JPH08186119A

JPH08186119A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JPH08186119A
Application number: JP32623894A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Numa; 龍矢沼; Keiya Nakabayashi; 敬哉中林; Tsuneo Nakamura; 恒夫中村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-12-27
Filing date: 1994-12-27
Publication date: 1996-07-16

Abstract

(57)【要約】【目的】解像度が良好でかつ、断面プロファイルが急
峻な厚膜の配線パターンを得ることができ、歩留り、工
程数、設備投資などの点から、製造工程におけるトータ
ルコストを低減することができる配線基板の製造方法を
提供することを目的としている。【構成】 (i) 絶縁性基板上にレジストパターンを形成
し、(ii)前記レジストパターンを含む絶縁性基板上全面
に紫外線硬化型樹脂を塗布し、該紫外線硬化型樹脂を硬
化させ、(iii) 前記レジストパターンを除去して前記紫
外線硬化型樹脂パターンを形成し、(iv)前記紫外線硬化
型樹脂パターンの各パターンにより形成された凹部に、
メッキにより導電膜を埋設し、配線パターンを形成する
配線基板の製造方法が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は配線基板の製造方法に関
し、特に、高アスペクト比を有する誘電体のファインパ
ターンを形成する配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、配線基板の製造方法には、銅張り
積層板上の配線パターン部分以外の銅をエッチング除去
して、絶縁基板上に配線パターンを形成する方法が用い
られている。以下に、配線基板の製造方法を図面に基づ
いて説明する。図４（ａ）に示したように、絶縁基板３
１上に銅箔３２が積層された銅張り積層板３０を用い
る。

【０００３】この銅張り積層板３０上に、図４（ｂ）に
示したように、所望の形状を有するフォトレジストパタ
ーン３３を形成する。さらに、図４（ｃ）に示したよう
に、フォトレジストパターン３３をマスクとして銅箔３
２のエッチングを行う。その後、図４（ｄ）に示したよ
うに、フォトレジストパターン３３を除去し、所望の形
状を有する配線パターン３２ａを形成する。

【０００４】上記に示した銅張り積層板による方法にお
いては、基板上の銅箔の大部分をエッチング除去するた
め無駄が多い。また、この形成方法では、エッチングの
ためのフォトレジストパターン下の銅箔がエッチング液
に侵食されるサイドエッチ現象が現れ、微細な配線が所
望の形状に形成しにくい欠点がある。この方法に対し、
絶縁基板上に直接配線部分だけを、無電解メッキによっ
て金属析出させて回路を形成するフルアデイテイブ法が
注目されている。かかる配線パターンの形成方法を以下
に示す。

【０００５】まず、図５（ａ）に示したように、絶縁基
板３１上にメッキレジスト３４を塗布する。次いで、図
５（ｂ）に示したように、メッキレジスト３４に所望の
パターニングを行ない、レジストパターン３４ａを形成
する。しかる後、図５（ｃ）に示したように、レジスト
パターン３４ａをマスクとして、無電解メッキを行い、
配線パターン３５を形成する。

【０００６】この方法においては、使用材料、特に導電
材料が節約できるとともに、製造工程数も少なく、経済
的である。また、メッキレジストの解像度を配線パター
ンに現すことができるため、ファインパターン高アスペ
クト比の配線パターンの製造には有利であるとされてい
る。なお、ここで用いられるメッキレジストとしては、
メッキにより金属を析出させた後剥離を行なうものと、
そのまま永久絶縁膜として用いるものがある。また、剥
離を前提としたメッキレジストにはネガタイプのフォト
レジストとポジタイプのフォトレジストがある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】一般的に、剥離を前提
としたメッキレジストとしてネガタイプのフォトレジス
トを用いる場合や、液状の感光性樹脂あるいはドライフ
ィルムを用いた永久絶縁膜のパターン形成方法は、厚膜
での高解像度が困難である。また、ポジタイプのフォト
レジストはアルカリ性のメッキ浴に対する耐性が無い。
従って、アルカリ性のメッキ浴である無電解銅メッキを
用いて厚膜の銅配線パターンを形成することは困難であ
る。

【０００８】本発明は上記課題に鑑み成されたものであ
り、配線基板の製造方法において、解像度が良好でか
つ、断面プロファイルが急峻な厚膜の配線パターンを得
ることができる配線基板の製造方法を提供することを目
的としている。また、歩留り、工程数、設備投資などの
点から、製造工程におけるトータルコストを低減する事
ができる配線基板の製造方法を提供することを目的とし
ている。

【０００９】さらに、アルカリ性の銅無電解浴に対する
耐性をもった永久絶縁膜を使用することによって、解像
度が良好で且つ、断面プロファイルが急峻な銅厚膜によ
る配線基板の製造方法を提供することを目的としてい
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板の製造
方法によれば、(i) 絶縁性基板上にレジストパターンを
形成し、(ii)前記レジストパターンを含む絶縁性基板上
全面に紫外線硬化型樹脂を塗布し、該紫外線硬化型樹脂
を硬化させ、(iii) 前記レジストパターンを除去して前
記紫外線硬化型樹脂パターンを形成し、(iv)前記紫外線
硬化型樹脂パターンの各パターンにより形成された凹部
に、メッキにより導電膜を埋設し、配線パターンを形成
する配線基板の製造方法が提供される。

【００１１】本発明の配線基板の製造方法による工程
(i) において、用いる基板は絶縁性基板である。絶縁性
を有するものであれば、特に限定されるものではなく、
例えば、ガラス基板、ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエ
チレン類、ポリイミド等の高分子よりなる樹脂等があら
れるが、なかでも樹脂基板が好ましい。

【００１２】上記絶縁性基板上に形成されるレジストパ
ターンは、公知の方法、例えば近接露光等によるフォト
リソグラフィ及びエッチング工程により形成することが
できる。用いるレジストとしては特に限定されるもので
はなく、ポジ型又はネガ型のいずれをも使用することが
できる。具体的には、ノボラック系のポジ型レジスト、
ゴム系ネガ型レジスト、フェノール系のポジ型レジスト
等を用いることができる。この際の膜厚は、レジスト材
料、露光光等により適宜調節することができる。形成さ
れるライン／スペース等は特に限定されるものではな
く、用いるレジストの膜厚、最終的に得られる配線基板
の用途等により、適宜調整することができる。

【００１３】工程(ii)においては、まず、レジストパタ
ーンを含む絶縁性基板上全面に紫外線硬化型樹脂を塗布
する。この際用いる紫外線硬化型樹脂としては、紫外線
硬化型エポキシ樹脂を主成分とするもの、紫外線硬化型
エポキシアクリレート樹脂を主成分とするものが好まし
い。ここで、紫外線硬化型エポキシ樹脂とは、紫外線カ
チオン重合により硬化させることができるエポキシ樹脂
のことであり、紫外線硬化型エポキシアクリレート樹脂
とは、エポキシの骨格に官能基としてアクリロイル基が
２ケ以上付加したものを意味する。このような紫外線硬
化型樹脂を用いることによって、耐薬品性、耐絶縁性の
良好な絶縁膜パターンを形成することができ、特に、ア
ルカリ性のメッキ浴にも耐性があるため、銅無電解メッ
キ用の永久絶縁膜として使用することができる。なお、
この紫外線硬化型樹脂には、適宜、ケタール系、ベンゾ
フェノン系等の光開始剤やポリエチレングリコールジア
クリレート、トリメチルプロパントリアクリレート等の
反応性モノマーを添加して用いることができる。紫外線
硬化型樹脂は、公知の方法、例えば、スピンコート法等
により、先に形成されたレジストパターンよりも厚めに
塗布することが好ましい。スピンコート法による場合に
は、用いる紫外線硬化型樹脂により、回転数、回転時間
等は適宜調節することができる。

【００１４】上記のように、紫外線硬化型樹脂を絶縁性
基板に塗布した後、続いてこの紫外線硬化型樹脂を硬化
させてもよいし、不要な部分、例えば、先に形成したレ
ジストパターンの凸部よりも上方の部分を除去したの
ち、この紫外線硬化型樹脂を硬化させてもよい。この
際、用いる紫外線硬化型樹脂の種類により、その硬化条
件は適宜調節することができる。例えば、紫外線に３０
秒〜１５分間程度さらすことにより硬化させてもよい
し、さらに、完全硬化のために、８０〜１５０℃程度の
温度範囲で、５分〜２時間程度加熱を行ってもよい。紫
外線硬化型樹脂の塗布に続いて硬化をさせる場合には、
上記の方法で紫外線硬化型樹脂を硬化させた後、先に形
成したレジストパターンの表面が露出するまで、紫外線
硬化型樹脂の表面を機械的加工等により研磨することが
好ましい。研磨することにより、レジストパターン上の
紫外線硬化型樹脂を確実に取り除くことができ、レジス
トパターン除去後の紫外線硬化型樹脂パターンの断面プ
ロファイルを良好なものとすることができる。また、確
実にレジストパターン上の紫外線硬化型樹脂を取り除く
ことができるため、歩留り向上も実現することができ
る。さらに、紫外線硬化型樹脂を絶縁性基板に塗布した
後、不要な部分を除去する方法としては、紫外線硬化型
樹脂を硬化させる前に、絶縁性基板を高速の回転数で回
転させるか、又は絶縁性基板の表面に気体を吹きつける
ことを挙げることができる。高速の回転数で絶縁性基板
を回転させる方法としては、例えば、５０００〜８００
０ｒ．ｐ．ｍ．程度の回転数、またはさらに高速の回転
数で２０〜６０秒間程度回転させる工程を１回以上付加
することが挙げられる。絶縁性基板の表面に気体を吹き
つける方法としては、窒素ガス、不活性ガス等を３〜１
０Ｋｇ／ｃｍ²程度の圧力で基板表面、つまり紫外線硬
化型樹脂の表面に吹きつける方法が挙げられる。この
際、気体の種類は特に限定されるものではなく、また、
気体の吹き出し口の大きさを適宜調節することにより、
大面積の基板にも対応することができる。

【００１５】工程(iii) においては、先に形成されたレ
ジストパターンを除去し、レジストパターンの各パター
ン間に配置した紫外線硬化型樹脂のみ残すことにより、
絶縁性基板上に、所望の形状を有する紫外線硬化型樹脂
パターンを形成する。レジストパターンを除去する方法
としては、公知の方法、例えば現像液や溶剤への浸漬等
により行うことができる。なかでも、アセトン中への浸
漬を２０分〜１時間程度行うことが好ましい。

【００１６】工程(iv)において、得られた絶縁基板全面
にメッキにより導電膜を形成する。この際、絶縁性基板
表面は、紫外線硬化型樹脂パターンにより凹部を有して
いるので、導電膜は凹部にまで埋設されることとなり、
これにより、所望の形状を有する配線パターンを形成す
ることができる。導電膜の形成方法としては、蒸着、ス
パッタリング、無電解メッキ等を挙げることができる
が、無電解メッキが好ましい。具体的には、無電解銅メ
ッキ、無電解ニッケルメッキ、無電解金メッキ、無電解
銀メッキ等が挙げられる。例えば、無電解銅メッキにお
いては、予め過マンガン酸溶液を用いて化学的エッチン
グを行い、Ｐｄ、Ｓｎ混合コロイド触媒を用いて触媒化
を行った後、無電解銅メッキを行う方法が挙げられる。
その際用いるメッキ浴としては、銅塩として酒石酸カリ
ウム・ナトリウム銅錯体とＥＤＴＡ銅錯塩等、還元剤と
してはホルムアルデヒド等を用いることができる。導電
膜としては、特に限定されるものではないが、銅、ニッ
ケル、金、銀等が好ましく、中でも銅がより好ましい。
導電膜の膜厚は、形成された紫外線硬化型樹脂パターン
の膜厚等により適宜調節することができる。

【００１７】また、上記の方法の他、絶縁性基板上にレ
ジストパターンを形成した後、工程(ii)において、紫外
線硬化型樹脂を絶縁性基板に塗布し、さらに、この紫外
線硬化型樹脂を選択的に露光し、部分的に硬化させても
よい。つまり、先の工程で形成したレジストパターンの
上方に配置する紫外線硬化型樹脂を硬化させないよう
に、レジストパターンに対応するパターンを有するマス
クを用いて、紫外線を露光する。これによって、レジス
トパターンの各パターン間にのみ硬化した紫外線硬化型
樹脂が形成されることとなる。

【００１８】さらに、工程(iii) において、レジストパ
ターンを除去するとともに、紫外線硬化型樹脂の未露光
部、つまり、レジストパターンの上方に配置し、硬化し
ていない紫外線硬化型樹脂を除去する。この際のレジス
トパターンと未露光部の紫外線硬化型樹脂との除去は、
上記と同様の方法により行うことができる。これによ
り、先に形成されたレジストパターンの膜厚よりも、膜
厚の厚い紫外線硬化型樹脂パターンを形成することがで
きる。

【００１９】

【作用】本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁性
基板上にレジストパターンを形成した後、このレジスト
パターンの各パターンの間に紫外線硬化型樹脂パターン
を形成し、次いで前記レジストパターンを除去して、そ
の凹部に導電膜を埋設して配線パターンを形成するの
で、配線パターンの解像度及び断面プロファイルは、最
初に絶縁基板上に形成したレジストパターンの解像度及
び断面プロファイルと同等のものとなる。つまり、一般
に高解像度を有するレジストと同等の形状の配線パター
ンが得られ、ファインパターン高アスペクトで断面プロ
ファイルの良好な配線パターンが形成されることとな
る。

【００２０】また、レジストパターンを含む絶縁性基板
上全面に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、さらにレジス
トパターンの凸部よりも上方の紫外線硬化型樹脂を除去
する場合には、紫外線硬化型樹脂が、硬化前の液状の状
態の時に、一部または全部除去するので、硬化後の除去
作業が削減または削除されることとなり、製造工程の簡
素化が図れることとなる。

【００２１】さらに、レジストパターンの凸部よりも上
層の紫外線硬化型樹脂の除去を、絶縁性基板を回転する
ことにより行うか、又は絶縁性基板の表面に基体を吹き
つけることにより行う場合には、本来膜強度が強固でな
いレジストパターンに加わる力が最小限にされることと
なる。また、レジストパターンを含む絶縁性基板上全面
に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、さらに、該紫外線硬
化型樹脂を選択的に露光して硬化させ、前記レジストパ
ターンを除去するとともに、さらに前記紫外線硬化型樹
脂の未露光部も除去する場合には、紫外線硬化型樹脂パ
ターンの高さがレジストパターンの高さよりも高く形成
されることとなり、紫外線硬化型樹脂パターンのアスペ
クト比がレジストパターンより優れたものとなる。ま
た、紫外線硬化型樹脂パターンの解像度は、レジストパ
ターンの凸部上層の膜厚に対応したものとなるため、紫
外線硬化型樹脂の高さがレジスト凸部より高いような厚
膜に対しても十分な解像度が得られる。従って、解像度
の良好な紫外線硬化型樹脂パターンの凹部に、ファイン
パターン高アスペクトで断面プロファイルの良好な配線
パターンが形成されることとなる。

【００２２】

【実施例】以下に本発明の配線基板の製造方法の実施例
を詳細に説明する。実施例１まず、図１（ａ）に示すように、絶縁性の樹脂基板１上
に感光性樹脂２を厚さ２０μｍコーテイングした。ここ
で、感光性樹脂２としては、ノボラック系のポジ型レジ
スト（ＡＺ−４９０３，ヘキストジャパン製）及びコン
トラスト増強剤（ＣＥＭ−３８８ＷＳ，信越化学工業
製）を使用した。

【００２３】次いで、感光性樹脂２がコーティングされ
た樹脂基板１を近接露光し、現像することによって、図
１（ｂ）に示すようなライン／スペースが２０μｍの断
面プロファイルが良好なレジストパターン２ａを作成し
た。このように、コントラスト増強剤を用い、近接露光
を行うことにより、解像度及び矩形性を上げることがで
きる。

【００２４】その後、図１（ｃ）に示すように、レジス
トパターン２ａが形成された樹脂基板１上に、紫外線硬
化型樹脂３を塗布した。本実施例では、紫外線硬化型樹
脂３としては、紫外線硬化型エポキシ樹脂（ＸＮＲ５４
９０，長瀬チバ製）を用いた。なお、塗布方法として
は、スピンコーターにより、回転数２０００ｒ．ｐ．
ｍ．で２５秒間回転させることにより、レジストパター
ン２ａより厚めに紫外線硬化型樹脂３を塗布し、紫外線
により硬化した。

【００２５】次いで、図１（ｄ）に示すように、レジス
ト表面が露出するまで研磨を行った。このように機械加
工を用いることにより、レジストパターン２ａより上の
紫外線硬化型樹脂を完全に取り除くことができ、レジス
トパターン２ａの除去が容易となる。その後、図１
（ｅ）に示すように、レジストパターン２ａを除去する
ことにより、紫外線硬化型エポキシ樹脂のパターン３ａ
を作成した。レジストパターン２ａの除去はアセトン浸
漬を２０分間行うことによって行った。このようにして
作成した紫外線硬化型エポキシ樹脂のパターン３ａは、
絶縁性、耐薬品性に優れ、アディティブ法に用いる永久
絶縁膜として好適であり、しかも、解像性、断面プロフ
ァイルの良好なレジストパターンを反転しているため、
解像性、矩形性の優れたものとなった。

【００２６】さらに、図１（ｆ）に示すように、紫外線
硬化型エポキシ樹脂のパターン３ａが形成された樹脂基
板１上に、粗化、触媒化、無電解銅メッキを行って、銅
のメッキ膜４を形成した。このように、紫外線硬化型エ
ポキシ樹脂のパターン３ａ作成後に、粗化、触媒化を行
うことによって、樹脂基板１のみならず、紫外線硬化型
エポキシ樹脂のパターン３ａの表面全体も触媒化され
る。従って、メッキによって得られるメッキ膜の密着
が、樹脂基板からのみならず、側面からも得られること
となり、後の工程で作製される配線パターン４ａは強固
なものとなる。

【００２７】その後、図１（ｇ）に示すように、機械加
工によって、銅のメッキ膜４を所望の厚さに削った。こ
こでは、機械加工を用いたが、銅のメッキ膜４を一部エ
ッチバックしても、同様の結果が得られる。これによ
り、厚さ２０μｍ、ライン／スペースが２０μｍの断面
プロファイル良好な銅の配線パターン４ａを作成するこ
とができた。

【００２８】本実施例では、紫外線硬化型樹脂３とし
て、紫外線硬化型エポキシ樹脂（ＺＮＲ５４９０，長瀬
チバ製）を用いたが、エポキシアクリレート樹脂を主成
分とする紫外線硬化型樹脂を用いても同様の結果が得ら
れた。エポキシアクリレート樹脂を主成分とする紫外線
硬化型樹脂は、エポキシアクリレート樹脂であるＳＰ−
４０１０（昭和高分子製）とケタール系の光開始剤イル
ガキュアー６５１（チバガイギー製）を１００部：２部
の割合で混合した。実施例２本実施例では、紫外線硬化型樹脂３の硬化条件として、
紫外線による硬化後に熱硬化を併用した例を示す。

【００２９】紫外線硬化型樹脂３としてＸＮＲ５４９０
（長瀬チバ製）を用いる代わりにワールドロックＸ８７
２１（協立化学製）を用いる以外は、実施例１と同様に
紫外線硬化型樹脂３を樹脂基板１上に塗布し、紫外線に
より硬化した。次いで、完全硬化のため、９０℃で３０
分間オーブンで加熱を行った。その後、実施例１と同様
に、レジスト表面が露出するまで研磨を行った。このよ
うに紫外線硬化後に加熱硬化をすることにより、樹脂の
耐薬品性、耐溶剤等の特性を向上させることができるタ
イプの樹脂を用いることもできる。この時、紫外線硬化
により、樹脂の反応性が低下しており、レジストの崩れ
や、レジストと紫外線硬化型樹脂との混合は起こらなか
った。

【００３０】その後、実施例１と同様に、紫外線硬化型
エポキシ樹脂のパターン３ａを作成した。このようにし
て作成した紫外線硬化型エポキシ樹脂のパターン３ａ
は、絶縁性、耐薬品性に優れ、アデイテイブ法に用いる
永久絶縁膜として好適であり、しかも、解像性、断面プ
ロファイルの良好なレジストパターンを反転しているた
め、解像性、矩形性の優れたものとなった。

【００３１】次いで、実施例と同様に、厚さ２０μｍ、
ライン／スペースが２０μｍの断面プロファイル良好な
銅の配線パターン４ａを作成した。本実施例では、紫外
線硬化型後、加熱を行ったが、紫外線硬化型エポキシ樹
脂（Three Bond 3112,スリーボンド製）を用い、紫外線
硬化後、完全硬化のため、９０℃で７分間オーブンで加
熱を行っても同様の結果が得られた。実施例３本実施例では、紫外線硬化型樹脂を塗布した後、高速回
転を付与し、レジストパターン凸部上方の紫外線硬化型
樹脂を除去した例を示す。

【００３２】図２（ａ）に示すように、実施例１と同様
に、絶縁性の樹脂基板１１上にレジストパターン１２ａ
を作成した後、レジストパターン１２ａを含む樹脂基板
１１上に紫外線硬化型樹脂１３を塗布した。紫外線硬化
型樹脂３としては、紫外線硬化型エポキシ樹脂（ワール
ドロックＸ８７２１，協立化学製）を用いた。塗布は２
０００ｒ．ｐ．ｍ．で２５秒間回転させることによって
行った。

【００３３】さらに、得られた樹脂基板１１を５０００
ｒ．ｐ．ｍ．で２５秒間、続いて８０００ｒ．ｐ．ｍ．
で２５秒間回転させるという高速回転を行なうことによ
って、図２（ｂ）に示すように、レジストパターン１２
ａ上の紫外線硬化型樹脂１３を除去した。ここで、回転
数は、紫外線硬化型樹脂１３の粘度に依存するため、こ
の回転数に限るものではない。このような方法でレジス
トパターン１２ａ上方の紫外線硬化型樹脂１３を除去す
ると、新たな設備を必要とせず経済的である。また、レ
ジストパターン１２ａ自体に力が加わらないため、レジ
ストパターン１２ａの崩れがなく、正確な絶縁膜パター
ンが形成できる。その後、紫外線により露光後、完全硬
化のため、９０℃で３０分間オーブンで加熱を行った。

【００３４】しかる後、図２（ｃ）に示すように、アセ
トン浸漬を２０分間行なうことによりレジストパターン
２を除去した。さらに、アセトン中での超音波洗浄を１
０分間行なうことにより、図２（ｄ）に示すように、紫
外線硬化型エポキシ樹脂のパターン１３ａを作成した。
このように、レジストパターンの剥離工程において、超
音波振動を併用することによって、レジストとレジスト
パターン上方の紫外線硬化型樹脂の除去がより完全にな
され、歩留りが向上する。また、このようにして作成し
た紫外線硬化型エポキシ樹脂パターンは、絶縁性、耐薬
品性に優れ、アデイテイブ法に用いる永久絶縁膜として
好適であり、しかも、解像性、断面プロファイルの良好
なレジストパターンを反転しているため、解像性、矩形
性の優れたものとなる。

【００３５】さらに、図２（ｅ）に示すように、紫外線
硬化型エポキシ樹脂のパターン１３ａが形成された樹脂
基板１１上に、粗化、触媒化、無電解銅メッキを行っ
て、銅のメッキ膜１４を形成した。その後、図２（ｆ）
に示すように、機械加工によって、銅のメッキ膜１４を
所望の厚さに削った。これにより、厚さ２０μｍ、ライ
ン／スペースが２０μｍの断面プロファイル良好な銅の
配線パターン１４ａを作成することができた。実施例４本実施例では、紫外線硬化型樹脂を塗布した後、気体に
よる吹き付けを行ない、レジストパターン上方の紫外線
硬化型樹脂を除去した例を示す。

【００３６】実施例１と同様に、絶縁性の樹脂基板１１
上に、レジストパターン１２ａを形成した後、紫外線硬
化型樹脂１３を塗布した。紫外線硬化型樹脂１３として
は、紫外線硬化型エポキシ樹脂（ワールドロックＸ８７
２１，協立化学製）を用いた。塗布は、２０００ｒ．
ｐ．ｍ．で２５秒間回転することによって行った。次い
で、窒素ガスを４ｋｇ／ｃｍ²の圧力で樹脂基板１１全
体に吹き付けることによって、図２（ｂ）に示すよう
に、レジストパターン上方の紫外線硬化型樹脂を除去し
た。なお、本実施例では、窒素ガスを用いたが、他の気
体を用いても同様の効果が得られる。

【００３７】このようにレジストパターン上方の紫外線
硬化型樹脂を除去すると、レジストパターン自体に力が
加わらないため、レジストパターンの崩れがなく、正確
な絶縁膜パターンが形成できる。また、気体の吹き出し
口を大きくするか、気体の吹き出し口を走査することに
よって、大面積の基板にも対応できる。その後、紫外線
により露光後、完全硬化のため、９０℃で３０分間オー
ブンで加熱を行った。

【００３８】しかる後、図２（ｃ）に示すように、アセ
トン浸漬を２０分間行なうことによりレジストパターン
１２ａを除去した。さらに、アセトン中での超音波洗浄
を１０分間行なうことにより、図２（ｄ）に示すよう
に、紫外線硬化型エポキシ樹脂パターン１３ａを作成し
た。紫外線硬化型エポキシ樹脂パターン１３ａは、絶縁
性、耐薬品性に優れ、アデイテイブ法に用いる永久絶縁
膜として好適であり、しかも、解像性、断面プロファイ
ルの良好なレジストパターンを反転しているため、解像
性、矩形性の優れたものとなる。

【００３９】以下、実施例３と同様にして、厚さ２０μ
ｍ、ライン／スペースが２０μｍの断面プロファイル良
好な銅配線パターン１４ａを作成した。実施例５本実施例では、絶縁性樹脂基板上に、レジストパターン
を形成した後、紫外線硬化型樹脂を塗布し、選択露光す
ることによってメッキ用永久絶縁膜を作成した例を示
す。

【００４０】図３（ａ）に示すように、実施例１と同様
に、絶縁性の樹脂基板２１上にレジストパターン２２ａ
を作成した後、レジストパターン２２ａを含む樹脂基板
２１上に紫外線硬化型樹脂を塗布した。紫外線硬化型樹
脂としては、紫外線硬化型エポキシ樹脂を主成分とした
ソルダーレジスト２３をスピンコーターで塗布した。紫
外線硬化型エポキシ樹脂を用いる代わりに、エポキシア
クリレートを主成分としたソルダーレジストでも使用す
ることができるし、その他いずれの紫外線硬化型樹脂で
も可能である。ここで塗布したソルダーレジストの厚さ
は、フォトレジストパターン凸部より高くなるように、
３０μｍ程度とした。

【００４１】次に、ソルダーレジスト２３を乾燥した
後、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン２２ａ
の各パターンに対応したマスク２５を用いて、ソルダー
レジスト２３を露光し、硬化させた。その後、図３
（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト２３の未露光部
を除去した。

【００４２】さらに、図３（ｄ）に示すように、レジス
トパターン２２ａを除去した。このようにして、目的と
する導体パターンと対応するソルダーレジストのマスク
パターン２３ａを形成することができた。このような工
程で、ソルダーレジスト２３をパターニングすることに
よって、その解像度はレジストパターン２２ａ上方の膜
厚、すなわち、１０μｍに対する解像度が得られるた
め、本実施例のように、３０μｍという厚膜のソルダー
レジスト２３を用いても、十分な解像度をもった、絶縁
膜のパターニングをすることができる。

【００４３】このようにして作成したソルダーレジスト
２３のマスクパターン２３ａが形成された樹脂基板１１
に、図３（ｅ）に示すように、粗化、触媒化、無電解銅
メッキを行った。そして、図３（ｆ）に示すように、機
械加工によって銅メッキ膜を削った。この結果、厚さ３
０μｍ、ライン／スペースが２０μｍの高アスペクト比
の銅配線パターン２４ａを作成することができた。ここ
では、機械加工を用いたが、銅メッキ膜を一部エッチバ
ックすることによっても同様の結果が得られる。

【００４４】

【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法によれば、
絶縁性基板上にレジストパターンを形成した後、このレ
ジストパターンの各パターンの間に紫外線硬化型樹脂パ
ターンを形成し、次いで前記レジストパターンを除去し
て、その凹部に導電膜を埋設して配線パターンを形成す
るので、配線パターンの解像度及び断面プロファイル
は、最初に絶縁基板上に形成したレジストパターンの解
像度及び断面プロファイルと同等のものとすることがで
きる。つまり、紫外線硬化型樹脂を用いることにより、
紫外線硬化型樹脂の硬化に際して、レジストパターンの
崩れ等がなく、レジストパターンとの混合等も防止する
ことができる。従って、一般に高解像度を有するレジス
トと同等の形状の配線パターンを形成することができ、
ファインパターン高アスペクトで断面プロファイルの良
好な配線パターンを製造することが可能となる。また、
紫外線硬化型樹脂パターンは、永久絶縁膜として用いる
ことができるので、厚い永久絶縁膜も短時間で形成する
ことができ、設備投資も含めた総製造コストを抑制する
ことができる。

【００４５】さらに、紫外線硬化型樹脂として、紫外線
硬化型エポキシ樹脂を主成分とするもの、又はエポキシ
アクリレート樹脂を主成分とするものを用いることによ
って、耐薬品性、耐絶縁性の良好な絶縁膜パターンを形
成することができる。また、本発明の配線基板の製造方
法を、銅の無電解メッキによるフルアデイテイブ法に利
用すると、従来困難とされていた銅の高アスペクト比フ
ァインパターンを形成することができ、しかも、その断
面プロファイルを良好なものとすることが可能となる。

【００４６】また、レジストパターンを含む絶縁性基板
上全面に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、さらにレジス
トパターンの凸部よりも上方の紫外線硬化型樹脂を除去
する場合には、紫外線硬化型樹脂が、硬化前の液状の状
態の時に、一部または全部を除去することができるの
で、硬化後の除去作業が削減または削除することがで
き、製造工程の簡素化を図ることが可能となる。

【００４７】さらに、レジストパターンの凸部よりも上
層の紫外線硬化型樹脂の除去を、絶縁性基板を回転する
ことにより行うか、又は絶縁性基板の表面に基体を吹き
つけることにより行う場合には、本来膜強度が強固でな
いレジストパターンに加わる力を最小限にとどめること
ができ、所望する正確な形状を有する紫外線硬化型樹脂
パターンを形成することができる。従って、解像度の高
い配線パターンを製造することができる。

【００４８】また、レジストパターンを含む絶縁性基板
上全面に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、さらに、該紫
外線硬化型樹脂を選択的に露光して硬化させ、前記レジ
ストパターンを除去するとともに、さらに前記紫外線硬
化型樹脂の未露光部も除去する場合には、紫外線硬化型
樹脂パターンの高さをレジストパターンの高さよりも高
く形成することができ、紫外線硬化型樹脂パターンのア
スペクト比がレジストパターンより優れたものとするこ
とができる。また、紫外線硬化型樹脂パターンの解像度
は、レジストパターンの凸部上層の膜厚に対応したもの
となるため、紫外線硬化型樹脂の高さがレジスト凸部よ
り高いような厚膜に対しても十分な解像度を得ることが
できる。従って、解像度の良好な紫外線硬化型樹脂パタ
ーンの凹部に、ファインパターン高アスペクトで断面プ
ロファイルの良好な配線パターンを製造することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の製造方法の実施例を示す概
略工程説明図である。

【図２】本発明の配線基板の製造方法の別の実施例を示
す概略工程説明図である。

【図３】本発明の配線基板の製造方法のさらに別の実施
例を示す概略工程説明図である。

【図４】従来の配線基板の製造方法の実施例を示す概略
工程説明図である。

【図５】従来の配線基板の製造方法の別の実施例を示す
概略工程説明図である。

【符号の説明】

１、１１、２１絶縁性基板２レジスト２ａ、１２ａ、２２ａレジストパターン３、１３、２３紫外線硬化型樹脂３ａ、１３ａ、２３ａ紫外線硬化型樹脂パターン４、１４、２４導電膜４ａ、１４ａ、２４ａ配線パターン２５マスク３０銅張り積層板３１絶縁基板３２銅箔３２ａ、３５配線パターン３４メッキレジスト３４ａレジストパターン

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０５Ｋ 3/10 Ｅ 7511−4Ｅ 3/18 Ｅ 7511−4Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】 (i) 絶縁性基板上にレジストパターンを
形成し、(ii)前記レジストパターンを含む絶縁性基板上
全面に紫外線硬化型樹脂を塗布し、該紫外線硬化型樹脂
を硬化させ、(iii) 前記レジストパターンを除去して前
記紫外線硬化型樹脂パターンを形成し、(iv)前記紫外線
硬化型樹脂パターンの各パターンにより形成された凹部
に、メッキにより導電膜を埋設し、配線パターンを形成
することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】工程(ii)において、紫外線硬化型樹脂を
塗布した後、さらにレジストパターンの凸部よりも上方
の前記紫外線硬化型樹脂を除去し、該紫外線硬化型樹脂
を硬化させる請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】レジストパターンの凸部よりも上方の紫
外線硬化型樹脂を除去する方法が、絶縁性基板を回転す
ることにより行うか、又は絶縁性基板の表面に気体を吹
きつけることにより行う請求項２記載の配線基板の製造
方法。
【請求項４】工程(ii)において、紫外線硬化型樹脂を
塗布し、硬化させた後、さらに、機械加工によりレジス
トパターンの凸部よりも上方の前記紫外線硬化型樹脂の
表面を削る請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】工程(ii)において、レジストパターンを
含む絶縁性基板上全面に紫外線硬化型樹脂を塗布した
後、さらに、該紫外線硬化型樹脂を選択的に露光して硬
化させ、工程(iii) において、レジストパターンを除去
するとともに、さらに前記紫外線硬化型樹脂の未露光部
も除去する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】紫外線硬化型樹脂が、紫外線硬化型エポ
キシ樹脂又はエポキシアクリレート樹脂を主成分とする
ものである請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の
製造方法。
【請求項７】工程(iv)において、メッキが無電解銅メ
ッキである請求項１〜６のいずれかに記載の配線基板の
製造方法。