JPH08176605A - パラジウム被覆銀粉の製造方法 - Google Patents
パラジウム被覆銀粉の製造方法Info
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シャープな粒度分布を保ったまま０．３〜
１．０μｍの範囲で任意に粒径を制御できるパラジウム
被覆銀粉の製造方法を提供する。 【構成】 塩化アンモニウム濃度が１０ｇ／ｌ以上の塩
化アンミン銀水溶液に、還元剤としてＬ−アスコルビン
酸とヒドラジン化合物の混合物を加えて、３０〜７０℃
の温度で銀粒子を形成した後、該銀粒子にパラジウムを
被覆してパラジウム被覆銀粉を得る。
１．０μｍの範囲で任意に粒径を制御できるパラジウム
被覆銀粉の製造方法を提供する。 【構成】 塩化アンモニウム濃度が１０ｇ／ｌ以上の塩
化アンミン銀水溶液に、還元剤としてＬ−アスコルビン
酸とヒドラジン化合物の混合物を加えて、３０〜７０℃
の温度で銀粒子を形成した後、該銀粒子にパラジウムを
被覆してパラジウム被覆銀粉を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサーの電極や積層セラミック基板の回路等を形成する
ための導電性被膜形成用組成物として好適なパラジウム
被覆銀粉とその製造方法に関する。
ンサーの電極や積層セラミック基板の回路等を形成する
ための導電性被膜形成用組成物として好適なパラジウム
被覆銀粉とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサー用グリーン
シートはチタン酸バリウム等の誘電体を主成分とし、積
層セラミック基板用グリーンシートはアルミナ、ガラス
等を主成分とする。これらの主成分をバインダおよび溶
剤と混合し、該混合物をドクターブレード法、ロールコ
ーター法等によって形成したグリーンシート上に、必要
な電極、回路を形成するために導電性被膜形成用組成物
を塗布し、これらを複数層積み重ねて９００〜１４００
℃で焼成することにより積層セラミックコンデンサーや
積層セラミック基板が製造される。この焼成温度は主成
分の焼結性に依存しており、主成分によって必要な焼成
温度が決まる。
シートはチタン酸バリウム等の誘電体を主成分とし、積
層セラミック基板用グリーンシートはアルミナ、ガラス
等を主成分とする。これらの主成分をバインダおよび溶
剤と混合し、該混合物をドクターブレード法、ロールコ
ーター法等によって形成したグリーンシート上に、必要
な電極、回路を形成するために導電性被膜形成用組成物
を塗布し、これらを複数層積み重ねて９００〜１４００
℃で焼成することにより積層セラミックコンデンサーや
積層セラミック基板が製造される。この焼成温度は主成
分の焼結性に依存しており、主成分によって必要な焼成
温度が決まる。
【０００３】この電極、回路に用いられる導電性被膜形
成用組成物は、その焼成温度で溶融したり、蒸発したり
せず、しかも当該セラミックグリーンシートに焼付け可
能なものでなければならない。このような導電性被膜形
成用組成物の導電材料として、パラジウムまたは焼成温
度に対応してパラジウム含有率の異なる種々の銀−パラ
ジウム合金が用いられている。近年、上記のような積層
セラミック製品において主成分をより低温で焼結できる
ようにし、それに対応して導電性被膜形成用組成物の導
電材料も、パラジウム含有率の低い、より安価な銀−パ
ラジウム合金を用いることができるようにし、これらの
両方のコスト節約による積層セラミック製品の低価格化
が図られている。
成用組成物は、その焼成温度で溶融したり、蒸発したり
せず、しかも当該セラミックグリーンシートに焼付け可
能なものでなければならない。このような導電性被膜形
成用組成物の導電材料として、パラジウムまたは焼成温
度に対応してパラジウム含有率の異なる種々の銀−パラ
ジウム合金が用いられている。近年、上記のような積層
セラミック製品において主成分をより低温で焼結できる
ようにし、それに対応して導電性被膜形成用組成物の導
電材料も、パラジウム含有率の低い、より安価な銀−パ
ラジウム合金を用いることができるようにし、これらの
両方のコスト節約による積層セラミック製品の低価格化
が図られている。
【０００４】ところで、銀−パラジウム合金を製造する
場合、銀粉末（融点９６０．５℃）とパラジウム粉末
（融点１５５２℃）の混合物を焼成温度に昇温すると、
銀粉がパラジウムと合金化する前に溶融し、微小球化し
たり、蒸発してしまうという問題がある。このため、上
記導電性材料には、銀−パラジウムの共沈粉末が用いら
れている。銀−パラジウム共沈粉末は、硝酸銀と硝酸パ
ラジウムを所望の比率で混合した溶液と、炭酸ソーダ等
を混合して銀およびパラジウムの炭酸塩を沈殿させ、こ
れにホルマリン、ギ酸、ヒドラジン等の還元剤を作用せ
しめて得られるもので、Ｘ線回折図からは一応合金粉に
なっていると認められる。ところが、この共沈粉末を用
いた導電性被膜形成用組成物により電極、回路等を形成
してみると、パラジウムが所定量含有されているにも拘
らず、局部的に銀が溶融している現象が認められる。こ
のため、この共沈粉末を用いる場合、焼成温度に相当す
る所定のパラジウム含有率より幾分パラジウムが多めの
銀−パラジウム共沈粉末を用いざるを得なかった。
場合、銀粉末（融点９６０．５℃）とパラジウム粉末
（融点１５５２℃）の混合物を焼成温度に昇温すると、
銀粉がパラジウムと合金化する前に溶融し、微小球化し
たり、蒸発してしまうという問題がある。このため、上
記導電性材料には、銀−パラジウムの共沈粉末が用いら
れている。銀−パラジウム共沈粉末は、硝酸銀と硝酸パ
ラジウムを所望の比率で混合した溶液と、炭酸ソーダ等
を混合して銀およびパラジウムの炭酸塩を沈殿させ、こ
れにホルマリン、ギ酸、ヒドラジン等の還元剤を作用せ
しめて得られるもので、Ｘ線回折図からは一応合金粉に
なっていると認められる。ところが、この共沈粉末を用
いた導電性被膜形成用組成物により電極、回路等を形成
してみると、パラジウムが所定量含有されているにも拘
らず、局部的に銀が溶融している現象が認められる。こ
のため、この共沈粉末を用いる場合、焼成温度に相当す
る所定のパラジウム含有率より幾分パラジウムが多めの
銀−パラジウム共沈粉末を用いざるを得なかった。
【０００５】このような問題点を解決するために、本発
明者らは銀粒子をパラジウムで被覆した粉末の製造方法
を提案した（特開平１−１９８４０３号公報）。これに
よれば、粒子形状がほぼ球形で平均粒子径が０．１〜２
μｍの銀粒子の表面がパラジウムにより被覆されてお
り、前記導電材料用銀−パラジウム合金の作製に際し、
昇温途中の銀の溶融、蒸発を効果的に防止できる。な
お、このような銀粒子は、クロロジアミン銀、硝酸銀、
炭酸銀から二酸化チオ尿素、水素化ホウ素ナトリウム、
ホルマリン、ヒドラジン等による還元で得られる。
明者らは銀粒子をパラジウムで被覆した粉末の製造方法
を提案した（特開平１−１９８４０３号公報）。これに
よれば、粒子形状がほぼ球形で平均粒子径が０．１〜２
μｍの銀粒子の表面がパラジウムにより被覆されてお
り、前記導電材料用銀−パラジウム合金の作製に際し、
昇温途中の銀の溶融、蒸発を効果的に防止できる。な
お、このような銀粒子は、クロロジアミン銀、硝酸銀、
炭酸銀から二酸化チオ尿素、水素化ホウ素ナトリウム、
ホルマリン、ヒドラジン等による還元で得られる。
【０００６】このように銀−パラジウム合金の組成が安
定すると、パラジウム被覆銀粉の粒径を制御することが
望まれてきた。前記公開公報の方法では、０．３μｍ以
下の微細な粒径でシャープな粒度分布を有する粉末は容
易に得られるものの、それ以上の大きな粒径範囲で、シ
ャープな粒度分布を保ったまま任意に粒径を制御するこ
とは困難である。これはパラジウム被覆銀粉の芯となる
銀粒子の粒径が、還元剤の種類によってほぼ決まってし
まうためである。例えば、ホルマリンのような比較的還
元力が弱い還元剤を用いれば、粒径が比較的大きな銀粉
を得ることができるが、任意に粒径を制御することが難
しく、また粒径のバラツキが大きくなってしまう。この
ような銀粉にパラジウムを被覆すると、粒径のバラツキ
が大きいパラジウム被覆銀粉しか得られない。
定すると、パラジウム被覆銀粉の粒径を制御することが
望まれてきた。前記公開公報の方法では、０．３μｍ以
下の微細な粒径でシャープな粒度分布を有する粉末は容
易に得られるものの、それ以上の大きな粒径範囲で、シ
ャープな粒度分布を保ったまま任意に粒径を制御するこ
とは困難である。これはパラジウム被覆銀粉の芯となる
銀粒子の粒径が、還元剤の種類によってほぼ決まってし
まうためである。例えば、ホルマリンのような比較的還
元力が弱い還元剤を用いれば、粒径が比較的大きな銀粉
を得ることができるが、任意に粒径を制御することが難
しく、また粒径のバラツキが大きくなってしまう。この
ような銀粉にパラジウムを被覆すると、粒径のバラツキ
が大きいパラジウム被覆銀粉しか得られない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を解決するためになされたものであり、シャープ
な粒度分布を保ったまま０．３〜１．０μｍの範囲で任
意に粒径を制御できるパラジウム被覆銀粉の製造方法を
提供する。さらに、このようなパラジウム被覆銀粉を製
造するための銀粒子を製造する方法を提供する。
問題点を解決するためになされたものであり、シャープ
な粒度分布を保ったまま０．３〜１．０μｍの範囲で任
意に粒径を制御できるパラジウム被覆銀粉の製造方法を
提供する。さらに、このようなパラジウム被覆銀粉を製
造するための銀粒子を製造する方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では、塩化アンミン銀水溶液に還元剤を加
え銀粒子を形成するに際し、下記の方法により芯となる
銀粒子の大きさ、および粒径のバラツキを制御する。す
なわち、塩化アンミン銀の還元をＬ−アスコルビン酸と
ヒドラジン化合物の混合物を用いて行い、また、還元温
度を３０〜７０℃とする。さらに、塩化アンミン銀溶液
中の塩化アンモニウム濃度を１０ｇ／ｌ以上とすること
が好ましい。このようにして形成された銀粒子にパラジ
ウムを被覆してパラジウム被覆銀粉を得る。
めに、本発明では、塩化アンミン銀水溶液に還元剤を加
え銀粒子を形成するに際し、下記の方法により芯となる
銀粒子の大きさ、および粒径のバラツキを制御する。す
なわち、塩化アンミン銀の還元をＬ−アスコルビン酸と
ヒドラジン化合物の混合物を用いて行い、また、還元温
度を３０〜７０℃とする。さらに、塩化アンミン銀溶液
中の塩化アンモニウム濃度を１０ｇ／ｌ以上とすること
が好ましい。このようにして形成された銀粒子にパラジ
ウムを被覆してパラジウム被覆銀粉を得る。
【０００９】
【作用】本発明では、還元剤としてヒドラジン化合物と
Ｌ−アスコルビン酸の混合溶液を用いる。ヒドラジン化
合物としては、抱水ヒドラジン、無水ヒドラジン、硫酸
ヒドラジン、塩酸ヒドラジンのうち一種または数種類の
混合物を用いることができるが、価格と取扱いの容易さ
から抱水ヒドラジンが好ましい。
Ｌ−アスコルビン酸の混合溶液を用いる。ヒドラジン化
合物としては、抱水ヒドラジン、無水ヒドラジン、硫酸
ヒドラジン、塩酸ヒドラジンのうち一種または数種類の
混合物を用いることができるが、価格と取扱いの容易さ
から抱水ヒドラジンが好ましい。
【００１０】本発明では、銀の還元に際して、ヒドラジ
ン化合物とＬ−アスコルビン酸の混合比を変えることに
よりパラジウム被覆銀粉の芯となる銀粒子の粒径を制御
する。前記２種類の還元剤の混合比を変えることにより
銀の粒径が変化する機構としては以下のように考えられ
る。ヒドラジン化合物による銀の還元は、Ｌ−アスコル
ビン酸による場合よりも、はるかに速やかに進む。従っ
て、反応の初期には、ヒドラジン化合物による銀の還元
により核発生が起こり、ヒドラジン化合物が消費された
後に、Ｌ−アスコルビン酸による残存銀の還元が進行
し、核成長と粒成長が起こると推察される。ヒドラジン
化合物の割合が少ないと、少ない数の核の成長により銀
粒子の粒径は大きくなり、逆にヒドラジン化合物の割合
が多い場合は、銀の核が数多くなることにより銀粒子は
微細なものが得られる。従って、銀の反応当量に対する
ヒドラジン化合物の量が少ないほど、パラジウム被覆銀
粉の芯となる銀粒子の粒径は大きくなり、ヒドラジン化
合物の量が多いほど、銀粒子の粒径は小さくなる。
ン化合物とＬ−アスコルビン酸の混合比を変えることに
よりパラジウム被覆銀粉の芯となる銀粒子の粒径を制御
する。前記２種類の還元剤の混合比を変えることにより
銀の粒径が変化する機構としては以下のように考えられ
る。ヒドラジン化合物による銀の還元は、Ｌ−アスコル
ビン酸による場合よりも、はるかに速やかに進む。従っ
て、反応の初期には、ヒドラジン化合物による銀の還元
により核発生が起こり、ヒドラジン化合物が消費された
後に、Ｌ−アスコルビン酸による残存銀の還元が進行
し、核成長と粒成長が起こると推察される。ヒドラジン
化合物の割合が少ないと、少ない数の核の成長により銀
粒子の粒径は大きくなり、逆にヒドラジン化合物の割合
が多い場合は、銀の核が数多くなることにより銀粒子は
微細なものが得られる。従って、銀の反応当量に対する
ヒドラジン化合物の量が少ないほど、パラジウム被覆銀
粉の芯となる銀粒子の粒径は大きくなり、ヒドラジン化
合物の量が多いほど、銀粒子の粒径は小さくなる。
【００１１】なお、ヒドラジン化合物の量は、銀の還元
等量以下でなければならないことは言うまでもないが、
Ｌ−アスコルビン酸の量については、銀還元工程におい
て未還元の銀が残留しない量で十分である。また、銀の
還元反応の際の反応液の温度は、３０℃〜７０℃の範囲
が好ましい。温度が３０℃より低い場合は、塩化アンミ
ン銀溶液の銀濃度が高い場合に、塩化銀等が再折出して
しまう。再折出した塩化銀等が還元されると、形状や大
きさが著しくことなった銀粒子が生成し、混在してしま
う。このような事態は、銀濃度を下げることにより回避
できるが、生産性が悪くなり経済的に問題がある。ま
た、７０℃より高温の場合は、塩化アンミン銀溶液から
アンモニアの揮散が多くなり、銀アンミン錯体が分解し
て、塩化銀等が折出するため好ましくない。
等量以下でなければならないことは言うまでもないが、
Ｌ−アスコルビン酸の量については、銀還元工程におい
て未還元の銀が残留しない量で十分である。また、銀の
還元反応の際の反応液の温度は、３０℃〜７０℃の範囲
が好ましい。温度が３０℃より低い場合は、塩化アンミ
ン銀溶液の銀濃度が高い場合に、塩化銀等が再折出して
しまう。再折出した塩化銀等が還元されると、形状や大
きさが著しくことなった銀粒子が生成し、混在してしま
う。このような事態は、銀濃度を下げることにより回避
できるが、生産性が悪くなり経済的に問題がある。ま
た、７０℃より高温の場合は、塩化アンミン銀溶液から
アンモニアの揮散が多くなり、銀アンミン錯体が分解し
て、塩化銀等が折出するため好ましくない。
【００１２】また、本発明において銀の還元反応時に塩
化アンモニウムを共存させる理由は、銀溶液に還元剤が
加えられて銀が折出するまでの時間、即ち誘導時間を長
くする効果があり、このことにより粒径のバラツキを低
くおさえることが可能となるためである。このように誘
導時間を長くすることができると、塩化アンミン銀水溶
液と還元剤の混合状態が不均一な状態で還元反応が開始
することを抑制でき、これにより銀粒子の粒径のバラツ
キを少なくすることができる。塩化アンモニウムの濃度
は、１０ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌが好ましい。１０ｇ／ｌよ
り少ないと誘導時間延長効果が十分でなく、反応液の混
合状態が不均一な状態で銀粒子が折出してしまうため、
結果として不均一な粒子しか得られない。５０ｇ／ｌ以
上ではそれ以上増しても得られる粒子の性状に差がない
ため不経済である。前記のようにして、粒径を制御した
銀粒子に任意の量のパラジウムを被覆することで、任意
の粒径のパラジウム被覆銀粉が得られる。パラジウムの
被覆方法は特に限定しないが、例えば特開平１−１９８
４０３号公報のように銀粒子の懸濁液にヒドラジン化合
物を加えた後、６０℃に保持して、テトラアンミンパラ
ジウム溶液等のパラジウム塩溶液を速やかに加える等の
方法が好適である。
化アンモニウムを共存させる理由は、銀溶液に還元剤が
加えられて銀が折出するまでの時間、即ち誘導時間を長
くする効果があり、このことにより粒径のバラツキを低
くおさえることが可能となるためである。このように誘
導時間を長くすることができると、塩化アンミン銀水溶
液と還元剤の混合状態が不均一な状態で還元反応が開始
することを抑制でき、これにより銀粒子の粒径のバラツ
キを少なくすることができる。塩化アンモニウムの濃度
は、１０ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌが好ましい。１０ｇ／ｌよ
り少ないと誘導時間延長効果が十分でなく、反応液の混
合状態が不均一な状態で銀粒子が折出してしまうため、
結果として不均一な粒子しか得られない。５０ｇ／ｌ以
上ではそれ以上増しても得られる粒子の性状に差がない
ため不経済である。前記のようにして、粒径を制御した
銀粒子に任意の量のパラジウムを被覆することで、任意
の粒径のパラジウム被覆銀粉が得られる。パラジウムの
被覆方法は特に限定しないが、例えば特開平１−１９８
４０３号公報のように銀粒子の懸濁液にヒドラジン化合
物を加えた後、６０℃に保持して、テトラアンミンパラ
ジウム溶液等のパラジウム塩溶液を速やかに加える等の
方法が好適である。
【００１３】
【実施例】以下に実施例を記載する。 （実施例１）銀量が１８ｇに相当する塩化銀（横沢化学
冶金（株）製）を２２０ｍｌの２５％アンモニア水（和
光純薬工業（株）製）に溶解した。これに塩化アンモニ
ウム（和光純薬工業（株）製）４．６ｇを加え、液温を
４０℃に保持した。この溶液をＡ液とした。一方、５０
ｍｌの純水にＬ−アスコルビン酸（和光純薬工業（株）
製）１１．３ｇと抱水ヒドラジン（和光純薬工業（株）
製、（ＮＨ2）2Ｈ2Ｏ ９８％）１０．５ｇを溶解し、液
温を４０℃に保持した。これをＢ液とした。次いで、Ａ
液を攪拌しながら、これに定量ポンプを用いてＢ液を５
分間かけて添加して芯となる銀粒子を得た。
冶金（株）製）を２２０ｍｌの２５％アンモニア水（和
光純薬工業（株）製）に溶解した。これに塩化アンモニ
ウム（和光純薬工業（株）製）４．６ｇを加え、液温を
４０℃に保持した。この溶液をＡ液とした。一方、５０
ｍｌの純水にＬ−アスコルビン酸（和光純薬工業（株）
製）１１．３ｇと抱水ヒドラジン（和光純薬工業（株）
製、（ＮＨ2）2Ｈ2Ｏ ９８％）１０．５ｇを溶解し、液
温を４０℃に保持した。これをＢ液とした。次いで、Ａ
液を攪拌しながら、これに定量ポンプを用いてＢ液を５
分間かけて添加して芯となる銀粒子を得た。
【００１４】このようにして得た銀の懸濁液に再度、抱
水ヒドラジン３０ｇを加えた後、パラジウムが５０ｇ／
ｌに相当するテトラアンミンジクロパラジウム（Ｐｄ
（ＮＨ3 ）4Ｃｌ2）溶液を８４０ｍｌ、瞬時に加えてパ
ラジウム被覆銀粉を得た。こうして得たパラジウム被覆
銀粉を洗浄後、濾過して分離し、乾燥した後、走査型電
子顕微鏡を用いて観察したところ、平均粒子径０．４μ
ｍで粒径の変動係数（標準偏差）は０．２２であった。
水ヒドラジン３０ｇを加えた後、パラジウムが５０ｇ／
ｌに相当するテトラアンミンジクロパラジウム（Ｐｄ
（ＮＨ3 ）4Ｃｌ2）溶液を８４０ｍｌ、瞬時に加えてパ
ラジウム被覆銀粉を得た。こうして得たパラジウム被覆
銀粉を洗浄後、濾過して分離し、乾燥した後、走査型電
子顕微鏡を用いて観察したところ、平均粒子径０．４μ
ｍで粒径の変動係数（標準偏差）は０．２２であった。
【００１５】（実施例２）銀の還元時に用いる抱水ヒド
ラジンの量を０．０２ｇに変えた以外は実施例１と同様
にしてパラジウム被覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子
径は０．７μｍで、変動係数は０．２８であった。 （実施例３）銀の還元時に用いる抱水ヒドラジンの量を
０．２ｇに変えた以外は実施例１と同様にしてパラジウ
ム被覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径は０．５μｍ
で、変動係数は０．２４であった。 （実施例４）銀溶液に塩化アンモニウムを６５ｇ／ｌと
した以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を
得た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍで、変動係数
は０．２５であった。
ラジンの量を０．０２ｇに変えた以外は実施例１と同様
にしてパラジウム被覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子
径は０．７μｍで、変動係数は０．２８であった。 （実施例３）銀の還元時に用いる抱水ヒドラジンの量を
０．２ｇに変えた以外は実施例１と同様にしてパラジウ
ム被覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径は０．５μｍ
で、変動係数は０．２４であった。 （実施例４）銀溶液に塩化アンモニウムを６５ｇ／ｌと
した以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を
得た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍで、変動係数
は０．２５であった。
【００１６】（実施例５）銀の還元反応を３２℃とした
以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を得
た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍで、変動係数は
０．２６であった。 （実施例６）銀の還元反応を６５℃とした以外は実施例
１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を得た。当該銀粉の
平均粒子径は０．４μｍで、変動係数は０．２７であっ
た。 （実施例７）銀溶液に塩化アンモニウムを添加しなかっ
た以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を得
た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍであったが、変
動係数は０．５２と大きかった。 （実施例８）銀溶液に塩化アンモニウム濃度を９．５ｇ
／ｌとした以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆
銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍであっ
たが、変動係数は０．３８とやや大きかった。
以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を得
た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍで、変動係数は
０．２６であった。 （実施例６）銀の還元反応を６５℃とした以外は実施例
１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を得た。当該銀粉の
平均粒子径は０．４μｍで、変動係数は０．２７であっ
た。 （実施例７）銀溶液に塩化アンモニウムを添加しなかっ
た以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆銀粉を得
た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍであったが、変
動係数は０．５２と大きかった。 （実施例８）銀溶液に塩化アンモニウム濃度を９．５ｇ
／ｌとした以外は実施例１と同様にしてパラジウム被覆
銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径は０．４μｍであっ
たが、変動係数は０．３８とやや大きかった。
【００１７】（比較例１）銀の還元時に用いる還元剤を
Ｌ−アスコルビン酸だけにした以外は実施例１と同様に
してパラジウム被覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径
は１．３μｍと大きくなり、変動係数は０．３５であっ
た。 （比較例２）銀の還元時に用いる還元剤を抱水ヒドラジ
ンだけにした以外は実施例１と同様にしてパラジウム被
覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径は０．２５μｍと
小さく、変動係数は０．２７であった。 （比較例３）銀の還元反応を２５℃で実施した以外は実
施例１と同様にしたが、凝集体が生成してしまい、所望
のパラジウム被覆銀粉ができなかった。 （比較例４）銀の還元反応を７４℃で実施した以外は実
施例１と同様にしたが、凝集体が生成してしまい、所望
のパラジウム被覆銀粉ができなかった。
Ｌ−アスコルビン酸だけにした以外は実施例１と同様に
してパラジウム被覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径
は１．３μｍと大きくなり、変動係数は０．３５であっ
た。 （比較例２）銀の還元時に用いる還元剤を抱水ヒドラジ
ンだけにした以外は実施例１と同様にしてパラジウム被
覆銀粉を得た。当該銀粉の平均粒子径は０．２５μｍと
小さく、変動係数は０．２７であった。 （比較例３）銀の還元反応を２５℃で実施した以外は実
施例１と同様にしたが、凝集体が生成してしまい、所望
のパラジウム被覆銀粉ができなかった。 （比較例４）銀の還元反応を７４℃で実施した以外は実
施例１と同様にしたが、凝集体が生成してしまい、所望
のパラジウム被覆銀粉ができなかった。
【００１８】以上の結果を表１にまとめた。なお、表１
において、ヒドラジン当量は、Ａｇ還元に対するヒドラ
ジン当量をいう。
において、ヒドラジン当量は、Ａｇ還元に対するヒドラ
ジン当量をいう。
【００１９】
【表１】 Ａｇ量 Ｐｄ量 抱水 アスコルヒ゛ ヒト゛ラシ゛ン ＮＨ4Ｃｌ ヒト゛ラシ゛ン ン酸 当量 （ｇ） （ｇ） （ｇ） （ｇ） （％） （ｇ／ｌ） 実施例１ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ２０ 実施例２ １８ ４２ ０．０２ １１．３ １ ２０ 実施例３ １８ ４２ ０．０２ １１．３ １０ ２０ 実施例４ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ６５ 実施例５ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ２０ 実施例６ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ２０ 実施例７ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ０ 実施例８ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ９．５ 比較例１ １８ ４２ ０ １１．３ ０ ２０ 比較例２ １８ ４２ １０．５ ０ ５００ ２０ 比較例３ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ２０ 比較例４ １８ ４２ １０．５ １１．３ ５００ ２０ 還元温度 粒径 粒径 変動係数 備考 （℃） （μｍ） 実施例１ ４０ ０．４ ０．２２ 実施例２ ４０ ０．７ ０．２８ 実施例３ ４０ ０．５ ０．２４ 実施例４ ４０ ０．４ ０．２５ 実施例５ ３２ ０．４ ０．２６ 実施例６ ６５ ０．４ ０．２７ 実施例７ ４０ ０．４ ０．５２ 実施例８ ４０ ０．４ ０．３８ 比較例１ ４０ １．３ ０．３５ 比較例２ ４０ ０．２５ ０．２７ 比較例３ ２５ −−− −−− 凝集体生成 比較例４ ７４ −−− −−− 凝集体生成
【００２０】なお、表１において、ヒドラジン当量は、
Ａｇ還元に対するヒドラジン当量をいう。
Ａｇ還元に対するヒドラジン当量をいう。
【００２１】
【発明の効果】本発明による方法は以上のように構成さ
れているので、０．３〜１μｍの範囲内で粒径を制御し
つつパラジウム被覆銀粉を容易に得ることができる。
れているので、０．３〜１μｍの範囲内で粒径を制御し
つつパラジウム被覆銀粉を容易に得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 塩化アンミン銀水溶液に還元剤を加えて
銀粒子を形成した後、該銀粒子にパラジウムを被覆して
パラジウム被覆銀粉を得る方法において、塩化アンミン
銀をＬ−アスコルビン酸とヒドラジン化合物の混合物に
より３０〜７０℃の温度で還元することを特徴とするパ
ラジウム被覆銀粉の製造方法。 - 【請求項２】 塩化アンミン銀水溶液に還元剤を加えて
銀粒子を形成した後、該銀粒子にパラジウムを被覆して
パラジウム被覆銀粉を得る方法において、塩化アンミン
銀水溶液中の塩化アンモニウム濃度が１０ｇ／ｌ以上で
あることを特徴とするパラジウム被覆銀粉の製造方法。 - 【請求項３】 塩化アンミン銀水溶液にＬ−アスコルビ
ン酸とヒドラジン化合物の混合物を加えて塩化アンミン
銀を還元して銀粒子を生成するに際し、Ｌ−アスコルビ
ン酸とヒドラジン化合物の混合比を調整することによ
り、銀粒子の粒径を制御する銀粒子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6337078A JPH08176605A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | パラジウム被覆銀粉の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6337078A JPH08176605A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | パラジウム被覆銀粉の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176605A true JPH08176605A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18305233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6337078A Pending JPH08176605A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | パラジウム被覆銀粉の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176605A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005053885A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | 粒子径が揃った金属微粉末の製造方法 |
| JP2014098212A (ja) * | 2012-03-07 | 2014-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀粉及びその製造方法 |
| CN111069622A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 株式会社则武 | 核壳颗粒及其利用 |
| KR20200043914A (ko) | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | AgPd 코어셸 입자 및 그 이용 |
| KR20200115004A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | 코어셸 입자 및 그 이용 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP6337078A patent/JPH08176605A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005053885A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | 粒子径が揃った金属微粉末の製造方法 |
| JPWO2005053885A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-06-28 | 小島化学薬品株式会社 | 粒子径が揃った金属微粉末の製造方法 |
| JP4861701B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2012-01-25 | 小島化学薬品株式会社 | 粒子径が揃った金属微粉末の製造方法 |
| JP2014098212A (ja) * | 2012-03-07 | 2014-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀粉及びその製造方法 |
| CN111069622A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 株式会社则武 | 核壳颗粒及其利用 |
| KR20200043914A (ko) | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | AgPd 코어셸 입자 및 그 이용 |
| US11219883B2 (en) | 2018-10-18 | 2022-01-11 | Noritake Co., Limited | Ag—Pd core-shell particle and use thereof |
| KR20200115004A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | 코어셸 입자 및 그 이용 |
| US11008470B2 (en) | 2019-03-28 | 2021-05-18 | Noritake Co., Limited | Core-shell particles and use thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040120 |