JPH08190922A - インターコネクタ材料 - Google Patents
インターコネクタ材料Info
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- JPH08190922A JPH08190922A JP7001948A JP194895A JPH08190922A JP H08190922 A JPH08190922 A JP H08190922A JP 7001948 A JP7001948 A JP 7001948A JP 194895 A JP194895 A JP 194895A JP H08190922 A JPH08190922 A JP H08190922A
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- Japan
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- conductivity
- thermal expansion
- expansion
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Fuel Cell (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体電解質型電気化学セルのインターコネク
タ材料に関する。 【構成】 （Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ3
（但し、０．１≦ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２）
なる一般式で表わされるランタンクロマイト質材料より
なるＹ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を固体電解質とする電気化
学セルのインターコネクタ材料。
タ材料に関する。 【構成】 （Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ3
（但し、０．１≦ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２）
なる一般式で表わされるランタンクロマイト質材料より
なるＹ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を固体電解質とする電気化
学セルのインターコネクタ材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解質型燃料電池や
固体電解質型水蒸気電解装置などの電気化学セルのイン
ターコネクタ材料として有利に適用しうるランタンクロ
マイト質材料に関する。
固体電解質型水蒸気電解装置などの電気化学セルのイン
ターコネクタ材料として有利に適用しうるランタンクロ
マイト質材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、固体電解質型燃料電池（以下、
ＳＯＦＣと略称する）においては、単セルを複層化し電
圧を上げて電力を得るため、接続用材料としてのインタ
ーコネクタが使用される。インターコネクタは電気的な
接続をすると同時に高温において、酸化性ガス（空気）
と還元性ガス（燃料）を分離する役目を併せもってい
る。従って、インターコネクタ材料として、金属として
は高融点金属、酸化物としてはペロブスカイト型酸化物
であるＭｇ、Ｃａ、Ｓｒなどをドーピングしたランタン
クロマイトが使用されている。
ＳＯＦＣと略称する）においては、単セルを複層化し電
圧を上げて電力を得るため、接続用材料としてのインタ
ーコネクタが使用される。インターコネクタは電気的な
接続をすると同時に高温において、酸化性ガス（空気）
と還元性ガス（燃料）を分離する役目を併せもってい
る。従って、インターコネクタ材料として、金属として
は高融点金属、酸化物としてはペロブスカイト型酸化物
であるＭｇ、Ｃａ、Ｓｒなどをドーピングしたランタン
クロマイトが使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】高融点金属でも、ＳＯ
ＦＣの使用温度は１０００℃程度と高いため、長時間の
使用においては酸化雰囲気では酸化物を形成し、表面が
絶縁体となるため、電気の導通が悪くなるため好ましく
ない。一方、酸化物であるランタンクロマイトは酸化雰
囲気中では安定であるものの導電性が低く、還元雰囲気
中では還元されて導電性などの特性が変化しやすいとい
う問題がある。そこで、導電性向上のため、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒなどのアルカリ土類金属をドーピングして使用
している。導電性はＳｒ＞Ｃａ＞Ｍｇの順にドーピング
されたランタンクロマイトの導電率は高くなる。
ＦＣの使用温度は１０００℃程度と高いため、長時間の
使用においては酸化雰囲気では酸化物を形成し、表面が
絶縁体となるため、電気の導通が悪くなるため好ましく
ない。一方、酸化物であるランタンクロマイトは酸化雰
囲気中では安定であるものの導電性が低く、還元雰囲気
中では還元されて導電性などの特性が変化しやすいとい
う問題がある。そこで、導電性向上のため、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒなどのアルカリ土類金属をドーピングして使用
している。導電性はＳｒ＞Ｃａ＞Ｍｇの順にドーピング
されたランタンクロマイトの導電率は高くなる。
【０００４】次に、ＳＯＦＣは固体電解質（ＹＳＺ：Ｙ
2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 ）及び酸素極、燃料極などの電極
及びインターコネクタの複合体であるため、インターコ
ネクタとベースとなるＹＳＺの熱膨張率は一致している
必要がある。この点からはＳｒをドーピングしたランタ
ンクロマイトが熱膨張率：１０×１０-6℃-1程度であ
り、固体電解質であるＹＳＺとほぼ一致している。従っ
て、ＳＯＦＣ用のインターコネクタとしては導電率が高
く、また固体電解質であるＹＳＺと熱膨張率がほぼ一致
するＳｒをドーピングしたランタンクロマイトが使用さ
れている。
2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 ）及び酸素極、燃料極などの電極
及びインターコネクタの複合体であるため、インターコ
ネクタとベースとなるＹＳＺの熱膨張率は一致している
必要がある。この点からはＳｒをドーピングしたランタ
ンクロマイトが熱膨張率：１０×１０-6℃-1程度であ
り、固体電解質であるＹＳＺとほぼ一致している。従っ
て、ＳＯＦＣ用のインターコネクタとしては導電率が高
く、また固体電解質であるＹＳＺと熱膨張率がほぼ一致
するＳｒをドーピングしたランタンクロマイトが使用さ
れている。
【０００５】しかしながら、還元雰囲気での挙動をみる
と、Ｓｒをドーピングしたランタンクロマイトは還元に
よる膨張が比較的大きくインターコネクタの変形及び割
れ、電極の剥離などの原因になることが推察される。
と、Ｓｒをドーピングしたランタンクロマイトは還元に
よる膨張が比較的大きくインターコネクタの変形及び割
れ、電極の剥離などの原因になることが推察される。
【０００６】本発明は上記技術水準に鑑み、還元膨張率
が小さく、導電率が高く、熱膨張率がＹＳＺの熱膨張率
である１０．２×１０-6℃-1に近いランタンクロマイト
質材料よりなるインターコネクタ材料を提供しようとす
るものである。
が小さく、導電率が高く、熱膨張率がＹＳＺの熱膨張率
である１０．２×１０-6℃-1に近いランタンクロマイト
質材料よりなるインターコネクタ材料を提供しようとす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ｌａ1-x Ｓｒ
x ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ3 （但し、０．１≦ｘ≦０．
２、０．０５≦ｙ≦０．２）なる一般式で表わされるラ
ンタンクロマイト質材料よりなることを特徴とするＹ2
Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を固体電解質とする電気化学セルの
インターコネクタ材料である。
x ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ3 （但し、０．１≦ｘ≦０．
２、０．０５≦ｙ≦０．２）なる一般式で表わされるラ
ンタンクロマイト質材料よりなることを特徴とするＹ2
Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を固体電解質とする電気化学セルの
インターコネクタ材料である。
【０００８】すなわち、本発明はランタンクロマイトへ
のドーピング元素としてＳｒを使用し、さらにシリコン
を添加することにより導電性が高く、しかも熱膨張率も
１０×１０-6℃-1程度とセラミックスとしては比較的大
きく、高温還元性雰囲気下においても酸素の放出による
膨張が０．１３％以下と非常に小さい材料を開発したも
のである。
のドーピング元素としてＳｒを使用し、さらにシリコン
を添加することにより導電性が高く、しかも熱膨張率も
１０×１０-6℃-1程度とセラミックスとしては比較的大
きく、高温還元性雰囲気下においても酸素の放出による
膨張が０．１３％以下と非常に小さい材料を開発したも
のである。
【０００９】
【作用】本発明はランタンクロマイト質材料の熱膨張率
をＹＳＺと同程度に維持したまゝ、導電率をほとんど低
下させることなく、還元時の膨張を防止するために、ラ
ンタンクロマイトのＬａの固溶元素としてＳｒを置換さ
せたものに、Ｃｒの３価の安定化のためにシリコンを添
加することにより還元時の膨張を低く抑えることを可能
にしたものである。
をＹＳＺと同程度に維持したまゝ、導電率をほとんど低
下させることなく、還元時の膨張を防止するために、ラ
ンタンクロマイトのＬａの固溶元素としてＳｒを置換さ
せたものに、Ｃｒの３価の安定化のためにシリコンを添
加することにより還元時の膨張を低く抑えることを可能
にしたものである。
【００１０】例えば、ＬａＣｒＯ3 で表されるランタン
クロマイトのＬａの１５％をＳｒに置換した場合、１０
００℃における導電率は３０Ｓ・ｃｍ-1と高く、また、
熱膨張率も１０×１０-6℃-1程度とＳＯＦＣの主要構成
部材であるＹＳＺとほぼ一致しているが、還元時におけ
る膨張が大きく、使用に問題があったが、本発明によ
り、さらにＣｒの一部をＳｉで置換することにより、Ｓ
ＯＦＣのインターコネクタとして要求される性質、つま
り熱膨張率をＹＳＺにほぼ一致させ、導電率は高く、か
つ、還元時における膨張をほぼ防止しうるようにしたも
のである。
クロマイトのＬａの１５％をＳｒに置換した場合、１０
００℃における導電率は３０Ｓ・ｃｍ-1と高く、また、
熱膨張率も１０×１０-6℃-1程度とＳＯＦＣの主要構成
部材であるＹＳＺとほぼ一致しているが、還元時におけ
る膨張が大きく、使用に問題があったが、本発明によ
り、さらにＣｒの一部をＳｉで置換することにより、Ｓ
ＯＦＣのインターコネクタとして要求される性質、つま
り熱膨張率をＹＳＺにほぼ一致させ、導電率は高く、か
つ、還元時における膨張をほぼ防止しうるようにしたも
のである。
【００１１】本発明のインターコネクタ材料は（Ｌａ
1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ3（但し、０．１≦
ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２）なる組成を有する
ものであるが、このｘ，ｙ値は還元膨張率が０．１３％
以下としてインターコネクタの曲りや割れの許容限度に
おさまること、導電率が１０Ｓ・ｃｍ-1以上としてイン
ターコネクタの実用上問題ない範囲とすること及び熱膨
張率が９〜１０．５×１０-6℃-1としてＹＳＺの熱膨張
率に近いものとするために設定されたものである。
1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ3（但し、０．１≦
ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２）なる組成を有する
ものであるが、このｘ，ｙ値は還元膨張率が０．１３％
以下としてインターコネクタの曲りや割れの許容限度に
おさまること、導電率が１０Ｓ・ｃｍ-1以上としてイン
ターコネクタの実用上問題ない範囲とすること及び熱膨
張率が９〜１０．５×１０-6℃-1としてＹＳＺの熱膨張
率に近いものとするために設定されたものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の具体的な例をあげ、本発明の
効果を明らかにする。
効果を明らかにする。
【００１３】（例１）下記組成の酸化物を試作した。
【化１】（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）Ｏ
3 （但し、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．４）
3 （但し、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．４）
【００１４】原料粉末として、酸化ランタン、炭酸スト
ロンチウム、酸化クロム及び酸化珪素を所定割合に配合
した後、ボールミルを用いて混合し、次に１３００℃に
おいて１０時間熱処理して、複合酸化物粉末を得た。次
に、１００ｋｇ／ｃｍ2 で一軸プレスして６０ｍｍφ×
５ｍｍｔ程度の円板を得た後、２０００ｋｇ／ｃｍ2で
ＣＩＰ処理して成形体を得た。次に、１５００〜１７０
０℃の各条件において焼結して焼結体を得た。次に、円
板焼結体から３×４×４０ｍｍのテストピースを加工し
物性測定用サンプルとした。各物性測定は次のように実
施した。
ロンチウム、酸化クロム及び酸化珪素を所定割合に配合
した後、ボールミルを用いて混合し、次に１３００℃に
おいて１０時間熱処理して、複合酸化物粉末を得た。次
に、１００ｋｇ／ｃｍ2 で一軸プレスして６０ｍｍφ×
５ｍｍｔ程度の円板を得た後、２０００ｋｇ／ｃｍ2で
ＣＩＰ処理して成形体を得た。次に、１５００〜１７０
０℃の各条件において焼結して焼結体を得た。次に、円
板焼結体から３×４×４０ｍｍのテストピースを加工し
物性測定用サンプルとした。各物性測定は次のように実
施した。
【００１５】〔還元膨張率〕テストピースを水素雰囲気
中、１０００℃５時間保持した後、冷却し、長さ変化を
測定した。
中、１０００℃５時間保持した後、冷却し、長さ変化を
測定した。
【００１６】〔導電率〕テストピースに４本の白金リー
ド線（間隔：約１０ｍｍ）を巻きつけ、各温度において
直流４端子法により測定した。
ド線（間隔：約１０ｍｍ）を巻きつけ、各温度において
直流４端子法により測定した。
【００１７】〔熱膨張率〕テストピースを１０℃／ｍｉ
ｎで昇温し、熱膨張を連続的に測定した。
ｎで昇温し、熱膨張を連続的に測定した。
【００１８】図１は還元膨張率のデータを示す。横軸は
前記一般式のｙ値を、縦軸は還元膨張率（％）を示す。
但し、この場合、前記一般式のｘ値は０．２に固定し
た。ｙ＝０の場合、還元膨張率は０．３％と大きいのに
対し、ｘ＝０．２でもｙ値を０より大きくすると還元膨
張率は小さくなる。
前記一般式のｙ値を、縦軸は還元膨張率（％）を示す。
但し、この場合、前記一般式のｘ値は０．２に固定し
た。ｙ＝０の場合、還元膨張率は０．３％と大きいのに
対し、ｘ＝０．２でもｙ値を０より大きくすると還元膨
張率は小さくなる。
【００１９】図２は１０００℃における導電率を示す。
横軸は前記一般式のｙ値を、縦軸は導電率（Ｓ・ｃ
ｍ-1）を示す。この場合も前記一般式のｘ値は０．２に
固定した。ｙ＝０の場合、導電率は３７Ｓ・ｃｍ-1と高
いが、ｙ値を０より大きくすると導電率は小さくなって
いる。
横軸は前記一般式のｙ値を、縦軸は導電率（Ｓ・ｃ
ｍ-1）を示す。この場合も前記一般式のｘ値は０．２に
固定した。ｙ＝０の場合、導電率は３７Ｓ・ｃｍ-1と高
いが、ｙ値を０より大きくすると導電率は小さくなって
いる。
【００２０】図３は熱膨張率を示す。横軸は前記一般式
のｙ値を、縦軸は熱膨張率（×１０ -6℃-1）を示す。こ
の場合も前記一般式のｘ値は０．２に固定した。ｙ＝０
の場合、熱膨張率は１０．３×１０-6℃-1とＹＳＺ（１
０．３×１０-6℃-1）とほぼ一致しているが、ｙ値の増
加に伴い熱膨張率は小さくなる。
のｙ値を、縦軸は熱膨張率（×１０ -6℃-1）を示す。こ
の場合も前記一般式のｘ値は０．２に固定した。ｙ＝０
の場合、熱膨張率は１０．３×１０-6℃-1とＹＳＺ（１
０．３×１０-6℃-1）とほぼ一致しているが、ｙ値の増
加に伴い熱膨張率は小さくなる。
【００２１】以上の結果、ｙ値の増加、すなわちＣｒを
Ｚｒで置換する量を多くすることにより還元膨張率は小
さくなると共に、導電率は低下し、また、熱膨張率も小
さくなることが判明した。
Ｚｒで置換する量を多くすることにより還元膨張率は小
さくなると共に、導電率は低下し、また、熱膨張率も小
さくなることが判明した。
【００２２】図４は還元膨張率のデータを示す。横軸は
前記一般式のｘ値、縦軸は還元膨張率（％）を示す。但
し、この場合、前記一般式のｙ値は０．１に固定した。
ｙ＝０．１の場合、ｘ値の増加に伴い還元膨張率は大き
くなる。
前記一般式のｘ値、縦軸は還元膨張率（％）を示す。但
し、この場合、前記一般式のｙ値は０．１に固定した。
ｙ＝０．１の場合、ｘ値の増加に伴い還元膨張率は大き
くなる。
【００２３】図５は１０００℃における導電率を示す。
横軸は前記一般式のｘ値、縦軸は導電率（Ｓ・ｃｍ-1）
である。この場合も前記一般式のｙ値を０．１に固定し
た。ｘ＝０の場合、導電率は１Ｓ・ｃｍ-1と低いが、ｘ
値を増大させると導電率は大きくなる。
横軸は前記一般式のｘ値、縦軸は導電率（Ｓ・ｃｍ-1）
である。この場合も前記一般式のｙ値を０．１に固定し
た。ｘ＝０の場合、導電率は１Ｓ・ｃｍ-1と低いが、ｘ
値を増大させると導電率は大きくなる。
【００２４】図６は熱膨張率を示す。横軸は前記一般式
のｘ値、縦軸は熱膨張率（×１０-6℃-1）を示す。この
場合も前記一般式のｙ値を０．１に固定した。ｘ＝０の
場合、熱膨張率は７．５×１０-6℃-1とＹＳＺ（１０．
３×１０-6℃ -1）に比べるとかなり低い値となっている
が、ｘ値の増加に伴い熱膨張率は大きくなっている。
のｘ値、縦軸は熱膨張率（×１０-6℃-1）を示す。この
場合も前記一般式のｙ値を０．１に固定した。ｘ＝０の
場合、熱膨張率は７．５×１０-6℃-1とＹＳＺ（１０．
３×１０-6℃ -1）に比べるとかなり低い値となっている
が、ｘ値の増加に伴い熱膨張率は大きくなっている。
【００２５】以上の結果、ｘ値の増加、すなわち、Ｌａ
をＳｒで置換する量を多くすることにより還元膨張率は
大きくなるが導電率及び熱膨張率も大きくなることが判
明した。
をＳｒで置換する量を多くすることにより還元膨張率は
大きくなるが導電率及び熱膨張率も大きくなることが判
明した。
【００２６】ＳＯＦＣ等への利用を考えた場合には固体
電解質であるＹＳＺと熱膨張率がほぼ一致していること
と同時に導電率が高く、また、還元膨張率が小さい必要
がある。その結果として０．１≦ｘ≦０．２、０．０５
≦ｙ≦０．２程度の値が好ましいとの結論が得られた。
電解質であるＹＳＺと熱膨張率がほぼ一致していること
と同時に導電率が高く、また、還元膨張率が小さい必要
がある。その結果として０．１≦ｘ≦０．２、０．０５
≦ｙ≦０．２程度の値が好ましいとの結論が得られた。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、ランタンクロマイト（Ｌ
ａＣｒＯ3 ）のＬａの一部をＳｒに置換し、さらにＣｒ
の一部をＳｉに置換することにより、高温還元雰囲気下
における膨張が防止でき、しかも導電率及び熱膨張率も
高く保持できるランタンクロマイト質よりなるインター
コネクタ材料が提供できる。
ａＣｒＯ3 ）のＬａの一部をＳｒに置換し、さらにＣｒ
の一部をＳｉに置換することにより、高温還元雰囲気下
における膨張が防止でき、しかも導電率及び熱膨張率も
高く保持できるランタンクロマイト質よりなるインター
コネクタ材料が提供できる。
【図１】本発明の（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓ
ｉy ）Ｏ3 のｘ＝０．２とし、ｙを変動させた時の還元
膨張率の変動を示す図表。
ｉy ）Ｏ3 のｘ＝０．２とし、ｙを変動させた時の還元
膨張率の変動を示す図表。
【図２】本発明の（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓ
ｉy ）Ｏ3 のｘ＝０．２とし、ｙを変動させた時の導電
率の変動を示す図表。
ｉy ）Ｏ3 のｘ＝０．２とし、ｙを変動させた時の導電
率の変動を示す図表。
【図３】本発明の（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓ
ｉy ）Ｏ3 のｘ＝０．２とし、ｙを変動させた時の熱膨
張率の変動を示す図表。
ｉy ）Ｏ3 のｘ＝０．２とし、ｙを変動させた時の熱膨
張率の変動を示す図表。
【図４】本発明の（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓ
ｉy ）Ｏ3 のｙ＝０．１とし、ｘを変動させた時の還元
膨張率の変動を示す図表。
ｉy ）Ｏ3 のｙ＝０．１とし、ｘを変動させた時の還元
膨張率の変動を示す図表。
【図５】本発明の（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓ
ｉy ）Ｏ3 のｙ＝０．１とし、ｘを変動させた時の導電
率の変動を示す図表。
ｉy ）Ｏ3 のｙ＝０．１とし、ｘを変動させた時の導電
率の変動を示す図表。
【図６】本発明の（Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓ
ｉy ）Ｏ3 のｙ＝０．１とし、ｘを変動させた時の熱膨
張率の変動を示す図表。
ｉy ）Ｏ3 のｙ＝０．１とし、ｘを変動させた時の熱膨
張率の変動を示す図表。
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】以上の結果、ｙ値の増加、すなわちＣｒを
Ｓｉで置換する量を多くすることにより還元膨張率は小
さくなると共に、導電率は低下し、また、熱膨張率も小
さくなることが判明した。
Ｓｉで置換する量を多くすることにより還元膨張率は小
さくなると共に、導電率は低下し、また、熱膨張率も小
さくなることが判明した。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ｌａ1-x Ｓｒx ）（Ｃｒ1-y Ｓｉy ）
Ｏ3 （但し、０．１≦ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．
２）なる一般式で表わされるランタンクロマイト質材料
よりなることを特徴とするＹ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を固
体電解質とする電気化学セルのインターコネクタ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001948A JPH08190922A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | インターコネクタ材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001948A JPH08190922A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | インターコネクタ材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190922A true JPH08190922A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11515837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7001948A Withdrawn JPH08190922A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | インターコネクタ材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190922A (ja) |
-
1995
- 1995-01-10 JP JP7001948A patent/JPH08190922A/ja not_active Withdrawn
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