成されている。
【0030】またさらに放熱板44の片面の外周には、
ポリエステル系樹脂等でなる略長方形のケース46が各
辺縁に沿って立設するよう接着剤によって固着され、短
辺側では溝45よりも外方側に位置するようにして絶縁
基板41を包囲している。そしてこのケース46には、
その短辺側の外周部に取付け孔29に対応する図示しな
い逃げ部が設けてある。
【0031】このように立設されたケース46で囲まれ
た中の放熱板44の片面には、絶縁基板41及び半導体
素子24を埋め尽くすように、シリコンレジンでなる充
填部材47がケース46の深さの途中にまで充填されて
いる。そして充填部材47は、充填後に高温雰囲気で硬
化処理されゲル状となっている。
【0032】さらにゲル状となっ充填部材47の表面に
は、ターミナル25を貫通させたポリエステル系樹脂等
でなる略長方形平板状のターミナルホルダ48が設けら
れている。このターミナルホルダ48はケース46の開
口寸法より小さく形成されており、ターミナルホルダ4
8の外周とケース46との間にはエポキシ樹脂等でなる
封止部材49が充填されている。そして、封止部材49
は充填後に高温雰囲気において固化処理され、充填部材
47を介し絶縁基板41及び半導体素子24を放熱板4
4の表面上に封止する。
【0033】この固化処理によって封止部材49は熱収
縮し、封止部材49が固着したケース46の開口端部に
は内方に向かう力が作用する。そして、この力によって
放熱板44に反りが生じるが、長辺と短辺の差が大きい
本実施例の場合には短辺に平行な方向の反りは小さく、
主として長辺に平行な方向に大きな反りを生じる。この
長辺に平行な方向の反りは、放熱板44の短辺に沿って
削設された変形緩衝部の溝45部分が変形して生じる。
【0034】このため放熱板44は、溝45より外方側
の取着部が設けられた外周部が反っているものの、絶縁
基板41が固着された溝45よりも内方側の放熱板44
の中間部が反るまでに至っていない。すなわち、放熱板
44の中間部は平坦なままであり、このため中間部に固
着された絶縁基板41やこれに搭載されている半導体素
子24は反ることなく平坦なままとなっている。
【0035】そして、このような半導体装置を図示しな
い組込み機器の取付け板の平坦面に固定する場合、放熱
板44の外周部に形成された取付け孔29を使いねじ止
めにより行われる。この放熱板44の取り付けの際に、
取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔29
が形成された外周部は反りを修正し取付け板に密着する
よう強制的に平坦化される。
【0036】これに対し放熱板44の中間部は、その他
面側が平坦であるためそのまま取付け板の平坦面に密着
し、強制的な形状修正が行われない。それ故、中間部に
固着された絶縁基板41や半導体素子24にも形状修正
を行うための強制的な力が加わることがない。従って、
本実施例においても第1の実施例と同様の作用、効果が
得られる。なお、第1及び第2の実施例においては溝2
8,45の断面形状を矩形としたがこれに限るものでは
なく、部分円弧状やV字状、U字状等であってもよい。
【0037】次に、第3の実施例であるモジュール化し
た半導体装置を図7及び図8により説明する。図7は断
面図であり、図8は放熱板の斜視図である。
【0038】図7及び図8において、51は窒化アルミ
ニウム等で形成された比較的薄いセラミック製の絶縁基
板で、その両面に薄い銅膜52,53が形成されてい
る。この絶縁基板51には、その片面側の銅膜52の表
面に複数の半導体素子24が搭載されており、さらに片
面側の銅膜52の表面には中央部にターミナル25の片
端が固着されている。また絶縁基板51は、Niめっき
が施された銅製の矩形状の放熱板54の片面に半田付け
によって固着されている。
【0039】この絶縁基板51が固着された放熱板54
は、その片面の各辺に沿った外周部に段差55を形成す
ることで変形緩衝部を構成する薄肉部56が設けられて
おり、薄肉部56はその厚さが中間部に比べて薄いもの
となっている。さらに放熱板54の薄肉部56の4隅部
には、取着部を構成するねじ止め用の取付け孔29が形
成されている。
【0040】また放熱板54の薄肉部56の片面側に
は、段差55よりも外方側の位置に絶縁基板51を包囲
するように、ポリエステル系樹脂等でなる略矩形のケー
ス57が各辺縁に沿って立設するよう接着剤によって固
着されている。そしてこのケース57には、その4角部
に取付け孔29に対応して図示しない逃げ部が設けてあ
る。
【0041】このように立設されたケース57で囲まれ
た中の放熱板54の片面には、絶縁基板51及び半導体
素子24を埋め尽くすように、シリコンレジンでなる充
填部材58がケース57の深さの途中にまで充填されて
いる。そして充填部材58は、充填後に高温雰囲気で硬
化処理されゲル状となっている。
【0042】さらにゲル状となっ充填部材58の表面に
は、ターミナル25を貫通させたポリエステル系樹脂等
でなる略矩形平板状のターミナルホルダ59が設けられ
ている。このターミナルホルダ59はケース57の開口
寸法より小さく形成されており、ターミナルホルダ59
の外周とケース57との間にはエポキシ樹脂等でなる封
止部材60が充填されている。そして、封止部材60は
充填後に高温雰囲気において固化処理され、充填部材5
8を介し絶縁基板51及び半導体素子24を放熱板54
の表面上に封止する。
【0043】この固化処理によって封止部材60は熱収
縮し、封止部材60が固着したケース57の開口端部に
は内方に向かう力が作用する。この力により放熱板54
は、その外周部に設けられた段差55より外方の変形緩
衝部を構成している薄肉部56が変形して反りが生じ
る。
【0044】この放熱板54の反りは、段差55より外
方側の取付け孔29が形成された外周部が反ることによ
って生じたもので、絶縁基板51が固着された段差55
よりも内方側の放熱板54の中間部が反るまでに至って
いない。すなわち、放熱板54の中間部は平坦なままで
あり、このため中間部に固着された絶縁基板51やこれ
に搭載されている半導体素子24は反ることなく平坦な
ままとなっている。
【0045】そして、このような半導体装置を図示しな
い組込み機器の取付け板の平坦面に固定する場合、放熱
板54の外周部に形成された取付け孔29を使いねじ止
めにより行われる。この放熱板54の取り付けの際に、
取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔29
が形成された外周部は反りを修正し取付け板に密着する
よう強制的に平坦化される。
【0046】これに対し放熱板54の中間部は、その他
面側が平坦であるためそのまま取付け板の平坦面に密着
し、強制的な形状修正が行われない。それ故、中間部に
固着された絶縁基板51や半導体素子24にも形状修正
を行うための強制的な力が加わることがない。従って、
本実施例においても第1の実施例と同様の作用、効果が
得られる。
【0047】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材
で封止しするようにした放熱板が、基板を固着した中間
部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有する
構成としたことにより、製品の歩留が向上し、機器に組
み込みを行った際においても所定の性能が得られ、経時
的な性能も良好なものとなる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施例の断面図である。
【図3】本発明の第1の実施例の放熱板の斜視図であ
る。
【図4】本発明の第1の実施例における放熱板の反り状
況を模式的に示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施例を示す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施例の放熱板の斜視図であ
る。
【図7】本発明の第3の実施例を示す断面図である。
【図8】本発明の第3の実施例の放熱板の斜視図であ
る。
【図9】従来例を示す斜視図である。
【図10】従来例の断面図である。
【図11】従来例におけるの放熱板の反り状況を模式的
に示す断面図である。
【符号の説明】
21,41,51…絶縁基板 24…半導体素子 26,44,54…放熱板 28,45…溝 29…取付け孔 30,46,57…ケース 33,49,60…封止部材 56…薄肉部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱板と、この放熱板の外周部に設けら
    れた取着部と、半導体素子を搭載して前記放熱板の中間
    部に固着された基板と、この基板を包囲するよう前記放
    熱板の外周に沿うと共に前記取着部と前記中間部との間
    に立設されたケースと、このケース内に前記基板を封止
    するよう設けられた合成樹脂製の封止部材とを備える半
    導体装置において、前記放熱板が、前記基板を固着した
    中間部と前記ケースを立設した部分との間に変形緩衝部
    を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 変形緩衝部が、放熱板に削設された溝に
    よって形成したものであることを特徴とする請求項1記
    載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 変形緩衝部が、放熱板の外周部の厚さを
    中間部よりも薄くすることによって形成したものである
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 放熱板が方形状をなしていると共に、取
    着部が該放熱板の4隅部に取付け孔を有していることを
    特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 放熱板が長方形状をなしていると共に、
    取着部が該放熱板の短辺側の外周部に取付け孔を有して
    いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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