JPH08179390A - 光送信装置 - Google Patents
光送信装置Info
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- JPH08179390A JPH08179390A JP6322951A JP32295194A JPH08179390A JP H08179390 A JPH08179390 A JP H08179390A JP 6322951 A JP6322951 A JP 6322951A JP 32295194 A JP32295194 A JP 32295194A JP H08179390 A JPH08179390 A JP H08179390A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の光変調器を用いることなく、比較的簡
単な構成で、主信号に対して監視制御用の低周波信号を
重畳する。 【構成】 コヒーレント光を送出する光源３１と、この
光源３１から送出される光を光導波路３３１に通し、光
導波路３３１上に配置される変調用電極３３２に電気信
号を流すことで、電気光学効果により光導波路３３１を
通る光を変調する外部光変調器３３と、この外部光変調
器３３への電気信号を差動増幅する差動増幅器を備え、
この差動増幅器の出力端を前記変調用電極３３２の一方
端に接続し、その他方端を終端してなる駆動回路３５と
を具備し、前記差動増幅器の駆動電流を低周波の監視制
御用信号により可変制御することで主信号となる電気信
号に監視制御用信号を重畳するようにした。
単な構成で、主信号に対して監視制御用の低周波信号を
重畳する。 【構成】 コヒーレント光を送出する光源３１と、この
光源３１から送出される光を光導波路３３１に通し、光
導波路３３１上に配置される変調用電極３３２に電気信
号を流すことで、電気光学効果により光導波路３３１を
通る光を変調する外部光変調器３３と、この外部光変調
器３３への電気信号を差動増幅する差動増幅器を備え、
この差動増幅器の出力端を前記変調用電極３３２の一方
端に接続し、その他方端を終端してなる駆動回路３５と
を具備し、前記差動増幅器の駆動電流を低周波の監視制
御用信号により可変制御することで主信号となる電気信
号に監視制御用信号を重畳するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、外部光変調器を用い
た光送信装置に関する。
た光送信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバアンプを用いて、超高
速信号を無再生で超長距離伝送することができるように
なってきている。このような光伝送システムの光送信装
置においては、光ファイバの分散による波形劣化を防ぐ
ため、光変調器が用いられている。
速信号を無再生で超長距離伝送することができるように
なってきている。このような光伝送システムの光送信装
置においては、光ファイバの分散による波形劣化を防ぐ
ため、光変調器が用いられている。
【０００３】従来の光送信装置の構成を図９に示す。図
９において、光源１１から送出されるコヒーレント光は
光ファイバ１２を介して外部光変調器１３に入射され
る。この光変調器１３は光導波路１３１と変調用電極１
３２を備え、光源１１から送出される光を光導波路１３
１に通し、光導波路１３１上に配置される変調用電極１
３２に電気信号を流すことで、電気光学効果により光導
波路１３１を通る光を変調するもので、その変調光は光
ファイバ１４を介して光伝送路へ送出される。
９において、光源１１から送出されるコヒーレント光は
光ファイバ１２を介して外部光変調器１３に入射され
る。この光変調器１３は光導波路１３１と変調用電極１
３２を備え、光源１１から送出される光を光導波路１３
１に通し、光導波路１３１上に配置される変調用電極１
３２に電気信号を流すことで、電気光学効果により光導
波路１３１を通る光を変調するもので、その変調光は光
ファイバ１４を介して光伝送路へ送出される。
【０００４】光変調器１３を変調駆動する駆動回路１５
は、変調用電極１３２の一方端をバイアスＴ１５１、Ｆ
ＥＴ１５２、ソース抵抗（ＲS ）１５３を介してソース
電圧源ＶSSに接続すると共に、上記バイアスＴ１５１、
ドレイン抵抗（ＲD ）１５４を介してドレイン電圧源Ｖ
DDに接続し、変調用電極１３２の他方端をバイアスＴ１
５５、終端抵抗（ＲE ）１５６を介して接地すると共
に、上記バイアスＴ１５５を介してバイアス電圧源ＶB
に接続して構成される。
は、変調用電極１３２の一方端をバイアスＴ１５１、Ｆ
ＥＴ１５２、ソース抵抗（ＲS ）１５３を介してソース
電圧源ＶSSに接続すると共に、上記バイアスＴ１５１、
ドレイン抵抗（ＲD ）１５４を介してドレイン電圧源Ｖ
DDに接続し、変調用電極１３２の他方端をバイアスＴ１
５５、終端抵抗（ＲE ）１５６を介して接地すると共
に、上記バイアスＴ１５５を介してバイアス電圧源ＶB
に接続して構成される。
【０００５】すなわち、この駆動回路１５では、変調用
電極１３２にバイアス電圧ＶB を与えておき、変調信号
ＶgsによってＦＥＴ１５２のドレイン電圧を制御するこ
とで、変調用電極１３２にドレイン電圧ＶDDの変調信号
を印加する。これにより、変調用電極１３２に変調信号
に対応する電気信号が流れ、電気光学効果により、光導
波路１３１側の伝送光を変調することができる。
電極１３２にバイアス電圧ＶB を与えておき、変調信号
ＶgsによってＦＥＴ１５２のドレイン電圧を制御するこ
とで、変調用電極１３２にドレイン電圧ＶDDの変調信号
を印加する。これにより、変調用電極１３２に変調信号
に対応する電気信号が流れ、電気光学効果により、光導
波路１３１側の伝送光を変調することができる。
【０００６】ところで、光伝送システムにおいては、光
伝送路の監視制御を行うことが必要である。このため
に、伝送する主信号に低周波の監視制御用信号を重畳す
ることがある。
伝送路の監視制御を行うことが必要である。このため
に、伝送する主信号に低周波の監視制御用信号を重畳す
ることがある。
【０００７】図９に示した光送信装置において、光変調
器１３及び駆動回路１５を用いて監視制御用信号の重畳
を行うには、駆動回路１５中のバイアスＴ１５１を用い
て、ＦＥＴ１５２のドレイン電圧ＶDDを変調することが
考えられる。しかし、バイアスＴ１５１のコイルから供
給できる低周波は高々１００ｋＨｚ止まりであり、監視
制御用信号の情報量が増えた場合に対応できない。
器１３及び駆動回路１５を用いて監視制御用信号の重畳
を行うには、駆動回路１５中のバイアスＴ１５１を用い
て、ＦＥＴ１５２のドレイン電圧ＶDDを変調することが
考えられる。しかし、バイアスＴ１５１のコイルから供
給できる低周波は高々１００ｋＨｚ止まりであり、監視
制御用信号の情報量が増えた場合に対応できない。
【０００８】一方、光変調器としてニオブ酸リチウムの
光導波路を用いた変調器（以下、ＬＮ変調器と称する）
が最近実用化されている。ところが、このＬＮ変調器を
図９に示した外部光変調器１３に用い、駆動回路１５で
駆動して監視制御用信号として低周波を重畳した場合、
ＬＮ変調器の入出力特性から、図１０に示すように光出
力波形に重畳した監視制御用信号の低周波成分が現れな
くなってしまう。
光導波路を用いた変調器（以下、ＬＮ変調器と称する）
が最近実用化されている。ところが、このＬＮ変調器を
図９に示した外部光変調器１３に用い、駆動回路１５で
駆動して監視制御用信号として低周波を重畳した場合、
ＬＮ変調器の入出力特性から、図１０に示すように光出
力波形に重畳した監視制御用信号の低周波成分が現れな
くなってしまう。
【０００９】また、監視制御用信号の重畳を行う他の方
法として、光変調器を２台使用する方法がある。図１１
にその構成例を示す。図１１において、光源２１から送
出されるコヒーレント光は光ファイバ２２を介して第１
の光変調器２３に入射され、ここで主信号による変調を
受けた後、光ファイバ２４を介して第２の光変調器２５
に入射され、ここで監視制御用信号が重畳された後、光
ファイバ２６を介して光伝送路へ送出される。すなわ
ち、第１の光変調器２３にて伝送光を主信号でデジタル
変調し、第２の光変調器２５で監視制御用信号を重畳す
ることができる。しかしながら、この方法では、高価な
光変調器を２台使用する必要があり、光送信装置の高価
格化を招いてしまうという問題がある。
法として、光変調器を２台使用する方法がある。図１１
にその構成例を示す。図１１において、光源２１から送
出されるコヒーレント光は光ファイバ２２を介して第１
の光変調器２３に入射され、ここで主信号による変調を
受けた後、光ファイバ２４を介して第２の光変調器２５
に入射され、ここで監視制御用信号が重畳された後、光
ファイバ２６を介して光伝送路へ送出される。すなわ
ち、第１の光変調器２３にて伝送光を主信号でデジタル
変調し、第２の光変調器２５で監視制御用信号を重畳す
ることができる。しかしながら、この方法では、高価な
光変調器を２台使用する必要があり、光送信装置の高価
格化を招いてしまうという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の光送信装置では、光伝送路の監視制御信号を伝送光
に重畳するには、複数の光変調器を用いなければなら
ず、コスト増大が余儀なくされていた。
来の光送信装置では、光伝送路の監視制御信号を伝送光
に重畳するには、複数の光変調器を用いなければなら
ず、コスト増大が余儀なくされていた。
【００１１】この発明は上記の課題を解決するためにな
されたもので、複数の光変調器を用いることなく、光伝
送路の監視制御信号を光信号に重畳することができ、経
済的に有利な光送信装置を提供することを目的とする。
されたもので、複数の光変調器を用いることなく、光伝
送路の監視制御信号を光信号に重畳することができ、経
済的に有利な光送信装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明に係る光送信装置は、コヒーレント光を送出
する光源と、この光源から送出される光を光導波路に通
し、光導波路上に配置される変調用電極に電気信号を流
すことで、電気光学効果により光導波路を通る光を変調
する外部光変調器と、この外部光変調器への電気信号を
差動増幅する差動増幅器を備え、この差動増幅器の出力
端を前記変調用電極の一方端に接続し、その他方端を終
端してなる駆動回路とを具備し、前記差動増幅器の駆動
電流を低周波の監視制御用信号により可変制御するよう
にしたことを特徴とする。
にこの発明に係る光送信装置は、コヒーレント光を送出
する光源と、この光源から送出される光を光導波路に通
し、光導波路上に配置される変調用電極に電気信号を流
すことで、電気光学効果により光導波路を通る光を変調
する外部光変調器と、この外部光変調器への電気信号を
差動増幅する差動増幅器を備え、この差動増幅器の出力
端を前記変調用電極の一方端に接続し、その他方端を終
端してなる駆動回路とを具備し、前記差動増幅器の駆動
電流を低周波の監視制御用信号により可変制御するよう
にしたことを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記構成による光送信装置では、外部光変調器
の駆動に差動増幅器を用い、その差動増幅器の出力によ
り主信号の変調を行い、その差動増幅器の駆動電流を監
視制御用信号で変化させて主信号に監視制御用信号を重
畳するようにして、監視制御用信号の周波数が高くなっ
た場合にも対応可能としている。
の駆動に差動増幅器を用い、その差動増幅器の出力によ
り主信号の変調を行い、その差動増幅器の駆動電流を監
視制御用信号で変化させて主信号に監視制御用信号を重
畳するようにして、監視制御用信号の周波数が高くなっ
た場合にも対応可能としている。
【００１４】
【実施例】以下、図１乃至図８を参照してこの発明の実
施例を詳細に説明する。図１はこの発明に係る光送信装
置の第１の実施例の構成を示すもので、光源３１から送
出されるコヒーレント光は光ファイバ３２を介して外部
光変調器３３に入射される。この光変調器３３は光導波
路３３１と変調用電極３３２を備え、変調用電極３３２
に印加される電気信号に応じて光導波路３３１の伝送光
を変調するもので、その変調光は光ファイバ３４を介し
て光伝送路へ送出される。
施例を詳細に説明する。図１はこの発明に係る光送信装
置の第１の実施例の構成を示すもので、光源３１から送
出されるコヒーレント光は光ファイバ３２を介して外部
光変調器３３に入射される。この光変調器３３は光導波
路３３１と変調用電極３３２を備え、変調用電極３３２
に印加される電気信号に応じて光導波路３３１の伝送光
を変調するもので、その変調光は光ファイバ３４を介し
て光伝送路へ送出される。
【００１５】光変調器３３を変調駆動する駆動回路３５
は、差動増幅器で構成される。差動増幅器を構成する能
動素子として、ここでは電界効果トランジスタ（以下、
ＦＥＴと称する）を考える。尚、以下の説明でＦＥＴを
バイポーラトランジスタ、ドレインをコレクタ、ゲート
をベース、ソースをエミッタと置き換えれば、能動素子
としてバイポーラトランジスタを考えたものになる。
は、差動増幅器で構成される。差動増幅器を構成する能
動素子として、ここでは電界効果トランジスタ（以下、
ＦＥＴと称する）を考える。尚、以下の説明でＦＥＴを
バイポーラトランジスタ、ドレインをコレクタ、ゲート
をベース、ソースをエミッタと置き換えれば、能動素子
としてバイポーラトランジスタを考えたものになる。
【００１６】差動増幅器の構成は以下の通りである。ま
ず、差動対となる一方のＦＥＴ３５１のドレインは負荷
抵抗（ＲL1）３５２を介してドレイン電圧源ＶDDに接続
され、他方のＦＥＴ３５３のドレインは整合用抵抗（Ｒ
m ）３５４、外部光変調器３３の変調用電極３３２、負
荷抵抗（ＲL2）３５５を経てドレイン電圧源ＶDDに接続
される。つまり、ＦＥＴ３５３の負荷抵抗３５５が光変
調器３３の終端抵抗として兼用されている。
ず、差動対となる一方のＦＥＴ３５１のドレインは負荷
抵抗（ＲL1）３５２を介してドレイン電圧源ＶDDに接続
され、他方のＦＥＴ３５３のドレインは整合用抵抗（Ｒ
m ）３５４、外部光変調器３３の変調用電極３３２、負
荷抵抗（ＲL2）３５５を経てドレイン電圧源ＶDDに接続
される。つまり、ＦＥＴ３５３の負荷抵抗３５５が光変
調器３３の終端抵抗として兼用されている。
【００１７】一方、ＦＥＴ３５１，３５３の各ソースは
共通接続されて電流源を構成するＦＥＴ３５６のドレイ
ンに接続され、ＦＥＴ３５６のソースはソース抵抗（Ｒ
S ）３５７を介してソース電圧源ＶSSに接続される。
共通接続されて電流源を構成するＦＥＴ３５６のドレイ
ンに接続され、ＦＥＴ３５６のソースはソース抵抗（Ｒ
S ）３５７を介してソース電圧源ＶSSに接続される。
【００１８】上記構成において、上記駆動回路３５を構
成する差動増幅器の動作を説明する。図２は差動増幅器
の基本的な構成を示すもので、ＦＥＴ1 （図１のＦＥＴ
３５１に相当）のみに信号ｖg1を入力した場合、ＦＥＴ
2 （図１のＦＥＴ３５３に相当）を流れるドレイン電流
ＩD2が変化する。このドレイン電流ＩD2が増加したと
き、ソース抵抗ＲS による電圧効果が大きくなるため、
ＦＥＴ1 ，ＦＥＴ2 のソース電位が上昇し、それぞれを
流れるドレイン電流ＩD1，ＩD2が減少する。ＦＥＴ1 の
みに信号を入力した場合も同様である。ソース抵抗ＲS
が十分大きい場合、２つのＦＥＴ1 ，ＦＥＴ2 を流れる
電流ＩD1，ＩD2の和は一定に保たれる。
成する差動増幅器の動作を説明する。図２は差動増幅器
の基本的な構成を示すもので、ＦＥＴ1 （図１のＦＥＴ
３５１に相当）のみに信号ｖg1を入力した場合、ＦＥＴ
2 （図１のＦＥＴ３５３に相当）を流れるドレイン電流
ＩD2が変化する。このドレイン電流ＩD2が増加したと
き、ソース抵抗ＲS による電圧効果が大きくなるため、
ＦＥＴ1 ，ＦＥＴ2 のソース電位が上昇し、それぞれを
流れるドレイン電流ＩD1，ＩD2が減少する。ＦＥＴ1 の
みに信号を入力した場合も同様である。ソース抵抗ＲS
が十分大きい場合、２つのＦＥＴ1 ，ＦＥＴ2 を流れる
電流ＩD1，ＩD2の和は一定に保たれる。
【００１９】図３に示す差動増幅器は図２のソース抵抗
ＲS をＦＥＴ3 （図１のＦＥＴ３５６に相当）による電
流源で置換している。この方法は同相電圧除去比を大き
くするためによく用いられる。ＦＥＴ3 のゲート・ソー
ス間電圧ＶGS3 によりそのドレイン電流ＩD3が変化す
る。この様子を図４に示す。すなわち、ＦＥＴ3 のゲー
トに監視制御用の低周波信号（交流電圧）ｖg3を印加し
た場合、ＦＥＴ3 を流れるドレイン電流（交流電流）Ｉ
d3は図５に示すように変化する。
ＲS をＦＥＴ3 （図１のＦＥＴ３５６に相当）による電
流源で置換している。この方法は同相電圧除去比を大き
くするためによく用いられる。ＦＥＴ3 のゲート・ソー
ス間電圧ＶGS3 によりそのドレイン電流ＩD3が変化す
る。この様子を図４に示す。すなわち、ＦＥＴ3 のゲー
トに監視制御用の低周波信号（交流電圧）ｖg3を印加し
た場合、ＦＥＴ3 を流れるドレイン電流（交流電流）Ｉ
d3は図５に示すように変化する。
【００２０】以上の動作から、図１の実施例において、
ＦＥＴ３５６に監視制御用の低周波信号（交流電圧）ｖ
g3を印加している状態で、ＦＥＴ３５３のゲートに主信
号Ｖg2を印加したときのＦＥＴ３５３の入出力特性を図
６に示すようになる。尚、図６（ａ）はＦＥＴ３５６の
入出力関係、図６（ｂ）はＦＥＴ３５３の入出力関係を
示している。
ＦＥＴ３５６に監視制御用の低周波信号（交流電圧）ｖ
g3を印加している状態で、ＦＥＴ３５３のゲートに主信
号Ｖg2を印加したときのＦＥＴ３５３の入出力特性を図
６に示すようになる。尚、図６（ａ）はＦＥＴ３５６の
入出力関係、図６（ｂ）はＦＥＴ３５３の入出力関係を
示している。
【００２１】図６から明らかなように、ＦＥＴ３５３を
流れる電流ＩD2がＦＥＴ３５６に印加した低周波信号に
応じて制限され、主信号ＶG2に重畳される。主信号はＦ
ＥＴ３５１、ＦＥＴ３５３のどちらかのゲートのみに供
給し、他方のゲートにリファレンス電圧を供給すればよ
いが、双方に差動で供給するようにしてもよい。
流れる電流ＩD2がＦＥＴ３５６に印加した低周波信号に
応じて制限され、主信号ＶG2に重畳される。主信号はＦ
ＥＴ３５１、ＦＥＴ３５３のどちらかのゲートのみに供
給し、他方のゲートにリファレンス電圧を供給すればよ
いが、双方に差動で供給するようにしてもよい。
【００２２】差動増幅器の出力はどちらかのＦＥＴ（図
１ではＦＥＴ３５３）のドレインより取り出す。光変調
器３３としてＬＮ変調器を用いた場合、ＦＥＴ３５３の
ドレインとＬＮ変調器３３をＡＣ結合すると、図１０に
示したように、電気信号で重畳した低周波成分が光出力
波形に現れない。このため、ＦＥＴ３５３のドレインと
光変調器３３の電極を直結する。
１ではＦＥＴ３５３）のドレインより取り出す。光変調
器３３としてＬＮ変調器を用いた場合、ＦＥＴ３５３の
ドレインとＬＮ変調器３３をＡＣ結合すると、図１０に
示したように、電気信号で重畳した低周波成分が光出力
波形に現れない。このため、ＦＥＴ３５３のドレインと
光変調器３３の電極を直結する。
【００２３】この場合のＬＮ変調器３３の入出力特性を
図７に示す。すなわち、差動増幅器とＬＮ変調器をＤＣ
結合させているため、ＶDD、ＶSSを適切に選べば、図７
に示すように監視制御用信号を重畳することができる。
図７に示す。すなわち、差動増幅器とＬＮ変調器をＤＣ
結合させているため、ＶDD、ＶSSを適切に選べば、図７
に示すように監視制御用信号を重畳することができる。
【００２４】ところで、理想的なＬＮ変調器は信号が入
力されないとき最大の光透過係数を持ち、入力電気信号
に応じて光透過係数が変化する。最適な光出力波形を得
るためには、図７に示したように、ＬＮ変調器に入力さ
れる電気信号の直流成分を適切な値に設定しなければな
らない。第１の実施例の構成では、光変調器３３に入力
される電気信号の直流成分を調整するには、ＶDD、ＶSS
を同時に変化させなければならない。
力されないとき最大の光透過係数を持ち、入力電気信号
に応じて光透過係数が変化する。最適な光出力波形を得
るためには、図７に示したように、ＬＮ変調器に入力さ
れる電気信号の直流成分を適切な値に設定しなければな
らない。第１の実施例の構成では、光変調器３３に入力
される電気信号の直流成分を調整するには、ＶDD、ＶSS
を同時に変化させなければならない。
【００２５】このような繁雑さを回避できるようにした
この発明に係る第２の実施例を図８に示す。尚、図８に
おいて、図１と同一部分には同一符号を付して示し、こ
こでは異なる部分を中心に説明する。
この発明に係る第２の実施例を図８に示す。尚、図８に
おいて、図１と同一部分には同一符号を付して示し、こ
こでは異なる部分を中心に説明する。
【００２６】図８は外部光変調器として２電極型のＬＮ
変調器を用いた場合の構成を示している。図８におい
て、外部光変調器３６内の３６１，３６２はそれぞれＬ
Ｎ変調器を構成する第１、第２の変調用電極である。図
では光導波路が省略されている。
変調器を用いた場合の構成を示している。図８におい
て、外部光変調器３６内の３６１，３６２はそれぞれＬ
Ｎ変調器を構成する第１、第２の変調用電極である。図
では光導波路が省略されている。
【００２７】この場合、駆動回路３５の構成は図１に示
した実施例と同様に差動増幅器で構成される。すなわ
ち、第１の変調用電極３６１は、一方端が整合用抵抗
（Ｒm ）３５４を介してＦＥＴ３５３のドレインＤに接
続され、他方端は終端抵抗として機能する負荷抵抗（Ｒ
L2）３５５を介してドレイン電圧源ＶDDに接続される。
ＬＮ変調器の第２の変調用電極３６１は一方端にバイア
ス電圧ＶB が供給される。
した実施例と同様に差動増幅器で構成される。すなわ
ち、第１の変調用電極３６１は、一方端が整合用抵抗
（Ｒm ）３５４を介してＦＥＴ３５３のドレインＤに接
続され、他方端は終端抵抗として機能する負荷抵抗（Ｒ
L2）３５５を介してドレイン電圧源ＶDDに接続される。
ＬＮ変調器の第２の変調用電極３６１は一方端にバイア
ス電圧ＶB が供給される。
【００２８】上記構成によれば、バイアス電圧ＶB がＦ
ＥＴ３５１，３５３のドレイン電圧ＶDD、ソース電圧Ｖ
SSに無関係に変化させることができる。このため、バイ
アス電圧ＶB を監視制御用信号に応じて変化させること
で、主信号に監視制御用信号を重畳しつつ、簡単に最適
光出力波形を得ることができ、光変調器３６に入力され
る電気信号の直流成分の繁雑な調整作業を省くことがで
きる。
ＥＴ３５１，３５３のドレイン電圧ＶDD、ソース電圧Ｖ
SSに無関係に変化させることができる。このため、バイ
アス電圧ＶB を監視制御用信号に応じて変化させること
で、主信号に監視制御用信号を重畳しつつ、簡単に最適
光出力波形を得ることができ、光変調器３６に入力され
る電気信号の直流成分の繁雑な調整作業を省くことがで
きる。
【００２９】尚、上記実施例において、差動増幅器の駆
動電流は一定であればよいので、ＦＥＴ３５６は省略し
てもかまわない。その他、この発明は上述した実施例に
限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々変形しても同様に実施可能であることはいう
までもない。
動電流は一定であればよいので、ＦＥＴ３５６は省略し
てもかまわない。その他、この発明は上述した実施例に
限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々変形しても同様に実施可能であることはいう
までもない。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、複
数の光変調器を用いることなく、比較的簡単な構成で、
主信号に対して監視制御用の低周波信号を重畳すること
のできる光送信装置を提供することができる。
数の光変調器を用いることなく、比較的簡単な構成で、
主信号に対して監視制御用の低周波信号を重畳すること
のできる光送信装置を提供することができる。
【図１】この発明に係る光送信装置の第１の実施例の構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図２】同実施例のＦＥＴを用いた差動増幅器の構成を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図３】同実施例において、ソース抵抗の代わりにＦＥ
Ｔ電流源を用いた場合の差動増幅器の構成を示す回路図
である。
Ｔ電流源を用いた場合の差動増幅器の構成を示す回路図
である。
【図４】同実施例の差動増幅器に用いられるＦＥＴのド
レイン・ソース間電圧−ドレイン電流特性を示す特性図
である。
レイン・ソース間電圧−ドレイン電流特性を示す特性図
である。
【図５】同実施例の電流源用ＦＥＴに低周波を印加した
ときのゲート・ソース間電圧−ドレイン電流特性を示す
特性図である。
ときのゲート・ソース間電圧−ドレイン電流特性を示す
特性図である。
【図６】同実施例で電流源用ＦＥＴに低周波を印加して
いるときの差動対ＦＥＴの一方のゲート・ソース間電圧
−ドレイン電流特性を示す特性図である。
いるときの差動対ＦＥＴの一方のゲート・ソース間電圧
−ドレイン電流特性を示す特性図である。
【図７】同実施例で電流源用ＦＥＴに低周波信号を差動
対ＦＥＴの一方に主信号を印加したときの変調器入力波
形と出力光波形を示す波形図である。
対ＦＥＴの一方に主信号を印加したときの変調器入力波
形と出力光波形を示す波形図である。
【図８】この発明に係る第２の実施例を構成を示す回路
図である。
図である。
【図９】従来の光送信装置の構成を示す回路図である。
【図１０】従来例でのＬＮ変調器に入力される波形と出
力波形を示す波形図である。
力波形を示す波形図である。
【図１１】他の従来例を示す回路図である。
１１…光源、１２…光ファイバ、１３…外部光変調器、
１３１…光導波路、１３２…変調用電極、１４…光ファ
イバ、１５…駆動回路、１５１…バイアスＴ、１５２…
ＦＥＴ、１５３…ソース抵抗、１５４…ドレイン抵抗、
１５５…バイアスＴ、１５６…終端抵抗、２１…光源、
２２…光ファイバ、２３…第１の光変調器、２４…光フ
ァイバ、２５…第２の光変調器、３１…光源、３２…光
ファイバ、３３…外部光変調器、３３１…光導波路、３
３２…変調用電極、３４…光ファイバ、３５…駆動回
路、３５１…ＦＥＴ、３５２…負荷抵抗、３５３…ＦＥ
Ｔ、３５４…整合用抵抗、３５５…負荷抵抗（終端抵
抗）、３５６…ＦＥＴ、３５７…ソース抵抗、３６…外
部光変調器、３６１…第１の変調用電極、３６２…第２
の変調用電極。
１３１…光導波路、１３２…変調用電極、１４…光ファ
イバ、１５…駆動回路、１５１…バイアスＴ、１５２…
ＦＥＴ、１５３…ソース抵抗、１５４…ドレイン抵抗、
１５５…バイアスＴ、１５６…終端抵抗、２１…光源、
２２…光ファイバ、２３…第１の光変調器、２４…光フ
ァイバ、２５…第２の光変調器、３１…光源、３２…光
ファイバ、３３…外部光変調器、３３１…光導波路、３
３２…変調用電極、３４…光ファイバ、３５…駆動回
路、３５１…ＦＥＴ、３５２…負荷抵抗、３５３…ＦＥ
Ｔ、３５４…整合用抵抗、３５５…負荷抵抗（終端抵
抗）、３５６…ＦＥＴ、３５７…ソース抵抗、３６…外
部光変調器、３６１…第１の変調用電極、３６２…第２
の変調用電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06
Claims (4)
- 【請求項１】 コヒーレント光を送出する光源と、 この光源から送出される光を光導波路に通し、光導波路
上に配置される変調用電極に電気信号を流すことで、電
気光学効果により光導波路を通る光を変調する外部光変
調器と、 この外部光変調器への電気信号を差動増幅する差動増幅
器を備え、この差動増幅器の出力端を前記変調用電極の
一方端に接続し、その他方端を終端してなる駆動回路と
を具備し、 前記差動増幅器の駆動電流を低周波の監視制御用信号に
より可変制御するようにしたことを特徴とする光送信装
置。 - 【請求項２】 前記駆動回路を構成する差動増幅器の負
荷抵抗を前記変調用電極の終端抵抗として用いるように
したことを特徴とする請求項１記載の光送信装置。 - 【請求項３】 前記外部光変調器は、ニオブ酸リチウム
の光導波路を用いた変調器であることを特徴とする請求
項１記載の光送信装置。 - 【請求項４】 コヒーレント光を送出する光源と、 ニオブ酸リチウムの光導波路及び当該光導波路に対向配
置される第１、第２の変調用電極を有し、前記光源から
送出される光を光導波路に通し、前記第１の変調用電極
に電気信号を流し、前記第２の変調用電極にバイアス電
圧を印加することで、電気光学効果により光導波路を通
る光を変調する外部光変調器と、 この外部光変調器への電気信号を差動増幅する差動増幅
器を備え、この差動増幅器の出力端を前記変調用電極の
一方端に接続し、その他方端を終端してなる駆動回路と
を具備し、 前記外部光変調器の第２の変調用電極に印加されるバイ
アス電圧を低周波の監視制御用信号により可変制御する
ようにしたことを特徴とする光送信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6322951A JPH08179390A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6322951A JPH08179390A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 光送信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179390A true JPH08179390A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18149470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6322951A Pending JPH08179390A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 光送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08179390A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048582A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 変調装置、送信装置、変調方法及び通信システム |
| JPH10246874A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器制御回路 |
| JP2009008978A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Anritsu Corp | 光変調器 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP6322951A patent/JPH08179390A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048582A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 変調装置、送信装置、変調方法及び通信システム |
| JPH10246874A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器制御回路 |
| JP2009008978A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Anritsu Corp | 光変調器 |
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