JP3602992B2 - 光送信モジュール - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低電源電圧で大振幅の出力が得ることが可能なドライバ回路および該ドライバ回路を用いた光送信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１４に光ネットワーク網の構成例を示す。
【０００３】
光ネットワーク網は１５０Ｍｂｐｓ、６００Ｍｂｐｓ、２．５Ｇｂｐｓ、１０Ｇｂｐｓなど様々な信号スピードの光ファイバー５８が組み合わされて構成されている。ネットワーク網の中に用いられる伝送装置やルータ等の装置５２には様々なスピードの光送信モジュール４６、光受信モジュール５３および送信モジュール４６、受信モジュール５３を一体にした光モジュール５４が用いられている。光送信モジュール４６には図１５に示すように、低いスピードの信号を時分割多重するＭＵＸ回路５５、エラー検出などネットワークに必要な情報を含むヘッダをデータに付加するヘッダ付加回路５６、０または１の同じデータが長く連続することを防ぐスクランブル回路５７などの論理回路が接続される。
【０００４】
ＭＵＸ回路５５、ヘッダ付加回路５６、スクランブル回路５７などの論理回路は、装置の低消費電力化のため５Ｖまたは−５．２Ｖから３．３Ｖのように電源電圧が下げられている。
【０００５】
６００Ｍｂｐｓ以下の低いスピードの光送信モジュール４６に用いられるドライバ回路１Ｄは、ＭＡＸＩＭ社のＭＡＸ３６６７のカタログ、特に第６頁の図１に示すように可変電流源と電流折り返し回路で構成した、３．３Ｖのような低電源電圧でも動作可能な回路を用いている。
【０００６】
また、２．５Ｇｂｐｓ以上の高速な光モジュール４６に用いられるドライバ回路は電子通信学会技術研究報告ＩＣＤ９５−７４（１９９５年）の第３１頁から第３６頁、特に論文内の第３４頁の図８に示すように、ドライバ回路の高速化のためＧａＡｓプロセスを用い、ソースを互いに接続したトランジスタ対と、トランジスタ対のソース接続点に定電流源回路を接続した差動増幅回路を用いている。
【０００７】
即ち、従来のドライバ回路１０は、図３に示すように、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすＧａＡｓのＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）から構成されたトランジスタ１１とトランジスタ１２およびトランジスタ１１とトランジスタ１２のエミッタ接続点と電源８との間に接続した、トランジスタ１５と抵抗１６および電圧源１４からなる定電流源回路１３からなる差動増幅回路で構成され、負荷２を駆動するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術においては、次のような課題があった。
【０００９】
すなわち、ＭＡＸ３６６７のカタログに示すような回路では縦構造のＰＮＰトランジスタと縦構造のＮＰＮトランジスタが同一のチップ上に存在するコンプリメンタリー バイポーラプロセスが必要であるが、コンプリメンタリー バイポーラプロセスは、チップの構造が複雑になるため、コンプリメンタリーでないバイポーラプロセスに比べ、トランジスタの性能が劣り、高速な光モジュールに必要なドライバ回路に用いることができない。
【００１０】
従来の高速な光モジュールに用いられているドライバ回路に使用されているＧａＡｓのＦＥＴは、Ｓｉ等のバイポーラトランジスタに比べて高価であり、また従来のドライバ回路において、対なるＧａＡｓのＦＥＴを単純に安価な対なるＳｉ等のバイポーラトランジスタに置き換えたとしても、トランジスタのベース・エミッタ間に約０．７〜０．８Ｖ程度必要になるため、特に３．３Ｖなどの低電源電圧でバイポーラトランジスタを飽和させずに動作させることが困難であった。
【００１１】
このため伝送装置やルータ等の装置５２では、高速な２．５Ｇｂｐｓ以上の光モジュールを低電源電圧化することができないため、装置の一層の低消費電力化が困難となるのみならず、低電源電圧である論理部や６００Ｍｂｐｓ以下の低速な光モジュール用の電源と２．５Ｇｂｐｓ以上の高速な光モジュール用の電源の２つの電源が装置に必要となり、装置が大きくなる等の課題があった。
【００１２】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、安価な対なるＳｉ等のコンプリメンタリーでないバイポーラトランジスタ等を用いて、３．３Ｖなどの低電源電圧で該バイポーラトランジスタ等を飽和させずに所望の振幅を持った出力電流信号または出力電圧信号を得ることのできる安価で高速なドライバ回路を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の他の目的は、光送信信号を元に安価で３．３Ｖなどの低電源電圧で動作可能なドライバ回路を用いてレーザダイオードまたは光変調器を駆動して光伝送波を発生させてデータを送信できるようにした、低電源電圧である論理部や６００Ｍｂｐｓ以下の低速な光モジュール用の電源と同一の電源電圧で動作可能な光送信モジュールを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、エミッタを互いに接続した対なるトランジスタと、該対なるトランジスタのエミッタ接続点と電源との間に接続された第１の抵抗とで構成し、前記一方のトランジスタに流れる電流と他方のトランジスタに流れる電流との比が（１／１００）程度以下となるように前記対なるトランジスタの各ベースに対して電位差を付けて付与する際、該付与された対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電流の振幅が制御されるように構成した第１の差動増幅回路を有することを特徴とするドライバ回路である。
【００１５】
また、本発明は、エミッタを互いに接続した対なるバイポーラからなるトランジスタと、該対なるトランジスタのエミッタ接続点と電源との間に接続され、２〜２０Ω程度の低抵抗化した抵抗とで構成し、前記対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電流の振幅が制御されるように構成した第１の差動増幅回路を有することを特徴とするドライバ回路である。
【００１６】
また、本発明は、エミッタを互いに接続した対なるバイポーラからなるトランジスタと、該対なるトランジスタのエミッタ接続点と電源との間に接続され、２〜２０Ω程度の低抵抗化した抵抗とで構成し、前記一方のトランジスタに流れる電流と他方のトランジスタに流れる電流との比が（１／１００）程度以下となるように前記対なるトランジスタの各ベースに対して電位差を付けて付与する際、該付与された対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電流の振幅が制御されるように構成した第１の差動増幅回路を有することを特徴とするドライバ回路である。
【００１７】
また、本発明は、前記ドライバ回路の第１の差動増幅回路において、対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電圧の振幅が制御されるようにトランジスタのコレクタと電源との間に第２の抵抗を接続して構成したことを特徴する。
【００１８】
また、本発明は、前記ドライバ回路の第１の差動増幅回路において、対なるベース接地トランジスタを設け、該対なるベース接地トランジスタの各エミッタを前記対なるトランジスタの各コレクタに接続して構成したことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、前記ドライバ回路の第１の差動増幅回路において、前記対なるトランジスタの各コレクタと前記対なるベース接地トランジスタの各エミッタとの接続点の何れか一方に定電流源回路を接続して構成したことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、前記ドライバ回路において、更に、電圧源を有し、対なる出力の各々を前記差動増幅回路のトランジスタ対の各ベースに付与する前置増幅回路を設け、前記電圧源の電位により前記第１の差動増幅回路の出力電流または出力電圧の振幅を制御するように構成したことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、前記ドライバ回路において、更に、エミッタを互いに接続した対なるトランジスタ、該対なるトランジスタのエミッタ接続点に接続された定電流源回路、前記対なるトランジスタの各コレクタに一端を接続した対なる第３の抵抗、および該対なる第３の抵抗の各他端に電圧源により構成した第２の差動増幅回路と、該第２の差動増幅回路の対なるトランジスタの各コレクタに接続された対なるエミッタフォロア回路とを備えた前置増幅回路を設け、該前置増幅回路の対なるエミッタフォロア回路の各エミッタを前記第１の差動増幅回路の対なるトランジスタの各ベースに接続し、前記第２の差動増幅回路の電圧源の電位により前記第１の差動増幅回路の出力電流または出力電圧の振幅を制御するように構成したことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、前記ドライバ回路において、更に、第１の差動増幅回路の出力電流の振幅値をモニタするモニタ回路を設けたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、前記ドライバ回路において、更に、第１の差動増幅回路の出力電流の振幅値をモニタするモニタ回路を設け、該モニタ回路においてモニタされた出力電流の振幅値に応じて前記電圧源の電位を制御することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、前記ドライバ回路と、該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて第１の差動増幅回路から出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いてレーザダイオード（フォトダイオードも含む）を光強度変調させて光伝送波を出力するレーザダイオードモジュールとを備えたことを光送信モジュールである。
【００２５】
また、本発明は、前記ドライバ回路と、該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて第１の差動増幅回路から出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いて光源から発する光を変調させて光伝送波を出力する光変調器を有する光変調モジュールとを備えたことを光送信モジュールである。
【００２６】
また、本発明は、前記光送信モジュールにおいて、ドライバ回路とレーザダイオードモジュールまたは光変調モジュールとを基板上に実装して構成したことを特徴とする。
【００２７】
また、本発明は、前記光送信モジュールにおいて、ドライバ回路をモノリシックＩＣで構成したことを特徴とする。
【００２８】
また、第一、第二のトランジスタを有する差動増幅回路を備えたドライバ回路であって、該第一もしくは第二のトランジスタのベース電位により出力を制御するように構成したものである。
【００２９】
また、差動増幅回路を構成する第一もしくは第二のトランジスタのベース電位により出力を制御するように構成したドライバ回路と、該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて該差動増幅回路から出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いてレーザダイオードを光強度変調させて光伝送波を出力するレーザダイオードモジュールとを備えたものである。
【００３０】
また、差動増幅回路を構成する第一もしくは第二のトランジスタのベース電位により出力を制御するように構成したドライバ回路と、該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて該差動増幅回路から出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いて光源から発する光を変調させて光伝送波を出力する光変調器を有する光変調モジュールとを備えたものである。
【００３１】
また、第一の速度で信号を伝送する第一の光モジュールと、第二の速度で信号を伝送する第二の光モジュールと、電圧源とを備え、該電圧源が該第一、第二の光モジュールの両方に対して電圧を供給するように構成したものである。
【００３２】
以上説明したように、前記構成のドライバ回路によれば、トランジスタのベース・エミッタ間電圧分、出力振幅を広げることが可能なため、従来の定電流源を用いた対なるＧａＡｓのＦＥＴで構成される差動増幅回路を有するドライバ回路と、同等かそれ以上の出力振幅を、安価なＳｉ等のバイポーラトランジスタを用いて実現することができる。
【００３３】
また、前記構成の光送信モジュールよれば、安価なドライバ回路を用いてレーザダイオードまたは光変調器を駆動して品質が改善された光伝送波を発生させてデータを送信することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路および該ドライバ回路における出力振幅の設定方法並びに上記ドライバ回路を用いた光送信モジュールの実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００３５】
まず、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第１の実施例について図１および図２を用いて説明する。即ち、図１は、本発明に係るドライバ回路の第１の実施例を示す回路図である。図１において、ドライバ回路１Ｄａは、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすバイポーラトランジスタで形成されたトランジスタ３とトランジスタ４およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した２〜２０Ω程度の低抵抗で形成された抵抗５からなる差動増幅回路で構成され、負荷２を駆動する。トランジスタ３および４は、例えば図１１に示す如く、安価なＳｉ等のＮＰＮバイポーラトランジスタで構成される。
【００３６】
図１１に示す如く、ｎｐｎバイポーラトランジスタの場合、ｐ型基板１１０上にｐ層、ｎ層、ｎ＋埋設層、ベース１１３に接続されるｐ層、エミッタ１１２に接続されるｎ＋層、コレクタ１１１に接続されたｎ＋層を有し、トランジスタ３および４を動作させるのにベースとエミッタとの間に高い電圧（０．７〜０．８Ｖ程度）が必要となる。なお、１１４は酸化膜（ＳｉＯ２）を示す。
【００３７】
図２を用いて、ドライバ回路１Ｄａの動作について説明する。
【００３８】
図２はドライバ回路１Ｄａの入出力特性を示す図である。
【００３９】
実線がドライバ回路１ＤａのＩ１で示される出力電流１ａを、点線がトランジスタ４のＩ４で示されるコレクタ電流４ａを示す。ドライバ回路１ＤａのＩ１で示される出力電流１ａは、Ｖ６で与えられる入力電圧６とＶ７で与えられる入力電圧７の電圧差Ｖ６−Ｖ７が大きくなるにつれ、増大する。さらに、Ｖ６で与えられる入力電圧６とＶ７で与えられる入力電圧７の電圧差Ｖ６−Ｖ７を、トランジスタ４のコレクタ電流４ａがトランジスタ３のコレクタ電流１ａの（１／１００）程度以下となるＶｂ以上とすると、出力電流１ａの電流値Ｉ１は、次に示す（数１）式の関係となる。
【００４０】
Ｉ１≒（Ｖ６−Ｖｂｅ３）／Ｒ５ （数１）
但し、Ｖｂｅ３はトランジスタ３のベース・エミッタ間電圧、Ｒ５は抵抗５の抵抗値である。
【００４１】
したがって、トランジスタ対の一方のトランジスタに流れる電流が、他方のトランジスタに流れる電流の（１／１００）程度以下となるようトランジスタ対のベース電位に差を設ける場合、ドライバ回路１Ｄａの電流Ｉ１の振幅はトランジスタ対の高い方のベース電位Ｖ６またはＶ７によって決まることになる。即ち、トランジスタ対の一方のトランジスタ４に流れる電流Ｉ４が、他方のトランジスタ３に流れる電流Ｉ１の（１／１００）程度以下となるようトランジスタ対のベース電位に差を付けて付与すると、トランジスタ対の高い方３のベース電位によってトランジスタ３のコレクタから得られる出力電流Ｉ１の振幅を制御することができる。
【００４２】
次に、本発明に係るドライバ回路１Ｄａの特性を従来のドライバ回路１０の特性と比較して説明する。
【００４３】
即ち、従来のドライバ回路１０の入出力特性を、図１３に示す。実線がドライバ回路１０のＩ１０で示される出力電流１０ａを、点線がトランジスタ１２のＩ１２で示されるコレクタ電流１２ａを示す。ドライバ回路１０のＩ１０で示される出力電流１０ａは、Ｖ６で与えられる入力電圧６とＶ７で与えられる入力電圧７の電圧差Ｖ６−Ｖ７が大きくなるにつれ、増大する。さらに、Ｖ６で与えられる入力電圧６とＶ７で与えられる入力電圧７の電圧差Ｖ６−Ｖ７を、トランジスタ１２のコレクタ電流１２ａがトランジスタ１１のコレクタ電流１０ａの１／１００以下となるＶｂ以上とすると、Ｉ１０で表す出力電流１０ａは、定電流源回路１３の出力電流１３ａの電流値Ｉ１３とほぼ等しくなる。
【００４４】
したがって、トランジスタ対の一方のトランジスタに流れる電流が、他方のトランジスタに流れる電流の１／１００以下となるようトランジスタ対のベース電位に差を設ける場合、ドライバ回路１０の電流振幅は、定電流源回路１３の出力電流１３ａの電流値Ｉ１３で決まり、電圧源１４の電圧値を変えることで制御する。
【００４５】
以上説明したように、図１に示す本発明に係るドライバ回路１Ｄａの特性を図１２に示す従来のドライバ回路１０の特性と比較すると次の如くになる。
【００４６】
差動回路のトランジスタが、動作速度が遅くなり、ラッチアップのおそれの生じる飽和領域に入らないようにするため、負荷２に流すことのできる最大電流値が決まる。
【００４７】
本発明に係るドライバ回路１Ｄａの出力電流１ａの最大電流値Ｉ１ｍａｘは、次に示す（数２）式の関係となる。
【００４８】
Ｉ１ｍａｘ＝（Ｖ９−Ｖ８−Ｖｂｅ３）／（Ｚ２＋Ｒ５） （数２）
但し、Ｖ９は電源９の電位、Ｖ８は電源８の電位である。
【００４９】
また、Ｖｂｅ３はトランジスタ３のベース・エミッタ間電圧、Ｚ２は負荷２のインピーダンス、Ｒ５は抵抗５の抵抗値である。
【００５０】
従来のドライバ回路１０の出力電流１０ａの最大電流Ｉ１０ｍａｘは、次に示す（数３）式の関係となる。
【００５１】

但し、Ｖ９は電源９の電位、Ｖ８は電源８の電位である。
【００５２】
また、Ｖｂｅ１１はＧａＡｓのＦＥＴから構成されるトランジスタ１１のベース・エミッタ間電圧、Ｖｂｅ１５はＧａＡｓのＦＥＴ１５のベース・エミッタ間電圧、Ｚ２は負荷２のインピーダンス、Ｒ１６は抵抗１６の抵抗値である。
【００５３】
これら（数２）式と（数３）式を比較すると、本発明によるドライバ回路１Ｄａは、従来のドライバ回路１０に比べ、電源電圧が等しく、トランジスタ３のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅ３とトランジスタ１１のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅ１１が等しく、抵抗５の抵抗値Ｒ５と抵抗１６の抵抗値Ｒ１６が等しい場合、次の（数４）式で示すΔＩだけ多く電流を流すことが可能となる。
【００５４】
ΔＩ＝Ｖｂｅ１５／（Ｚ２＋Ｒ５） （数４）
図１ではトランジスタ４のコレクタは電源９に接続されているが、トランジスタ４のコレクタと電源９の間に抵抗を接続してもよい。
【００５５】
また、図１ではトランジスタ３、４は、上述したようにＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【００５６】
以上説明したように、図１で示す如くバイポーラトランジスタを用いたドライバ回路１Ｄａにおいて抵抗５を２〜２０Ω程度に低抵抗化することによって図２に示す特性が得られ、図１２に示す一般的な差動増幅器（ドライバ回路）１０に比べ、電源電圧Ｖ９、Ｖ８を同じにしたとき、より多くの出力電流Ｉ１を得ることができる。また、同じ出力電流Ｉ１を、より低い電源電圧Ｖ９、Ｖ８で得ることができる。
【００５７】
また、図１に示すドライバ回路１Ｄａを後述するようにＬＤ（レーザダイオード）を用いた光モジュールに適用した場合、電流をより多く流せるため、より高い周囲温度での動作が可能となる。即ち、ＬＤは温度が高くなると、同じ光出力を出すために、より多くの電流を流す必要があるためである。
【００５８】
また、図１に示すドライバ回路１Ｄａを後述するようにＬＤ（レーザダイオード）を用いた光モジュールに適用した場合、電流を同じにしたとき、より大きいダンピング抵抗４８を接続することができ、光伝送波形の品質を改善することができる。
【００５９】
また、図１に示すドライバ回路１Ｄａを後述するようにＬＤ（レーザダイオード）を用いた光モジュールに適用した場合、電流およびダンピング抵抗４８を同じにしたとき、ドライバ回路の電源電圧をより下げることができるため、光モジュールの低電源電圧化が可能となる。
【００６０】
次に、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第２の実施例について図３を用いて説明する。即ち、図３は、本発明に係るドライバ回路の第２の実施例を示す回路図である。図３において、ドライバ回路１Ｄｂは、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなす前述したバイポーラトランジスタで構成されたトランジスタ３とトランジスタ４、トランジスタ３のコレクタに接続した抵抗１７、トランジスタ４のコレクタに接続した抵抗１８およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した２〜２０Ω程度に低抵抗化された抵抗５からなる差動増幅回路で構成され、負荷２を駆動する。
【００６１】
抵抗１７の抵抗値をドライバ回路１Ｄｂと負荷２を接続する伝送線路１９の特性インピーダンスＺ０と等しくすることにより、ドライバ回路１Ｄｂと負荷２の間で生じる多重反射を減少することが可能となり、光伝送波形の品質を向上することが可能となる。また、トランジスタ３のコレクタと電源９との間に抵抗１７を接続することによって、対なるトランジスタ３、４の高い方のベース電位Ｖ６によってトランジスタ３のコレクタから出力される出力電圧の振幅を制御することができる。
【００６２】
図３では、トランジスタ４のコレクタに抵抗１８を接続しているが、無くてもよい。
【００６３】
また、図３ではトランジスタはＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【００６４】
以上説明したように、図１に示すドライバ回路１Ｄａと同様に、図３で示す如くバイポーラトランジスタを用いたドライバ回路１Ｄｂにおいて抵抗５を２〜２０Ω程度に低抵抗化することによって図２に示す特性が得られ、図１２に示す一般的な差動増幅器（ドライバ回路）１０に比べ、電源電圧Ｖ９、Ｖ８を同じにしたとき、より多くの出力電流Ｉ１を得ることができ、更にドライバ回路１Ｄｂと負荷２の間で生じる多重反射を減少することが可能となり、波形の品質を向上することが可能となる。
【００６５】
また、ドライバ回路１Ｄｂを後述するようにＬＤ（レーザダイオード）を用いた光モジュールに適用した場合、ドライバ回路１Ｄａと同様な効果を得ることができる。
【００６６】
また、ドライバ回路１ＤｄをＥＡ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を用いた光モジュールに適用した場合、より多くの変調電圧を印加することができ、光特性として有利になる。
【００６７】
また、ドライバ回路１ＤｄをＥＡ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を用いた光モジュールに適用した場合、変調電圧を同じにしたときドライバ回路の電源電圧をより下げることができるため、光モジュールの低電源電圧化が可能となる。
【００６８】
次に、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第３の実施例について図４を用いて説明する。図４は、本発明に係るドライバ回路の第３の実施例を示す回路図である。
【００６９】
図４において、ドライバ回路１Ｄｃは、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなす前述したバイポーラトランジスタで構成されたトランジスタ３とトランジスタ４、トランジスタ３のコレクタに接続したベース接地回路をなすトランジスタ２０、トランジスタ４のコレクタに接続したベース接地回路をなすトランジスタ２１およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した２〜２０Ω程度に低抵抗化された抵抗５からなる差動増幅回路で構成され、負荷２を駆動する。
【００７０】
ベース接地回路をなすトランジスタ２０は、トランジスタ３のベース・コレクタ間に生じるミラー容量を低減する。同様にベース接地回路をなすトランジスタ２１は、トランジスタ４のベース・コレクタ間に生じるミラー容量を低減する。
【００７１】
これにより、ドライバ回路１を高速化することが可能となる。
【００７２】
図４ではトランジスタ２１のコレクタは電源９に接続されているが、トランジスタ２１のコレクタと電源９の間に抵抗を接続してもよい。
【００７３】
また、図３のようにドライバ回路１Ｄｃ内で、トランジスタ２０のコレクタと電源９とを抵抗を介して接続してもよい。この場合、トランジスタ２０のコレクタと電源９との間に接続された抵抗の抵抗値をドライバ回路１Ｄｃと負荷２を接続する伝送線路１９の特性インピーダンスＺ０と等しくすることにより、ドライバ回路１Ｄｃと負荷２の間で生じる多重反射を減少し、波形の品質を向上することが可能となる。
【００７４】
また、図４ではトランジスタ３、４はＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【００７５】
以上説明したドライバ回路１Ｄｃによれば、図１および図３に示すドライバ回路１Ｄａおよび１Ｄｂと同様に、図２に示す特性が得られ、図１２に示す一般的な差動増幅器（ドライバ回路）１０に比べ、電源電圧Ｖ９、Ｖ８を同じにしたとき、より多くの出力電流Ｉ１および出力電圧を得ることができ、しかも図１および図３に示すドライバ回路１Ｄａおよび１Ｄｂに比べ、ミラー容量を低減でき回路の高速化を実現することができる。
【００７６】
また、ドライバ回路１Ｄｃを後述するように光モジュールに適用した場合、ドライバ回路１Ｄａ、１Ｄｂと同様な効果を得ることができ、しかもより速い伝送速度を実現することができる。
【００７７】
次に、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第４の実施例について図５を用いて説明する。図５は本発明に係るドライバ回路の第４の実施例を示す回路図である。図５において、ドライバ回路１Ｄｄは、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなす前述したバイポーラトランジスタで構成されたトランジスタ３とトランジスタ４、トランジスタ３のコレクタに接続したベース接地回路をなすトランジスタ２０、トランジスタ４のコレクタに接続したベース接地回路をなすトランジスタ２１およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した２〜２０Ω程度に低抵抗化された抵抗５からなる差動増幅回路と、トランジスタ対をなすトランジスタ３のコレクタとベース接地回路をなすトランジスタ２０のエミッタとの接続点に接続した定電流源回路２３で構成され、負荷２を駆動する。
【００７８】
定電流源回路２３により、ドライバ回路１Ｄｄは負荷２に対してオフセット電流を流すことが可能となる。
【００７９】
さらに定電流源回路２３を、負荷２に流す電流を変化させた時の電圧変動が小さいトランジスタ対をなすトランジスタ３のコレクタとベース接地回路をなすトランジスタ２０のエミッタとの接続点に接続することにより、定電流源回路２３の寄生容量によるドライバ回路１の動作速度の劣化を低減することが可能となる。
【００８０】
図５ではトランジスタ２１のコレクタは電源９に接続されているが、トランジスタ２１のコレクタと電源９の間に抵抗を接続してもよい。
【００８１】
また、図３のようにドライバ回路１Ｄｄ内で、トランジスタ２０のコレクタと電源９とを抵抗を介して接続してもよい。この抵抗の抵抗値をドライバ１と負荷２を接続する伝送線路１９の特性インピーダンスＺ０と等しくすることにより、ドライバ１と負荷２の間で生じる多重反射を減少し、波形の品質を向上することが可能となる。
【００８２】
定電流源回路はトランジスタ対をなすトランジスタ３とトランジスタ４の負荷を等しくするよう、トランジスタ４にも定電流源回路２３と同様の定電流源回路を接続してもよい。
【００８３】
また、図５ではトランジスタ３、４はＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【００８４】
以上説明したドライバ回路１Ｄｄによれば、図４に示すドライバ回路１Ｄｃに比べ、負荷２に対してバイアス電流・バイアス電圧を印加することができる。更に、ベース接地回路２０〜２２のエミッタにバイアス回路を接続することで、バイアス回路の寄生容量が回路の動作速度に与える影響を小さくすることができる。
【００８５】
また、ドライバ回路１ＤｄをＥＡ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を用いた光モジュールに適用した場合、より多くの、変調電圧、バイアス電圧を印加することができ、光特性として有利になる。
【００８６】
次に、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第５の実施例について図６を用いて説明する。図６は本発明に係るドライバ回路の第５の実施例を示す回路図である。図６において、ドライバ回路１Ｄｅは、差動増幅回路２４および、前置増幅回路３５より構成され、負荷２を駆動する。
【００８７】
差動増幅回路２４は、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすトランジスタ３とトランジスタ４およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した抵抗５からなる。
【００８８】
前置増幅回路３５は、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすトランジスタ２５とトランジスタ２６、トランジスタ２５とトランジスタ２６のエミッタ接続点と電源８との間に接続した定電流源回路２７、トランジスタ２５のコレクタに接続した抵抗２８、トランジスタ２６のコレクタに接続した抵抗２９および抵抗２８、２９の他方の端に接続した電圧源３０により構成した差動増幅回路と、トランジスタ２５のコレクタに接続したベースを有するトランジスタ３１と該トランジスタ３１のエミッタに接続された抵抗３２からなるエミッタフォロア回路と、トランジスタ２６のコレクタに接続したベースを有するトランジスタ３３と該トランジスタ３３のエミッタに接続された抵抗３４からなるエミッタフォロア回路とからなる。なお、トランジスタ３１のエミッタを差動増幅回路２４のトランジスタ４のベースに接続し、トランジスタ３３のエミッタを差動増幅回路２４のトランジスタ３のベースに接続する。
【００８９】
前置増幅回路３５により、ドライバ回路１の入力電圧６と入力電圧７は、ドライバ回路１の出力電流１ａの振幅に関わらず一定とする事が可能となる。
【００９０】
差動増幅回路２４は、図６に示したものに限らず、図３〜図５に示したものを用いてもよい。
【００９１】
前置増幅回路３５のエミッタフォロア回路はトランジスタ３１、３３と抵抗３２、３４で構成しているが、抵抗３２、３４を定電流源に置き換えてもよい。
【００９２】
また、図６ではトランジスタはＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【００９３】
以上説明したように、ドライバ回路１Ｄａ〜１Ｄｄでは、出力電流値（電圧値）により、Ｈｉ側の入力電圧値を変える必要があったが、ドライバ回路１Ｄｅによれば、前置増幅回路３５により入力電圧値を一定にすることができ、出力電圧を変更できない一般のデジタルＩＣの出力をドライバ回路（ドライバＩＣ）１Ｄｅの入力とすることが可能となる。一般のデジタルＩＣは、ある定められたＨｉ、Ｌｏｗの電圧を出力するため、出力電圧の変更はできない。
【００９４】
また、可変電圧源３０の電圧にほぼ比例して、ドライバ回路１Ｄｅの出力電流・出力電圧値を変えることができる。即ち、急激な変化点がないので制御が楽となる。
【００９５】
次に、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第６の実施例について図７を用いて説明する。図７は本発明に係るドライバ回路の第６の実施例を示す回路図である。図７において、ドライバ回路１Ｄｆは、差動増幅回路２４、前置増幅回路３５およびモニタ回路４２より構成され、負荷２を駆動する。
【００９６】
差動増幅回路２４は、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすトランジスタ３とトランジスタ４およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した抵抗５からなる。
【００９７】
前置増幅回路３５は、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすトランジスタ２５とトランジスタ２６、トランジスタ２５とトランジスタ２６のエミッタ接続点と電源８との間に接続した定電流源回路２７、トランジスタ２５のコレクタに接続した抵抗２８、トランジスタ２６のコレクタに接続した抵抗２９および抵抗２８、２９の他方の端に接続した電圧を制御可能な電圧源３０により構成した差動増幅回路と、トランジスタ２５のコレクタに接続したベースを有するトランジスタ３１および該トランジスタ３１のエミッタと電源８との間に接続された抵抗３２からなるエミッタフォロア回路と、トランジスタ２６のコレクタに接続したベースを有するトランジスタ３３および該トランジスタ３３のエミッタと電源８との間に接続された抵抗３４からなるエミッタフォロア回路とからなる。
【００９８】
なお、トランジスタ３１のエミッタを差動増幅回路２４のトランジスタ４のベースに接続し、トランジスタ３３のエミッタを差動増幅回路２４のトランジスタ３のベースに接続する。
【００９９】
モニタ回路４２は、上記電圧源３０に接続され、抵抗２９の抵抗値のＮ倍の抵抗値を有する抵抗３６と、抵抗３６をベースに接続し、エミッタ面積がトランジスタ３３の１／Ｎであるトランジスタ３７と、抵抗３４の抵抗値のＮ倍の抵抗値を有し、上記トランジスタ３７のエミッタと電源８との間に接続された抵抗３８とからなるエミッタフォロア回路および、該エミッタフォロア回路の出力をベースに接続し、エミッタ面積がトランジスタ３の１／Ｎであるトランジスタ３９と、２〜２０Ω程度に低抵抗化された抵抗５の抵抗値のＮ倍の抵抗値を有し、上記トランジスタ３９のエミッタと電源８との間に接続された抵抗４０と、上記トランジスタ３９のコレクタと電源９との間に接続された抵抗４１からなる。
【０１００】
モニタ回路４２内のトランジスタ３９のコレクタ電流は、ドライバ回路１Ｄｆの出力電流１ａの振幅値の１／Ｎと等しくなる。したがってドライバ回路１Ｄｆの振幅モニタ端子１ｅの電圧Ｖ１ｍは、次に示す（数５）式の関係となり、ドライバ回路１Ｄｆの出力電流１ａの振幅値を電圧値としてモニタすることが可能となる。
【０１０１】
Ｖ１ｍ＝Ｒ４１×Ｉ１ｍ／Ｎ （数５）
但し、Ｒ４１は抵抗４１の抵抗値、Ｉ１ｍはドライバ回路１Ｄｆの出力電流１ａの振幅値である。
【０１０２】
さらに、ドライバ回路１Ｄｆの振幅モニタ端子１ｅの電圧と安定な電圧源４４の電圧を差動増幅器４３で差動増幅し、差動増幅器４３の出力によりドライバ回路１Ｄｆの前置増幅器３５内の電圧源３０の電圧値を制御することにより、ドライバ回路１Ｄｆの出力電流１ａの振幅値を安定化することが可能となる。
【０１０３】
差動増幅回路２４は、図７に示したものに限らず、図３〜図５に示したものを用いてもよい。
【０１０４】
前置増幅回路３５のエミッタフォロア回路は、トランジスタ３１、３３と抵抗３２、３４で構成しているが、抵抗３２、３４を定電流源に置き換えてもよい。
【０１０５】
また、図７ではトランジスタはＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【０１０６】
以上説明したように、ドライバ回路１Ｄｆによれば、モニタ回路４２により、ドライバ回路の出力電流・出力電圧値を、出力回路に影響を与えずに知ることができる。もし、ドライバ回路１Ｄの出力電流・出力電圧値を知るために、高速な波形を出力するドライバ回路の出力に、プローブや測定用の枝分かれした配線をつけると、波形の品質が劣化してしまい出力回路に影響を及ぼすことになる。
【０１０７】
また、ドライバ回路１Ｄｆによれば、モニタ回路４２の出力電圧と演算増幅器（オペアンプ）４３、４４を用いて、ドライバ回路１Ｄｆの出力電流（電圧）値を高精度化、高安定化させることが可能となる。
【０１０８】
また、ドライバ回路１Ｄｆによれば、モニタ回路４２の出力電圧を２〜３Ｖと大きくできるので、制御電圧４４も２〜３Ｖと大きくできる。このため、雑音の影響を受けにくい。また、Ｄ／Ａコンバータ（デジタルｔｏアナログコンバータ）を直接接続できるため、増幅器等の回路を省略することができる。
【０１０９】
次に、本発明に係る低電源電圧で大振幅の出力を得ることが可能で、バイポーラトランジスタを有するドライバ回路の第７の実施例について図８を用いて説明する。図８は本発明に係るドライバ回路の第７の実施例を示す回路図である。図８において、ドライバ回路１Ｄｇは、差動増幅回路２４、前置増幅回路３５より構成され、負荷２を駆動する。
【０１１０】
差動増幅回路２４は、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすトランジスタ３とトランジスタ４およびトランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点と電源８との間に接続した抵抗５からなり、トランジスタ３とトランジスタ４のエミッタ接続点をドライバ回路１Ｄｇの振幅モニタ端子１ｅとする。
【０１１１】
前置増幅回路３５は、エミッタを互いに接続したトランジスタ対をなすトランジスタ２５とトランジスタ２６、トランジスタ２５とトランジスタ２６のエミッタ接続点と電源８との間に接続した定電流源回路２７、トランジスタ２５のコレクタに接続した抵抗２８、トランジスタ２６のコレクタに接続した抵抗２９および抵抗２８、２９の他方の端に接続した電圧を制御可能な電圧源３０により構成した差動増幅回路と、トランジスタ２５のコレクタに接続したベースを有するトランジスタ３１および抵抗３２からなるエミッタフォロア回路と、トランジスタ２６のコレクタに接続したベースを有するトランジスタ３３および抵抗３４からなるエミッタフォロア回路とからなる。なお、トランジスタ３１のエミッタをトランジスタ４のベースに接続し、トランジスタ３３のエミッタをトランジスタ３のベースに接続する。
【０１１２】
ドライバ回路１Ｄｇの振幅モニタ端子１ｅの電圧Ｖ１ｍは、次に示す（数６）式の関係となり、ドライバ回路１Ｄｇの出力電流１ａの振幅値を電圧値としてモニタすることが可能となる。
【０１１３】
Ｖ１ｍ＝Ｒ５×Ｉ１ｍ （数６）
但し、Ｒ５は抵抗５の抵抗値、Ｉ１ｍはドライバ回路１Ｄｇの出力電流１ａの振幅値である。
【０１１４】
さらに、ドライバ回路１Ｄｇの振幅モニタ端子１ｅの電圧と安定な電圧源４４の電圧を差動増幅器４３で差動増幅し、差動増幅器４３の出力を反転増幅器４５で反転増幅し、反転増幅器４５の出力によりドライバ回路１の前置増幅器３５内の電圧源３０の電圧値を制御することにより、ドライバ回路１Ｄｇの出力電流１ａの振幅値を安定化することが可能となる。
【０１１５】
差動増幅回路２４は、図８に示したものに限らず、図３〜図５に示したものを用いてもよい。
【０１１６】
前置増幅回路３５のエミッタフォロア回路は、トランジスタ３１、３３と抵抗３２、３４で構成しているが、抵抗３２、３４を定電流源に置き換えてもよい。
【０１１７】
また、図８ではトランジスタはＮＰＮトランジスタを用いているが、ＰＮＰトランジスタを用いてもかまわない。
【０１１８】
以上説明したドライバ回路１Ｄｇによれば、図７に示すドライバ回路１Ｄｆに比べ、ＩＣの回路を簡略化することができる。
【０１１９】
次に、本発明に係る光送信モジュールの実施例について図９および図１０を用いて説明する。
【０１２０】
図９は、本発明に係るドライバ回路１Ｄを用いた光送信モジュールの第１の実施例を示すブロック図である。
【０１２１】
光送信モジュールの第１の実施例４６は、図１および図５〜図９に示すドライバ回路１Ｄａ〜１Ｄｇの１部または全てをモノリシックＩＣ化したドライバ回路１Ｄと、該ドライバ回路１Ｄから出力される駆動電圧または駆動電流に基いて駆動されて光強度変調された光波を発生する負荷２であるレーザダイオード（フォトダイオードも含む）が実装されたレーザダイオードモジュール４７と、レーザダイオードモジュール４７のインダクタンスとドライバ回路１Ｄの寄生容量やレーザダイオードモジュール４７とドライバ回路１Ｄの間の配線容量によるドライバ回路１Ｄの出力電流１ａのリンギング（減衰的に振幅するひずみ）を緩和する抵抗４８とを実装することによって構成される。４６ｄは、直流電源９からＶ９の電圧を、ドライバ回路１Ｄを含めて光送信モジュール４６に対して入力して与える電源入力端子、４６ｅは、直流電源８からＶ８の電圧を光送信モジュール４６に対して入力して与える電源入力端子である。４６ａは、ドライバ回路１Ｄの端子１ｃに接続され、例えば符号化された光送信信号を電圧信号Ｖ７として光送信モジュール４６に対して入力する信号入力端子である。４６ｂは、ドライバ回路１Ｄの端子１ｄに接続され、例えば符号化された光送信信号を電圧信号Ｖ６として光送信モジュール４６に対して入力する信号入力端子である。このように２つの光送信信号を入力端子４６ａ、４６ｂから入力させた方が、ドライバ回路１Ｄから出力されるレーザダイオード４７に対して光強度変調駆動させる信号として精度向上をはかることができる。
【０１２２】
しかし、１つの光送信信号のみを信号入力端子４６ｂに入力させてもよい。この場合、ドライバ回路１Ｄに入力する端子１ｃには、光送信モジュール４６内またはドライバ回路１Ｄ内において電源入力端子４６ｅ、４６ｄに入力された電源電圧Ｖ８、Ｖ９を元に所望の定電圧信号Ｖ７を得るように構成すればよい。
【０１２３】
このように、光送信モジュール４６において、前述したドライバ回路１Ｄを用いることにより、同じ電源電圧を用いた場合、従来のドライバ回路１０に比べ、出力端子１ｂの電圧を、従来のドライバ回路１０における定電流源回路１３に用いられているトランジスタ１５のベース・エミッタ間電圧分広くとることが可能となる。
【０１２４】
これにより、レーザダイオードモジュール４７に対して、次に示す（数７）式の関係で表されるΔＩ１ｍだけ多く電流を流すことが可能となり、少なくとも１つの信号入力端子４６ｂに入力された光送信信号に基いてバイポーラトランジスタから構成された差動増幅回路を有するドライバ回路１Ｄによりレーザダイオード４７を光強度変調駆動させることが可能となる。
【０１２５】
ΔＩ１ｍ＝Ｖｂｅ１５／Ｒ５ （数７）
但し、Ｖｂｅ１５は従来の定電流源回路１３に用いられているトランジスタ１５のベース・エミッタ間電圧、Ｒ５は２〜２０Ω程度に低抵抗化された抵抗５の抵抗値である。
【０１２６】
以上説明したように、レーザダイオード４７を駆動するドライバ回路（差動増幅回路として対なるバイポーラトランジスタ３、４と低抵抗化した抵抗５とによって構成する。）１Ｄを実装した光送信モジュール４６によれば、レーザダイオードの温度が高くなっても電流をより多く流せることが可能となり、その結果より高い周囲温度でのレーザダイオードによる光伝送を行うことができる。
【０１２７】
また、ダンピング抵抗４８の抵抗値を従来のドライバ回路１０よりも大きくできることから、ドライバ回路１Ｄの出力電流１ａのリンギングを減少させてレーザダイオード４７を高精度に光強度変調駆動させて光送信モジュール４６から出力される光波形の品質を向上させることが可能となる。
【０１２８】
また、光送信モジュール４６内に、図７または図８に示した、ドライバ回路１Ｄの出力電流１ａの振幅値を安定化するための増幅器４３および反転増幅器４５等を内蔵してもかまわない。
【０１２９】
図１０は、本発明に係るドライバ回路１Ｄを用いた光送信モジュールの第２の実施例を示すブロック図である。
【０１３０】
光送信モジュールの第２の実施例４６’は、図１および図３〜図７に示すドライバ回路１Ｄａ〜１Ｄｇの１部または全てをモノリシックＩＣ化したドライバ回路１Ｄと、レーザダイオード等の光源５１と該光源５１から出射される光をドライバ回路１Ｄから出力される駆動電圧または駆動電流に基いて駆動されて光変調された光波を発生する光変調器５０とから構成された光変調モジュール４９とを実装して構成される。上記光変調器５０は、情報を光で伝送するために、電気信号を光の強度・振幅・周波数・位相・偏波面などの変化に変換するものである。
【０１３１】
このように、光送信モジュールの第２の実施例において、第１の実施例と相違する点は、第１の実施例ではレーザダイオードから構成されたレーザダイオードモジュール４７に対して、レーザダイオード等の光源５１と光変調器５０とから構成された光変調モジュール４９にしたことにある。
【０１３２】
以上説明したように、レーザダイオード４７または光変調器５０を駆動するドライバ回路１Ｄを実装した光送信モジュール４６、４６’によれば、光送信モジュールとしても安価なものが実現することができる。
【０１３３】
また、モノリシックなＩＣで構成されるドライバ回路１Ｄとレーザダイオードモジュール４７または光変調モジュール４９とを一枚の基板に実装することによって、安価で、かつ小形の光送信モジュール４６、４６’を実現することができる。
【０１３４】
なお、図９および図１０においては、図示はしていない、例えば ６００Ｍｂｐｓ以下で信号を伝送する他の光モジュールや論理回路などと図中の電圧源（Ｖ８， Ｖ９）を共有することができることは言うまでもない。これによりモジュールを小型化できるメリットがある。
【０１３５】
【発明の効果】
本発明によれば、差動増幅回路から出力される出力電流または出力電圧の振幅を広げることができるので、その結果、差動増幅回路として安価な例えば対なるＳｉ等のバイポーラトランジスタを使用することを可能にして安価なドライバ回路を実現することができる効果が得られる。
【０１３６】
また、本発明によれば、安価なドライバ回路を用いてレーザダイオードまたは光変調器を駆動して品質が改善された光伝送波を発生させてデータを送信することができる安価な光送信モジュールを実現することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るドライバ回路の第１の実施例を示す回路図である。
【図２】図１に示すドライバ回路の入出力特性を示す図である。
【図３】本発明に係るドライバ回路の第２の実施例を示す回路図である。
【図４】本発明に係るドライバ回路の第３の実施例を示す回路図である。
【図５】本発明に係るドライバ回路の第４の実施例を示す回路図である。
【図６】本発明に係るドライバ回路の第５の実施例を示す回路図である。
【図７】本発明に係るドライバ回路の第６の実施例を示す回路図である。
【図８】本発明に係るドライバ回路の第７の実施例を示す回路図である。
【図９】本発明に係る光送信モジュールの第１の実施例を示すブロック図である。
【図１０】本発明に係る光送信モジュールの第２の実施例を示すブロック図である。
【図１１】本発明に係るＮＰＮバイポーラトランジスタの一実施例を示す断面構造図である。
【図１２】従来のドライバ回路の一例を示す回路図である。
【図１３】図１２に示す従来のドライバ回路の入出力特性を示す図である。
【図１４】ネットワーク網の一例を示す図である。
【図１５】光送信回路の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
１Ｄ、１Ｄａ〜１Ｄｇ…ドライバ回路、２…負荷、３、４…差動増幅回路を構成するバイポーラトランジスタ、５…差動増幅回路を構成する抵抗、６、７…ドライバ回路への入力電圧源（光送信信号）、８、９…電源電圧、１７、１８…トランジスタ対のコレクタに接続した抵抗、１９…負荷とドライバ回路を接続する伝送線路、２０〜２２…ベース接地回路を構成するトランジスタと電源、２３…バイアス用定電流源、２４…差動増幅回路、２５、２６、３１、３３…トランジスタ、２７…定電流源、２８、２８、３２、３４…抵抗、３０…可変電圧源、３５…前置増幅回路、３６、３８、４０、４１…抵抗、３７、３９…トランジスタ、４２…振幅モニタ回路、４３…差動増幅回路、４４…振幅設定用電圧源、４５…反転増幅器、４６、４６’…光送信モジュール、４７…レーザダイオードモジュール、４８…リンギング緩和抵抗、４９…光変調モジュール、５０…光変調器、５１…レーザダイオード。５２…伝送装置やルータ等の装置、５３…光受信モジュール、５４…光モジュール、５５…ＭＵＸ回路、５６…ヘッダ付加回路、５７…スクランブル回路、５８…光ファイバー。

Claims (9)

1. ドライバ回路と、光源とを備え、
   該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いて変調された光伝送波を出力する光送信モジュールにおいて、
   該ドライバ回路は、エミッタを互いに接続した第一の対なるトランジスタと、該第一の対なるトランジスタのエミッタ接続点を電源に接続する回路に形成された第一の抵抗と、前記トランジスタ対の各ベースに印加する光送信信号のＨｉ側の電圧値を制御する手段とを備え、該第一の対なるトランジスタの一方に流れる電流と該第一の対なるトランジスタの他方に流れる電流との比が（１／１００）程度以下となるように前記第一の対なるトランジスタの各ベースに対して光送信信号が印加された場合に、該第一の対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電流の振幅が制御される第一の差動増幅回路が構成されているドライバ回路であることを特徴とする光送信モジュール。
2. ドライバ回路と、光源とを備え、
   該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いて変調された光伝送波を出力する光送信モジュールにおいて、
   該ドライバ回路は、エミッタを互いに接続したバイポーラからなる対なる第一のトランジスタと、該第一の対なるトランジスタのエミッタ接続点を電源に接続する回路に形成された２〜２０Ω程度の第一の抵抗と、前記トランジスタ対の各ベースに印加する光送信信号のＨｉ側の電圧値を制御する手段とを備え、該第一の対なるトランジスタのそれぞれのベースに光送信信号が印加された場合に、該第一の対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電流の振幅が制御される第一の差動増幅回路が構成されているドライバ回路であることを特徴とする光送信モジュール。
3. 前記ドライバ回路は、前記第一の対なるトランジスタの一方のトランジスタのベースに第一の入力電圧源からの第一の光送信信号が付与されるように構成された回路と、前記第一の対なるトランジスタの他方のトランジスタのベースに第二の入力電圧源からの第二の光送信信号が付与される回路を備えていることを特徴とする請求項２記載の光送信モジュール。
4. ドライバ回路と、光源とを備え、
   該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いて変調された光伝送波を出力する光送信モジュールにおいて、
   該ドライバ回路は、エミッタを互いに接続した対なるバイポーラからなる第一のトランジスタと、該第一の対なるトランジスタのエミッタ接続点を電源に接続する回路に形成された２〜２０Ω程度の第一の抵抗と、前記トランジスタ対の各ベースに印加する光送信信号のＨｉ側の電圧値を制御する手段とを備え、該第一のトランジスタの一方に流れる電流と該第一のトランジスタ他方に流れる電流との比が（１／１００）程度以下となるように、該第一の対なるトランジスタの各ベースに対して光送信信号が印加された場合に、該第一の対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電流の振幅が制御される第一の差動増幅回路が構成されているドライバ回路であることを特徴とする光送信モジュール。
5. 前記ドライバ回路は、前記第一の対なるトランジスタの各コレクタが電圧源に接続される回路を備え、前記第一の対なるトランジスタの高い方のベース電位によって出力電圧の振幅が制御されるように、前記第一の対なるトランジスタの各コレクタを電圧源に接続する回路に形成された第２の抵抗を備えたドライバ回路であることを特徴する請求項１から４の何れか記載の光送信モジュール。
6. 前記ドライバ回路は、電圧源を有し、対なる出力の各々を前記第一の対なるトランジスタの各ベースに付与する前置増幅回路を有し、前記電圧源の電位により前記第一の差動増幅回路の出力電流または出力電圧の振幅が制御されるように構成されているドライバ回路であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光送信モジュール。
7. 前記ドライバ回路は、エミッタを互いに接続した第二の対なるトランジスタ、該第二の対なるトランジスタのエミッタ接続点に接続された定電流源回路、前記第一の対なるトランジスタの各コレクタに一端が接続され多端が電圧源に接続される第三の抵抗を備えた第二の差動増幅回路と、該第二の差動増幅回路の第二の対なるトランジスタの各コレクタに接続された対なるエミッタフォロア回路とを備えた前置増幅回路を備え、
   該前置増幅回路の対なるエミッタフォロア回路の各エミッタが前記第一の差動増幅回路の対なる第一のトランジスタの各ベースに接続され、前記第二の差動増幅回路の電圧源の電位により前記第１の差動増幅回路の出力電流または出力電圧の振幅が制御されるように構成されているドライバ回路であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光送信モジュール。
8. 差動増幅回路と、該差動増幅回路の各ベースに光送信信号が印加される回路と、差動増幅回路を構成する第一及び第二のトランジスタのベース電位により出力を制御するように構成されているドライバ回路と、前記トランジスタ対の各ベースに印加する光送信信号のＨｉ側の電圧値を制御する手段とを備え、
   該ドライバ回路から出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いてレーザダイオードを光強度変調させて光伝送波を出力するレーザダイオードモジュールとを備えたことを特徴とする光送信モジュール。
9. 差動増幅回路と、該差動増幅回路の各ベースに光送信信号が印加される回路と、差動増
   幅回路を構成する第一及び第二のトランジスタのベース電位により出力を制御するように構成したドライバ回路と、前記トランジスタ対の各ベースに印加する光送信信号のＨｉ側の電圧値を制御する手段とを備え、
   該ドライバ回路に入力される光送信信号に応じて該差動増幅回路から出力される出力電流信号または出力電圧信号に基いて光源から発する光を変調させて光伝送波を出力する光変調器を有する光変調モジュールとを備えたことを特徴とする光送信モジュール。

Images