JPH08191001A - セラミック抵抗体 - Google Patents
セラミック抵抗体Info
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- JPH08191001A JPH08191001A JP7031293A JP3129395A JPH08191001A JP H08191001 A JPH08191001 A JP H08191001A JP 7031293 A JP7031293 A JP 7031293A JP 3129395 A JP3129395 A JP 3129395A JP H08191001 A JPH08191001 A JP H08191001A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常温比抵抗値が１０４〜１０１３Ωｃｍと
抵抗値が大きく、高電圧路の分圧抵抗体の使用に優れる
セラミック抵抗体を提供する。 【構成】 組成がＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｓ
ｉＯ２ガラスおよびほう珪酸ガラスのうち１つまたは２
つからなり、さらに導電材料としてＳｉＣとからなるセ
ラミック抵抗体において、導電材料として平均粒径が１
μｍ以下であるＳｉＣを５〜７０ｗｔ％としたことを特
徴とするアルカリ酸化物の濃度が１０００ｐｐｍ以下の
セラミック抵抗体で、常温、真空中での比抵抗値が１０
４〜１０１３Ωｃｍで、常温から２００℃までの抵抗温
度係数が−２％／℃以下であり、見掛気孔率が１％以下
であることを特徴とするセラミック抵抗体。
抵抗値が大きく、高電圧路の分圧抵抗体の使用に優れる
セラミック抵抗体を提供する。 【構成】 組成がＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｓ
ｉＯ２ガラスおよびほう珪酸ガラスのうち１つまたは２
つからなり、さらに導電材料としてＳｉＣとからなるセ
ラミック抵抗体において、導電材料として平均粒径が１
μｍ以下であるＳｉＣを５〜７０ｗｔ％としたことを特
徴とするアルカリ酸化物の濃度が１０００ｐｐｍ以下の
セラミック抵抗体で、常温、真空中での比抵抗値が１０
４〜１０１３Ωｃｍで、常温から２００℃までの抵抗温
度係数が−２％／℃以下であり、見掛気孔率が１％以下
であることを特徴とするセラミック抵抗体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧回路の分圧抵抗
体として使用されるセラミック抵抗体で、特に常温比抵
抗値が１０４〜１０１３Ωｃｍと抵抗値が大きいセラミ
ック抵抗体に関する。
体として使用されるセラミック抵抗体で、特に常温比抵
抗値が１０４〜１０１３Ωｃｍと抵抗値が大きいセラミ
ック抵抗体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、前記用途の抵抗体としては、高抵
抗値のものが必要であるため、金属を使用した巻線抵抗
及び樹脂に導電材を分散させた樹脂抵抗が使用されてい
る。しかし、巻線抵抗は誘導性が出ること、体積抵抗率
が低いため、所要容量が大きくなる。また、残留インダ
クタンスが大きいという欠点を持っている。一方、樹脂
抵抗は耐熱性が低く、放電した場合は燃焼する欠点があ
る。これらの欠点を補うものとして、耐熱性に優れたセ
ラミックス抵抗体が考えられており、かりに、沿面放電
しても耐熱性に優れるため、放電が無くなった後は、再
び正常に使用できる。セラミック抵抗体には、炭素系セ
ラミック抵抗体及びＺｎＯ系セラミック抵抗体がある。
しかし、炭素系セラミック抵抗体やＺｎＯ系セラミック
抵抗体ともに安定して製造できる限界が１０３〜１０４
Ωｃｍである。
抗値のものが必要であるため、金属を使用した巻線抵抗
及び樹脂に導電材を分散させた樹脂抵抗が使用されてい
る。しかし、巻線抵抗は誘導性が出ること、体積抵抗率
が低いため、所要容量が大きくなる。また、残留インダ
クタンスが大きいという欠点を持っている。一方、樹脂
抵抗は耐熱性が低く、放電した場合は燃焼する欠点があ
る。これらの欠点を補うものとして、耐熱性に優れたセ
ラミックス抵抗体が考えられており、かりに、沿面放電
しても耐熱性に優れるため、放電が無くなった後は、再
び正常に使用できる。セラミック抵抗体には、炭素系セ
ラミック抵抗体及びＺｎＯ系セラミック抵抗体がある。
しかし、炭素系セラミック抵抗体やＺｎＯ系セラミック
抵抗体ともに安定して製造できる限界が１０３〜１０４
Ωｃｍである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】セラミック抵抗体を分
圧抵抗体として使用する場合、高抵抗のものが望まれる
が、一般的に高抵抗値になるほど、抵抗温度係数が大き
くなる。抵抗温度係数が大きくなると、使用中の温度変
動による抵抗体の分圧率が変動し、好ましくないので、
できるだけ抵抗温度係数が小さい方が良い。このため、
高抵抗値でかつ抵抗温度係数が小さくする方向で検討さ
れている。本発明の目的は、常温での比抵抗値を大き
く、かつ抵抗温度係数をできるだけ小さくすることがで
きるセラミック抵抗体を提供することにある。
圧抵抗体として使用する場合、高抵抗のものが望まれる
が、一般的に高抵抗値になるほど、抵抗温度係数が大き
くなる。抵抗温度係数が大きくなると、使用中の温度変
動による抵抗体の分圧率が変動し、好ましくないので、
できるだけ抵抗温度係数が小さい方が良い。このため、
高抵抗値でかつ抵抗温度係数が小さくする方向で検討さ
れている。本発明の目的は、常温での比抵抗値を大き
く、かつ抵抗温度係数をできるだけ小さくすることがで
きるセラミック抵抗体を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】これらの問題を解決する
手段として、先にＳｉＣとガラスとで構成するセラミッ
ク抵抗体を提案したが、この方法では目的とした高抵抗
という点では良いが、その他の点で、たとえば添加して
いるＳｉＣは大気中での焼成においてマトリックスとし
て使用しているガラスと反応して発泡を生じる。さら
に、ＳｉＣの酸化によって生成した、クリストバライト
は抵抗値のバラツキ、抵抗温度係数の増大を起こすこと
が判っている。また、電子銃等の高電圧回路に使用する
場合、真空封入するが、この時の温度は約１０００℃に
もなり、上記組成では、この時に変形を生じる等の問題
があることが判った。そこで本発明者らは、こうした問
題点に関し、種々の検討をした結果、導電性があり、か
つ抵抗温度係数を小さくするために、導電性セラミック
材料を使用すること、かつ常温での比抵抗値を大きくす
るために、絶縁性セラミック材料を使用することを考え
た。すなわち、組成がＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ
３Ｎ４，ＳｉＯ２ガラスおよびほう珪酸ガラスのうち１
つまたは２つからなり、さらに導電材料としてＳｉＣと
からなるセラミック抵抗体において、導電材料としてＳ
ｉＣを５〜７０ｗｔ％としたことを特徴とする。上記に
よって得られるセラミック抵抗体は、常温での比抵抗値
を大きくすることができ、かつ抵抗温度係数を小さく押
さえることができる。
手段として、先にＳｉＣとガラスとで構成するセラミッ
ク抵抗体を提案したが、この方法では目的とした高抵抗
という点では良いが、その他の点で、たとえば添加して
いるＳｉＣは大気中での焼成においてマトリックスとし
て使用しているガラスと反応して発泡を生じる。さら
に、ＳｉＣの酸化によって生成した、クリストバライト
は抵抗値のバラツキ、抵抗温度係数の増大を起こすこと
が判っている。また、電子銃等の高電圧回路に使用する
場合、真空封入するが、この時の温度は約１０００℃に
もなり、上記組成では、この時に変形を生じる等の問題
があることが判った。そこで本発明者らは、こうした問
題点に関し、種々の検討をした結果、導電性があり、か
つ抵抗温度係数を小さくするために、導電性セラミック
材料を使用すること、かつ常温での比抵抗値を大きくす
るために、絶縁性セラミック材料を使用することを考え
た。すなわち、組成がＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ
３Ｎ４，ＳｉＯ２ガラスおよびほう珪酸ガラスのうち１
つまたは２つからなり、さらに導電材料としてＳｉＣと
からなるセラミック抵抗体において、導電材料としてＳ
ｉＣを５〜７０ｗｔ％としたことを特徴とする。上記に
よって得られるセラミック抵抗体は、常温での比抵抗値
を大きくすることができ、かつ抵抗温度係数を小さく押
さえることができる。
【０００５】
【作用】使用するＳｉＣは５〜７０ｗｔ％が適量であ
る。５％以下ではＳｉＣ間の接触が少なく、抵抗ムラが
でて、常温の比抵抗値が１０１３Ωｃｍ以上になり、絶
縁物の領域に達し、抵抗値のコントロールができない。
一方、７０ｗｔ％以上では、常温の比抵抗値が、１０４
Ωｃｍ以下になり、本目的の高電圧用として使用できな
い。使用するＳｉＣの平均粒径を１μｍ以下とした理由
は、平均粒径が１μｍ以上を超えると、抵抗値のバラツ
キが大きくなり、安定して製造できないためである。ま
た、ここで使用する、ＳｉＣは結晶形としてα−Ｓｉ
Ｃ、β−ＳｉＣのどちらでも良い。好ましくは、比較的
平均粒径が１μｍ以下のものが得やすく、抵抗温度係数
の小さいβ−ＳｉＣの方が良い。ここで、Ａｌ２Ｏ３題
は、高抵抗値を得るための絶縁材料および抵抗体の骨材
の役目をすることはもちろんであるが、アルカリ酸化物
の濃度を１０００ｐｐｍ以下とした理由は、濃度が１０
００ｐｐｍ以上になると高温での絶縁抵抗値が低くな
り、抵抗体の抵抗温度係数が大きくなるため、本目的と
適合しないためである。この絶縁材料としては、Ａｌ２
Ｏ３が安価で適当であるが、Ｓｉ３Ｎ４でも良い。ま
た、ここでガラスは、ほう珪酸ガラス（Ｂ２Ｏ３−Ｓｉ
Ｏ２系）が適当であり、ＳｉＣ，Ａｌ２Ｏ３と複合され
るための焼結剤、気孔率を小さくするためのセルフコー
ティング材の役目をする。また、このガラス成分は焼成
後セラミック化する結晶化ガラスであってもよい。な
お、抵抗値のコントロールは前記に示したように、Ｓｉ
Ｃを５〜７０重量％の範囲内で変えることにより任意に
抵抗値を変えることができる。
る。５％以下ではＳｉＣ間の接触が少なく、抵抗ムラが
でて、常温の比抵抗値が１０１３Ωｃｍ以上になり、絶
縁物の領域に達し、抵抗値のコントロールができない。
一方、７０ｗｔ％以上では、常温の比抵抗値が、１０４
Ωｃｍ以下になり、本目的の高電圧用として使用できな
い。使用するＳｉＣの平均粒径を１μｍ以下とした理由
は、平均粒径が１μｍ以上を超えると、抵抗値のバラツ
キが大きくなり、安定して製造できないためである。ま
た、ここで使用する、ＳｉＣは結晶形としてα−Ｓｉ
Ｃ、β−ＳｉＣのどちらでも良い。好ましくは、比較的
平均粒径が１μｍ以下のものが得やすく、抵抗温度係数
の小さいβ−ＳｉＣの方が良い。ここで、Ａｌ２Ｏ３題
は、高抵抗値を得るための絶縁材料および抵抗体の骨材
の役目をすることはもちろんであるが、アルカリ酸化物
の濃度を１０００ｐｐｍ以下とした理由は、濃度が１０
００ｐｐｍ以上になると高温での絶縁抵抗値が低くな
り、抵抗体の抵抗温度係数が大きくなるため、本目的と
適合しないためである。この絶縁材料としては、Ａｌ２
Ｏ３が安価で適当であるが、Ｓｉ３Ｎ４でも良い。ま
た、ここでガラスは、ほう珪酸ガラス（Ｂ２Ｏ３−Ｓｉ
Ｏ２系）が適当であり、ＳｉＣ，Ａｌ２Ｏ３と複合され
るための焼結剤、気孔率を小さくするためのセルフコー
ティング材の役目をする。また、このガラス成分は焼成
後セラミック化する結晶化ガラスであってもよい。な
お、抵抗値のコントロールは前記に示したように、Ｓｉ
Ｃを５〜７０重量％の範囲内で変えることにより任意に
抵抗値を変えることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比しなが
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
【０００７】
【実施例１】以下、本発明の一実施例を説明する。アル
カリ酸化物の総和が３００ｐｐｍになるように、平均粒
径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ５ｗｔ％とほう珪酸ガラス
９５ｗｔ％を配合した混合物を１軸加圧成形にて成形
し、１０×１０×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体を
Ｎ２雰囲気中１０００℃で焼成し、ついで電極形成を経
て、セラミック抵抗体を作製した。作製した抵抗体の比
抵抗値を真空中１０−５ｔｏｒｒで常温〜２００℃まで
測定した。測定した常温での比抵抗値と常温〜２００℃
までの抵抗温度係数及び気孔率を表−１に示した。
カリ酸化物の総和が３００ｐｐｍになるように、平均粒
径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ５ｗｔ％とほう珪酸ガラス
９５ｗｔ％を配合した混合物を１軸加圧成形にて成形
し、１０×１０×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体を
Ｎ２雰囲気中１０００℃で焼成し、ついで電極形成を経
て、セラミック抵抗体を作製した。作製した抵抗体の比
抵抗値を真空中１０−５ｔｏｒｒで常温〜２００℃まで
測定した。測定した常温での比抵抗値と常温〜２００℃
までの抵抗温度係数及び気孔率を表−１に示した。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【実施例２】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように、平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ７０ｗｔ
％とＡｌ２Ｏ３３０ｗｔ％を配合した混合物を１軸加圧
成形にて成形し、１０×１０×４０ｍｍの成形体を得
た。該成形体をＮ２雰囲気中１０００℃で焼成し、つい
で電極形成を経て、セラミック抵抗体を作製した。実施
例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２００℃ま
での比抵抗値を測定した。測定した常温での比抵抗値と
常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率を表−１
に示した。
るように、平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ７０ｗｔ
％とＡｌ２Ｏ３３０ｗｔ％を配合した混合物を１軸加圧
成形にて成形し、１０×１０×４０ｍｍの成形体を得
た。該成形体をＮ２雰囲気中１０００℃で焼成し、つい
で電極形成を経て、セラミック抵抗体を作製した。実施
例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２００℃ま
での比抵抗値を測定した。測定した常温での比抵抗値と
常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率を表−１
に示した。
【００１０】
【実施例３】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ１０ｗｔ％
とＡｌ２Ｏ３１０ｗｔ％とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％を
配合した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１０
×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中１
０００℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミック
抵抗体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した抵
抗体の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測定
した常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度
係数及び気孔率を表−１に示した。
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ１０ｗｔ％
とＡｌ２Ｏ３１０ｗｔ％とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％を
配合した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１０
×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中１
０００℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミック
抵抗体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した抵
抗体の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測定
した常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度
係数及び気孔率を表−１に示した。
【００１１】
【実施例４】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ２０ｗｔ％
とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％を配合した混合物を１軸加
圧成形にて成形し、１０×１０×４０ｍｍの成形体を得
た。該成形体をＡｉｒ雰囲気中１０００℃で焼成し、つ
いで電極形成を経て、セラミック抵抗体を作製した。実
施例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２００℃
までの比抵抗値を測定した。測定した常温での比抵抗値
と常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率を表−
１に示した。
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ２０ｗｔ％
とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％を配合した混合物を１軸加
圧成形にて成形し、１０×１０×４０ｍｍの成形体を得
た。該成形体をＡｉｒ雰囲気中１０００℃で焼成し、つ
いで電極形成を経て、セラミック抵抗体を作製した。実
施例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２００℃
までの比抵抗値を測定した。測定した常温での比抵抗値
と常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率を表−
１に示した。
【００１２】
【比較例１】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ４ｗｔ％と
Ａｌ２Ｏ３９６ｗｔ％を配合した混合物を前記実施例１
とまったく同様にしてセラミック抵抗体を作製した。実
施例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２００℃
までの比抵抗値を測定した。測定した常温での比抵抗値
と常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率を表−
１に示した。
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ４ｗｔ％と
Ａｌ２Ｏ３９６ｗｔ％を配合した混合物を前記実施例１
とまったく同様にしてセラミック抵抗体を作製した。実
施例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２００℃
までの比抵抗値を測定した。測定した常温での比抵抗値
と常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率を表−
１に示した。
【００１３】
【比較例２】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ７１ｗｔ％
とほう珪酸ガラス２９を各々の配合した混合物を前記実
施例１とまったく同様にしてセラミック抵抗体を作製し
た。実施例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２
００℃までの比抵抗値を測定した。測定した常温での比
抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率
を表−１に示した。
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ７１ｗｔ％
とほう珪酸ガラス２９を各々の配合した混合物を前記実
施例１とまったく同様にしてセラミック抵抗体を作製し
た。実施例１と同じ方法で、作製した抵抗体の常温〜２
００℃までの比抵抗値を測定した。測定した常温での比
抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度係数及び気孔率
を表−１に示した。
【００１４】
【比較例３】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように平均粒径が２μｍのβ−ＳｉＣ１０ｗｔ％とＡ
ｌ２Ｏ３１０ｗｔ％とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％を配合
した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１０×４
０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中１００
０℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミック抵抗
体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した抵抗体
の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測定した
常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度係数
及び気孔率を表−１に示した。
るように平均粒径が２μｍのβ−ＳｉＣ１０ｗｔ％とＡ
ｌ２Ｏ３１０ｗｔ％とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％を配合
した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１０×４
０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中１００
０℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミック抵抗
体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した抵抗体
の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測定した
常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度係数
及び気孔率を表−１に示した。
【００１５】
【比較例４】アルカリ酸化物の総和が１２００ｐｐｍに
なるように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ１０ｗｔ
％とＡｌ２Ｏ３１０ｗｔ％とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％
を配合した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１
０×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中
１０００℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミッ
ク抵抗体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した
抵抗体の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測
定した常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温
度係数及び気孔率を表−１に示した。
なるように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ１０ｗｔ
％とＡｌ２Ｏ３１０ｗｔ％とほう珪酸ガラス８０ｗｔ％
を配合した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１
０×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中
１０００℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミッ
ク抵抗体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した
抵抗体の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測
定した常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温
度係数及び気孔率を表−１に示した。
【００１６】
【比較例５】アルカリ酸化物の総和が３００ｐｐｍにな
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ１５ｗｔ％
とＡｌ２Ｏ３２０ｗｔ％とほう珪酸ガラス６５ｗｔ％を
配合した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１０
×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中８
５０℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミック抵
抗体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した抵抗
体の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測定し
た常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度係
数及び気孔率を表−１に示した。
るように平均粒径が０．５μｍのβ−ＳｉＣ１５ｗｔ％
とＡｌ２Ｏ３２０ｗｔ％とほう珪酸ガラス６５ｗｔ％を
配合した混合物を１軸加圧成形にて成形し、１０×１０
×４０ｍｍの成形体を得た。該成形体をＮ２雰囲気中８
５０℃で焼成し、ついで電極形成を経て、セラミック抵
抗体を作製した。実施例１と同じ方法で、作製した抵抗
体の常温〜２００℃までの比抵抗値を測定した。測定し
た常温での比抵抗値と常温〜２００℃までの抵抗温度係
数及び気孔率を表−１に示した。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、本発明に係るセラミック
抵抗体は、常温での比抵抗値を大きく、かつ抵抗温度係
数を小さくすることができ、抵抗値のバラツキが少ない
という効果があり、とくに高電圧回路の分圧抵抗体の分
野で非常に有効といえる。
抵抗体は、常温での比抵抗値を大きく、かつ抵抗温度係
数を小さくすることができ、抵抗値のバラツキが少ない
という効果があり、とくに高電圧回路の分圧抵抗体の分
野で非常に有効といえる。
Claims (5)
- 【請求項１】 組成がＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ
４，ＳｉＯ２ガラスおよびほう珪酸ガラスのうち１つま
たは２つからなり、さらに導電材料としてＳｉＣとから
なるセラミック抵抗体において、導電材料としてＳｉＣ
を５〜７０ｗｔ％としたことを特徴とするセラミック抵
抗体。 - 【請求項２】 常温、真空中での比抵抗値が１０４〜
１０１３Ωｃｍで、常温から２００℃までの抵抗温度係
数が−２％／℃以下であることを特徴とする請求項１記
載のセラミック抵抗体。 - 【請求項３】 見掛気孔率が１％以下であることを特
徴とする請求項１記載のセラミック抵抗体。 - 【請求項４】 前記ＳｉＣは平均粒径が１μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載のセラミック抵抗
体。 - 【請求項５】 アルカリ酸化物の濃度が１０００ｐｐ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミッ
ク抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7031293A JPH08191001A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | セラミック抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7031293A JPH08191001A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | セラミック抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08191001A true JPH08191001A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=12327266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7031293A Pending JPH08191001A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | セラミック抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08191001A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143207A (en) * | 1996-09-18 | 2000-11-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Wide-range thermistor material and method for producing it |
-
1995
- 1995-01-11 JP JP7031293A patent/JPH08191001A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143207A (en) * | 1996-09-18 | 2000-11-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Wide-range thermistor material and method for producing it |
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