JPH08160635A - ドライフィルムレジスト用現像液およびそのリンス液 - Google Patents
ドライフィルムレジスト用現像液およびそのリンス液Info
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- JPH08160635A JPH08160635A JP33210594A JP33210594A JPH08160635A JP H08160635 A JPH08160635 A JP H08160635A JP 33210594 A JP33210594 A JP 33210594A JP 33210594 A JP33210594 A JP 33210594A JP H08160635 A JPH08160635 A JP H08160635A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機塩素系溶剤を用いた現像液と同等の品質
を有し、人体等に対する害が小さく、特にインクジェッ
トプリンタヘッドのドライフィルムレジスト用として有
効な現像液を提供する。 【構成】 成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル
ピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物により現像液を
構成する。
を有し、人体等に対する害が小さく、特にインクジェッ
トプリンタヘッドのドライフィルムレジスト用として有
効な現像液を提供する。 【構成】 成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル
ピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物により現像液を
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライフィルムレジス
ト用の現像液および、この現像液をリンスするためのリ
ンス液に関する。
ト用の現像液および、この現像液をリンスするためのリ
ンス液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライフィルムレジスト用現像液
は、水系のものと、特定フロンに指定された有機塩素系
化合物（１，１，１−トリクロロエタン、ジクロロエタ
ン等）を含むものに分かれる。インクジェット用のドラ
イフィルムでは、パターン形成後にインク流路構造体と
して使用するので、ドライフィルム材料は通常のもの
（ＰＣＢ用等水系現像液）に比べて高分子化してあり、
かつ化合物組成としてアミド基、エポシキ基、エステル
基、水酸基等が多量に付与されたものとなっている。す
なわち、構造体材料用のドライフィルムレジストでは、
通常の材料（水系ドライフィルムレジスト）よりも高分
子化したオリゴマーを用いている。これはインク溶剤耐
性、密着力、高ヤング率を有するドライフィルムにする
ためである。
は、水系のものと、特定フロンに指定された有機塩素系
化合物（１，１，１−トリクロロエタン、ジクロロエタ
ン等）を含むものに分かれる。インクジェット用のドラ
イフィルムでは、パターン形成後にインク流路構造体と
して使用するので、ドライフィルム材料は通常のもの
（ＰＣＢ用等水系現像液）に比べて高分子化してあり、
かつ化合物組成としてアミド基、エポシキ基、エステル
基、水酸基等が多量に付与されたものとなっている。す
なわち、構造体材料用のドライフィルムレジストでは、
通常の材料（水系ドライフィルムレジスト）よりも高分
子化したオリゴマーを用いている。これはインク溶剤耐
性、密着力、高ヤング率を有するドライフィルムにする
ためである。
【０００３】ところが、上記のように高分子化したドラ
イフィルムでは、水系現像液（アルカリ溶剤・ＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ、Ｎａ2 ＣＯ3 系）を用いた場合、ホトリソ
工程による微細パターンの形成はできない。そのため、
従来のドライフィルム用現像液では一般的に、有機塩素
系の溶剤が用いられてきた。その具体例を挙げると、特
公昭６３−３２８０９号公報（特許番号：１４８３１０
６号）に記載されたドライフィルムや、米国デュポン社
のParad, Riston 等、インクジェット用構造体材料とし
て用いられているドライフィルムレジストは、これまで
有機塩素系の現像液により製造されてきた。
イフィルムでは、水系現像液（アルカリ溶剤・ＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ、Ｎａ2 ＣＯ3 系）を用いた場合、ホトリソ
工程による微細パターンの形成はできない。そのため、
従来のドライフィルム用現像液では一般的に、有機塩素
系の溶剤が用いられてきた。その具体例を挙げると、特
公昭６３−３２８０９号公報（特許番号：１４８３１０
６号）に記載されたドライフィルムや、米国デュポン社
のParad, Riston 等、インクジェット用構造体材料とし
て用いられているドライフィルムレジストは、これまで
有機塩素系の現像液により製造されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、１９６６年に
始まった特定フロン規制のために、前記有機塩素系溶剤
を使用することができなくなった。本発明は、このよう
な現状に鑑みなされたものである。すなわち本発明は、
従来の有機塩素系溶剤を用いた現像液と同等の品質を有
し、しかも人体や生体に障害を与える危険性が低く、特
にインクジェットプリンタヘッドのドライフィルムレジ
スト用として有効な現像液を提供することを目的とする
ものである。
始まった特定フロン規制のために、前記有機塩素系溶剤
を使用することができなくなった。本発明は、このよう
な現状に鑑みなされたものである。すなわち本発明は、
従来の有機塩素系溶剤を用いた現像液と同等の品質を有
し、しかも人体や生体に障害を与える危険性が低く、特
にインクジェットプリンタヘッドのドライフィルムレジ
スト用として有効な現像液を提供することを目的とする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のドライ
フィルムレジスト用現像液は、成分としてγ−ブチロラ
クトン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ケトン類、トルエンおよび水
からなる群より任意に選ばれた一種または二種以上の化
合物を含むことを特徴とする。
フィルムレジスト用現像液は、成分としてγ−ブチロラ
クトン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ケトン類、トルエンおよび水
からなる群より任意に選ばれた一種または二種以上の化
合物を含むことを特徴とする。
【０００６】請求項２に記載のドライフィルムレジスト
用現像液は、成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチ
ルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ケトン類およびトルエンからなる群より任意に
選ばれた一種または二種以上の化合物と、水とを含み、
かつ水の含有量が５〜４０ｖｏｌ％であることを特徴と
する。
用現像液は、成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチ
ルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ケトン類およびトルエンからなる群より任意に
選ばれた一種または二種以上の化合物と、水とを含み、
かつ水の含有量が５〜４０ｖｏｌ％であることを特徴と
する。
【０００７】請求項３に記載のドライフィルムレジスト
用現像液は、成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチ
ルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる群より任
意に選ばれた一種または二種以上の化合物と、プロピレ
ングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレ
ングリコール、ジエチレングリコールおよびジエチレン
グリコールエーテル類からなる群より任意に選ばれた一
種または二種以上の化合物とを含むことを特徴とする。
用現像液は、成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチ
ルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる群より任
意に選ばれた一種または二種以上の化合物と、プロピレ
ングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレ
ングリコール、ジエチレングリコールおよびジエチレン
グリコールエーテル類からなる群より任意に選ばれた一
種または二種以上の化合物とを含むことを特徴とする。
【０００８】請求項４に記載のドライフィルムレジスト
用現像液は、請求項３において、γ−ブチロラクトン、
Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる
群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物１０
０容量部に対して、プロピレングリコール、ジプロピレ
ングリコール、トリプロピレングリコール、ジエチレン
グリコールおよびジエチレングリコールエーテル類から
なる群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物
を３０〜８０容量部の割合で含むことを特徴とする。
用現像液は、請求項３において、γ−ブチロラクトン、
Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる
群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物１０
０容量部に対して、プロピレングリコール、ジプロピレ
ングリコール、トリプロピレングリコール、ジエチレン
グリコールおよびジエチレングリコールエーテル類から
なる群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物
を３０〜８０容量部の割合で含むことを特徴とする。
【０００９】請求項５に記載のドライフィルムレジスト
用現像液のリンス液は、成分としてγ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、ケトン類およびトルエンからなる
群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物１〜
５ｖｏｌ％と、１価のアルコール類、２価のアルコール
類および、これらのエステル化合物からなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物９９〜９５ｖｏ
ｌ％とからなる（合計１００％）ことを特徴とする。
用現像液のリンス液は、成分としてγ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、ケトン類およびトルエンからなる
群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物１〜
５ｖｏｌ％と、１価のアルコール類、２価のアルコール
類および、これらのエステル化合物からなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物９９〜９５ｖｏ
ｌ％とからなる（合計１００％）ことを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１に記載のドライフィルムレジスト用現
像液では、有機溶剤化合物として、高重合体オリゴマー
レジスト材料の未硬化部分（紫外線硬化部を除く）を膨
潤・溶解・溶出させるものを採用した。未硬化部分の溶
出が早まるので、パターン精度が向上するとともに、パ
ターンエッジ（端部）のダレが防止される。水は現像レ
イト（μｍ／ｍｉｎ）を調整し、また硬化部の膨潤を抑
えるためのものである。
像液では、有機溶剤化合物として、高重合体オリゴマー
レジスト材料の未硬化部分（紫外線硬化部を除く）を膨
潤・溶解・溶出させるものを採用した。未硬化部分の溶
出が早まるので、パターン精度が向上するとともに、パ
ターンエッジ（端部）のダレが防止される。水は現像レ
イト（μｍ／ｍｉｎ）を調整し、また硬化部の膨潤を抑
えるためのものである。
【００１１】有機溶剤系現像液では、硬化部ドライフィ
ルムレジストのパターン化時（現像時）に、これを膨潤
させて変形や部分剥離を発生させ、しかも現像レイトが
速いためオーバー現像やアンダーカット、さらにはパタ
ーン端部のダレが発生しやすくなる。これらを防止する
ため、請求項２に記載のドライフィルムレジスト用現像
液では、水の含有量を５〜４０ｖｏｌ％とすることで、
現像レイトが適正値に調整され、パターン欠陥が防止さ
れるうえ、有機溶剤の着火や発火も防止される。
ルムレジストのパターン化時（現像時）に、これを膨潤
させて変形や部分剥離を発生させ、しかも現像レイトが
速いためオーバー現像やアンダーカット、さらにはパタ
ーン端部のダレが発生しやすくなる。これらを防止する
ため、請求項２に記載のドライフィルムレジスト用現像
液では、水の含有量を５〜４０ｖｏｌ％とすることで、
現像レイトが適正値に調整され、パターン欠陥が防止さ
れるうえ、有機溶剤の着火や発火も防止される。
【００１２】請求項１に記載の有機化合物群（γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ケトン類およびトルエ
ン）は、ドライフィルムレジストの溶解作用をもつが、
プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリ
プロピレングリコール、ジエチレングリコールおよびジ
エチレングリコールエーテル類は、ドライフィルムレジ
ストの膨潤作用をもつが、溶解作用はない。このため、
請求項３に記載されているように、これら溶解作用のな
い化合物を、溶解作用のある前記有機化合物群と適宜の
割合で混合することにより、現像レイトの調整や、現像
液の粘度調整が可能となる。従って、請求項３の現像液
では、スプレー現像時または超音波現像時の表面液置換
の効率化、超音波現像時のキャビテーションの気泡発生
と付着の防止が可能となり、振動伝達の効率化を達成す
ることができる。
ロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ケトン類およびトルエ
ン）は、ドライフィルムレジストの溶解作用をもつが、
プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリ
プロピレングリコール、ジエチレングリコールおよびジ
エチレングリコールエーテル類は、ドライフィルムレジ
ストの膨潤作用をもつが、溶解作用はない。このため、
請求項３に記載されているように、これら溶解作用のな
い化合物を、溶解作用のある前記有機化合物群と適宜の
割合で混合することにより、現像レイトの調整や、現像
液の粘度調整が可能となる。従って、請求項３の現像液
では、スプレー現像時または超音波現像時の表面液置換
の効率化、超音波現像時のキャビテーションの気泡発生
と付着の防止が可能となり、振動伝達の効率化を達成す
ることができる。
【００１３】請求項４に記載のドライフィルムレジスト
用現像液では、高重合体オリゴマーレジスト材料の未硬
化部分を溶解しない非溶解性有機溶剤（プロピレングリ
コール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリ
コール、ジエチレングリコールおよびジエチレングリコ
ールエーテル類）を、溶解性の有機溶剤１００容量部に
対して３０〜８０容量部の割合で含むので、現像レイト
を１０〜１２０μｍ／ｍｉｎの範囲内で所望の値に調整
することができる。また、スプレー現像時のドライフィ
ルムレジスト表面のバンディング（反跳）を小さくし、
スプレー圧を高めても高精度のパターン形成が可能にな
る。さらに超音波現像では、周波数２８〜４５ｋＨｚの
通常のＵＳ（超音波装置）を使用した場合、現像液の粘
度を２０〜８０ｃｐｓに調整することで、適正なキャビ
テーションおよび振動を発生させることができ、その結
果、現像パターンの精度を数μｍのオーダーに制御する
ことが可能になる。また、周波数８００ｋＨｚ〜１ＭＨ
ｚのメガソニックと称されるＵＳ現像では、現像液の粘
度を５〜３０ｃｐｓとすることにより、μｍオーダーの
（通常のものより更に細かい）微細パターン形成が可能
である。また、特に超音波現像で、気泡発生と付着を防
止するものである。超音波現像は、微細パターンに合わ
せて、２０〜３０μｍパターンは０．８〜１ＭＨｚ、５
０〜１００μｍ以上は２８〜４８ＫＨｚで可能である
が、アスペクト比が大きくなるとシャワーやスプレー現
像では不良発生する場合がある。
用現像液では、高重合体オリゴマーレジスト材料の未硬
化部分を溶解しない非溶解性有機溶剤（プロピレングリ
コール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリ
コール、ジエチレングリコールおよびジエチレングリコ
ールエーテル類）を、溶解性の有機溶剤１００容量部に
対して３０〜８０容量部の割合で含むので、現像レイト
を１０〜１２０μｍ／ｍｉｎの範囲内で所望の値に調整
することができる。また、スプレー現像時のドライフィ
ルムレジスト表面のバンディング（反跳）を小さくし、
スプレー圧を高めても高精度のパターン形成が可能にな
る。さらに超音波現像では、周波数２８〜４５ｋＨｚの
通常のＵＳ（超音波装置）を使用した場合、現像液の粘
度を２０〜８０ｃｐｓに調整することで、適正なキャビ
テーションおよび振動を発生させることができ、その結
果、現像パターンの精度を数μｍのオーダーに制御する
ことが可能になる。また、周波数８００ｋＨｚ〜１ＭＨ
ｚのメガソニックと称されるＵＳ現像では、現像液の粘
度を５〜３０ｃｐｓとすることにより、μｍオーダーの
（通常のものより更に細かい）微細パターン形成が可能
である。また、特に超音波現像で、気泡発生と付着を防
止するものである。超音波現像は、微細パターンに合わ
せて、２０〜３０μｍパターンは０．８〜１ＭＨｚ、５
０〜１００μｍ以上は２８〜４８ＫＨｚで可能である
が、アスペクト比が大きくなるとシャワーやスプレー現
像では不良発生する場合がある。
【００１４】ドライフィルムレジストの現像では、一部
膨潤を伴っているので、現像停止液（リンス液）を添加
して洗浄するが、パターン形成している材料は完全硬化
はしていないので、リンス液と現像液の置換時に前記材
料の一部が膨潤・溶解するため白濁が発生する。この白
濁は、パターン化した製品に残留して、その品質を劣化
させる。これに対して、請求項５に記載のドライフィル
ムレジスト用現像液のリンス液では、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、ケトン類およびトルエンからなる
群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物を１
〜５ｖｏｌ％添加したため、このリンス液を用いる仕上
げ工程リンスにより、前記白濁物が完全に溶解して完全
洗浄が行われるので、パターン表面に残渣や残膜のない
高精度の製品を得ることができる。
膨潤を伴っているので、現像停止液（リンス液）を添加
して洗浄するが、パターン形成している材料は完全硬化
はしていないので、リンス液と現像液の置換時に前記材
料の一部が膨潤・溶解するため白濁が発生する。この白
濁は、パターン化した製品に残留して、その品質を劣化
させる。これに対して、請求項５に記載のドライフィル
ムレジスト用現像液のリンス液では、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、ケトン類およびトルエンからなる
群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物を１
〜５ｖｏｌ％添加したため、このリンス液を用いる仕上
げ工程リンスにより、前記白濁物が完全に溶解して完全
洗浄が行われるので、パターン表面に残渣や残膜のない
高精度の製品を得ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、添付図面に基づいて本発明の実施例に
ついて説明する。 実施例１ ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）は一般に、アルキル
メタアクリレート、アクリルニトリル、スチレン等の主
体材料に水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ
基等の官能基をもつモノマーと、これらにエチレン性不
飽和結合を含む材料をブレンドし、更にラジカル重合開
始剤を添加したものである。このＤＦＲをＳｉウエー
ハ、ガラス基板または金属基板にラミネートすること
で、コートする２０〜８０μｍまでの厚さのものがあ
る。
ついて説明する。 実施例１ ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）は一般に、アルキル
メタアクリレート、アクリルニトリル、スチレン等の主
体材料に水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ
基等の官能基をもつモノマーと、これらにエチレン性不
飽和結合を含む材料をブレンドし、更にラジカル重合開
始剤を添加したものである。このＤＦＲをＳｉウエー
ハ、ガラス基板または金属基板にラミネートすること
で、コートする２０〜８０μｍまでの厚さのものがあ
る。
【００１６】図１（ａ）ないし図１（ｅ）は、ラミネー
ト工程ないしリンス工程の説明図である。まず金属基板
１〔（ａ）〕上にＤＦＲ２を厚さ２５μｍにラミネート
し〔（ｂ）〕、アライナーを用いて４００〜４５０ｍＪ
のＵＶ露光をすることで、必要とする領域パターン３を
ラジカル重合した〔（ｃ）〕。次に、基板１上方のスプ
レーノズル４から現像液５をスプレーすることより現像
を行った〔（ｄ）〕。この場合、ＵＶ露光を受けない部
分は、重合が進まず低分子の材料のままであるため、現
像液５により溶出した。ただし、溶解した成分による残
膜６が、基板１および現像後のパターン７上に残った
〔（ｄ）〕。
ト工程ないしリンス工程の説明図である。まず金属基板
１〔（ａ）〕上にＤＦＲ２を厚さ２５μｍにラミネート
し〔（ｂ）〕、アライナーを用いて４００〜４５０ｍＪ
のＵＶ露光をすることで、必要とする領域パターン３を
ラジカル重合した〔（ｃ）〕。次に、基板１上方のスプ
レーノズル４から現像液５をスプレーすることより現像
を行った〔（ｄ）〕。この場合、ＵＶ露光を受けない部
分は、重合が進まず低分子の材料のままであるため、現
像液５により溶出した。ただし、溶解した成分による残
膜６が、基板１および現像後のパターン７上に残った
〔（ｄ）〕。
【００１７】現像液５としては、γ−ブチロラクトン６
０％（以下、％はｖｏｌ％である）、Ｎ−メチルピロリ
ドン１０％、水３０％の混合液を用いた。また、この現
像液では、温度を室温（２２〜２４℃）と等しくし、圧
力を０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 （ゲージ圧）、噴射量を２０
０ｍｌ／ｍｉｎ、スプレー時間を３０〜４０秒、スプレ
ー拡がりを約φ１５ｃｍとした。このような現像方法に
より、アスペクト比を０．８とすることが可能となっ
た。
０％（以下、％はｖｏｌ％である）、Ｎ−メチルピロリ
ドン１０％、水３０％の混合液を用いた。また、この現
像液では、温度を室温（２２〜２４℃）と等しくし、圧
力を０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 （ゲージ圧）、噴射量を２０
０ｍｌ／ｍｉｎ、スプレー時間を３０〜４０秒、スプレ
ー拡がりを約φ１５ｃｍとした。このような現像方法に
より、アスペクト比を０．８とすることが可能となっ
た。
【００１８】現像後は、基板１上方のスプレーノズル８
からリンス液９を噴霧することによりリンスを行った
〔（ｅ）〕。リンス液９としてはイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）９８％とγ−ブチロラクトン２％からなる
混合液を用いた。このリンス液は、ＵＶ露光を行ったパ
ターン７領域の溶解力は小さいが、基板１上の現像液に
より膨潤した残渣や、この現像液に溶解しているＤＦＲ
材料を溶解・除去できるので、リンス後には洗浄残渣が
発生することはなかった。
からリンス液９を噴霧することによりリンスを行った
〔（ｅ）〕。リンス液９としてはイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）９８％とγ−ブチロラクトン２％からなる
混合液を用いた。このリンス液は、ＵＶ露光を行ったパ
ターン７領域の溶解力は小さいが、基板１上の現像液に
より膨潤した残渣や、この現像液に溶解しているＤＦＲ
材料を溶解・除去できるので、リンス後には洗浄残渣が
発生することはなかった。
【００１９】なお、リンス液として純水やＩＰＡ単独を
用いた場合には、現像により溶解したＤＦＲ材料が加水
分解や凝集を起こして不溶解性材料となるため、パター
ン７内に残渣が発生し、パターン不良の原因となる。す
なわち、本発明のリンス液においては、γ−ブチロラク
トン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ケトン類およびトルエンからな
る群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物の
含有量がリンス液全体の１％未満の場合には残渣が発生
し、５％を超えるとパターン部分の膨潤と、その一部の
溶解、膜厚減り等が発生する（請求項５を参照）。な
お、水を含有することで、極性の強いこれら有機溶剤の
粘度を１０〜２ｃｐｓ程度に小さくでき、スプレー時の
静電気の帯電防止、さらに着火防止が可能となる。
用いた場合には、現像により溶解したＤＦＲ材料が加水
分解や凝集を起こして不溶解性材料となるため、パター
ン７内に残渣が発生し、パターン不良の原因となる。す
なわち、本発明のリンス液においては、γ−ブチロラク
トン、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ケトン類およびトルエンからな
る群より任意に選ばれた一種または二種以上の化合物の
含有量がリンス液全体の１％未満の場合には残渣が発生
し、５％を超えるとパターン部分の膨潤と、その一部の
溶解、膜厚減り等が発生する（請求項５を参照）。な
お、水を含有することで、極性の強いこれら有機溶剤の
粘度を１０〜２ｃｐｓ程度に小さくでき、スプレー時の
静電気の帯電防止、さらに着火防止が可能となる。
【００２０】実施例２ 図２（ａ）ないし図２（ｅ）は、ラミネート工程ないし
リンス工程の説明図である。ラミネート工程からＵＶ露
光工程まで〔（ａ）〜（ｃ）〕は、実施例１と同一装
置、同一条件で処理した。ＵＶ露光後の基板１を、図２
〔（ｄ）〕に示すように、超音波現像装置２１の現像液
５に浸漬し、基板１を昇降させながら、超音波発振子２
２から周波数２８〜４８ｋＨｚ（または０．８〜１ＭＨ
ｚ）の振動を付与した。なお、２３は基板１を支持する
ためのホルダーである。次いで、基板１を超音波現像装
置２１から引き上げ、図２〔（ｅ）〕に示すように鉛直
方向に支持し、この状態で左右のシャワーノズル２４か
ら実施例１と同一のリンス液９を散布することにより、
基板１の両面をリンスした。以上の処理を施すことで、
実施例１と同様に優れた現像およびリンス効果が得られ
た。
リンス工程の説明図である。ラミネート工程からＵＶ露
光工程まで〔（ａ）〜（ｃ）〕は、実施例１と同一装
置、同一条件で処理した。ＵＶ露光後の基板１を、図２
〔（ｄ）〕に示すように、超音波現像装置２１の現像液
５に浸漬し、基板１を昇降させながら、超音波発振子２
２から周波数２８〜４８ｋＨｚ（または０．８〜１ＭＨ
ｚ）の振動を付与した。なお、２３は基板１を支持する
ためのホルダーである。次いで、基板１を超音波現像装
置２１から引き上げ、図２〔（ｅ）〕に示すように鉛直
方向に支持し、この状態で左右のシャワーノズル２４か
ら実施例１と同一のリンス液９を散布することにより、
基板１の両面をリンスした。以上の処理を施すことで、
実施例１と同様に優れた現像およびリンス効果が得られ
た。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
に記載のドライフィルムレジスト用現像液によれば、従
来の有機塩素系溶剤を用いた現像液と同等の品質を有
し、しかも人体や生体に障害を与える危険性が低く、特
にインクジェットプリンタヘッドのドライフィルムレジ
スト用として有効な現像液を提供することができる。換
言すれば、構造体形成用ドライフィルムレジストの「脱
特定フロン対策」を実行することが可能となり、溶剤の
組合せにより現像液の溶解性・溶出性を最大に高めるこ
とで、高速現像とパターン精度の向上を達成することが
できる。請求項２に記載の現像液では、所定割合の水を
添加したことにより、請求項１による効果に加えて、極
性の強い有機溶剤の粘度が２〜１０ｃＰ程度に低くな
り、スプレー現像時の静電気発生およびこれに起因する
有機溶剤の着火・発火の防止が可能になるうえ、現像レ
イト（現像速度）が速すぎることに原因するオーバー現
像やアンダーカット、パターンダレ等を防止することが
できる。請求項３，４に記載の現像液によればＤＦＲの
溶解力がない、分子量の高い有機溶媒を含むことで現像
レイト・時間の調整と、粘度の調整が可能となるので、
スプレー現像時または超音波現像時の液置換の効率化、
バンディング防止、超音波現像時の振動伝達の向上、キ
ャビテーションの効率化が達成される。このため容易に
高精度のパターンを形成することができる。なお、シャ
ワー現像やスプレー現像では一般に、アスペクト比の高
い現像パターンを形成することは難しいが、超音波現像
では周波数０．８〜１ＭＨｚの超音波を使用すること
で、２０〜３０μｍの微細パターンの形成が可能であ
り、また周波数２８〜４８ｋＨｚの超音波を用いること
で、５０〜１００μｍのパターン形成が可能である。請
求項５に記載のリンス液によれば、リンス液にＤＦＲ溶
解性をわずかに付与することで、急激な不溶化による液
の白濁化と、パターン上への付着を防止することができ
る。すなわち、残留する一部の現像成分が不溶化するの
を防止することができ、パターン表面に残膜や残渣のな
いリンスが可能となる。なお、本発明の現像液およびリ
ンス液は、ドライフィルムレジストを用いるＰＣＢ，Ｆ
ＰＣの配線パターンを有する電装部品の製造に有効に利
用できるものである。
に記載のドライフィルムレジスト用現像液によれば、従
来の有機塩素系溶剤を用いた現像液と同等の品質を有
し、しかも人体や生体に障害を与える危険性が低く、特
にインクジェットプリンタヘッドのドライフィルムレジ
スト用として有効な現像液を提供することができる。換
言すれば、構造体形成用ドライフィルムレジストの「脱
特定フロン対策」を実行することが可能となり、溶剤の
組合せにより現像液の溶解性・溶出性を最大に高めるこ
とで、高速現像とパターン精度の向上を達成することが
できる。請求項２に記載の現像液では、所定割合の水を
添加したことにより、請求項１による効果に加えて、極
性の強い有機溶剤の粘度が２〜１０ｃＰ程度に低くな
り、スプレー現像時の静電気発生およびこれに起因する
有機溶剤の着火・発火の防止が可能になるうえ、現像レ
イト（現像速度）が速すぎることに原因するオーバー現
像やアンダーカット、パターンダレ等を防止することが
できる。請求項３，４に記載の現像液によればＤＦＲの
溶解力がない、分子量の高い有機溶媒を含むことで現像
レイト・時間の調整と、粘度の調整が可能となるので、
スプレー現像時または超音波現像時の液置換の効率化、
バンディング防止、超音波現像時の振動伝達の向上、キ
ャビテーションの効率化が達成される。このため容易に
高精度のパターンを形成することができる。なお、シャ
ワー現像やスプレー現像では一般に、アスペクト比の高
い現像パターンを形成することは難しいが、超音波現像
では周波数０．８〜１ＭＨｚの超音波を使用すること
で、２０〜３０μｍの微細パターンの形成が可能であ
り、また周波数２８〜４８ｋＨｚの超音波を用いること
で、５０〜１００μｍのパターン形成が可能である。請
求項５に記載のリンス液によれば、リンス液にＤＦＲ溶
解性をわずかに付与することで、急激な不溶化による液
の白濁化と、パターン上への付着を防止することができ
る。すなわち、残留する一部の現像成分が不溶化するの
を防止することができ、パターン表面に残膜や残渣のな
いリンスが可能となる。なお、本発明の現像液およびリ
ンス液は、ドライフィルムレジストを用いるＰＣＢ，Ｆ
ＰＣの配線パターンを有する電装部品の製造に有効に利
用できるものである。
【図１】本発明の実施例１の工程説明図であって、
（ａ）は金属基板、（ｂ）はラミネート工程、（ｃ）は
ＵＶ露光工程、（ｄ）はスプレー現像工程、（ｅ）はス
プレーリンス工程を、それぞれ示す。
（ａ）は金属基板、（ｂ）はラミネート工程、（ｃ）は
ＵＶ露光工程、（ｄ）はスプレー現像工程、（ｅ）はス
プレーリンス工程を、それぞれ示す。
【図２】本発明の実施例２の工程説明図であって、
（ａ）は金属基板、（ｂ）はラミネート工程、（ｃ）は
ＵＶ露光工程、（ｄ）は超音波現像工程、（ｅ）はシャ
ワーリンス工程を、それぞれ示す。
（ａ）は金属基板、（ｂ）はラミネート工程、（ｃ）は
ＵＶ露光工程、（ｄ）は超音波現像工程、（ｅ）はシャ
ワーリンス工程を、それぞれ示す。
１ 金属基板 ２ ＤＦＲ ３ 領域パターン ４ スプレーノズル ５ 現像液 ６ 残膜 ７ パターン（現像後） ８ スプレーノズル ９ リンス液 ２１ 超音波現像装置 ２２ 超音波発振子 ２３ ホルダー ２４ シャワーノズル
Claims (5)
- 【請求項１】 成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メ
チルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる群より
任意に選ばれた一種または二種以上の化合物を含むこと
を特徴とするドライフィルムレジスト用現像液。 - 【請求項２】 成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メ
チルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ケトン類およびトルエンからなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物と、水とを含
み、かつ水の含有量が５〜４０ｖｏｌ％であることを特
徴とするドライフィルムレジスト用現像液。 - 【請求項３】 成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メ
チルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ケトン類、トルエンおよび水からなる群より
任意に選ばれた一種または二種以上の化合物と、プロピ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピ
レングリコール、ジエチレングリコールおよびジエチレ
ングリコールエーテル類からなる群より任意に選ばれた
一種または二種以上の化合物とを含むことを特徴とする
ドライフィルムレジスト用現像液。 - 【請求項４】 γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリ
ドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ケトン類、トルエンおよび水からなる群より任意に選ば
れた一種または二種以上の化合物１００容量部に対し
て、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、
トリプロピレングリコール、ジエチレングリコールおよ
びジエチレングリコールエーテル類からなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物を３０〜８０容
量部の割合で含むことを特徴とする請求項３に記載のド
ライフィルムレジスト用現像液。 - 【請求項５】 成分としてγ−ブチロラクトン、Ｎ−メ
チルピロリドン、酢酸エステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ケトン類およびトルエンからなる群より任意
に選ばれた一種または二種以上の化合物１〜５ｖｏｌ％
と、１価のアルコール類、２価のアルコール類および、
これらのエステル化合物からなる群より任意に選ばれた
一種または二種以上の化合物９９〜９５ｖｏｌ％とから
なる（合計１００％）ことを特徴とするドライフィルム
レジスト用現像液のリンス液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33210594A JPH08160635A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | ドライフィルムレジスト用現像液およびそのリンス液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33210594A JPH08160635A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | ドライフィルムレジスト用現像液およびそのリンス液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160635A true JPH08160635A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=18251213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33210594A Pending JPH08160635A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | ドライフィルムレジスト用現像液およびそのリンス液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08160635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908786A2 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-14 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| WO2000057249A1 (fr) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Revelateur de reserve et procede de formation d'un motif de reserve utilisant celui-ci |
| KR100823501B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2008-04-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출부 현상용 조성물, 및 이를 이용하는 전자 방출디바이스의 제조 방법 |
| JP2012032446A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液 |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP33210594A patent/JPH08160635A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908786A2 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-14 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| EP0908786A3 (en) * | 1997-10-03 | 2000-06-28 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| WO2000057249A1 (fr) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Revelateur de reserve et procede de formation d'un motif de reserve utilisant celui-ci |
| KR100823501B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2008-04-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출부 현상용 조성물, 및 이를 이용하는 전자 방출디바이스의 제조 방법 |
| JP2012032446A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液 |
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