JPH08167608A - Wirings structure and liquid crystal element - Google Patents

Wirings structure and liquid crystal element

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JPH08167608A
JPH08167608A JP31222094A JP31222094A JPH08167608A JP H08167608 A JPH08167608 A JP H08167608A JP 31222094 A JP31222094 A JP 31222094A JP 31222094 A JP31222094 A JP 31222094A JP H08167608 A JPH08167608 A JP H08167608A
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Hiroyuki Hebiguchi
Kenji Yamamoto
健二 山本
広行 蛇口
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Furon Tec:Kk
株式会社フロンテック
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    • G02F2001/13629Multi-layer wirings

Abstract

PURPOSE: To suppress oxidization of a conductive member and prevent an increase in contact resistance in a wiring structure that an ITO is connected to the conductive member.
CONSTITUTION: An indium tin oxide conductive member 14 is connected to another conductive member 22 via an interposition body 28, which is composed of a conductive body that does not become an oxide of standard enthalpy of formation on the minus side more than the standard enthalpy of formation of SnO2. Thus, it is possible to prevent an increase in power consumption and activation fails, etc.
COPYRIGHT: (C)1996,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子の画素電極等に用いられるインジウム錫酸化物を導電部材と接続する配線構造に関するもので、接続抵抗の低減を図ったものである。 The present invention relates to an indium tin oxide used in the pixel electrodes of the liquid crystal element relates interconnection structure for connecting the conductive member, in which thereby reducing the connection resistance.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶素子は、1つの基板上に、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子と、透明な画素電極が形成され、この基板と対になるもう1つの基板との間に液晶を挟み込み、さらに偏光板や配向膜、必要に応じてカラーフィルタ等が配置されて概略構成される。 2. Description of the Related Art Liquid crystal devices, on one substrate, a switching element such as a thin film transistor, a transparent pixel electrode is formed by sandwiching a liquid crystal between the another substrate formed on the substrate and paired, further polarization plate or an alignment film, schematically configured color filters and the like are arranged as needed. こうした液晶素子を具備してなる液晶表示装置は、軽量、小型、薄型化が容易で、さらに消費電力が低いなどの特長を有している。 Such a liquid crystal display device formed by including the liquid crystal element, light weight, compact, easy to thin, yet power consumption has features such as low.

【0003】こうした液晶素子の要部を図4に示す。 [0003] showing the main part of such a liquid crystal element in FIG. 図4に示す液晶素子においては、ガラスなどの透明な基板10上に、走査電極線と接続したCuなどの導電部材からなるゲート電極12と、インジウム錫酸化物(以下、 In the liquid crystal element shown in Figure 4, on a transparent substrate 10 such as glass, a gate electrode 12 made of conductive members such as Cu that is connected to the scan electrode lines, indium tin oxide (hereinafter,
ITOと略記する)からなる導電部材で形成された画素電極14が形成される。 Pixel electrodes 14 formed of a conductive member made of abbreviated as ITO) is formed. そして、これらを覆うように、 And, so as to cover,
SiN xなどの絶縁材からなる絶縁層16が積層されている。 Insulating layer 16 made of an insulating material such as SiN x is laminated. さらに、ゲート電極12の上方であって絶縁層1 Furthermore, the insulating layer 1 a above the gate electrode 12
6上には、アモルファスシリコン(a−Si)からなる半導体層18が設けられ、さらにその半導体層18上にアルミニウムやCr等の導電部材からなるソース電極2 On 6, a semiconductor layer 18 made of amorphous silicon (a-Si) is provided, the source electrode 2 made of further conductive member such as aluminum or Cr thereon the semiconductor layer 18
0とドレイン電極22とが形成されて概略構成されている。 0 and the drain electrode 22 is formed is schematically configured. この際、半導体層18の最上層は、リンまたは不純物イオンをドープしたアモルファスシリコン(n + a− At this time, the uppermost layer of the semiconductor layer 18 is amorphous silicon doped with phosphorus or impurity ions (n + a-
Si)からなる所謂オーミックコンタクト層24とされている。 There is a so-called ohmic contact layer 24 made of Si). また、ドレイン電極22は、絶縁層16に開けられたコンタクトホール26を介して基板10上に形成された画素電極14に接続されている。 The drain electrode 22 is connected to the pixel electrode 14 formed on the substrate 10 through a contact hole 26 opened in the insulating layer 16.

【0004】また、図示していないが、これら絶縁層1 [0004] In addition, although not shown, these insulating layer 1
6とソース電極20とドレイン電極22などを覆って、 Covering the like 6 and the source electrode 20 and the drain electrode 22,
絶縁材からなるパシベーション層等が設けられる。 Passivation layer and the like are provided made of an insulating material. さらにまた、液晶素子として、このパシベーション層には配向膜が形成され、この配向膜の上方には、間隔をおいて配向膜を備えた透明基板が配置される。 Furthermore, as the liquid crystal element, this is the passivation layer alignment film is formed, above the alignment layer is disposed a transparent substrate with an alignment layer at intervals. そして、対となった両基板の配向膜間に液晶が封入される。 Then, liquid crystal is sealed between the substrates of the alignment films paired. こうした液晶素子では、画素電極により液晶の分子に電界を印加すると、液晶分子の配向制御ができるようになっている。 In this liquid crystal device, when an electric field is applied to the liquid crystal molecules by the pixel electrode, so that it is the orientation control of the liquid crystal molecules.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したような液晶素子においては、ITOの画素電極14と接続している導電部材のドレイン電極22が、次第に酸化してくるという問題があった。 In [0008] the liquid crystal device as described above, the drain electrode 22 of the conductive member is connected to the ITO of the pixel electrode 14, there is increasingly a problem that comes to oxidation. こうした酸化現象は、ITOとの接触部分において特に起こりやすく、ITOとの接触界面に酸化膜が生成されることがある。 Such oxidation phenomenon, especially likely to occur at the contact portion between the ITO, may be oxidized film on the contact interface between ITO is generated. また、こうした酸化現象は、導電部材がアルミニウムのときに特に生じやすい傾向がある。 Also, these oxidation phenomena, conductive member is particularly prone tendency when aluminum. こうした酸化現象が生じると、酸化物(例えば、Al 23 )は一般に絶縁体であるため、接触抵抗が増大し、消費電力の増大や起動不良等が起こりやすくなる問題があった。 When such oxidation phenomenon occurs, because oxides (for example, Al 2 O 3) are generally insulators, contact resistance increases, increases or activation failure in power consumption is a problem that tends to occur.

【0006】本発明は前記課題を解決するためになされたもので、ITOと導電部材が接続する配線構造において、導電部材の酸化を抑え、接触抵抗の増加を防止することにある。 [0006] The present invention has been made in order to solve the above problems, in the wiring structure ITO and the conductive member are connected, reducing the oxidation of the conductive member, it is to prevent an increase in contact resistance.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の配線構造は、インジウム錫酸化物よりなる導電部材と第2の導電部材とが介在体を介して接続され、該介在体が、SnO Means for Solving the Problems The wiring structure according to claim 1, wherein the conductive member and the second conductive members made of indium tin oxide is connected through the interposer, the intervening body, SnO
2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴とするものである。 Is characterized in that more than two of the standard enthalpy of formation is composed of a negative side of the conductor does not become an oxide of the standard enthalpy of formation.

【0008】請求項2記載の発明は、介在体が、銅または銀であることを特徴とする請求項1記載の配線構造である。 [0008] According to a second aspect of the invention, intervening body, a wiring structure according to claim 1, wherein the copper or silver.

【0009】請求項3記載の配線構造は、インジウム錫酸化物よりなる第1の導電部材と不純物が添加されたシリコンとが介在体を介して接続され、該介在体が、Sn [0009] wiring structure according to claim 3 includes a silicon first conductive member and an impurity consisting of indium tin oxide has been added is connected through the interposer, the intervening body, Sn
2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴とするものである。 Is characterized in that than the standard enthalpy of formation of O 2 is composed of a negative side of the standard enthalpy conductor not to oxides.

【0010】本発明の液晶素子は、薄膜トランジスタのオーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物からなる画素電極が、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体を間に介して接続されていることを特徴とするものである。 [0010] The liquid crystal element of the present invention, between the ohmic contact layer of the thin film transistor, a pixel electrode made of indium tin oxide, a not not conductive than standard enthalpy of SnO 2 in the oxide of the standard enthalpy of negative it is characterized in that through it is connected to.

【0011】 [0011]

【作用】本発明においては、介在体として、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体を使用することを必須とする。 According to the present invention, as an intervening member, it is essential and the use of electrical conductors than the standard enthalpy of SnO 2 not to oxides of standard enthalpy minus side. 各種酸化物の標準生成エンタルピー(ΔHf゜ Standard enthalpy of various oxides (.DELTA.Hf °
(KJ/mol))を表1に示す。 The (KJ / mol)) shown in Table 1.

【0012】 [0012]

【表1】 [Table 1]

【0013】表1に示されているように、本発明で基準とするSnO 2の標準生成エンタルピー(ΔHf゜)は、− [0013] As shown in Table 1, the standard enthalpy of SnO 2 as a reference in the present invention (.DELTA.Hf °) is -
581(KJ/mol)である。 It is a 581 (KJ / mol). したがって、原則として、この値よりも大きい標準生成エンタルピーを有する金属酸化物(No.1〜36)を生成する金属及び合金が介在体として使用することができる。 Therefore, in principle, it is possible to metals and alloys to produce a metal oxide (No.1~36) having a standard enthalpy of formation greater than this value is used as an intervening member. しかし、標準生成エンタルピーの大きいMnO(No.24)又はMnO 2 (No.3 However, large MnO of standard enthalpy of formation (No.24) or MnO 2 (No.3
3)となるMnは、標準生成エンタルピーの小さいMn 3) and a Mn is less Mn of standard enthalpy
23 (No.58)にもなるので不適当である。 Because it becomes 2 O 3 (No.58) it is inappropriate. 同様に、 Similarly,
NbO(No.27)となるNbはNbO 2 (No.50) NbO Nb to be a (No.27) is NbO 2 (No.50)
に、VO(No.29)となるVはV 23 (No.68)に、 To, the VO V as a (No.29) is V 2 O 3 (No.68),
TiO(No.32)となるTiはTi 23 (No.75) The Ti as a TiO (No.32) Ti 2 O 3 (No.75)
に、BaO(No.35)となるBaはBaO 2 (No.4 To, the Ba to be a BaO (No.35) BaO 2 (No.4
6)にもなるので、本発明の介在体の材料からは除外される。 Also becomes a 6), are excluded from the material of the interposer of the present invention.

【0014】尚、N 25 (No.2)は、Nが常温で気体であるので、HgO(No.4)は、Hgが常温で液体であるので、K 2 O(No.23)と、Na 2 O(No.28)およびNa 22 (No.31)は、K及びNa自体が非常に不安定であるので不適当である。 [0014] Incidentally, N 2 O 5 (No.2), since N is a gas at normal temperature, HgO (No.4) Since Hg is a liquid at room temperature, K 2 O (No.23) If, Na 2 O (No.28) and Na 2 O 2 (No.31) is unsuitable since K and Na itself is very unstable.

【0015】従来からの、ITOと接触させていた導電体に使用されていたAlやCrの場合、表1に示されているように、Al 23の標準生成エンタルピーは、−1 [0015] from the conventional case of Al and Cr which have been used in the conductors were in contact with the ITO, as shown in Table 1, the standard enthalpy of formation of Al 2 O 3 -1
675(KJ/mol)であり、Cr 23の標準生成エンタルピーは、−1140(KJ/mol)であり、いずれもSnO 2の標準生成エンタルピー(−581(KJ/mol))よりもマイナス側に位置するものである。 675 (KJ / mol) and is, Cr standard enthalpy of 2 O 3 is -1140 (KJ / mol), the minus side than both standard enthalpy of SnO 2 (-581 (KJ / mol )) it is intended to position to. このことから、Al 23 Therefore, Al 2 O 3
やCr 23は、ITOを構成するSnO 2よりも安定した酸化物であることがわかる。 And Cr 2 O 3 is found to be an oxide stable than SnO 2 constituting the ITO. 従って、ITOにAlやCrが接触すると、容易にITOを還元し、AlやCr Accordingly, when Al and Cr contacts the ITO, and easily reduced the ITO, Al and Cr
が酸化しやすくなっているのである。 There is has become easily oxidized. また、Mo、Ta In addition, Mo, Ta
やTiについても、それらの酸化物、MoO 2 (No.3 For even and Ti, oxides thereof, MoO 2 (No.3
8)、Ta 23 (No.89)、Ti 35 (No.90)の標準生成エンタルピーは、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側にあるので除外される。 8), Ta 2 O 3 ( No.89), standard enthalpy of Ti 3 O 5 (No.90) are excluded because the negative side than the standard enthalpy of SnO 2.

【0016】本発明では、ITOに関する配線構造において、標準生成エンタルピーに着目し、特定の標準生成エンタルピーを有する酸化物のみを生成する導電体からなる介在体をITOと接触させたことにより、導電体とITO間の酸化還元反応を抑制し、接触抵抗の増加による配線不良を防止したものである。 In the present invention, in the wiring structure for ITO, focusing on standard enthalpy, by the interposer made of a conductor which generates only oxide having a specific standard enthalpy contacted with ITO, conductor and suppresses the oxidation-reduction reaction between ITO, is obtained by preventing defective wiring due to an increase in contact resistance.

【0017】なかでも、介在体をCuまたはAgで構成したものが、それ自体の抵抗値も低く、好ましい。 [0017] Among them, those of the interposer is constituted by Cu or Ag, but it resistance of itself is low, preferably.

【0018】 [0018]

【実施例】本発明の配線構造は、例えば、液晶素子における薄膜トランジスタとITOからなる画素電極の接続に適用され得る。 Wiring structure of the embodiment of the present invention, for example, may be applied to the connection of the pixel electrode made of a thin film transistor and ITO in a liquid crystal element. 本発明を適用した液晶素子の一例を図1に示す。 An example of a liquid crystal device according to the present invention shown in FIG. 図1に示す液晶素子は、ガラスなどの透明な基板10上に、走査電極線と接続したCuなどの導電部材からなるゲート電極12と、インジウム錫酸化物(I The liquid crystal element shown in FIG. 1, on a transparent substrate 10 such as glass, a gate electrode 12 made of conductive members such as Cu that is connected to the scan electrode lines, indium tin oxide (I
TO)からなる画素電極14が形成され、これらを覆うように、SiN xなどの絶縁材からなる絶縁層16が積層されている。 TO) is a pixel electrode 14 made of formed, so that to cover these, an insulating layer 16 made of an insulating material such as SiN x is laminated. さらに、ゲート電極12の上方であって絶縁層16上には、アモルファスシリコン(a−Si) Furthermore, on a insulating layer 16 above the gate electrode 12, an amorphous silicon (a-Si)
からなる半導体層18が設けられ、さらにその半導体層18上にアルミニウムやCr等の導電部材からなるソース電極20とドレイン電極22とが形成されて概略構成されている。 Semiconductor layer 18 is provided consisting of, and further the semiconductor layer 18 and the source electrode 20 and the drain electrode 22 made of a conductive member such as aluminum or Cr is formed on the schematic construction. この際、半導体層18の最上層は、リンまたは不純物イオンをドープしたアモルファスシリコン(n + a−Si)からなるオーミックコンタクト層24 At this time, the uppermost layer of the semiconductor layer 18 is made of amorphous silicon doped with phosphorus or impurity ions (n + a-Si) ohmic contact layer 24
とされている。 There is a.

【0019】また、ドレイン電極22は、絶縁層16に開けられたコンタクトホール26を介して基板10上に形成された画素電極14と接続されるが、そのドレイン電極22と画素電極14の間には介在体28が介在し、 Further, the drain electrode 22 is connected to the pixel electrode 14 formed on the substrate 10 through a contact hole 26 opened in the insulating layer 16, between the drain electrode 22 and the pixel electrode 14 intervening body 28 interposed,
ドレイン電極22と画素電極14が接触しないようにしている。 Drain electrode 22 and the pixel electrode 14 is prevented from contacting.

【0020】本実施例の配線構造は、この他にも例えば、図2に示されるような液晶素子にも適用できる。 The wiring structure of this embodiment, In addition, for example, can be applied to the liquid crystal element as shown in FIG. 図2に示す液晶素子が図1に示した液晶素子と異なるのは、ドレイン電極として、そのまま本発明の介在体を構成する導電体材料を適用している点にある。 It differs from the liquid crystal device shown in the liquid crystal device 1 shown in FIG. 2, as a drain electrode, in that it applies the conductive material constituting the interposer of the present invention as it is. すなわち、 That is,
本発明の、標準生成エンタルピーがSnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側にある酸化物にならない導電体、例えば、銀や銅などの導電性の高い導電体で、 Of the present invention, standard enthalpy conductive material which is not an oxide on the negative side than the standard enthalpy of SnO 2, for example, in high conductivity conductor such as silver or copper,
ITOと導電部材であるオーミックコンタクト層24とを接続したものである。 It is obtained by connecting the ohmic contact layer 24 made of ITO and the conductive member.

【0021】また、図3に示すような液晶素子にも適用され得る。 Further, it may be applied to a liquid crystal device as shown in FIG. 図3に示す液晶素子は、基板10上に形成されたゲート電極12上に絶縁層16aが積層され、ゲート電極12の上方であって、この絶縁層16a上にアモルファスシリコン(a−Si)からなる半導体層18が設けられ、さらにその半導体層18上にオーミックコンタクト層24を形成し、その導電部材であるオーミックコンタクト層24と接続するように、上記介在体として用いる本発明独自の導電体でソース電極28bおよびドレイン電極28aを構成した。 The liquid crystal element shown in FIG. 3, the insulating layer 16a on the gate electrode 12 formed on the substrate 10 is laminated to a top of the gate electrode 12, an amorphous silicon (a-Si) on the insulating layer 16a comprising the semiconductor layer 18 is provided, further forming an ohmic contact layer 24 thereon semiconductor layer 18, so as to be connected to the ohmic contact layer 24 which is a conductive member, in the present invention unique conductor used as the interposed member and a source electrode 28b and the drain electrode 28a. これらの上には、絶縁層16bが積層されている。 The top of these, an insulating layer 16b are stacked. また、その絶縁層16b上に形成された画素電極14と、ドレイン電極28aとは絶縁層16bに形成されたコンタクトホール26を介して接続されている。 Further, a pixel electrode 14 formed on the insulating layer 16b, are connected via a contact hole 26 formed in the insulating layer 16b and the drain electrode 28a.

【0022】〔試験例〕各種導電体の接触抵抗の比較試験を行った。 [0022] Comparative tests have been carried out in the contact resistance Test Example] Various conductors. 図5,6に示すようなコンタクトチェーンを作製した。 To prepare a contact chain as shown in FIGS. コンタクトチェーンは、図5に示すように、ガラス基板10上に、サンプルとする導電体層30 Contact chain, as shown in FIG. 5, on the glass substrate 10, conductive layer 30, the sample
を成膜し、これをフォトリソ・メタルウェットエッチ・レジスト剥離をし、その上にSiN xからなる絶縁層16 Was formed, which was the photolithography metal wet etch and resist strip, the insulating layer 16 made of SiN x thereon
を成膜し、これも同様に、フォトリソ・絶縁層ドライエッチ・レジストドライアッシングをし、さらにITO1 It was formed, which likewise the photolithographic insulating layer dry etch resist dry ashing, further ITO1
4を成膜してフォトリソ・ITOウェットエッチ・レジスト剥離をしたもので、絶縁層16に形成したコンタクトホール26,26,・・・を介して導電体層30とITO 4 by forming a obtained by the photolithography-ITO wet etch resist stripping, contact holes 26 and 26 formed in the insulating layer 16, conductive layer 30 through the ... and ITO
14とを次々と接続したものである。 Which are connected one after the other and 14. 本試験においては、図6に示すようにこれを連設し、1600段つなげた。 In this test, continuously provided it as shown in FIG. 6, concatenation 1600 stages. 尚、各コンタクトホール26,26,・・・は、平面視が四辺形で一辺が約7μmのものである。 Note that the contact holes 26 and 26, ... are those one side of about 7μm plan view in quadrilateral.

【0023】この構成のコンタクトチェーンを用いて、 [0023] using a contact chain of this configuration,
導電体層30として、Cu、Ti、Cr、Alを用いて接触抵抗を測定した。 As the conductor layer 30, the contact resistance was measured by using Cu, Ti, Cr, and Al. 測定結果を表2に示す。 The measurement results are shown in Table 2.

【0024】 [0024]

【表2】 [Table 2]

【0025】液晶素子の薄膜トランジスタにおいては、 [0025] In the thin film transistor of the liquid crystal element,
図7に示すように、ドレイン電極22と画素電極14間の接触抵抗R CONは、ゲート電極12に電圧を印加しているときのソース電極20とドレイン電極22間の抵抗であるオン抵抗R SDに対して無視し得る抵抗とすることが望ましい。 As shown in FIG. 7, the contact resistance R CON between the drain electrode 22 and the pixel electrode 14, the on-resistance R SD is the resistance between the source electrode 20 and the drain electrode 22 when a voltage is applied to the gate electrode 12 it is desirable to negligible relative resistance. ここで、オン抵抗R SDの1%はコンタクトチェーンでは1×10 7 Ωに相当するので、このオン抵抗R SDに対して、無視し得る程度に小さいコンタクト抵抗R CONを安定して示すのは、表2からCuだけであることがわかる。 Since 1% of the on-resistance R SD is the contact chains corresponding to 1 × 10 7 Ω, relative to the on-resistance R SD, show a small contact resistance R CON negligibly stably in it can be seen that from Table 2 Cu alone.

【0026】本実施例においては、本発明の配線構造を液晶素子に適用した例を示したが、ITOと導電体を接続する各種の電子素子、例えば、エリアイメージセンサ等に適用することができる。 [0026] In this embodiment, although the wiring structure of the present invention shows an example of application to a liquid crystal device, various electronic devices for connecting the ITO and conductive, for example, can be applied to an area image sensor or the like .

【0027】 [0027]

【発明の効果】請求項1記載の配線構造は、インジウム錫酸化物よりなる第1の導電部材と第2の導電部材が介在体を介して接続され、該介在体が、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴とするものである。 Wiring structure according to claim 1, wherein according to the present invention, the first conductive member and second conductive member made of indium tin oxide is connected through the interposer, the intervening body, a SnO 2 standard formation and it is characterized in that it is constituted by a minus side of the conductor does not become an oxide of the standard enthalpy of formation than the enthalpy. この際、介在体が、銅または銀であるとより好適である。 In this case, interposer is more preferable that is copper or silver.

【0028】請求項3記載の配線構造は、インジウム錫酸化物導電部材と不純物が添加されたシリコンが介在体を介して接続され、該介在体が、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴とするものである。 The interconnection structure of claim 3, wherein the silicon indium tin oxide conductive member and the impurity is added is connected through the interposer, the intervening body, than the standard enthalpy of SnO 2 on the negative side and it is characterized in that it is constituted by not not conductive to the oxide of the standard enthalpy of formation. 本発明の液晶素子は、薄膜トランジスタのオーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物からなる画素電極が、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体を間に介して接続されていることを特徴とするものである。 The liquid crystal element of the present invention, an ohmic contact layer of the thin film transistor, a pixel electrode made of indium tin oxide, through between the becoming not conductive than standard enthalpy of SnO 2 in the oxide of the standard enthalpy of negative and it is characterized in that it is connected.

【0029】本発明によれば、ITOと導電部材を接続する配線またはそのような配線を有する各種の電子素子、特に液晶素子において、導電部材の酸化が抑えられるので、接触抵抗の増大化が低減される。 According to the present invention, various kinds of electronic devices having a wiring or such wire connecting ITO and the conductive member, in particular a liquid crystal element, since the oxidation of the conductive member is suppressed, increase in the contact resistance reducing It is. したがって、 Therefore,
消費電力の増大や起動不良等を防止することができる。 It is possible to prevent an increase and activation failure in power consumption.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施例の液晶素子の要部断面図である。 1 is a fragmentary cross-sectional view of the liquid crystal device of the embodiment of the present invention.

【図2】他の実施例の液晶素子の要部断面図である。 Figure 2 is a fragmentary cross-sectional view of the liquid crystal device of another embodiment.

【図3】他の実施例の液晶素子の要部断面図である。 Figure 3 is a fragmentary cross-sectional view of the liquid crystal device of another embodiment.

【図4】従来例の液晶素子の要部断面図である。 4 is a fragmentary cross-sectional view of the liquid crystal element of the conventional example.

【図5】試験に用いた配線構造を示す要部側断面図である。 5 is a side cross-sectional view showing a wiring structure used in the test.

【図6】コンタクトチェーンを示す模式図である。 6 is a schematic diagram showing a contact chain.

【図7】薄膜トランジスタのオン抵抗とコンタクト抵抗を示す側断面図である。 7 is a side sectional view showing the on-resistance and contact resistance of the thin film transistor.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 基板 12 ゲート電極 14 画素電極 16 絶縁層 22 ドレイン電極 24 オーミックコンタクト層 28 介在体 10 substrate 12 a gate electrode 14 pixel electrode 16 insulating layer 22 drain electrode 24 ohmic contact layer 28 interposed body

フロントページの続き (51)Int.Cl. 6識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 29/786 9056−4M H01L 29/78 612 C 9056−4M 616 V Front page continued (51) Int.Cl. 6 in identification symbol Agency Docket No. FI art display portion H01L 29/786 9056-4M H01L 29/78 612 C 9056-4M 616 V

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 インジウム錫酸化物よりなる第1の導電部材と、第2の導電部材とが介在体を介して接続され、 1. A first conductive member made of indium tin oxide, and a second conductive member is connected through the interposer,
    該介在体が、SnO 2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体で構成されていることを特徴とする配線構造。 Interconnect structure the intervening body, characterized in that it is composed of a conductive material which is not an oxide of standard enthalpy minus side of the standard enthalpy of SnO 2.
  2. 【請求項2】 前記介在体が、銅または銀であることを特徴とする請求項1記載の配線構造。 Wherein said interposer is a wiring structure according to claim 1, wherein the copper or silver.
  3. 【請求項3】 前記第2の導電部材が、不純物が添加されたシリコンであることを特徴とする請求項1記載の配線構造。 Wherein said second conductive member, the wiring structure according to claim 1, characterized in that the silicon doped with impurities.
  4. 【請求項4】 薄膜トランジスタのオーミックコンタクト層と、インジウム錫酸化物からなる画素電極が、Sn 4. A thin film transistor ohmic contact layer, a pixel electrode made of indium tin oxide, Sn
    2の標準生成エンタルピーよりもマイナス側の標準生成エンタルピーの酸化物にならない導電体を間に介して接続されていることを特徴とする液晶素子。 The liquid crystal element characterized in that than the standard enthalpy of formation of O 2 through between a conductor not to oxides of standard enthalpy of minus side is connected.
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