JPH08153743A - 半導体装置の製法およびそれに用いる成形型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】樹脂封止後のパッケージの反りの発生を低減す
ることのできる成形型を用いた半導体装置の製法を提供
する。 【要約】 半導体素子８が搭載されたリード基板４を、成形型内に
設置し、この成形型内に封止用樹脂組成物を注入して樹
脂封止することにより半導体装置を製造するトランスフ
ァー成形において、上記成形型として、封止樹脂層形成
領域１の上面の２箇所の角部にそれぞれ注入口２ａ，３
ａが形成された成形型を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板または
ヒートシンク（放熱板）等のリード基板に半導体素子が
搭載され、その搭載面である片面が封止された、あるい
はリード基板の上下の封止樹脂の厚みが異なる半導体素
子搭載済リード基板を封止する半導体装置の製法におい
て、樹脂封止後の半導体装置の反りが小さく、さらに、
熱サイクルテスト（ＴＣＴテスト）特性，耐リフローク
ラック性，耐湿信頼性，耐高温放置特性等の諸特性に優
れた半導体装置の製法およびそれに用いる成形型に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止
され半導体装置化されていた。が、最近では、コスト，
量産性の観点から、４方向フラットパッケージ（ＱＦ
Ｐ），スモールアウトラインＪリーデッドパッケージ
（ＳＯＪ），薄形スモールアウトラインパッケージ（Ｔ
ＳＯＰ）等に代表されるプラスチックパッケージを用い
た樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止に
は、従来からエポキシ樹脂組成物が使用されており良好
な成績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術
革新によって集積度の向上とともに素子サイズの大形
化，配線の微細化が進み、パッケージも小形化，薄形化
する傾向にあり、これに伴って封止材料に対してより以
上の信頼性（得られる半導体装置の熱応力化の低減，耐
湿信頼性，熱衝撃試験に対する信頼性，大形薄形化する
パッケージの反りの問題等）の向上が要求されている。
特に、近年、半導体素子サイズは、益々大形化する傾向
にあり、半導体封止樹脂の性能評価用の加速試験である
ＴＣＴテストに対するより以上の性能向上が要求されて
いる。また、半導体装置の実装方法としては表面実装が
主流となってきており、このために半導体パッケージを
吸湿させたうえで半田溶融液に浸漬してもパッケージに
クラックや膨れが発生しないという特性（耐リフローク
ラック性）が要求されるとともに、この表面実装を想定
した半導体パッケージ吸湿後の半田溶融液浸漬後の信頼
性が要求されている。また、近年、半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンク等のリード基板に、直接、固定
し樹脂封止したパッケージも量産されてきており、この
ようなパッケージに関しては、上記の要求特性以外に
も、封止樹脂と、半導体素子を固定したリード基板の収
縮率の不一致等から発生するパッケージの反りの低減も
大きく要求されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような要求特性に
対して、例えば、封止材料のシリコーン変性等による低
弾性化や、フィラーの高配合充填による封止樹脂の線収
縮率の低減、あるいは吸湿率の低減により、耐ＴＣＴテ
スト特性や耐リフロークラック性に関してはその特性を
向上させる技術が提案されている。しかしながら、上記
パッケージの反りの低減に関して、すなわち、反りが問
題となるパッケージに関しては、耐ＴＣＴテスト特性や
耐リフロークラック性あるいは耐湿信頼性等と、パッケ
ージの反りの問題とを併せて解決できる技術は未だ確立
されていない。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、樹脂封止後のパッケージの反りの発生を抑制す
ることのできる半導体装置の製法およびそれに用いる成
形型の提供をその目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体素子が搭載されたリード基板を、
成形型内に設置し、この成形型内に封止用樹脂組成物を
注入して樹脂封止することにより半導体装置を製造する
方法であって、上記成形型として、封止用樹脂組成物を
注入するための注入口が、下記の（Ｘ）もしくは（Ｙ）
の態様で少なくとも２箇所形成された成形型を用いる半
導体装置の製法を第１の要旨とする。 （Ｘ）注入口を成形型の異なる角部にそれぞれ形成す
る。 （Ｙ）注入口を成形型の角部を挟んだ辺部に形成する。

【０００６】そして、半導体素子が搭載されたリード基
板を封止用樹脂組成物で樹脂封止する際に用いられるト
ランスファー成形用の成形型であって、上記成形型の、
封止用樹脂組成物を注入するための注入口が、上記の
（Ｘ）もしくは（Ｙ）の態様で少なくとも２箇所形成さ
れている成形型を第２の要旨とする。

【０００７】

【作用】本発明者らは、半導体素子が搭載されたリード
基板をトランスファー成形によって樹脂封止した後に発
生するパッケージの反りを低減するために様々な角度か
ら研究を重ねた。そして、半導体装置の製造方法として
用いられるトランスファー成形に着目し、その成形法お
よびこれに用いられる成形型を中心にさらに研究を重ね
た。その研究の過程で、従来の成形型は、パッケージと
なる部分に封止用樹脂組成物を注入する注入口は１箇所
であり、その注入口から延びる延長線と直交する対角線
に沿って、反りの最大値が発生することを突き止めた。
この知見に基づき、上記反りの発生を抑制するために、
さらに研究を重ねた。その結果、少なくとも注入口を別
にもう１箇所設ける、すなわち、注入口を成形型の異な
る角部にそれぞれ形成する（Ｘ）か、もしくは、注入口
を成形型の角部を挟んだ辺部に形成する（Ｙ）と、従来
１箇所からの注入により発生した反りが、他の注入口か
らの注入により発生する反りに相殺され、反りの最大値
が分散されることを見出し本発明に到達した。

【０００８】つぎに、本発明を詳しく説明する。

【０００９】本発明の対象となる半導体装置としては、
特に限定するものではないが、例えば、リード基板に半
導体素子が搭載され、その半導体素子搭載面が樹脂封止
された片面樹脂封止の半導体装置があげられる。さら
に、半導体素子が搭載されたリード基板全体を樹脂封止
した半導体装置において、半導体素子が搭載されたリー
ド基板側の封止樹脂の厚みを１とした場合、素子が搭載
されていないリード基板側の封止樹脂の厚みが０．８以
下である半導体装置に有用である。このように、素子が
搭載されていないリード基板側の封止樹脂の厚みが０．
８以下であるような半導体装置は、反りが大きくなる傾
向にあり、本発明の成形型を用いる製法では、この問題
点である反りの発生が低減され有効である。上記片面樹
脂封止の半導体装置としては、具体的には、図１１に示
すようなボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と通称される
パッケージ形態の半導体装置があげられる。このパッケ
ージは、回路２１が形成されたビスマレイミド（ＢＴ）
基板２２上に、接着剤層２３を介して半導体素子２４が
搭載され、上記半導体素子２４が、封止樹脂層２５によ
って封止されている。３０は半導体素子２４と回路２１
とを電気的に接続する金線である。この封止樹脂層２５
による封止は、ＢＴ基板２２の半導体素子２４搭載面の
みの封止（片面封止）である。そして、上記ＢＴ基板２
２の封止面と反対側の面に、略球状の半田端子２６が設
けられている。さらに、上記ＢＧＡの他に、図１２に示
すように、リードフレーム２７上に接着剤層２３を介し
て半導体素子２４が搭載され、この半導体素子２４搭載
部の略真下部分にヒートシンク２８が上記リードフレー
ム２７と接触するよう配置され、これらが、リードフレ
ーム２７のリード部先端を除き、ヒートシンク２８の片
面が露出するよう封止樹脂層２５ａで封止された半導体
装置があげられる。また、これら片面封止タイプ以外
に、つぎのような半導体装置もあげられる。この半導体
装置は、図１３に示すように、リードフレーム２７上に
接着剤層２３を介して半導体素子２４が搭載され、この
半導体素子２４搭載部の略真下部分にヒートシンク２８
が上記リードフレーム２７と接触するよう配置されてい
る。そして、これらが、リードフレーム２７のリード部
先端を除き、ヒートシンク２８を内蔵した形で封止樹脂
層２５ｂで封止されている。上記図において、３０は半
導体素子２４とリードフレーム２７とを電気的に接続す
る金線である。

【００１０】上記リード基板としては、特に限定するも
のではなく従来公知のものがあげられる。例えば、表面
に金属配線が形成されたビスマレイミドトリアジン（Ｂ
Ｔ）基板等に代表される有機基板があげられる。また、
絶縁層を介して、下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）から
なる金属箔層が形成されたリード基板があげられる。さ
らに、下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）からなる回路配
線が形成されたリード基板があげられる。

【００１１】（Ａ）銅または銅を主体とした銅合金。 （Ｂ）アルミニウムまたはアルミニウムを主体としたア
ルミニウム合金。

【００１２】上記（Ａ）のなかの銅合金としては、例え
ば、主成分の銅の他に、Ｓｎ，Ｎｉ，Ｐ，Ｚｎ，Ｃｒ，
Ｓｉ，Ｆｅ，Ｚｒ等を必要に応じて添加した合金等があ
げられる。

【００１３】上記（Ｂ）のなかのアルミニウム合金とし
ては、例えば、主成分のアルミニウムの他に、Ｓｉ，Ｃ
ｕ，Ｍｇ等を必要に応じて添加した合金等があげられ
る。

【００１４】そして、上記リード基板において、その封
止温度である２５０℃から室温（２５℃）までの収縮量
（封止温度から室温まで冷却することによって生じる冷
却収縮量）が０．１５〜０．３５％であるリード基板を
用いることが好ましい。すなわち、上記収縮量が０．１
５％未満では、封止樹脂自体の収縮が相対的に大きくな
り、パッケージの反りが大きくなる。０．３５％を超え
ると、素子との収縮量の差が大きくなり、素子特性に悪
影響を与える傾向がみられるからである。なお、上記収
縮量は、熱機械分析（ＴＭＡ）によって測定することが
できる。

【００１５】本発明の半導体装置の製造において用いら
れる封止用樹脂組成物としては、特に限定するものでは
なく従来公知の封止用材料が用いられるが、なかでも、
エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂組成物を用い
ることが好ましい。

【００１６】上記熱硬化性樹脂組成物としては、エポキ
シ樹脂を主成分とし、これに硬化剤，無機質充填剤およ
び他の添加剤を配合したものがあげられる。このような
配合の封止材料は、通常、粉末状、もしくはこれを打錠
したタブレット状になっている。

【００１７】上記エポキシ樹脂としては、特に限定する
ものではなく従来公知のものが用いられる。すなわち、
一分子中に２個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹
脂であればいかなるエポキシ樹脂を用いてもよい。例え
ば、ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂，ビスフェノール
Ｆ系エポキシ樹脂，クレゾールノボラック系エポキシ樹
脂，ビフェニル系エポキシ樹脂等の種々のエポキシ樹脂
があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて
用いられる。

【００１８】上記フェノール樹脂としては、特に限定す
るものではなくエポキシ樹脂の硬化剤とし作用する従来
公知のものがあげられる。例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂，クレゾールノボラック樹脂等があげられる。な
かでも、フェノールノボラック樹脂を用いることが好ま
しい。

【００１９】そして、上記エポキシ樹脂とフェノール樹
脂の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に
対してフェノール樹脂中の水酸基当量を０．６〜１．５
の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは０．
８〜１．２である。

【００２０】この封止用エポキシ樹脂組成物には、上記
エポキシ樹脂およびフェノール樹脂以外に、必要に応じ
て、無機質充填剤，硬化促進剤，難燃剤，難燃助剤，シ
ランカップリング剤等のカップリング剤，離型剤，顔
料，低応力化剤等を適宜に配合することができる。

【００２１】上記無機質充填剤としては、溶融あるいは
粉砕シリカ粉末，タルク，ケイ砂，炭酸カルシウム，ア
ルミナ粉末等があげられる。特にシリカ粉末を用いるの
が好ましい。上記無機質充填剤の配合量は、エポキシ樹
脂組成物全体の５０〜９５重量％の範囲に設定すること
が好ましい。特に好ましくは８０〜９５重量％である。

【００２２】また、上記硬化促進剤としては、リン系化
合物，従来公知の三級アミン，四級アンモニウム塩，イ
ミダゾール類，ホウ素化合物等があげられる。

【００２３】上記難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹
脂，塩素化エポキシ樹脂等があげられる。

【００２４】上記難燃助剤としては、三酸化アンチモ
ン，五酸化アンチモン等があげられる。

【００２５】上記離型剤としては、モンタン酸，ステア
リン酸およびその金属塩、ポリエチレン系カルナバワッ
クス等の従来公知のものがあげられる。

【００２６】上記顔料としては、カーボンブラック，ベ
ンガラ，酸化チタン，酸化クロム，シアニンブルー，シ
アニングリーン等があげられる。

【００２７】上記低応力化剤としては、オレフィン系ゴ
ム、ジメチルポリシロキサン系等のシリコーン化合物等
があげられる。

【００２８】この封止用エポキシ樹脂組成物は、例え
ば、上記各成分を配合してミキシングロール機等で混練
する。ついで、冷却した後、粉砕し、さらに必要に応じ
てタブレット状に打錠することにより製造することがで
きる。

【００２９】本発明の半導体装置は、上記封止用エポキ
シ樹脂組成物を用い例えばつぎのようにして製造され
る。すなわち、リード基板に半導体素子を搭載した半導
体素子搭載済リード基板を準備し、トランスファー成形
により樹脂封止することにより製造される。

【００３０】上記トランスファー成形は、２５〜２５０
℃の間の封止温度で行うことが好ましい。すなわち、２
５０℃を超えた高温で樹脂封止を行うと、樹脂組成物中
の有機成分の劣化が生じる傾向がみられるからである。

【００３１】そして、本発明の半導体装置の製造では、
トランスファー成形に使用する成形型として、パッケー
ジとなる部分に封止用樹脂組成物を注入するための注入
口が、下記の（Ｘ）もしくは（Ｙ）の態様で少なくとも
２箇所形成された成形型が用いられる。

【００３２】（Ｘ）注入口を成形型の異なる角部にそれ
ぞれ形成する。 （Ｙ）注入口を成形型の角部を挟んだ辺部に形成する。

【００３３】具体的に説明すると、上記（Ｘ）の態様と
しては、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、封止樹
脂層形成領域１の上面の２箇所の角部にそれぞれ注入口
２ａ，３ａを形成した成形型があげられる。また、図２
（ａ）および（ｂ）に示すように、封止樹脂層形成領域
１の、リード基板４の基板界面の２箇所の角部にそれぞ
れ注入口５ａ，６ａを形成した成形型があげられる。な
お、上記（Ｘ）の態様では、２箇所の角部に注入口が形
成された例をあげたが、これに限定するものではなく３
箇所の角部に注入口を形成してもよく、また４箇所の角
部に注入口を形成してもよい。図において、８は半導体
素子である。

【００３４】さらに、上記（Ｙ）の態様としては、図３
（ａ）および（ｂ）に示すように、封止樹脂層形成領域
１の上面の一つの角を挟んだ２辺の中央部にそれぞれ注
入口２ｂ，３ｂを形成した成形型があげられる。また、
図４（ａ）および（ｂ）に示すように、封止樹脂層形成
領域１の、リード基板４の基板界面の一つの角を挟んだ
２辺の中央部にそれぞれ注入口５ｂ，６ｂを形成した成
形型があげられる。なお、上記（Ｙ）の態様では、２辺
にそれぞれ注入口が形成された例をあげたが、上記
（Ｘ）の態様と同様、これに限定するものではなく３辺
にそれぞれ注入口を形成してもよく、また４辺にそれぞ
れ注入口を形成してもよい。図において、８は半導体素
子である。

【００３５】このように、成形型の封止用樹脂組成物の
注入口を成形型の異なる角部にそれぞれ形成する（Ｘ）
か、もしくは、注入口を成形型の角部を挟んだ辺部に形
成する（Ｙ）と、従来１箇所からの注入により発生した
反りが、他の注入口からの注入により発生する反りに相
殺され、反りの最大値が分散される。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明では、半導体素子
が搭載されたリード基板を、成形型内に設置し、この成
形型内に封止用樹脂組成物を注入して樹脂封止する際
に、上記成形型として、封止用樹脂組成物を注入するた
めの注入口が、前述の（Ｘ）もしくは（Ｙ）の態様で少
なくとも２箇所形成された成形型を用いて半導体装置を
製造する。このため、従来の成形法では、１箇所からの
注入により発生していた反りが、本発明の成形型を用い
ることより、他の注入口からの注入により発生する反り
によって相殺され、反りの最大値が分散され、その結
果、半導体パッケージ全体の反り量が抑制される。従っ
て、本発明の半導体装置の製法では、特に、樹脂封止に
際して、反りが発生しやすい、片面樹脂封止タイプや、
半導体素子搭載面側の封止樹脂の厚みに比べて搭載しな
い面側の厚みの薄い半導体装置に対して特に有用であ
る。

【００３７】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００３８】まず、実施例および比較例において製造さ
れる半導体装置の構造および構成を示す。

【００３９】〔半導体パッケージの各寸法〕図５（ａ）
および（ｂ）に示す構成の半導体パッケージを作製し
た。図において、１０はビスマレイミドトリアジン基
板、１１はエポキシ樹脂系封止樹脂層、１２はシリコン
チップである。そして、各々の寸法は下記の通りであ
る。

【００４０】ビスマレイミドトリアジン基板１０：縦
ｃ４８ｍｍ×横ｃ４８ｍｍ×厚みｆ０．４ｍｍ〔封止温
度（１７５℃）から２５℃にかけて冷却した際に生じる
冷却収縮量：０．２％〕 封止樹脂層１１：縦ｂ４０ｍｍ×横ｂ４０ｍｍ×厚み
ｅ１．０ｍｍ 半導体素子１２：縦ａ１２ｍｍ×横ａ１２ｍｍ×厚み
ｄ０．３７ｍｍ

【００４１】つぎに、上記構成の半導体パッケージを製
造するための成形型として、下記に示すように、注入口
が２箇所形成された成形型１〜４（実施例）、および、
注入口が１箇所形成された成形型５〜８（比較例）を準
備した。

【００４２】〔成形型１〕図１（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の上面の２箇所の角部
にそれぞれ注入口２ａ，３ａが形成された成形型。

【００４３】〔成形型２〕図３（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の上面の一つの角を挟
んだ２辺の中央部にそれぞれ注入口２ｂ，３ｂが形成さ
れた成形型。

【００４４】〔成形型３〕図２（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の、リード基板４の基
板界面の２箇所の角部にそれぞれ注入口５ａ，６ａが形
成された成形型。

【００４５】〔成形型４〕図４（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の、リード基板４の基
板界面の一つの角を挟んだ２辺の中央部にそれぞれ注入
口５ｂ，６ｂが形成された成形型。

【００４６】〔成形型５〕図６（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の上面の１箇所の角部
に注入口７ａが形成された成形型。

【００４７】〔成形型６〕図７（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の上面部の１辺の中央
部に注入口７ｂが形成された成形型。

【００４８】〔成形型７〕図８（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の、リード基板４の基
板界面の１箇所の角部に注入口７ｃが形成された成形
型。

【００４９】〔成形型８〕図９（ａ）および（ｂ）に示
すように、封止樹脂層形成領域１の、リード基板４の基
板界面の１辺の中央部に注入口７ｄが形成された成形
型。

【００５０】〔封止用エポキシ樹脂組成物の作製〕下記
に示すエポキシ樹脂ａ，ｂおよびフェノール樹脂ｃ，ｄ
を準備した。

【００５１】〔エポキシ樹脂ａ〕下記に示す化学式で表
されるエポキシ樹脂である。

【化１】

【００５２】〔エポキシ樹脂ｂ〕下記に示す化学式で表
されるエポキシ樹脂である。

【化２】

【００５３】〔フェノール樹脂ｃ〕下記に示す化学式で
表されるフェノール樹脂である。

【化３】

【００５４】〔フェノール樹脂ｄ〕下記に示す化学式で
表されるフェノール樹脂である。

【化４】

【００５５】つぎに、下記の表１に示す成分を同表に示
す割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）
で混練した。ついで、冷却した後、粉砕して粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物１〜６を作製した。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【実施例１〜１８、比較例１〜１２】ついで、上記各成
形型１〜８、および、上記エポキシ樹脂組成物１〜６を
用いて、トランスファー成形により前述の構成の半導体
装置〔図５（ａ）および（ｂ）参照〕を得た。上記各成
形型およびエポキシ樹脂組成物の組み合わせを下記の表
２〜表６に示す。なお、上記トランスファー成形の条件
は、金型温度１７５℃，注入時間１０秒，保圧時間１２
０秒，注入・保圧圧力３５ｋｇ／ｃｍ² に設定した。

【００５８】ついで、得られた半導体装置について、反
りの測定を行った。上記反りの測定は、図１０（ａ）お
よび（ｂ）に示すように、シリコンチップ１２搭載の基
板１０を封止したエポキシ樹脂系封止樹脂層１１の角部
を結ぶ２つの直線（直線ｍと直線ｎ）、および、辺の中
央部を結ぶ２つの直線（直線ｏと直線ｐ）の４つの直線
位置における反り量を測定した。なお、反り量の測定に
は、マイクロディプスメーター（ＴＥＣＬＯＣＫ社製）
を用いた。この４つの直線位置における反り量の測定結
果を下記の表２〜表６に併せて示す。

【００５９】

【表２】

【００６０】

【表３】

【００６１】

【表４】

【００６２】

【表５】

【００６３】

【表６】

【００６４】上記表２〜表６の結果から、実施例品と比
較例品とを比べると、同一のエポキシ樹脂組成物を用い
た場合、２箇所の注入口が形成された成形型を用いた実
施例品は、１箇所のみの注入口が形成された成形型を用
いた比較例品に比べて最大反り量が低減されていること
がわかる。例えば、エポキシ樹脂組成物１を用い、成形
型１および成形型５を用いた場合を比較（実施例１と比
較例１の比較）すれば、実施例１の最大反り量は比較例
１に比べて４０％以上低減された。また、エポキシ樹脂
組成物６を用い、成形型１および成形型５を用いた場合
を比較（実施例６と比較例６の比較）すれば、実施例６
の最大反り量は１２５０μｍで、比較例６の１６２０μ
ｍに比べて約２３％も低減された。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の成形型の態様を模式的に示す
平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図２】（ａ）は本発明の他の成形型の態様を模式的に
示す平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図３】（ａ）は本発明のさらに他の成形型の態様を模
式的に示す平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図４】（ａ）は本発明の他の成形型の態様を模式的に
示す平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図５】（ａ）は半導体パッケージの構成を示す平面図
であり、（ｂ）はその側面図である。

【図６】（ａ）は従来の成形型の態様を模式的に示す平
面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図７】（ａ）は従来の他の成形型の態様を模式的に示
す平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図８】（ａ）は従来のさらに他の成形型の態様を模式
的に示す平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図９】（ａ）は従来の他の成形型の態様を模式的に示
す平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図１０】（ａ）は半導体装置の反りの測定位置を示す
平面図であり、（ｂ）はその側面図である。

【図１１】片面樹脂封止の半導体装置の一例を示す構成
図である。

【図１２】上記片面樹脂封止の半導体装置において、ヒ
ートシンクを設けた例を示す構成図である。

【図１３】ヒートシンクが内蔵された例を示す構成図で
ある。

【符号の説明】

１ 封止樹脂層形成領域 ２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ 注
入口 ４ リード基板 ８ 半導体素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑村 誠 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 福島 喬 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子が搭載されたリード基板を、
   成形型内に設置し、この成形型内に封止用樹脂組成物を
   注入して樹脂封止することにより半導体装置を製造する
   方法であって、上記成形型として、封止用樹脂組成物を
   注入するための注入口が、下記の（Ｘ）もしくは（Ｙ）
   の態様で少なくとも２箇所形成された成形型を用いるこ
   とを特徴とする半導体装置の製法。 （Ｘ）注入口を成形型の異なる角部にそれぞれ形成す
   る。 （Ｙ）注入口を成形型の角部を挟んだ辺部に形成する。
2. 【請求項２】 上記リード基板が、その表面に金属配線
   を有するビスマレイミドトリアジン基板であって、しか
   も２５０℃から２５℃にかけての収縮量が０．１５〜
   ０．３５％である請求項１記載の半導体装置の製法。
3. 【請求項３】 上記リード基板が、絶縁層を介して、下
   記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）からなる金属箔層が形成
   された基板、あるいは下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）
   からなる回路配線が形成された基板であって、しかも、
   上記リード基板の２５０℃から２５℃にかけての収縮量
   が０．１５〜０．３５％である請求項１記載の半導体装
   置の製法。 （Ａ）銅または銅を主体とした銅合金。 （Ｂ）アルミニウムまたはアルミニウムを主体としたア
   ミミニウム合金。
4. 【請求項４】 半導体素子が搭載されたリード基板を封
   止用樹脂組成物で樹脂封止する際に用いられるトランス
   ファー成形用の成形型であって、上記成形型の、封止用
   樹脂組成物を注入するための注入口が、下記の（Ｘ）も
   しくは（Ｙ）の態様で少なくとも２箇所形成されている
   ことを特徴とする成形型。 （Ｘ）注入口を成形型の異なる角部にそれぞれ形成す
   る。 （Ｙ）注入口を成形型の角部を挟んだ辺部に形成する。