JPH08186408A

JPH08186408A - 誘電体共振器回路，デュプレクサ，その設計方法

Info

Publication number: JPH08186408A
Application number: JP33974794A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Imaizumi; 達也今泉; Ryuji Murata; 龍司村田; Toshihiro Yasuda; 寿博安田; Satoshi Kazama; 智風間; Toshio Shimizu; 利雄清水
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1994-12-29
Filing date: 1994-12-29
Publication date: 1996-07-16

Abstract

(57)【要約】【目的】良好なＧＮＤ性を得るとともに、調整作業の
簡略化，歩留りの向上，共振器間のストレー容量の安定
化を図り、空間を効率的に利用して部品の小型化を図
る。【構成】ＧＮＤ電極パターン１２で表裏が覆われたベ
ース基板１０上に、誘電体共振器１００を除くインダク
タ６０，キャパシタ８０を含む主回路が形成された結合
基板４０及び誘電体共振器１００を配置し、ベース基板
１０と結合基板４０との段差部分で主回路の電極パター
ン４２に誘電体共振器１００を接続する。デュプレクサ
は、位相補正を行うストリップラインを必要としない回
路構成となるように設計され、その主回路が結合基板４
０に設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は誘電体共振器を含む回
路にかかり、更に具体的には、例えばマイクロ波用のフ
ィルタなどに好適な誘電体共振器回路，デュプレクサ，
その設計方法に関するものである。

【０００２】

【背景技術】誘電体共振器を使用する回路としては各種
のものが知られており、例えば特願平５−３４１２５６
号には、誘電体共振器とストリップラインを含むフィル
タ装置が開示されている。図３４（A）には、この背景
技術をアンテナ（図示せず）に対するマイクロ波信号の
送受信共用を行うデュプレクサに適用したものが示され
ている。同図において、多層基板９００内には、ストリ
ップライン（図示せず）が内蔵されている。そして、多
層基板９００の主面上には、円筒状同軸タイプの誘電体
共振器９０２が複数設けられている。

【０００３】なお、この例では、誘電体共振器９０２の
一つの向きが、他のものと逆となっている。これは、例
えば特開平４−１６７７０１号公報に開示されているよ
うに、誘電体共振器の入出力間の直接結合を抑制するた
めである。

【０００４】これら誘電体共振器９０２の外部導体９０
２Ａと多層基板９００との間には、ＧＮＤ（グランド）
電極パターン９０４が形成されている。ＧＮＤ電極パタ
ーン９０４は、多層基板９００の裏面側にも形成されて
おり、表裏のＧＮＤ電極パターン９０４は多層基板９０
０の側面を介して電気的に接続されている。同図（B）
には、多層基板９００の断面とＧＮＤ電極パターン９０
４が示されている。

【０００５】これらＧＮＤ電極パターンによって、多層
基板９００中に内蔵されたストリップラインが挟まれた
構造となっている。多層基板９００の主面上には、更
に、誘電体共振器９０２の開放側の引出導体９０２Ｂや
多数のチップコンデンサ９０６の固定接続用の電極パタ
ーン９０８が形成されている。

【０００６】図３５には、図３４に示したデュプレクサ
の回路構成が示されており、送信側端子ＴXとアンテナ
側端子ＡＮＴとの間に、ＴXフィルタ９２０及び位相回
路９２２が設けられている。また、アンテナ側端子ＡＮ
Ｔと受信側端子ＲXとの間に、位相回路９２４，ＲXフィ
ルタ９２６が設けられている。位相回路９２２，９２４
によって分波回路が構成されている。送信側端子ＴXは
図示しない無線装置の送信側回路に接続され、受信側端
子ＲXは無線装置の受信側回路に接続される。また、ア
ンテナ端子ＡＮＴはアンテナに接続される。

【０００７】図３６には、このようなデュプレクサの従
来の設計手法が示されている。以下、同図（B）〜（E）
のスミスチャートを参照して説明する。よく知られてい
るように、スミスチャートの点ＰＡはインピーダンスが
無限大，点ＰＢはインピーダンスがゼロである。また、
中心点ＰＣは、インピーダンスが整合した状態である。
そして、上半円側が誘導性，下半円側が容量性となって
いる。なお、同図には、インピーダンスをｒ＋ｊｘ（ｊ
は虚数単位）としたときのｒ一定，ｘ一定の軌跡は示さ
れていない。

【０００８】まず、ＲX側から説明すると、ＲXフィルタ
９２６は、通過帯域の特性インピーダンスが５０Ωとな
っており、そのインピーダンス特性は同図（B）のスミ
スチャートにグラフＧＡで示すようになっている。グラ
フＧＡ中の送信帯域ＷTは、送信側からＴXフィルタ９２
０，位相回路９２２を介してアンテナに送られる送信信
号周波数に対するインピーダンス領域である。図示の例
では、送信帯域ＷTは有限のインピーダンスとなってい
る。このため、ＲXフィルタ９２６が同図（B）に示す状
態では、送信信号がＲXフィルタ側に漏れてしまうこと
になる。

【０００９】そこで、位相回路９２４によって、同図
（B）を同図（C）に示すようにおよそ２７０゜回転さ
せ、位相補正を行う。この同図（C）の状態では、送信
帯域ＷTがインピーダンス無限大のＰＡの位置となる。
このため、送信側から見たときは、同図（F）に示すよ
うになり、送信信号は良好にアンテナ側に送られること
となる。なお、位相回路９２４としては、例えば５０ｍ
ｍ程度の長さのストリップラインが用いられる。

【００１０】次に、ＴX側について説明すると、ＴXフィ
ルタ９２０は、同様に通過帯域の特性インピーダンスが
５０Ωとなっており、そのインピーダンス特性は同図
（D）のスミスチャートにグラフＧＢで示すようになっ
ている。グラフＧＢ中の受信帯域ＷRは、アンテナ側か
ら位相回路９２４，ＲXフィルタ９２６を介して受信側
に送られる受信信号周波数に対するインピーダンス領域
である。図示の例では、受信信帯域ＷRはほぼゼロのイ
ンピーダンスとなっている。このため、ＴXフィルタ９
２０が同図（D）に示す状態では、受信信号がＴXフィル
タ側に漏れてしまうことになる。

【００１１】そこで、位相回路９２２によって、同図
（D）を同図（E）に示すようにおよそ１８０゜回転さ
せ、位相補正を行う。この同図（E）の状態では、受信
帯域ＷRがインピーダンス無限大のＰＡの位置となる。
このため、アンテナ側から見たときは、同図（F）に示
すようになり、受信信号は良好に受信側に入力されるこ
ととなる。なお、位相回路９２２としては、例えば３５
ｍｍ程度の長さのストリップラインが用いられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術には次のような不都合がある。（1）多層基板表裏のＧＮＤ電極パターンが、図３４
（B）に示すように、一部で途切れた状態となってい
る。このため、例えば同図に矢印ＦＡで示す位置から矢
印ＦＢで示す位置までを考えると、良好なＧＮＤレベルを得ることができない。ＧＮＤ電極パターンがインダクタとして作用し、部品
の特性に悪影響を与えるおそれがある。

【００１３】（2）誘電体共振器の外部導体はいずれも
ＧＮＤに接続されるが、隣接する共振器の外部導体間に
不安定なストレー容量が生じ、これが部品の特性に影響
を与えることがある。このため、かかる影響を取り除く
ための調整作業が必要となるとともに、コスト的にも負
担となる。

【００１４】（3）ストリップラインを含む多層基板，
誘電体共振器，チップコンデンサの全体を一つの回路と
して検査を行うため、それらのいずれかに不良があれば
全体が不良となってしまうので歩留りが悪く、コストア
ップの原因となる。

【００１５】（4）誘電体共振器は、その性質上一定の
大きさを持っているが、これらが多層基板から突出する
構造となる。このため、全体として空間の利用効率が悪
く、部品の小型化を図ることができない。

【００１６】（5）また、従来のデュプレクサの設計方
法によれば、数十ｍｍ程度のストリップラインを形成す
る必要がある。このため、大きな基板面積を必要とし、
部品の小型化が妨げられる。また、抵抗分が大きくなり
挿入損失が大きくなるという不都合もある。

【００１７】この発明は、これらの点に着目したもの
で、その目的は、特性に悪影響を与えない良好なＧＮＤ
性を得ることである。他の目的は、均一な特性を得て、
調整作業の簡略化，歩留りの向上を図ることである。更
に他の目的は、誘電体共振器間のストレー容量による影
響を低減することである。更に他の目的は、空間を効率
的に利用して、部品の小型化を図ることである。更に他
の目的は、部品の小型化に好適なデュプレクサを設計す
ることができる斬新な手法を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段と作用】前記目的を達成す
るため、この発明は、ＧＮＤ用のベース基板上に、誘電
体共振器を除く主回路が形成された結合基板，及び誘電
体共振器を配置し、ベース基板と結合基板との段差部分
で主回路に誘電体共振器を接続する実装構造としたこと
を特徴とする。また、デュプレクサは、位相補正を行う
ストリップラインを必要としない回路構成となるように
設計され、その主回路が結合基板に設けられる。この発
明の前記及び他の目的，特徴，利点は、次の詳細な説明
及び添付図面から明瞭になろう。

【００１９】

【好ましい実施例の説明】この発明には数多くの実施例
が有り得るが、ここでは適切な数の実施例を示し、詳細
に説明する。

【００２０】＜実施例１の概要＞最初に、図１，図２の
斜視図を参照して、実施例１のフィルタ装置の概略を説
明する。なお、この実施例１は、本発明を、無線装置，
例えば携帯電話のアンテナに対する信号送受信の切換え
を行うデュプレクサに本発明を適用したものである。

【００２１】それらの図に示すように、本実施例では、
ベース基板１０と結合基板４０が用いられる。Ｉ／Ｏ
（入出力端子）を含むベース基板１０はＧＮＤを得るた
めのものであり、例えばプリント基板が用いられる。ベ
ース基板１０上の電極パターンは表裏で概略同一となっ
ており、図３４（B）のように途切れることなく、全体
がＧＮＤ電極パターンによってほぼ覆われている。

【００２２】次に、結合基板４０は多層基板となってお
り、誘電体共振器１００を除く他の回路（以下「主回
路」という）が形成されている。この主回路中に含まれ
る素子は、集中定数素子，分布定数素子のいずれで構成
してもよいが、本実施例では、インダクタが結合基板４
０中に内蔵形成されており、キャパシタが結合基板４０
の主面上に配置されている。

【００２３】このような結合基板４０は、同図に示すよ
うに、ベース基板１０の主面上所定位置に結合される。
また、ベース基板１０の主面上には、複数の誘電体共振
器１００が配置される。これら誘電体共振器１００の引
出電極は、結合基板４０の該当する電極パターンに接続
される。

【００２４】このように、本実施例によれば、ベース基
板１０上に、結合基板４０と誘電体共振器１００が配置
される。図２には、その様子が示されている。そして、
図１に示すように、それらがケース１３０によって覆わ
れる構成となっている。

【００２５】＜ベース基板＞次に、ベース基板１０につ
いて図３を参照しながら説明する。同図において、ベー
ス基板１０の主面（表側）上には、ほぼ全面にＧＮＤ電
極パターン１２が形成されている。また、点線で示す結
合基板４０が結合される箇所の端の部分には、引出電極
パターン１４，１６，１８がそれぞれ形成されている。
引出電極パターン１４は送信側に接続されるパターン，
引出電極パターン１６はアンテナ側に接続されるパター
ン，引出電極パターン１８は受信側に接続されるパター
ンである。

【００２６】ベース基板１０の裏面側も、主面側とほぼ
同様の電極パターンとなっている。そして、表裏のＧＮ
Ｄ電極パターン１２は、複数のスルーホール（あるいは
バイアホール）２０及び複数の凹部２２に形成される側
面電極によって電気的に接続されている。また、表裏の
引出電極パターン１４，１６，１８は、凹部２４，２
６，２８に形成される側面電極によって電気的に接続さ
れている。

【００２７】ベース基板１０の側方適宜位置には、ケー
ス装着用のホール３０が設けられている。更に、ベース
基板１０の主面上には、結合基板４０が結合すべき位置
を示す基板位置決めレジスト３２，誘電体共振器１００
が取り付けられる位置を示す共振器位置決めレジスト３
４がそれぞれ該当箇所に形成されている。なお、図１で
は、それらのレジスト３２，３４は省略されている。

【００２８】＜結合基板＞次に、図４〜図７を参照しな
がら結合基板４０について説明する。結合基板４０は、
図４に示すように４つのシート４０Ａ〜４０Ｄを含む多
層構造となっている。最上層のシート４０Ａには、キャ
パシタや誘電体共振器を接続するための電極パターン４
２，下層のシート４０Ｂ，４０Ｃに形成されている導体
パターンを接続するためのスルーホール（バイアホー
ル）４４が形成されている。前記ベース基板１０の電極
パターン１２，１４，１６，１８に接続される側面電極
パターン５２，５４，５６，５８も形成されている。

【００２９】次のシート４０Ｂには、インダクタ片６０
Ａ，６２Ａ，６４Ａ，スルーホール６６が形成されてい
る。更に次のシート４０Ｃ上には、インダクタ片６０
Ｂ，６２Ｂ，６４Ｂが形成されている。最下層のシート
４０Ｄには、点線で示すように、裏面側に引出電極パタ
ーン７２，７４，７６及びＧＮＤ電極パターン７８が形
成されている。引出電極パターン７２〜７６は、結合基
板４０がベース基板１０上の所定位置に結合したとき
に、ベース基板側の引出電極パターン２４〜２８に接触
するようになっている。

【００３０】シート４０Ａ，４０Ｂのスルーホール４
４，６６は、同図に点線で示すように接続される。これ
により、インダクタ片６０Ａ，６０Ｂが接続されてイン
ダクタ６０となり、インダクタ片６２Ａ，６２Ｂが接続
されてインダクタ６２となり、インダクタ片６４Ａ，６
４Ｂが接続されてインダクタ６４となる。また、シート
４０Ａの電極パターン４２間には、チップコンデンサに
よるキャパシタ８０が接続される。

【００３１】以上の各シート４０Ａ〜４０Ｄを積層して
圧着し、一体焼成することで結合基板４０が得られる。
そして、その後、図５に示すようにキャパシタ８０（８
０Ａ〜８０Ｍ）が該当箇所に半田付けされる。これらキ
ャパシタ８０及びインダクタ６０〜６４と、結合基板４
０上の電極パターン４２との回路的な関係を示すと、図
６のようになる。更に、このような素子の接続関係を回
路図として示すと、図７に示すようになる。この図７中
の素子配置は、図６に示す結合基板上の素子配置に対応
している。このような結合基板４０によって、デュプレ
クサの誘電体共振器を除く主回路が構成されている。な
お、インダクタ６５については後述する。

【００３２】＜誘電体共振器＞次に、図８〜図１８を参
照しながら誘電体共振器１００について説明する。本実
施例では、誘電体共振器１００はベース基板１０上に配
置されるが、段差のある結合基板４０の電極パターン４
２Ａ〜４２Ｇ（図４，図７参照）と電気的に接続される
ため、形状構造が工夫されている。

【００３３】（1）構造例１最初に、図８〜図１０を参照して誘電体共振器の構造例
１を説明する。図８（A）には外観が示されており、同
図（B）には一部破断したものが示されている。また、
同図（C）には加工前の断面と加工手法が示されてい
る。

【００３４】これらの図に示すように、誘電体共振器１
００Ｐは、円筒状の誘電体１０２の表面に形成された内
部導体１０４，外部導体１０６，短絡導体１０８，引出
導体１１０のうち、引出導体１１０の部分を除去した構
成となっている。同図（C）に示すように、円筒状の誘
電体１０２の内側及び外側の表面全体に導体層１０４〜
１１０を形成し、次に引出導体１１０の部分をカッタ１
１２で落とすことで、簡便に製造できる。このとき、必
要があれば、適当な特性（共振周波数）が得られるよう
に調整しながら、作業を行うようにする（以下の例も同
様）。

【００３５】このような誘電体共振器１００Ｐを、図９
（A）に示すように結合基板４０の電極パターン４２に
半田付けするときは、結合基板４０の高さΔｈがあるた
め、接合時は同図（B）に断面を示すような位置関係と
なる。同図（C）には、同図（B）を矢印＃９方向から見
た図が示されている。この状態で、内部導体１０４と電
極パターン４２との接触部分に、半田付けを行うように
する（同図（C）矢印参照）。

【００３６】次に、図１０（A）には、結合基板４０の
電極パターンに凹部４２Ｑを設け、これに誘電体共振器
１００Ｐを半田付けする場合が示されている。接合時
は、同図（B）に示すようになり、これを矢印＃１０方
向から見ると、同図（C）に示すようになる。この状態
で、電極パターン４２の凹部４２Ｑに半田を流し込むよ
うにして、内部導体１０４と電極パターン４２との半田
付けを行うようにする（同図（C）矢印参照）。

【００３７】（2）構造例２次に、図１１〜図１４を参照して構造例２を説明する。
同様に、図１１（A）には外観が示されており、同図
（B）には一部破断したものが示されている。また、同
図（C）には加工前の断面と加工手法が示されている。

【００３８】これらの図に示すように、誘電体共振器１
００Ｑは、円筒状の誘電体１０２の表面に形成された内
部導体１０４，外部導体１０６，短絡導体１０８，引出
導体１１０のうち、引出導体１１０側を一部除去して径
を小さくした構造となっており、突出した引出導体１１
０の部分が直接半田付けされる。同図（C）に示すよう
に、円筒状の誘電体１０２の内側及び外側の表面全体に
導体層１０４〜１１０を形成し、次に一端をカッタ１１
４で削ることで、簡便に製造できる。

【００３９】このような誘電体共振器１００Ｑの引出導
体１１０は、図１２（A）に示すように結合基板４０の
電極パターン４２に半田付けされる。この場合に、結合
基板４０の高さΔｈが誘電体共振器の引出導体１１０の
高さΔＨと略一致するときには、同図（B）に断面を示
すように、結合基板４０の電極パターン４２上に誘電体
共振器の引出導体１１０が位置するような配置とする。
これを矢印＃１２方向から見ると、同図（C）に示すよ
うになる。このような状態で、電極パターン４２と引出
導体１１０の接合部分に半田付けを行う（同図（C）矢
印参照）。このような構造とすることで、部品の実装密
度を高めることが可能となる。

【００４０】次に、図１３（A）に示すように、結合基
板４０の高さΔｈが誘電体共振器１００Ｑの引出導体１
１０の高さΔＨよりも高いときは、同図（B）に断面を
示すような位置関係となる。これを矢印＃１３方向から
見ると、同図（C）に示すようになる。この状態で、引
出導体１１０と電極パターン４２との接触部分に半田付
けを行う（同図（C）矢印参照）。

【００４１】次に、図１４（A）には、結合基板４０の
電極パターンに凹部４２Ｑを設けて、これに誘電体共振
器１００Ｑを半田付けする場合が示されている。接合時
は、同図（B）に示すようになり、これを矢印＃１４方
向から見ると、同図（C）に示すようになる。この状態
で、電極パターン４２の凹部４２Ｑに半田を流し込むよ
うにして、引出導体１１０と電極パターン４２との半田
付けを行うようにする（同図（C）矢印参照）。

【００４２】（3）構造例３次に、図１５〜図１８を参照して構造例３を説明する。
同様に、図１５（A）には外観が示されており、同図
（B）には一部破断したものが示されている。また、同
図（C）には加工前の断面と加工手法が示されている。

【００４３】これらの図に示すように、誘電体共振器１
００Ｒは、円筒状の誘電体１０２の表面に形成された内
部導体１０４，外部導体１０６，短絡導体１０８，引出
導体１１０のうち、引出導体１１０側をテーパ状に除去
した構造となっており、突出した引出導体１１０の部分
が直接半田付けされる。同図（C）に示すように、円筒
状の誘電体１０２の内側及び外側の表面全体に導体層１
０４〜１１０を形成し、次に一端をカッタ１１６で、測
定を行って適当な特性（共振周波数）が得られるように
調整しながらテーパ状に削ることで、簡便に製造でき
る。

【００４４】このような誘電体共振器１００Ｒの引出導
体１１０は、図１６（A）に示すように結合基板４０の
電極パターン４２に半田付けされる。この場合に、結合
基板４０の高さΔｈが誘電体共振器の引出導体１１０の
高さΔＨよりも低いときは、同図（B）に断面を示すよ
うに、結合基板４０の電極パターン４２上に誘電体共振
器の引出導体１１０が位置するような配置とする。これ
を矢印＃１６方向から見ると、同図（C）に示すように
なる。このような状態で、電極パターン４２と引出導体
１１０の接合部分に半田付けを行う（同図（C）矢印参
照）。このような構造とすることで、前記例２と同様
に、部品の実装密度を高めることが可能となる。

【００４５】次に、図１７（A）に示すように、結合基
板４０の高さΔｈが誘電体共振器の引出導体１１０の高
さΔＨよりも高いときは、同図（B）に断面を示すよう
な位置関係となる。これを矢印＃１７方向から見ると、
同図（C）に示すようになる。この状態で、引出導体１
１０と電極パターン４２との接触部分に半田付けを行う
（同図（C）矢印参照）。

【００４６】次に、図１８（A）には、結合基板４０の
電極パターンに凹部４２Ｑを設けて、これに誘電体共振
器１００Ｒを半田付けする場合が示されている。接合時
は、同図（B）に示すようになり、これを矢印＃１８方
向から見ると、同図（C）に示すようになる。この状態
で、電極パターン４２の凹部４２Ｑに半田を流し込むよ
うにして、引出導体１１０と電極パターン４２との半田
付けを行うようにする（同図（C）矢印参照）。

【００４７】以上のように、誘電体共振器１００は、図
２に示したようにベース基板１０上に配置される。そし
て、誘電体共振器１００の内部導体側，すなわち内部導
体１１４又は引出導体１１０が、結合基板４０の電極パ
ターン４２の該当するものに半田付けされる。また、外
部導体１０６は、ベース基板１０上のＧＮＤ電極パター
ン１２に半田付けされる。本実施例では、誘電体共振器
１００が上述した構成となっているので、外部導体１０
６が隣接するもの同士で接触することが可能となる。こ
のため、実装密度を高めることができるとともに、外部
導体１０６間のストレー容量を安定化することが可能と
なる。

【００４８】＜回路構成＞図１９には、以上のようにし
て誘電体共振器１００が接続された回路の全体構成が示
されている。なお、図１９は、図７をちょうど逆に見た
ものに対応する。この回路において、送信側端子ＴXと
アンテナ側端子ＡＮＴとの間に設けられたインダクタ６
０〜６４，キャパシタ８０Ａ〜８０Ｆ，誘電体共振器１
００Ａ〜１００Ｃによって、送信側フィルタが構成され
ている。この送信側フィルタは、送信時に信号を通過さ
せるとともに、受信時に信号を遮断する特性となってい
る。なお、点線で示すインダクタ６０〜６４，キャパシ
タ８０Ｂ，８０Ｄ，８０Ｆ，８０Ｇの部分は、インピー
ダンスマッチング及び高調波対策用の回路である。

【００４９】他方、アンテナ側端子ＡＮＴと受信側端子
ＲXとの間に設けられたキャパシタ８０Ｈ〜８０Ｍ，誘
電体共振器１００Ｄ〜１００Ｇによって、受信側フィル
タが構成されている。この受信側フィルタは、受信時に
信号を通過させるとともに、送信時に信号を遮断する特
性となっている。なお、同図中のインダクタ６５につい
ては、後述する。

【００５０】このように、本実施例のデュプレクサは、
ストリップラインを用いない構成となっている。これ
は、デュプレクサの設計方法が上述した従来の手法と異
なることによる。前記従来方法によれば、ストリップラ
インによる位相補正によって、所望のデュプレクサとし
ての分波特性を得ていた。

【００５１】これに対し、本実施例のデュプレクサの基
本構成は、図２０（A）に示すように、ＴXフィルタ１２
０，マッチング回路１２２，ＲXフィルタ１２４となっ
ている。なお、ＲXフィルタ１２４の特性インピーダン
スは５０Ωとはなっていない。また、ＴXフィルタ１２
０及びマッチング回路１２２を合せたＴX側全体の特性
インピーダンスも５０Ωとはなっていない。これは、各
フィルタそれぞれの帯域で反対側のインピーダンス特性
を利用して５０Ωにマッチングさせているからである。
すなわち、ＲX側については反対側のＴX側のインピーダ
ンス特性を利用し、ＴX側については反対側のＲX側のイ
ンピーダンス特性を利用して、それぞれマッチングをと
っている。

【００５２】同図（B）には、スミスチャート上におけ
る各フィルタのアンテナから見たときのインピーダンス
特性が示されている。グラフＧ１はＴX側（ＴXフィルタ
１２０及びマッチング回路１２２），グラフＧ２はＲX
側（ＲXフィルタ１２４）のインピーダンス特性であ
る。よく知られているように、これらのグラフのうち、
スミスチャートの上側の部分は誘導性であり、下側の部
分は容量性である。

【００５３】従って、グラフＧ２上において、送信帯域
ＷTがスミスチャートの下側の位置に設定されていると
すると、その領域では、ＲX側が容量性のインピーダン
スをもつことになる。受信帯域ＷRについても同様であ
る。他方、グラフＧ１上において、送信帯域ＷTがスミ
スチャートの上側の位置に設定されているとすると、そ
の領域では、ＴX側が誘導性のインピーダンスをもつこ
とになる。受信帯域ＷRについても同様である。

【００５４】ここで、まず受信帯域ＷRに着目する。同
図（B）に示すインピーダンス特性からすると、この受
信帯域ＷRでは、ＲX側が容量性（グラフＧ１），ＴX側
が誘導性（グラフＧ２）となっている。このＴX側の誘
導性を等価インダクタ１２６で示すと、同図（C）に示
すようになる。この等価インダクタ１２６とＲXフィル
タ１２４とのインピーダンスの総和がちょうど５０Ωと
なるように設計すると、アンテナ端子ＡＮＴ側から受信
側端子ＲX側を見たインピーダンスが整合した状態とな
る。従って、アンテナ端子ＡＮＴに入力した信号は、良
好に受信側端子ＲXに導かれることになる。

【００５５】今度は、送信帯域ＷTに着目する。同図
（B）に示すインピーダンス特性からすると、この送信
帯域ＷTでも、ＲX側が容量性（グラフＧ１），ＴX側が
誘導性（グラフＧ２）となっている。このＲX側の容量
性を等価キャパシタ１２８で示すと、同図（C）に示す
ようになる。この等価キャパシタ１２８と、ＴXフィル
タ１２０及びマッチング回路１２２とのインピーダンス
の総和がちょうど５０Ωとなるように設計すると、アン
テナ端子ＡＮＴ側から送信側端子ＴX側を見たインピー
ダンスが整合した状態となる。従って、送信側端子ＴX
に入力した信号は、良好にアンテナ側端子ＡＮＴに導か
れることになる。

【００５６】このように、本実施例によれば、送信帯域
ＷTでは反対側のＲX側のインピーダンス特性が利用さ
れ、受信帯域ＷRでは反対側のＴX側のインピーダンス特
性が利用されて、それぞれ整合がとられている。

【００５７】図１９に示したデュプレクサは、以上のよ
うな手法で設計されたものである。このため、位相補正
を行う必要がなく、従ってストリップラインを必要とし
ない。図２１には、デュプレクサの特性の一例が示され
ている。同図中、実線のグラフは進行波，点線は反射波
を示す。同図（A）は、ＲXフィルタ側の特性であり、送
信帯域ＴXでゲインが低下して送信信号を阻止するが、
受信帯域ＷRではゲインが低下せず受信信号を通過す
る。同図（B）は、ＴXフィルタ側の特性であり、送信帯
域ＴXではゲインが低下せず送信信号を通過するが、受
信帯域ＷRではゲインが低下して受信信号を阻止する。

【００５８】次に、本実施例では、図１９に点線で示し
た回路がＴX側に設けられている。この回路は、インダ
クタ６０，６２とキャパシタ８０Ｂ，８０Ｄによって並
列共振トラップが構成されており、これにインダクタ６
４，キャパシタ８０Ｆ，８０Ｇを加えて全体がＬＰＦと
なっている。これにより、送信帯域信号の高調波成分が
除去される。図２１（C）にはその様子が示されてお
り、送信帯域ＷTの高調波成分２ＷT，３ＷTの帯域のゲ
インが良好に低減されている。

【００５９】＜ケース＞次に、図１に戻って、金属性の
ケース１３０について説明する。ケース１３０の裾部１
３１には、その一部に突起１３２が設けられている。な
お、突起１３２は左右に１対設けられているが、一方の
みが図示されている。この突起１３２は、組立時にベー
ス基板１０の穴３０に嵌め込まれる。ケース１３０の側
面には、ベース基板１０に形成された引出電極パターン
１４，１６，１８に対応した引出用窓１３４，１３６，
１３８が設けられている。ケース１３０の上面には、複
数の特性調整用窓１４０が誘電体共振器１００に対応し
て設けられており、更に長穴による半田確認用窓１４２
も設けられている。なお、ケース１３０の裾部１３１に
は、組立後にＧＮＤ側の側面電極２２となる凹部１４４
が形成されている。これによって、ケース１３０全体が
ＧＮＤとなる。

【００６０】＜全体の作用＞次に、以上のような実施例
の組立と、全体の作用を説明する。本実施例では、ベー
ス基板１０は、上述したように単層のＧＮＤ基板となっ
ており、表面全体の主要部がＧＮＤ電極パターン１２で
覆われている。このため、ＧＮＤ性は極めて良好とな
る。他方、結合基板４０には、図７あるいは図１９に示
したようなインダクタとキャパシタを含む主回路が形成
されている。すなわち、数十ｍｍを必要とするストリッ
プラインを必要としない回路設計となっているため、主
回路部分をコンパクトに結合基板４０に実装することが
可能となる。

【００６１】また、インダクタンスパターンが結合基板
４０に内蔵されており、チップコンデンサなどのディス
クリート部品が結合基板表面に搭載されているという効
率的な実装構成となっており、回路定数の精度の向上，
実装密度の向上が図られるとともに、組立も容易とな
る。

【００６２】この結合基板４０は、これのみで所定の検
査が行われる。このため、組立後のフィルタ装置全体と
しての不良発生の割り合いが低減され、製品歩留りの向
上，ひいてはコストの低減が図られる。

【００６３】このような結合基板４０は、ベース基板１
０の主面上のＧＮＤ電極パターン１２上の所定位置に取
り付けられる。このとき、ベース基板１０上に基板位置
決めレジスト３２が設けられており、これに沿って結合
基板４０を取り付けることで、作業が円滑に行われる。
また、ベース基板１０上のＧＮＤ電極パターン１２上に
結合基板４０の裏面側のＧＮＤ電極パターン７８が接合
するので、結合基板４０に対して良好なアース性が得ら
れる。この取付によって、結合基板４０の引出電極パタ
ーン７２，７４，７６がベース基板１０側の引出電極パ
ターン１４，１６，１８に接触する。

【００６４】ところで、本実施例では、結合基板４０が
ベース基板１０よりも若干小さい寸法となっている。こ
のため、結合基板４０の側面電極パターン５２，５４，
５６，５８が、ベース基板１０の引出電極パターン１
２，１４，１６，１８上に位置するようになる。このよ
うな位置関係のため、これら電極パターンの接触箇所に
おける半田付けの状態，すなわち半田盛りの様子が、容
易に確認できる。

【００６５】次に、ベース基板１０上には、図２に示す
ように、上述した位置決めレジスト３４に沿って誘電体
共振器１００が取り付けられる。このとき、その外部導
体１０６は、隣接する誘電体共振器１００の外部導体１
０６が接触するように、ＧＮＤ電極パターン１２上に半
田付けされる。上述したように、本実施例によれば、引
出導体側が外部導体側よりも小径となっているので、外
部導体１０６が接触したとしても格別不都合は生じな
い。

【００６６】また、このように、外部導体１０６が隣接
するものの同士接触することで、共振器間の距離が固定
されて外部導体１０６間に生ずる共振器間ストレー容量
が安定化し、全体としての特性も安定するようになる。
共振器間距離の短縮により、実装密度の向上，部品の小
型化も図られる。

【００６７】次に、誘電体共振器１００の引出導体１１
０は、結合基板４０の電極パターン４２の該当するもの
に半田付けされる。すなわち、図１，図４，図６，図７
に示すように、誘電体共振器１００Ａ〜１００Ｇの引出
導体１１０は、結合基板４０の電極パターン４２Ａ〜４
２Ｇにそれぞれ直接半田付けされる。なお、引出導体１
１０をキャパシタ８０の該当するものに直付けするよう
にしてもよい。図２には、半田付け後の様子が示されて
いる。このように、誘電体共振器自体を短くするととも
に、引出導体の直付けを行うことで、更に小型化が可能
となる。

【００６８】また、図２の例によれば、図１２に示した
ように、結合基板４０の端部が誘電体共振器１００の引
出導体側下方に潜るような配置となっているので、この
点からも空間が有効利用されて、小型化が図られてい
る。

【００６９】他方、誘電体共振器１００の内部導体１０
４あるいは引出導体１１０を、図９，図１０，図１３，
図１４，図１７，図１８のように結合基板４０に半田付
けするような場合には、結合基板４０をベース基板１０
よりも厚くし、これによって結合基板中のストレー容量
の低減を図ることができる。なお、結合基板４０の厚み
を誘電体共振器１００の大きさに相当する程度まで大き
くしても、フィルタ装置全体が大型化することはない。

【００７０】以上のようにして、ベース基板１０上に結
合基板４０，多数の誘電体共振器１００を半田付けした
後、図１に示すようにケース１３０が取り付けられる。
すなわち、ケース１３０の突起１３２が、ベース基板１
０の穴３０に嵌め込まれ、必要箇所が半田付けされる。
そして、裾部１３１の凹部１４４と、ベース基板１０の
凹部２２に側面電極が形成され、これによってケース１
３０全体がＧＮＤとなる。なお、凹部２４，２６，２８
の部分にも、同様に側面電極が形成される。

【００７１】ところで、本実施例によれば、ケース１３
０に特性調整用窓１４０が、誘電体共振器１００Ａ〜１
００Ｇに対応して形成されている。この窓１４０を介し
て誘電体共振器１００Ａ〜１００Ｇの頂部を削るなどの
調整作業を行うことが可能となる。また、窓１４０，１
４２を介してケース内部をみることができ、部品の位置
や半田の具合の確認などに好都合である。

【００７２】＜誘電体共振器とケースのための工夫＞次
に、誘電体共振器とケースのための更に改良された工夫
の実施例を説明する。なお、理解を容易にするため、簡
単な構成のフィルタ装置を例として説明する。図２２
（A）にはフィルタ装置を組立てた状態が示されてお
り、同図（B）にはケースを取った状態が示されてい
る。また、図２３（A）には図２２（A）の＃２３Ａ−＃
２３Ａ線に沿って矢印方向に見た図が示されており、図
２３（B）には図２２（A）の＃２３Ｂ−＃２３Ｂに沿っ
て矢印方向に見た図がそれぞれ示されている。

【００７３】主回路が形成された多層基板２００の主面
上には、ＧＮＤ電極パターン２０２，引出電極パターン
２０４，２０６が形成されており、これらのパターン間
に誘電体共振器２０８，２１０が配置されている。誘電
体共振器２０８，２１０の外部導体２０８Ａ，２１０Ａ
はＧＮＤ電極パターン２０２に接合しており、引出導体
２０８Ｂ，２１０Ｂは引出電極パターン２０４，２０６
に接合している。多層基板２００の側面には、ＧＮＤ端
子２１２，入出力端子２１４，２１６がそれぞれ設けら
れている。

【００７４】他方、ケース２２０の上面には、前記誘電
体共振器２０８，２１０の外部導体２０８Ａ，２１０Ａ
に対応する位置に貫通孔（又はダボ）２２２，２２４が
設けられている。また、ケース２２０の側面には、前記
誘電体共振器２０８，２１０の外部導体２０８Ａ，２１
０Ａ及び短絡導体２０８Ｃ，２１０Ｃに対応する位置に
ダボ２２６，２２８，２３０，２３２が形成されてい
る。すなわち、本実施例によれば、図２３（A）に示す
ように、ケース２２０のダボ２２６，２２８が、誘電体
共振器２０８の外部導体２０８Ａ，短絡導体２０８Ｃに
それぞれ当接している。また、ダボ２３０，２３２が誘
電体共振器２１０の外部導体２１０Ａ，短絡導体２１０
Ｃにそれぞれ当接している。

【００７５】ケース２２０の組立時には、同図（B）に
示すように、ケース２２０と誘電体共振器２０８，２１
０（２０８側は図示せず）との間に接着剤２３４が投入
され、これによってケース２００の固定が行われる。ま
た、貫通孔２２２，２２４を介して、ケース２２０と誘
電体共振器２０８，２１０との間が半田２３６により半
田付けされる。図２４は、貫通孔２２２，２２４をダボ
とした場合である。このときは、ダボ２２２，２２４に
よって半田２３６が潰されて固着されるようになる。こ
の例では、ダボ２２２，２２４によって、ケース２２０
と誘電体共振器２０８，２１０の外部導体２０８Ａ，２
１０Ａとの間に空間が形成され、両者の短絡が防止され
る。

【００７６】図２２に戻って、ケース２２０の隅部２４
０，２４２は、鋭角部が削られている。直線的に削って
もよいし、あるいは曲線状としてもよい。このような隅
部２４０，２４２と多層基板２００との接合部分を拡大
して示すと、図２５に示すようになる。同図のように、
隅部２４０，２４２（２４０側は図示せず）は、多層基
板２００の電極パターン２５０上となっており、接触部
分は半田２５２によって結合される。電極パターン２５
０はＧＮＤ端子２１２に接続されているので、結局ケー
ス２２０はアースに接続されることになる。なお、２５
１はガラスパターンである。

【００７７】このような貫通孔又はダボを用いてケース
と誘電体共振器を半田付けする手法は、上述した実施例
にも適用でき、半田確認用窓１４２を利用すればよい。

【００７８】＜実施例２＞次に、図２６を参照して実施
例２を説明する。この実施例では、同図（A）に示すよ
うに、結合基板４０の誘電体共振器側の電極パターン４
０Ａ〜４０Ｇ（一部のみ図示）の間に凹部３００が形成
されている。同図（B）には、共振器側から見た結合基
板４０の側面が示されており、同図（C）には、共振器
結合時の平面が示されている。

【００７９】このように、本実施例によれば、凹部３０
０により、電極パターン４０Ａ〜４０Ｇが誘電体共振器
側に突出した構造となるので、同図（C）に示すよう
に、誘電体共振器１００Ａ〜１００Ｇを電極パターン４
０Ａ〜４０Ｇに取り付け易くなるという利点が得られ
る。

【００８０】＜実施例３＞次に、図２７を参照して実施
例３を説明する。この実施例は、結合基板４０上に３個
の空心コイル３１０，３１２，３１４を配置する場合の
工夫に関するものである。例えば、同図（D）に示すよ
うに、磁力線の向きが揃うような配置とすると、各空心
コイルの磁力線が影響し合って結合し、ひいては特性に
も悪影響するようになる。そこで、同図（A），（B），
又は（C）に示すように、磁力線の向きが揃わないよう
に、各空心コイル３１０，３１２，３１４を配置する。
なお、図示の例では、３個の空心コイルを用いた場合で
あるが、複数個用いる場合に適用可能である。

【００８１】＜実施例４＞次に、図２８を参照して実施
例４を説明する。この実施例は、結合基板４０上におい
てＧＮＤ電極パターン３２０を主面上に引き回すように
したものである。このように、結合基板４０の表面を可
能な限りＧＮＤ電極パターンで覆うようにすると、良好
なアース性を得ることができる。

【００８２】＜実施例５＞次に、図２９を参照して実施
例５を説明する。この実施例は、デュプレクサのＲX側
をＳＡＷ（Surface Acoustic Wave,表面弾性波）フィル
タによって構成した場合の実施例である。同図（A）に
外観を示すように、ＴXフィルタ３３０は、複数の誘電
体共振器３３２と、ＴX側のキャパシタ及びインダクタ
を含む主回路が形成された結合基板３３４によって構成
されている。他方、ＲXフィルタ３４０は、ＳＡＷフィ
ルタ３４２によって構成されている。これらが、ベース
基板３５０上に配置されている。ベース基板３５０上に
は、側面電極３５２〜３６２が形成されている。各部の
詳細は、前記実施例と同様である。

【００８３】同図（B）には、各部の回路接続が示され
ている。側面電極３５２は、ＴXフィルタ３３０の入力
端子となっている。そして、この例では、キャパシタ３
３６，インダクタ３３８が、いずれも結合基板３３４に
内蔵形成されている。側面電極３５４，３５８，３６０
はいずれもＧＮＤに接続され、側面電極３５６がＡＮＴ
端子となっている。また、側面電極３６２がＲXフィル
タ３４０の出力端子となっている。

【００８４】このように、ベース基板上に、誘電体共振
器及び結合基板の他に各種の回路を組み込むようにして
もよい。各種回路としてはどのようなものでよいが、例
えば、アンプ，アンテナスイッチ，アイソレータ，サー
キュレータ，カプラなどがある。

【００８５】＜実施例６＞次に、図１９，図３０，図３
１を参照して実施例６を説明する。図１９において、イ
ンダクタ６５をキャパシタ８０ＦとＧＮＤとの間に接続
する。インダクタ６５の値としては、他の回路素子の値
や周波数にもよるが、数ｎＨ，例えば１ｎＨ程度であ
る。このように接続すると、アンテナ端子ＡＮＴからイ
ンダクタ６４，キャパシタ８０Ｆ，インダクタ６５を介
してＧＮＤに至る回路によって自己共振が生ずるように
なる。このため、ＲXフィルタ側の極位置が変化するよ
うになる。

【００８６】図３０には、かかるフィルタ特性変化の一
例が示されている。同図中の実線，破線は、上述した図
２１と同様である。同図（A）は、インダクタ６５とし
て１ｎＨのものを接続した場合のＲXフィルタの特性
で、矢印Ｆ１０で示す位置に極がある。他方、同図
（B）は、インダクタ６５として０ｎＨ，つまり接続し
ない場合の同様特性で、矢印Ｆ１２で示す位置に極があ
る。これらを比較すると、極位置の周波数及びゲインが
インダクタ６５によって調整できることがわかる。

【００８７】図３１には、このようなインダクタ６５の
実装の実施例が示されている。まず、同図（A），（B）
に示すものは、ＧＮＤとなる側面電極パターン５２とキ
ャパシタ８０Ｆとの間の電極パターン４２がインダクタ
として作用することに着目したもので、その長さΔＬを
適宜調整することで、前記インダクタ６５を得るように
したものである。

【００８８】同図（C）に示すものは、側面電極パター
ン５２とキャパシタ８０Ｆとの間に、インダクタ６５と
して空心コイル３７０を設けたものである。空心コイル
３７０のインダクタンス値は、例えばピンセット３７２
などで間隔などの巻線形状を変更することで、簡便に調
整可能である。これにより、図３０に矢印で示した極位
置を簡単に調整できる。

【００８９】同図（D）に示すものは、キャパシタ８０
Ｆとして、空心コイル３７０と結合基板４０の裏面側の
ＧＮＤ電極パターン７８との間に形成されるコンデンサ
３７４をキャパシタ８０Ｆとして利用したものである。
なお、キャパシタ８０Ｆとインダクタ６５との接続の順
序は、図１９の例ではインダクタ６５がＧＮＤ側となっ
ているが、逆にキャパシタ８０ＦがＧＮＤ側となるよう
に接続してもよい。

【００９０】＜実施例７＞次に、図３２を参照して実施
例７を説明する。例えば、同図（A）に示すように、空
心コイル３８０内に誘電体心３８２を矢印で示すように
入れたり出したりする場合を考える。このときの等価回
路は、同図（B）に示すように、インダクタンス３８４
と可変キャパシタンス３８６との並列回路となる。つま
り、コイル３８０の誘電率が変化すると、それは等価回
路のキャパシタンス３８６の変化となり、共振点が変化
することになる。同図（C）には、フィルタ特性におけ
る共振点変化の様子の一例が示されており、誘電率の変
化に伴って共振点ＰＲが矢印方向に変化している。

【００９１】同図（D）には、このような原理を前記デ
ュプレクサの実施例に適用した実施例が示されており、
結合基板４０のシート４０Ｂ上に形成されているインダ
クタ片６０Ａの内側部分３８０の誘電率を、所望の特性
に対応して設定した構成となっている。インダクタ片６
０Ａの内側のみならずその周囲の誘電率も所定値に設定
する，シート４０Ｂ全体の誘電率を所定値に設定するな
ど、各種の誘電率変更の手法がある。シートの厚みを変
更するようにしてもよい。なお、他のインダクタ片６０
Ｂ，６０Ｃについても同様の構成としてよい。

【００９２】同図（E）には、更に他の実施例が示され
ており、結合基板４０上に複数の空心コイル３８２〜３
８６が設けられている場合に、それらの磁力線の方向を
適宜設定することで、素子同士の干渉を調整することが
できる。

【００９３】＜実施例８＞次に、図３３を参照して実施
例８を説明する。上述したように、結合基板４０中には
インダクタ６０，６２，６４が設けられている。図３３
（A）には、それらのうち、インダクタ６０，６２が示
されている。これらに着目すると、下側（あるいは上
側）のＧＮＤ電極３９０との間にキャパシタ３９２，３
９４が生成されていると見ることができる。

【００９４】これらをデュプレクサの回路上に示すと、
同図（B）に示すようになる。すると、同図に点線で示
すように、インダクタ６０とキャパシタ３９２とによっ
てＬＰＦが構成され、インダクタ６２とキャパシタ３９
４とによってＬＰＦが構成されることになる。これらの
ＬＰＦは、インダクタ６４についても、同様である。

【００９５】このようなＬＰＦは、同図（C）に示すデ
ュプレクサの特性において、矢印で示すように特性を変
更する作用を奏する。その程度は、キャパシタの容量に
依存する。従って、結合基板やベース基板の厚さ，誘電
率，インダクタの位置などによって、所望の特性を得る
ことができる。

【００９６】更に、同図（A）に示すように、結合基板
４０の側面側のＧＮＤ電極パターン３９６をトリミング
するようにすると、インダクタ６０とＧＮＤ電極パター
ン３９６との間に形成されているキャパシタ３９８の容
量を変化させることができ、簡便な手法で同図（C）に
示した特性調整を行うことができる。インダクタ６２，
６４についても、隣接する側面ＧＮＤ電極パターンをト
リミングすることで、同様の効果を得ることができる。

【００９７】＜他の実施例＞この発明は、以上の開示に
基づいて多様に改変することが可能であり、例えば次の
ようなものがある。（1）前記実施例は、デュプレクサに本発明を適用した
ものであるが、その他の回路，例えば各種のフィルタ装
置など、誘電体共振器回路（誘電体共振器を含む回路）
一般に適用可能である。また、デュプレクサに適用する
としても、上述したデュプレクサの回路構成は一例であ
り、他の回路構成に上述した基板構造を適用することを
妨げるものではなく、外部への引出電極の配置もＴX，
ＲXが逆であってよい。

【００９８】（2）前記実施例では、結合基板中にイン
ダクタを形成し、主面上にチップコンデンサを搭載した
が、分布定数素子及び集中定数素子のいずれを使用する
か、またそれらをどのように配置するかは任意である。
例えば、素子全部を結合基板中に内蔵する。素子全部を結合基板上に配置する。一部の素子を結合基板中に内蔵し、一部の素子を結合
基板上に配置する。という具合である。多層基板の積層
数も任意に設定してよい。

【００９９】（3）結合基板は、必ずしも多層基板であ
る必要はなく、プリント基板を用いてもよい。（4）その他、ベース基板，結合基板，ケースなどの形
状寸法，ケース誘電体共振器の個数，回路の周波数特性
など、必要に応じて適宜設定してよい。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、次のような効果がある。（1）ベース基板をプリント基板とし、これをＧＮＤ電
極パターンで覆うこととしたので、特性に悪影響を与え
ない良好なＧＮＤ性を得ることができる。（2）結合基板に形成された主回路のみでチェックが可
能となり、均一な特性を得て、調整作業の簡略化，歩留
りの向上を図ることができる。（3）誘電体共振器を、外部導体が接触する位置関係と
なっても内部導体が接触しない構造としたので、誘電体
共振器間のストレー容量による影響を安定化することが
できる。

【０１０１】（4）ベース基板上に、主回路を含む結合
基板と誘電体共振器とを配置し、これらを段差部で結合
する構造としたので、空間を効率的に利用して、部品の
小型化を図ることができる。（5）送信帯域については受信側のインピーダンス特性
を利用し、受信帯域については送信側のインピーダンス
特性を利用して整合をとることとし、位相補正を行わな
いこととしたので、ストリップラインを必要とせず、部
品の小型化に好適なデュプレクサを設計することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のデュプレクサを分解して示す斜視図
である。

【図２】実施例１のケースを除いた状態を示す斜視図で
ある。

【図３】実施例１のベース基板を示す斜視図である。

【図４】実施例１の結合基板の各シートを示す斜視図で
ある。

【図５】実施例１の結合基板を示す斜視図である。

【図６】実施例１の結合基板の部品配置を示す図であ
る。

【図７】実施例１の回路構成を部品配置に対応して示す
回路図である。

【図８】実施例１の誘電体共振器の一例を示す図であ
る。

【図９】前記誘電体と結合基板との接合構造を示す図で
ある。

【図１０】前記誘電体と結合基板との他の接合構造を示
す図である。

【図１１】実施例１の誘電体共振器の他の例を示す図で
ある。

【図１２】前記誘電体と結合基板との接合構造を示す図
である。

【図１３】前記誘電体と結合基板との他の接合構造を示
す図である。

【図１４】前記誘電体と結合基板との更に他の接合構造
を示す図である。

【図１５】実施例１の誘電体共振器の更に他の例を示す
図である。

【図１６】前記誘電体と結合基板との接合構造を示す図
である。

【図１７】前記誘電体と結合基板との他の接合構造を示
す図である。

【図１８】前記誘電体と結合基板との更に他の接合構造
を示す図である。

【図１９】実施例１のデュプレクサの構成を示す回路図
である。

【図２０】実施例１のデュプレクサの設計方法を示す図
である。

【図２１】実施例１のデュプレクサの特性例を示す図で
ある。

【図２２】ケースと誘電体共振器の接合を工夫したフィ
ルタ装置を示す斜視図である。

【図２３】前記図２２のフィルタ装置の主要断面を示す
図である。

【図２４】前記図２２のフィルタ装置の他の例の主要部
を示す断面図である。

【図２５】前記図２２のフィルタ装置の他の例の主要部
を示す斜視図である。

【図２６】実施例２の主要部を示す図である。

【図２７】実施例３の主要部を示す図である。

【図２８】実施例４の主要部を示す図である。

【図２９】実施例５の主要部を示す図である。

【図３０】実施例６における極位置調整の様子を示す図
である。

【図３１】実施例６の主要部を示す図である。

【図３２】実施例７の主要部を示す図である。

【図３３】実施例８の主要部を示す図である。

【図３４】従来のデュプレクサの誘電体共振器回路の一
例を示す図である。

【図３５】前記従来回路の構成を示す回路図である。

【図３６】前記従来回路の設計方法を示す図である。

【符号の説明】

１０…ベース基板１２…ＧＮＤ基板パターン１４，１６，１８…引出電極パターン２０，４４，６６…スルーホール（バイアホール）２２，２４，２６，２８…凹部３０…ホール３２，３４…位置決めレジスト４０…結合基板４２…電極パターン５２，５４，５６，５８，７２，７４，７６…側面電極
パターン６０，６２，６４，６５…インダクタ７８…ＧＮＤ電極パターン８０…キャパシタ１００…誘電体共振器１０２…誘電体１０４…内部導体１０６…外部導体１０８…短絡導体１１０…引出導体１２０…ＴXフィルタ１２２…マッチング回路１２４…ＲXフィルタ１３０…ケース１３１…裾部１３２…突起１３４，１３６，１３８…引出用窓１４０…特性調整用窓ＡＮＴ…アンテナ側端子ＴX…送信側端子ＲX…受信側端子ＷT…送信帯域ＷR…受信帯域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者風間智東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内 (72)発明者清水利雄東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＧＮＤ用のベース基板；誘電体共振器を
除く主回路が形成され、前記ベース基板上に配置される
結合基板；前記ベース基板上に配置され、その内部導体
側が前記結合基板に段差部分で結合される誘電体共振
器；を含む誘電体共振器回路。
【請求項２】前記ベース基板は、これに結合するもの
の配置位置を示す位置決め手段を含む請求項１記載の誘
電体共振器回路。
【請求項３】前記ベース基板は、前記結合基板及び前
記誘電体共振器以外の他の要素を備えた請求項１又は２
記載の誘電体共振器回路。
【請求項４】前記結合基板の主面の寸法を、前記ベー
ス基板の取付面よりも小さくした請求項１，２，又は３
記載の誘電体共振器回路。
【請求項５】前記結合基板は、主回路の部品が主面上
に配置された基板構造である請求項１，２，３，又は４
記載の誘電体共振器回路。
【請求項６】前記結合基板は、主回路の部品が内蔵さ
れた多層基板構造である請求項１，２，３，又は４記載
の誘電体共振器回路。
【請求項７】前記結合基板は、主回路の部品の一部が
主面上に配置され、一部が内蔵された多層基板構造であ
る請求項１，２，３，又は４記載の誘電体共振器回路。
【請求項８】前記結合基板は、前記誘電体共振器を結
合するための電極部分が側面から突出した構造である請
求項１，２，３，４，５，６，又は７記載の誘電体共振
器回路。
【請求項９】前記結合基板は、電極パターンの長さ，
空心コイルの形状，インダクタパターンの誘電率，基板
の厚さ，積層シートの厚さ，側面電極の大きさ，インダ
クタの磁力線の向きの少なくともいずれか一つが、所望
の特性を得るように調整された構造を含む請求項１，
２，３，４，５，６，７，又は８記載の誘電体共振器回
路。
【請求項１０】前記誘電体共振器は、外部導体が接触
しても内部導体が接触しない構造を備えた請求項１，
２，３，４，５，６，７，８，又は９記載の誘電体共振
器回路。
【請求項１１】前記誘電体共振器を、前記ベース基板
と結合基板の段差部分で結合基板の主回路と接続した実
装構造を備えた請求項１０記載の誘電体共振器回路。
【請求項１２】前記結合基板，誘電体共振器，及びベ
ース基板を覆うケースを備えた請求項１，２，３，４，
５，６，７，８，９，１０，又は１１記載の誘電体共振
器。
【請求項１３】前記ケースが、窓又はダボの少なくと
も一方を備えた請求項１２記載の誘電体共振器回路。
【請求項１４】前記ケースが、前記ベース基板に対し
て結合するための突起を備えた請求項１２又は１３記載
の誘電体共振器回路。
【請求項１５】送信帯域においては受信側のインピー
ダンス特性を利用し、受信帯域においては送信側のイン
ピーダンス特性を利用して、それぞれ整合をとることを
特徴とするデュプレクサの設計方法。
【請求項１６】送信側，受信側の少なくともいずれか
一方に、インピーダンスマッチング用の回路を接続する
請求項１５記載のデュプレクサの設計方法。
【請求項１７】請求項１５又は１６記載の設計方法で
設計されたデュプレクサ。
【請求項１８】送信側フィルタに、送信帯域の高調波
成分を除去するためのトラップを設けた請求項１７記載
のデュプレクサ。
【請求項１９】前記主回路は、請求項１７又は１８記
載のデュプレクサのうちの誘電体共振器を除く回路であ
る請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，
１１，１２，１３，又は１４記載の誘電体共振器回路。