JPH08184866A - 有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用 - Google Patents
有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用Info
- Publication number
- JPH08184866A JPH08184866A JP32658694A JP32658694A JPH08184866A JP H08184866 A JPH08184866 A JP H08184866A JP 32658694 A JP32658694 A JP 32658694A JP 32658694 A JP32658694 A JP 32658694A JP H08184866 A JPH08184866 A JP H08184866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- nonlinear optical
- synthesis
- optical material
- stilbene derivative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高分子材料中において十分な非線形感受率及
び十分な単分子分散性を示さないという、既存の有機非
線形光学材料の有する問題点を解決し、有機非線形光学
材料及び高分子材料より成る複合形態において実用十分
な非線形感受率及び単分子分散性を有する有機非線形光
学材料を提供することにある。 【構成】 一般式［１］で表される有機非線形光学材料
用スチルベン誘導体。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ｚ1、Ｚ2の何れか一方は窒素原子を含む無置換
あるいは置換されていてもよい環式炭化水素結合、Ｒ1
およびＲ2は、それぞれ独立に、電子供与性基または水
素原子、Ａ1〜Ａ5の少なくとも１個は電子吸引性基をそ
れぞれ表す。］
び十分な単分子分散性を示さないという、既存の有機非
線形光学材料の有する問題点を解決し、有機非線形光学
材料及び高分子材料より成る複合形態において実用十分
な非線形感受率及び単分子分散性を有する有機非線形光
学材料を提供することにある。 【構成】 一般式［１］で表される有機非線形光学材料
用スチルベン誘導体。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ｚ1、Ｚ2の何れか一方は窒素原子を含む無置換
あるいは置換されていてもよい環式炭化水素結合、Ｒ1
およびＲ2は、それぞれ独立に、電子供与性基または水
素原子、Ａ1〜Ａ5の少なくとも１個は電子吸引性基をそ
れぞれ表す。］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機非線形光学化合物
及びこの化合物を含有する有機非線形光学材料並びにこ
の材料を用いた波長変換素子に関する。更に詳しくは、
２次、３次の非線形光学効果に基づく光機能素子に用い
ることのできる有機非線形光学化合物、材料及び波長変
換素子に関する。
及びこの化合物を含有する有機非線形光学材料並びにこ
の材料を用いた波長変換素子に関する。更に詳しくは、
２次、３次の非線形光学効果に基づく光機能素子に用い
ることのできる有機非線形光学化合物、材料及び波長変
換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光が物質を透過する際に誘起される分極
Ｐは光の電場がＥの時、 Ｐ＝χ(1)Ｅ＋χ(2)Ｅ・Ｅ＋χ(3)Ｅ・Ｅ・Ｅ＋・・・ （１） として表させる。第一項は線形分極、第二項以降は非線
形分極と呼ばれる。この際に誘起される分極の大きさの
尺度となる係数χ(n)（ｎ≧２）は、ｎ次の非線形感受
率、χ(n)を含む項に基づく分極からの効果はｎ次の非
線形光学効果と呼ばれる。χ(n)は（ｎ＋１）階のテン
ソルで、非線形光学効果を定量的に表現する係数であ
る。一般にχ(2)、χ(3)等は微小量であり、光の電場Ｅ
が小さい場合には式（１）の第一項に基づく線形効果の
み認められるが、χ(2)、χ(3)の大きい材料の場合、レ
ーザー光の様な強電場の下では二次以上の項が無視出来
なくなり、その結果、非線形光学応答が現れる。二次の
非線形光学効果としては、第二高調波発生（ＳＨＧ）、
光整流、パラメトリック増幅及びポッケルス効果などが
あり、三次の非線形光学効果としては、第三高調波発
生、直流誘起ＳＨＧ、カー効果及び光双安定性などがあ
る。この様な効果を有する非線形光学材料については、
例えば次の文献に詳しく記載されている。
Ｐは光の電場がＥの時、 Ｐ＝χ(1)Ｅ＋χ(2)Ｅ・Ｅ＋χ(3)Ｅ・Ｅ・Ｅ＋・・・ （１） として表させる。第一項は線形分極、第二項以降は非線
形分極と呼ばれる。この際に誘起される分極の大きさの
尺度となる係数χ(n)（ｎ≧２）は、ｎ次の非線形感受
率、χ(n)を含む項に基づく分極からの効果はｎ次の非
線形光学効果と呼ばれる。χ(n)は（ｎ＋１）階のテン
ソルで、非線形光学効果を定量的に表現する係数であ
る。一般にχ(2)、χ(3)等は微小量であり、光の電場Ｅ
が小さい場合には式（１）の第一項に基づく線形効果の
み認められるが、χ(2)、χ(3)の大きい材料の場合、レ
ーザー光の様な強電場の下では二次以上の項が無視出来
なくなり、その結果、非線形光学応答が現れる。二次の
非線形光学効果としては、第二高調波発生（ＳＨＧ）、
光整流、パラメトリック増幅及びポッケルス効果などが
あり、三次の非線形光学効果としては、第三高調波発
生、直流誘起ＳＨＧ、カー効果及び光双安定性などがあ
る。この様な効果を有する非線形光学材料については、
例えば次の文献に詳しく記載されている。
【０００３】「Nonlinear Optical Properties of Orga
nic Molecules and Cristals」 D.S.Chemla,J.Zyss （ACADEMIC PRESS.INC.,1987年刊） 「有機非線形光学材料」加藤政雄、中西八郎監修 （株式会社シーエムシー、１９８５年刊） 「新・有機非線形光学材料１」 （株式会社シーエムシー、１９９１年刊） 「新・有機非線形光学材料２」 （株式会社シーエムシー、１９９１年刊） 「非線形光学のための有機材料」日本化学会編、季刊
化学総説 Ｎｏ．１５ （学会出版センター、１９９２年刊）
nic Molecules and Cristals」 D.S.Chemla,J.Zyss （ACADEMIC PRESS.INC.,1987年刊） 「有機非線形光学材料」加藤政雄、中西八郎監修 （株式会社シーエムシー、１９８５年刊） 「新・有機非線形光学材料１」 （株式会社シーエムシー、１９９１年刊） 「新・有機非線形光学材料２」 （株式会社シーエムシー、１９９１年刊） 「非線形光学のための有機材料」日本化学会編、季刊
化学総説 Ｎｏ．１５ （学会出版センター、１９９２年刊）
【０００４】上記のような非線形光学効果を有する非線
形光学材料は、これまでに、高調波発生によるレーザー
の波長変換、電気光学素子を利用した光通信など産業へ
の応用が図られている。特に、近年、低出力の半導体レ
ーザーが各種の光記録媒体の光源として使用される様に
なり、非線形光学材料のこの分野への応用が期待されて
いる。この様な用途に対してこれまでに用いられてきた
材料の多くはリン酸二水素カリウム、ニオブ酸リチウム
などをはじめとする無機系の強誘電結晶である。一般
に、無機材料では格子結合に係わる電子が光に対して非
線形応答しているのに対して、２−メチル−４−ニトロ
アニリン（ＭＮＡ）で代表される有機材料では、非線形
応答が分極し易いπ電子に起因している。このため、一
般に有機材料は無機材料に比べて大きな非線形感受率を
有し、これまでに種々の型の有機化合物について非線形
光学材料としての応用が検討されている。これまでに検
討が行われた代表的な有機材料としては、既述のＭＮＡ
以外に、４−Ｎ，Ｎ，−ジメチルアミノ−４’−ニトロ
スチルベン（ＤＡＮＳ）、メチル−（２，４−ジニトロ
フェニル）アミノプロパネート（ＭＡＰ）、３−メチル
−４−ニトロピリジン−Ｎ−オキシド（ＰＯＭ）、２−
シクロオクチルアミノ−５−ニトロピリジン（ＣＯＡＮ
Ｐ）、４’−ニトロベンジリデン−３−アセチルアミノ
−４−メトキシアニリン（ＭＮＢＡ）、３，５−ジメチ
ル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾール（ＤＭＮ
Ｐ），２−メトキシ−５−ニトロフェノール（ＭＮ
Ｐ），４−（イソポロパキシカルボニル）アミノニトロ
ベンゼン（ＰＣＮＢ）、Ｎ−メトキシメチル−４−ニト
ロアニリン（ＭＭＮＡ）等が挙げられる。
形光学材料は、これまでに、高調波発生によるレーザー
の波長変換、電気光学素子を利用した光通信など産業へ
の応用が図られている。特に、近年、低出力の半導体レ
ーザーが各種の光記録媒体の光源として使用される様に
なり、非線形光学材料のこの分野への応用が期待されて
いる。この様な用途に対してこれまでに用いられてきた
材料の多くはリン酸二水素カリウム、ニオブ酸リチウム
などをはじめとする無機系の強誘電結晶である。一般
に、無機材料では格子結合に係わる電子が光に対して非
線形応答しているのに対して、２−メチル−４−ニトロ
アニリン（ＭＮＡ）で代表される有機材料では、非線形
応答が分極し易いπ電子に起因している。このため、一
般に有機材料は無機材料に比べて大きな非線形感受率を
有し、これまでに種々の型の有機化合物について非線形
光学材料としての応用が検討されている。これまでに検
討が行われた代表的な有機材料としては、既述のＭＮＡ
以外に、４−Ｎ，Ｎ，−ジメチルアミノ−４’−ニトロ
スチルベン（ＤＡＮＳ）、メチル−（２，４−ジニトロ
フェニル）アミノプロパネート（ＭＡＰ）、３−メチル
−４−ニトロピリジン−Ｎ−オキシド（ＰＯＭ）、２−
シクロオクチルアミノ−５−ニトロピリジン（ＣＯＡＮ
Ｐ）、４’−ニトロベンジリデン−３−アセチルアミノ
−４−メトキシアニリン（ＭＮＢＡ）、３，５−ジメチ
ル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾール（ＤＭＮ
Ｐ），２−メトキシ−５−ニトロフェノール（ＭＮ
Ｐ），４−（イソポロパキシカルボニル）アミノニトロ
ベンゼン（ＰＣＮＢ）、Ｎ−メトキシメチル−４−ニト
ロアニリン（ＭＭＮＡ）等が挙げられる。
【０００５】既に述べたように、一般に有機材料は無機
材料に比べてより大きな非線形感受率を有するが、無機
材料に比べて硬度が低く、そのために適当な大きさの光
学的に均一な結晶あるいはそれ以外の形態の材料への加
工が困難であるという欠点があり、この点が有機材料を
光素子に応用する際の問題点となっていた。この様な問
題点は、有機非線形光学材料を適当な高分子材料中に分
散させ、高分子材料との複合形態とすることにより解決
される。この様な形態の材料が発現する非線形性能は、
分散している有機非線形光学材料の分散濃度と分子の有
する非線形感受率の積に比例する。この場合、高分子材
料中に有機非線形材料がより高濃度の状態で単分子分散
可能であれば、非線形性能の設定範囲が広がり、材料と
して自由度が高くなる。また、有機非線形光学材料の凝
集は、分子の配向を妨げ、光散乱の原因ともなり、非線
形性能の低下を引き起こす。
材料に比べてより大きな非線形感受率を有するが、無機
材料に比べて硬度が低く、そのために適当な大きさの光
学的に均一な結晶あるいはそれ以外の形態の材料への加
工が困難であるという欠点があり、この点が有機材料を
光素子に応用する際の問題点となっていた。この様な問
題点は、有機非線形光学材料を適当な高分子材料中に分
散させ、高分子材料との複合形態とすることにより解決
される。この様な形態の材料が発現する非線形性能は、
分散している有機非線形光学材料の分散濃度と分子の有
する非線形感受率の積に比例する。この場合、高分子材
料中に有機非線形材料がより高濃度の状態で単分子分散
可能であれば、非線形性能の設定範囲が広がり、材料と
して自由度が高くなる。また、有機非線形光学材料の凝
集は、分子の配向を妨げ、光散乱の原因ともなり、非線
形性能の低下を引き起こす。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これまでに開発されて
きた有機非線形光学材料で、高分子材料中に分散させた
複合材料形態において実用上十分な程度の非線形感受率
を発現し、且つ、高分子材料に対して高い単分子分散性
を有するものはなく、これらの材料は光素子としての応
用に関しては未だ不十分なものであった。本発明の目的
は、高分子材料中において実用十分な非線形感受率及び
単分子分散性を示さないという、既存の有機非線形光学
材料の有する問題点を解決し、有機非線形光学材料及び
高分子材料より成る複合形態において光異性化の生じな
い且つ実用上十分な非線形感受率及び単分子分散性を有
する非線形光学材料を提供することにある。
きた有機非線形光学材料で、高分子材料中に分散させた
複合材料形態において実用上十分な程度の非線形感受率
を発現し、且つ、高分子材料に対して高い単分子分散性
を有するものはなく、これらの材料は光素子としての応
用に関しては未だ不十分なものであった。本発明の目的
は、高分子材料中において実用十分な非線形感受率及び
単分子分散性を示さないという、既存の有機非線形光学
材料の有する問題点を解決し、有機非線形光学材料及び
高分子材料より成る複合形態において光異性化の生じな
い且つ実用上十分な非線形感受率及び単分子分散性を有
する非線形光学材料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式［１］
で表される有機非線形光学材料用スチルベン誘導体であ
る。
で表される有機非線形光学材料用スチルベン誘導体であ
る。
【０００８】一般式［１］
【化２】
【０００９】［式中、Ｚ1、Ｚ2の何れか一方は窒素原子
を含む無置換あるいは置換されていてもよい環式炭化水
素結合、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、電子供与性
基または水素原子、Ａ1〜Ａ5の少なくとも１個は電子吸
引性基をそれぞれ表す。］ 電子供与性基が、アルコキシ基、アリールオキシ基から
選ばれる置換基、また、電子吸引性基が、ハロゲアルコ
キシ基、アリールオキシ基等から選ばれる置換基、ま
た、電子吸引性基が、ハロゲン原子、水酸基、シアノ
基、ニトロ基、カルボン酸基、アシル基、エステル基、
スルホン酸基、スルホン酸エステル基、フルオロアルキ
ル基から選ばれる置換基である有機非線形光学材料用ス
チルベン誘導体。前記記載のスチルベン誘導体を透明樹
脂媒体中に保持した有機非線形光学材料である波長変換
素子。
を含む無置換あるいは置換されていてもよい環式炭化水
素結合、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、電子供与性
基または水素原子、Ａ1〜Ａ5の少なくとも１個は電子吸
引性基をそれぞれ表す。］ 電子供与性基が、アルコキシ基、アリールオキシ基から
選ばれる置換基、また、電子吸引性基が、ハロゲアルコ
キシ基、アリールオキシ基等から選ばれる置換基、ま
た、電子吸引性基が、ハロゲン原子、水酸基、シアノ
基、ニトロ基、カルボン酸基、アシル基、エステル基、
スルホン酸基、スルホン酸エステル基、フルオロアルキ
ル基から選ばれる置換基である有機非線形光学材料用ス
チルベン誘導体。前記記載のスチルベン誘導体を透明樹
脂媒体中に保持した有機非線形光学材料である波長変換
素子。
【００１０】本発明の一般式［１］のスチルベン誘導体
のＺ1、Ｚ2を構成する環式炭化水素結合をもつ環として
は、無置換あるいは置換されたユロルジン環及び無置換
あるいは置換された１，２，３，４−テトラヒドロキノ
リン環であり、一般式［１］のスチルベン誘導体の
Ｒ1、Ｒ2を構成する電子供与性基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリル
オキシ基、２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ基等
のアルコキシ基、フェニノキシ基、トリルオキシ基、ビ
フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ベンジルオキシ
基、トリチルオキシ基等のアリールオキシ基である。
のＺ1、Ｚ2を構成する環式炭化水素結合をもつ環として
は、無置換あるいは置換されたユロルジン環及び無置換
あるいは置換された１，２，３，４−テトラヒドロキノ
リン環であり、一般式［１］のスチルベン誘導体の
Ｒ1、Ｒ2を構成する電子供与性基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリル
オキシ基、２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ基等
のアルコキシ基、フェニノキシ基、トリルオキシ基、ビ
フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ベンジルオキシ
基、トリチルオキシ基等のアリールオキシ基である。
【００１１】また、本発明の一般式［１］のスチルベン
誘導体のＡ1〜Ａ5を構成する電子吸引性基としは、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原
子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アセ
チル基、ブチリル基、ベンゾイル基、トルオイル基、ナ
フトイル基等のアシル基、メトキシカルボニル基、エチ
トキシカルボニル基、プロピオキシカルボニル基、ブチ
トキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリル
オキシカルボニル基、ビフェニルオキシカルボニル基、
ナフチルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニ
ル基、トリチルオキシカルボニル基等のエステル基、ス
ルホン酸基、ビフェニルスルホニル基、ナフチルスルホ
ニル基、ベンジルスルホニル基、トリチルスルホニル
基、メシル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニ
ル基、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ト
シル基等のスルホン酸エステル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、デカフルオロブチル基等のフルオロアルキル基であ
るが、これらの置換基に限定されるものではない。
誘導体のＡ1〜Ａ5を構成する電子吸引性基としは、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原
子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アセ
チル基、ブチリル基、ベンゾイル基、トルオイル基、ナ
フトイル基等のアシル基、メトキシカルボニル基、エチ
トキシカルボニル基、プロピオキシカルボニル基、ブチ
トキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリル
オキシカルボニル基、ビフェニルオキシカルボニル基、
ナフチルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニ
ル基、トリチルオキシカルボニル基等のエステル基、ス
ルホン酸基、ビフェニルスルホニル基、ナフチルスルホ
ニル基、ベンジルスルホニル基、トリチルスルホニル
基、メシル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニ
ル基、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ト
シル基等のスルホン酸エステル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、デカフルオロブチル基等のフルオロアルキル基であ
るが、これらの置換基に限定されるものではない。
【００１２】電子吸引性基の置換位置は、少なくとも一
つは２重結合に対してパラ位が好ましい。この理由は、
共鳴効果や誘起効果により電荷移動が起きやすく、パイ
電子の非極在化が進み非線形性が高くなるためである。
つは２重結合に対してパラ位が好ましい。この理由は、
共鳴効果や誘起効果により電荷移動が起きやすく、パイ
電子の非極在化が進み非線形性が高くなるためである。
【００１３】本発明のスチルベン誘導体は、電子供与性
の強いユロルジン環または１，２，３，４−テトラヒド
ロキノリン環を有しているため、更に共鳴効果や誘起効
果により電荷移動が起きやすく、パイ電子の非極在化が
進み非線形性がより高くなり作用が生じるものと考えら
れる。
の強いユロルジン環または１，２，３，４−テトラヒド
ロキノリン環を有しているため、更に共鳴効果や誘起効
果により電荷移動が起きやすく、パイ電子の非極在化が
進み非線形性がより高くなり作用が生じるものと考えら
れる。
【００１４】本発明で用いられる一般式［１］で表され
るスチルベン誘導体は、例えば、次の方法により製造す
ることができる。Wittig反応を利用して対応する置換ハ
ロゲン化ベンジルと置換ベンズアリデヒドより合成し異
性化を行ってトランス体を得る方法、対応する置換フェ
ニル酢酸と置換ベンズアルデヒドとの塩基を触媒とした
合成法など、一般的なスチルベン誘導体の合成方法によ
り得ることができる。
るスチルベン誘導体は、例えば、次の方法により製造す
ることができる。Wittig反応を利用して対応する置換ハ
ロゲン化ベンジルと置換ベンズアリデヒドより合成し異
性化を行ってトランス体を得る方法、対応する置換フェ
ニル酢酸と置換ベンズアルデヒドとの塩基を触媒とした
合成法など、一般的なスチルベン誘導体の合成方法によ
り得ることができる。
【００１５】本発明の有機非線形光学材料は、スチルベ
ン誘導体を透明樹脂媒体中に保持させることで得られ
る。スチルベン誘導体を透明樹脂媒体中に保持させるに
は、例えば、透明樹脂媒体とスチルベン誘導体とを共通
の溶剤に溶解させ、基板に塗布し、溶剤を除去させれば
良い。トラン誘導体は透明樹脂中に、０．５重量％〜４
０重量％の範囲で存在させることが好ましい
ン誘導体を透明樹脂媒体中に保持させることで得られ
る。スチルベン誘導体を透明樹脂媒体中に保持させるに
は、例えば、透明樹脂媒体とスチルベン誘導体とを共通
の溶剤に溶解させ、基板に塗布し、溶剤を除去させれば
良い。トラン誘導体は透明樹脂中に、０．５重量％〜４
０重量％の範囲で存在させることが好ましい
【００１６】本発明の有機非線形光学材料に用いる透明
媒体は有機高分子化合物であれば特に制限はない。例え
ば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン系樹脂な
どの熱可塑性樹脂類、フェノール系樹脂、ポリウレタン
などの熱硬化性樹脂類やエネルギー線硬化型ポリマー類
等が挙げられる。
媒体は有機高分子化合物であれば特に制限はない。例え
ば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン系樹脂な
どの熱可塑性樹脂類、フェノール系樹脂、ポリウレタン
などの熱硬化性樹脂類やエネルギー線硬化型ポリマー類
等が挙げられる。
【００１７】膜の形成方法としては、キャスティング
法、スピン・コーティング法が例示される。この場合、
本発明による有機非線形光学材料及び樹脂の溶液が用い
られる。使用に適した溶剤としては、次のものが例示さ
れる。ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘキサン等
の飽和炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のエステル類、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、
ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ペンタノ
ール、ヘキサノール等のアルコール類、ベンゼン、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族単環式炭化
水素類、クロロベンゼン、ブロモベンゼン，ｏ−ジクロ
ロベンゼン、等のハロゲン化芳香族炭化水素類、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエチレン等のハ
ロゲン化脂肪族炭化水素類。
法、スピン・コーティング法が例示される。この場合、
本発明による有機非線形光学材料及び樹脂の溶液が用い
られる。使用に適した溶剤としては、次のものが例示さ
れる。ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘキサン等
の飽和炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のエステル類、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、
ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ペンタノ
ール、ヘキサノール等のアルコール類、ベンゼン、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族単環式炭化
水素類、クロロベンゼン、ブロモベンゼン，ｏ−ジクロ
ロベンゼン、等のハロゲン化芳香族炭化水素類、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエチレン等のハ
ロゲン化脂肪族炭化水素類。
【００１８】以下に本発明による有機非線形光学材料の
代表例を示す。表中の符号は一般式［１］に基づくもの
である。
代表例を示す。表中の符号は一般式［１］に基づくもの
である。
【００１９】
【表１】
【００２０】以下、実施例にて本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ （合成１−１） ８−エトキシユロリジンの合成 ８−ヒドロキシユロリジン５ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）、
と水酸化ナトリウム１．０６ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）と
水５０ｍｌとをナスフラスコに仕込み、氷水浴でこの溶
液を１０℃以下に冷却した後、ジエチル硫酸３．６０ｍ
ｌ（２６．４ｍｌ）を滴下した。このとき、溶液温度が
１０℃以下に保持した。滴下終了後、１．５時間加熱還
流し、室温まで冷却した後クロロホルムで抽出した。ク
ロロホルム液を無水硫酸マクネシウムで乾燥し、溶媒を
留去し、８−エトキシユロリジン４．００ｇを得た。
る。 実施例１ （合成１−１） ８−エトキシユロリジンの合成 ８−ヒドロキシユロリジン５ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）、
と水酸化ナトリウム１．０６ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）と
水５０ｍｌとをナスフラスコに仕込み、氷水浴でこの溶
液を１０℃以下に冷却した後、ジエチル硫酸３．６０ｍ
ｌ（２６．４ｍｌ）を滴下した。このとき、溶液温度が
１０℃以下に保持した。滴下終了後、１．５時間加熱還
流し、室温まで冷却した後クロロホルムで抽出した。ク
ロロホルム液を無水硫酸マクネシウムで乾燥し、溶媒を
留去し、８−エトキシユロリジン４．００ｇを得た。
【００２１】（合成１−２） ８−エトキシ−９−ホル
ミルユロリジンの合成 ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアマイド）３６．０ｇ
（０．５０ｍｏｌ）を氷浴で１０℃以下に冷却する。オ
キシ塩化リン７６．５ｇ（０．５０ｍｏｌ）を液温が１
０℃以下に保つように滴下する。（やや赤味を帯びた白
色粘ちょう物である。）氷浴を取り外し、８−エトキシ
ユロリジン２１．７ｇ（０．１０ｍｏｌ）を適当量のＤ
ＭＦに溶解した液を滴下する。このとき、反応液温度は
６０℃を越えないようにする。滴下終了後、反応液温度
を５０℃にして２時間反応させた。反応終了後、室温ま
で冷却し氷水中で注ぎ込む。次いで、水酸化ナトリウム
水溶液で中和し、クロロホルムで抽出した。抽出液を無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、適度に濃縮し、シリカゲ
ルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、展開溶
媒を留去した。結果、８−エトキシ−９−ホルムユロリ
ジン２０．４ｇを得た。
ミルユロリジンの合成 ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアマイド）３６．０ｇ
（０．５０ｍｏｌ）を氷浴で１０℃以下に冷却する。オ
キシ塩化リン７６．５ｇ（０．５０ｍｏｌ）を液温が１
０℃以下に保つように滴下する。（やや赤味を帯びた白
色粘ちょう物である。）氷浴を取り外し、８−エトキシ
ユロリジン２１．７ｇ（０．１０ｍｏｌ）を適当量のＤ
ＭＦに溶解した液を滴下する。このとき、反応液温度は
６０℃を越えないようにする。滴下終了後、反応液温度
を５０℃にして２時間反応させた。反応終了後、室温ま
で冷却し氷水中で注ぎ込む。次いで、水酸化ナトリウム
水溶液で中和し、クロロホルムで抽出した。抽出液を無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、適度に濃縮し、シリカゲ
ルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、展開溶
媒を留去した。結果、８−エトキシ−９−ホルムユロリ
ジン２０．４ｇを得た。
【００２２】（合成１−３）４−ニトロベンジルトリフ
ェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−ニトロベンジルブロマイド（東京化成製試薬）２
１．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）とベンゼン１５０ｍｌを仕
込み、還流下でトリフェニルホスフィン１７．８ｇ
（０．１０ｍｏｌ）をベンゼン５０ｍｌに溶かし、これ
を滴下する。滴下終了後、更に２時間反応させ、反応終
了後、析出した生成物４−ニトロベンジルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドを濾過して得た。収量は３５．
４ｇであった。
ェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−ニトロベンジルブロマイド（東京化成製試薬）２
１．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）とベンゼン１５０ｍｌを仕
込み、還流下でトリフェニルホスフィン１７．８ｇ
（０．１０ｍｏｌ）をベンゼン５０ｍｌに溶かし、これ
を滴下する。滴下終了後、更に２時間反応させ、反応終
了後、析出した生成物４−ニトロベンジルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドを濾過して得た。収量は３５．
４ｇであった。
【００２３】（合成１−４）１−（４−ニトロフェニ
ル）−２−（８'−エトキシユロリジル）−エチレン(化
合物Ａ）の合成 ４−ニトロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイ
ド１７．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、合成１−２で合成し
た８−エトキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ
（０．０５ｍｏｌ）と塩化メチレン２５ｍｌを水浴で冷
却しながら、で激しく撹拌しながら、滴下漏斗より５０
％水酸化ナトリウム水溶液２５ｍｌを約１０分間で滴下
した。滴下終了後、水浴の温度を上げ約１．５時間激し
く撹拌する。次に分液漏斗に移し、塩化メチレン３０ｍ
ｌを加えてよく振り下層にある水溶液を除き、有機層を
水４０ｍｌ、次いで亜硫酸水素ナトリウムの飽和水溶液
７０ｍｌで洗い、さらに中性になるまで水で繰り返し洗
う。有機層を無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥する。
濾過し溶媒を留去し、９５％エタノールで再結晶する。
化合物（Ａ）：収量１１．１ｇ。
ル）−２−（８'−エトキシユロリジル）−エチレン(化
合物Ａ）の合成 ４−ニトロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイ
ド１７．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、合成１−２で合成し
た８−エトキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ
（０．０５ｍｏｌ）と塩化メチレン２５ｍｌを水浴で冷
却しながら、で激しく撹拌しながら、滴下漏斗より５０
％水酸化ナトリウム水溶液２５ｍｌを約１０分間で滴下
した。滴下終了後、水浴の温度を上げ約１．５時間激し
く撹拌する。次に分液漏斗に移し、塩化メチレン３０ｍ
ｌを加えてよく振り下層にある水溶液を除き、有機層を
水４０ｍｌ、次いで亜硫酸水素ナトリウムの飽和水溶液
７０ｍｌで洗い、さらに中性になるまで水で繰り返し洗
う。有機層を無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥する。
濾過し溶媒を留去し、９５％エタノールで再結晶する。
化合物（Ａ）：収量１１．１ｇ。
【００２４】この化合物（Ａ）１ｇ及び帝人化成（株）
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４８．１ｐｍ／Ｖを得た。
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４８．１ｐｍ／Ｖを得た。
【００２５】実施例２ （合成２−１）４−ニトロ−２−シアノベンジルトリフ
ェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−ニトロ−２−ブロモトルエン（東京化成製試薬）２
１．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）と無水ＤＭＦ２２０ｍｌと
シアン化第一銅９．００ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
み、１１５℃で２時間反応させた後、室温まで冷却し、
７ｌの氷水へ注いだ。撹拌を３０分間行い、吸引ろ過、
乾燥し、これをシリカゲルカラム（展開溶媒クロロホル
ム）で精製し、溶媒を蒸発乾固し、４−ニトロ−２−シ
アノトルエン１４．４ｇを得た。この得た４−ニトロ−
２−シアノトルエン１４．４ｇ（０．０９ｍｏｌ）、四
塩化炭素１５０ｍｌ、Ｎ−ブロモこはく酸イミド（ＮＢ
Ｓ）１５．８ｇ、ＢＰＯ（過酸化ジベンゾイル）４００
ｍｇを仕込み還流下で１４時間反応させた後、室温まで
冷却し、吸引ろ過でろ液を得、溶媒を留去し、乾燥し
た。これに、ベンゼン１００ｍｌとを仕込み、還流下で
トリフェニルホスフィン１５．７ｇ（０．０９ｍｏｌ）
をベンゼン５０ｍｌに溶かした溶液を滴下する。滴下終
了後、更に２時間反応させ、反応終了後、析出した生成
物４−ニトロ−２−シアノベンジルトリフェニルホスホ
ニウムブロマイドを濾過して得た。収量は３９．４ｇを
得た。
ェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−ニトロ−２−ブロモトルエン（東京化成製試薬）２
１．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）と無水ＤＭＦ２２０ｍｌと
シアン化第一銅９．００ｇ（０．１０ｍｏｌ）を仕込
み、１１５℃で２時間反応させた後、室温まで冷却し、
７ｌの氷水へ注いだ。撹拌を３０分間行い、吸引ろ過、
乾燥し、これをシリカゲルカラム（展開溶媒クロロホル
ム）で精製し、溶媒を蒸発乾固し、４−ニトロ−２−シ
アノトルエン１４．４ｇを得た。この得た４−ニトロ−
２−シアノトルエン１４．４ｇ（０．０９ｍｏｌ）、四
塩化炭素１５０ｍｌ、Ｎ−ブロモこはく酸イミド（ＮＢ
Ｓ）１５．８ｇ、ＢＰＯ（過酸化ジベンゾイル）４００
ｍｇを仕込み還流下で１４時間反応させた後、室温まで
冷却し、吸引ろ過でろ液を得、溶媒を留去し、乾燥し
た。これに、ベンゼン１００ｍｌとを仕込み、還流下で
トリフェニルホスフィン１５．７ｇ（０．０９ｍｏｌ）
をベンゼン５０ｍｌに溶かした溶液を滴下する。滴下終
了後、更に２時間反応させ、反応終了後、析出した生成
物４−ニトロ−２−シアノベンジルトリフェニルホスホ
ニウムブロマイドを濾過して得た。収量は３９．４ｇを
得た。
【００２６】（合成２−２）１−（４'−ニトロ−２'−
シアノフェニル）−２−（８''−エトキシユロリジル）
−エチレン（化合物Ｂ）の合成 合成２−１で合成した４−ニトロ−２−シアノベンジル
トリフェニルホスホニウムブロマイド２５．１ｇ（０．
０５ｍｏｌ）と実施例１の合成１−２で得られた８−エ
トキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ（０．０５
ｍｏｌ）を用い、実施例１の合成１−４と同様の方法で
合成した。化合物（Ｂ）：収量１３．９ｇ。
シアノフェニル）−２−（８''−エトキシユロリジル）
−エチレン（化合物Ｂ）の合成 合成２−１で合成した４−ニトロ−２−シアノベンジル
トリフェニルホスホニウムブロマイド２５．１ｇ（０．
０５ｍｏｌ）と実施例１の合成１−２で得られた８−エ
トキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ（０．０５
ｍｏｌ）を用い、実施例１の合成１−４と同様の方法で
合成した。化合物（Ｂ）：収量１３．９ｇ。
【００２７】この化合物（Ｂ）１ｇ及び帝人化成（株）
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として５０．４ｐｍ／Ｖを得た。
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として５０．４ｐｍ／Ｖを得た。
【００２８】実施例３ （合成３−１）４−ブチルカルボン酸−３−ニトロベン
ジルトリフェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−メチル−３−ニトロ安息香酸（ｌａｎｃａｓｔｅｒ
製試薬）１８．１ｇ（０．１０ｍｏｌ）、無水ブタノー
ル１４３ｇ、濃硫酸２．１ｍｌの溶液を２０時間還流し
た。室温まで冷却し、溶媒を留去後、残渣を氷水４００
ｍｌに注ぎ、ジエチルエーテル（１００ｍｌ×３）で抽
出し、合わせたジエチルエーテル抽出物を水（１００ｍ
ｌ×２）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減
圧で溶媒を留去し、デシケーター中で乾燥した。収量は
２０．２ｇであった。これを、実施例２の合成２−１と
同様の合成を行い、目的物である４−ブチルカルボン酸
−３−ニトロベンジルトリホスホニウムブロマイド４
５．２ｇ得た。
ジルトリフェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−メチル−３−ニトロ安息香酸（ｌａｎｃａｓｔｅｒ
製試薬）１８．１ｇ（０．１０ｍｏｌ）、無水ブタノー
ル１４３ｇ、濃硫酸２．１ｍｌの溶液を２０時間還流し
た。室温まで冷却し、溶媒を留去後、残渣を氷水４００
ｍｌに注ぎ、ジエチルエーテル（１００ｍｌ×３）で抽
出し、合わせたジエチルエーテル抽出物を水（１００ｍ
ｌ×２）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。減
圧で溶媒を留去し、デシケーター中で乾燥した。収量は
２０．２ｇであった。これを、実施例２の合成２−１と
同様の合成を行い、目的物である４−ブチルカルボン酸
−３−ニトロベンジルトリホスホニウムブロマイド４
５．２ｇ得た。
【００２９】（合成３−２）１−（４'−ブチルカルボ
ン酸−３'−ニトロフェニル）−２−（８''−エトキシ
ユロリジル）−エチレン化合物（Ｇ）の合成 合成３−１で合成した４−ブチルカルボン酸−３−ニト
ロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド２８．
９ｇ（０．０５ｍｏｌ）、実施例１の合成１−２で得ら
れた８−エトキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ
（０．０５ｍｏｌ）を用い、実施例１の合成１−４と同
様の方法で合成した。化合物（Ｃ）：収量９．３ｇ。
ン酸−３'−ニトロフェニル）−２−（８''−エトキシ
ユロリジル）−エチレン化合物（Ｇ）の合成 合成３−１で合成した４−ブチルカルボン酸−３−ニト
ロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド２８．
９ｇ（０．０５ｍｏｌ）、実施例１の合成１−２で得ら
れた８−エトキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ
（０．０５ｍｏｌ）を用い、実施例１の合成１−４と同
様の方法で合成した。化合物（Ｃ）：収量９．３ｇ。
【００３０】この化合物（Ｃ）１ｇ及び帝人化成（株）
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４０．５ｐｍ／Ｖを得た。
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４０．５ｐｍ／Ｖを得た。
【００３１】実施例４ （合成４−１）４−トリフルオロメチルベンジルトリフ
ェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−トリフルオロメチルベンジルブロマイド（ｌａｎｃ
ａｓｔｅｒ製試薬）２３．９ｇ（０．１０ｍｏｌ）とベ
ンゼン１５０ｍｌを仕込み、還流下でトリフェニルホス
フィン１７．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）をベンゼン５０ｍ
ｌに溶かし、これを滴下する。滴下終了後、更に２時間
反応させ、反応終了後、析出した生成物ｐ−トリフルオ
ロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイドを濾過
して得た。収量は４６．２ｇであった。
ェニルホスホニウムブロマイドの合成 ４−トリフルオロメチルベンジルブロマイド（ｌａｎｃ
ａｓｔｅｒ製試薬）２３．９ｇ（０．１０ｍｏｌ）とベ
ンゼン１５０ｍｌを仕込み、還流下でトリフェニルホス
フィン１７．８ｇ（０．１０ｍｏｌ）をベンゼン５０ｍ
ｌに溶かし、これを滴下する。滴下終了後、更に２時間
反応させ、反応終了後、析出した生成物ｐ−トリフルオ
ロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイドを濾過
して得た。収量は４６．２ｇであった。
【００３２】（合成４−２）１−（４'−トリフルオロ
メチルフェニル）−２−（８''−エトキシユロリジル）
−エチレン（化合物Ｄ）の合成 合成４−１で合成した４−トリフルオロメチルベンジル
トリフェニルホスホニウムブロマイド１２．０ｇ（０．
０５ｍｏｌ）、実施例１の合成１ー２で得られた８−エ
トキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ（０．０５
ｍｏｌ）を用い、実施例１の合成１−４と同様の方法で
合成した。化合物（Ｄ）：収量９．７ｇ。この化合物
（Ｄ）１ｇ及び帝人化成（株）製ポリカーボネート、パ
ンライト９ｇをクロロホルム３６ｇに溶解させた溶液を
用いてスピン・コーティング法によりスライドガラス上
に厚さ約１μｍの薄膜を形成させた。この薄膜試料を厚
さ約４ｍｍの２枚のアルミニウム板の間に鋏み、試料を
１２０℃に加熱した。この温度において直流電圧１１ｋ
Ｖを１時間印加した後、電圧を印加したまま室温まで冷
却を行った。上記の様に電場配向処理を施した薄膜試料
に対して薄膜側から、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調
波による色素レーザーのポンピングで発振する波長８３
０ｎｍのレーザーを照射し、発生する第二高調波の強度
を測定し、メーカー・フリンジを得た。このフリンジ・
パターンから２次非線形感受率ｄの値として４０．０ｐ
ｍ／Ｖを得た。
メチルフェニル）−２−（８''−エトキシユロリジル）
−エチレン（化合物Ｄ）の合成 合成４−１で合成した４−トリフルオロメチルベンジル
トリフェニルホスホニウムブロマイド１２．０ｇ（０．
０５ｍｏｌ）、実施例１の合成１ー２で得られた８−エ
トキシ−９−ホルミルユロリジン１２．３ｇ（０．０５
ｍｏｌ）を用い、実施例１の合成１−４と同様の方法で
合成した。化合物（Ｄ）：収量９．７ｇ。この化合物
（Ｄ）１ｇ及び帝人化成（株）製ポリカーボネート、パ
ンライト９ｇをクロロホルム３６ｇに溶解させた溶液を
用いてスピン・コーティング法によりスライドガラス上
に厚さ約１μｍの薄膜を形成させた。この薄膜試料を厚
さ約４ｍｍの２枚のアルミニウム板の間に鋏み、試料を
１２０℃に加熱した。この温度において直流電圧１１ｋ
Ｖを１時間印加した後、電圧を印加したまま室温まで冷
却を行った。上記の様に電場配向処理を施した薄膜試料
に対して薄膜側から、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調
波による色素レーザーのポンピングで発振する波長８３
０ｎｍのレーザーを照射し、発生する第二高調波の強度
を測定し、メーカー・フリンジを得た。このフリンジ・
パターンから２次非線形感受率ｄの値として４０．０ｐ
ｍ／Ｖを得た。
【００３３】実施例５ （合成５−１） ８−フェノキシユロリジンの合成 ８−ヒドロキシユロリジン１８．９ｇ（０．１０ｍｏ
ｌ）、ヨードベンゼン２２．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）、
炭酸カリウム無水（０．１０ｍｏｌ）と無水アセトン２
００ｍｌとをナスフラスコに仕込み、一夜、加熱還流し
た。室温まで冷却した後クロロホルムで抽出した。クロ
ロホルム液を無水硫酸マクネシウムで乾燥し、溶媒を留
去し、８−フェノキシユロリジン １０．０ｇを得た。
ｌ）、ヨードベンゼン２２．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）、
炭酸カリウム無水（０．１０ｍｏｌ）と無水アセトン２
００ｍｌとをナスフラスコに仕込み、一夜、加熱還流し
た。室温まで冷却した後クロロホルムで抽出した。クロ
ロホルム液を無水硫酸マクネシウムで乾燥し、溶媒を留
去し、８−フェノキシユロリジン １０．０ｇを得た。
【００３４】（合成５−２） ８−フェノキシ−９−ホ
ルミルユロリジンの合成 ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアマイド）３６．０ｇ
（０．５０ｍｏｌ）を氷浴で１０℃以下に冷却する。オ
キシ塩化リン７６．５ｇ（０．５０ｍｏｌ）を液温が１
０℃以下に保つように滴下する。（やや赤味を帯びた白
色粘ちょう物である。）氷浴を取り外し、８−フェノキ
シユロリジン２６．５ｇ（０．１０ｍｏｌ）を適当量の
ＤＭＦに溶解した液を滴下する。このとき、反応液温度
は６０℃を越えないようにする。滴下終了後、反応液温
度を５０℃にして２時間反応させた。反応終了後、室温
まで冷却し氷水中で注ぎ込む。次いで、水酸化ナトリウ
ム水溶液で中和し、クロロホルムで抽出した。抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、適度に濃縮し、シリカ
ゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、展開
溶媒を留去した。結果、８−フェノキシ−９−ホルムユ
ロリジン１８．２ｇを得た。
ルミルユロリジンの合成 ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアマイド）３６．０ｇ
（０．５０ｍｏｌ）を氷浴で１０℃以下に冷却する。オ
キシ塩化リン７６．５ｇ（０．５０ｍｏｌ）を液温が１
０℃以下に保つように滴下する。（やや赤味を帯びた白
色粘ちょう物である。）氷浴を取り外し、８−フェノキ
シユロリジン２６．５ｇ（０．１０ｍｏｌ）を適当量の
ＤＭＦに溶解した液を滴下する。このとき、反応液温度
は６０℃を越えないようにする。滴下終了後、反応液温
度を５０℃にして２時間反応させた。反応終了後、室温
まで冷却し氷水中で注ぎ込む。次いで、水酸化ナトリウ
ム水溶液で中和し、クロロホルムで抽出した。抽出液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、適度に濃縮し、シリカ
ゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、展開
溶媒を留去した。結果、８−フェノキシ−９−ホルムユ
ロリジン１８．２ｇを得た。
【００３５】（合成５−３）１−（４−ニトロフェニ
ル）−２−（８'−フェノキシユロリジル）−エチレン
(化合物Ｅ）の合成 ４−ニトロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイ
ド１７．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、合成２−２で合成し
た８−フェノキシ−９−ホルミルユロリジン１３．３ｇ
（０．０５ｍｏｌ）と塩化メチレン２５ｍｌを水浴で冷
却しながら、で激しく撹拌しながら、滴下漏斗より５０
％水酸化ナトリウム水溶液２５ｍｌを約１０分間で滴下
した。滴下終了後、水浴の温度を上げ約１．５時間激し
く撹拌する。次に分液漏斗に移し、塩化メチレン３０ｍ
ｌを加えてよく振り下層にある水溶液を除き、有機層を
水４０ｍｌ、次いで亜硫酸水素ナトリウムの飽和水溶液
７０ｍｌで洗い、さらに中性になるまで水で繰り返し洗
う。有機層を無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥する。
濾過し溶媒を留去し、９５％エタノールで再結晶する。
化合物（Ｅ）：収量１２．０ｇ。
ル）−２−（８'−フェノキシユロリジル）−エチレン
(化合物Ｅ）の合成 ４−ニトロベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイ
ド１７．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、合成２−２で合成し
た８−フェノキシ−９−ホルミルユロリジン１３．３ｇ
（０．０５ｍｏｌ）と塩化メチレン２５ｍｌを水浴で冷
却しながら、で激しく撹拌しながら、滴下漏斗より５０
％水酸化ナトリウム水溶液２５ｍｌを約１０分間で滴下
した。滴下終了後、水浴の温度を上げ約１．５時間激し
く撹拌する。次に分液漏斗に移し、塩化メチレン３０ｍ
ｌを加えてよく振り下層にある水溶液を除き、有機層を
水４０ｍｌ、次いで亜硫酸水素ナトリウムの飽和水溶液
７０ｍｌで洗い、さらに中性になるまで水で繰り返し洗
う。有機層を無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥する。
濾過し溶媒を留去し、９５％エタノールで再結晶する。
化合物（Ｅ）：収量１２．０ｇ。
【００３６】この化合物（Ｅ）１ｇ及び帝人化成（株）
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４９．３ｐｍ／Ｖを得た。
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４９．３ｐｍ／Ｖを得た。
【００３７】実施例６ （合成６−１） １−ブチル−１，２，３，４−テトラ
ヒドロキノリンの合成 １，２，３，４−テトラヒドロキノリン（ＬＡＮＣＡＳ
ＴＥＲ製試薬）１３．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）、水酸化
ナトリウム１．０６ｇ、水５０ｍｌとジブチル硫酸２
１．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）を用いて、実施例１の合成
１−１の方法と同様に１−ブチル−１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリンを合成した。収量９．２０ｇであっ
た。
ヒドロキノリンの合成 １，２，３，４−テトラヒドロキノリン（ＬＡＮＣＡＳ
ＴＥＲ製試薬）１３．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）、水酸化
ナトリウム１．０６ｇ、水５０ｍｌとジブチル硫酸２
１．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）を用いて、実施例１の合成
１−１の方法と同様に１−ブチル−１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリンを合成した。収量９．２０ｇであっ
た。
【００３８】（合成６−２）１−ブチル−６−ホルミル
−１，２，３，４−テトラヒドロキノリンの合成 合成６ー１で得た１−ブチル−１，２，３，４−テトラ
ヒドロキノリン１８．９ｇ（０．１ｍｏｌ）を用い、実
施例１の合成１−２と同様の方法で合成した。収量は、
１７．４ｇであった。
−１，２，３，４−テトラヒドロキノリンの合成 合成６ー１で得た１−ブチル−１，２，３，４−テトラ
ヒドロキノリン１８．９ｇ（０．１ｍｏｌ）を用い、実
施例１の合成１−２と同様の方法で合成した。収量は、
１７．４ｇであった。
【００３９】（合成６−３）６−（４'−ニトロフェニ
ルエチレニル）−１−ブチル−１，２，３，４−テトラ
ヒドロキノリン（化合物Ｆ）の合成 合成１−３で得られた４−ニトロベンジルトリフェニル
ホスホニウムブロマイド１７．７ｇ（０．０５ｍｏ
ｌ）、１−ブチル−６−ホルミル−１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリン１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を用
い、実施例１の合成１−４と同様の方法で合成した。化
合物（Ｆ）：収量８．６ｇこの化合物（Ｆ）１ｇ及び帝
人化成（株）製ポリカーボネート、パンライト９ｇをク
ロロホルム３６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コ
ーティング法によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの
薄膜を形成させた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚
のアルミニウム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱し
た。この温度において直流電圧１１ｋＶを１時間印加し
た後、電圧を印加したまま室温まで冷却を行った。上記
の様に電場配向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側か
ら、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調波による色素レー
ザーのポンピングで発振する波長８３０ｎｍのレーザー
を照射し、発生する第二高調波の強度を測定し、メーカ
ー・フリンジを得た。このフリンジ・パターンから２次
非線形感受率ｄの値として４１．２ｐｍ／Ｖを得た。
ルエチレニル）−１−ブチル−１，２，３，４−テトラ
ヒドロキノリン（化合物Ｆ）の合成 合成１−３で得られた４−ニトロベンジルトリフェニル
ホスホニウムブロマイド１７．７ｇ（０．０５ｍｏ
ｌ）、１−ブチル−６−ホルミル−１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリン１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を用
い、実施例１の合成１−４と同様の方法で合成した。化
合物（Ｆ）：収量８．６ｇこの化合物（Ｆ）１ｇ及び帝
人化成（株）製ポリカーボネート、パンライト９ｇをク
ロロホルム３６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コ
ーティング法によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの
薄膜を形成させた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚
のアルミニウム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱し
た。この温度において直流電圧１１ｋＶを１時間印加し
た後、電圧を印加したまま室温まで冷却を行った。上記
の様に電場配向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側か
ら、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調波による色素レー
ザーのポンピングで発振する波長８３０ｎｍのレーザー
を照射し、発生する第二高調波の強度を測定し、メーカ
ー・フリンジを得た。このフリンジ・パターンから２次
非線形感受率ｄの値として４１．２ｐｍ／Ｖを得た。
【００４０】実施例７ ６−（４'−ニトロ−２'−シアノ−フェニルエチレニ
ル）−１−ブチル−１，２，３，４−テトラヒドロキノ
リン（化合物Ｇ）の合成 実施例２の合成２−１で得られた４−ニトロ−２−シア
ノベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド２５．
１ｇ（０．０５ｍｏｌ）と実施例５の合成５−２で得ら
れた１−ブチル−６−ホルミル−１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリン１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を用
い、実施例１の合成１−４と同様の方法で合成した。化
合物（Ｇ）：収量１１．８ｇ。
ル）−１−ブチル−１，２，３，４−テトラヒドロキノ
リン（化合物Ｇ）の合成 実施例２の合成２−１で得られた４−ニトロ−２−シア
ノベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド２５．
１ｇ（０．０５ｍｏｌ）と実施例５の合成５−２で得ら
れた１−ブチル−６−ホルミル−１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリン１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を用
い、実施例１の合成１−４と同様の方法で合成した。化
合物（Ｇ）：収量１１．８ｇ。
【００４１】この化合物（Ｇ）１ｇ及び帝人化成（株）
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４５．２ｐｍ／Ｖを得た。
製ポリカーボネート、パンライト９ｇをクロロホルム３
６ｇに溶解させた溶液を用いてスピン・コーティング法
によりスライドガラス上に厚さ約１μｍの薄膜を形成さ
せた。この薄膜試料を厚さ約４ｍｍの２枚のアルミニウ
ム板の間に鋏み、試料を１２０℃に加熱した。この温度
において直流電圧１１ｋＶを１時間印加した後、電圧を
印加したまま室温まで冷却を行った。上記の様に電場配
向処理を施した薄膜試料に対して薄膜側から、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波による色素レーザーのポンピ
ングで発振する波長８３０ｎｍのレーザーを照射し、発
生する第二高調波の強度を測定し、メーカー・フリンジ
を得た。このフリンジ・パターンから２次非線形感受率
ｄの値として４５．２ｐｍ／Ｖを得た。
【００４２】実施例７〜９ 化合物Ｈ〜Ｊを実施例６、７と同様に合成し、薄膜及び
測定も同様に行った。 比較例１ ４−ジメチルアミノ−４'−ニトロスチルベン（（ＤＡ
ＮＳ）ＫＯＤＡＫ製試薬）をエタノールで再結晶したも
のを１ｇ及び帝人化成（株）製ポリカーボネート、パン
ライト９ｇをクロロホルム３６ｇに溶解させた溶液を用
いてスピン・コーティング法によりスライドガラス上に
厚さ約１μｍの薄膜を形成させた。この薄膜試料を厚さ
約４ｍｍの２枚のアルミニウム板の間に鋏み、試料を１
２０℃に加熱した。この温度において直流電圧１１ｋＶ
を１時間印加した後、電圧を印加したまま室温まで冷却
を行った。上記の様に電場配向処理を施した薄膜試料に
対して薄膜側から、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調波
による色素レーザーのポンピングで発振する波長８３０
ｎｍのレーザーを照射し、発生する第二高調波の強度を
測定し、メーカー・フリンジを得た。このフリンジ・パ
ターンから２次非線形感受率ｄの値として３５．４ｐｍ
／Ｖを得た。測定結果を表２に示す。
測定も同様に行った。 比較例１ ４−ジメチルアミノ−４'−ニトロスチルベン（（ＤＡ
ＮＳ）ＫＯＤＡＫ製試薬）をエタノールで再結晶したも
のを１ｇ及び帝人化成（株）製ポリカーボネート、パン
ライト９ｇをクロロホルム３６ｇに溶解させた溶液を用
いてスピン・コーティング法によりスライドガラス上に
厚さ約１μｍの薄膜を形成させた。この薄膜試料を厚さ
約４ｍｍの２枚のアルミニウム板の間に鋏み、試料を１
２０℃に加熱した。この温度において直流電圧１１ｋＶ
を１時間印加した後、電圧を印加したまま室温まで冷却
を行った。上記の様に電場配向処理を施した薄膜試料に
対して薄膜側から、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調波
による色素レーザーのポンピングで発振する波長８３０
ｎｍのレーザーを照射し、発生する第二高調波の強度を
測定し、メーカー・フリンジを得た。このフリンジ・パ
ターンから２次非線形感受率ｄの値として３５．４ｐｍ
／Ｖを得た。測定結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、有機非線形光学材料及
び各種の高分子材料より成る複合形態において、実用上
十分な非線形感受率及び単分子分散製を有する有機非線
形光学材料が提供される。本発明によれば、容易に膜形
成、膜厚制御及び非線形性能制御の可能な有機非線形光
学材料が提供される。更に本発明によれば、光エレクト
ロニクス分野における種々の光機能素子として応用可能
な有機非線形光学材料が提供される。
び各種の高分子材料より成る複合形態において、実用上
十分な非線形感受率及び単分子分散製を有する有機非線
形光学材料が提供される。本発明によれば、容易に膜形
成、膜厚制御及び非線形性能制御の可能な有機非線形光
学材料が提供される。更に本発明によれば、光エレクト
ロニクス分野における種々の光機能素子として応用可能
な有機非線形光学材料が提供される。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式［１］で表される有機非線形光学
材料用スチルベン誘導体。 【化１】 ［式中、Ｚ1、Ｚ2の何れか一方は窒素原子を含む無置換
あるいは置換されていてもよい環式炭化水素結合、Ｒ1
およびＲ2は、それぞれ独立に、電子供与性基または水
素原子、Ａ1〜Ａ5の少なくとも１個は電子吸引性基をそ
れぞれ表す。］ - 【請求項２】 電子供与性基が、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基から選ばれる置換基である請求項１記載の有
機非線形光学材料用スチルベン誘導体。 - 【請求項３】 電子吸引性基が、ハロゲン原子、水酸
基、シアノ基、ニトロ基、カルボン酸基、アシル基、エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、フル
オロアルキル基から選ばれる置換基である請求項１また
は２記載の有機非線形光学材料用スチルベン誘導体。 - 【請求項４】 請求項１ないし３記載のスチルベン誘導
体を透明樹脂媒体中に保持した有機非線形光学材料。 - 【請求項５】 請求項４記載の材料からなる波長変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32658694A JPH08184866A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32658694A JPH08184866A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08184866A true JPH08184866A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18189477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32658694A Pending JPH08184866A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08184866A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104674458A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-03 | 北京师范大学 | 一种具有紫外刺激荧光变色响应的柔性薄膜材料及其制备方法 |
| JP5945905B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2016-07-05 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | ２次非線形光学化合物及びそれを含む非線形光学素子 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32658694A patent/JPH08184866A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5945905B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2016-07-05 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | ２次非線形光学化合物及びそれを含む非線形光学素子 |
| US9488755B2 (en) | 2009-08-24 | 2016-11-08 | National Institute Of Information And Communications Technology | Second-order nonlinear optical compound and nonlinear optical element comprising the same |
| US9977150B2 (en) | 2009-08-24 | 2018-05-22 | National Institute Of Information And Communications Technology | Second-order nonlinear optical compound and nonlinear optical element comprising the same |
| US10754064B2 (en) | 2009-08-24 | 2020-08-25 | National Institute Of Information And Communications Technology | Second-order nonlinear optical compound and nonlinear optical element comprising the same |
| CN104674458A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-03 | 北京师范大学 | 一种具有紫外刺激荧光变色响应的柔性薄膜材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2100190A1 (en) | Optically non-linear active waveguiding material comprising a dopant having multiple donor--acceptor systems | |
| US5196509A (en) | Side chain condensation polymer which exhibits nonlinear optical response | |
| JPH08184866A (ja) | 有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用 | |
| US4987255A (en) | Organic nonlinear optical material | |
| JPH08184865A (ja) | 有機非線形光学材料用スチルベン誘導体及びその使用 | |
| JPH08184867A (ja) | 有機非線形光学材料用トラン誘導体及びその使用 | |
| Kimura et al. | Synthesis and non-linear optical properties of aromatic ester oligomers as chained chromophores | |
| JP2762610B2 (ja) | スクエアリリウム誘導体及びその製造方法 | |
| JP2836485B2 (ja) | シクロブテンジオン誘導体及びその製造方法並びにこれを用いた非線形光学素子 | |
| JPH08176107A (ja) | 有機非線形光学材料用ｎ−スチリルフタルイミド誘導体及びその使用 | |
| JPH0678301B2 (ja) | スクエアリリウム誘導体及びその製造方法 | |
| US5412144A (en) | Organic materials with nonlinear optical properties | |
| Kimura et al. | Synthesis and nonlinear optical properties of aromatic esters with an electron donor and an electron acceptor end group | |
| JP2539849B2 (ja) | 非線形光学材料とそれを用いた非線形光学素子 | |
| JP2002258337A (ja) | 非線形光学材料用化合物及びそれを用いた非線形光学材料 | |
| DE4422333A1 (de) | Methin- und Azomethinfarbstoffe auf Basis von Naphthochinonen in der nichtlinearen Optik | |
| JPH0212228A (ja) | 非線形波長変換有機材料及びそれを用いた素子 | |
| JPH04233520A (ja) | 非線形光学材料 | |
| JPH0588220A (ja) | 有機非線形光学材料 | |
| JPH036536A (ja) | 有機非線形光学材料 | |
| JPH0611747A (ja) | 非線形光学材料およびこれを用いた非線形光学素子 | |
| JPH08119914A (ja) | シクロブテンジオン誘導体及びその製造方法並びにこれを用いた非線形光学素子 | |
| JPH036538A (ja) | 有機非線形光学材料とそれを用いた非線形光学素子 | |
| JPH01101522A (ja) | 非線形光学材料とそれを用いた非線形光学素子 | |
| JPH07225402A (ja) | 有機非線形光学材料及びそれを用いた光機能性素子 |