JPH08183635A - 炭化ケイ素膜付きガラス基板 - Google Patents
炭化ケイ素膜付きガラス基板Info
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- JPH08183635A JPH08183635A JP32779294A JP32779294A JPH08183635A JP H08183635 A JPH08183635 A JP H08183635A JP 32779294 A JP32779294 A JP 32779294A JP 32779294 A JP32779294 A JP 32779294A JP H08183635 A JPH08183635 A JP H08183635A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/282—Carbides, silicides
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクのアライメント精度やマスク転写パタ
ーンの寸法精度が向上したＸ線マスクもしくは位相シフ
トマスク、あるいは記録密度が向上した光磁気記録媒体
を作製するのに好適な炭化ケイ素膜付きガラス基板を提
供する。 【構成】 本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、ガ
ラス基板と、このガラス基板の片面上または両面上に設
けられた炭化ケイ素膜とを備え、前記炭化ケイ素膜にお
ける膜厚分布が式（ｔmax−ｔmin）／ｔave ≦０．０３
を満たし、屈折率分布が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦
０．０３を満たし、表面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満
たすことを特徴とする。
ーンの寸法精度が向上したＸ線マスクもしくは位相シフ
トマスク、あるいは記録密度が向上した光磁気記録媒体
を作製するのに好適な炭化ケイ素膜付きガラス基板を提
供する。 【構成】 本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、ガ
ラス基板と、このガラス基板の片面上または両面上に設
けられた炭化ケイ素膜とを備え、前記炭化ケイ素膜にお
ける膜厚分布が式（ｔmax−ｔmin）／ｔave ≦０．０３
を満たし、屈折率分布が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦
０．０３を満たし、表面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満
たすことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスクや位相シフ
トマスクの材料、あるいは透明導電膜付きガラスや光磁
気記録媒体用基板等として使用される炭化ケイ素膜付き
ガラス基板に関する。
トマスクの材料、あるいは透明導電膜付きガラスや光磁
気記録媒体用基板等として使用される炭化ケイ素膜付き
ガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素膜は耐熱性、耐食性、耐摩耗
性、耐放射線性等に優れており、電気的には半導性ない
し絶縁性を有する一方で適当な不純物を添加することに
より高い導電性を付与することもできる。このような特
性を有する炭化ケイ素膜は、現在、Ｘ線マスクのＸ線透
過膜や位相シフトマスクのシフタ膜、あるいはＴＦＴ用
の基板等における透明導電膜としての利用が図られてい
る他、光磁気記録媒体におけるカー回転効果用の誘電体
層としての利用も図られている。
性、耐放射線性等に優れており、電気的には半導性ない
し絶縁性を有する一方で適当な不純物を添加することに
より高い導電性を付与することもできる。このような特
性を有する炭化ケイ素膜は、現在、Ｘ線マスクのＸ線透
過膜や位相シフトマスクのシフタ膜、あるいはＴＦＴ用
の基板等における透明導電膜としての利用が図られてい
る他、光磁気記録媒体におけるカー回転効果用の誘電体
層としての利用も図られている。
【０００３】炭化ケイ素膜を上述の用途に使用する場合
には、先ず、所定の基板上に炭化ケイ素膜を設ける必要
がある。一般に、炭化ケイ素膜を基板上に成膜するにあ
たっては化学的気相堆積法（ＣＶＤ法）、分子線エピタ
キシー法（ＭＢＥ法）またはスパッタリング法が利用さ
れている。
には、先ず、所定の基板上に炭化ケイ素膜を設ける必要
がある。一般に、炭化ケイ素膜を基板上に成膜するにあ
たっては化学的気相堆積法（ＣＶＤ法）、分子線エピタ
キシー法（ＭＢＥ法）またはスパッタリング法が利用さ
れている。
【０００４】ＣＶＤ法により基板上に炭化ケイ素膜を成
膜する場合には、１種または複数種の原料ガスを反応室
内に供給し、熱やプラズマ等により前記の原料ガスを反
応させて、反応生成物である炭化ケイ素を基板表面に堆
積させる（例えば『Thin Solid Films（スィン ソリッ
ド フィルムズ）』第２２５号（１９９３年）第２３０
頁（H.Nagasawa et. al.）、特開昭６２−１３８３９８
号公報および特開平６−１２４９１０号公報参照）。こ
のとき、膜の組成、不純物の添加量等は原料ガスの供給
量や基板温度を調整することで制御される。
膜する場合には、１種または複数種の原料ガスを反応室
内に供給し、熱やプラズマ等により前記の原料ガスを反
応させて、反応生成物である炭化ケイ素を基板表面に堆
積させる（例えば『Thin Solid Films（スィン ソリッ
ド フィルムズ）』第２２５号（１９９３年）第２３０
頁（H.Nagasawa et. al.）、特開昭６２−１３８３９８
号公報および特開平６−１２４９１０号公報参照）。こ
のとき、膜の組成、不純物の添加量等は原料ガスの供給
量や基板温度を調整することで制御される。
【０００５】また、ＭＢＥ法により基板上に炭化ケイ素
膜を成膜する場合には、炭素源のガスおよびシリコン源
のガスをそれぞれ分子線にして基板表面に照射し、表面
反応により順次炭化ケイ素膜を成長させる（例えば『Jo
urnal of Crystal Growth（ジャーナル オブ クリス
タル グロース）』第９５号（１９８９年）第４６１頁
（T.Fuyuki et. al.）または『J.Appl.Phys（ジャーナ
ル オブ アプライドフィジクス）』第６８（１）号
（１９９０年７月１日）第１０１頁（S.Motoyama et. a
l.）参照）。
膜を成膜する場合には、炭素源のガスおよびシリコン源
のガスをそれぞれ分子線にして基板表面に照射し、表面
反応により順次炭化ケイ素膜を成長させる（例えば『Jo
urnal of Crystal Growth（ジャーナル オブ クリス
タル グロース）』第９５号（１９８９年）第４６１頁
（T.Fuyuki et. al.）または『J.Appl.Phys（ジャーナ
ル オブ アプライドフィジクス）』第６８（１）号
（１９９０年７月１日）第１０１頁（S.Motoyama et. a
l.）参照）。
【０００６】そして、スパッタリング法により基板上に
炭化ケイ素膜を成膜する場合には、ターゲットとしての
炭化ケイ素基板をプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、ターゲットに対向させて配置した基板表面にスパッ
タ原子を付着させて炭化ケイ素膜を得る（例えば『Thin
Solid Films（スィン ソリッド フィルムズ）』第６
３号（１９７９年）第２３７頁（Y.Hirohata et. al.）
参照）。
炭化ケイ素膜を成膜する場合には、ターゲットとしての
炭化ケイ素基板をプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、ターゲットに対向させて配置した基板表面にスパッ
タ原子を付着させて炭化ケイ素膜を得る（例えば『Thin
Solid Films（スィン ソリッド フィルムズ）』第６
３号（１９７９年）第２３７頁（Y.Hirohata et. al.）
参照）。
【０００７】ところで、結晶性が良好な炭化ケイ素膜を
基板上に成膜するためには、成膜方法に拘わらず、その
成膜時における基板温度を９００℃以上にすることが望
まれる。一方、炭化ケイ素膜をＸ線マスクのＸ線透過膜
や位相シフトマスクのシフタ膜として利用する場合に
は、目的とするＸ線マスクや位相シフトマスクを製造す
る過程での作業性等の点から、基板としてはガラス基板
を用いることが望まれる。また、炭化ケイ素膜をＴＦＴ
等用の透明導電膜として利用する場合にも、光透過性や
経済性等の点から、基板としてはガラス基板を用いるこ
とが望まれる。
基板上に成膜するためには、成膜方法に拘わらず、その
成膜時における基板温度を９００℃以上にすることが望
まれる。一方、炭化ケイ素膜をＸ線マスクのＸ線透過膜
や位相シフトマスクのシフタ膜として利用する場合に
は、目的とするＸ線マスクや位相シフトマスクを製造す
る過程での作業性等の点から、基板としてはガラス基板
を用いることが望まれる。また、炭化ケイ素膜をＴＦＴ
等用の透明導電膜として利用する場合にも、光透過性や
経済性等の点から、基板としてはガラス基板を用いるこ
とが望まれる。
【０００８】周知のように、シリカガラス以外のガラス
の軟化点は概ね９００℃未満であるので、このようなガ
ラス（以下、軟化点が９００℃未満のガラスを低融点ガ
ラスという）からなる基板上に結晶性が良好な炭化ケイ
素膜を成膜することはできない。シリカガラスからなる
基板を用いれば、この基板上に結晶性が良好な炭化ケイ
素膜を成膜することができるが、シリカガラスは高価で
ある。このため、より安価な低融点ガラス基板の片面上
または両面上に結晶性が良好な炭化ケイ素膜を設けるべ
く、シリコン基板のように耐熱温度が９００℃以上であ
る基板に結晶性が良好な炭化ケイ素膜を一旦成膜した
後、この基板（炭化ケイ素膜を成膜したもの）と低融点
ガラス基板とを炭化ケイ素膜を内側にして陽極接合し、
この後に基板（炭化ケイ素膜の成膜に用いた基板）をエ
ッチング除去することにより低融点ガラス基板上に炭化
ケイ素膜を設ける方法が開発されている（特開平４−２
８０８４０号公報参照）。
の軟化点は概ね９００℃未満であるので、このようなガ
ラス（以下、軟化点が９００℃未満のガラスを低融点ガ
ラスという）からなる基板上に結晶性が良好な炭化ケイ
素膜を成膜することはできない。シリカガラスからなる
基板を用いれば、この基板上に結晶性が良好な炭化ケイ
素膜を成膜することができるが、シリカガラスは高価で
ある。このため、より安価な低融点ガラス基板の片面上
または両面上に結晶性が良好な炭化ケイ素膜を設けるべ
く、シリコン基板のように耐熱温度が９００℃以上であ
る基板に結晶性が良好な炭化ケイ素膜を一旦成膜した
後、この基板（炭化ケイ素膜を成膜したもの）と低融点
ガラス基板とを炭化ケイ素膜を内側にして陽極接合し、
この後に基板（炭化ケイ素膜の成膜に用いた基板）をエ
ッチング除去することにより低融点ガラス基板上に炭化
ケイ素膜を設ける方法が開発されている（特開平４−２
８０８４０号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ガラ
ス基板の片面上または両面上に炭化ケイ素膜を成膜した
もの（以下、このものを炭化ケイ素膜付きガラス基板と
いう）は、Ｘ線マスクや位相シフトマスクの材料とし
て、あるいはＴＦＴ用の基板等の材料となる透明導電膜
付きガラスや光磁気記録媒体用基板等として有用であ
る。しかしながら、技術の発展に伴い、Ｘ線マスクや位
相シフトマスク等ではマスクのアライメント精度やマス
ク転写パターンの寸法精度の更なる向上が、また光磁気
記録媒体では記録密度の更なる向上がそれぞれ求められ
るようになってきており、このような要望を満たすＸ線
マスクや位相シフトマスク、あるいは光磁気記録媒体を
作製するのに好適な炭化ケイ素膜付きガラス基板は、未
だ開発されていない。
ス基板の片面上または両面上に炭化ケイ素膜を成膜した
もの（以下、このものを炭化ケイ素膜付きガラス基板と
いう）は、Ｘ線マスクや位相シフトマスクの材料とし
て、あるいはＴＦＴ用の基板等の材料となる透明導電膜
付きガラスや光磁気記録媒体用基板等として有用であ
る。しかしながら、技術の発展に伴い、Ｘ線マスクや位
相シフトマスク等ではマスクのアライメント精度やマス
ク転写パターンの寸法精度の更なる向上が、また光磁気
記録媒体では記録密度の更なる向上がそれぞれ求められ
るようになってきており、このような要望を満たすＸ線
マスクや位相シフトマスク、あるいは光磁気記録媒体を
作製するのに好適な炭化ケイ素膜付きガラス基板は、未
だ開発されていない。
【００１０】本発明の目的は、マスクのアライメント精
度やマスク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線マス
クもしくは位相シフトマスク、あるいは記録密度が向上
した光磁気記録媒体を作製するのに好適な炭化ケイ素膜
付きガラス基板を提供することにある。
度やマスク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線マス
クもしくは位相シフトマスク、あるいは記録密度が向上
した光磁気記録媒体を作製するのに好適な炭化ケイ素膜
付きガラス基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、ガラス基板と、
このガラス基板の片面上または両面上に設けられた炭化
ケイ素膜とを備え、前記炭化ケイ素膜における膜厚分布
が式（ｔmax−ｔmin）／ｔave ≦０．０３を満たし、屈
折率分布が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満
たし、表面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満たすことを特
徴とするものである。
発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、ガラス基板と、
このガラス基板の片面上または両面上に設けられた炭化
ケイ素膜とを備え、前記炭化ケイ素膜における膜厚分布
が式（ｔmax−ｔmin）／ｔave ≦０．０３を満たし、屈
折率分布が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満
たし、表面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満たすことを特
徴とするものである。
【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
炭化ケイ素膜付きガラス基板は、上述したようにガラス
基板と、このガラス基板の片面上または両面上に設けら
れた炭化ケイ素膜とを備えている。ここで、前記のガラ
ス基板としてはケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、
ホウ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガ
ラス、フツリン酸塩ガラス等、電荷移動可能なイオンを
含んでいる低融点ガラスからなるものが用いられるが、
その軟化点は概ね４００〜６００℃であることが好まし
い。ガラス基板の材料ガラスの軟化点が４００℃未満で
は、後述する方法により本発明の炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板を作製する際にガラス基板が変形しやすく、ガラ
ス基板の変形が起きた場合には目的とする炭化ケイ素膜
付きガラス基板を得ることが困難になる。また、軟化点
が６００℃を超えるガラスからなるガラス基板は、ガラ
ス中のイオン温度が低く、一般に後述の方法による接合
が困難となる。
炭化ケイ素膜付きガラス基板は、上述したようにガラス
基板と、このガラス基板の片面上または両面上に設けら
れた炭化ケイ素膜とを備えている。ここで、前記のガラ
ス基板としてはケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、
ホウ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガ
ラス、フツリン酸塩ガラス等、電荷移動可能なイオンを
含んでいる低融点ガラスからなるものが用いられるが、
その軟化点は概ね４００〜６００℃であることが好まし
い。ガラス基板の材料ガラスの軟化点が４００℃未満で
は、後述する方法により本発明の炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板を作製する際にガラス基板が変形しやすく、ガラ
ス基板の変形が起きた場合には目的とする炭化ケイ素膜
付きガラス基板を得ることが困難になる。また、軟化点
が６００℃を超えるガラスからなるガラス基板は、ガラ
ス中のイオン温度が低く、一般に後述の方法による接合
が困難となる。
【００１３】ガラス基板の厚さは特に限定されるもので
はなく、目的とする炭化ケイ素膜付きガラス基板の用途
等に応じて適宜選択可能である。例えば、Ｘ線マスクや
位相シフトマスクの材料としての炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板でのガラス基板の厚さは概ね１〜１０ｍｍの範囲
で選択可能であり、特に３〜５ｍｍが好ましい。また、
光磁気記録媒体用基板としての炭化ケイ素膜付きガラス
基板でのガラス基板の厚さは概ね０．５〜３ｍｍの範囲
で選択可能であり、特に０．８〜１．２ｍｍが好まし
い。そして、ＴＦＴ用の基板等の材料となる透明導電膜
付きガラスとしての炭化ケイ素膜付きガラス基板でのガ
ラス基板の厚さは概ね１〜１０ｍｍの範囲で選択可能で
あり、特に１〜５ｍｍが好ましい。
はなく、目的とする炭化ケイ素膜付きガラス基板の用途
等に応じて適宜選択可能である。例えば、Ｘ線マスクや
位相シフトマスクの材料としての炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板でのガラス基板の厚さは概ね１〜１０ｍｍの範囲
で選択可能であり、特に３〜５ｍｍが好ましい。また、
光磁気記録媒体用基板としての炭化ケイ素膜付きガラス
基板でのガラス基板の厚さは概ね０．５〜３ｍｍの範囲
で選択可能であり、特に０．８〜１．２ｍｍが好まし
い。そして、ＴＦＴ用の基板等の材料となる透明導電膜
付きガラスとしての炭化ケイ素膜付きガラス基板でのガ
ラス基板の厚さは概ね１〜１０ｍｍの範囲で選択可能で
あり、特に１〜５ｍｍが好ましい。
【００１４】本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板で
は、上記のガラス基板の片面上または両面上に炭化ケイ
素膜が設けられているわけであるが、この炭化ケイ素膜
は化学量論比の炭化ケイ素からなるものが好ましいが、
導電性を向上させるためにＢ，Ｐ，Ａｌ，Ｎ等の不純物
（ドーパント）を１０14〜１０20／ｃｍ3 含有させたも
のであってもよい。本発明では、これらのものを総称し
て炭化ケイ素という。炭化ケイ素膜の組成は、目的とす
る炭化ケイ素膜付きガラス基板の用途等に応じて適宜変
更可能である。また、炭化ケイ素膜は多結晶の炭化ケイ
素からなっていてもよいし、単結晶の炭化ケイ素からな
っていてもよいが、目的とする炭化ケイ素膜付きガラス
基板がＴＦＴ用の基板として用いられる場合には、移動
度の向上等の点から単結晶の炭化ケイ素からなっている
方が好ましい。
は、上記のガラス基板の片面上または両面上に炭化ケイ
素膜が設けられているわけであるが、この炭化ケイ素膜
は化学量論比の炭化ケイ素からなるものが好ましいが、
導電性を向上させるためにＢ，Ｐ，Ａｌ，Ｎ等の不純物
（ドーパント）を１０14〜１０20／ｃｍ3 含有させたも
のであってもよい。本発明では、これらのものを総称し
て炭化ケイ素という。炭化ケイ素膜の組成は、目的とす
る炭化ケイ素膜付きガラス基板の用途等に応じて適宜変
更可能である。また、炭化ケイ素膜は多結晶の炭化ケイ
素からなっていてもよいし、単結晶の炭化ケイ素からな
っていてもよいが、目的とする炭化ケイ素膜付きガラス
基板がＴＦＴ用の基板として用いられる場合には、移動
度の向上等の点から単結晶の炭化ケイ素からなっている
方が好ましい。
【００１５】上記の炭化ケイ素膜の膜厚は目的とする炭
化ケイ素膜付きガラス基板の用途等に応じて適宜選択可
能である。例えば、Ｘ線マスクの材料としての炭化ケイ
素膜付きガラス基板での炭化ケイ素膜の膜厚は概ね
０．５〜５．０μｍの範囲で選択可能であり、特に１．
０〜２．０μｍが好ましい。また、位相シフトマスクの
材料としての炭化ケイ素膜付きガラス基板での炭化ケイ
素膜の膜厚は概ね０．１〜１．０μｍの範囲で選択可能
であり、特に０．１〜０．５μｍが好ましい。光磁気記
録媒体用基板としての炭化ケイ素膜付きガラス基板での
炭化ケイ素膜の膜厚は概ね０．１〜１．０μｍの範囲で
選択可能であり、特に０．１〜０．３μｍが好ましい。
そして、ＴＦＴ用の基板等の材料となる透明導電膜付き
ガラスとしての炭化ケイ素膜付きガラス基板での炭化ケ
イ素膜の膜厚は概ね０．１〜１０μｍの範囲で選択可能
であり、特に１〜５μｍが好ましい。炭化ケイ素膜付き
ガラス基板がＸ線マスク用のものである場合には、波長
６３３ｎｍの光についての光透過率が７０％以上となる
ように炭化ケイ素膜の膜厚を適宜選択することが好まし
く、特に、前記の光透過率が７０〜８０％となるように
炭化ケイ素膜の膜厚を選択することが好ましい。
化ケイ素膜付きガラス基板の用途等に応じて適宜選択可
能である。例えば、Ｘ線マスクの材料としての炭化ケイ
素膜付きガラス基板での炭化ケイ素膜の膜厚は概ね
０．５〜５．０μｍの範囲で選択可能であり、特に１．
０〜２．０μｍが好ましい。また、位相シフトマスクの
材料としての炭化ケイ素膜付きガラス基板での炭化ケイ
素膜の膜厚は概ね０．１〜１．０μｍの範囲で選択可能
であり、特に０．１〜０．５μｍが好ましい。光磁気記
録媒体用基板としての炭化ケイ素膜付きガラス基板での
炭化ケイ素膜の膜厚は概ね０．１〜１．０μｍの範囲で
選択可能であり、特に０．１〜０．３μｍが好ましい。
そして、ＴＦＴ用の基板等の材料となる透明導電膜付き
ガラスとしての炭化ケイ素膜付きガラス基板での炭化ケ
イ素膜の膜厚は概ね０．１〜１０μｍの範囲で選択可能
であり、特に１〜５μｍが好ましい。炭化ケイ素膜付き
ガラス基板がＸ線マスク用のものである場合には、波長
６３３ｎｍの光についての光透過率が７０％以上となる
ように炭化ケイ素膜の膜厚を適宜選択することが好まし
く、特に、前記の光透過率が７０〜８０％となるように
炭化ケイ素膜の膜厚を選択することが好ましい。
【００１６】本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板にお
いては、炭化ケイ素膜の膜厚は上述したようにその用途
等に応じて適宜選択可能であるが、前述したように、当
該炭化ケイ素膜はその膜厚分布が式（ｔmax−ｔmin）／
ｔave ≦０．０３を満たし、屈折率分布が式（ｎmax−
ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満たし、表面粗さＲａが
式Ｒａ≦３ｎｍを満たすものに限定される。ここで、前
記のｔmax は任意の複数箇所で測定した膜厚の最大値を
示し、前記のｔmin は前記任意の複数箇所で測定した膜
厚の最小値を示し、前記のｔave は前記任意の複数箇所
で測定した膜厚の平均値を意味する。また、前記のｎ
max は任意の複数箇所で測定した屈折率の最大値を示
し、前記のｎmin は前記任意の複数箇所で測定した屈折
率の最小値を示し、前記のｎave は前記任意の複数箇所
で測定した屈折率の平均値を意味する。そして、前記の
表面粗さＲａは膜の中心線粗さを意味する。
いては、炭化ケイ素膜の膜厚は上述したようにその用途
等に応じて適宜選択可能であるが、前述したように、当
該炭化ケイ素膜はその膜厚分布が式（ｔmax−ｔmin）／
ｔave ≦０．０３を満たし、屈折率分布が式（ｎmax−
ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満たし、表面粗さＲａが
式Ｒａ≦３ｎｍを満たすものに限定される。ここで、前
記のｔmax は任意の複数箇所で測定した膜厚の最大値を
示し、前記のｔmin は前記任意の複数箇所で測定した膜
厚の最小値を示し、前記のｔave は前記任意の複数箇所
で測定した膜厚の平均値を意味する。また、前記のｎ
max は任意の複数箇所で測定した屈折率の最大値を示
し、前記のｎmin は前記任意の複数箇所で測定した屈折
率の最小値を示し、前記のｎave は前記任意の複数箇所
で測定した屈折率の平均値を意味する。そして、前記の
表面粗さＲａは膜の中心線粗さを意味する。
【００１７】炭化ケイ素膜を上記のものに限定する理由
は、炭化ケイ素膜が上記の限定範囲外である炭化ケイ素
膜付きガラス基板では特定波長（例えばエキシマレーザ
光（ＫｒＦ，ＡｒＦ）の波長１〜１０オングストロー
ム，Ｈｅ−Ｎｅレーザ光等の波長６３３ｎｍ，Ｈｇのｉ
線やｇ線等）の電磁波（光およびＸ線）についての透過
率および反射率を精密に制御することが困難であり、そ
の結果として当該炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いて
マスクのアライメント精度やマスク転写パターンの寸法
精度が向上したＸ線マスクや位相シフトマスクを作製す
ることが困難になるからである。また、同時に、記録密
度が向上した光磁気記録媒体を作製することが困難にな
るからである。
は、炭化ケイ素膜が上記の限定範囲外である炭化ケイ素
膜付きガラス基板では特定波長（例えばエキシマレーザ
光（ＫｒＦ，ＡｒＦ）の波長１〜１０オングストロー
ム，Ｈｅ−Ｎｅレーザ光等の波長６３３ｎｍ，Ｈｇのｉ
線やｇ線等）の電磁波（光およびＸ線）についての透過
率および反射率を精密に制御することが困難であり、そ
の結果として当該炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いて
マスクのアライメント精度やマスク転写パターンの寸法
精度が向上したＸ線マスクや位相シフトマスクを作製す
ることが困難になるからである。また、同時に、記録密
度が向上した光磁気記録媒体を作製することが困難にな
るからである。
【００１８】炭化ケイ素膜における膜厚分布は０〜０．
０３であることが好ましく、特に０〜０．０１であるこ
とが好ましい。また、屈折率分布は０〜０．０３である
ことが好ましく、特に０〜０．０１であることが好まし
い。そして、表面粗さＲａは０〜３ｎｍであることが好
ましく、特に０〜１ｎｍであることが好ましい。
０３であることが好ましく、特に０〜０．０１であるこ
とが好ましい。また、屈折率分布は０〜０．０３である
ことが好ましく、特に０〜０．０１であることが好まし
い。そして、表面粗さＲａは０〜３ｎｍであることが好
ましく、特に０〜１ｎｍであることが好ましい。
【００１９】膜厚分布、屈折率分布および表面粗さＲａ
がそれぞれ前記の式を満たす炭化ケイ素膜を備えた本発
明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、炭化ケイ素膜の膜
厚を所定の厚さにすることにより、マスクのアライメン
ト精度やマスク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線
マスクもしくは位相シフトマスクを作製するための材料
として好適なものになる。そして、本発明の炭化ケイ素
膜付きガラス基板から作製したＸ線マスクや位相シフト
マスクは、転写パターンの微細化を実現するうえでも有
用である。また、本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板
は、炭化ケイ素膜の膜厚を所定の厚さにすることによ
り、記録密度が向上した光磁気記録媒体を作製するため
の光磁気記録媒体用基板として好適なものになる。さら
に、本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板はＴＦＴ用の
基板等の材料となる透明導電膜（半導体膜）付きガラス
として、あるは保護膜付きガラスとしても好適である。
がそれぞれ前記の式を満たす炭化ケイ素膜を備えた本発
明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、炭化ケイ素膜の膜
厚を所定の厚さにすることにより、マスクのアライメン
ト精度やマスク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線
マスクもしくは位相シフトマスクを作製するための材料
として好適なものになる。そして、本発明の炭化ケイ素
膜付きガラス基板から作製したＸ線マスクや位相シフト
マスクは、転写パターンの微細化を実現するうえでも有
用である。また、本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板
は、炭化ケイ素膜の膜厚を所定の厚さにすることによ
り、記録密度が向上した光磁気記録媒体を作製するため
の光磁気記録媒体用基板として好適なものになる。さら
に、本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板はＴＦＴ用の
基板等の材料となる透明導電膜（半導体膜）付きガラス
として、あるは保護膜付きガラスとしても好適である。
【００２０】上述した利点を有する本発明の炭化ケイ素
膜付き基板は、例えば以下に述べる方法により製造する
ことができる。先ず、耐熱温度が１４００℃以上で表面
の格子定数が４．５オングストローム±５％以内である
基板、例えばケイ素、酸化マグネシウム、炭化チタンま
たは炭化ケイ素からなる基板の表面にＣＶＤ法、ＭＢＥ
法またはスパッタリング法により所望の膜厚および結晶
性（多結晶または単結晶）の炭化ケイ素膜を成膜する。
このとき、炭化ケイ素膜成膜時の基板温度は９００〜１
４００℃とする。基板温度を９００℃未満にして成膜し
た場合には、得られる炭化ケイ素膜の結晶性、膜厚分
布、屈折率分布が悪化しすぎる。一方、基板温度を１４
００℃より高くして成膜した場合には熱による基板のダ
メージが著しくなり、基板表面に堆積される炭化ケイ素
の結晶化も悪化しすぎる。また、炭化ケイ素膜の成膜工
程中に炭化ケイ素層に対してＢ，Ｐ，Ａｌ，Ｎ等の不純
物（ドーパント）を添加して導電性を向上させてもよい
（例えば『J.Electroche.Soc（ジャーナル オブ エレ
クトロケミカル ソサエティー）』第１３５号（１９８
８）第１２５５頁（Y.Furumuraet. al.）参照）。さら
には、炭化ケイ素膜の成膜後に前述した不純物（ドーパ
ント）を添加して導電性を向上させてもよい（例えば
『IEEE Electron Device Letters 』第１３号Ｎｏ．１
２（１９９２年１２月）第６３９頁（Mario Ghezzoet.
al.）参照）。
膜付き基板は、例えば以下に述べる方法により製造する
ことができる。先ず、耐熱温度が１４００℃以上で表面
の格子定数が４．５オングストローム±５％以内である
基板、例えばケイ素、酸化マグネシウム、炭化チタンま
たは炭化ケイ素からなる基板の表面にＣＶＤ法、ＭＢＥ
法またはスパッタリング法により所望の膜厚および結晶
性（多結晶または単結晶）の炭化ケイ素膜を成膜する。
このとき、炭化ケイ素膜成膜時の基板温度は９００〜１
４００℃とする。基板温度を９００℃未満にして成膜し
た場合には、得られる炭化ケイ素膜の結晶性、膜厚分
布、屈折率分布が悪化しすぎる。一方、基板温度を１４
００℃より高くして成膜した場合には熱による基板のダ
メージが著しくなり、基板表面に堆積される炭化ケイ素
の結晶化も悪化しすぎる。また、炭化ケイ素膜の成膜工
程中に炭化ケイ素層に対してＢ，Ｐ，Ａｌ，Ｎ等の不純
物（ドーパント）を添加して導電性を向上させてもよい
（例えば『J.Electroche.Soc（ジャーナル オブ エレ
クトロケミカル ソサエティー）』第１３５号（１９８
８）第１２５５頁（Y.Furumuraet. al.）参照）。さら
には、炭化ケイ素膜の成膜後に前述した不純物（ドーパ
ント）を添加して導電性を向上させてもよい（例えば
『IEEE Electron Device Letters 』第１３号Ｎｏ．１
２（１９９２年１２月）第６３９頁（Mario Ghezzoet.
al.）参照）。
【００２１】また、ここで述べる方法により得られる炭
化ケイ素膜付きガラス基板では、上記の成膜時において
基板との界面であった側の炭化ケイ素膜面が炭化ケイ素
膜付きガラス基板における炭化ケイ素膜表面となるの
で、最終的に得られる炭化ケイ素膜付きガラス基板にお
ける炭化ケイ素膜の表面粗さＲａが３ｎｍ以下のものを
得るうえからは、上記の成膜時に使用する基板の表面粗
さも３ｎｍ以下とすることが好ましい。さらに、膜厚分
布および屈折率分布が良好な炭化ケイ素膜を得るうえか
らは、ケイ素源ガスと炭素源ガスとを交互に反応室に供
給して炭化ケイ素膜を成膜するタイプのＣＶＤ法により
炭化ケイ素膜を成膜することが特に好ましい。なお、ケ
イ素からなる基板の表面にＣＶＤ法により炭化ケイ素の
単結晶膜を成膜する場合には、炭化ケイ素膜の成膜に先
立って前記の基板の表面を予め炭化して炭化層（炭化ケ
イ素層）に改質することが好ましい。この場合、最終的
に得られる炭化ケイ素膜付きガラス基板における炭化ケ
イ素膜表面は前記の炭化層（炭化ケイ素層）となる。
化ケイ素膜付きガラス基板では、上記の成膜時において
基板との界面であった側の炭化ケイ素膜面が炭化ケイ素
膜付きガラス基板における炭化ケイ素膜表面となるの
で、最終的に得られる炭化ケイ素膜付きガラス基板にお
ける炭化ケイ素膜の表面粗さＲａが３ｎｍ以下のものを
得るうえからは、上記の成膜時に使用する基板の表面粗
さも３ｎｍ以下とすることが好ましい。さらに、膜厚分
布および屈折率分布が良好な炭化ケイ素膜を得るうえか
らは、ケイ素源ガスと炭素源ガスとを交互に反応室に供
給して炭化ケイ素膜を成膜するタイプのＣＶＤ法により
炭化ケイ素膜を成膜することが特に好ましい。なお、ケ
イ素からなる基板の表面にＣＶＤ法により炭化ケイ素の
単結晶膜を成膜する場合には、炭化ケイ素膜の成膜に先
立って前記の基板の表面を予め炭化して炭化層（炭化ケ
イ素層）に改質することが好ましい。この場合、最終的
に得られる炭化ケイ素膜付きガラス基板における炭化ケ
イ素膜表面は前記の炭化層（炭化ケイ素層）となる。
【００２２】次に、上述のようにして炭化ケイ素膜を成
膜した後の基板と所望のガラス基板とを炭化ケイ素膜を
内側にして陽極接合する。このときの接合条件は、雰囲
気圧常圧〜１０-6Ｐａ、接合温度室温〜３７０℃、印加
電圧１００〜１０００Ｖ、荷重１００〜２０００ｇ／ｃ
ｍ2、接合時間１〜３００分とすることが好ましい。陽
極接合を行うことにより、高い密着性を有する接合界面
が得られる。また、陽極接合法によれば接合温度が前記
のように低いことから、ガラス基板が熱的要因により歪
むことを抑制することが可能となり、前記の歪みを抑制
することにより最終的に得られる炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板における炭化ケイ素膜の平坦性や光学的性質の均
一性が向上する。特に好ましい陽極接合条件は雰囲気圧
常圧〜１０-6Ｐａ、接合温度２００〜３００℃、印加電
圧５００〜１０００Ｖ、荷重５００〜１０００ｇ／ｃｍ
2、接合時間５〜１０分である。なお、ＣＶＤ法により
基板に炭化ケイ素膜を成膜した場合には基板の両面に炭
化ケイ素膜が成膜されるので、陽極接合の前または後
に、不要の炭化ケイ素膜をリアクティブイオンエッチン
グ法（以下、リアクティブイオンエッチングをＲＩＥと
略記する）等により除去するか、または、基板の片面に
マスクを付けて炭化ケイ素膜の成膜を行う。
膜した後の基板と所望のガラス基板とを炭化ケイ素膜を
内側にして陽極接合する。このときの接合条件は、雰囲
気圧常圧〜１０-6Ｐａ、接合温度室温〜３７０℃、印加
電圧１００〜１０００Ｖ、荷重１００〜２０００ｇ／ｃ
ｍ2、接合時間１〜３００分とすることが好ましい。陽
極接合を行うことにより、高い密着性を有する接合界面
が得られる。また、陽極接合法によれば接合温度が前記
のように低いことから、ガラス基板が熱的要因により歪
むことを抑制することが可能となり、前記の歪みを抑制
することにより最終的に得られる炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板における炭化ケイ素膜の平坦性や光学的性質の均
一性が向上する。特に好ましい陽極接合条件は雰囲気圧
常圧〜１０-6Ｐａ、接合温度２００〜３００℃、印加電
圧５００〜１０００Ｖ、荷重５００〜１０００ｇ／ｃｍ
2、接合時間５〜１０分である。なお、ＣＶＤ法により
基板に炭化ケイ素膜を成膜した場合には基板の両面に炭
化ケイ素膜が成膜されるので、陽極接合の前または後
に、不要の炭化ケイ素膜をリアクティブイオンエッチン
グ法（以下、リアクティブイオンエッチングをＲＩＥと
略記する）等により除去するか、または、基板の片面に
マスクを付けて炭化ケイ素膜の成膜を行う。
【００２３】この後、炭化ケイ素膜の成膜時に使用した
基板を研磨やエッチングによって除去することにより、
目的とする炭化ケイ素膜付きガラス基板を得ることがで
きる。このときのエッチングは、基板のみを選択的に除
去できるもであればウェットエッチングであってもドラ
イエッチングであってもよく、エッチャントの種類は除
去しようとする基板の材質に応じて適宜選択される。
基板を研磨やエッチングによって除去することにより、
目的とする炭化ケイ素膜付きガラス基板を得ることがで
きる。このときのエッチングは、基板のみを選択的に除
去できるもであればウェットエッチングであってもドラ
イエッチングであってもよく、エッチャントの種類は除
去しようとする基板の材質に応じて適宜選択される。
【００２４】また、上述した方法により得ることができ
る本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いてのＸ線
マスクの作製は、例えば次のようにして行うことができ
る。まず、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた炭化ケイ素
膜付きガラス基板を上述した方法により得、この炭化ケ
イ素膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素膜の表
面にスパッタリング等の方法によりタンタル、タングス
テン等の重金属からなる所定膜厚のＸ線吸収膜を成膜し
た後に当該Ｘ線吸収膜を所定形状にパターニングする。
次に、ガラス基板の中央部をエッチング除去することに
より当該ガラス基板を所定形状のガラスフレームに成形
する。これによりＸ線マスクが得られる。
る本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いてのＸ線
マスクの作製は、例えば次のようにして行うことができ
る。まず、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた炭化ケイ素
膜付きガラス基板を上述した方法により得、この炭化ケ
イ素膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素膜の表
面にスパッタリング等の方法によりタンタル、タングス
テン等の重金属からなる所定膜厚のＸ線吸収膜を成膜し
た後に当該Ｘ線吸収膜を所定形状にパターニングする。
次に、ガラス基板の中央部をエッチング除去することに
より当該ガラス基板を所定形状のガラスフレームに成形
する。これによりＸ線マスクが得られる。
【００２５】または、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた
炭化ケイ素膜付きガラス基板を上述した方法により得、
この炭化ケイ素膜付きガラス基板を構成しているガラス
基板の中央部をエッチング除去することにより当該ガラ
ス基板を所定形状のガラスフレームに成形する。この
後、炭化ケイ素膜の所望面上に前述のようにしてＸ線吸
収膜を成膜し、さらにそのパターンニングを行う。これ
によりＸ線マスクが得られる。
炭化ケイ素膜付きガラス基板を上述した方法により得、
この炭化ケイ素膜付きガラス基板を構成しているガラス
基板の中央部をエッチング除去することにより当該ガラ
ス基板を所定形状のガラスフレームに成形する。この
後、炭化ケイ素膜の所望面上に前述のようにしてＸ線吸
収膜を成膜し、さらにそのパターンニングを行う。これ
によりＸ線マスクが得られる。
【００２６】さらには、前述した方法により炭化ケイ素
膜付きガラス基板を得る際のガラス基板として所定形状
のガラスフレームを用い、かつ、炭化ケイ素膜を成膜す
る基板として前記のガラスフレームの内寸より大きい外
寸を有する基板を用い、他は前述した方法に従って炭化
ケイ素膜付きガラス基板を得る。このようにして得られ
る炭化ケイ素膜付きガラス基板は、ガラスフレームの内
寸より大きい外寸を有する炭化ケイ素膜を当該炭化ケイ
素膜の一方の面からガラスフレームによって支持したも
のである。この後、炭化ケイ素膜の所望面上に前述のよ
うにしてＸ線吸収膜を成膜し、さらにそのパターンニン
グを行う。これによりＸ線マスクが得られる。
膜付きガラス基板を得る際のガラス基板として所定形状
のガラスフレームを用い、かつ、炭化ケイ素膜を成膜す
る基板として前記のガラスフレームの内寸より大きい外
寸を有する基板を用い、他は前述した方法に従って炭化
ケイ素膜付きガラス基板を得る。このようにして得られ
る炭化ケイ素膜付きガラス基板は、ガラスフレームの内
寸より大きい外寸を有する炭化ケイ素膜を当該炭化ケイ
素膜の一方の面からガラスフレームによって支持したも
のである。この後、炭化ケイ素膜の所望面上に前述のよ
うにしてＸ線吸収膜を成膜し、さらにそのパターンニン
グを行う。これによりＸ線マスクが得られる。
【００２７】また、前述した方法により得ることができ
る本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いての位相
シフトマスクの作製は、例えば次のようにして行うこと
ができる。まず、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた炭化
ケイ素膜付きガラス基板を前述した方法により得、この
炭化ケイ素膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素
膜を必要に応じてＲＩＥ等の方法により所望形状にパタ
ーニングする。次に、炭化ケイ素膜上にフォトリソグラ
フィ法によりクロム、タングステン、モリブデン等から
なる所望パターンの遮光膜を形成する。これにより位相
シフトマスクが得られる。
る本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いての位相
シフトマスクの作製は、例えば次のようにして行うこと
ができる。まず、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた炭化
ケイ素膜付きガラス基板を前述した方法により得、この
炭化ケイ素膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素
膜を必要に応じてＲＩＥ等の方法により所望形状にパタ
ーニングする。次に、炭化ケイ素膜上にフォトリソグラ
フィ法によりクロム、タングステン、モリブデン等から
なる所望パターンの遮光膜を形成する。これにより位相
シフトマスクが得られる。
【００２８】また、前述した方法により得ることができ
る本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いての光磁
気記録媒体の作製は、例えば次のようにして行うことが
できる。まず、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた炭化ケ
イ素膜付きガラス基板を前述した方法により得る。光磁
気記録媒体を作製する場合、前記の炭化ケイ素膜付きガ
ラス基板がそのまま、または、必要に応じてこの炭化ケ
イ素膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素膜の上
にＳｉ3Ｎ4 等からなる所定膜厚の誘電体層を形成した
ものが光磁気記録媒体用基板となる。この後、前記の炭
化ケイ素膜上（炭化ケイ素膜上に更に誘電体層を形成し
た場合にはこの誘電体層上）にＦｅ，Ｃｏ等の磁性体か
らなる記録層（垂直磁気記録層）をスパッタリング法等
により形成し、この記録層の上に必要に応じてＺｎＳ，
ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ｙ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＯＮ，ＳｉＯ2，ＳｉＮ3 等からなる保護層を形
成する。これにより光磁気記録媒体が得られる。
る本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板を用いての光磁
気記録媒体の作製は、例えば次のようにして行うことが
できる。まず、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備えた炭化ケ
イ素膜付きガラス基板を前述した方法により得る。光磁
気記録媒体を作製する場合、前記の炭化ケイ素膜付きガ
ラス基板がそのまま、または、必要に応じてこの炭化ケ
イ素膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素膜の上
にＳｉ3Ｎ4 等からなる所定膜厚の誘電体層を形成した
ものが光磁気記録媒体用基板となる。この後、前記の炭
化ケイ素膜上（炭化ケイ素膜上に更に誘電体層を形成し
た場合にはこの誘電体層上）にＦｅ，Ｃｏ等の磁性体か
らなる記録層（垂直磁気記録層）をスパッタリング法等
により形成し、この記録層の上に必要に応じてＺｎＳ，
ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ｙ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＯＮ，ＳｉＯ2，ＳｉＮ3 等からなる保護層を形
成する。これにより光磁気記録媒体が得られる。
【００２９】そして、ＴＦＴ用の基板等の材料としての
透明導電膜付きガラスは、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備
えた炭化ケイ素膜付きガラス基板を前述した方法により
得ることにより、または、必要に応じてこの炭化ケイ素
膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素膜をＲＩＥ
法等により所定形状にパターニングすることにより、得
ることができる。
透明導電膜付きガラスは、所定膜厚の炭化ケイ素膜を備
えた炭化ケイ素膜付きガラス基板を前述した方法により
得ることにより、または、必要に応じてこの炭化ケイ素
膜付きガラス基板を構成している炭化ケイ素膜をＲＩＥ
法等により所定形状にパターニングすることにより、得
ることができる。
【００３０】
【作用】本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、これ
を構成している炭化ケイ素膜における膜厚分布が式（ｔ
max−ｔmin）／ｔave ≦０．０３を満たし、屈折率分布
が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満たし、表
面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満たすことから、特定波
長の電磁波（光およびＸ線）についての透過率および反
射率を精密に制御することができる。したがって、本発
明の炭化ケイ素膜付きガラス基板はマスクのアライメン
ト精度やマスク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線
マスクもしくは位相シフトマスクを作製するための材料
として好適であり、歩留りも向上する。さらに、本発明
の炭化ケイ素膜付きガラス基板はＸ線マスクや位相シフ
トマスクの転写パターンの微細化を実現するうえでも有
用な材料である。
を構成している炭化ケイ素膜における膜厚分布が式（ｔ
max−ｔmin）／ｔave ≦０．０３を満たし、屈折率分布
が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満たし、表
面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満たすことから、特定波
長の電磁波（光およびＸ線）についての透過率および反
射率を精密に制御することができる。したがって、本発
明の炭化ケイ素膜付きガラス基板はマスクのアライメン
ト精度やマスク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線
マスクもしくは位相シフトマスクを作製するための材料
として好適であり、歩留りも向上する。さらに、本発明
の炭化ケイ素膜付きガラス基板はＸ線マスクや位相シフ
トマスクの転写パターンの微細化を実現するうえでも有
用な材料である。
【００３１】また、前記３つの式を満たす炭化ケイ素膜
を備えた本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、炭化
ケイ素膜の形状的均一性および光学的均一性が高いこと
から、当該炭化ケイ素膜によって高いカー回転効果を得
ることができる。したがって、本発明の炭化ケイ素膜付
きガラス基板は記録密度が向上した光磁気記録媒体を作
製するための材料としても好適であり、歩留りも向上す
る。
を備えた本発明の炭化ケイ素膜付きガラス基板は、炭化
ケイ素膜の形状的均一性および光学的均一性が高いこと
から、当該炭化ケイ素膜によって高いカー回転効果を得
ることができる。したがって、本発明の炭化ケイ素膜付
きガラス基板は記録密度が向上した光磁気記録媒体を作
製するための材料としても好適であり、歩留りも向上す
る。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。 実施例１ 先ず、炭化ケイ素膜を成膜するための基板として単結晶
シリコン基板（主表面は（１００）面，主表面の表面粗
さＲａ０．５ｎｍ）を用い、ホットウォールタイプのＣ
ＶＤ装置により炭化ケイ素膜の成膜を行って、図１
（ａ）に模式的に示すように前記の単結晶シリコン基板
１の表て面（成膜時において原料ガスの供給口側に位置
させた面）および裏面にそれぞれ膜厚１．２μｍの炭化
ケイ素膜２ａ，２ｂを成膜した。これらの炭化ケイ素膜
２ａ，２ｂは立方晶の炭化ケイ素からなる多結晶膜であ
り、その組成は化学量論比の炭化ケイ素である。なお、
炭化ケイ素膜２ａ，２ｂの成膜にあたっては原料ガスと
してＳｉＨ2Ｃｌ2 ガスおよびＣ2Ｈ2ガスを用い、これ
らのガスはＣＶＤ装置の反応炉に同時に供給した。他の
成膜条件は次の通りである。
る。 実施例１ 先ず、炭化ケイ素膜を成膜するための基板として単結晶
シリコン基板（主表面は（１００）面，主表面の表面粗
さＲａ０．５ｎｍ）を用い、ホットウォールタイプのＣ
ＶＤ装置により炭化ケイ素膜の成膜を行って、図１
（ａ）に模式的に示すように前記の単結晶シリコン基板
１の表て面（成膜時において原料ガスの供給口側に位置
させた面）および裏面にそれぞれ膜厚１．２μｍの炭化
ケイ素膜２ａ，２ｂを成膜した。これらの炭化ケイ素膜
２ａ，２ｂは立方晶の炭化ケイ素からなる多結晶膜であ
り、その組成は化学量論比の炭化ケイ素である。なお、
炭化ケイ素膜２ａ，２ｂの成膜にあたっては原料ガスと
してＳｉＨ2Ｃｌ2 ガスおよびＣ2Ｈ2ガスを用い、これ
らのガスはＣＶＤ装置の反応炉に同時に供給した。他の
成膜条件は次の通りである。
【００３３】基板温度：９００℃ ＳｉＨ2Ｃｌ2 ガス流量：１００ｓｃｃｍ Ｃ2Ｈ2 ガス流量：１５ｓｃｃｍ 反応炉内圧力：１０．６Ｐａ（８０ｍＴｏｒｒ） 膜堆積時間：１０８分
【００３４】次に、単結晶シリコン基板１の裏面に成膜
された炭化ケイ素膜２ｂをＲＩＥ法により除去して、図
１（ｂ）に模式的に示すように一主表面（表て面）にの
み炭化ケイ素膜２ａが設けられている単結晶シリコン基
板１ａを得た。このときのエッチングガスとしてはＣＦ
4 ガスとＯ2 ガスを用い、ＲＩＥ条件は次の通りとし
た。
された炭化ケイ素膜２ｂをＲＩＥ法により除去して、図
１（ｂ）に模式的に示すように一主表面（表て面）にの
み炭化ケイ素膜２ａが設けられている単結晶シリコン基
板１ａを得た。このときのエッチングガスとしてはＣＦ
4 ガスとＯ2 ガスを用い、ＲＩＥ条件は次の通りとし
た。
【００３５】ＣＦ4 ガス流量：４０ｃｃ／分 Ｏ2 ガス流量：１０ｃｃ／分 ｒｆ電力：３００Ｗ 圧力（雰囲気圧）：５Ｐａ エッチング速度：４６．７ｎｍ／分
【００３６】次いで、ガラス基板としてパイレックスガ
ラス（コーニング社製，「パイレックス」は同社の商品
名）を用い、図１（ｃ）に模式的に示すように上記の単
結晶シリコン基板１ａと前記のガラス基板３とを炭化ケ
イ素膜２ａが内側に位置するようにして当接させ、この
状態で陽極接合を行った。陽極接合の条件は次の通りで
ある。
ラス（コーニング社製，「パイレックス」は同社の商品
名）を用い、図１（ｃ）に模式的に示すように上記の単
結晶シリコン基板１ａと前記のガラス基板３とを炭化ケ
イ素膜２ａが内側に位置するようにして当接させ、この
状態で陽極接合を行った。陽極接合の条件は次の通りで
ある。
【００３７】接合温度：３００℃ 印加電圧：１０００Ｖ 荷重：８５０ｇ／ｃｍ2 接合時間：１０分 雰囲気圧：常圧
【００３８】この後、７０ｃｃのフッ化水素酸（５０％
ＨＦ）と３０ｃｃの６３％硝酸との混酸中で前記の単結
晶シリコン基板１を全て除去して、図１（ｄ）に模式的
に示すようにガラス基板３と当該ガラス基板３の片面に
陽極接合によって設けられた炭化ケイ素膜２ａとからな
る炭化ケイ素膜付きガラス基板４を得た。このようにし
て得られた炭化ケイ素膜付きガラス基板４では、ガラス
基板３が３００℃を超える熱工程を経ていないことか
ら、熱処理に起因する歪みは観測されない。
ＨＦ）と３０ｃｃの６３％硝酸との混酸中で前記の単結
晶シリコン基板１を全て除去して、図１（ｄ）に模式的
に示すようにガラス基板３と当該ガラス基板３の片面に
陽極接合によって設けられた炭化ケイ素膜２ａとからな
る炭化ケイ素膜付きガラス基板４を得た。このようにし
て得られた炭化ケイ素膜付きガラス基板４では、ガラス
基板３が３００℃を超える熱工程を経ていないことか
ら、熱処理に起因する歪みは観測されない。
【００３９】この炭化ケイ素膜付きガラス基板４を構成
する炭化ケイ素膜２ａについて、当該炭化ケイ素膜２ａ
の中央部とこの中央部を挟んで左右７箇所の計１５箇所
でその膜厚をエリプソメトリーによって測定し（測定個
所は全て１本の直線上にある）、その結果から膜厚分布
（ｔmax−ｔmin）／ｔave を求めたところ、０．０１で
あった。また、膜厚の測定箇所と同じ箇所で炭化ケイ素
膜２ａの屈折率をエリプソメトリーによって測定し、そ
の結果から屈折率分布（ｎmax−ｎmin）／ｎav e を求め
たところ、０．０１であった。さらに、炭化ケイ素膜２
ａの表面粗さＲａは２．３ｎｍであった。
する炭化ケイ素膜２ａについて、当該炭化ケイ素膜２ａ
の中央部とこの中央部を挟んで左右７箇所の計１５箇所
でその膜厚をエリプソメトリーによって測定し（測定個
所は全て１本の直線上にある）、その結果から膜厚分布
（ｔmax−ｔmin）／ｔave を求めたところ、０．０１で
あった。また、膜厚の測定箇所と同じ箇所で炭化ケイ素
膜２ａの屈折率をエリプソメトリーによって測定し、そ
の結果から屈折率分布（ｎmax−ｎmin）／ｎav e を求め
たところ、０．０１であった。さらに、炭化ケイ素膜２
ａの表面粗さＲａは２．３ｎｍであった。
【００４０】炭化ケイ素膜付きガラス基板４を透過した
光（炭化ケイ素膜２ａおよびガラス基板３を透過した
光）の透過率スペクトルは、図２に示すように、炭化ケ
イ素膜２ａ内部の干渉効果により複数の極大値および極
小値を有する。透過率が極大となる波長の１つである６
３３ｎｍの光に対する炭化ケイ素膜２ａの屈折率を求め
たところ、２．６３であった。この結果から考えて、炭
化ケイ素膜２ａの膜厚を適宜設定することにより、当該
炭化ケイ素膜２ａを位相シフトマスクのシフタ膜や光磁
気記録媒体のカー回転角を高めるための誘電体層として
利用し得ることは明らかである。さらに、熱処理に起因
する歪みが小さく、かつ高い光透過率を有していること
から、当該炭化ケイ素膜２ａはＸ線マスクとしても利用
し得る。
光（炭化ケイ素膜２ａおよびガラス基板３を透過した
光）の透過率スペクトルは、図２に示すように、炭化ケ
イ素膜２ａ内部の干渉効果により複数の極大値および極
小値を有する。透過率が極大となる波長の１つである６
３３ｎｍの光に対する炭化ケイ素膜２ａの屈折率を求め
たところ、２．６３であった。この結果から考えて、炭
化ケイ素膜２ａの膜厚を適宜設定することにより、当該
炭化ケイ素膜２ａを位相シフトマスクのシフタ膜や光磁
気記録媒体のカー回転角を高めるための誘電体層として
利用し得ることは明らかである。さらに、熱処理に起因
する歪みが小さく、かつ高い光透過率を有していること
から、当該炭化ケイ素膜２ａはＸ線マスクとしても利用
し得る。
【００４１】また、炭化ケイ素膜付きガラス基板４を構
成する炭化ケイ素膜２ａのシート抵抗を測定したところ
１．３７ｋΩ／□であり、高い導電性を有していること
が確認された。このような高い導電性は電極、配線とし
ての実用性を十分に満足するものである。さらに、この
炭化ケイ素膜付きガラス基板４に加速電圧５０ｋｅＶ、
ドーズ量３００μＣ／ｃｍ2 の条件で電子ビームを照射
したが、チャージアップに伴う膜剥がれ等は一切観察さ
れなかった。このことから、この炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板４をＸ線マスクや位相シフトマスクに用いた場合
には、電子線リソグラフィー等の際に問題とされるチャ
ージアップによる描画パターンの欠落が抑止されるもの
と予想される。
成する炭化ケイ素膜２ａのシート抵抗を測定したところ
１．３７ｋΩ／□であり、高い導電性を有していること
が確認された。このような高い導電性は電極、配線とし
ての実用性を十分に満足するものである。さらに、この
炭化ケイ素膜付きガラス基板４に加速電圧５０ｋｅＶ、
ドーズ量３００μＣ／ｃｍ2 の条件で電子ビームを照射
したが、チャージアップに伴う膜剥がれ等は一切観察さ
れなかった。このことから、この炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板４をＸ線マスクや位相シフトマスクに用いた場合
には、電子線リソグラフィー等の際に問題とされるチャ
ージアップによる描画パターンの欠落が抑止されるもの
と予想される。
【００４２】この炭化ケイ素膜２ａは、表１に示すよう
に各種の酸およびアルカリに対して十分な耐性を示し
た。
に各種の酸およびアルカリに対して十分な耐性を示し
た。
【表１】
【００４３】実施例２ 炭化ケイ素膜を成膜するための基板として単結晶シリコ
ン基板（主表面は（１００）面）を用い、先ず、ホット
ウォールタイプのＣＶＤ装置により前記単結晶シリコン
基板の表面をＣ2Ｈ2 ガス雰囲気中で炭化して、図３
（ａ）に模式的に示すように当該単結晶シリコン基板１
１の表て面（炭化時においてＣ2Ｈ2 ガスの供給口側に
位置させた面）および裏面を炭化層（炭化ケイ素層）１
２に改質した。このときの炭化条件は次の通りである。
ン基板（主表面は（１００）面）を用い、先ず、ホット
ウォールタイプのＣＶＤ装置により前記単結晶シリコン
基板の表面をＣ2Ｈ2 ガス雰囲気中で炭化して、図３
（ａ）に模式的に示すように当該単結晶シリコン基板１
１の表て面（炭化時においてＣ2Ｈ2 ガスの供給口側に
位置させた面）および裏面を炭化層（炭化ケイ素層）１
２に改質した。このときの炭化条件は次の通りである。
【００４４】Ｃ2Ｈ2 ガス流量：１０ｃｃ／分 水素ガス流量：１００ｃｃ／分 反応炉内圧力：１５０ｍＴｏｒｒ 表面炭化温度：１０２０℃ 表面炭化時間：６０分 反応炉内圧力：８Ｐａ（６０ｍＴｏｒｒ）
【００４５】次に、前記のＣＶＤ装置により炭化ケイ素
膜の成膜を行って、図３（ｂ）に模式的に示すように前
記の単結晶シリコン基板１の表て面（成膜時において原
料ガスの供給口側に位置させた面）の炭化層１２上およ
び裏面の炭化層１２上にそれぞれ膜厚１．０μｍの炭化
ケイ素膜１３ａ，１３ｂを成膜した。これらの炭化ケイ
素膜１３ａ，１３ｂは立方晶の炭化ケイ素からなる単結
晶膜であり、その組成は化学量論比の炭化ケイ素であ
る。炭化ケイ素膜１３ａについての走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）像を図４（ａ）に示す。なお、炭化ケイ素
膜１３ａ，１３ｂの成膜にあたっては原料ガスとしてＳ
ｉＨ2Ｃｌ2 ガスおよびＣ2Ｈ2 ガスを用い、これらのガ
スはＣＶＤ装置の反応炉に交互に供給した。他の成膜条
件は次の通りである。
膜の成膜を行って、図３（ｂ）に模式的に示すように前
記の単結晶シリコン基板１の表て面（成膜時において原
料ガスの供給口側に位置させた面）の炭化層１２上およ
び裏面の炭化層１２上にそれぞれ膜厚１．０μｍの炭化
ケイ素膜１３ａ，１３ｂを成膜した。これらの炭化ケイ
素膜１３ａ，１３ｂは立方晶の炭化ケイ素からなる単結
晶膜であり、その組成は化学量論比の炭化ケイ素であ
る。炭化ケイ素膜１３ａについての走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）像を図４（ａ）に示す。なお、炭化ケイ素
膜１３ａ，１３ｂの成膜にあたっては原料ガスとしてＳ
ｉＨ2Ｃｌ2 ガスおよびＣ2Ｈ2 ガスを用い、これらのガ
スはＣＶＤ装置の反応炉に交互に供給した。他の成膜条
件は次の通りである。
【００４６】基板温度：１０２０℃ ＳｉＨ2Ｃｌ2 ガス流量：１０ｃｃ／分 １回あたりのＳｉＨ2Ｃｌ2 ガスの供給時間：２０秒 Ｃ2Ｈ2 ガス流量：１０ｃｃ／分 １回あたりのＣ2Ｈ2 ガスの供給時間：１０秒 ＳｉＨ2Ｃｌ2 ガスの供給を終えてから Ｃ2Ｈ2 ガスの供給を開始するまでの時間：５秒 Ｃ2Ｈ2 ガスの供給を終えてからＳｉＨ2Ｃｌ2 ガス の供給を開始するまでの時間：３秒 原料ガスの交互供給回数：１１３７回 反応炉内圧力：０．６７〜１３．３Ｐａ（５〜１００ｍ
Ｔｏｒｒ）
Ｔｏｒｒ）
【００４７】次いで、単結晶シリコン基板１１の裏面に
形成した炭化層１２とこの上に成膜された炭化ケイ素膜
１３ｂとをＲＩＥ法により除去して、図３（ｃ）に示す
ように一主表面（表て面）にのみ炭化層１２および炭化
ケイ素膜１３ａが設けられている単結晶シリコン基板１
１ａを得た。このときのＲＩＥ条件は実施例１と同一と
した。
形成した炭化層１２とこの上に成膜された炭化ケイ素膜
１３ｂとをＲＩＥ法により除去して、図３（ｃ）に示す
ように一主表面（表て面）にのみ炭化層１２および炭化
ケイ素膜１３ａが設けられている単結晶シリコン基板１
１ａを得た。このときのＲＩＥ条件は実施例１と同一と
した。
【００４８】次に、ガラス基板としてパイレックスガラ
ス（コーニング社製，「パイレックス」は同社の商品
名）を用い、図３（ｄ）に示すように上記の単結晶シリ
コン基板１１ａと前記のガラス基板１４とを炭化ケイ素
膜１３ａが内側に位置するようにして当接させ、この状
態で陽極接合を行った。このときの陽極接合条件は実施
例１と同一とした。
ス（コーニング社製，「パイレックス」は同社の商品
名）を用い、図３（ｄ）に示すように上記の単結晶シリ
コン基板１１ａと前記のガラス基板１４とを炭化ケイ素
膜１３ａが内側に位置するようにして当接させ、この状
態で陽極接合を行った。このときの陽極接合条件は実施
例１と同一とした。
【００４９】この後、実施例１と同様にして混酸中で前
記の単結晶シリコン基板１１を全て除去して、図３
（ｅ）に示すようにガラス基板１４と当該ガラス基板１
４の片面に陽極接合によって設けられた炭化ケイ素膜１
３ａとを備えた炭化ケイ素膜付きガラス基板１５を得
た。この炭化ケイ素膜付きガラス基板１５では、炭化ケ
イ素膜１３ａの外側に当該炭化ケイ素膜の成膜時にその
下地となった炭化層１２が存在している。この炭化層１
２は前述のように炭化ケイ素層であるので、以下、炭化
ケイ素膜１３ａと炭化層１２とを炭化ケイ素膜１３ｃと
総称する。
記の単結晶シリコン基板１１を全て除去して、図３
（ｅ）に示すようにガラス基板１４と当該ガラス基板１
４の片面に陽極接合によって設けられた炭化ケイ素膜１
３ａとを備えた炭化ケイ素膜付きガラス基板１５を得
た。この炭化ケイ素膜付きガラス基板１５では、炭化ケ
イ素膜１３ａの外側に当該炭化ケイ素膜の成膜時にその
下地となった炭化層１２が存在している。この炭化層１
２は前述のように炭化ケイ素層であるので、以下、炭化
ケイ素膜１３ａと炭化層１２とを炭化ケイ素膜１３ｃと
総称する。
【００５０】このようにして得られた炭化ケイ素膜付き
ガラス基板１５では、ガラス基板１４が３００℃を超え
る熱工程を経ていないことから、熱処理に起因する歪み
は観測されない。また、実施例１と同様にして炭化ケイ
素膜１３ｃの膜厚を測定し、その結果から上式により膜
厚分布を求めたところ０．００７であった。さらに、炭
化ケイ素膜１３ｃについて実施例１と同様にして屈折率
を測定し、その結果から上式により屈折率分布を求めた
ところ０．００５であった。膜厚および屈折率の測定結
果を図５に示す。また、炭化ケイ素膜１３ｃの表面粗さ
Ｒａは１．４６３ｎｍであり、極めて高い平坦性を有し
ていた。炭化ケイ素膜１３ｃのＳＴＭ像を図４（ｂ）に
示す。
ガラス基板１５では、ガラス基板１４が３００℃を超え
る熱工程を経ていないことから、熱処理に起因する歪み
は観測されない。また、実施例１と同様にして炭化ケイ
素膜１３ｃの膜厚を測定し、その結果から上式により膜
厚分布を求めたところ０．００７であった。さらに、炭
化ケイ素膜１３ｃについて実施例１と同様にして屈折率
を測定し、その結果から上式により屈折率分布を求めた
ところ０．００５であった。膜厚および屈折率の測定結
果を図５に示す。また、炭化ケイ素膜１３ｃの表面粗さ
Ｒａは１．４６３ｎｍであり、極めて高い平坦性を有し
ていた。炭化ケイ素膜１３ｃのＳＴＭ像を図４（ｂ）に
示す。
【００５１】炭化ケイ素膜付きガラス基板１５を透過し
た光（炭化ケイ素膜１３ｃおよびガラス基板１４を透過
した光）の透過率スペクトルは、図６に示すように、炭
化ケイ素膜１３ｃ内部の干渉効果により複数の極大値お
よび極小値を有する。透過率が極大となる波長の１つで
ある６３３ｎｍの光に対する炭化ケイ素膜１３ｃの屈折
率を求めたところ、２．６３であった。この結果から考
えて、炭化ケイ素膜１３ｃの膜厚を適宜設定することに
より、当該炭化ケイ素膜１３ｃを位相シフトマスクのシ
フター層や光磁気記録媒体のカー回転角を高めるための
誘電体層として利用し得ることは明らかである。さら
に、熱処理に起因する歪みが小さく、かつ、高い光透過
率を有していることから、当該炭化ケイ素膜１３ｃはＸ
線マスクとしても利用し得る。
た光（炭化ケイ素膜１３ｃおよびガラス基板１４を透過
した光）の透過率スペクトルは、図６に示すように、炭
化ケイ素膜１３ｃ内部の干渉効果により複数の極大値お
よび極小値を有する。透過率が極大となる波長の１つで
ある６３３ｎｍの光に対する炭化ケイ素膜１３ｃの屈折
率を求めたところ、２．６３であった。この結果から考
えて、炭化ケイ素膜１３ｃの膜厚を適宜設定することに
より、当該炭化ケイ素膜１３ｃを位相シフトマスクのシ
フター層や光磁気記録媒体のカー回転角を高めるための
誘電体層として利用し得ることは明らかである。さら
に、熱処理に起因する歪みが小さく、かつ、高い光透過
率を有していることから、当該炭化ケイ素膜１３ｃはＸ
線マスクとしても利用し得る。
【００５２】また、炭化ケイ素膜付きガラス基板１５を
構成する炭化ケイ素膜１３ｃのシート抵抗を測定したと
ころ６００ｋΩ／□であり、高い導電性を有しているこ
とが確認された。このような高い導電性は、電極、配線
としての実用性を十分に満足するものである。さらに、
この炭化ケイ素膜付きガラス基板１５に加速電圧５０ｋ
ｅＶ、ドーズ量３００μＣ／ｃｍ2 の条件で電子ビーム
を照射したが、チャージアップに伴う膜剥がれ等は一切
観察されなかった。このことから、この炭化ケイ素膜付
きガラス基板１５をＸ線マスクや位相シフトマスクに用
いた場合には、電子線リソグラフィーの際等に問題とさ
れるチャージアップによる描画パターンの欠落が抑止さ
れるものと予想される。
構成する炭化ケイ素膜１３ｃのシート抵抗を測定したと
ころ６００ｋΩ／□であり、高い導電性を有しているこ
とが確認された。このような高い導電性は、電極、配線
としての実用性を十分に満足するものである。さらに、
この炭化ケイ素膜付きガラス基板１５に加速電圧５０ｋ
ｅＶ、ドーズ量３００μＣ／ｃｍ2 の条件で電子ビーム
を照射したが、チャージアップに伴う膜剥がれ等は一切
観察されなかった。このことから、この炭化ケイ素膜付
きガラス基板１５をＸ線マスクや位相シフトマスクに用
いた場合には、電子線リソグラフィーの際等に問題とさ
れるチャージアップによる描画パターンの欠落が抑止さ
れるものと予想される。
【００５３】この炭化ケイ素膜１３ｃは、表２に示すよ
うに各種の酸およびアルカリに対して十分な耐性を示し
た。
うに各種の酸およびアルカリに対して十分な耐性を示し
た。
【表２】
【００５４】比較例１ ガラス基板としてパイレックスガラス（コーニング社
製，「パイレックス」は同社の商品名）を用い、このガ
ラス基板の表面に実施例１と同じ条件のＣＶＤ法により
炭化ケイ素膜を成膜して、炭化ケイ素膜付きガラス基板
を得た。このようにして得られた炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板では炭化ケイ素膜とガラス基板との密着性が著し
く低く、部分的に炭化ケイ素膜が剥離していた。そし
て、炭化ケイ素膜における膜厚分布、屈折率分布および
表面粗さのいずれも本発明の限定範囲外であった。さら
に、９００℃もの高温工程を経ているため、ガラス基板
には変形が認められた。
製，「パイレックス」は同社の商品名）を用い、このガ
ラス基板の表面に実施例１と同じ条件のＣＶＤ法により
炭化ケイ素膜を成膜して、炭化ケイ素膜付きガラス基板
を得た。このようにして得られた炭化ケイ素膜付きガラ
ス基板では炭化ケイ素膜とガラス基板との密着性が著し
く低く、部分的に炭化ケイ素膜が剥離していた。そし
て、炭化ケイ素膜における膜厚分布、屈折率分布および
表面粗さのいずれも本発明の限定範囲外であった。さら
に、９００℃もの高温工程を経ているため、ガラス基板
には変形が認められた。
【００５５】この炭化ケイ素膜のシート抵抗を測定した
ところ８９ＭΩ／□と極めて高く、当該炭化ケイ素膜は
電極や配線として利用するには不適である。また、この
炭化ケイ素膜付きガラス基板に加速電圧５０ｋｅＶ、ド
ーズ量３００μＣ／ｃｍ2 の条件で電子ビームを照射し
たところ、照射部分にチャージアップが発生し、炭化ケ
イ素膜が局部的に剥離した。したがって、この炭化ケイ
素膜付きガラス基板をＸ線マスクや位相シフトマスクに
用いた場合には、電子線リソグラフィーの際等に問題と
されるチャージアップによる描画パターンの欠落が発生
する。さらに、上記の方法で得られた炭化ケイ素膜付き
ガラス基板は、炭化ケイ素膜が部分的に剥離してその箇
所からガラス基板が露出していることから露出面がフッ
酸に浸食され、十分な耐薬品性を示さなかった。
ところ８９ＭΩ／□と極めて高く、当該炭化ケイ素膜は
電極や配線として利用するには不適である。また、この
炭化ケイ素膜付きガラス基板に加速電圧５０ｋｅＶ、ド
ーズ量３００μＣ／ｃｍ2 の条件で電子ビームを照射し
たところ、照射部分にチャージアップが発生し、炭化ケ
イ素膜が局部的に剥離した。したがって、この炭化ケイ
素膜付きガラス基板をＸ線マスクや位相シフトマスクに
用いた場合には、電子線リソグラフィーの際等に問題と
されるチャージアップによる描画パターンの欠落が発生
する。さらに、上記の方法で得られた炭化ケイ素膜付き
ガラス基板は、炭化ケイ素膜が部分的に剥離してその箇
所からガラス基板が露出していることから露出面がフッ
酸に浸食され、十分な耐薬品性を示さなかった。
【００５６】比較例２ 基板として石英基板を用い、この基板の表面に実施例２
と同じ条件のＣＶＤ法により炭化ケイ素の単結晶膜を成
膜しようとしたが、炭化ケイ素膜の成長は一切認められ
なかった。
と同じ条件のＣＶＤ法により炭化ケイ素の単結晶膜を成
膜しようとしたが、炭化ケイ素膜の成長は一切認められ
なかった。
【００５７】比較例３ まず、実施例２と同一条件で単結晶シリコン基板の表面
の改質、炭化ケイ素膜の成膜並びに基板裏面の炭化層お
よび炭化ケイ素膜の除去を行って、一主表面（表て面）
にのみ炭化層および炭化ケイ素膜が設けられている単結
晶シリコン基板（以下、炭化ケイ素膜付き単結晶シリコ
ン基板という）を得た。次に、ガラス基板としてパイレ
ックスガラス（コーニング社製，「パイレックス」は同
社の商品名）を用い、このガラス基板と上記の炭化ケイ
素膜付き単結晶シリコン基板とをエポキシ樹脂を用いて
結合させた。このときの結合は、炭化ケイ素膜付き単結
晶シリコン基板を構成している炭化ケイ素膜とガラス基
板とがエポキシ樹脂により接着されるようにして行っ
た。この後、実施例２で用いた混酸と同一組成の混酸中
で単結晶シリコン基板の除去を行ったところ、エポキシ
樹脂も混酸中に溶出した結果、炭化ケイ素膜付きガラス
基板を得ることができなかった。
の改質、炭化ケイ素膜の成膜並びに基板裏面の炭化層お
よび炭化ケイ素膜の除去を行って、一主表面（表て面）
にのみ炭化層および炭化ケイ素膜が設けられている単結
晶シリコン基板（以下、炭化ケイ素膜付き単結晶シリコ
ン基板という）を得た。次に、ガラス基板としてパイレ
ックスガラス（コーニング社製，「パイレックス」は同
社の商品名）を用い、このガラス基板と上記の炭化ケイ
素膜付き単結晶シリコン基板とをエポキシ樹脂を用いて
結合させた。このときの結合は、炭化ケイ素膜付き単結
晶シリコン基板を構成している炭化ケイ素膜とガラス基
板とがエポキシ樹脂により接着されるようにして行っ
た。この後、実施例２で用いた混酸と同一組成の混酸中
で単結晶シリコン基板の除去を行ったところ、エポキシ
樹脂も混酸中に溶出した結果、炭化ケイ素膜付きガラス
基板を得ることができなかった。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の炭化ケイ
素膜付きガラス基板は、マスクのアライメント精度やマ
スク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線マスクもし
くは位相シフトマスク、あるいは記録密度が向上した光
磁気記録媒体等を作製するのに好適な材料である。した
がって、本発明によればマスクのアライメント精度やマ
スク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線マスクもし
くは位相シフトマスク、あるいは記録密度が向上した光
磁気記録媒体を提供することが可能になる。
素膜付きガラス基板は、マスクのアライメント精度やマ
スク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線マスクもし
くは位相シフトマスク、あるいは記録密度が向上した光
磁気記録媒体等を作製するのに好適な材料である。した
がって、本発明によればマスクのアライメント精度やマ
スク転写パターンの寸法精度が向上したＸ線マスクもし
くは位相シフトマスク、あるいは記録密度が向上した光
磁気記録媒体を提供することが可能になる。
【図１】実施例１での炭化ケイ素膜付きガラス基板の製
造工程を説明するための模式的な側面図である。
造工程を説明するための模式的な側面図である。
【図２】実施例１で作製した炭化ケイ素膜付きガラス基
板の光透過率スペクトルを示すグラフである。
板の光透過率スペクトルを示すグラフである。
【図３】実施例２での炭化ケイ素膜付きガラス基板の製
造工程を説明するための模式的な側面図である。
造工程を説明するための模式的な側面図である。
【図４】（ａ）は実施例２で単結晶シリコン基板上に成
膜した炭化ケイ素膜についてのＳＴＭ像であり、（ｂ）
は実施例２で作製した炭化ケイ素膜付きガラス基板にお
ける炭化ケイ素膜についてのＳＴＭ像である。
膜した炭化ケイ素膜についてのＳＴＭ像であり、（ｂ）
は実施例２で作製した炭化ケイ素膜付きガラス基板にお
ける炭化ケイ素膜についてのＳＴＭ像である。
【図５】実施例２で作製した炭化ケイ素膜付きガラス基
板における炭化ケイ素膜についての膜厚分布および屈折
率の測定結果を示すグラフである。
板における炭化ケイ素膜についての膜厚分布および屈折
率の測定結果を示すグラフである。
【図６】実施例２で作製した炭化ケイ素膜付きガラス基
板の光透過率スペクトルを示すグラフである。
板の光透過率スペクトルを示すグラフである。
１，１１ 単結晶シリコン基板 ２ａ，２ｂ，１３ａ，１３ｂ 炭化ケイ素膜 ３ ガラス基板 ４，１５ 炭化ケイ素膜付きガラス基板 １２ 炭化層（炭化ケイ素層）
Claims (7)
- 【請求項１】 ガラス基板と、このガラス基板の片面上
または両面上に設けられた炭化ケイ素膜とを備え、前記
炭化ケイ素膜における膜厚分布が式（ｔmax−ｔmin）／
ｔave ≦０．０３を満たし、屈折率分布が式（ｎmax−
ｎmin）／ｎave ≦０．０３を満たし、表面粗さＲａが式
Ｒａ≦３ｎｍを満たすことを特徴とする炭化ケイ素膜付
きガラス基板。 - 【請求項２】 波長６３３ｎｍの光についての炭化ケイ
素膜の光透過率が７０％以上である、請求項１に記載の
炭化ケイ素膜付きガラス基板。 - 【請求項３】 炭化ケイ素膜が単結晶膜である、請求項
１または請求項２に記載の炭化ケイ素膜付きガラス基
板。 - 【請求項４】 ガラス基板が低融点ガラスからなる、請
求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の炭化ケイ素膜
付きガラス基板。 - 【請求項５】 ガラス基板が貫通孔を有し、このガラス
基板の片面上に設けられた炭化ケイ素膜が前記貫通孔の
一方の開口部を覆っている、請求項１〜請求項４のいず
れか１項に記載の炭化ケイ素膜付き基板。 - 【請求項６】 ガラス基板と、このガラス基板の片面上
に形成された少なくとも１層の誘電体層と、この誘電体
層上に形成された記録層とを備え、前記誘電体層のうち
で前記ガラス基板の片面の直上に積層されている層が炭
化ケイ素膜からなり、この炭化ケイ素膜における膜厚分
布が式（ｔmax−ｔmin）／ｔave ≦０．０３を満たし、
屈折率分布が式（ｎmax−ｎmin）／ｎave ≦０．０３を
満たし、表面粗さＲａが式Ｒａ≦３ｎｍを満たすことを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 波長６３３ｎｍの光についての炭化ケイ
素膜の光透過率が７０％以上である、請求項６に記載の
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32779294A JPH08183635A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 炭化ケイ素膜付きガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32779294A JPH08183635A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 炭化ケイ素膜付きガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08183635A true JPH08183635A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18203046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32779294A Pending JPH08183635A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 炭化ケイ素膜付きガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08183635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011219298A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32779294A patent/JPH08183635A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011219298A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素エピタキシャル膜の製造方法 |
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| A02 | Decision of refusal |
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