JPH08191206A - 積層型３ｄＢ方向性結合器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 小型化された積層型３ｄＢ方向性結合器を提
供する。 【構成】 導体膜が形成された誘電体層２，３，４，
５，６，７を積層し、該導体膜が積層された誘電体層間
をスルーホールで接続されて、第１のストリップライン
８ａ，８ｂと第２のストリップライン９ａ，９ｂとが形
成されている積層型方向性結合器であって、前記第１の
ストリップラインは、少なくとも２層の誘電体層に形成
された導体膜をスルーホールで接続して構成されてお
り、かつ前記第１のストリップラインを構成する誘電体
層間の誘電体層上に第２のストリップライン９ｂを構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話等に使用され
る３ｄＢ方向性結合器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の３ｄＢ方向性結合器の斜視図を図
７に示す。この従来例では、主線路及び副線路を同じ基
板上に作製した同一平面型の場合を示す。これは、裏面
に平面状の地導体５２が形成された誘電体基板５１の表
面に２本のストリップライン５３、５４が間隔Ｓだけ離
れて平行に配されている。これらのストリップライン５
３、５４の平行な部分の長さは、それぞれ１／４波長の
長さになるように構成されている。この方向性結合器で
は、ポートＰ１より入力された高周波電力は、主線路で
あるストリップライン５３を通り、ポートＰ２に出力さ
れる。このとき、主線路であるストリップライン５３と
副線路であるストリップライン５４との結合により、ス
トリップライン５３を通る電力の半部が、ストリップラ
イン５４に流れ、ポートＰ３に出力される。このとき、
ポートＰ４には出力は現れない。又、この時ポートＰ２
に表れる電圧Ｖ２とポートＰ３に表れる電圧Ｖ３の間に
は９０度の位相差を持つ。次に、主線路であるストリッ
プライン５３の逆方向に、つまりポートＰ２からポート
Ｐ１に向かって電力を流した場合、その半部の電力がポ
ートＰ４に現れ、ポートＰ３には現れない。つまり、ポ
ートＰ２とポートＰ３とには、アイソレーションがあ
り、ポートＰ３にはポートＰ２からの電力の回り込みが
ない。これが、３ｄＢ方向性結合器の基本的な動作であ
る。主線路５３から副線路５４への結合は、二つのスト
リップラインの平行部分の間隔Ｓを調節することにより
可能である。図７の従来例の説明では、主線路及び副線
路をストリップライン５３、５４としたが、図７の対称
な構造から明かなように、主線路及び副線路の役割を入
れ替えても、同じように方向性結合器の基本的動作を実
現できる。

【０００３】図８は、従来技術の他の例であり、主線路
であるストリップライン６５及び副線路であるストリッ
プライン６６を積層した場合を示す。これは、裏面に平
面状の地導体６４が形成された誘電体基板６１の表面に
副線路であるストリップライン６６が配されている。そ
の上方には主線路であるストリップライン６５を形成し
た誘電体基板６２が間隔Ｌだけ離れて平行に配されてい
る。その上には、保護用の誘電体基板６３が設けられて
いる。これらの３つの基板を積層して焼成し、外部端子
を付加して完成させた方向性結合器の斜視図を図９に示
す。この場合も図７と同じような動作を実現でき、ポー
トＰ１より入力された高周波電力は、主線路であるスト
リップライン６５を通り、ポートＰ２に出力される。こ
のとき、主線路であるストリップライン６５と副線路で
あるストリップライン６６との結合により、ストリップ
ライン６５を通る電力の半部が、ストリップライン６６
に流れ、ポートＰ３に出力される。このとき、ポートＰ
４には出力は現れない。そして、ポートＰ２とポートＰ
３に表れる電力の電圧が９０度の位相差を持つ。ポート
Ｐ２から流れ込む電力はポートＰ３には表れない。ポー
トＰ３から流れ込む電力はポートＰ２には表れない。つ
まり、ポート２とポート３の２出力端子間にはアイソレ
ーションがある。主線路６５から副線路６６への結合
は、二つのストリップラインの平行部分の積層方向の間
隔、すなわち誘電体基板６２の厚みＤを調節することに
より可能である。

【０００４】このように高周波電力を９０度の位相差を
持たせ、２つの出力端子に半分ずつ分岐をする機能を有
する３ｄＢ方向性結合器は、マイクロ波通信の例えば携
帯電話の送信器の差動型パワーアンプの入出力用分配／
合成器に用いられる。図１０にその応用例のブロック図
を示す。３ｄＢ方向性結合器７１の主線路のポートＰ１
をプリアンプ出力端子に接続するとともに、２つの出力
端子ポートＰ２、Ｐ３を、それぞれ並列配置された２つ
のパワーアンプ７７の入力端子に接続する。残りのポー
トＰ４へは電力を吸収する抵抗素子７５を接続して、差
動型パワーアンプの入力用分配器７１を構成する。同様
に、パワーアンプ出力用合成器７２としては、３ｄＢ方
向性結合器７２のポートＰ２及びポートＰ３をそれぞれ
並列アンプ７７の２つの出力端子へ接続し、そしてポー
トＰ１をアンテナ７４へ向かう線路に接続する。残りの
ポートＰ４へは電力を吸収する抵抗素子７６を接続し
て、差動型パワーアンプの出力用合成器７２を構成す
る。この時、合成器７２の２つの端子Ｐ２とＰ３から入
力する電力は、同一周波数で、電圧位相差９０度を持つ
電力である。アンプ入力用分配器７１の出力端子Ｐ２と
アンプ出力用合成器７２の入力端子Ｐ３を対にして接続
することで、９０度位相差をもつ２つの入力端子はアン
プ出力用合成器７２の出力端子Ｐ１において、同相で合
成され出力される。この３ｄＢ方向性結合器には、低損
失で、２つの出力電力の電圧位相差が９０度で一定であ
る事、かつ２つの出力電力の電力差が小さい事が必要と
される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、携帯電
話器などでは、その小型化が重要な課題となっており、
前記目的に使用される方向性結合器についても、より一
層の小型化が要求されるようになっている。従来技術の
図７の例のような１／４波長の方向性結合器では、その
ストリップライン電極の長さは、例えば１ＧＨｚでは
２．５ｃｍ（比誘電率ε＝９とした場合の１／４波長）
の長さを必要とし、十分な小型化が期待できない。さら
に比誘電率の大きな材料を用いて、１／４波長を短くす
る方法も考えられるが、５０Ωのインピーダンスを維持
するためにはストリップライン幅が極めて細くなること
や、主線路と副線路の所望の結合を得るためにはストリ
ップラインの間隔が著しく狭くなること等、高い加工精
度が要求されるようになる。このため、量産性に乏し
く、耐電力性も悪くなるという問題があった。また、従
来技術の図８のように複数のストリップラインを縦方向
に積層した構造においては、二つの線路の結合が平面で
行われるので制御の範囲が広くなるものの、小型化とい
う点では事情は前記例となんら変わらない。小型化の一
つの方向は、１／４波長より線路長を短くする方法が考
えられるが、従来技術を用い単に線路長を短くしていっ
たのでは、広い周波数範囲で十分に高いアイソレーショ
ンを実現できないという難点があった。本発明は、上記
のことを鑑みて、小型化された積層型３ｄＢ方向性結合
器を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】導体膜が形成された誘電
体層を積層し、該導体膜が積層された誘電体層間をスル
ーホールで接続されて、第１のストリップラインと第２
のストリップラインとが形成されている積層型方向性結
合器であって、前記第１のストリップラインは、少なく
とも２層の誘電体層に形成された導体膜をスルーホール
で接続して構成されており、かつ前記第１のストリップ
ラインを構成する誘電体層間の誘電体層上に第２のスト
リップラインを構成するための導体膜が形成されている
積層型３ｄＢ方向性結合器である。また本発明は、前記
第１のストリップライン及び第２のストリップライン
が、それぞれ１回以上巻回されていることものである。
また本発明は、前記第１のストリップラインの入力と出
力は、前記積層体の対向する両面に分かれて形成されて
いるものである。また本発明は、前記第１のストリップ
ラインの入力と出力は、前記積層体の中心に対して回転
対称の位置に分かれて形成されているものである。

【０００７】

【作用】本発明は、導体膜が形成された誘電体層を積層
し、その導体膜を積層方向に接続して、第１のストリッ
プラインと第２のストリップラインとを形成する積層型
方向性結合器であり、かつ、第１のストリップラインを
構成する誘電体層間に第２のストリップラインを挟む構
成とするため、主線路と副線路の結合を高め、方向性結
合器として良好な特性を得ている。また本発明は、第１
のストリップライン及び第２のストリップラインが、そ
れぞれ１回以上巻回されており、これにより主線路と副
線路がコイル結合し、従来の１／４波長結合より短い線
路長で結合が可能となり、小型に形成可能となった。ま
た本発明は、第１のストリップラインの入力と出力は、
積層体の対向する両面に分かれて形成されており、また
第１のストリップラインの入力と出力は、前記積層体の
中心に対して回転対称の位置に分かれて形成されている
ことにより、図１０に示すようなパワーアンプの入力分
配器としても出力合成器としても使用出来る。

【０００８】

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。本発明に係わる一実施例の組立構成部品
図を図１に示す。また、本発明に係わる一実施例の前記
構成部品を組み立てた積層型３ｄＢ方向性結合器１の斜
視図を図２に示す。本発明の実施例である積層型３ｄＢ
方向性結合器１は、下層の誘電体層２と、副線路用のス
トリップライン電極が形成された誘電体層３、５と、主
線路用のストリップライン電極が形成された誘電体層
４、６と、上層の誘電体層７とを積層して構成されてい
る。これらの各誘電体層は、低温焼結用のセラミックグ
リーンシートが用いられている。下層の誘電体層２の上
に、副線路用の誘電体層３が積層される。この副線路用
の誘電体層３は、セラミックグリーンシートの一面にス
トリップライン電極９ａが形成されている。ストリップ
ライン電極９ａの一端は誘電体層の側面まで達してお
り、積層体では外部電極Ｃと接続される。またストリッ
プライン電極９ａの他端はスルーホール用ラウンド電極
１０ａが形成されている。この副線路用の誘電体層３の
上に、主線路用の誘電体層４が積層される。この主線路
用の誘電体層４は、セラミックグリーンシートの一面に
ストリップライン電極８ａとスルーホール１１ａが形成
されている。ストリップライン電極８ａの一端は誘電体
層の側面まで達しており、積層体では外部電極Ａと接続
される。またストリップライン電極８ａの他端はスルー
ホール用ラウンド電極１０ｂが形成されている。この主
線路用の誘電体層４の上に、もう一つの副線路用の誘電
体層５が積層される。この副線路用の誘電体層５は、セ
ラミックグリーンシートの一面にストリップライン電極
９ｂとスルーホール１１ｃが形成されている。ストリッ
プライン電極９ｂの一端は誘電体層の側面まで達してお
り、積層体では外部電極Ｄと接続される。またストリッ
プライン電極９ｂの他端はスルーホール１１ｂが形成さ
れている。この副線路用の誘電体層５の上に、もう一つ
の主線路用の誘電体層６が積層される。この主線路用の
誘電体層６は、セラミックグリーンシートの一面にスト
リップライン電極８ｂが形成されている。ストリップラ
イン電極８ｂの一端は誘電体層の側面まで達しており、
積層体では外部電極Ｂと接続される。またストリップラ
イン電極８ｂの他端はスルーホール１１ｄが形成されて
いる。この主線路用の誘電体層６の上に、上層の誘電体
層７が積層される。

【０００９】主線路用の誘電体層に形成されたストリッ
プライン電極８ａ，８ｂはスルーホール用ラウンド電極
１０ｂと、スルーホール１１ｃと、スルーホール１１ｄ
で接続され、外部端子Ａ（Ｐ１）と外部端子Ｂ（Ｐ２）
間で第１のストリップラインを構成している。また副線
路用の誘電体層に形成されたストリップライン電極９
ａ，９ｂはスルーホール用ラウンド電極１０ａと、スル
ーホール１１ａと、スルーホール１１ｂで接続され、外
部端子Ｃ（Ｐ３）と外部端子Ｄ（Ｐ４）間で第２のスト
リップラインを構成している。このとき、主線路用の誘
電体層４、６の間に副線路用のストリップライン電極９
ｂが形成された誘電体層５が挟まれている。この各誘電
体層のグリーンシートは、各電極膜が印刷技術により形
成された後に積み重ねられ、約９００℃の温度で焼成さ
れ一体化される。結果として図２に示す方向性結合器１
が完成する。各グリーンシートの側面に設けられた外部
電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、積層体が焼成一体化された後形
成したが、焼成前に形成して一体焼成しても良い。本実
施例のセラミックグリーンシートは、比誘電率εがほぼ
８で、９００℃で焼成可能な誘電体材料であり、その厚
みは９０μｍ（焼成後：６５μｍ）のものを用いた。各
電極は、厚さ１０μｍの銀電極であり、ストリップライ
ン電極の幅を０．２ｍｍとした。積層後一体焼成して完
成したチップ型方向性結合器の外寸法は、３．２×１．
６×１．０ｔ（ｍｍ）であった。本実施例は、外部電極
Ａを主線路の入力Ｐ１、外部電極Ｂは主線路の出力Ｐ
２、外部電極Ｃを副線路の出力Ｐ３、外部電極Ｄは主線
路のアイソレーション出力Ｐ４となっている。この実施
例により、１．５ＧＨｚ用の積層型３ｄＢ方向性結合器
を構成した。このとき、線路長は、９．６ｍｍであり、
約１／８波長の長さで構成されている。また、この実施
例の挿入損失特性を図３に、アイソレーションを図４
に、Ｐ２とＰ３の位相差を図５に示す。この各特性図に
示すように、この実施例は、挿入損失が２分配損失３ｄ
Ｂを含めて、４ｄＢ以下であり、低損失となっている。
またその電力差は±１ｄＢ以下であり、位相差も約８８
度でフラットな特性を示している。３ｄＢ方向性結合器
として優れた特性を有している。更に、アイソレーショ
ンも十分である。

【００１０】本発明に係わる別の実施例の組立構成部品
図を図６に示す。また、この実施例を組み立てた積層型
方向性結合器は、図２の斜視図と同様である。この実施
例である積層型方向性結合器は、下層の誘電体層２１
と、副線路用のストリップライン電極が形成された誘電
体層２２、２４、２６、２８と、主線路用のストリップ
ライン電極が形成された誘電体層２３、２５、２７、２
９と、上層の誘電体層３０とを積層して構成されてい
る。これらの各誘電体層は、低温焼結用のセラミックグ
リーンシートが用いられている。下層の誘電体層２１の
上に、副線路用の誘電体層２２が積層される。この副線
路用の誘電体層２２は、セラミックグリーンシートの一
面にストリップライン電極３２ａが形成されている。ス
トリップライン電極３２ａの一端は誘電体層の側面まで
達しており、積層体では外部電極Ｄと接続される。また
ストリップライン電極３２ａの他端はスルーホール用ラ
ウンド電極３３ａが形成されている。この副線路用の誘
電体層２２の上に、主線路用の誘電体層２３が積層され
る。この主線路用の誘電体層２３は、セラミックグリー
ンシートの一面にストリップライン電極３１ａとスルー
ホール３４ａが形成されている。ストリップライン電極
３１ａの一端は誘電体層の側面まで達しており、積層体
では外部電極Ｂと接続される。またストリップライン電
極３１ａの他端はスルーホール用ラウンド電極３３ｂが
形成されている。この主線路用の誘電体層２３の上に、
次の副線路用の誘電体層２４が積層される。この副線路
用の誘電体層２４は、セラミックグリーンシートの一面
にストリップライン電極３２ｂとスルーホール３４ｃが
形成されている。ストリップライン電極３２ｂの一端は
スルーホール３４ｂが形成されており、他端はスルーホ
ール用ラウンド電極３３ｃが形成されている。この副線
路用の誘電体層２４の上に、次の主線路用の誘電体層２
５が積層される。この主線路用の誘電体層２５は、セラ
ミックグリーンシートの一面にストリップライン電極３
１ｂとスルーホール３４ｅが形成されている。ストリッ
プライン電極３１ｂの一端はスルーホール３４ｄが形成
されており、他端はスルーホール用ラウンド電極３３ｄ
が形成されている。この主線路用の誘電体層２５の上
に、次の副線路用の誘電体層２６が積層される。この副
線路用の誘電体層２６は、セラミックグリーンシートの
一面にストリップライン電極３２ｃとスルーホール３４
ｇが形成されている。ストリップライン電極３２ｃの一
端はスルーホール３４ｆが形成されており、他端はスル
ーホール用ラウンド電極３３ｅが形成されている。この
副線路用の誘電体層２６の上に、次の主線路用の誘電体
層２７が積層される。この主線路用の誘電体層２７は、
セラミックグリーンシートの一面にストリップライン電
極３１ｃとスルーホール３４ｉが形成されている。スト
リップライン電極３１ｃの一端はスルーホール３４ｈが
形成されており、他端はスルーホール用ラウンド電極３
３ｆが形成されている。この主線路用の誘電体層２７の
上に、最後の副線路用の誘電体層２８が積層される。こ
の副線路用の誘電体層２８は、セラミックグリーンシー
トの一面にストリップライン電極３２ｄとスルーホール
３４ｋが形成されている。ストリップライン電極３２ｄ
の一端は誘電体層の側面まで達しており、積層体では外
部電極Ｃと接続される。またストリップライン電極３２
ｄの他端はスルーホール３４ｊが形成されている。この
副線路用の誘電体層２８の上に、最後の主線路用の誘電
体層２９が積層される。この主線路用の誘電体層２９
は、セラミックグリーンシートの一面にストリップライ
ン電極３１ｄが形成されている。ストリップライン電極
３１ｄの一端は誘電体層の側面まで達しており、積層体
では外部電極Ａと接続される。またストリップライン電
極３１ｄの他端はスルーホール３４ｌが形成されてい
る。この主線路用の誘電体層２９の上に、上層の誘電体
層３０が積層される。

【００１１】主線路用の誘電体層に形成されたストリッ
プライン電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄはスルー
ホール用ラウンド電極３３ｂと、スルーホール３４ｃ
と、スルーホール３４ｄ、スルーホール用ラウンド電極
３３ｄと、スルーホール３４ｇと、スルーホール３４
ｈ、スルーホール用ラウンド電極３３ｆと、スルーホー
ル３４ｋと、スルーホール３４ｌで接続され、外部端子
Ａ（Ｐ１）と外部端子Ｂ（Ｐ２）間で第１のストリップ
ラインを構成している。また副線路用の誘電体層に形成
されたストリップライン電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、
３２ｄはスルーホール用ラウンド電極３３ａと、スルー
ホール３４ａと、スルーホール３４ｂ、スルーホール用
ラウンド電極３３ｃと、スルーホール３４ｅと、スルー
ホール３４ｆ、スルーホール用ラウンド電極３３ｅと、
スルーホール３４ｉと、スルーホール３４ｊで接続さ
れ、外部端子Ｃ（Ｐ３）と外部端子Ｄ（Ｐ４）間で第２
のストリップラインを構成している。このとき、主線路
用の誘電体層２３、２５、２７、２９の間にそれぞれ副
線路用のストリップライン電極３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ
が形成された誘電体層２４、２６、２８が挟まれてい
る。この各誘電体層のグリーンシートは、各電極膜が印
刷技術により形成された後に積み重ねられ、約９００℃
の温度で焼成され一体化される。結果として図２に示す
方向性結合器と同様のものが完成する。各グリーンシー
トの側面に設けられた外部電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、焼成
一体化された後形成したが、焼成前に形成して一体焼成
しても良い。本実施例のセラミックグリーンシートは、
比誘電率εがほぼ８で、９００℃で焼成可能な誘電体材
料であり、その厚みは９０μｍ（焼成後：６５μｍ）の
ものを用いた。各電極は、厚さ１０μｍの銀電極であ
り、ストリップライン電極の幅を０．２ｍｍとした。積
層後一体焼成して完成したチップ型方向性結合器の外寸
法は、３．２×１．６×１．０ｔ（ｍｍ）であった。本
実施例は、外部電極Ａを主線路の入力Ｐ１、外部電極Ｂ
は主線路の出力Ｐ２、外部電極Ｃを副線路の出力Ｐ３、
外部電極Ｄは主線路のアイソレーション出力Ｐ４となっ
ている。この実施例によって、８００ＭＨｚ帯用の積層
型３ｄＢ方向性結合器を構成した。このとき、線路長
は、１６ｍｍであり、約１／８波長の長さで構成されて
いる。この特性は、上記実施例と同様の特性であり、３
ｄＢ方向性結合器として優れた特性を有していた。

【００１２】本発明は、図７、図８の従来技術のように
分布定数型線路を前提としたＵ字型のストリップライン
ではなく、図１、図６に示すように集中定数回路部品と
同じような１回以上巻いたコイル状のストリップライン
とし、第１のストリップラインを構成する誘電体層間に
第２のストリップラインを構成する誘電体層を挟むもの
である。このような構造により、本来分布定数型線路で
ある複数のストリップラインをお互いにコイル結合させ
ることにより、小型化が達成されると共に、より広い周
波数範囲で高い性能を実現できるようになった。このた
め、お互いのストリップラインは重なっていることが重
要である。本実施例では、このため、ストリップライン
電極は、外部電極への引き出し部を除いて、ほぼ同一線
上に重なるように形成されている。また、従来の１／４
波長による設計に対し、本発明では、約１／８波長の長
さのストリップラインで構成できた。また、入力端子と
出力端子を積層体の対向する側面に形成したので、マイ
クロ波の伝搬が直線的回路上に接続でき、また図１０に
示すような並列に配置されたパワーアンプの回路におい
て、スムーズな配置が可能である。さらに、本発明の実
施例では、非磁性の誘電体基板について述べたが、基板
として磁性体基板を用いても、本発明の効果を実現でき
る。このように、本発明の技術を用いることにより、広
帯域で高周波特性の優れた非常に小型の積層型３ｄＢ方
向性結合器を得ることができた。

【００１３】

【発明の効果】本発明によれば、非常に小型で、高性能
な積層型３ｄＢ方向性結合器を構成できた。これによ
り、携帯電話器用等のマイクロ波部品の小型化に極めて
有益である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる一実施例の分解斜視図である。

【図２】本発明に係わる一実施例の斜視図である。

【図３】本発明に係わる一実施例の挿入損失特性図であ
る。

【図４】本発明に係わる一実施例のアイソレーション特
性図である。

【図５】本発明に係わる一実施例のＰ２とＰ３の位相差
の特性図である。

【図６】本発明に係る別の実施例の分解斜視図である。

【図７】従来技術の斜視図である。

【図８】従来技術の分解斜視図である。

【図９】従来技術の斜視図である。

【図１０】方向性結合器の使用例の回路ブロック図であ
る。

【符号の説明】

１ 積層型方向性結合器 ２、３、４、５、６、７、２１、２２、２３、２４、２
５、２６、２７、２８、２９、３０ 誘電体層 ８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂ、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３
１ｄ、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ ストリップラ
イン電極 １０ａ、１０ｂ、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３
３ｅ、３３ｆ スルーホール用ラウンド電極 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、３４ａ、３４ｂ、３
４ｃ、３４ｄ、３４ｅ、３４ｆ、３４ｇ、３４ｈ、３４
ｉ、３４ｊ、３４ｋ、３４ｌ スルーホール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体膜が形成された誘電体層を積層し、
   該導体膜が積層された誘電体層間をスルーホールで接続
   されて、第１のストリップラインと第２のストリップラ
   インとが形成されている積層型方向性結合器であって、
   前記第１のストリップラインは、少なくとも２層の誘電
   体層に形成された導体膜をスルーホールで接続して構成
   されており、かつ前記第１のストリップラインを構成す
   る誘電体層間の誘電体層上に第２のストリップラインを
   構成するための導体膜が形成されていることを特徴とす
   る積層型３ｄＢ方向性結合器。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記第１のストリッ
   プライン及び第２のストリップラインは、それぞれ１回
   以上巻回されていることを特徴とする積層型３ｄＢ方向
   性結合器。
3. 【請求項３】 請求項１において、前記第１のストリッ
   プラインの入力と出力は、前記積層体の対向する両面に
   分かれて形成されていることを特徴とする積層型３ｄＢ
   方向性結合器。
4. 【請求項４】 請求項１において、前記第１のストリッ
   プラインの入力と出力は、前記積層体の中心に対して回
   転対称の位置に分かれて形成されていることを特徴とす
   る積層型３ｄＢ方向性結合器。