JPH0817816A - シリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の形成方法Info
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- C23C18/1283—Control of temperature, e.g. gradual temperature increase, modulation of temperature
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造工程で用いられるＯ2 プラ
ズマ処理により酸化を受けることがなく、配線材料のア
ルミなどの腐食を伴わずに、有機ＳＯＧと同等以上の比
較的厚膜で使用可能な無機膜を形成することができる方
法を提供する。 【構成】 シリコン酸化膜を形成するに際して、下地上
にポリシラザンおよびフェノール性水酸基を含む化合物
を含む塗液を塗布し、得られた塗膜をシリコン酸化膜に
変成する。
ズマ処理により酸化を受けることがなく、配線材料のア
ルミなどの腐食を伴わずに、有機ＳＯＧと同等以上の比
較的厚膜で使用可能な無機膜を形成することができる方
法を提供する。 【構成】 シリコン酸化膜を形成するに際して、下地上
にポリシラザンおよびフェノール性水酸基を含む化合物
を含む塗液を塗布し、得られた塗膜をシリコン酸化膜に
変成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン酸化膜の形成
方法に関する。本発明の方法により得られるシリコン酸
化膜は、有機溶剤に可溶の高分子材料を用いて形成する
ことができるため、下地段差を平坦化することが可能で
あり、半導体装置の製造工程で用いられる酸素プラズマ
処理によっても酸化を受けないため、従来用いられてい
たＣＶＤ膜に代えてあるいはＣＶＤ膜との組み合わせで
絶縁膜として使用可能である。また、無機ＳＯＧ材料に
比べて比較的厚膜で使用することが可能であり、下地段
差を充分に平坦化することが可能となる。
方法に関する。本発明の方法により得られるシリコン酸
化膜は、有機溶剤に可溶の高分子材料を用いて形成する
ことができるため、下地段差を平坦化することが可能で
あり、半導体装置の製造工程で用いられる酸素プラズマ
処理によっても酸化を受けないため、従来用いられてい
たＣＶＤ膜に代えてあるいはＣＶＤ膜との組み合わせで
絶縁膜として使用可能である。また、無機ＳＯＧ材料に
比べて比較的厚膜で使用することが可能であり、下地段
差を充分に平坦化することが可能となる。
【０００２】
【従来の技術】近年においては、半導体集積回路の集積
度の向上に伴い、素子形成後の表面段差が大きくなると
ともに、配線の微細化による配線容量の低下を防ぐため
に配線を厚くする必要にせまられ、配線後の段差もより
大きくなる傾向がある。このため、半導体装置を製造す
る上で、優れた平坦性が得られる絶縁膜の形成方法が要
求されている。この要求に対して、層間絶縁膜に４官能
シロキサン単位からなる無機ＳＯＧや４官能シロキサン
単位と３官能シロキサン単位とからなる有機ＳＯＧが平
坦化材料として用いられている。しかし、無機ＳＯＧ
は、熱処理によりクラックを生じやすいため、０．１μ
ｍ以下の薄膜で使用されている。また、有機ＳＯＧは、
酸素プラズマ処理により酸化クラックを生じるため、エ
ッチバック工程を用いたＣＶＤ膜との組み合わせによる
サンドイッチ構造で使用されている。また、ポリシラザ
ンを熱処理し、シリコンオキシナイトライド膜として使
用する方法（特開昭６２−８８３２７）や水蒸気雰囲気
下で熱処理してシリコン酸化膜に変えて使用する方法
（特願平３−２７９６３３）が検討されている。
度の向上に伴い、素子形成後の表面段差が大きくなると
ともに、配線の微細化による配線容量の低下を防ぐため
に配線を厚くする必要にせまられ、配線後の段差もより
大きくなる傾向がある。このため、半導体装置を製造す
る上で、優れた平坦性が得られる絶縁膜の形成方法が要
求されている。この要求に対して、層間絶縁膜に４官能
シロキサン単位からなる無機ＳＯＧや４官能シロキサン
単位と３官能シロキサン単位とからなる有機ＳＯＧが平
坦化材料として用いられている。しかし、無機ＳＯＧ
は、熱処理によりクラックを生じやすいため、０．１μ
ｍ以下の薄膜で使用されている。また、有機ＳＯＧは、
酸素プラズマ処理により酸化クラックを生じるため、エ
ッチバック工程を用いたＣＶＤ膜との組み合わせによる
サンドイッチ構造で使用されている。また、ポリシラザ
ンを熱処理し、シリコンオキシナイトライド膜として使
用する方法（特開昭６２−８８３２７）や水蒸気雰囲気
下で熱処理してシリコン酸化膜に変えて使用する方法
（特願平３−２７９６３３）が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、従来に
おいてはＳＯＧ材料を用いた下地段差の平坦化が検討さ
れているけれども、しかし無機ＳＯＧでは、０．１μｍ
以下の薄膜でしか使用できないため、下地段差に対する
充分な平坦化性が得られないことが問題である。また、
有機ＳＯＧでは、０．５μｍ以上の比較的厚膜で使用し
た場合でも熱処理によるクラックの発生は見られない
が、しかし半導体装置の製造工程で用いられるＯ2 プラ
ズマ処理により酸化されてクラックを生じるため、スル
ーホール側面にＳＯＧ膜が露出されないような使用方
法、即ち、図１に示すように、ＣＶＤ膜上にＳＯＧを塗
布した後、全面をエッチバックすることにより段差上に
ＳＯＧ膜が残らないようにする方法で用いられている。
なお、図１において、１はシリコン基板、２はアルミ配
線、３は有機ＳＯＧ膜、４はＣＶＤ膜である。
おいてはＳＯＧ材料を用いた下地段差の平坦化が検討さ
れているけれども、しかし無機ＳＯＧでは、０．１μｍ
以下の薄膜でしか使用できないため、下地段差に対する
充分な平坦化性が得られないことが問題である。また、
有機ＳＯＧでは、０．５μｍ以上の比較的厚膜で使用し
た場合でも熱処理によるクラックの発生は見られない
が、しかし半導体装置の製造工程で用いられるＯ2 プラ
ズマ処理により酸化されてクラックを生じるため、スル
ーホール側面にＳＯＧ膜が露出されないような使用方
法、即ち、図１に示すように、ＣＶＤ膜上にＳＯＧを塗
布した後、全面をエッチバックすることにより段差上に
ＳＯＧ膜が残らないようにする方法で用いられている。
なお、図１において、１はシリコン基板、２はアルミ配
線、３は有機ＳＯＧ膜、４はＣＶＤ膜である。
【０００４】また、これまで報告されているポリシラザ
ンを用いて形成されたシリコンオキシナイトライド膜で
は、再加熱時にアミン系ガスの放出が見られる（図７）
という問題があり、水蒸気雰囲気下で熱処理する方法で
は配線材料に用いられるアルミの水蒸気あるいはアミン
系ガスによる腐食が見られるため、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置など高価な装置を用いた耐水性の高い膜を保護膜
として用いなければならないという問題がある。
ンを用いて形成されたシリコンオキシナイトライド膜で
は、再加熱時にアミン系ガスの放出が見られる（図７）
という問題があり、水蒸気雰囲気下で熱処理する方法で
は配線材料に用いられるアルミの水蒸気あるいはアミン
系ガスによる腐食が見られるため、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置など高価な装置を用いた耐水性の高い膜を保護膜
として用いなければならないという問題がある。
【０００５】本発明の目的は、これらの問題点を解消す
ることにあり、半導体装置の製造工程で用いられるＯ2
プラズマ処理により酸化を受けることがなく、配線材料
のアルミなどの腐食を伴わずに、有機ＳＯＧと同等以上
の比較的厚膜で使用可能な無機膜を形成することができ
る方法を提供することにある。
ることにあり、半導体装置の製造工程で用いられるＯ2
プラズマ処理により酸化を受けることがなく、配線材料
のアルミなどの腐食を伴わずに、有機ＳＯＧと同等以上
の比較的厚膜で使用可能な無機膜を形成することができ
る方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、シリコン酸化膜を形成するに際して、下
地上にポリシラザンおよびフェノール性水酸基を含む化
合物を含む塗液を塗布し、得られた塗膜をシリコン酸化
膜に変成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方
法を提供する。
め、本発明は、シリコン酸化膜を形成するに際して、下
地上にポリシラザンおよびフェノール性水酸基を含む化
合物を含む塗液を塗布し、得られた塗膜をシリコン酸化
膜に変成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方
法を提供する。
【０００７】本発明の方法では、塗膜のシリコン酸化膜
への変成は、塗膜を酸化性雰囲気中において、３５０℃
以上の温度で熱処理することにより行われるのがよい。
酸化性雰囲気は、酸素を１容量％以上含む雰囲気または
水蒸気を含む雰囲気であるのが好ましい。所望ならば、
塗膜のシリコン酸化膜への変成のための熱処理の前に、
塗膜の溶媒乾燥および／または溶融平坦化のための熱処
理を行ってもよい。また、所望ならば、塗膜の溶媒乾燥
および／または溶融平坦化のための熱処理の後に、塗膜
をさらに吸水処理に付してもよい。また、この塗膜の溶
媒乾燥および／または溶融平坦化のための熱処理を、紫
外線の照射下に行ってもよい。
への変成は、塗膜を酸化性雰囲気中において、３５０℃
以上の温度で熱処理することにより行われるのがよい。
酸化性雰囲気は、酸素を１容量％以上含む雰囲気または
水蒸気を含む雰囲気であるのが好ましい。所望ならば、
塗膜のシリコン酸化膜への変成のための熱処理の前に、
塗膜の溶媒乾燥および／または溶融平坦化のための熱処
理を行ってもよい。また、所望ならば、塗膜の溶媒乾燥
および／または溶融平坦化のための熱処理の後に、塗膜
をさらに吸水処理に付してもよい。また、この塗膜の溶
媒乾燥および／または溶融平坦化のための熱処理を、紫
外線の照射下に行ってもよい。
【０００８】本発明に有用なフェノール性水酸基を有す
る化合物として、典型的には、フェノール、ｏ−、 ｍ
−もしくはｐ−クレゾール、エチルフェノール、プロピ
ルフェノールおよびアリルフェノールを挙げることがで
きる。ポリシラザンとしては、例えば、下記式で示され
るポリマーがある。
る化合物として、典型的には、フェノール、ｏ−、 ｍ
−もしくはｐ−クレゾール、エチルフェノール、プロピ
ルフェノールおよびアリルフェノールを挙げることがで
きる。ポリシラザンとしては、例えば、下記式で示され
るポリマーがある。
【０００９】
【化１】
【００１０】〔上式中、Ｒは水素、炭素数１〜４の低級
アルキルまたはフェニルを表し、ｎは正の整数である〕
アルキルまたはフェニルを表し、ｎは正の整数である〕
【００１１】
【作用】ポリシラザンとフェノール性水酸基を有する化
合物との配合比は、重量比で、１００：３〜１００：３
０であるのが好ましい。本発明に係るシリコン酸化膜の
形成方法によれば、下地段差を平坦化する目的に有用な
０．５μｍ以上の比較的厚膜でシリコン酸化膜を形成す
ることが可能である。
合物との配合比は、重量比で、１００：３〜１００：３
０であるのが好ましい。本発明に係るシリコン酸化膜の
形成方法によれば、下地段差を平坦化する目的に有用な
０．５μｍ以上の比較的厚膜でシリコン酸化膜を形成す
ることが可能である。
【００１２】また、本発明の方法により形成される膜
は、シリコン酸化膜であるため、半導体製造工程で用い
られる酸素プラズマ処理による酸化を受けないことか
ら、エッチバックなど複雑な工程を用いることなく絶縁
膜として使用可能である。また、本発明の方法は、ポリ
シラザンを用いた絶縁膜形成方法として提案されている
従来方法に比べて、再加熱によるアミン系ガス放出を抑
制することが可能であり、また水蒸気あるいはアミン系
ガスによるアルミ配線の腐食を防止できるという特徴を
有する。
は、シリコン酸化膜であるため、半導体製造工程で用い
られる酸素プラズマ処理による酸化を受けないことか
ら、エッチバックなど複雑な工程を用いることなく絶縁
膜として使用可能である。また、本発明の方法は、ポリ
シラザンを用いた絶縁膜形成方法として提案されている
従来方法に比べて、再加熱によるアミン系ガス放出を抑
制することが可能であり、また水蒸気あるいはアミン系
ガスによるアルミ配線の腐食を防止できるという特徴を
有する。
【００１３】さらに、本発明の方法によるシリコン酸化
膜は、従来から用いられているＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜やＣ
ＶＤ−ＰＳＧ膜と組み合わせて絶縁膜を形成した場合に
おいても、かかるＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜もしくはＰＳＧ膜
とのフッ素プラズマによるエッチングレートが同等とな
るため、図２に示すように、上下配線の導通をはかるた
めのスルーホールの形成においてテーパー形状を付与す
ることが可能であり、従って配線の優れたカバレッジが
得られる。なお、図２において、１はシリコン基板、２
はアルミ配線、３’は本発明に方法に従って形成された
シリコン酸化膜、４はＣＶＤ膜である。
膜は、従来から用いられているＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜やＣ
ＶＤ−ＰＳＧ膜と組み合わせて絶縁膜を形成した場合に
おいても、かかるＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜もしくはＰＳＧ膜
とのフッ素プラズマによるエッチングレートが同等とな
るため、図２に示すように、上下配線の導通をはかるた
めのスルーホールの形成においてテーパー形状を付与す
ることが可能であり、従って配線の優れたカバレッジが
得られる。なお、図２において、１はシリコン基板、２
はアルミ配線、３’は本発明に方法に従って形成された
シリコン酸化膜、４はＣＶＤ膜である。
【００１４】このように、本発明の方法によるシリコン
酸化膜を絶縁膜として用いることによって、下地段差を
平坦化することができ、信頼性の高い半導体集積回路の
多層配線が可能となり、またこのシリコン酸化膜をフラ
ットディスプレイ装置における平坦化膜として用いるこ
ともできる。
酸化膜を絶縁膜として用いることによって、下地段差を
平坦化することができ、信頼性の高い半導体集積回路の
多層配線が可能となり、またこのシリコン酸化膜をフラ
ットディスプレイ装置における平坦化膜として用いるこ
ともできる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに説明す
る。 実施例１ 下記式
る。 実施例１ 下記式
【００１６】
【化２】
【００１７】で示される分子量約３０００のポリシラザ
ンに対してフェノールを１０重量％の量で添加したポリ
シラザンの２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上
にスピンコートにより塗布し、乾燥後、平坦化のため２
５０℃で３分間熱処理した。次に、得られた膜を、酸素
雰囲気下に、４５０℃で３０分間熱処理して、シリコン
酸化膜とした。この酸化膜の耐クラック性は、１．５μ
ｍであった。また、この酸化膜を昇温脱ガス分析に付し
たところ、図３に示すように、アミン系ガス（Ｍｚ＝１
５、１６、１７）の放出が見られないことがわかる。
ンに対してフェノールを１０重量％の量で添加したポリ
シラザンの２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上
にスピンコートにより塗布し、乾燥後、平坦化のため２
５０℃で３分間熱処理した。次に、得られた膜を、酸素
雰囲気下に、４５０℃で３０分間熱処理して、シリコン
酸化膜とした。この酸化膜の耐クラック性は、１．５μ
ｍであった。また、この酸化膜を昇温脱ガス分析に付し
たところ、図３に示すように、アミン系ガス（Ｍｚ＝１
５、１６、１７）の放出が見られないことがわかる。
【００１８】次に、配線厚８０００Å（０．８μｍ）の
アルミ配線を施した基板上に、上記と同様にして、この
酸化膜を形成したところ、基板面の段差は０．１μｍで
あり、アルミ配線により生じた段差が平坦化されてい
た。さらに、この酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行
ったところ、膜減りおよびクラックの発生は認められな
かった。
アルミ配線を施した基板上に、上記と同様にして、この
酸化膜を形成したところ、基板面の段差は０．１μｍで
あり、アルミ配線により生じた段差が平坦化されてい
た。さらに、この酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行
ったところ、膜減りおよびクラックの発生は認められな
かった。
【００１９】実施例２ 実施例１で用いたと同じフェノール含有ポリシラザンの
２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピンコ
ートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。次
に、得られた膜を、水蒸気雰囲気下に、４５０℃で３０
分間熱処理して、シリコン酸化膜とした。この酸化膜の
耐クラック性は、１．５μｍであった。また、この酸化
膜を昇温脱ガス分析に付したところ、図４に示すよう
に、アミン系ガス（Ｍｚ＝１５、１６、１７）の放出が
見られないことがわかる。
２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピンコ
ートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。次
に、得られた膜を、水蒸気雰囲気下に、４５０℃で３０
分間熱処理して、シリコン酸化膜とした。この酸化膜の
耐クラック性は、１．５μｍであった。また、この酸化
膜を昇温脱ガス分析に付したところ、図４に示すよう
に、アミン系ガス（Ｍｚ＝１５、１６、１７）の放出が
見られないことがわかる。
【００２０】次に、配線厚８０００Åのアルミ配線を施
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
【００２１】実施例３ 実施例１で用いたと同じフェノール含有ポリシラザンの
２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピンコ
ートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。次
に、得られた膜を、８０℃の温水に３分間浸漬した後、
酸素雰囲気下に４５０℃で３０分間熱処理して、シリコ
ン酸化膜とした。この酸化膜の耐クラック性は、１．５
μｍであった。また、この酸化膜を昇温脱ガス分析に付
したところ、図５に示すように、アミン系ガス（Ｍｚ＝
１５、１６、１７）の放出が見られないことがわかる。
２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピンコ
ートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。次
に、得られた膜を、８０℃の温水に３分間浸漬した後、
酸素雰囲気下に４５０℃で３０分間熱処理して、シリコ
ン酸化膜とした。この酸化膜の耐クラック性は、１．５
μｍであった。また、この酸化膜を昇温脱ガス分析に付
したところ、図５に示すように、アミン系ガス（Ｍｚ＝
１５、１６、１７）の放出が見られないことがわかる。
【００２２】次に、配線厚８０００Åのアルミ配線を施
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
【００２３】実施例４ 実施例１で用いたと同じフェノール含有ポリシラザンの
２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピンコ
ートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。次
に、得られた膜を、紫外線照射下に３５０℃で３分間熱
処理した後、酸素雰囲気下に４５０℃で３０分間熱処理
して、シリコン酸化膜とした。この酸化膜を昇温脱ガス
分析に付したところ、図６に示すように、アミン系ガス
（Ｍｚ＝１５、１６、１７）の放出が見られないことが
わかる。
２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピンコ
ートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。次
に、得られた膜を、紫外線照射下に３５０℃で３分間熱
処理した後、酸素雰囲気下に４５０℃で３０分間熱処理
して、シリコン酸化膜とした。この酸化膜を昇温脱ガス
分析に付したところ、図６に示すように、アミン系ガス
（Ｍｚ＝１５、１６、１７）の放出が見られないことが
わかる。
【００２４】次に、配線厚８０００Åのアルミ配線を施
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
【００２５】比較例１ 実施例１で用いたと同じ分子量約３０００のポリシラザ
ンの２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピ
ンコートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。
次に、得られた膜を、酸素雰囲気下に、４５０℃で３０
分間熱処理して、シリコン酸化膜とした。この酸化膜の
耐クラック性は、１．５μｍであった。また、この酸化
膜を昇温脱ガス分析に付したところ、図７に示すよう
に、アミン系ガス（Ｍｚ＝１５、１６、１７）が大量に
放出されることが認められた。
ンの２０重量％キシレン溶液を、シリコン平板上にスピ
ンコートにより塗布し、２５０℃で３分間熱処理した。
次に、得られた膜を、酸素雰囲気下に、４５０℃で３０
分間熱処理して、シリコン酸化膜とした。この酸化膜の
耐クラック性は、１．５μｍであった。また、この酸化
膜を昇温脱ガス分析に付したところ、図７に示すよう
に、アミン系ガス（Ｍｚ＝１５、１６、１７）が大量に
放出されることが認められた。
【００２６】次に、配線厚８０００Åのアルミ配線を施
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
した基板上に、上記と同様にして、この酸化膜を形成し
たところ、基板面の段差は０．１μｍであり、アルミ配
線により生じた段差が平坦化されていた。さらに、この
酸化膜に対して酸素プラズマ処理を行ったところ、膜減
りおよびクラックの発生は認められなかった。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の方法により形成されるシリコン酸化膜は、下地に凹凸
を有する基板を平坦化することが可能であり、成膜過程
での配線材料に対するダメージを抑えることができる。
従って、半導体装置あるいはフラットディスプレイ装置
における絶縁あるいは平坦化膜として有用となる。
の方法により形成されるシリコン酸化膜は、下地に凹凸
を有する基板を平坦化することが可能であり、成膜過程
での配線材料に対するダメージを抑えることができる。
従って、半導体装置あるいはフラットディスプレイ装置
における絶縁あるいは平坦化膜として有用となる。
【図１】従来の有機ＳＯＧ膜を有する半導体装置の模式
断面図。
断面図。
【図２】本発明の方法に従って形成されたシリコン酸化
膜を有する半導体装置の模式断面図。
膜を有する半導体装置の模式断面図。
【図３】一実施例で得られたシリコン酸化膜の昇温脱ガ
ス分析の結果を示す図。
ス分析の結果を示す図。
【図４】他の実施例で得られたシリコン酸化膜の昇温脱
ガス分析の結果を示す図。
ガス分析の結果を示す図。
【図５】他の実施例で得られたシリコン酸化膜の昇温脱
ガス分析の結果を示す図。
ガス分析の結果を示す図。
【図６】他の実施例で得られたシリコン酸化膜の昇温脱
ガス分析の結果を示す図。
ガス分析の結果を示す図。
【図７】比較例で得られたシリコン酸化膜の昇温脱ガス
分析の結果を示す図。
分析の結果を示す図。
１…シリコン基板 ２…アルミ配線 ３…有機ＳＯＧ膜 ３’…シリコン酸化膜 ４…ＣＶＤ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大倉 嘉之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 シリコン酸化膜を形成するに際して、下
地上にポリシラザンおよびフェノール性水酸基を含む化
合物を含む塗液を塗布し、得られた塗膜をシリコン酸化
膜に変成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方
法。 - 【請求項２】 塗膜のシリコン酸化膜への変成が、塗膜
を酸化性雰囲気中で熱処理することにより行われる、請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】 酸化性雰囲気が、酸素を含む雰囲気また
は水蒸気を含む雰囲気である、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 前記塗膜のシリコン酸化膜への変成のた
めの熱処理の前に、塗膜の溶媒乾燥および／または溶融
平坦化のための熱処理が行われる、請求項２記載の方
法。 - 【請求項５】 前記塗膜のシリコン酸化膜への変成のた
めの熱処理の前であって、前記塗膜の溶媒乾燥および／
または溶融平坦化のための熱処理の後に、塗膜が吸水処
理に付される、請求項２記載の方法。 - 【請求項６】 前記塗膜の溶媒乾燥および／または溶融
平坦化のための熱処理が、紫外線の照射下に行われる、
請求項２記載の方法。 - 【請求項７】 塗膜のシリコン酸化膜が、さらに酸素プ
ラズマ処理に付される、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載の方法により得られたシ
リコン酸化膜を含む半導体装置。 - 【請求項９】 半導体基板と、配線層と、前記半導体基
板および少なくとも前記配線層の一部を覆う前記シリコ
ン酸化膜とを有する、請求項８記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の方法により得られた
シリコン酸化膜を含むフラットディスプレイ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14762394A JPH0817816A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | シリコン酸化膜の形成方法 |
| US08/939,923 US5976618A (en) | 1993-07-29 | 1997-09-29 | Process for forming silicon dioxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14762394A JPH0817816A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817816A true JPH0817816A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15434518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14762394A Pending JPH0817816A (ja) | 1993-07-29 | 1994-06-29 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094321A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | ポリシラザン膜の形成方法 |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP14762394A patent/JPH0817816A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094321A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | ポリシラザン膜の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011106 |