JPS6086838A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6086838A
JPS6086838A JP19489783A JP19489783A JPS6086838A JP S6086838 A JPS6086838 A JP S6086838A JP 19489783 A JP19489783 A JP 19489783A JP 19489783 A JP19489783 A JP 19489783A JP S6086838 A JPS6086838 A JP S6086838A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック絶縁物と金属との封着を用いた容器
に半導体素子を収納した半導体装置に関するものである
・従来のこのような半導体装置に於てはセラミック絶縁
管と金属ベース部品及び封着用金属部品とは、予めセラ
ミック絶縁管の内・外形にはぼ等しい形状に成形された
、例えば銀−銅合金等よりなるロウ材を用い気密封止さ
れていた。このような従来の半導体装置に於いては、容
器の組立を行なう際に、組立治具に部品ならびにろう材
を順次セットした後、還元雰囲気の炉中で加熱し、ろう
材を溶融することで封止しているが、形状が小さく、か
つ厚さの薄いろう材を組立治具にセットするのは非常に
手間がかかり、容器組立の作業性が極めて悪かった。ま
たろう材を成形する際にろう材が薄く、脆い為、成形の
作業性が悪く、かつ、ろう材に変形やわれを生じ歩留り
を著しく低下させ、ろう材の価格が極めて高くなるとい
った欠点を有していた０また、こうした価格面での欠点
に加え１組立の際、被ろう何部品と、ろ−う材の位置ず
れによシ、ろう何部でろう材量のばらつきを生じろう溜
り、隙間を生じ、これにより気密性を損なうといった品
質面での欠点を有していた。本発明は従来の半導体装置
のこのような欠点を除去することを目的とするもので、
セラミック絶縁管の両端面に施された金属化層の最外表
面にニッケルーリンの合金層を形成し、このニッケルー
リン合金層を溶融することによシ金属部品を気密封止す
ることを特徴とするものである。
このような本発明の半導体装置に於ては容器の組立を行
なう際に組立治具には従来のロウ材は不要で被ろう付部
品のみをセットするだけでよい為、作業性が著しく容易
であル、また所定の形状に成形されたろう材ｔ−製作す
るのに比べて、ニッケルーりンの合金層は例えばめつき
により容易に形成できる為、コストを安くすることがで
きる・さらにこうした価格面での効果に加え、セラミッ
ク絶縁管のろう何面となる金属化層全面に、ニッケルー
リン合金層をめっきにより均一に形成することができる
為、ろう溜υ、隙間等を生じることのない、気密性に優
れた半導体装置を提供することができる。次に本発明を
更に詳細に説明する為Ｋ。
従来の半導体装置ならびに本発明の半導体装置の一実施
例につき図面を参照して説明する・第１図は従来の半導
体装置を示す縦断面図であり、第２図はその組立方法を
説明する為の概要図である。
第３図は本発明の半導体装置の一実施例を示す縦断面図
であり、第４図はその組立方法を説明する為の概要図で
ある。第１図に於て、１０３は例えばアルミナ、７オル
ステライト、ステアタイト等よりなるセラミック絶縁管
で、その両端面には高融点金属の例えばそリブデン、マ
ンガン等よりなる金属化層１０２．１０３が形成され、
ニッケル等のめつき（図示せず）が施されている。該セ
ラミック絶縁管１０１の一端には例えば、銅、コパール
、鉄等よりなる金属ベース部品１０４が例えば銀−銅合
金等よりなるろう材１０５により気密封止され、他端に
は例えばコパール、鉄、鉄−ニッケル合金等よりなシ、
中ヤップ（図示せず）ｔ−気密封止する為の封着用金属
部品１０６が、例えば銀−鋼合金等よりなるろう材１０
７により気密封止されている。
このようにして構成された容器１００に半導体素子１０
８１ｉ−収納し、半導体素子１０８の電極（図示せず）
と前記封着用金属部品１０６とを例えば金、アルミニウ
ム等よ〕なる金属細線１０９で電気的に接続し、前記キ
ャップを封着用金属部品１０６に電気抵抗溶接等により
気密封止する。このような従来の半導体装置に於ては、
容器１００の組立を行なう際に、第２図に示すように、
カーボン等よシなる組立治具１１０に金属ベース部品１
０４、ろう材１０５、セラミック絶縁管１０１．ろう材
１０７・封着用金属部品１０６？順次セットし、還元雰
囲気の炉中で加熱し、ろう材１０５．１０７ｔ−溶融し
、セラミック絶縁管１０１に金属ベース部品１０４、封
着用金属部品１０６を気密封止しているが、形状が小さ
く、かつ厚さの薄いろう材１０５．］０７’に組立治具
１１０にセットするのは手間がかかり、容器１００の組
立の作業性が極めて悪かりた。また、ろう材１０５．１
０７’＆−成形する際に、ろう材１０５．１０７は薄く
、かつ脆い為、ろう材１０５゜１０７に変形やわれを生
じた９、かつ成形の作業性も悪く、ろう材１０５，１０
７の価格が極めて高くなるといった欠点を有していた・
また、こうし次価格面での欠点に加え、組立の際、ろう
材１０５・１０７の位置ずれにより、ろう何部でろう材
量のばらつきを生、ろう溜シ１１１．隙間１１２を生じ
・これにより気密性を損なうといった品質面での欠点を
有していた。
本発明は従来の半導体装置のかかる欠点を除去すること
を目的とするものである。第３図に於いて、セラミック
絶縁管２０１の両端面２０２，２０３の最外表面にあら
かじめ、めっきによりニッケルーリン合金層２１３．２
１４を形成し、このニッケルーりン合金層２１３．２１
４を溶融することにより、セラミック絶縁管２０１の一
万の端面に金属ベース部品２０４’に、もう−万の端面
に封着用金属部品２０６を気密封止することを特徴とす
るものである。なお、本実施例において、この他の構成
については従来の半導体装置と同じであるので説明は略
す０このような本発明の半導体装置に於ては、第４図に
示すごとく容器２００の組立を行なう際に、組立治具２
１０には被ろう付部品でめるセラミツク絶縁管２０１１
金属ベース部材２０４、封着用金属部材２０６のみをセ
ットするだけでよく、従来のロウ材が不要なため、作業
が著しく容易となる。さらに所定の形状に成形されたろ
う材を製作するのに比べて、ニッケルーリン合金層２１
３．２］４はめっきによシ容易に形成できる為、その分
天幅に安価にできるという利点を有している。こうした
利点に加え、ニッケルーリン合金層２１３．２１４はめ
っきにより封止面となるセラミック絶縁管２０１の両熾
面の金層化層２０２．２０３の全面に均一に形成できる
為、ろう溜シ、隙間等の生じることのない、気密性に優
れた半導体装置を提供することができる。
以上、本発明の一実施例につき、図面？参照して説明し
たが本発明の効果は封止される部品の材質管形状等によ
り、何ら制限を受けるものでなく、特許請求範囲に記す
全ての半導体装置に及ぶことは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置を示す縦断面図であり、第２
図はその組立方法を説明する為の概要図である。第３図
は本発明の半導体装置の一実施例を示す縦断面図であり
、第４図はその組立方法を説明する為の概要図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミック絶縁管の内部に半導体素子を収納した半導体
    装置に於いて、前記セラミック絶縁管に設けられた金属
    化層の最外表面にニッケルーリン合金層を形成し、該ニ
    ッケルーりン合金ノーを溶融することによって金属ベー
    ス部品及び封着用金属部品をセラミック絶縁管に固着し
    たことを特徴とする半導体装置。
JP19489783A 1983-10-18 1983-10-18 半導体装置 Granted JPS6086838A (ja)

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JP19489783A JPS6086838A (ja) 1983-10-18 1983-10-18 半導体装置

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JP19489783A JPS6086838A (ja) 1983-10-18 1983-10-18 半導体装置

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JPH04163873A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Tokyo Densen Kogyo Kk 平形電線の端子接続構造

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