JPH0818030A - 逆導通ｇｔｏサイリスタの製造方法 - Google Patents
逆導通ｇｔｏサイリスタの製造方法Info
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- JPH0818030A JPH0818030A JP14880494A JP14880494A JPH0818030A JP H0818030 A JPH0818030 A JP H0818030A JP 14880494 A JP14880494 A JP 14880494A JP 14880494 A JP14880494 A JP 14880494A JP H0818030 A JPH0818030 A JP H0818030A
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- gto thyristor
- metal plate
- semiconductor substrate
- diode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】逆導通ＧＴＯサイリスタのＧＴＯサイリスタ部
とダイオード部のライフタイムを個別に制御する方法に
電子線照射等を用いることにより、高温電圧印加時のも
れ電流を低減し、製造工程の短縮を図る。 【構成】ＧＴＯサイリスタ部２をＡｌ板４で覆い、ダイ
オード部３に電子線５を照射した後、半導体基体１の全
面に電子線５を照射する。
とダイオード部のライフタイムを個別に制御する方法に
電子線照射等を用いることにより、高温電圧印加時のも
れ電流を低減し、製造工程の短縮を図る。 【構成】ＧＴＯサイリスタ部２をＡｌ板４で覆い、ダイ
オード部３に電子線５を照射した後、半導体基体１の全
面に電子線５を照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＧＴＯサイリスタと
同一半導体基体に逆並列のダイオードを内蔵する逆導通
ＧＴＯサイリスタの製造方法に関する。
同一半導体基体に逆並列のダイオードを内蔵する逆導通
ＧＴＯサイリスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】逆導通ＧＴＯサイリスタはＧＴＯサイリ
スタ部およびダイオード部が同一半導体基体に集積され
た構造になっている。逆導通ＧＴＯサイリスタの電流を
遮断する特性（遮断特性）およびダイオード部がオフす
る特性（転流特性）などの電気的特性を向上させるため
に、ＧＴＯサイリスタ部およびダイオード部のライフタ
イムを個別に制御する必要があり、従来は金（Ａｕ）拡
散によりＧＴＯサイリスタ部およびダイオード部を別々
に制御する方法がとられていた。図５はアロイ形逆導通
ＧＴＯサイリスタとアロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリ
スタの半導体基体とモリブデン板の位置関係を示す構成
図を示す。同図（ａ）はアロイ形逆導通ＧＴＯサイリス
タの構成図で、半導体基体１の全面はこの半導体基体１
を支持するモリブデン板８と合金層１０を介して結合さ
れ、さらに半導体基体１の周縁部に耐圧を確保するため
のベベル部１１が形成され、その表面はパッシベーショ
ン用のシリコーンゴム９が被着している。同図（ｂ）は
アロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタの構成図で半導
体基体１とモリブデン板８とは外部からの圧接力によっ
て接触する構造となっている。また、シリコーンゴム９
はベベル部１１と半導体基体１の両主面の周縁部とを覆
っている。このモリブデン板８の大きさはシリコーンゴ
ム９を噛まないように、シリコーンゴムの内周より小さ
くする必要があり、従って、半導体基体１のベベル部直
下はモリブデン板８と接触しない。従来のアロイ形素子
では同図（ａ）に示すようにベベル部直下もモリブデン
板８で合金され、このモリブデン板８がベベル部１１お
よび半導体基体１での発熱を吸収するヒートシンクとし
ての役割をしている。このため、高温電圧印加時の素子
のもれ電流による発熱が大きくても放熱が十分行われ問
題なかった。しかし、最近、均一加圧による性能向上を
図るために逆導通ＧＴＯサイリスタのアロイフリー化が
行われるようになり、このアロイフリー形素子では同図
（ｂ）に示すようにベベル部直下はモリブデン板８とは
接触せず、しかも半導体基体１とモリブデン板８は外部
の圧接力で接触する構造となっている。
スタ部およびダイオード部が同一半導体基体に集積され
た構造になっている。逆導通ＧＴＯサイリスタの電流を
遮断する特性（遮断特性）およびダイオード部がオフす
る特性（転流特性）などの電気的特性を向上させるため
に、ＧＴＯサイリスタ部およびダイオード部のライフタ
イムを個別に制御する必要があり、従来は金（Ａｕ）拡
散によりＧＴＯサイリスタ部およびダイオード部を別々
に制御する方法がとられていた。図５はアロイ形逆導通
ＧＴＯサイリスタとアロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリ
スタの半導体基体とモリブデン板の位置関係を示す構成
図を示す。同図（ａ）はアロイ形逆導通ＧＴＯサイリス
タの構成図で、半導体基体１の全面はこの半導体基体１
を支持するモリブデン板８と合金層１０を介して結合さ
れ、さらに半導体基体１の周縁部に耐圧を確保するため
のベベル部１１が形成され、その表面はパッシベーショ
ン用のシリコーンゴム９が被着している。同図（ｂ）は
アロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタの構成図で半導
体基体１とモリブデン板８とは外部からの圧接力によっ
て接触する構造となっている。また、シリコーンゴム９
はベベル部１１と半導体基体１の両主面の周縁部とを覆
っている。このモリブデン板８の大きさはシリコーンゴ
ム９を噛まないように、シリコーンゴムの内周より小さ
くする必要があり、従って、半導体基体１のベベル部直
下はモリブデン板８と接触しない。従来のアロイ形素子
では同図（ａ）に示すようにベベル部直下もモリブデン
板８で合金され、このモリブデン板８がベベル部１１お
よび半導体基体１での発熱を吸収するヒートシンクとし
ての役割をしている。このため、高温電圧印加時の素子
のもれ電流による発熱が大きくても放熱が十分行われ問
題なかった。しかし、最近、均一加圧による性能向上を
図るために逆導通ＧＴＯサイリスタのアロイフリー化が
行われるようになり、このアロイフリー形素子では同図
（ｂ）に示すようにベベル部直下はモリブデン板８とは
接触せず、しかも半導体基体１とモリブデン板８は外部
の圧接力で接触する構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、このア
ロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタではベベル部での
発熱を吸収するものがない構造になっており、さらに、
半導体基体とモリブデン板とは合金されず、単に半導体
基体とモリブデン板は外部からの圧接力により接触して
いるだけなので、アロイ形素子に比べると熱抵抗が大き
く、半導体基体で発生した熱はモリブデン板に逃げにく
い構造になっている。このために、特に高温電圧印加時
において、ベベル部を含む半導体基体内で発生したもれ
電流による発熱で、半導体基体が熱暴走を起こし、素子
の破壊を招くことがあるため、アロイフリー形逆導通Ｇ
ＴＯサイリスタでは高温電圧印加時のもれ電流を減少さ
せることが極めて重要となる。しかし、金拡散はライフ
タイム制御としては半導体基体への均一拡散を容易に図
れるなどの効果はあるが、高温電圧印加時のもれ電流が
大きく、アロイフリー形素子への適用は不向きである。
ロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタではベベル部での
発熱を吸収するものがない構造になっており、さらに、
半導体基体とモリブデン板とは合金されず、単に半導体
基体とモリブデン板は外部からの圧接力により接触して
いるだけなので、アロイ形素子に比べると熱抵抗が大き
く、半導体基体で発生した熱はモリブデン板に逃げにく
い構造になっている。このために、特に高温電圧印加時
において、ベベル部を含む半導体基体内で発生したもれ
電流による発熱で、半導体基体が熱暴走を起こし、素子
の破壊を招くことがあるため、アロイフリー形逆導通Ｇ
ＴＯサイリスタでは高温電圧印加時のもれ電流を減少さ
せることが極めて重要となる。しかし、金拡散はライフ
タイム制御としては半導体基体への均一拡散を容易に図
れるなどの効果はあるが、高温電圧印加時のもれ電流が
大きく、アロイフリー形素子への適用は不向きである。
【０００４】この発明は上記の問題点を解決し、高温電
圧印加時のもれ電流を小さくできる逆導通ＧＴＯサイリ
スタの製造方法を提供する。
圧印加時のもれ電流を小さくできる逆導通ＧＴＯサイリ
スタの製造方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ｐｎｐｎの４層構造から
なるＧＴＯサイリスタ部とｐｎの２層構造からなるダイ
オード部とが同一半導体基体に集積された逆導通ＧＴＯ
サイリスタにおいて、ＧＴＯサイリスタ部およびダイオ
ード部のライフタイム制御を少なくとも電子線を用いて
個別に行う。このライフタイム制御は電子線を遮蔽する
非透過金属板でＧＴＯサイリスタ部を覆い、ダイオード
部のみに電子線を照射し、その後、該非透過金属板を除
去し、半導体基体全面に電子線を照射することが有効で
ある。また、半導体基体全面に電子線を照射し、その
後、ＧＴＯサイリスタ部を該非透過金属板で覆い、ダイ
オード部のみに電子線を照射することでもよい。また、
ＧＴＯサイリスタ部を該非透過金属板で覆い、ダイオー
ド部のみに電子線を照射し、その後、ダイオード部を該
非透過金属板で覆い、ＧＴＯサイリスタ部のみに電子線
を照射することも効果的である。また、ダイオード部に
白金を拡散し、その後、ダイオード部を該非透過金属板
で覆い、ＧＴＯサイリスタ部に電子線を照射してもよ
い。さらに、ダイオード部に白金を拡散し、その後、半
導体基体全面に電子線を照射することも好ましい。ま
た、該非透過金属板にシリコンより比重の大きい金属板
を用いると効果的である。
なるＧＴＯサイリスタ部とｐｎの２層構造からなるダイ
オード部とが同一半導体基体に集積された逆導通ＧＴＯ
サイリスタにおいて、ＧＴＯサイリスタ部およびダイオ
ード部のライフタイム制御を少なくとも電子線を用いて
個別に行う。このライフタイム制御は電子線を遮蔽する
非透過金属板でＧＴＯサイリスタ部を覆い、ダイオード
部のみに電子線を照射し、その後、該非透過金属板を除
去し、半導体基体全面に電子線を照射することが有効で
ある。また、半導体基体全面に電子線を照射し、その
後、ＧＴＯサイリスタ部を該非透過金属板で覆い、ダイ
オード部のみに電子線を照射することでもよい。また、
ＧＴＯサイリスタ部を該非透過金属板で覆い、ダイオー
ド部のみに電子線を照射し、その後、ダイオード部を該
非透過金属板で覆い、ＧＴＯサイリスタ部のみに電子線
を照射することも効果的である。また、ダイオード部に
白金を拡散し、その後、ダイオード部を該非透過金属板
で覆い、ＧＴＯサイリスタ部に電子線を照射してもよ
い。さらに、ダイオード部に白金を拡散し、その後、半
導体基体全面に電子線を照射することも好ましい。ま
た、該非透過金属板にシリコンより比重の大きい金属板
を用いると効果的である。
【０００６】
【作用】シリコン（Ｓｉ）結晶に電子線を照射すると電
子線によってＳｉ原子が飛ばされＳｉ原子の無い空孔と
いう格子欠陥ができる。この格子欠陥が荷電粒子である
電子と正孔を結びつけたり、逆に電子と正孔を発生させ
たりする再結合中心の働きをする。また、白金原子およ
び金原子などの重金属の原子も再結合中心の働きをす
る。電子線および白金原子でできた再結合中心の局在準
位と金原子の局在準位は異なり、そのため、電子線照射
および白金拡散でライフタイム制御した場合は、金拡散
の場合に比べ半導体基体に電圧を印加したときに発生す
る電子と正孔の量は一桁小さく、従って、もれ電流も一
桁小さくなる。次に、電子線および白金原子のＳｉへの
進入を阻止する方法を説明する。電子線の場合、進入深
さは物質の比重と密接な関係があり、Ｓｉ中では加速電
圧１ＭｅＶで２ｍｍ程度の深さまで電子線が進入するこ
とは良く知られている。従って、Ｓｉ上に例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）金属などＳｉと比重の同程度（比重 Ｓ
ｉ：２．３３、Ａｌ：２．７１）のもので、２ｍｍ以上
の厚さをもつ非透過金属板を置けば、Ｓｉ中には電子線
は照射されない。この作用によりＧＴＯサイリスタ部と
ダイオード部の電子線量を変えて、ライフタイム制御を
個々に行うことができる。また、比重の大きい非透過金
属板を使うと電子線の透過率が低下するため、板厚は薄
くできる。一方、白金の場合は酸化膜により拡散が阻止
されるので、この作用により、選択的にライフタイム制
御ができる。
子線によってＳｉ原子が飛ばされＳｉ原子の無い空孔と
いう格子欠陥ができる。この格子欠陥が荷電粒子である
電子と正孔を結びつけたり、逆に電子と正孔を発生させ
たりする再結合中心の働きをする。また、白金原子およ
び金原子などの重金属の原子も再結合中心の働きをす
る。電子線および白金原子でできた再結合中心の局在準
位と金原子の局在準位は異なり、そのため、電子線照射
および白金拡散でライフタイム制御した場合は、金拡散
の場合に比べ半導体基体に電圧を印加したときに発生す
る電子と正孔の量は一桁小さく、従って、もれ電流も一
桁小さくなる。次に、電子線および白金原子のＳｉへの
進入を阻止する方法を説明する。電子線の場合、進入深
さは物質の比重と密接な関係があり、Ｓｉ中では加速電
圧１ＭｅＶで２ｍｍ程度の深さまで電子線が進入するこ
とは良く知られている。従って、Ｓｉ上に例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）金属などＳｉと比重の同程度（比重 Ｓ
ｉ：２．３３、Ａｌ：２．７１）のもので、２ｍｍ以上
の厚さをもつ非透過金属板を置けば、Ｓｉ中には電子線
は照射されない。この作用によりＧＴＯサイリスタ部と
ダイオード部の電子線量を変えて、ライフタイム制御を
個々に行うことができる。また、比重の大きい非透過金
属板を使うと電子線の透過率が低下するため、板厚は薄
くできる。一方、白金の場合は酸化膜により拡散が阻止
されるので、この作用により、選択的にライフタイム制
御ができる。
【０００７】
【実施例】図１ないし図４はこの発明の実施例を示す。
これらの図には示さないがダイオード部３の周縁部には
耐圧を確保するためのベベル部（図５の１１と同一）が
形成され、このベベル部のライフタイム制御はダイオー
ド部３と同時に行う。図１はダイオード部３を電子線照
射した後、半導体基体１の全面に電子線照射する工程図
を示す。同図１（ａ）に示すようにＧＴＯサイリスタ部
２に厚さ３ｍｍの非透過金属板としてのＡｌ板４を置い
て、電子線５を１ＭｅＶの加速電圧で５Ｍｒａｄ打ち込
み、次に、同図（ｂ）に示すように半導体基体１の全面
に電子線５を１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。従って、
電子線５の照射量はＧＴＯサイリスタ部２が５Ｍｒａ
ｄ、ダイオード部３が１０Ｍｒａｄとなる。図２は半導
体基体１の全面を電子線照射した後、ダイオード部３に
電子線照射する工程図を示す。同図（ａ）に示すように
半導体基体１の全面に電子線５を１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ
打ち込み、次に、同図（ｂ）に示すようにＧＴＯサイリ
スタ部２に厚さ３ｍｍのＡｌ板４を置いて電子線５を１
ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。２回目の電子線照射時、
ＧＴＯサイリスタ部２はＡｌ板４で遮蔽されるため、Ｇ
ＴＯサイリスタ部２に電子線５は打ち込まれない。その
ため、電子線５の照射量はＧＴＯサイリスタ部２が５Ｍ
ｒａｄ、ダイオード部３が１０Ｍｒａｄとなる。図３は
ＧＴＯサイリスタ部２およびダイオード部３をそれぞれ
単独に電子線照射する工程図を示す。同図（ａ）に示す
ようにＧＴＯサイリスタ部２に厚さ３ｍｍのＡｌ板４を
置いて、電子線５をダイオード部３にのみに１ＭｅＶで
１０Ｍｄａｄ打ち込み、次に、同図（ｂ）に示すように
厚さ３ｍｍのドーナッツ状Ａｌ板４１をダイオード部３
が遮蔽されるように置き、ＧＴＯサイリスタ部に電子線
５を１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。図４はダイオード
部３を白金拡散した後、ＧＴＯサイリスタ部２に酸化膜
を付けたまま、半導体基体１の全面に電子線照射する工
程図を示す。同図（ａ）は酸化膜６のダイオード部３の
みに窓明けし、水溶液状の白金７を付けた状態を示し、
その後で８００°Ｃで１時間の拡散を行い、次に、同図
（ｂ）に示すように、半導体基体１の全面に電子線５を
１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。この場合、ＧＴＯサイ
リスタ部２は電子線５が５Ｍｒａｄ打ち込まれたことに
なり、またダイオード部は白金拡散に加え電子線５が５
Ｍｒａｄ打ち込まれたことになる。また、電子線照射は
酸化膜６をフッ酸（ＨＦ）液で除去した上で行っても良
い。前記の全ての実施例において、電子線照射後の半導
体基体１は水素雰囲気中で４００°Ｃ程度、１時間程度
の熱処理が行われ、ＧＴＯサイリスタ部２のオン電圧、
ダイオード部３の逆電圧などの電気的特性で所定の特性
値を得る。また、非透過金属板の材質をＡｌより比重の
さらに大きい鉄、銅、モリブデンおよび鉛などの金属に
すると板厚をさらに薄くできる。また、白金拡散の場合
の遮蔽膜としては窒化膜も利用できる。これらの方法を
アロイ形逆導通ＧＴＯサイリスタに適用する場合は、半
導体基体１とモリブデン板８（図５）を合金した後、モ
リブデン板８が合金されていない半導体基体１の主面か
ら電子線照射をする。電子線照射とその後の処理の方法
は前記と同じである。
これらの図には示さないがダイオード部３の周縁部には
耐圧を確保するためのベベル部（図５の１１と同一）が
形成され、このベベル部のライフタイム制御はダイオー
ド部３と同時に行う。図１はダイオード部３を電子線照
射した後、半導体基体１の全面に電子線照射する工程図
を示す。同図１（ａ）に示すようにＧＴＯサイリスタ部
２に厚さ３ｍｍの非透過金属板としてのＡｌ板４を置い
て、電子線５を１ＭｅＶの加速電圧で５Ｍｒａｄ打ち込
み、次に、同図（ｂ）に示すように半導体基体１の全面
に電子線５を１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。従って、
電子線５の照射量はＧＴＯサイリスタ部２が５Ｍｒａ
ｄ、ダイオード部３が１０Ｍｒａｄとなる。図２は半導
体基体１の全面を電子線照射した後、ダイオード部３に
電子線照射する工程図を示す。同図（ａ）に示すように
半導体基体１の全面に電子線５を１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ
打ち込み、次に、同図（ｂ）に示すようにＧＴＯサイリ
スタ部２に厚さ３ｍｍのＡｌ板４を置いて電子線５を１
ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。２回目の電子線照射時、
ＧＴＯサイリスタ部２はＡｌ板４で遮蔽されるため、Ｇ
ＴＯサイリスタ部２に電子線５は打ち込まれない。その
ため、電子線５の照射量はＧＴＯサイリスタ部２が５Ｍ
ｒａｄ、ダイオード部３が１０Ｍｒａｄとなる。図３は
ＧＴＯサイリスタ部２およびダイオード部３をそれぞれ
単独に電子線照射する工程図を示す。同図（ａ）に示す
ようにＧＴＯサイリスタ部２に厚さ３ｍｍのＡｌ板４を
置いて、電子線５をダイオード部３にのみに１ＭｅＶで
１０Ｍｄａｄ打ち込み、次に、同図（ｂ）に示すように
厚さ３ｍｍのドーナッツ状Ａｌ板４１をダイオード部３
が遮蔽されるように置き、ＧＴＯサイリスタ部に電子線
５を１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。図４はダイオード
部３を白金拡散した後、ＧＴＯサイリスタ部２に酸化膜
を付けたまま、半導体基体１の全面に電子線照射する工
程図を示す。同図（ａ）は酸化膜６のダイオード部３の
みに窓明けし、水溶液状の白金７を付けた状態を示し、
その後で８００°Ｃで１時間の拡散を行い、次に、同図
（ｂ）に示すように、半導体基体１の全面に電子線５を
１ＭｅＶで５Ｍｒａｄ打ち込む。この場合、ＧＴＯサイ
リスタ部２は電子線５が５Ｍｒａｄ打ち込まれたことに
なり、またダイオード部は白金拡散に加え電子線５が５
Ｍｒａｄ打ち込まれたことになる。また、電子線照射は
酸化膜６をフッ酸（ＨＦ）液で除去した上で行っても良
い。前記の全ての実施例において、電子線照射後の半導
体基体１は水素雰囲気中で４００°Ｃ程度、１時間程度
の熱処理が行われ、ＧＴＯサイリスタ部２のオン電圧、
ダイオード部３の逆電圧などの電気的特性で所定の特性
値を得る。また、非透過金属板の材質をＡｌより比重の
さらに大きい鉄、銅、モリブデンおよび鉛などの金属に
すると板厚をさらに薄くできる。また、白金拡散の場合
の遮蔽膜としては窒化膜も利用できる。これらの方法を
アロイ形逆導通ＧＴＯサイリスタに適用する場合は、半
導体基体１とモリブデン板８（図５）を合金した後、モ
リブデン板８が合金されていない半導体基体１の主面か
ら電子線照射をする。電子線照射とその後の処理の方法
は前記と同じである。
【０００８】
【発明の効果】この発明では、電子線照射か、または電
子線照射と白金拡散の組み合わせによるライフタイム制
御方法を用いることにより、従来の金拡散に比べ、高温
電圧印加時のもれ電流を従来の十分の一程度の４５００
Ｖで１０ｍＡ以下（１２５°Ｃ）に抑えることが可能と
なり、アロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタでの高温
電圧印加時の熱暴走による破壊をなくすることができ
る。また、ＧＴＯサイリスタ部とダイオード部の電子線
照射量を変えて、同時に熱処理することで、ＧＴＯサイ
リスタ部のオン電圧、ダイオード部の逆電圧を同時に適
正値にすることができるため製造工程を短縮できる。ま
た、アロイ形逆導通ＧＴＯサイリスタに適用した場合も
同様の効果が得られる。
子線照射と白金拡散の組み合わせによるライフタイム制
御方法を用いることにより、従来の金拡散に比べ、高温
電圧印加時のもれ電流を従来の十分の一程度の４５００
Ｖで１０ｍＡ以下（１２５°Ｃ）に抑えることが可能と
なり、アロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタでの高温
電圧印加時の熱暴走による破壊をなくすることができ
る。また、ＧＴＯサイリスタ部とダイオード部の電子線
照射量を変えて、同時に熱処理することで、ＧＴＯサイ
リスタ部のオン電圧、ダイオード部の逆電圧を同時に適
正値にすることができるため製造工程を短縮できる。ま
た、アロイ形逆導通ＧＴＯサイリスタに適用した場合も
同様の効果が得られる。
【図１】ダイオード部を電子線照射した後、半導体基体
全体を電子線照射する実施例を示す工程図で、同図
（ａ）はダイオード部に電子線照射する工程図、同図
（ｂ）は半導体基体全面に電子線照射する工程図。
全体を電子線照射する実施例を示す工程図で、同図
（ａ）はダイオード部に電子線照射する工程図、同図
（ｂ）は半導体基体全面に電子線照射する工程図。
【図２】半導体基体全面を電子線照射した後、ダイオー
ド部に電子線照射する他の実施例を示す工程図で、同図
（ａ）は半導体基体全面に電子線照射する工程図、同図
（ｂ）はダイオード部に電子線照射する工程図。
ド部に電子線照射する他の実施例を示す工程図で、同図
（ａ）は半導体基体全面に電子線照射する工程図、同図
（ｂ）はダイオード部に電子線照射する工程図。
【図３】ＧＴＯサイリスタ部およびダイオード部をそれ
ぞれ単独に電子線照射する別の実施例を示す工程図で、
同図（ａ）はダイオード部に電子線照射する工程図、同
図（ｂ）はＧＴＯサイリスタ部に電子線照射する工程
図。
ぞれ単独に電子線照射する別の実施例を示す工程図で、
同図（ａ）はダイオード部に電子線照射する工程図、同
図（ｂ）はＧＴＯサイリスタ部に電子線照射する工程
図。
【図４】ダイオード部を白金拡散した後、ＧＴＯサイリ
スタ部に酸化膜を付けたまま、半導体基体全面に電子線
照射する更に他の実施例を示す工程図で、同図（ａ）は
ダイオード部を白金拡散する工程図、同図（ｂ）はＧＴ
Ｏサイリスタ部に酸化膜を付けたまま半導体基体全面に
電子線照射する工程図。
スタ部に酸化膜を付けたまま、半導体基体全面に電子線
照射する更に他の実施例を示す工程図で、同図（ａ）は
ダイオード部を白金拡散する工程図、同図（ｂ）はＧＴ
Ｏサイリスタ部に酸化膜を付けたまま半導体基体全面に
電子線照射する工程図。
【図５】従来例を説明するための構成図で、同図（ａ）
はアロイ形逆導通ＧＴＯサイリスタの構成図、同図
（ｂ）はアロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタの構成
図。
はアロイ形逆導通ＧＴＯサイリスタの構成図、同図
（ｂ）はアロイフリー形逆導通ＧＴＯサイリスタの構成
図。
１ 半導体基体 ２ ＧＴＯサイリスタ部 ３ ダイオード部 ４ Ａｌ板 ５ 電子線 ６ 酸化膜 ７ 白金 ８ モリブデン板 ９ シリコーンゴム １０ 合金層 １１ ベベル部 ４１ ドーナッツ状Ａｌ板
Claims (7)
- 【請求項１】ｐｎｐｎの４層構造からなるＧＴＯサイリ
スタ部とｐｎの２層構造からなるダイオード部とが同一
半導体基体に集積された逆導通ＧＴＯサイリスタにおい
て、ＧＴＯサイリスタ部およびダイオード部のライフタ
イム制御を少なくとも電子線を用いて個別に行うことを
特徴とする逆導通ＧＴＯサイリスタの製造方法。 - 【請求項２】電子線を遮蔽する非透過金属板でＧＴＯサ
イリスタ部を覆い、ダイオード部のみに電子線を照射
し、その後、該非透過金属板を除去し、半導体基体全面
に電子線を照射することを特徴とする請求項１記載の逆
導通ＧＴＯサイリスタの製造方法。 - 【請求項３】半導体基体全面に電子線を照射し、その
後、電子線を遮蔽する非透過金属板でＧＴＯサイリスタ
部を覆い、ダイオード部のみに電子線を照射することを
特徴とする請求項１記載の逆導通ＧＴＯサイリスタの製
造方法。 - 【請求項４】電子線を遮蔽する非透過金属板でＧＴＯサ
イリスタ部を覆い、ダイオード部のみに電子線を照射
し、その後、ダイオード部を該非透過金属板で覆い、Ｇ
ＴＯサイリスタ部のみに電子線を照射することを特徴と
する請求項１記載の逆導通ＧＴＯサイリスタの製造方
法。 - 【請求項５】ダイオード部に白金を拡散し、その後、電
子線を遮蔽する非透過金属板でダイオード部を覆い、Ｇ
ＴＯサイリスタ部に電子線を照射することを特徴とする
請求項１記載の逆導通ＧＴＯサイリスタの製造方法。 - 【請求項６】ダイオード部に白金を拡散し、その後、半
導体基体全面に電子線を照射することを特徴とする請求
項１記載の逆導通ＧＴＯサイリスタの製造方法。 - 【請求項７】電子線を遮蔽する非透過金属板として比重
がシリコンより大きい金属板を使うことを特徴とする請
求項２、３、４又は５のいずれか記載の逆導通ＧＴＯサ
イリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14880494A JPH0818030A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 逆導通ｇｔｏサイリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14880494A JPH0818030A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 逆導通ｇｔｏサイリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818030A true JPH0818030A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15461085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14880494A Pending JPH0818030A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 逆導通ｇｔｏサイリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005020320A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | 半導体装置及びその製造方法、この半導体装置を用いた電力変換装置 |
| JPWO2010122628A1 (ja) * | 2009-04-20 | 2012-10-22 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14880494A patent/JPH0818030A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005020320A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | 半導体装置及びその製造方法、この半導体装置を用いた電力変換装置 |
| JPWO2005020320A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2006-10-19 | 関西電力株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、この半導体装置を用いた電力変換装置 |
| CN100416803C (zh) * | 2003-08-22 | 2008-09-03 | 关西电力株式会社 | 半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置 |
| US7462888B2 (en) | 2003-08-22 | 2008-12-09 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device |
| US7462886B2 (en) | 2003-08-22 | 2008-12-09 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device |
| US7482237B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-01-27 | The Kansai Electric Power Co, Inc. | Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device |
| US7544970B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-06-09 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device |
| JPWO2010122628A1 (ja) * | 2009-04-20 | 2012-10-22 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| JP5472293B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-04-16 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
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