JPH0815047B2 - マグネトロンの製造方法 - Google Patents
マグネトロンの製造方法Info
- Publication number
- JPH0815047B2 JPH0815047B2 JP60195816A JP19581685A JPH0815047B2 JP H0815047 B2 JPH0815047 B2 JP H0815047B2 JP 60195816 A JP60195816 A JP 60195816A JP 19581685 A JP19581685 A JP 19581685A JP H0815047 B2 JPH0815047 B2 JP H0815047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side support
- end shield
- molybdenum
- magnetron
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、モリブデン製部材同士の固着作業が高い歩
留りで、確実、容易に行われるようにしたマグネトロン
の製造方法に関する。
留りで、確実、容易に行われるようにしたマグネトロン
の製造方法に関する。
家庭用の電子レンジに使用されるマグネトロンは、家
庭用電気製品の常として、電気的に高性能であるばかり
でなく、量産性、信頼性が共に高く、しかも低価格でな
ければならない。
庭用電気製品の常として、電気的に高性能であるばかり
でなく、量産性、信頼性が共に高く、しかも低価格でな
ければならない。
第2図は、電子レンジ用マグネトロンの陰極構体の例
を示す概略断面図である。1はトリウム・タングステン
線を螺旋状に形成した熱陰極、2は上エンドシールド、
3は下エンドシールドで、熱陰極に夫々其の上端、下端
で固着され、熱陰極からの熱放射にさらされて高温にな
るから、高融点金属のモリブデンで製作されている。ま
た、上エンドシールド2はセンタサポート4に、下エン
ドシールド3はサイドサポート5に固着されて、支持さ
れているが、これらのサポートも高温になり、かつ十分
な強度が要求されるので、やはりモリブデンで製作され
ている。センタサポート4とサイドサポート5は、それ
ぞれ、絶縁用セラミックス6の2個の孔に挿通され、セ
ラミックスを貫通した外側で、外部接続用の金属端子
7、8を介してセラミックス6にろう材で気密封着され
ている。更に、セラミックス6には、図示してない陽極
に接続される封止金属体9がろう材で気密封着されてい
る。10はアルミナセラミックス製のスペーサで,センタ
サポート4とサイドサポート5とを夫々此のスペーサに
穿設された2個の孔に嵌合、貫通させ、ここで運動の自
由度を制限させて、熱陰極1の耐振性、耐衝撃性を高め
るようにしている。もしセンタサポートやサイドサポー
トに用いるモリブデン線の直径を十分太くすれば、セラ
ミックスペーサを使用しないでも陰極の耐振性、耐衝撃
性を十分大きくできる筈であるが、既述の如く、電子レ
ンジ用マグネトロンの場合、価格低減が極めて重要なの
で、材料価格の高いモリブデン製のセンタサポートやサ
イドサポートの直径を極力細くしなければならない。セ
ラミックスペーサはこのような条件下に採用されたもの
である。
を示す概略断面図である。1はトリウム・タングステン
線を螺旋状に形成した熱陰極、2は上エンドシールド、
3は下エンドシールドで、熱陰極に夫々其の上端、下端
で固着され、熱陰極からの熱放射にさらされて高温にな
るから、高融点金属のモリブデンで製作されている。ま
た、上エンドシールド2はセンタサポート4に、下エン
ドシールド3はサイドサポート5に固着されて、支持さ
れているが、これらのサポートも高温になり、かつ十分
な強度が要求されるので、やはりモリブデンで製作され
ている。センタサポート4とサイドサポート5は、それ
ぞれ、絶縁用セラミックス6の2個の孔に挿通され、セ
ラミックスを貫通した外側で、外部接続用の金属端子
7、8を介してセラミックス6にろう材で気密封着され
ている。更に、セラミックス6には、図示してない陽極
に接続される封止金属体9がろう材で気密封着されてい
る。10はアルミナセラミックス製のスペーサで,センタ
サポート4とサイドサポート5とを夫々此のスペーサに
穿設された2個の孔に嵌合、貫通させ、ここで運動の自
由度を制限させて、熱陰極1の耐振性、耐衝撃性を高め
るようにしている。もしセンタサポートやサイドサポー
トに用いるモリブデン線の直径を十分太くすれば、セラ
ミックスペーサを使用しないでも陰極の耐振性、耐衝撃
性を十分大きくできる筈であるが、既述の如く、電子レ
ンジ用マグネトロンの場合、価格低減が極めて重要なの
で、材料価格の高いモリブデン製のセンタサポートやサ
イドサポートの直径を極力細くしなければならない。セ
ラミックスペーサはこのような条件下に採用されたもの
である。
第2図にAと示した個所で、下エンドシールド3とサ
イドサポート5とが抵抗熔接されているが、第3図に、
従来の、例えば、実開昭58−348号公報等に開示されて
いるような構成の場合の、すなわち、それぞれモリブデ
ンで作られ、表面になんら特別の処理を施してない状態
の下エンドシールド3とサイドサポート5の熔接個所の
拡大断面図を示す。下エンドシールド3とサイドサポー
ト5の融合域は、第3図の拡大断面図にBと示す如く、
サポート断面に比べて随分狭くなっている。このため、
従来のマグネトロン陰極構体では、前記の如くサイドサ
ポートのモリブデン線の直径が細いこともあって、この
個所の熔接強度が弱く、其のばらつきが大きく、マグネ
トロンの組立工程中に熔接部で離脱、落下したり、変形
したりすることがあり、この部分の熔接の管理は極めて
困難であった。このエンドシールドとサイドサポートの
抵抗熔接個所の場合でも、もし価格が上昇しても差支え
なければ、サイドサポート用モリブデン線の直径を太く
すれば、融合域の面積の絶対値を大きくすることが可能
となり、この熔接個所の強度を大きくすることができ
る。しかし、前記のように、電子レンジ用マグネトロン
の場合、原価低減はほとんど至上命令であるから、サイ
ドサポートのモリブデン線径を太くして熔接不良の対策
をすることは避けなければならない。
イドサポート5とが抵抗熔接されているが、第3図に、
従来の、例えば、実開昭58−348号公報等に開示されて
いるような構成の場合の、すなわち、それぞれモリブデ
ンで作られ、表面になんら特別の処理を施してない状態
の下エンドシールド3とサイドサポート5の熔接個所の
拡大断面図を示す。下エンドシールド3とサイドサポー
ト5の融合域は、第3図の拡大断面図にBと示す如く、
サポート断面に比べて随分狭くなっている。このため、
従来のマグネトロン陰極構体では、前記の如くサイドサ
ポートのモリブデン線の直径が細いこともあって、この
個所の熔接強度が弱く、其のばらつきが大きく、マグネ
トロンの組立工程中に熔接部で離脱、落下したり、変形
したりすることがあり、この部分の熔接の管理は極めて
困難であった。このエンドシールドとサイドサポートの
抵抗熔接個所の場合でも、もし価格が上昇しても差支え
なければ、サイドサポート用モリブデン線の直径を太く
すれば、融合域の面積の絶対値を大きくすることが可能
となり、この熔接個所の強度を大きくすることができ
る。しかし、前記のように、電子レンジ用マグネトロン
の場合、原価低減はほとんど至上命令であるから、サイ
ドサポートのモリブデン線径を太くして熔接不良の対策
をすることは避けなければならない。
本発明の目的は、上記従来のマグネトロン陰極構体の
ように、モリブデン製部品同士の熔接個所で離脱した
り、変形したりしないようにした、容易に確実に、モリ
ブデン製の下エンドシールドとサイドサポートが高い信
頼性で強固に熔接されたマグネトロンの製造方法を提供
することにある。
ように、モリブデン製部品同士の熔接個所で離脱した
り、変形したりしないようにした、容易に確実に、モリ
ブデン製の下エンドシールドとサイドサポートが高い信
頼性で強固に熔接されたマグネトロンの製造方法を提供
することにある。
上記目的を達成するために本発明は、螺旋状の熱陰極
の上下端に夫々固着されたモリブデン製の上、下エンド
シールドと、これらエンドシールドに夫々固着されたモ
リブデン製の支持棒とを備えたマグネトロンの製造方法
において、下エンドシールドに対してその底面を含めた
ほぼ全面に亘ってニッケルめっきを施すか、あるいは前
記下エンドシールドに固着されるモリブデン製の支持棒
に対して、前記下エンドシールドに固着される端面を含
めたほぼ全面に亘って、ニッケルめっきを施して、上記
下エンドシールドの底面と上記支持棒の端面とを抵抗溶
接により固着するものである。
の上下端に夫々固着されたモリブデン製の上、下エンド
シールドと、これらエンドシールドに夫々固着されたモ
リブデン製の支持棒とを備えたマグネトロンの製造方法
において、下エンドシールドに対してその底面を含めた
ほぼ全面に亘ってニッケルめっきを施すか、あるいは前
記下エンドシールドに固着されるモリブデン製の支持棒
に対して、前記下エンドシールドに固着される端面を含
めたほぼ全面に亘って、ニッケルめっきを施して、上記
下エンドシールドの底面と上記支持棒の端面とを抵抗溶
接により固着するものである。
第1図は本発明の一実施例による下エンドシールドと
サイドサポートとの抵抗熔接個所の拡大断面図を示す。
この実施例では、サイドサポート5aの全表面に、あらか
じめニッケルめっきが施してあり、抵抗熔接に際しニッ
ケルめっき層が境界部に拡散して、第1図にCと示す溶
融接合域は、下エンドシールドとサイドサポートのほぼ
全接合面に及んでおり、従来に比べて遥かに強固な熔接
状態を安定して実現することが出来た。サイドサポート
の全表面にニッケルめっきを施す代わりに、下エンドシ
ールドの表面にニッケルめっきを施しても同様な効果が
得られることは明らかである。
サイドサポートとの抵抗熔接個所の拡大断面図を示す。
この実施例では、サイドサポート5aの全表面に、あらか
じめニッケルめっきが施してあり、抵抗熔接に際しニッ
ケルめっき層が境界部に拡散して、第1図にCと示す溶
融接合域は、下エンドシールドとサイドサポートのほぼ
全接合面に及んでおり、従来に比べて遥かに強固な熔接
状態を安定して実現することが出来た。サイドサポート
の全表面にニッケルめっきを施す代わりに、下エンドシ
ールドの表面にニッケルめっきを施しても同様な効果が
得られることは明らかである。
なお、サイドサポート5の全表面にニッケルめっきを
施すと、金属端子8を介してセラミックス6に気密封着
する個所の硬ろう付け状態も一層良好となる。
施すと、金属端子8を介してセラミックス6に気密封着
する個所の硬ろう付け状態も一層良好となる。
以上説明したように本発明によれば、下エンドシール
ドとサイドサポートとの接合部の強度が高くなり、強度
のばらつきも減少して製造歩留りが向上し、熔接電流値
を低下できるので熔接用電極の寿命も長くなり、接合部
のスプラッシュも少なくなり、サイドサポートの全面ニ
ッケルめっきにより、サイドサポートの保管期間中の酸
化の影響も減少し、金属端子を介したセラミックスとの
気密封止も確実になるなどの効果が得られる。
ドとサイドサポートとの接合部の強度が高くなり、強度
のばらつきも減少して製造歩留りが向上し、熔接電流値
を低下できるので熔接用電極の寿命も長くなり、接合部
のスプラッシュも少なくなり、サイドサポートの全面ニ
ッケルめっきにより、サイドサポートの保管期間中の酸
化の影響も減少し、金属端子を介したセラミックスとの
気密封止も確実になるなどの効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例による下エンドシールドとサ
イドサポートの熔接個所の拡大断面図、第2図はマグネ
トロンの陰極構体の概略断面図、第3図は従来の陰極構
体の下エンドシールドとサイドサポートの熔接個所の拡
大断面図である。 3……下エンドシールド、5a……本発明に係る全表面に
ニッケルめっきを施したサイドサポート、6……絶縁用
セラミックス、C……本発明実施例の溶融接合域。
イドサポートの熔接個所の拡大断面図、第2図はマグネ
トロンの陰極構体の概略断面図、第3図は従来の陰極構
体の下エンドシールドとサイドサポートの熔接個所の拡
大断面図である。 3……下エンドシールド、5a……本発明に係る全表面に
ニッケルめっきを施したサイドサポート、6……絶縁用
セラミックス、C……本発明実施例の溶融接合域。
Claims (1)
- 【請求項1】螺旋状の熱陰極の上下端に夫々固着された
モリブデン製の上、下エンドシールドと、これらエンド
シールドに夫々固着されたモリブデン製の支持棒とを備
えたマグネトロンの製造方法において、 下エンドシールドに対してその底面を含めたほぼ全面に
亘ってニッケルめっきを施すか、あるいは 前記下エンドシールドに固着されるモリブデン製の支持
棒に対して、前記下エンドシールドに固着される端面を
含めたほぼ全面に亘って、ニッケルめっきを施して、 上記下エンドシールドの底面と上記支持棒の端面とを抵
抗溶接により固着することを特徴とするマグネトロンの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60195816A JPH0815047B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | マグネトロンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60195816A JPH0815047B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | マグネトロンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6258545A JPS6258545A (ja) | 1987-03-14 |
JPH0815047B2 true JPH0815047B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=16347467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60195816A Expired - Lifetime JPH0815047B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | マグネトロンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0815047B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5935495B2 (ja) * | 1976-12-27 | 1984-08-29 | 株式会社日立製作所 | フイラメント支持体の製造方法 |
JPS54151370A (en) * | 1978-05-20 | 1979-11-28 | Narumi China Corp | Method of fabricating electronic tube parts |
JPS5560247A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-07 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of cathode construction unit for electron tube |
JPS5617191A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Hitachi Ltd | Resistance pressure welding method of molybdenum or molybdenum alloy |
JPS579028A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-18 | Hitachi Ltd | Electron tube cathode structure and preparation |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60195816A patent/JPH0815047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6258545A (ja) | 1987-03-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |