JPH08176694A - 半導体装置のヒートシンク用薄肉焼結板材の製造法 - Google Patents
半導体装置のヒートシンク用薄肉焼結板材の製造法Info
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- JPH08176694A JPH08176694A JP33565194A JP33565194A JPH08176694A JP H08176694 A JPH08176694 A JP H08176694A JP 33565194 A JP33565194 A JP 33565194A JP 33565194 A JP33565194 A JP 33565194A JP H08176694 A JPH08176694 A JP H08176694A
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- thin
- sintered
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 材質的に均質で、かつポアが存在せず、した
がって半導体装置のヒートシンクとして用いるのに適し
た薄肉焼結板材を製造する方法を提供する。 【構成】 厚さ：０．３mm以下の薄肉焼結板材を製造す
る方法が、基本的に、（ａ）原料粉末として、Ｗ粉末、
Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、およびＣｕ−Ｎｉ合金粉末を用
い、（ｂ）これら原料粉末を、重量％で、Ｃｕ：４〜２
０％、必要に応じてＮｉ：０．１〜５％を含有し、残り
がＷからなる組成に配合し、（ｃ）メカニカルアロイン
グ処理を施し、（ｄ）薄板状成形体に成形し、（ｅ）前
記薄板状成形体を液相焼結することからなる。
がって半導体装置のヒートシンクとして用いるのに適し
た薄肉焼結板材を製造する方法を提供する。 【構成】 厚さ：０．３mm以下の薄肉焼結板材を製造す
る方法が、基本的に、（ａ）原料粉末として、Ｗ粉末、
Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、およびＣｕ−Ｎｉ合金粉末を用
い、（ｂ）これら原料粉末を、重量％で、Ｃｕ：４〜２
０％、必要に応じてＮｉ：０．１〜５％を含有し、残り
がＷからなる組成に配合し、（ｃ）メカニカルアロイン
グ処理を施し、（ｄ）薄板状成形体に成形し、（ｅ）前
記薄板状成形体を液相焼結することからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、材質的に均質で、か
つポアが実質的に存在せず、したがって特に半導体装置
の基板に接合されて放熱作用を発揮するヒートシンクと
して用いた場合に均一にして高い放熱性を示す薄肉焼結
板材の製造法に関するものである。
つポアが実質的に存在せず、したがって特に半導体装置
の基板に接合されて放熱作用を発揮するヒートシンクと
して用いた場合に均一にして高い放熱性を示す薄肉焼結
板材の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に半導体装置のヒートシンク
として、Ｗ−Ｃｕ系やＷ−Ｃｕ−Ｎｉ系の薄肉焼結溶浸
板材が広く用いられている。また、これら薄肉焼結溶浸
板材が、１〜５μｍの平均粒径を有するＷ粉末から２〜
６ton ／cm2 の圧力で２〜５mmの厚さを有する圧粉体を
プレス成形し、この圧粉体を、水素雰囲気または真空
中、１３００〜１５００℃の温度で焼結して１〜４．５
mmの厚さを有する多孔質Ｗ焼結体とし、ついで前記多孔
質Ｗ焼結体を、所定重量のＣｕ板材と重ね合わせた状態
で、水素雰囲気中、前記Ｃｕ板材の融点よりも５０〜１
５０℃高い温度に加熱して、前記多孔質Ｗ焼結体にＣｕ
を溶浸させて焼結溶浸板材とし、さらに前記焼結溶浸板
材の両面を研削して、その厚さを０．３mm以下にするこ
とにより製造されることも知られている。
として、Ｗ−Ｃｕ系やＷ−Ｃｕ−Ｎｉ系の薄肉焼結溶浸
板材が広く用いられている。また、これら薄肉焼結溶浸
板材が、１〜５μｍの平均粒径を有するＷ粉末から２〜
６ton ／cm2 の圧力で２〜５mmの厚さを有する圧粉体を
プレス成形し、この圧粉体を、水素雰囲気または真空
中、１３００〜１５００℃の温度で焼結して１〜４．５
mmの厚さを有する多孔質Ｗ焼結体とし、ついで前記多孔
質Ｗ焼結体を、所定重量のＣｕ板材と重ね合わせた状態
で、水素雰囲気中、前記Ｃｕ板材の融点よりも５０〜１
５０℃高い温度に加熱して、前記多孔質Ｗ焼結体にＣｕ
を溶浸させて焼結溶浸板材とし、さらに前記焼結溶浸板
材の両面を研削して、その厚さを０．３mm以下にするこ
とにより製造されることも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の半導体装
置の高集積化に伴ない、これの発熱量も増大する傾向に
あるが、上記の従来薄肉焼結溶浸板材においては、これ
を構成する両面研削前の多孔質Ｗ焼結体におけるポアの
分布および孔径が不均一であるために、これへの溶浸が
完全に、かつ均一に行なわれず、この結果ポアが残存
し、かつ溶浸材の分布も不均一なものとなり、したがっ
てこれに両面研削を施し薄肉化してヒートシンクとして
用いた場合、放熱の低下および局部的不均一化は避けら
れず、この傾向は発熱量の増大に比例して増幅し、半導
体装置の機能を損なう原因となる。
置の高集積化に伴ない、これの発熱量も増大する傾向に
あるが、上記の従来薄肉焼結溶浸板材においては、これ
を構成する両面研削前の多孔質Ｗ焼結体におけるポアの
分布および孔径が不均一であるために、これへの溶浸が
完全に、かつ均一に行なわれず、この結果ポアが残存
し、かつ溶浸材の分布も不均一なものとなり、したがっ
てこれに両面研削を施し薄肉化してヒートシンクとして
用いた場合、放熱の低下および局部的不均一化は避けら
れず、この傾向は発熱量の増大に比例して増幅し、半導
体装置の機能を損なう原因となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、上記の半導体装置のヒートシン
クとして用いられている従来薄肉焼結溶浸板材のもつ問
題点を解決すべく研究を行なった結果、 （１） Ｗ粉末とＣｕ粉末、あるいはＷ粉末とＣｕ粉末
とＮｉ粉末および／またはＣｕ−Ｎｉ合金粉末を所定の
割合に配合し、これらの粉末をボールミル、遊星型ボー
ルミル、あるいはアトライター等を用い、メカニカルア
ロイングして、これらの粉末が機械的に、かつ均一に相
互に密着した混合粉末とし、 （２） この混合粉末を原料粉末として用い、通常のド
クターブレード法により薄板状成形体に成形し、Ｃｕま
たはＣｕ−Ｎｉ合金の融点以上の温度で液相焼結して厚
さ：０．３mm以下の薄肉焼結板材を製造すると、 （３） 以下に示す理由、すなわち、 （ａ） 原料粉末である混合粉末は個々の粉末がそれぞ
れほとんど均一な組成をもつものとなっているので、薄
板状成形体に組成の局部的不均一が存在しないようにな
ること。 （ｂ） ドクターブレード法により成形された薄板状成
形体においては、原料粉末が相対的に比重の大きいＷを
主成分としているので、乾燥時に沈澱し易く、かつメカ
ニカルアロイングされた上記原料粉末は凹凸が多く、比
表面積の大きなものとなっており、この状態では溶媒の
表面張力が粉末間隔を狭める方向に働くので、乾燥時の
溶媒が蒸発する際に均一に緻密化すること。 以上（ａ）および（ｂ）の理由によって材質的に均質
で、実質的にポアの存在しない薄肉焼結板材が得られる
ようになること。以上（１）〜（３）に示される研究結
果を得たのである。
上述のような観点から、上記の半導体装置のヒートシン
クとして用いられている従来薄肉焼結溶浸板材のもつ問
題点を解決すべく研究を行なった結果、 （１） Ｗ粉末とＣｕ粉末、あるいはＷ粉末とＣｕ粉末
とＮｉ粉末および／またはＣｕ−Ｎｉ合金粉末を所定の
割合に配合し、これらの粉末をボールミル、遊星型ボー
ルミル、あるいはアトライター等を用い、メカニカルア
ロイングして、これらの粉末が機械的に、かつ均一に相
互に密着した混合粉末とし、 （２） この混合粉末を原料粉末として用い、通常のド
クターブレード法により薄板状成形体に成形し、Ｃｕま
たはＣｕ−Ｎｉ合金の融点以上の温度で液相焼結して厚
さ：０．３mm以下の薄肉焼結板材を製造すると、 （３） 以下に示す理由、すなわち、 （ａ） 原料粉末である混合粉末は個々の粉末がそれぞ
れほとんど均一な組成をもつものとなっているので、薄
板状成形体に組成の局部的不均一が存在しないようにな
ること。 （ｂ） ドクターブレード法により成形された薄板状成
形体においては、原料粉末が相対的に比重の大きいＷを
主成分としているので、乾燥時に沈澱し易く、かつメカ
ニカルアロイングされた上記原料粉末は凹凸が多く、比
表面積の大きなものとなっており、この状態では溶媒の
表面張力が粉末間隔を狭める方向に働くので、乾燥時の
溶媒が蒸発する際に均一に緻密化すること。 以上（ａ）および（ｂ）の理由によって材質的に均質
で、実質的にポアの存在しない薄肉焼結板材が得られる
ようになること。以上（１）〜（３）に示される研究結
果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、（ａ） 原料粉末として、Ｗ粉
末、Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、およびＣｕ−Ｎｉ合金粉末を
用い、（ｂ） これら原料粉末を、重量％で（以下、％
は重量％を示す）、Ｃｕ：４〜２０％、Ｗ：残り、ある
いは、Ｃｕ−４〜２０％、Ｎｉ：０．１〜５％、Ｗ：残
り、からなる配合組成に配合し、（ｃ） これにメカニ
カルアロイング処理を施してＷ粉末とＣｕ粉末、あるい
はＷ粉末とＣｕ粉末とＮｉ粉末および／またはＣｕ−Ｎ
ｉ合金粉末を機械的に、かつ均一に相互に密着した混合
粉末とし、（ｄ） 上記ドクターブレード法により薄板
状成形体に成形し、（ｅ） 上記薄板状成形体を液相焼
結して厚さ：０．３mm以下の薄肉焼結板材を製造する、
以上（ａ）〜（ｅ）の基本工程により材質的に均質で、
かつポアが実質的に存在せず、したがって特に半導体装
置のヒートシンクとして用いた場合に、局部的に均一に
して、高い放熱性を示す薄肉焼結板材を製造する方法に
特徴を有するものである。
なされたものであって、（ａ） 原料粉末として、Ｗ粉
末、Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、およびＣｕ−Ｎｉ合金粉末を
用い、（ｂ） これら原料粉末を、重量％で（以下、％
は重量％を示す）、Ｃｕ：４〜２０％、Ｗ：残り、ある
いは、Ｃｕ−４〜２０％、Ｎｉ：０．１〜５％、Ｗ：残
り、からなる配合組成に配合し、（ｃ） これにメカニ
カルアロイング処理を施してＷ粉末とＣｕ粉末、あるい
はＷ粉末とＣｕ粉末とＮｉ粉末および／またはＣｕ−Ｎ
ｉ合金粉末を機械的に、かつ均一に相互に密着した混合
粉末とし、（ｄ） 上記ドクターブレード法により薄板
状成形体に成形し、（ｅ） 上記薄板状成形体を液相焼
結して厚さ：０．３mm以下の薄肉焼結板材を製造する、
以上（ａ）〜（ｅ）の基本工程により材質的に均質で、
かつポアが実質的に存在せず、したがって特に半導体装
置のヒートシンクとして用いた場合に、局部的に均一に
して、高い放熱性を示す薄肉焼結板材を製造する方法に
特徴を有するものである。
【０００６】つぎに、この発明の方法において、Ｃｕの
配合割合を４〜２０％としたのは、一般にヒートシンク
には、半導体装置の基板に対応した熱膨脹率と高い熱伝
導率が要求され、これらの特性はＷとＣｕ、さらに必要
に応じて配合されるＮｉの割合によってきまるが、Ｃｕ
の配合割合が４％未満では熱膨脹率および熱伝導率とも
不十分であり、一方その配合割合が２０％を越えると、
熱伝導率は高くなるものの熱膨脹率が基体のそれに対し
て大きくなりすぎてしまうという理由によるものであ
り、望ましくは８〜１５％の含有がよく、また、Ｎｉに
はＷ粉末とのぬれ性および焼結性を一段と向上させ、も
って強度の向上に寄与するほか、耐食性を向上させる作
用があるので、必要に応じて配合されるが、その割合が
０．１％未満では前記作用に所望の効果が得られず、一
方その割合が５％を越えると急激に熱伝導率が低下する
ようになることから、その割合を０．１〜５％、望まし
くは１〜３％と定めた。
配合割合を４〜２０％としたのは、一般にヒートシンク
には、半導体装置の基板に対応した熱膨脹率と高い熱伝
導率が要求され、これらの特性はＷとＣｕ、さらに必要
に応じて配合されるＮｉの割合によってきまるが、Ｃｕ
の配合割合が４％未満では熱膨脹率および熱伝導率とも
不十分であり、一方その配合割合が２０％を越えると、
熱伝導率は高くなるものの熱膨脹率が基体のそれに対し
て大きくなりすぎてしまうという理由によるものであ
り、望ましくは８〜１５％の含有がよく、また、Ｎｉに
はＷ粉末とのぬれ性および焼結性を一段と向上させ、も
って強度の向上に寄与するほか、耐食性を向上させる作
用があるので、必要に応じて配合されるが、その割合が
０．１％未満では前記作用に所望の効果が得られず、一
方その割合が５％を越えると急激に熱伝導率が低下する
ようになることから、その割合を０．１〜５％、望まし
くは１〜３％と定めた。
【０００７】
【実施例】原料粉末として、平均粒径：２μｍのＷ粉
末、同５０μｍのＣｕ粉末、および同１０μｍのＮｉ粉
末を用い、これら原料粉末を表１に示される配合組成に
配合し、これをアトライターおよびボールミルのいずれ
かに装入し、 （ａ） アトライターの場合 ポット容積：１０ｌ、使用ボール：直径１０mmのＷＣ基
超硬合金製、溶媒：アセトン、混合粉末重量：３kg、ボ
ールの見掛け体積：４ｌ、溶媒量：１ｌ、アトライター
翼の回転数：３００r.p.m.、処理時間：５０時間、 （ｂ） ボールミルの場合 ポット容積：２ｌ、使用ボール：直径８mmのＷＣ基超硬
合金製、溶媒：アセトン、混合粉末重量：５００ｇ、溶
媒量：３００ｇ、回転数：１２０r.p.m.、処理時間：２
４０時間、の条件でメカニカルアロイング処理を施して
混合粉末とし、この混合粉末を電子顕微鏡で観察したと
ころ、いずれもＷ粉末とＣｕ粉末、あるいはＷ粉末とＣ
ｕ粉末と、Ｎｉ粉末および／またはＣｕ−Ｎｉ合金が機
械的に密着した状態を示し、ついでこれらのそれぞれの
混合粉末：１kgに、水溶性メチルセルローズ樹脂：１０
ｇ、グリセリン：５ｇ、水：５００ｇを加え、真空混練
機で混練し、脱泡してスラリーとし、このスラリーをド
クターブレート法により通常の条件で所定厚さの薄板状
成形体に成形し、この薄板状成形体から２０mm×３０mm
の寸法をもった試験片を切り出し、これを温度：５０℃
の水をバブリングすることにより発生させた水蒸気で加
湿した水素雰囲気中、１．５℃／min の昇温速度で温
度：５５０℃に加熱し、この温度に４時間保持して脱脂
した後、アンモニア分解ガス雰囲気中、温度：１２５０
℃に２時間保持の条件で焼結し、焼結後、両面を両刃研
磨装置でそれぞれ２０μｍの厚さ研磨することにより本
発明法１〜１０をそれぞれ実施し、同じく表１に示され
る厚さの薄肉焼結板材を製造した。
末、同５０μｍのＣｕ粉末、および同１０μｍのＮｉ粉
末を用い、これら原料粉末を表１に示される配合組成に
配合し、これをアトライターおよびボールミルのいずれ
かに装入し、 （ａ） アトライターの場合 ポット容積：１０ｌ、使用ボール：直径１０mmのＷＣ基
超硬合金製、溶媒：アセトン、混合粉末重量：３kg、ボ
ールの見掛け体積：４ｌ、溶媒量：１ｌ、アトライター
翼の回転数：３００r.p.m.、処理時間：５０時間、 （ｂ） ボールミルの場合 ポット容積：２ｌ、使用ボール：直径８mmのＷＣ基超硬
合金製、溶媒：アセトン、混合粉末重量：５００ｇ、溶
媒量：３００ｇ、回転数：１２０r.p.m.、処理時間：２
４０時間、の条件でメカニカルアロイング処理を施して
混合粉末とし、この混合粉末を電子顕微鏡で観察したと
ころ、いずれもＷ粉末とＣｕ粉末、あるいはＷ粉末とＣ
ｕ粉末と、Ｎｉ粉末および／またはＣｕ−Ｎｉ合金が機
械的に密着した状態を示し、ついでこれらのそれぞれの
混合粉末：１kgに、水溶性メチルセルローズ樹脂：１０
ｇ、グリセリン：５ｇ、水：５００ｇを加え、真空混練
機で混練し、脱泡してスラリーとし、このスラリーをド
クターブレート法により通常の条件で所定厚さの薄板状
成形体に成形し、この薄板状成形体から２０mm×３０mm
の寸法をもった試験片を切り出し、これを温度：５０℃
の水をバブリングすることにより発生させた水蒸気で加
湿した水素雰囲気中、１．５℃／min の昇温速度で温
度：５５０℃に加熱し、この温度に４時間保持して脱脂
した後、アンモニア分解ガス雰囲気中、温度：１２５０
℃に２時間保持の条件で焼結し、焼結後、両面を両刃研
磨装置でそれぞれ２０μｍの厚さ研磨することにより本
発明法１〜１０をそれぞれ実施し、同じく表１に示され
る厚さの薄肉焼結板材を製造した。
【０００８】また、比較の目的で、原料粉末として平均
粒径：２μｍのＷ粉末を用い、このＷ粉末を２〜６ton
／cm2 の範囲内の所定の圧力でプレス成形して圧粉体を
成形し、この圧粉体をアンモニア分解ガス雰囲気中、温
度：１２５０℃に２時間保持の条件で焼結して、表２に
示される気孔率を有し、かついずれも縦：１５mm×横：
２０mm×厚さ：３mmの寸法をもった焼結板材を製造し、
ついでこの焼結板材の上に純銅板材を重ね合わせ、この
状態でアンモニア分解ガス雰囲気中、温度：１２００℃
に０．５時間保持の条件で溶浸処理を行なって前記Ｗ焼
結板材の気孔に純銅を溶浸させ、最終的に両面を両刃研
磨装置を用い、研磨することにより従来法１〜６を行な
い、同じく表２に示される溶浸材割合および厚さの薄肉
焼結板材をそれぞれ製造した。
粒径：２μｍのＷ粉末を用い、このＷ粉末を２〜６ton
／cm2 の範囲内の所定の圧力でプレス成形して圧粉体を
成形し、この圧粉体をアンモニア分解ガス雰囲気中、温
度：１２５０℃に２時間保持の条件で焼結して、表２に
示される気孔率を有し、かついずれも縦：１５mm×横：
２０mm×厚さ：３mmの寸法をもった焼結板材を製造し、
ついでこの焼結板材の上に純銅板材を重ね合わせ、この
状態でアンモニア分解ガス雰囲気中、温度：１２００℃
に０．５時間保持の条件で溶浸処理を行なって前記Ｗ焼
結板材の気孔に純銅を溶浸させ、最終的に両面を両刃研
磨装置を用い、研磨することにより従来法１〜６を行な
い、同じく表２に示される溶浸材割合および厚さの薄肉
焼結板材をそれぞれ製造した。
【０００９】ついで、この結果得られた各種の薄肉焼結
板材について、光学顕微鏡を用い、表面：５０ヶ所を５
００倍の倍率で組織観察し、最大直径が２０μｍ以上の
Ｃｕ相またはＣｕ−Ｎｉ相（以下、粗大結合相という）
の数、並びにミクロポアの数を測定した。これらの測定
結果を表１，２に５０ヶ所の合計量で示した。
板材について、光学顕微鏡を用い、表面：５０ヶ所を５
００倍の倍率で組織観察し、最大直径が２０μｍ以上の
Ｃｕ相またはＣｕ−Ｎｉ相（以下、粗大結合相という）
の数、並びにミクロポアの数を測定した。これらの測定
結果を表１，２に５０ヶ所の合計量で示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【発明の効果】表１，２に示される結果から、本発明法
１〜１０によれば、実質的に粗大結合相およびミクロポ
アの存在しない薄肉焼結板材を製造することができ、こ
れに対して従来法１〜６では、製造された薄肉焼結板材
に、かなりの割合での粗大結合相およびミクロポアの形
成が避けられないことが明らかである。上述のように、
この発明の方法によれば、実質的に粗大結合相およびポ
アの形成がなく、材質的に均一な薄肉焼結板材を製造す
ることができ、したがってこれを半導体装置のヒートシ
ンクとして用いた場合に局部的に均一にして、高い放熱
効果を発揮するなど工業上有用な効果をもたらすのであ
る。
１〜１０によれば、実質的に粗大結合相およびミクロポ
アの存在しない薄肉焼結板材を製造することができ、こ
れに対して従来法１〜６では、製造された薄肉焼結板材
に、かなりの割合での粗大結合相およびミクロポアの形
成が避けられないことが明らかである。上述のように、
この発明の方法によれば、実質的に粗大結合相およびポ
アの形成がなく、材質的に均一な薄肉焼結板材を製造す
ることができ、したがってこれを半導体装置のヒートシ
ンクとして用いた場合に局部的に均一にして、高い放熱
効果を発揮するなど工業上有用な効果をもたらすのであ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ） 原料粉末として、Ｗ粉末とＣｕ
粉末を用い、 （ｂ） これら原料粉末を、Ｃｕ：４〜２０重量％、
Ｗ：残り、からなる配合組成に配合し、 （ｃ） これにメカニカルアロイング処理を施してＷ粉
末とＣｕ粉末を機械的に密着させた混合粉末とし、 （ｄ） 上記混合粉末を、ドクターブレード法にて薄板
状成形体に成形し、 （ｅ） 上記薄板状成形体を液相焼結して厚さ：０．３
mm以下の薄肉焼結板材を製造する、以上（ａ）〜（ｅ）
の基本工程からなることを特徴とする半導体装置のヒー
トシンク用薄肉焼結板材の製造法。 - 【請求項２】 （ａ） 原料粉末として、Ｗ粉末、Ｃｕ
粉末、Ｎｉ粉末、およびＣｕ−Ｎｉ合金粉末を用い、 （ｂ） これら原料粉末を、Ｃｕ：４〜２０重量％、Ｎ
ｉ：０．１〜５重量％、Ｗ：残り、からなる配合組成に
配合し、 （ｃ） これにメカニカルアロイング処理を施して、Ｗ
粉末とＣｕ粉末と、Ｎｉ粉末および／またはＮｉ−Ｃｕ
合金粉末を機械的に密着させた混合粉末とし、 （ｄ） 上記混合粉末を、ドクターブレード法にて薄板
状成形体に成形し、 （ｅ） 上記薄板状成形体を液相焼結して厚さ：０．３
mm以下の薄肉焼結板材を製造する、以上（ａ）〜（ｅ）
の基本工程からなることを特徴とする半導体装置のヒー
トシンク用薄肉焼結板材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33565194A JPH08176694A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体装置のヒートシンク用薄肉焼結板材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33565194A JPH08176694A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体装置のヒートシンク用薄肉焼結板材の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176694A true JPH08176694A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18290991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33565194A Withdrawn JPH08176694A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体装置のヒートシンク用薄肉焼結板材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176694A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158901A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-06-12 | Osram Sylvania Inc | 電気接点及び電極用の合金並びにその製造方法 |
| US7320925B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-01-22 | Siltronic Ag | SOI substrate, semiconductor substrate, and method for production thereof |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP33565194A patent/JPH08176694A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158901A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-06-12 | Osram Sylvania Inc | 電気接点及び電極用の合金並びにその製造方法 |
| US7320925B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-01-22 | Siltronic Ag | SOI substrate, semiconductor substrate, and method for production thereof |
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