JPH0961768A - 外部変調方式による光変調装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】比較的簡単な構成で伝送速度の高速化に対応す
ることができ、光送信波形の立上がり時間、立下がり時
間が短く、入力電気信号の振幅依存性が少なく、入力電
気信号の遮断時に自動的に光遮断をすることができるよ
うにする。 【解決手段】入力電気信号を駆動アンプ２２でリミッテ
ィングレベルまで増幅して光変調器２１に供給し、変調
回路２５により発振器２４からのバイアス制御用の低周
波信号で光変調器の入力電圧を変調することで、低周波
信号を光信号に重畳し、光変調器２１の光信号出力の一
部を光分岐回路２８で取り出して光電変換器２９で検出
し、その検出出力と上記低周波信号とを乗算器３１で混
合し、その混合出力の低域成分をＬＰＦ３３で取り出
し、レベル比較器３４でレベル検波して、その検波出力
に応じて光変調器２１のバイアス電圧を可変制御するよ
うにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムの
光送信装置や光中継器等に用いられ、光出力波形を良好
な状態に維持でき、光遮断機能を容易に実現できる外部
変調方式による光変調装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信システムにあっては、情報
量の増大に伴って通信容量の飛躍的な増大が望まれてお
り、１０Ｇｂｐｓでの伝送実験も行われている。一方、
回線コストの低下を図る面から、中継間隔の増大が図ら
れており、１００ｋｍ程度の無中継伝送が実験により確
かめられている。

【０００３】このような長距離大容量の光通信システム
において、光送信装置や光中継器等に用いられる光変調
装置には、光出力波形を良好な状態に維持でき、確実な
光遮断特性を有することが強く望まれる。

【０００４】ここで、光変調方式としては、レーザを直
接変調する方法がよく用いられる。しかしながら、この
直接変調方式では、チャーピングとして知られるレーザ
発振波長の変化とファイバの波長分散の影響により、受
信端での光波形が劣化する。このため、チャーピングの
影響の少ない外部変調方式の光変調装置を用いた光伝送
が検討されている。

【０００５】外部変調方式に用いられる光変調器として
は、ニオブ酸リチウムを用いたマッハツェンダー形の光
強度変調器（以下、ＭＺ変調器と記す）がよく知られて
いる。このＭＺ変調器は入力された光を分岐し、分岐さ
れた一方の光の位相を変化させて合波することによって
光のオン／オフを行う光変調器である。ＭＺ変調器の入
出力特性を図６（ａ）に示す。

【０００６】図６（ａ）中のＰmax はＭＺ変調器から出
力される光の最大値で、入力光より変調器の損失分だけ
小さい値となる。通常のＭＺ変調器では、入力電気信号
が０ＶレベルのときにほぼＰmax が得られるようになっ
ている。入力信号として図６（ｂ）に示すような振幅Ｖ
πの電気信号を加えた場合、図６（ｃ）に示すように逆
位相の光信号が出力される。図６（ａ）から明らかなよ
うに、図６（ｃ）に示すような光信号を得るためには入
力電気信号にＤＣ成分（バイアス電圧Ｖｂ）が必要であ
る。

【０００７】例えばチタン酸リチウムを利用したＭＺ変
調器では、温度、湿度、当該変調器に加わる電圧歪等に
より、その入出力特性が図７（ａ）に示すようにドリフ
トする。このように入出力特性がドリフトした場合、図
７（ｂ）に示すような電気信号が入力されると、図７
（ｃ）に示すように出力光波形に折り返しが見られるよ
うになる。そこで、入出力特性のドリフトを補償するた
めに、バイアス電圧Ｖｂをシフトする必要がある。

【０００８】入出力特性のドリフトを補償する方法の先
行技術として、特公平３−２５１８１５号公報（以下、
先行技術例と記す）に入力電気信号に低周波を重畳し、
ドリフトを検出する方法が記載されている。図８にこの
先行技術例の構成を示す。

【０００９】図８において、レーザダイオード等の光源
１から出射される光はＭＺ変調器２に入射される。ま
た、入力電気信号はＡＧＣアンプ３により低周波発振器
４で発生される所定の周波数の低周波信号で振幅変調さ
れ、さらにＭＺ変調器２の駆動に必要なレベルまで駆動
アンプ５で増幅されて、カップリングコンデンサ６を介
してＭＺ変調器２に供給される。

【００１０】また、ＭＺ変調器２の変調に供された電気
信号はインダクタＬ及びキャパシタＣによるバイアスＴ
回路７を介して終端抵抗８に導かれる。ＭＺ変調器２か
らの光出力の一部は光分岐回路９で取り出され、フォト
ダイオード等の光電変換器１０で検出され、その検出信
号はバッファアンプ１１で増幅されて乗算器１２に入力
され、低周波発振器４からの低周波信号と混合される。

【００１１】すなわち、光電変換器１０で検出された信
号にはＡＧＣアンプ３で重畳された低周波信号が乗って
おり、乗算器１２で参照低周波と混合することで位相検
波することができる。この位相検波出力は低域通過フィ
ルタ１３で不要な高周波成分が除去され、レベル比較器
１４で基準レベル（例えばグランドレベル）と比較され
る。この比較結果は誤差信号としてバイアスＴ回路７に
供給され、誤差を修正するようバイアス値が可変制御さ
れる。

【００１２】上記構成において、バイアスが最適の場
合、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、出力光には重畳
した低周波信号が現れない。入出力特性が図１０（ａ）
に示すように、高電圧側（特性Ａ）または低電圧側（特
性Ｂ）にドリフトしたときには、図１０（ｃ１），（ｃ
２）に示すように、出力光に重畳した低周波信号が、ド
リフト方向の違いにより位相が反転して現れる。このた
め、乗算器１２からの低周波混合信号でバイアス電圧を
制御することで、入出力特性のドリフトを補償すること
ができる。

【００１３】ところで、伝送速度が高速になると、光出
力波形の立ち上がり時間ｔｒ、立ち下がり時間ｔｆがデ
ータ１タイムスロットの長さに比べて無視できない時間
となる。ｔｒ、ｔｆが長くなると光送信波形の開口部の
面積が小さくなって伝送特性に重大の影響を与えること
になる。このため、高速の光伝送システムではｔｒ、ｔ
ｆをできる限り短くする必要がある。

【００１４】しかしながら、上述の先行技術例に示され
る外部変調方式の光変調装置では、可変利得アンプと駆
動アンプを用いている。可変利得アンプはその性質上リ
ニアアンプで構成される。駆動アンプも低周波で振幅変
調された信号を増幅するためにリニアアンプで構成され
る。リニアアンプでは、入力信号の振幅に応じてｔｒ、
ｔｆが変化し、同じアンプをリミッティング動作させた
場合に比べて長くなる。前述したように、伝送特性の観
点からｔｒ、ｔｆは短いことが望ましいので、何らかの
処置が望まれる。

【００１５】また、前述のように低周波信号を重畳する
ためにＡＧＣアンプを使用しているが、伝送速度が高速
になると、ＡＧＣアンプは構成が難しくなる。信頼性の
向上、低価格化の観点から、できるだけ簡単な構成のア
ンプを使用することが望ましい。

【００１６】一方、光変調装置の保守点検を行う際に作
業者の目を保護する観点から、保守作業中に光出力を遮
断する機能が必要となっている。このことはＣＣＩＴＴ
（国際電信電話諮問委員会）でも勧告されている。光出
力の遮断方法としては、入力電気信号が遮断されたとき
に自動的に光出力も遮断される方法が望ましい。

【００１７】ところが、前記先行技術例の装置では、Ａ
ＧＣアンプのゲインを変えて変調器のバイアス制御信号
を重畳しており、入力電気信号が遮断された場合、バイ
アスには制御信号が現れない。このため、バイアスの制
御は行われず、変調器の光信号出力レベルを定めること
ができず、自動的に光出力を遮断することはできない。

【００１８】さらに、前記先行技術例の装置ではＡＧＣ
アンプをバイアス制御信号の重畳手段として使用してお
り、出力振幅を一定にする手段がない。従って、入力信
号の振幅の変化に伴って、出力光波形が変化してしま
う。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の外部変調方式の光変調装置では、入力電気信号の増
幅部にリニアアンプの使用が前提となっているため、光
送信波形の立上がり時間、立下がり時間が比較的長く、
かつ入力電気信号の振幅依存性が高い。よって、伝送速
度の高速化に対応するためには入力増幅部の構成が複雑
となる。しかも、入力電気信号遮断時に自動的に光遮断
をすることができないため、保守作業時の安全性が問題
となっている。

【００２０】この発明は上記の課題を解決するためにな
されたもので、比較的簡単な構成で伝送速度の高速化に
対応することができ、光送信波形の立上がり時間、立下
がり時間が短く、入力電気信号の振幅依存性が少なく、
入力電気信号の遮断時に自動的に光遮断をすることので
きる外部変調方式の光変調装置を提供することを目的と
する。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めにこの発明に係る外部変調方式の光変調装置は、被変
調光信号を入力して２分岐し、分岐された一方の光に外
部からの電気信号により位相変化を与え、分岐された光
を再度合波して光信号を変調出力する光変調器と、入力
電気信号の振幅をリミッティングレベルまで増幅して前
記光変調器に供給するリミッティングアンプと、前記光
変調器に入力される電気信号にバイアス電圧を加えるバ
イアス電圧供給手段と、バイアス制御用の低周波信号を
発生する低周波発振器と、この低周波発振器から出力さ
れる低周波信号で前記リミッティングアンプの出力電圧
レベルを変調する電圧変調手段と、前記光変調器から出
力される光信号を分岐する光分岐器と、前記光分岐器に
より分岐された光信号を電気信号に変換する光電変換器
と、前記光電変換器から出力される電気信号に含まれる
低周波信号の周波数成分と前記低周波発振器の出力との
位相を比較する位相比較回路と、前記位相比較回路の比
較結果に基づいて前記バイアス電圧供給手段で発生され
るバイアス電圧をレベル制御するバイアス制御手段とを
具備して構成される。

【００２２】特に、前記リミッティングアンプは、出力
段に電界効果型トランジスタが用いられ、当該トランジ
スタのドレインに現れる電圧をアンプ出力とし、前記電
圧制御手段は、前記ドレイン電圧を変調するようにした
ことを特徴とする。

【００２３】上記構成による外部変調方式の光変調装置
では、入力電気信号をリミッティングアンプでリミッテ
ィングレベルまで増幅して光変調器に供給し、バイアス
を制御するための低周波信号を光変調器の入力電圧を変
調することで光信号に重畳しているため、ＡＧＣアンプ
を用いる必要がなく、比較的簡単な装置構成で光信号の
立上がり、立下がり時間を短くすることができ、入力信
号の振幅依存性の少ない光出力波形が得られる。また、
入力電気信号が遮断された場合にも、リミッティングア
ンプの出力電圧に重畳された低周波信号を検出できるた
め、自動的に光遮断状態を得ることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図１
乃至図４を参照して詳細に説明する。図１はこの発明に
係る外部変調方式の光変調装置の構成を示すもので、２
１は光変調器であり、入力される光信号を２分岐し、分
岐された光に外部から入力される電気信号で位相変化を
与えた後、再度合波することにより、光信号を変調出力
する。

【００２５】２２は光変調器２１に電気信号を供給する
駆動アンプであり、前置増幅部２２１とソース接地のＦ
ＥＴ（電界効果型トランジスタ、図中Ｄはドレイン、Ｇ
はゲート、Ｓはソースを意味する）増幅部２２２で構成
され、入力電気信号の振幅を前置増幅部２２１でリミッ
ティングレベルまで増幅してＦＥＴのゲートＧに入力
し、そのドレインＤから出力する。この駆動アンプ２２
から出力される電気信号は、インダクタＬ及びキャパシ
タＣによる第１のバイアスＴ回路２３で適当なドレイン
電圧が加算された後、光変調器２１に供給される。尚、
ＦＥＴのドレインＤにつながるＬは省略することもでき
る。

【００２６】２４はバイアス制御用の低周波信号を発生
する低周波発振器であり、その出力はドレイン電圧変調
回路２５に供給される。このドレイン電圧変調回路２５
は、図２に示すように、差動アンプ２５１の（＋）入力
端を接地し、出力端及び（−）入力端間に帰還抵抗２５
２を接続し、さらに（−）入力端を抵抗２５３を介して
可変電圧源２５４に接続すると共に抵抗２５５を介して
低周波発振器２４の出力端に接続して構成される。

【００２７】すなわち、上記構成によるドレイン電圧変
調回路２５は、低周波発振器２４からの低周波信号に応
じてＦＥＴ増幅部２２２のドレイン電圧をバイアスＴ回
路２３、直流負荷抵抗３５を通じて制御することで、光
変調器２１に供給される電気信号に低周波信号を重畳す
る。重畳レベルは可変電圧源２５４の出力調整によって
可変できる。光変調器２１に入力された電気信号は光信
号変調後、インダクタＬ及びキャパシタＣによる第２の
バイアスＴ回路２６を介して終端抵抗２７に導びかれ
る。

【００２８】上記光変調器２１から出力される光信号は
光分岐回路２８で２系統に分岐され、一方は光変調出力
となり、他方は光電変換器２９に導かれて電気信号に変
換される。ここで得られた電気信号はバッファアンプ３
０で増幅された後、乗算器３１に供給される。

【００２９】この乗算器３１は上記低周波発振器２４で
発生された低周波信号を移相器３２を介して入力し、バ
ッファアンプ３０からの光電変換信号と混合する。尚、
移相器３２はバイアス制御ループの時間遅れを補償する
ためのものである。

【００３０】乗算器３１で低周波信号が混合された信号
は低域通過フィルタ（ＬＰＦ）３３で不要な高周波成分
が除去された後、レベル比較器３４で基準レベル（例え
ばグランドレベル）と比較される。この比較結果は誤差
信号として第２のバイアスＴ回路２６に供給され、誤差
を修正するようバイアス値が可変制御される。

【００３１】すなわち、上記構成による光変調装置で
は、入力電気信号は前置増幅部２２１及びＦＥＴ増幅部
２２２を用いた駆動アンプ２２によってリミッティング
レベルまで増幅され、第１のバイアスＴ回路２３を介し
て光変調器２１に供給される。この場合、駆動アンプ２
２では低周波信号を重畳する必要がないため、構成の比
較的簡単なリミッティングアンプを使用することができ
る。また、リミッティング動作のため、立ち上がり時間
ｔｒ、立ち下がり時間ｔｆは、同じアンプをリニア動作
で使用したより短くなる。

【００３２】ここで、駆動アンプ２２において、ソース
接地ＦＥＴ増幅部２２２の立ち上がり時間をｔｒ、前置
増幅部２２１の立ち上がり時間を、リニア動作させたと
きにはＦＥＴ増幅部２２２と同じｔｒ、リミッティング
動作をさせたときには（ｔｒ−δｔｒ）と仮定する。こ
のとき、前置増幅部２２１とＦＥＴ増幅部２２２を合わ
せたときの立ち上がり時間は、

【００３３】

【数１】 となる。上式より、同じアンプをリニア動作させて用い
るよりもδｔｒ／２ｔｒだけ立ち上がり時間が短くなる
ことがわかる。

【００３４】また、前置増幅部２２１をリミッティング
アンプとして使用しているために、入力される電気信号
の振幅が多少変動しても、ＦＥＴ増幅部２２２に入力さ
れる信号の振幅は常に一定となる。このため、出力信号
振幅の入力信号振幅に対する依存性を小さくすることが
できる。

【００３５】低周波の重畳は低周波発振器２４の出力を
ＤＣ電圧に重畳し、直流負荷抵抗３５を通してＦＥＴ増
幅部２２２のドレインＤに印加することによって行うこ
とができる。このＦＥＴ増幅部２２２の出力信号は光変
調器２１に入力され、ここで変調された光信号はその一
部が光分岐回路２８で取り出され、光電変換器２９で電
気信号に変換される。変換された電気信号はバッファア
ンプ３０で増幅されて、低周波発振器２４の出力と乗算
器３１に入力される。

【００３６】光変調器２１のバイアス電圧が最適状態に
あるときの光出力波形は、図１０に示したように、光変
調器２１の入出力特性から、低周波発振器２４から出力
された低周波の成分が含まれない。また、光変調器２１
の入出力特性が左右にずれた場合の光出力波形は図１１
に示した通りであり、ずれる方向に応じて光出力波形の
位相が反転する。

【００３７】そこで、乗算器３１において、低周波発振
器２４からの低周波信号と混合し、その出力を低域通過
フィルタ３３で濾波する。これにより、バイアス電圧が
最適であれば、フィルタ３３の通過後の電圧として
“０”となり、入出力特性のずれる方向により極性が反
転するバイアス制御電圧を得ることができる。

【００３８】このフィルタ３３で炉波された電圧によ
り、光変調器２１の静特性の変動を検出し、第２のバイ
アスＴ回路２６を通じてバイアス電圧を制御すること
で、最適状態を保つことが可能となる。

【００３９】したがって、上記構成による光変調装置に
よれば、入力電気信号をリミッティングレベルまで増幅
して光変調器２１に供給すると共に、バイアスを制御す
るための低周波信号を、光変調器２１の入力電圧を変調
することで光信号に重畳しているので、ＡＧＣアンプを
用いる必要がない。しかも、比較的簡単な装置構成で光
信号の立上がり、立下がり時間を短くすることができ、
入力信号の振幅依存性の少ない光出力波形が得られるよ
うになる。また、入力電気信号が遮断された場合にも、
リミッティング出力電圧に重畳された低周波信号を検出
できるため、自動的に光遮断状態を得ることができる。

【００４０】ところで、上記実施形態ではバイアスＴ回
路を２つ使用しているが、図３に示すように、ＦＥＴ増
幅部２２２のドレインＤをキャパシタＣ１を介して光変
調器２１の電気信号入力端に接続し、キャパシタＣ１の
入力側をインダクタＬ１を介して直流負荷抵抗３５に接
続し、レベル比較器３４の出力端をインダクタＬ２を介
してキャパシタＣ１の出力側に接続し、光変調器２１の
電気信号出力端をキャパシタＣ２を介して終端抵抗２７
に接続するようにしてもよい。この場合も、前述のよう
にドレインＤにつながるＬ１を省略することもできる。

【００４１】すなわち、上記構成によっても、入力電気
信号が遮断されたとき、バイアス制御用の低周波信号が
ＦＥＴのドレイン電極Ｄに印加されているので、図３中
に示すキャパシタＣ１を通じて光変調器２１のバイアス
に重畳される。従って、入力電気信号を遮断した瞬間の
光出力波形は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すようにバイア
ス制御用の低周波信号がそのまま出力される。

【００４２】ここで、光変調器２１を入力電圧−光出力
特性の傾きが負の領域で使用してれば、入力電気信号が
遮断されたときに自動的に光出力を遮断することができ
る。また、電気信号が入力されているとき、バイアス電
圧が最適電圧からずれていれば、図１０（ｃ１），（ｃ
２）に示すように光出力に低周波信号成分が出力され
る。図１０（ａ）の特性Ｂのように最適点より低電圧側
にずれていた場合には、バイアス電圧を大きくする方向
に制御電圧が加わり、最適バイアスになるようにバイア
ス電圧を制御する。

【００４３】すなわち、入力電気信号が遮断された直後
の場合は、図４（ｃ）中実線で示すような光信号が出力
される。このときの乗算器３１に入力される電気信号の
位相は図１０（ｃ１）と同じであり、バイアス電圧を大
きくする方向に制御が働く。この場合には、図４（ｃ）
中点線で示すようにＶπで示した電圧で光出力に低周波
信号成分が現れなくなるため、この電圧によりバイアス
を制御することで光出力を遮断することができる。

【００４４】また、駆動アンプ２２が複数のＦＥＴで構
成される場合、最終段がオープンドレインのＦＥＴであ
れば、最終段のドレイン電圧を変調することによりバイ
アス制御用の低周波信号を重畳することができる。

【００４５】他の実施形態として、図５に示すように、
駆動アンプとしてＦＥＴ増幅部２２３を設けると共に、
そのＦＥＴのソースＳ、ゲートＧのバイアスを制御する
バイアス制御回路３６を設け、ドレイン電圧変調回路２
５の出力で各Ｓ，Ｇ電位をドレインＤの電位と共に可変
するようにすれば、ＦＥＴの出力振幅を一定にしたまま
出力ＤＣレベルのみ変化させることができる。さらに、
位相比較回路３１の出力でＦＥＴのソースＳ、ゲート
Ｇ、ドレインＤの電圧を制御することにより、ＦＥＴと
光変調器２１を結合するキャパリシタＣを省略して光変
調器２１のバイアス制御を行うことができる。この発明
は上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々変形しても同様に実施可能
であることはいうまでもない。

【００４６】

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、比
較的簡単な構成で伝送速度の高速化に対応することがで
き、光送信波形の立上がり時間、立下がり時間が短く、
入力電気信号の振幅依存性が少なく、入力電気信号の遮
断時に自動的に光遮断をすることのできる外部変調方式
の光変調装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る外部変調方式の光変調装置の第
１の実施形態の構成を示すブロック回路図である。

【図２】同実施形態のドレイン電圧変調回路の具体的な
構成を示す回路図である。

【図３】この発明に係る外部変調方式の光変調装置の第
２の実施形態の構成を示すブロック回路図である。

【図４】この発明による自動出力遮断の制御動作を説明
するための波形図である。

【図５】この発明に係る外部変調方式の光変調装置の第
３の実施形態の構成を示すブロック回路図である。

【図６】光変調器の制御動作を説明するための波形図で
ある。

【図７】光変調器のドリフト発生時の動作を説明するた
めの波形図である。

【図８】先行技術例に記載される外部変調方式の光変調
装置の構成を示すブロック回路図である。

【図９】図８の構成において、バイアス電圧が適正レベ
ルの時の動作を説明するための波形図である。

【図１０】図８の構成において、光変調器の入出力特性
にドリフトが生じた場合の動作を説明するための波形図
である。

【符号の説明】 １…光源、２…ＭＺ変調器、３…ＡＧＣアンプ、４…低
周波発振器、５…駆動アンプ、６…キャパシタ（カップ
リングコンデンサ）、７…バイアスＴ回路、８…終端抵
抗、９…光分岐回路、１０…光電変換器、１１…バッフ
ァアンプ、１２…乗算器、１３…低域通過フィルタ（Ｌ
ＰＦ）、１４…レベル比較器、２１…光変調器、２２…
駆動アンプ、２２１…入力増幅部、２２２，２２３…Ｆ
ＥＴ増幅部、２３…バイアスＴ回路、２４…低周波発振
器、２５…ドレイン電圧変調回路、２５１…差動アン
プ、２５２，２５３，２５５…抵抗、２５４…可変電圧
源、２６…バイアスＴ回路、２７…終端抵抗、２８…光
分岐回路、２９…光電変換器、３０…バッファアンプ、
３１…乗算器、３２…移相器、３３…低域通過フィルタ
（ＬＰＦ）、３４…レベル比較器、３５…直流負荷抵
抗、３６…バイアス制御回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/06 (72)発明者 高平 仁 東京都新宿区西新宿２丁目３番２号 国際 電信電話株式会社内 (72)発明者 山本 周 埼玉県上福岡市大原２丁目１番15号 国際 電信電話株式会社研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被変調光信号を入力して２分岐し、外部か
   らの電気信号により位相変化を与え、分岐された光を再
   度合波して光信号を変調出力する光変調器と、 入力電気信号の振幅をリミッティングレベルまで増幅し
   て前記光変調器に供給するリミッティングアンプと、 前記光変調器に入力される電気信号にバイアス電圧を加
   えるバイアス電圧供給手段と、 バイアス制御用の低周波信号を発生する低周波発振器
   と、 この低周波発振器から出力される低周波信号で前記リミ
   ッティングアンプの出力電圧レベルを変調する電圧変調
   手段と、 前記光変調器から出力される光信号を分岐する光分岐器
   と、 前記光分岐器により分岐された光信号を電気信号に変換
   する光電変換器と、 前記光電変換器から出力される電気信号に含まれる低周
   波信号の周波数成分と前記低周波発振器の出力との位相
   を比較する位相比較回路と、 前記位相比較回路の比較結果に基づいて前記バイアス電
   圧供給手段で発生されるバイアス電圧をレベル制御する
   バイアス制御手段とを具備する外部変調方式の光変調装
   置。
2. 【請求項２】前記リミッティングアンプは、出力段に電
   界効果型トランジスタが用いられ、当該トランジスタの
   ドレインに現れる電圧をアンプ出力とし、前記電圧制御
   手段は、前記ドレイン電圧を変調するようにしたことを
   特徴とする請求項１記載の外部変調方式の光変調装置。