JPH0817617A - 高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心とその製造方法 - Google Patents
高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心とその製造方法Info
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- JPH0817617A JPH0817617A JP6176116A JP17611694A JPH0817617A JP H0817617 A JPH0817617 A JP H0817617A JP 6176116 A JP6176116 A JP 6176116A JP 17611694 A JP17611694 A JP 17611694A JP H0817617 A JPH0817617 A JP H0817617A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトにおいて、透磁率と
飽和磁束密度が大きく、スイッチング電源等のトランス
として小型化に有利なフェライト磁心を提供する。 【構成】 Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトにおいて、空孔率が
１〜５％であり、透磁率（μｉ）と飽和磁束密度（Ｂｍ
〔ｍＴ〕、測定磁界が１６００Ａ／ｍの時の磁束密度）
の関係が、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９
９０であることを特徴とする高透磁率高飽和磁束密度Ｎ
ｉ系フェライト磁心。
飽和磁束密度が大きく、スイッチング電源等のトランス
として小型化に有利なフェライト磁心を提供する。 【構成】 Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトにおいて、空孔率が
１〜５％であり、透磁率（μｉ）と飽和磁束密度（Ｂｍ
〔ｍＴ〕、測定磁界が１６００Ａ／ｍの時の磁束密度）
の関係が、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９
９０であることを特徴とする高透磁率高飽和磁束密度Ｎ
ｉ系フェライト磁心。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング電源、液
晶バックライト等のトランスに用いられるフェライト磁
心に関する。
晶バックライト等のトランスに用いられるフェライト磁
心に関する。
【０００２】
【従来の技術】商用周波数（５０または６０Ｈｚ）で使
用される一般電源用磁心には、従来から、透磁率及び飽
和磁束密度が高いケイ素鋼板が用いられている。しかし
ながら、近年、電源の小型化への要請が強まり、電力変
換部の周波数を高周波に上げて処理する、いわゆる高周
波電源方式が急速に発展しており、電源用磁心としてフ
ェライトが利用されている。
用される一般電源用磁心には、従来から、透磁率及び飽
和磁束密度が高いケイ素鋼板が用いられている。しかし
ながら、近年、電源の小型化への要請が強まり、電力変
換部の周波数を高周波に上げて処理する、いわゆる高周
波電源方式が急速に発展しており、電源用磁心としてフ
ェライトが利用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フェライトは、ケイ素
鋼板に比べ、透磁率、飽和磁束密度が小さいという欠点
があるが、比抵抗が高いことから高周波で使用できると
いう利点がある。このため、小型化に有利な高周波電源
方式による電源用磁心には、フェライトが用いられてい
る。しかしながら、高周波電源方式による電源用磁心に
おいても、飽和磁束密度及び透磁率が大きい方が小型化
に有利であり、透磁率及び飽和磁束密度の大きいフェラ
イトが望まれる。このフェライトとしては、Ｍｎ―Ｚｎ
系フェライトとＮｉ―Ｚｎ系フェライトがあるが、この
ような用途には、主にＭｎ―Ｚｎ系フェライトが用いら
れていた。その理由は、Ｍｎ―Ｚｎ系フェライトはＮｉ
―Ｚｎ系フェライトに対し、飽和磁束密度が高く、かつ
高透磁率を得られるからである。これに対しＮｉ―Ｚｎ
系フェライトは、飽和磁束密度及び透磁率の面ではＭｎ
―Ｚｎ系フェライトに劣るものの、比抵抗が高く、フェ
ライトコアに直接、巻線を形成することができる。つま
り、Ｍｎ―Ｚｎ系フェライトで必要な絶縁処理が不要と
なり、小型化が可能であるという利点を、Ｎｉ―Ｚｎ系
フェライトは有する。本発明は、上記のことを鑑みて、
Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトにおいて、透磁率と飽和磁束密
度が大きく、スイッチング電源等のトランスとして小型
化に有利なフェライト磁心を提供することを目的とす
る。
鋼板に比べ、透磁率、飽和磁束密度が小さいという欠点
があるが、比抵抗が高いことから高周波で使用できると
いう利点がある。このため、小型化に有利な高周波電源
方式による電源用磁心には、フェライトが用いられてい
る。しかしながら、高周波電源方式による電源用磁心に
おいても、飽和磁束密度及び透磁率が大きい方が小型化
に有利であり、透磁率及び飽和磁束密度の大きいフェラ
イトが望まれる。このフェライトとしては、Ｍｎ―Ｚｎ
系フェライトとＮｉ―Ｚｎ系フェライトがあるが、この
ような用途には、主にＭｎ―Ｚｎ系フェライトが用いら
れていた。その理由は、Ｍｎ―Ｚｎ系フェライトはＮｉ
―Ｚｎ系フェライトに対し、飽和磁束密度が高く、かつ
高透磁率を得られるからである。これに対しＮｉ―Ｚｎ
系フェライトは、飽和磁束密度及び透磁率の面ではＭｎ
―Ｚｎ系フェライトに劣るものの、比抵抗が高く、フェ
ライトコアに直接、巻線を形成することができる。つま
り、Ｍｎ―Ｚｎ系フェライトで必要な絶縁処理が不要と
なり、小型化が可能であるという利点を、Ｎｉ―Ｚｎ系
フェライトは有する。本発明は、上記のことを鑑みて、
Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトにおいて、透磁率と飽和磁束密
度が大きく、スイッチング電源等のトランスとして小型
化に有利なフェライト磁心を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｎｉ―Ｚｎ系
フェライトにおいて、空孔率が１〜５％であり、透磁率
（μｉ）と飽和磁束密度（Ｂｍ〔ｍＴ〕、測定磁界が１
６００Ａ／ｍの時の磁束密度）の関係が、Ｂｍ≧−１９
７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９９０である高透磁率高飽
和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心である。以下、同様に
測定磁界が１６００Ａ／ｍの時の磁束密度を飽和磁束密
度（Ｂｍ〔ｍＴ〕）とする。また、本発明は、上記高透
磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心が、Ｆｅ2Ｏ3
が４９〜５１ｍｏｌ％、ＺｎＯが１８〜３５ｍｏｌ％、
残部がＮｉＯから成る組成を有するものである。また、
本発明は、前記高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライ
ト磁心において、透磁率が２５０以上で、かつ飽和磁束
密度が３５０ｍＴ以上である。また、本発明の高透磁率
高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心は、１２００℃以
上の高い温度で焼成されるものである。本発明におい
て、フェライト材料の透磁率（μｉ）と飽和磁束密度
（Ｂｍ）を限定した理由は、以下の通りである。従来の
Ｎｉ系フェライト材料の透磁率（μｉ）と飽和磁束密度
（Ｂｍ）の関係を図１に黒丸で示す。従来のＮｉ系フェ
ライト材料は、μｉとＢｍの関係がＢｍ＜−１９７．７
３×ｌｏｇ（μｉ）＋９９０であった。このような特性
では、電源用磁心としては不適当であり、本発明は、従
来にない、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９
９０の高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心で
ある。尚、磁気ヘッド用のＮｉ―Ｚｎ系フェライトとし
て、ＨＩＰ等の特殊な製法を用いて、非常に高密度（空
孔率０．３％程度）のＮｉ―Ｚｎ系フェライトを製造
し、それにより高透磁率で高飽和磁束密度を有するＮｉ
―Ｚｎ系フェライトも存在するが、これらは非常にコス
トがかかり、本発明の用途の電源用等においては、不適
当である。この特殊な磁気ヘッド用フェライトと区別す
るため、空孔率を１％以上とした。また、空孔率が５％
を越えると十分な飽和磁束密度が得られなくなる。した
がって、空孔率は１〜５％とした。また、本発明におい
て、フェライト材料の組成範囲を限定した理由は、以下
の通りである。Ｆｅ2Ｏ3が４９ｍｏｌ％未満の場合、十
分な透磁率及び飽和磁束密度が得られなくなる。Ｆｅ2
Ｏ3が５１ｍｏｌ％を越える場合、比抵抗が低くなり高
周波で使用できなくなる。ＺｎＯが１８ｍｏｌ％未満の
場合、透磁率が２５０未満となり、実用的でない。Ｚｎ
Ｏが３５ｍｏｌ％を越えると、飽和磁束密度が３５０ｍ
Ｔ未満となり、キュリー温度も１００℃未満となるた
め、実用的でない。よって、請求範囲に示す組成が限定
される。また、１２００℃未満の温度で焼成する場合、
十分な飽和磁束密度及び透磁率が得られなくなる。
フェライトにおいて、空孔率が１〜５％であり、透磁率
（μｉ）と飽和磁束密度（Ｂｍ〔ｍＴ〕、測定磁界が１
６００Ａ／ｍの時の磁束密度）の関係が、Ｂｍ≧−１９
７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９９０である高透磁率高飽
和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心である。以下、同様に
測定磁界が１６００Ａ／ｍの時の磁束密度を飽和磁束密
度（Ｂｍ〔ｍＴ〕）とする。また、本発明は、上記高透
磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心が、Ｆｅ2Ｏ3
が４９〜５１ｍｏｌ％、ＺｎＯが１８〜３５ｍｏｌ％、
残部がＮｉＯから成る組成を有するものである。また、
本発明は、前記高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライ
ト磁心において、透磁率が２５０以上で、かつ飽和磁束
密度が３５０ｍＴ以上である。また、本発明の高透磁率
高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心は、１２００℃以
上の高い温度で焼成されるものである。本発明におい
て、フェライト材料の透磁率（μｉ）と飽和磁束密度
（Ｂｍ）を限定した理由は、以下の通りである。従来の
Ｎｉ系フェライト材料の透磁率（μｉ）と飽和磁束密度
（Ｂｍ）の関係を図１に黒丸で示す。従来のＮｉ系フェ
ライト材料は、μｉとＢｍの関係がＢｍ＜−１９７．７
３×ｌｏｇ（μｉ）＋９９０であった。このような特性
では、電源用磁心としては不適当であり、本発明は、従
来にない、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９
９０の高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心で
ある。尚、磁気ヘッド用のＮｉ―Ｚｎ系フェライトとし
て、ＨＩＰ等の特殊な製法を用いて、非常に高密度（空
孔率０．３％程度）のＮｉ―Ｚｎ系フェライトを製造
し、それにより高透磁率で高飽和磁束密度を有するＮｉ
―Ｚｎ系フェライトも存在するが、これらは非常にコス
トがかかり、本発明の用途の電源用等においては、不適
当である。この特殊な磁気ヘッド用フェライトと区別す
るため、空孔率を１％以上とした。また、空孔率が５％
を越えると十分な飽和磁束密度が得られなくなる。した
がって、空孔率は１〜５％とした。また、本発明におい
て、フェライト材料の組成範囲を限定した理由は、以下
の通りである。Ｆｅ2Ｏ3が４９ｍｏｌ％未満の場合、十
分な透磁率及び飽和磁束密度が得られなくなる。Ｆｅ2
Ｏ3が５１ｍｏｌ％を越える場合、比抵抗が低くなり高
周波で使用できなくなる。ＺｎＯが１８ｍｏｌ％未満の
場合、透磁率が２５０未満となり、実用的でない。Ｚｎ
Ｏが３５ｍｏｌ％を越えると、飽和磁束密度が３５０ｍ
Ｔ未満となり、キュリー温度も１００℃未満となるた
め、実用的でない。よって、請求範囲に示す組成が限定
される。また、１２００℃未満の温度で焼成する場合、
十分な飽和磁束密度及び透磁率が得られなくなる。
【０００５】
【実施例】以下に、本発明に係るフェライト材料の実施
例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3 ４９．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ ２８ｍｏｌ％及
びＮｉＯ ２２．５ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量
し、これに所定量のイオン交換水を添加したものをボー
ルミルにて４時間混合し、電気炉を用いて最高温度８５
０℃で１．５時間仮焼した後、これを炉冷し、４０メッ
シュのふるいで解砕する。しかる後、再び所定量のイオ
ン交換水を添加したものをボールミルにて６時間粉砕
し、粉砕されたスラリー状の原料を乾燥及び解砕する。
これにバインダー（ポリビニルアルコール）を加えて造
粒し、４０メッシュのふるいにて整粒した顆粒を乾式圧
縮成形機と金型を用いて、外径１６．８ｍｍ、内径８．
５ｍｍ、高さ５．４ｍｍのリング状コアに成形圧１．５
ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これを大気中、１１５０、１
２００及び１２５０℃で焼成した。得られたリング状コ
アの焼結密度及び空孔率を測定し、さらに巻線を施し
て、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を表
１の試料Ｎｏ１、５、１０に示す。
例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3 ４９．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ ２８ｍｏｌ％及
びＮｉＯ ２２．５ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量
し、これに所定量のイオン交換水を添加したものをボー
ルミルにて４時間混合し、電気炉を用いて最高温度８５
０℃で１．５時間仮焼した後、これを炉冷し、４０メッ
シュのふるいで解砕する。しかる後、再び所定量のイオ
ン交換水を添加したものをボールミルにて６時間粉砕
し、粉砕されたスラリー状の原料を乾燥及び解砕する。
これにバインダー（ポリビニルアルコール）を加えて造
粒し、４０メッシュのふるいにて整粒した顆粒を乾式圧
縮成形機と金型を用いて、外径１６．８ｍｍ、内径８．
５ｍｍ、高さ５．４ｍｍのリング状コアに成形圧１．５
ｔｏｎ／ｃｍ2で成形し、これを大気中、１１５０、１
２００及び１２５０℃で焼成した。得られたリング状コ
アの焼結密度及び空孔率を測定し、さらに巻線を施し
て、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を表
１の試料Ｎｏ１、５、１０に示す。
【０００６】実施例２ Ｆｅ2Ｏ3 ５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ ２８ｍｏｌ％及びＮ
ｉＯ ２２ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量し、上記
実施例と同一手順でリング状コアを成形し、これを大気
中、１１５０、１２００及び１２５０℃で１．５時間焼
成した。得られたリング状コアにおいて、焼結密度、空
孔率、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を
表１の試料Ｎｏ２、６、１１に示す。
ｉＯ ２２ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量し、上記
実施例と同一手順でリング状コアを成形し、これを大気
中、１１５０、１２００及び１２５０℃で１．５時間焼
成した。得られたリング状コアにおいて、焼結密度、空
孔率、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を
表１の試料Ｎｏ２、６、１１に示す。
【０００７】実施例３ Ｆｅ2Ｏ3 ４９．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ ３０ｍｏｌ％及
びＮｉＯ ２０．５ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量
し、上記実施例と同一手順でリング状コアを成形し、こ
れを大気中、１１５０、１２００及び１２５０℃で１．
５時間焼成した。得られたリング状コアにおいて、焼結
密度、空孔率、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行っ
た。結果を表１の試料Ｎｏ３、７、１２に示す。
びＮｉＯ ２０．５ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量
し、上記実施例と同一手順でリング状コアを成形し、こ
れを大気中、１１５０、１２００及び１２５０℃で１．
５時間焼成した。得られたリング状コアにおいて、焼結
密度、空孔率、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行っ
た。結果を表１の試料Ｎｏ３、７、１２に示す。
【０００８】実施例４ Ｆｅ2Ｏ3 ５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ ３０ｍｏｌ％及びＮ
ｉＯ ２０ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量し、上記
実施例と同一手順でリング状コアを成形し、これを大気
中、１１５０、１２００及び１２５０℃で１．５時間焼
成した。得られたリング状コアにおいて、焼結密度、空
孔率、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を
表１の試料Ｎｏ４、８、１３に示す。
ｉＯ ２０ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量し、上記
実施例と同一手順でリング状コアを成形し、これを大気
中、１１５０、１２００及び１２５０℃で１．５時間焼
成した。得られたリング状コアにおいて、焼結密度、空
孔率、透磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を
表１の試料Ｎｏ４、８、１３に示す。
【０００９】実施例５ Ｆｅ2Ｏ3 ４９．６ｍｏｌ％、ＺｎＯ ３１．７ｍｏｌ
％及びＮｉＯ １８．７ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を
秤量し、上記実施例と同一手順でリング状コアを成形
し、これを大気中、１２００℃で１．５時間焼成した。
得られたリング状コアにおいて、焼結密度、空孔率、透
磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を表１の試
料Ｎｏ９に示す。
％及びＮｉＯ １８．７ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を
秤量し、上記実施例と同一手順でリング状コアを成形
し、これを大気中、１２００℃で１．５時間焼成した。
得られたリング状コアにおいて、焼結密度、空孔率、透
磁率及び飽和磁束密度の測定を行った。結果を表１の試
料Ｎｏ９に示す。
【００１０】実施例６ Ｆｅ2Ｏ3 ５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ ２１ｍｏｌ％及びＮ
ｉＯ ２９ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量し、上記
実施例と同一手順でリング状コアを成形し、これを大気
中、１２５０℃で１．５時間焼成した。得られたリング
状コアにおいて、焼結密度、空孔率、透磁率及び飽和磁
束密度の測定を行った。結果を表１の試料Ｎｏ１４に示
す。表１において、本発明の範囲内のものを実施例と
し、範囲外を比較例として備考に示す。以上の実施例及
び比較例を図１に示す。この表１及び図１から本発明の
実施例は、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９
９０を満足していることがわかる。また、本発明におい
て、組成は、Ｆｅ2Ｏ3が４９〜５１ｍｏｌ％、ＺｎＯが
１８〜３５ｍｏｌ％、残部がＮｉＯであることが好まし
く、更に好ましくは、Ｆｅ2Ｏ3が４９．５〜５０．５ｍ
ｏｌ％、ＺｎＯが２６〜３３ｍｏｌ％、残部がＮｉＯで
ある。また、本発明において、スイッチング電源用トラ
ンスとして使用する場合、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏ
ｇ（μｉ）＋９９０であり、透磁率が２５０以上で、か
つ飽和磁束密度が３５０ｍＴ以上であることが好まし
く、更に好ましくは、透磁率が５００以上で、かつ飽和
磁束密度が４００ｍＴ以上である。また、本発明におい
て、焼成温度は１２００℃以上であることが好ましく、
更に好ましくは、１２５０℃以上である。また、本発明
において、空孔率は１〜５％が好ましく、更に好ましく
は、１〜３％である。
ｉＯ ２９ｍｏｌ％相当量の素原料粉末を秤量し、上記
実施例と同一手順でリング状コアを成形し、これを大気
中、１２５０℃で１．５時間焼成した。得られたリング
状コアにおいて、焼結密度、空孔率、透磁率及び飽和磁
束密度の測定を行った。結果を表１の試料Ｎｏ１４に示
す。表１において、本発明の範囲内のものを実施例と
し、範囲外を比較例として備考に示す。以上の実施例及
び比較例を図１に示す。この表１及び図１から本発明の
実施例は、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９
９０を満足していることがわかる。また、本発明におい
て、組成は、Ｆｅ2Ｏ3が４９〜５１ｍｏｌ％、ＺｎＯが
１８〜３５ｍｏｌ％、残部がＮｉＯであることが好まし
く、更に好ましくは、Ｆｅ2Ｏ3が４９．５〜５０．５ｍ
ｏｌ％、ＺｎＯが２６〜３３ｍｏｌ％、残部がＮｉＯで
ある。また、本発明において、スイッチング電源用トラ
ンスとして使用する場合、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏ
ｇ（μｉ）＋９９０であり、透磁率が２５０以上で、か
つ飽和磁束密度が３５０ｍＴ以上であることが好まし
く、更に好ましくは、透磁率が５００以上で、かつ飽和
磁束密度が４００ｍＴ以上である。また、本発明におい
て、焼成温度は１２００℃以上であることが好ましく、
更に好ましくは、１２５０℃以上である。また、本発明
において、空孔率は１〜５％が好ましく、更に好ましく
は、１〜３％である。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、透磁率と飽和磁束密度
がともに高いＮｉ系フェライト磁心が得られ、スイッチ
ング電源等のトランス用として有用であり、トランスの
小型化において非常に有利である。
がともに高いＮｉ系フェライト磁心が得られ、スイッチ
ング電源等のトランス用として有用であり、トランスの
小型化において非常に有利である。
【図１】本発明における実施例と比較例及び従来例の透
磁率と飽和磁束密度の関係を表す図である。
磁率と飽和磁束密度の関係を表す図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｎｉ―Ｚｎ系フェライトにおいて、空孔
率が１〜５％であり、透磁率（μｉ）と飽和磁束密度
（Ｂｍ〔ｍＴ〕、測定磁界が１６００Ａ／ｍの時の磁束
密度）の関係が、Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μ
ｉ）＋９９０であることを特徴とする高透磁率高飽和磁
束密度Ｎｉ系フェライト磁心。 - 【請求項２】 請求項１において、Ｆｅ2Ｏ3が４９〜５
１ｍｏｌ％、ＺｎＯが１８〜３５ｍｏｌ％、残部がＮｉ
Ｏから成る組成を有する高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系
フェライト磁心。 - 【請求項３】 請求項１において、透磁率が２５０以上
で、かつ飽和磁束密度が３５０ｍＴ以上であることを特
徴とする高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁
心。 - 【請求項４】 Ｆｅ2Ｏ3が４９〜５１ｍｏｌ％、ＺｎＯ
が１８〜３５ｍｏｌ％、残部がＮｉＯから成るＮｉ―Ｚ
ｎ系フェライト材料を、１２００℃以上の高い温度で焼
成し、透磁率（μｉ）と飽和磁束密度（Ｂｍ〔ｍＴ〕、
測定磁界が１６００Ａ／ｍの時の磁束密度）の関係が、
Ｂｍ≧−１９７．７３×ｌｏｇ（μｉ）＋９９０となる
高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176116A JP2726388B2 (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176116A JP2726388B2 (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817617A true JPH0817617A (ja) | 1996-01-19 |
| JP2726388B2 JP2726388B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=16007965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6176116A Expired - Lifetime JP2726388B2 (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 高透磁率高飽和磁束密度Ｎｉ系フェライト磁心とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726388B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| JP2017014036A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | フェライト焼結体、及びフェライトコア |
| JP2017014047A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | フェライト焼結体、及びフェライトコア |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP6176116A patent/JP2726388B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| JP2017014036A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | フェライト焼結体、及びフェライトコア |
| JP2017014047A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | フェライト焼結体、及びフェライトコア |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2726388B2 (ja) | 1998-03-11 |
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