JPH08162280A - 放電灯用点灯装置 - Google Patents
放電灯用点灯装置Info
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- JPH08162280A JPH08162280A JP30066594A JP30066594A JPH08162280A JP H08162280 A JPH08162280 A JP H08162280A JP 30066594 A JP30066594 A JP 30066594A JP 30066594 A JP30066594 A JP 30066594A JP H08162280 A JPH08162280 A JP H08162280A
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- primary winding
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 放電灯用点灯装置の回路構成の簡略化及び高
効率化を図る。 【構成】 直流−交流変換回路２に直流電源１の直流電
圧を印加してＭＯＳ-ＦＥＴ４、５をオン・オフ動作さ
せると、コンデンサ７及びリアクトル１２、１３が共振
してコンデンサ７の両端に正弦波状の共振電圧が発生す
る。これにより、トランス６の１次巻線６a、６bの両端
には前記の共振電圧が加算された交流電圧が発生する。
よって、直流−交流変換回路２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５
のスイッチング周波数を周波数制御手段１４にて制御す
ることにより、１次巻線６a、６bの両端の電圧が変化す
るので、放電灯３に印加される電圧を制御して放電灯３
の明るさを変化させることができる。したがって、出力
可変の直流電源装置が不要となるので、放電灯用点灯装
置の回路構成を簡略化できかつ高効率化を図ることがで
きる。
効率化を図る。 【構成】 直流−交流変換回路２に直流電源１の直流電
圧を印加してＭＯＳ-ＦＥＴ４、５をオン・オフ動作さ
せると、コンデンサ７及びリアクトル１２、１３が共振
してコンデンサ７の両端に正弦波状の共振電圧が発生す
る。これにより、トランス６の１次巻線６a、６bの両端
には前記の共振電圧が加算された交流電圧が発生する。
よって、直流−交流変換回路２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５
のスイッチング周波数を周波数制御手段１４にて制御す
ることにより、１次巻線６a、６bの両端の電圧が変化す
るので、放電灯３に印加される電圧を制御して放電灯３
の明るさを変化させることができる。したがって、出力
可変の直流電源装置が不要となるので、放電灯用点灯装
置の回路構成を簡略化できかつ高効率化を図ることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷極管、水銀灯、メタ
ルハライドランプ（ＨＩＤランプ）、蛍光燈等の放電灯
に使用される放電灯用点灯装置に関し、更に詳しくは回
路構成の簡略化及び高効率化を図った放電灯用点灯装置
に関するものである。
ルハライドランプ（ＨＩＤランプ）、蛍光燈等の放電灯
に使用される放電灯用点灯装置に関し、更に詳しくは回
路構成の簡略化及び高効率化を図った放電灯用点灯装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の放電灯用点灯装置は例えば図４に
示すように、直流電源１と、直流電源１の出力端子に接
続されかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路２
と、直流−交流変換回路２の出力端子に接続された放電
灯３とを備えている。直流−交流変換回路２は、この例
では自励式インバータであり、交互にオン・オフ動作す
る第１及び第２のスイッチング素子としての第１及び第
２のトランジスタ４、５と、第１及び第２のトランジス
タ４、５の各々に対して直列に接続される１次巻線６
a、６b及び放電灯３に接続される２次巻線６cを有する
トランス６と、トランス６の１次巻線６a、６bと並列に
接続された共振用コンデンサ７とを有する。図４におい
て、６dはトランス６のベース帰還巻線、８は定電流用
リアクトル、９、１０は第１及び第２の起動用抵抗、１
１は安定用コンデンサを示す。放電灯３には、例えば冷
極管、水銀灯、メタルハライドランプ（ＨＩＤランプ）
又は蛍光燈等の放電電極を有するものが使用される。
示すように、直流電源１と、直流電源１の出力端子に接
続されかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路２
と、直流−交流変換回路２の出力端子に接続された放電
灯３とを備えている。直流−交流変換回路２は、この例
では自励式インバータであり、交互にオン・オフ動作す
る第１及び第２のスイッチング素子としての第１及び第
２のトランジスタ４、５と、第１及び第２のトランジス
タ４、５の各々に対して直列に接続される１次巻線６
a、６b及び放電灯３に接続される２次巻線６cを有する
トランス６と、トランス６の１次巻線６a、６bと並列に
接続された共振用コンデンサ７とを有する。図４におい
て、６dはトランス６のベース帰還巻線、８は定電流用
リアクトル、９、１０は第１及び第２の起動用抵抗、１
１は安定用コンデンサを示す。放電灯３には、例えば冷
極管、水銀灯、メタルハライドランプ（ＨＩＤランプ）
又は蛍光燈等の放電電極を有するものが使用される。
【０００３】上記の放電灯用点灯装置において、直流電
源１の直流電圧が直流−交流変換回路２の入力端子に印
加されると、定電流用リアクトル８と第１及び第２の起
動用抵抗９、１０とを通して第１及び第２のトランジス
タ４、５の各ベース端子にベース電流が供給され、第１
のトランジスタ４又は第２のトランジスタ５のいずれか
一方がオン状態となる。ここで、第１のトランジスタ４
がオン状態になると、トランス６の１次巻線６aを通し
て第１のトランジスタ４にコレクタ電流が流れる。この
コレクタ電流により１次巻線６aにエネルギが蓄積さ
れ、１次巻線６a、６bを通じて共振用コンデンサ７を充
電し始める。これにより、１次巻線６a、６bのインダク
タンスと共振用コンデンサ７の静電容量で決まる共振周
波数で共振し、１次巻線６a、６bの両端の電圧は正の正
弦波状の共振電圧となる。これと共に、ベース帰還巻線
６dにも１次巻線６a、６bとの巻線比で決まる電圧が誘
起される。第１のトランジスタ４がオン状態となった
後、ベース帰還巻線６dの電圧が第１のトランジスタ４
のベース・エミッタ間オン電圧以下になると、第１のト
ランジスタ４はオフ状態になり、第２のトランジスタ５
がオン状態となる。このとき、第２のトランジスタ５に
はトランス６の１次巻線６bを通してコレクタ電流が流
れる。このコレクタ電流により１次巻線６bにエネルギ
が蓄積され、１次巻線６a、６bを通じて共振用コンデン
サ７を先程とは逆の極性で充電し始める。これにより、
１次巻線６a、６b及び共振用コンデンサ７が共振し、１
次巻線６a、６bの両端の電圧は負の正弦波状の共振電圧
となると共に、ベース帰還巻線６dにも電圧が誘起され
る。第２のトランジスタ５がオン状態となった後、ベー
ス帰還巻線６dの電圧が第２のトランジスタ５のベース
・エミッタ間オン電圧以下になると、第２のトランジス
タ５はオフ状態になり、第１のトランジスタ４が再びオ
ン状態となる。以降、上記の動作が繰り返される。以上
のように、１次巻線６a、６bのインダクタンスと共振用
コンデンサ７の静電容量により決まる共振周波数で第１
のトランジスタ４及び第２のトランジスタ５を交互にオ
ン・オフ動作させることにより、トランス６の１次巻線
６a、６bの両端に前記共振周波数に等しい周波数の正弦
波交流電圧が発生する。これと共に、トランス６の２次
巻線６cの両端、即ち直流−交流変換回路２の出力端子
には、１次巻線６a、６b及び２次巻線６cの巻線比で決
まる高電圧の正弦波交流電圧が誘起され、安定用コンデ
ンサ１１及び放電灯３に正弦波交流電流が流れて放電灯
３が点灯する。
源１の直流電圧が直流−交流変換回路２の入力端子に印
加されると、定電流用リアクトル８と第１及び第２の起
動用抵抗９、１０とを通して第１及び第２のトランジス
タ４、５の各ベース端子にベース電流が供給され、第１
のトランジスタ４又は第２のトランジスタ５のいずれか
一方がオン状態となる。ここで、第１のトランジスタ４
がオン状態になると、トランス６の１次巻線６aを通し
て第１のトランジスタ４にコレクタ電流が流れる。この
コレクタ電流により１次巻線６aにエネルギが蓄積さ
れ、１次巻線６a、６bを通じて共振用コンデンサ７を充
電し始める。これにより、１次巻線６a、６bのインダク
タンスと共振用コンデンサ７の静電容量で決まる共振周
波数で共振し、１次巻線６a、６bの両端の電圧は正の正
弦波状の共振電圧となる。これと共に、ベース帰還巻線
６dにも１次巻線６a、６bとの巻線比で決まる電圧が誘
起される。第１のトランジスタ４がオン状態となった
後、ベース帰還巻線６dの電圧が第１のトランジスタ４
のベース・エミッタ間オン電圧以下になると、第１のト
ランジスタ４はオフ状態になり、第２のトランジスタ５
がオン状態となる。このとき、第２のトランジスタ５に
はトランス６の１次巻線６bを通してコレクタ電流が流
れる。このコレクタ電流により１次巻線６bにエネルギ
が蓄積され、１次巻線６a、６bを通じて共振用コンデン
サ７を先程とは逆の極性で充電し始める。これにより、
１次巻線６a、６b及び共振用コンデンサ７が共振し、１
次巻線６a、６bの両端の電圧は負の正弦波状の共振電圧
となると共に、ベース帰還巻線６dにも電圧が誘起され
る。第２のトランジスタ５がオン状態となった後、ベー
ス帰還巻線６dの電圧が第２のトランジスタ５のベース
・エミッタ間オン電圧以下になると、第２のトランジス
タ５はオフ状態になり、第１のトランジスタ４が再びオ
ン状態となる。以降、上記の動作が繰り返される。以上
のように、１次巻線６a、６bのインダクタンスと共振用
コンデンサ７の静電容量により決まる共振周波数で第１
のトランジスタ４及び第２のトランジスタ５を交互にオ
ン・オフ動作させることにより、トランス６の１次巻線
６a、６bの両端に前記共振周波数に等しい周波数の正弦
波交流電圧が発生する。これと共に、トランス６の２次
巻線６cの両端、即ち直流−交流変換回路２の出力端子
には、１次巻線６a、６b及び２次巻線６cの巻線比で決
まる高電圧の正弦波交流電圧が誘起され、安定用コンデ
ンサ１１及び放電灯３に正弦波交流電流が流れて放電灯
３が点灯する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の放電
灯用点灯装置では、直流電源１の電圧が一定であるため
直流−交流変換回路２の出力電圧は一定であり、この出
力電圧の周波数もトランス６の１次巻線６a、６bのイン
ダクタンスと共振用コンデンサ７の静電容量により決ま
る共振周波数で固定されているので、放電灯３の点灯時
の明るさは一定である。したがって、従来では直流電源
１の電圧を変化させて直流−交流変換回路２の出力電圧
を変化させることにより、放電灯３の明るさを変化させ
ていた。このため、直流電源１として例えば出力可変型
トランス、整流器及び平滑コンデンサで構成された出力
可変の交流−直流変換装置又はＤＣ−ＤＣコンバータ等
の複雑な回路構成を有する出力可変の直流電源装置を使
用しなければならず、放電灯用点灯装置の回路構成が複
雑になると共に効率が低い欠点があった。
灯用点灯装置では、直流電源１の電圧が一定であるため
直流−交流変換回路２の出力電圧は一定であり、この出
力電圧の周波数もトランス６の１次巻線６a、６bのイン
ダクタンスと共振用コンデンサ７の静電容量により決ま
る共振周波数で固定されているので、放電灯３の点灯時
の明るさは一定である。したがって、従来では直流電源
１の電圧を変化させて直流−交流変換回路２の出力電圧
を変化させることにより、放電灯３の明るさを変化させ
ていた。このため、直流電源１として例えば出力可変型
トランス、整流器及び平滑コンデンサで構成された出力
可変の交流−直流変換装置又はＤＣ−ＤＣコンバータ等
の複雑な回路構成を有する出力可変の直流電源装置を使
用しなければならず、放電灯用点灯装置の回路構成が複
雑になると共に効率が低い欠点があった。
【０００５】そこで、本発明は回路構成が簡素でかつ高
効率の放電灯用点灯装置を提供することを目的とする。
効率の放電灯用点灯装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による放電灯用点
灯装置は、直流電源と、該直流電源の出力端子に接続さ
れかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路と、該直
流−交流変換回路の出力端子に接続された放電灯とを備
え、前記直流−交流変換回路は交互にオン・オフ動作す
る第１及び第２のスイッチング素子と、該第１及び第２
のスイッチング素子の各々に対して直列に接続される１
次巻線及び前記放電灯に接続される２次巻線を有するト
ランスとを含む。この放電灯用点灯装置では、直列に接
続された前記第１及び第２のスイッチング素子の接続点
と前記トランスの１次巻線との間に接続された共振用コ
ンデンサ及び第１の共振用リアクトルの直列回路と、前
記トランスの１次巻線と並列に接続された第２の共振用
リアクトルと、前記第１及び第２のスイッチング素子の
スイッチング周波数を制御する周波数制御手段とを備
え、前記第１及び第２のスイッチング素子のスイッチン
グ周波数を制御することにより前記放電灯に印加される
電圧を制御する。前記第１の共振用リアクトルは前記ト
ランスの漏洩インダクタンスにより前記トランスの１次
巻線と一体に形成してもよく、前記第２の共振用リアク
トルは前記トランスの励磁インダクタンスにより前記ト
ランスの１次巻線と一体に形成してもよい。
灯装置は、直流電源と、該直流電源の出力端子に接続さ
れかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路と、該直
流−交流変換回路の出力端子に接続された放電灯とを備
え、前記直流−交流変換回路は交互にオン・オフ動作す
る第１及び第２のスイッチング素子と、該第１及び第２
のスイッチング素子の各々に対して直列に接続される１
次巻線及び前記放電灯に接続される２次巻線を有するト
ランスとを含む。この放電灯用点灯装置では、直列に接
続された前記第１及び第２のスイッチング素子の接続点
と前記トランスの１次巻線との間に接続された共振用コ
ンデンサ及び第１の共振用リアクトルの直列回路と、前
記トランスの１次巻線と並列に接続された第２の共振用
リアクトルと、前記第１及び第２のスイッチング素子の
スイッチング周波数を制御する周波数制御手段とを備
え、前記第１及び第２のスイッチング素子のスイッチン
グ周波数を制御することにより前記放電灯に印加される
電圧を制御する。前記第１の共振用リアクトルは前記ト
ランスの漏洩インダクタンスにより前記トランスの１次
巻線と一体に形成してもよく、前記第２の共振用リアク
トルは前記トランスの励磁インダクタンスにより前記ト
ランスの１次巻線と一体に形成してもよい。
【０００７】
【作用】直流電源の直流電圧を直流−交流変換回路に印
加すると、直流−交流変換回路内の第１及び第２のスイ
ッチング素子が交互にオン・オフ動作され、共振用コン
デンサと第１及び第２の共振用リアクトルとが共振して
共振用コンデンサの両端に正弦波状の共振電圧が発生す
る。したがって、トランスの１次巻線の両端には前記の
共振電圧が加算された交流電圧が発生する。これによ
り、第１及び第２のスイッチング素子のスイッチング周
波数を周波数制御手段にて制御することによりトランス
の１次巻線の両端の電圧が変化するので、放電灯に印加
される電圧を制御して放電灯の明るさを変化させること
ができる。このため、出力可変の直流電源装置が不要と
なり、放電灯用点灯装置の回路構成を簡略化できると共
に効率の向上を図ることができる。また、第１及び第２
の共振用リアクトルのいずれか片方又は両方をトランス
の１次巻線と一体に形成した場合は、部品点数を削減で
きるので、放電灯用点灯装置の回路構成を更に簡略化す
ることが可能となる。
加すると、直流−交流変換回路内の第１及び第２のスイ
ッチング素子が交互にオン・オフ動作され、共振用コン
デンサと第１及び第２の共振用リアクトルとが共振して
共振用コンデンサの両端に正弦波状の共振電圧が発生す
る。したがって、トランスの１次巻線の両端には前記の
共振電圧が加算された交流電圧が発生する。これによ
り、第１及び第２のスイッチング素子のスイッチング周
波数を周波数制御手段にて制御することによりトランス
の１次巻線の両端の電圧が変化するので、放電灯に印加
される電圧を制御して放電灯の明るさを変化させること
ができる。このため、出力可変の直流電源装置が不要と
なり、放電灯用点灯装置の回路構成を簡略化できると共
に効率の向上を図ることができる。また、第１及び第２
の共振用リアクトルのいずれか片方又は両方をトランス
の１次巻線と一体に形成した場合は、部品点数を削減で
きるので、放電灯用点灯装置の回路構成を更に簡略化す
ることが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明による放電灯用点灯装置の実施
例を図１〜図３に基づいて説明する。但し、図１では図
４に示す箇所と同一の部分には同一の符号を付し、その
説明を省略する。本実施例の放電灯用点灯装置は、図１
に示すように、直流−交流変換回路２の第１及び第２の
スイッチング素子としての第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ４、５が直列に接続され、第１及び第２のＭＯＳ-Ｆ
ＥＴ４、５の接続点とトランス６の１次巻線６aとの間
に共振用コンデンサ７及び第１の共振用リアクトル１２
が直列に接続され、トランス６の１次巻線６aと並列に
第２の共振用リアクトル１３が接続されている。また、
第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に
交互に付与する制御信号の周波数を変化させることによ
り、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５のスイッチン
グ周波数を制御する周波数制御手段１４が直流−交流変
換回路２内に設けられている。周波数制御手段１４は、
共振用コンデンサ７の静電容量及び第２の共振用リアク
トル１３のインダクタンスで決まる共振周波数より高い
周波数領域の矩形波パルス信号を発生する。周波数制御
手段１４内には、誤差増幅器１５及び電圧可変の基準電
源１６で構成される設定手段１７と、２つのトランジス
タ１８、１９から成りかつ直流電源１の一端に接続され
た定電流回路２０及び定電流回路２０に接続された発振
用コンデンサ２１で構成される三角波発生手段２２と、
三角波発生手段２２の三角波出力電圧波形を矩形波パル
ス波形に整形する波形整形手段２３と、波形整形手段２
３の矩形波パルス出力から第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ４、５の各ゲート端子に付与する制御信号ＶG1、ＶG2
を発生する制御信号発生手段２４とが設けられている。
制御信号発生手段２４は、フリップフロップ２５及び２
つのＡＮＤゲート２６、２７により構成されている。設
定手段１７は、トランス６の１次巻線６a及び第２の共
振用リアクトル１３に流れる電流Ｉ1に対応する電圧と
基準電源１６の設定電圧ＶZとを誤差増幅器１５で比較
する。これにより、基準電源１６の設定電圧ＶZが低い
ときは誤差増幅器１５の出力電圧が上昇するので電流Ｉ
Kが増加し、基準電源１６の設定電圧ＶZが高いときは誤
差増幅器１５の出力電圧が低下するので電流ＩKが減少
する。その他の構成は図４の回路と同様であるので説明
は省略する。また、図１のＡ〜Ｄの各点における信号Ｖ
A、ＶB、ＶG1、ＶG2の電圧波形をそれぞれ図２(Ａ)〜
(Ｄ)に示す。
例を図１〜図３に基づいて説明する。但し、図１では図
４に示す箇所と同一の部分には同一の符号を付し、その
説明を省略する。本実施例の放電灯用点灯装置は、図１
に示すように、直流−交流変換回路２の第１及び第２の
スイッチング素子としての第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ４、５が直列に接続され、第１及び第２のＭＯＳ-Ｆ
ＥＴ４、５の接続点とトランス６の１次巻線６aとの間
に共振用コンデンサ７及び第１の共振用リアクトル１２
が直列に接続され、トランス６の１次巻線６aと並列に
第２の共振用リアクトル１３が接続されている。また、
第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に
交互に付与する制御信号の周波数を変化させることによ
り、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５のスイッチン
グ周波数を制御する周波数制御手段１４が直流−交流変
換回路２内に設けられている。周波数制御手段１４は、
共振用コンデンサ７の静電容量及び第２の共振用リアク
トル１３のインダクタンスで決まる共振周波数より高い
周波数領域の矩形波パルス信号を発生する。周波数制御
手段１４内には、誤差増幅器１５及び電圧可変の基準電
源１６で構成される設定手段１７と、２つのトランジス
タ１８、１９から成りかつ直流電源１の一端に接続され
た定電流回路２０及び定電流回路２０に接続された発振
用コンデンサ２１で構成される三角波発生手段２２と、
三角波発生手段２２の三角波出力電圧波形を矩形波パル
ス波形に整形する波形整形手段２３と、波形整形手段２
３の矩形波パルス出力から第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ４、５の各ゲート端子に付与する制御信号ＶG1、ＶG2
を発生する制御信号発生手段２４とが設けられている。
制御信号発生手段２４は、フリップフロップ２５及び２
つのＡＮＤゲート２６、２７により構成されている。設
定手段１７は、トランス６の１次巻線６a及び第２の共
振用リアクトル１３に流れる電流Ｉ1に対応する電圧と
基準電源１６の設定電圧ＶZとを誤差増幅器１５で比較
する。これにより、基準電源１６の設定電圧ＶZが低い
ときは誤差増幅器１５の出力電圧が上昇するので電流Ｉ
Kが増加し、基準電源１６の設定電圧ＶZが高いときは誤
差増幅器１５の出力電圧が低下するので電流ＩKが減少
する。その他の構成は図４の回路と同様であるので説明
は省略する。また、図１のＡ〜Ｄの各点における信号Ｖ
A、ＶB、ＶG1、ＶG2の電圧波形をそれぞれ図２(Ａ)〜
(Ｄ)に示す。
【０００９】次に、図１の放電灯用点灯装置の動作を図
２及び図３の波形図に基づいて説明する。直流電源１か
ら直流−交流変換回路２に直流電圧が印加されると、直
流−交流変換回路２内の周波数制御手段１４が動作を開
始し、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の各ゲート
端子に図２(Ｃ)及び(Ｄ)に示す制御信号ＶG1、ＶG2がそ
れぞれ付与されて第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５
が交互にオン・オフ動作される。このときの第１及び第
２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５のドレイン−ソース間電圧Ｖ
DS1、ＶDS2の波形をそれぞれ図３(Ａ)及び(Ｂ)に示す。
２及び図３の波形図に基づいて説明する。直流電源１か
ら直流−交流変換回路２に直流電圧が印加されると、直
流−交流変換回路２内の周波数制御手段１４が動作を開
始し、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の各ゲート
端子に図２(Ｃ)及び(Ｄ)に示す制御信号ＶG1、ＶG2がそ
れぞれ付与されて第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５
が交互にオン・オフ動作される。このときの第１及び第
２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５のドレイン−ソース間電圧Ｖ
DS1、ＶDS2の波形をそれぞれ図３(Ａ)及び(Ｂ)に示す。
【００１０】ｔ1において、第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４の制
御信号ＶG1の電圧が図２(Ｃ)に示すように低レベル（Ｌ
レベル）から高レベル（Ｈレベル）になり、第１のＭＯ
Ｓ-ＦＥＴ４がオフ状態からオン状態になると、図２
(Ｄ)に示すように第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５の制御信号Ｖ
G2の電圧は低レベルであるので、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
５はオフ状態である。このとき、第２の共振用リアクト
ル１３のエネルギが第２の共振用リアクトル１３、第１
の共振リアクトル１２、共振用コンデンサ７及び第１の
ＭＯＳ-ＦＥＴ４の経路で放出されて第２の共振用リア
クトル１３に流れる電流ＩPが図３(Ｃ)に示すように直
線的に減少して行く。これと共に、共振用コンデンサ７
と第１及び第２の共振用リアクトル１２、１３とが共振
して共振用コンデンサ７が充電されて行き、共振用コン
デンサ７の両端の電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正
弦波状に上昇して行く。ｔ2において、図３(Ｃ)に示す
ように第２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが
０になると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデンサ７
の両端の電圧ＶC R1が最大値に達する。その後、第１の
ＭＯＳ-ＦＥＴ４、共振用コンデンサ７、第１の共振リ
アクトル１２及び第２の共振用リアクトル１３の経路で
共振用コンデンサ７が放電されて行き、共振用コンデン
サ７の両端の電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正弦波
状に降下して行く。これと共に、第２の共振用リアクト
ル１３にエネルギが蓄積されて行き、第２の共振用リア
クトル１３に流れる電流ＩPが図３(Ｃ)に示すように直
線的に増加して行く。ｔ3において、図３(Ｃ)に示すよ
うに第２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが最
大値に達すると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデン
サ７の両端の電圧ＶCR1が０Ｖとなる。このとき、第１
のＭＯＳ-ＦＥＴ４の制御信号ＶG1の電圧が図２(Ｃ)に
示すように高レベルから低レベルになり、第１のＭＯＳ
-ＦＥＴ４がオン状態からオフ状態となる。
御信号ＶG1の電圧が図２(Ｃ)に示すように低レベル（Ｌ
レベル）から高レベル（Ｈレベル）になり、第１のＭＯ
Ｓ-ＦＥＴ４がオフ状態からオン状態になると、図２
(Ｄ)に示すように第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５の制御信号Ｖ
G2の電圧は低レベルであるので、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
５はオフ状態である。このとき、第２の共振用リアクト
ル１３のエネルギが第２の共振用リアクトル１３、第１
の共振リアクトル１２、共振用コンデンサ７及び第１の
ＭＯＳ-ＦＥＴ４の経路で放出されて第２の共振用リア
クトル１３に流れる電流ＩPが図３(Ｃ)に示すように直
線的に減少して行く。これと共に、共振用コンデンサ７
と第１及び第２の共振用リアクトル１２、１３とが共振
して共振用コンデンサ７が充電されて行き、共振用コン
デンサ７の両端の電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正
弦波状に上昇して行く。ｔ2において、図３(Ｃ)に示す
ように第２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが
０になると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデンサ７
の両端の電圧ＶC R1が最大値に達する。その後、第１の
ＭＯＳ-ＦＥＴ４、共振用コンデンサ７、第１の共振リ
アクトル１２及び第２の共振用リアクトル１３の経路で
共振用コンデンサ７が放電されて行き、共振用コンデン
サ７の両端の電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正弦波
状に降下して行く。これと共に、第２の共振用リアクト
ル１３にエネルギが蓄積されて行き、第２の共振用リア
クトル１３に流れる電流ＩPが図３(Ｃ)に示すように直
線的に増加して行く。ｔ3において、図３(Ｃ)に示すよ
うに第２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが最
大値に達すると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデン
サ７の両端の電圧ＶCR1が０Ｖとなる。このとき、第１
のＭＯＳ-ＦＥＴ４の制御信号ＶG1の電圧が図２(Ｃ)に
示すように高レベルから低レベルになり、第１のＭＯＳ
-ＦＥＴ４がオン状態からオフ状態となる。
【００１１】ｔ4において、に示す第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
５の制御信号ＶG2の電圧が図２(Ｄ)に示すように低レベ
ルから高レベルになり、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５がオフ
状態からオン状態になると、第２の共振用リアクトル１
３に蓄積されたエネルギが第２の共振用リアクトル１
３、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５、共振用コンデンサ７及び
第１の共振リアクトル１２の経路で放出されて第２の共
振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが図３(Ｃ)に示す
ように直線的に減少して行く。これと共に、共振用コン
デンサ７と第１及び第２の共振用リアクトル１２、１３
とが共振して共振用コンデンサ７がｔ1〜ｔ2の時とは逆
の極性で充電されて行き、共振用コンデンサ７の両端の
電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正弦波状に負の極性
で上昇して行く。ｔ5において、図３(Ｃ)に示すように
第２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが０にな
ると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデンサ７の両端
の電圧ＶC R1が負の最大値に達する。その後、共振用コ
ンデンサ７、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５、第２の共振用リ
アクトル１３及び第１の共振リアクトル１２の経路で共
振用コンデンサ７が放電されて行き、共振用コンデンサ
７の両端の電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正弦波状
に負の極性で降下して行く。これと共に、第２の共振用
リアクトル１３にｔ2〜ｔ3の時とは逆の極性でエネルギ
が蓄積されて行き、第２の共振用リアクトル１３に流れ
る電流ＩPが図３(Ｃ)に示すように直線的に負の極性で
増加して行く。ｔ6において、図３(Ｃ)に示すように第
２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが負の最大
値に達すると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデンサ
７の両端の電圧ＶCR1が０Ｖとなる。このとき、第２の
ＭＯＳ-ＦＥＴ５の制御信号ＶG2の電圧が図２(Ｄ)に示
すように高レベルから低レベルになり、第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ５がオン状態からオフ状態となる。ｔ6以降は上
記ｔ1〜ｔ6の動作が繰り返される。
５の制御信号ＶG2の電圧が図２(Ｄ)に示すように低レベ
ルから高レベルになり、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５がオフ
状態からオン状態になると、第２の共振用リアクトル１
３に蓄積されたエネルギが第２の共振用リアクトル１
３、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５、共振用コンデンサ７及び
第１の共振リアクトル１２の経路で放出されて第２の共
振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが図３(Ｃ)に示す
ように直線的に減少して行く。これと共に、共振用コン
デンサ７と第１及び第２の共振用リアクトル１２、１３
とが共振して共振用コンデンサ７がｔ1〜ｔ2の時とは逆
の極性で充電されて行き、共振用コンデンサ７の両端の
電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正弦波状に負の極性
で上昇して行く。ｔ5において、図３(Ｃ)に示すように
第２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが０にな
ると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデンサ７の両端
の電圧ＶC R1が負の最大値に達する。その後、共振用コ
ンデンサ７、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ５、第２の共振用リ
アクトル１３及び第１の共振リアクトル１２の経路で共
振用コンデンサ７が放電されて行き、共振用コンデンサ
７の両端の電圧ＶCR1が図３(Ｄ)に示すように正弦波状
に負の極性で降下して行く。これと共に、第２の共振用
リアクトル１３にｔ2〜ｔ3の時とは逆の極性でエネルギ
が蓄積されて行き、第２の共振用リアクトル１３に流れ
る電流ＩPが図３(Ｃ)に示すように直線的に負の極性で
増加して行く。ｔ6において、図３(Ｃ)に示すように第
２の共振用リアクトル１３に流れる電流ＩPが負の最大
値に達すると、図３(Ｄ)に示すように共振用コンデンサ
７の両端の電圧ＶCR1が０Ｖとなる。このとき、第２の
ＭＯＳ-ＦＥＴ５の制御信号ＶG2の電圧が図２(Ｄ)に示
すように高レベルから低レベルになり、第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ５がオン状態からオフ状態となる。ｔ6以降は上
記ｔ1〜ｔ6の動作が繰り返される。
【００１２】上記動作の結果、共振用コンデンサ７の両
端の電圧ＶCR1は図３(Ｃ)に示すように正弦波交流的に
変化する共振電圧となる。したがって、トランス６の１
次巻線６aの両端には図３(Ｅ)に示すように共振用コン
デンサ７の共振電圧ＶCR1が加算された交流電圧ＶT1が
発生する。
端の電圧ＶCR1は図３(Ｃ)に示すように正弦波交流的に
変化する共振電圧となる。したがって、トランス６の１
次巻線６aの両端には図３(Ｅ)に示すように共振用コン
デンサ７の共振電圧ＶCR1が加算された交流電圧ＶT1が
発生する。
【００１３】ここで、周波数制御手段１４内に設けられ
た設定手段１７の基準電源１６の設定電圧ＶZを低くす
ると、トランス６の１次巻線６a及び第２の共振用リア
クトル１３に流れる電流Ｉ1に対応する電圧が基準電源
１６の設定電圧ＶZと平衡するまで誤差増幅器１５の出
力電圧が上昇して電流ＩKが増加する。このとき、三角
波発生手段２２の定電流回路２０が作動して発振用コン
デンサ２１に流れる電流が増加するので、図２(Ａ)に示
すＡ点（図１）における三角波電圧ＶAの周波数が破線
に示すように増加する。したがって、図２(Ｂ)〜(Ｄ)に
示す図１のＢ〜Ｄ点における矩形波パルス信号ＶB、Ｖ
G1、ＶG2のパルス幅が破線に示すように狭まると共に周
波数も増加する。これにより、第１及び第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に付与される制御信号
ＶG1、ＶG2の周波数が増加し、トランス６の１次巻線６
aの両端の電圧ＶT1が図３(Ｅ)の破線に示すように低下
する。これに伴って、トランス６の２次巻線６cに誘起
される電圧が低下するので、安定用コンデンサ１１及び
放電灯３に流れる電流が減少して放電灯３の明るさが減
少する。
た設定手段１７の基準電源１６の設定電圧ＶZを低くす
ると、トランス６の１次巻線６a及び第２の共振用リア
クトル１３に流れる電流Ｉ1に対応する電圧が基準電源
１６の設定電圧ＶZと平衡するまで誤差増幅器１５の出
力電圧が上昇して電流ＩKが増加する。このとき、三角
波発生手段２２の定電流回路２０が作動して発振用コン
デンサ２１に流れる電流が増加するので、図２(Ａ)に示
すＡ点（図１）における三角波電圧ＶAの周波数が破線
に示すように増加する。したがって、図２(Ｂ)〜(Ｄ)に
示す図１のＢ〜Ｄ点における矩形波パルス信号ＶB、Ｖ
G1、ＶG2のパルス幅が破線に示すように狭まると共に周
波数も増加する。これにより、第１及び第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に付与される制御信号
ＶG1、ＶG2の周波数が増加し、トランス６の１次巻線６
aの両端の電圧ＶT1が図３(Ｅ)の破線に示すように低下
する。これに伴って、トランス６の２次巻線６cに誘起
される電圧が低下するので、安定用コンデンサ１１及び
放電灯３に流れる電流が減少して放電灯３の明るさが減
少する。
【００１４】また、前記とは逆に設定手段１７の基準電
源１６の設定電圧ＶZを高くすると、トランス６の１次
巻線６a及び第２の共振用リアクトル１３に流れる電流
Ｉ1に対応する電圧が基準電源１６の設定電圧ＶZと平衡
するまで誤差増幅器１５の出力電圧が低下して電流ＩK
が減少し、周波数制御手段１４は上記とは逆の動作をす
る。これにより、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５
の各ゲート端子に付与される制御信号ＶG1、ＶG2の周波
数が減少し、トランス６の１次巻線６aの両端の電圧Ｖ
T1が上昇する。したがって、トランス６の２次巻線６c
に誘起される電圧が上昇し、安定用コンデンサ１１及び
放電灯３に流れる電流が増加して放電灯３の明るさが増
加する。
源１６の設定電圧ＶZを高くすると、トランス６の１次
巻線６a及び第２の共振用リアクトル１３に流れる電流
Ｉ1に対応する電圧が基準電源１６の設定電圧ＶZと平衡
するまで誤差増幅器１５の出力電圧が低下して電流ＩK
が減少し、周波数制御手段１４は上記とは逆の動作をす
る。これにより、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５
の各ゲート端子に付与される制御信号ＶG1、ＶG2の周波
数が減少し、トランス６の１次巻線６aの両端の電圧Ｖ
T1が上昇する。したがって、トランス６の２次巻線６c
に誘起される電圧が上昇し、安定用コンデンサ１１及び
放電灯３に流れる電流が増加して放電灯３の明るさが増
加する。
【００１５】以上のように、本実施例では周波数制御手
段１４内に設けられた設定手段１７の基準電源１６の設
定電圧ＶZを下降又は上昇させて第１及び第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に付与される制御信号
ＶG1、ＶG2の周波数を増加又は減少させることにより、
トランス６の１次巻線６aの両端の電圧ＶT1が低下又は
上昇するので、放電灯３に印加される電圧を制御して放
電灯３の明るさを増減させることができる。このため、
直流電源１の直流電圧は一定でよく、出力可変の直流電
源装置が不要となるので、放電灯用点灯装置の回路構成
を簡略化できると共に効率の向上を図ることができる。
段１４内に設けられた設定手段１７の基準電源１６の設
定電圧ＶZを下降又は上昇させて第１及び第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に付与される制御信号
ＶG1、ＶG2の周波数を増加又は減少させることにより、
トランス６の１次巻線６aの両端の電圧ＶT1が低下又は
上昇するので、放電灯３に印加される電圧を制御して放
電灯３の明るさを増減させることができる。このため、
直流電源１の直流電圧は一定でよく、出力可変の直流電
源装置が不要となるので、放電灯用点灯装置の回路構成
を簡略化できると共に効率の向上を図ることができる。
【００１６】本発明の実施態様は前記の実施例に限定さ
れず種々の変更が可能である。例えば、上記の実施例に
おける第１の共振用リアクトル１２をトランス６の漏洩
インダクタンスによりトランス６の１次巻線６aと一体
に形成してもよい。同様に、第２の共振用リアクトル１
３をトランス６の励磁インダクタンスによりトランスの
１次巻線６aと一体に形成してもよい。特に、第１及び
第２の共振用リアクトル１２、１３の両方をトランス６
の１次巻線６aと一体に形成した場合は部品点数の削減
効果が大きく、放電灯用点灯装置の回路構成を大幅に簡
略化できる利点がある。また、上記の実施例では第１及
び第２のスイッチング素子としてＭＯＳ-ＦＥＴを使用
した例を示したが、バイポーラ形トランジスタ、接合型
ＦＥＴ（Ｊ-ＦＥＴ）、ＳＣＲ（逆阻止３端子サイリス
タ）等の他のスイッチング素子を使用してもよい。ま
た、図１に示す実施例では直流電源１としてバッテリ
（蓄電池）又は乾電池等を使用した例を示したが、入力
電源として商用交流を使用する場合には通常のコンデン
サ入力型整流回路にて整流平滑して一定の直流電圧を得
てもよい。また、直流電源１の一端と他端との間に接続
された第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５と並列に２
つのハーフブリッジ用コンデンサを接続し、第１及び第
２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の接続点と２つのハーフブリ
ッジ用コンデンサの接続点との間に共振用コンデンサ
７、第１及び第２の共振用リアクトル１２、１３、トラ
ンス６の１次巻線６aを接続することにより、トランス
６の１次側回路をハーフブリッジ型として構成してもよ
い。
れず種々の変更が可能である。例えば、上記の実施例に
おける第１の共振用リアクトル１２をトランス６の漏洩
インダクタンスによりトランス６の１次巻線６aと一体
に形成してもよい。同様に、第２の共振用リアクトル１
３をトランス６の励磁インダクタンスによりトランスの
１次巻線６aと一体に形成してもよい。特に、第１及び
第２の共振用リアクトル１２、１３の両方をトランス６
の１次巻線６aと一体に形成した場合は部品点数の削減
効果が大きく、放電灯用点灯装置の回路構成を大幅に簡
略化できる利点がある。また、上記の実施例では第１及
び第２のスイッチング素子としてＭＯＳ-ＦＥＴを使用
した例を示したが、バイポーラ形トランジスタ、接合型
ＦＥＴ（Ｊ-ＦＥＴ）、ＳＣＲ（逆阻止３端子サイリス
タ）等の他のスイッチング素子を使用してもよい。ま
た、図１に示す実施例では直流電源１としてバッテリ
（蓄電池）又は乾電池等を使用した例を示したが、入力
電源として商用交流を使用する場合には通常のコンデン
サ入力型整流回路にて整流平滑して一定の直流電圧を得
てもよい。また、直流電源１の一端と他端との間に接続
された第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５と並列に２
つのハーフブリッジ用コンデンサを接続し、第１及び第
２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の接続点と２つのハーフブリ
ッジ用コンデンサの接続点との間に共振用コンデンサ
７、第１及び第２の共振用リアクトル１２、１３、トラ
ンス６の１次巻線６aを接続することにより、トランス
６の１次側回路をハーフブリッジ型として構成してもよ
い。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、放電灯用点灯装置の回
路構成を簡略化できるので、回路の集積化（ＩＣ化）を
容易に行うことができると共に、部品点数を削減して製
造コストを低減することが可能である。また、ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ等の出力可変の直流電源装置を使用しない
ので、消費電力が少なく、高効率の放電灯用点灯装置を
得ることができる。更に、第１及び第２の共振用リアク
トルのいずれか片方又は両方をトランスの１次巻線と一
体に形成した場合は、部品点数を更に削減して放電灯用
点灯装置の回路構成を更に簡略化できる利点がある。
路構成を簡略化できるので、回路の集積化（ＩＣ化）を
容易に行うことができると共に、部品点数を削減して製
造コストを低減することが可能である。また、ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ等の出力可変の直流電源装置を使用しない
ので、消費電力が少なく、高効率の放電灯用点灯装置を
得ることができる。更に、第１及び第２の共振用リアク
トルのいずれか片方又は両方をトランスの１次巻線と一
体に形成した場合は、部品点数を更に削減して放電灯用
点灯装置の回路構成を更に簡略化できる利点がある。
【図１】 本発明の実施例を示す放電灯用点灯装置の電
気回路図
気回路図
【図２】 図１の回路の周波数制御手段の各部の電圧を
示す波形図
示す波形図
【図３】 図１の回路の各部の電圧及び電流を示す波形
図
図
【図４】 放電灯用点灯装置の従来例を示す電気回路図
１．．．直流電源、２．．．直流−交流変換回路、
３．．．放電灯、４．．．第１のＭＯＳ-ＦＥＴ（第１
のスイッチング素子）、５．．．第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
（第２のスイッチング素子）、６．．．トランス、６
a，６b．．．１次巻線、６c．．．２次巻線、７．．．
共振用コンデンサ、１２．．．第１の共振用リアクト
ル、１３．．．第２の共振用リアクトル、１４．．．周
波数制御手段
３．．．放電灯、４．．．第１のＭＯＳ-ＦＥＴ（第１
のスイッチング素子）、５．．．第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
（第２のスイッチング素子）、６．．．トランス、６
a，６b．．．１次巻線、６c．．．２次巻線、７．．．
共振用コンデンサ、１２．．．第１の共振用リアクト
ル、１３．．．第２の共振用リアクトル、１４．．．周
波数制御手段
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による放電灯用点
灯装置は、直流電源と、該直流電源の出力端子に接続さ
れかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路と、該直
流−交流変換回路の出力端子に接続された放電灯とを備
え、前記直流−交流変換回路は交互にオン・オフ動作す
る第１及び第２のスイッチング素子と、該第１及び第２
のスイッチング素子の各々に対して直列に接続される１
次巻線及び前記放電灯に接続される２次巻線を有するト
ランスとを含む。この放電灯用点灯装置では、前記トラ
ンスの１次巻線と直列に接続された共振用コンデンサ及
び共振用リアクトルと、前記第１及び第２のスイッチン
グ素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御手段
とを備え、前記第１及び第２のスイッチング素子のスイ
ッチング周波数を制御することにより前記放電灯に印加
される電圧を制御する。図示の実施例では、前記トラン
スの１次巻線と並列に他の共振用リアクトルが接続され
ている。また、前記他の共振用リアクトルは前記トラン
スの励磁インダクタンスにより前記トランスの１次巻線
と一体に形成してもよく、前記共振用リアクトルは前記
トランスの漏洩インダクタンスにより前記トランスの１
次巻線と一体に形成してもよい。
灯装置は、直流電源と、該直流電源の出力端子に接続さ
れかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路と、該直
流−交流変換回路の出力端子に接続された放電灯とを備
え、前記直流−交流変換回路は交互にオン・オフ動作す
る第１及び第２のスイッチング素子と、該第１及び第２
のスイッチング素子の各々に対して直列に接続される１
次巻線及び前記放電灯に接続される２次巻線を有するト
ランスとを含む。この放電灯用点灯装置では、前記トラ
ンスの１次巻線と直列に接続された共振用コンデンサ及
び共振用リアクトルと、前記第１及び第２のスイッチン
グ素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御手段
とを備え、前記第１及び第２のスイッチング素子のスイ
ッチング周波数を制御することにより前記放電灯に印加
される電圧を制御する。図示の実施例では、前記トラン
スの１次巻線と並列に他の共振用リアクトルが接続され
ている。また、前記他の共振用リアクトルは前記トラン
スの励磁インダクタンスにより前記トランスの１次巻線
と一体に形成してもよく、前記共振用リアクトルは前記
トランスの漏洩インダクタンスにより前記トランスの１
次巻線と一体に形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【作用】直流電源の直流電圧を直流−交流変換回路に印
加すると、直流−交流変換回路内の第１及び第２のスイ
ッチング素子が交互にオン・オフ動作され、共振用コン
デンサと共振用リアクトルとが共振して共振用コンデン
サの両端に正弦波状の共振電圧が発生する。したがっ
て、トランスの１次巻線の両端には前記の共振電圧が加
算された交流電圧が発生する。これにより、第１及び第
２のスイッチング素子のスイッチング周波数を周波数制
御手段にて制御することによりトランスの１次巻線の両
端の電圧が変化するので、放電灯に印加される電圧を制
御して放電灯の明るさを変化させることができる。この
ため、出力可変の直流電源装置が不要となり、放電灯用
点灯装置の回路構成を簡略化できると共に効率の向上を
図ることができる。また、共振用リアクトル及び他の共
振用リアクトルのいずれか片方又は両方をトランスの１
次巻線と一体に形成した場合は、部品点数を削減できる
ので、放電灯用点灯装置の回路構成を更に簡略化するこ
とが可能となる。
加すると、直流−交流変換回路内の第１及び第２のスイ
ッチング素子が交互にオン・オフ動作され、共振用コン
デンサと共振用リアクトルとが共振して共振用コンデン
サの両端に正弦波状の共振電圧が発生する。したがっ
て、トランスの１次巻線の両端には前記の共振電圧が加
算された交流電圧が発生する。これにより、第１及び第
２のスイッチング素子のスイッチング周波数を周波数制
御手段にて制御することによりトランスの１次巻線の両
端の電圧が変化するので、放電灯に印加される電圧を制
御して放電灯の明るさを変化させることができる。この
ため、出力可変の直流電源装置が不要となり、放電灯用
点灯装置の回路構成を簡略化できると共に効率の向上を
図ることができる。また、共振用リアクトル及び他の共
振用リアクトルのいずれか片方又は両方をトランスの１
次巻線と一体に形成した場合は、部品点数を削減できる
ので、放電灯用点灯装置の回路構成を更に簡略化するこ
とが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【実施例】以下、本発明による放電灯用点灯装置の実施
例を図１〜図３に基づいて説明する。但し、図１では図
４に示す箇所と同一の部分には同一の符号を付し、その
説明を省略する。本実施例の放電灯用点灯装置は、図１
に示すように、直流−交流変換回路２の第１及び第２の
スイッチング素子としての第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ４、５が直列に接続され、トランス６の１次巻線６a
と直列に共振用コンデンサ７及び共振用リアクトルとし
ての第１の共振用リアクトル１２が接続され、トランス
６の１次巻線６aと並列に他の共振用リアクトルとして
の第２の共振用リアクトル１３が接続されている。ま
た、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の各ゲート端
子に交互に付与する制御信号の周波数を変化させること
により、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５のスイッ
チング周波数を制御する周波数制御手段１４が直流−交
流変換回路２内に設けられている。周波数制御手段１４
は、共振用コンデンサ７の静電容量及び第２の共振用リ
アクトル１３のインダクタンスで決まる共振周波数より
高い周波数領域の矩形波パルス信号を発生する。周波数
制御手段１４内には、誤差増幅器１５及び電圧可変の基
準電源１６で構成される設定手段１７と、２つのトラン
ジスタ１８、１９から成りかつ直流電源１の一端に接続
された定電流回路２０及び定電流回路２０に接続された
発振用コンデンサ２１で構成される三角波発生手段２２
と、三角波発生手段２２の三角波出力電圧波形を矩形波
パルス波形に整形する波形整形手段２３と、波形整形手
段２３の矩形波パルス出力から第１及び第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に付与する制御信号ＶG1、
ＶG2を発生する制御信号発生手段２４とが設けられてい
る。制御信号発生手段２４は、フリップフロップ２５及
び２つのＡＮＤゲート２６、２７により構成されてい
る。設定手段１７は、トランス６の１次巻線６a及び第
２の共振用リアクトル１３に流れる電流Ｉ1に対応する
電圧と基準電源１６の設定電圧ＶZとを誤差増幅器１５
で比較する。これにより、基準電源１６の設定電圧ＶZ
が低いときは誤差増幅器１５の出力電圧が上昇するので
電流ＩKが増加し、基準電源１６の設定電圧ＶZが高いと
きは誤差増幅器１５の出力電圧が低下するので電流ＩK
が減少する。その他の構成は図４の回路と略同様である
ので説明は省略する。また、図１のＡ〜Ｄの各点におけ
る信号ＶA、ＶB、ＶG1、ＶG2の電圧波形をそれぞれ図２
(Ａ)〜(Ｄ)に示す。
例を図１〜図３に基づいて説明する。但し、図１では図
４に示す箇所と同一の部分には同一の符号を付し、その
説明を省略する。本実施例の放電灯用点灯装置は、図１
に示すように、直流−交流変換回路２の第１及び第２の
スイッチング素子としての第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ４、５が直列に接続され、トランス６の１次巻線６a
と直列に共振用コンデンサ７及び共振用リアクトルとし
ての第１の共振用リアクトル１２が接続され、トランス
６の１次巻線６aと並列に他の共振用リアクトルとして
の第２の共振用リアクトル１３が接続されている。ま
た、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５の各ゲート端
子に交互に付与する制御信号の周波数を変化させること
により、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ４、５のスイッ
チング周波数を制御する周波数制御手段１４が直流−交
流変換回路２内に設けられている。周波数制御手段１４
は、共振用コンデンサ７の静電容量及び第２の共振用リ
アクトル１３のインダクタンスで決まる共振周波数より
高い周波数領域の矩形波パルス信号を発生する。周波数
制御手段１４内には、誤差増幅器１５及び電圧可変の基
準電源１６で構成される設定手段１７と、２つのトラン
ジスタ１８、１９から成りかつ直流電源１の一端に接続
された定電流回路２０及び定電流回路２０に接続された
発振用コンデンサ２１で構成される三角波発生手段２２
と、三角波発生手段２２の三角波出力電圧波形を矩形波
パルス波形に整形する波形整形手段２３と、波形整形手
段２３の矩形波パルス出力から第１及び第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ４、５の各ゲート端子に付与する制御信号ＶG1、
ＶG2を発生する制御信号発生手段２４とが設けられてい
る。制御信号発生手段２４は、フリップフロップ２５及
び２つのＡＮＤゲート２６、２７により構成されてい
る。設定手段１７は、トランス６の１次巻線６a及び第
２の共振用リアクトル１３に流れる電流Ｉ1に対応する
電圧と基準電源１６の設定電圧ＶZとを誤差増幅器１５
で比較する。これにより、基準電源１６の設定電圧ＶZ
が低いときは誤差増幅器１５の出力電圧が上昇するので
電流ＩKが増加し、基準電源１６の設定電圧ＶZが高いと
きは誤差増幅器１５の出力電圧が低下するので電流ＩK
が減少する。その他の構成は図４の回路と略同様である
ので説明は省略する。また、図１のＡ〜Ｄの各点におけ
る信号ＶA、ＶB、ＶG1、ＶG2の電圧波形をそれぞれ図２
(Ａ)〜(Ｄ)に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １．．．直流電源、２．．．直流−交流変換回路、
３．．．放電灯、４．．．第１のＭＯＳ-ＦＥＴ（第１
のスイッチング素子）、５．．．第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
（第２のスイッチング素子）、６．．．トランス、６
a，６b．．．１次巻線、６c．．．２次巻線、７．．．
共振用コンデンサ、１２．．．第１の共振用リアクトル
（共振リアクトル）、１３．．．第２の共振用リアクト
ル（他の共振用リアクトル）、１４．．．周波数制御手
段
３．．．放電灯、４．．．第１のＭＯＳ-ＦＥＴ（第１
のスイッチング素子）、５．．．第２のＭＯＳ-ＦＥＴ
（第２のスイッチング素子）、６．．．トランス、６
a，６b．．．１次巻線、６c．．．２次巻線、７．．．
共振用コンデンサ、１２．．．第１の共振用リアクトル
（共振リアクトル）、１３．．．第２の共振用リアクト
ル（他の共振用リアクトル）、１４．．．周波数制御手
段
Claims (3)
- 【請求項１】 直流電源と、該直流電源の出力端子に接
続されかつ交流電圧を発生する直流−交流変換回路と、
該直流−交流変換回路の出力端子に接続された放電灯と
を備え、 前記直流−交流変換回路は、交互にオン・オフ動作する
第１及び第２のスイッチング素子と、該第１及び第２の
スイッチング素子の各々に対して直列に接続される１次
巻線及び前記放電灯に接続される２次巻線を有するトラ
ンスとを含む放電灯用点灯装置において、 直列に接続された前記第１及び第２のスイッチング素子
の接続点と前記トランスの１次巻線との間に接続された
共振用コンデンサ及び第１の共振用リアクトルの直列回
路と、前記トランスの１次巻線と並列に接続された第２
の共振用リアクトルと、前記第１及び第２のスイッチン
グ素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御手段
とを備え、 前記第１及び第２のスイッチング素子のスイッチング周
波数を制御することにより、前記放電灯に印加される電
圧を制御することを特徴とする放電灯用点灯装置。 - 【請求項２】 前記第１の共振用リアクトルは、前記ト
ランスの漏洩インダクタンスにより前記トランスの１次
巻線と一体に形成される「請求項１」に記載の放電灯用
点灯装置。 - 【請求項３】 前記第２の共振用リアクトルは、前記ト
ランスの励磁インダクタンスにより前記トランスの１次
巻線と一体に形成される「請求項１」又は「請求項２」
に記載の放電灯用点灯装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30066594A JPH08162280A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 放電灯用点灯装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30066594A JPH08162280A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 放電灯用点灯装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162280A true JPH08162280A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17887603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30066594A Pending JPH08162280A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 放電灯用点灯装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162280A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483382B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용직류-교류인버터 |
| JP2008258166A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Shenzhen Megmeet Electrical Technology Co Ltd | 蛍光灯駆動電源 |
| JP2008258165A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Shenzhen Megmeet Electrical Technology Co Ltd | 蛍光灯駆動電源 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP30066594A patent/JPH08162280A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483382B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용직류-교류인버터 |
| JP2008258166A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Shenzhen Megmeet Electrical Technology Co Ltd | 蛍光灯駆動電源 |
| JP2008258165A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Shenzhen Megmeet Electrical Technology Co Ltd | 蛍光灯駆動電源 |
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