JPH08145799A - 焦電型赤外線検出素子及びその製造方法 - Google Patents

焦電型赤外線検出素子及びその製造方法

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JPH08145799A
JPH08145799A JP28197094A JP28197094A JPH08145799A JP H08145799 A JPH08145799 A JP H08145799A JP 28197094 A JP28197094 A JP 28197094A JP 28197094 A JP28197094 A JP 28197094A JP H08145799 A JPH08145799 A JP H08145799A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 焦電体を用いて赤外線を検出する焦電型赤外
線検出素子に関するもので、熱容量が小さく熱応答性に
優れ、低コスト、小型化そして集積化が可能で生産性に
優れた信頼性の高い焦電型赤外線検出素子を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 MgO単結晶基板11の(100)面上に
(010)面方位に対しほぼ45°の方向にした焦電体
13を設け、同じく45°の線上に並べた2個以上のエ
ッチング穴14を介して空洞15を形成する。エッチン
グ速度が選択性をもつ為、ピラミッド型の空洞が出来、
この上に効率的に焦電体が乗ることになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、焦電体を用いて赤外線
を検出する焦電型赤外線検出素子及びその製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、焦電型赤外線検出素子は、非接触
で物体の検知や温度検出ができる点を生かして、電子レ
ンジの調理物の温度測定、エアコンの室内温度制御、或
いは自動ドア、警報装置での人体検知等に利用されてお
り、今後その利用範囲は拡大していくと見られる。
【0003】焦電型赤外線検出素子は、強誘電体の焦電
効果を利用したセンサーである。強誘電体は内部に一定
方向の自発分極を有しており、その表面に正及び負電荷
を発生させる。大気中における定常状態では、大気中の
分子が持つ電荷と結合して中性状態になっている。すべ
ての物体は、温度に応じた赤外線を放出しており、赤外
線検出部に入射した赤外線量に応じた温度変化を強誘電
体に生じさせる。そのため、赤外線検出部の熱応答性を
良好にする必要があり、その部分での熱容量は焦電薄膜
のみが望ましいと考えられる。
【0004】以下、従来の焦電型赤外線検出素子につい
て図面を参照しながら説明する。図6(a),(b)は
従来の焦電型赤外線検出素子構成の平面図、断面図を示
すものである。この図において、41は酸化マグネシウ
ム単結晶基板(以下、MgO単結晶基板と略す)で、4
2a,42bは電極で、特に電極42bは赤外線の吸収
膜としての機能を有している。43は焦電薄膜で、これ
ら焦電薄膜43と電極42aおよび42bが積層して接
続されている部分が赤外線検出部である。44a,44
bはポリイミド系樹脂で赤外線検出部及び電極42a,
42bの引き出し部を保護し、かつ支持するためのもの
で、特に44aは電極42a,42b間の層間絶縁膜で
ある。45は開口部で焦電薄膜43の熱容量を小さくす
るためのものである。
【0005】以上のように構成される焦電型赤外線検出
素子について、図7の製造工程フローチャートを用いて
以下にその製造方法を説明する。まず、MgO単結晶基
板41上に、焦電薄膜43としてランタンを含有したチ
タン酸鉛(以下、PLTと略す)をメタルマスクを用い
て高周波マグネトロンスパッタリング法で形成する。次
に、それらの上層に膜厚1μm程度のポリイミド系樹脂
44aを層間絶縁膜として形成する。そしてMgO単結
晶41、層間絶縁膜44a及び焦電薄膜43上に電極4
2bとして20nm程度の膜厚を有するニクロム(以
下、NiCrと略す)薄膜をスパッタリング法で形成
し、フォトリソグラフィ法で所定の形状にパターニング
する。さらに、それら上層に膜厚3μm程度のポリイミ
ド系樹脂44bを形成する。その後、赤外線検出部を形
成していないMgO単結晶基板41の裏面をエッチング
マスクを介して燐酸で焦電薄膜43に到達するまでエッ
チング除去する。次に、MgO単結晶基板を取り除いた
側の焦電薄膜43面に電極42aとして200nm程度
の膜厚を有するNiCr薄膜をスパッタリング法で形成
し、フォトリソグラフィ法で所定の形状にパターニング
する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】一般に、焦電型赤外線
センサは赤外線検出部における熱応答性を向上させて赤
外線検出素子の感度を良好にしようとした場合、赤外線
検出部の下層部分に相当する基板と赤外線検出部との接
触部分を縮小させて、赤外線検出部における熱容量を減
少させる必要がある。この際、赤外線検出部と接触する
基板の一部に開口部を設けて赤外線検出部における熱容
量を減少させるが、開口部をより大きくして熱容量を一
層減少させようとすれば、赤外線検出部を構成する焦電
薄膜やポリイミド系樹脂の内部応力により、焦電薄膜に
歪、断線、破壊が生じるとともに、焦電薄膜を開口部上
で保持することが困難になり、また開口部の拡大により
エッチング工程での工程時間が長くなるという問題点を
有していた。また、赤外線検出素子の基板部分が大きい
ものとなるので、素子全体が大型になってしまうという
問題点も有していた。
【0007】本発明はこのような上記問題点を解決する
ものであり、焦電薄膜に歪、断線、破壊を生じさせず、
焦電薄膜の熱応答性を向上させるとともに、赤外線検出
部の小型・薄型化、工程の簡素化を図った焦電型赤外線
検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の焦電型赤外線検出素子は、表面が(100)
面の単結晶からなる基板と、この基板上に基板の(01
0)面方位に対しほぼ45°の方向に並べたエッチング
用の穴を設け、基板表面の穴と穴の間に焦電膜を設け
て、エッチング用の穴からエッチング液を入れて焦電膜
の下の基板を溶かして取り去った構成としたものであ
る。
【0009】
【作用】本発明は上記構成により、エッチング穴より入
ったエッチング液は、単結晶基板の結晶の格子方向に進
むエッチングの速さが、その他の方向に進むエッチング
の速さよりも速いので、ほぼ四角い形状でエッチングに
よる空洞が出来ていく。立体的に表現すると、ピラミッ
ド(を逆さまにした)形状で空洞が出来ていく。この空
洞の一辺は結晶の格子方向に対して45°傾いている、
そして、この空洞の真上に焦電薄膜が丁度形成されてい
るので、焦電薄膜は断熱性が良く、しかも広い受光エリ
アを確保出来る。このように最小限の大きさの空洞によ
り、広い受光面積を得ることが出来るので、基板にムダ
な部分が少ないだけセンサとして小型化され、また、し
っかりとした基板部分で焦電薄膜を保持できるので、焦
電薄膜に歪、断線、破壊が生じにくくなる。
【0010】
【実施例】 (実施例1)以下、本発明の第一の実施例について図面
を参照しながら説明する。図1(a),(b)は本発明
の第一の実施例における焦電型赤外線検出素子の平面
図、断面図である。この図に示すように、焦電型赤外線
検出素子は、MgO単結晶基板11と、このMgO単結
晶基板11の(100)面上に第一の電極12aを有
し、この第一の電極12a上に辺を前記単結晶基板11
の(010)面方位に対してほぼ45°の方向にした焦
電薄膜13を有し、この焦電薄膜13上に赤外線吸収効
果を有する第二の電極12bを有した赤外線検出部とか
らなり、赤外線検出部の外側の(010)面に対して略
45°の線上に並べて設けた2個のエッチング穴14に
よって、赤外線検出部が接するMgO単結晶基板11の
表層部の直下に微小空洞15を有した構成である。
【0011】以上のように構成された焦電型赤外線検出
素子について、図2の製造工程フローチャートを用いて
その製造方法を以下に説明する。まず、基板11として
MgO単結晶基板を用いる。そして、第一の電極12a
を形成する工程としてMgO単結晶基板11上に150
nm程度の膜厚を有するPt薄膜をスパッタリング法で
形成する。次に焦電薄膜13を形成する工程として第一
の電極12a上にPLT等の焦電薄膜を高周波マグネト
ロンスパッタリング法で形成する。次にフォトリソグラ
フィ法で焦電薄膜13を辺を前記MgO単結晶基板11
の(010)面方位に対してほぼ45°の方向にパター
ニングする。次に赤外線吸収効果を有する第二の電極1
2bを形成する工程として焦電薄膜13上に、20nm
程度の膜厚を有する赤外光の反射率が少なく吸収効果の
高いNiCr薄膜をスパッタリング法で形成し、続いて
フォトリソグラフィ法により下の焦電薄膜よりひとまわ
り小さい所定の形状にパターニングする。最後に微小空
洞15を形成する工程として、初めにフォトリソグラフ
ィ法によりフォトレジストを用いて赤外線検出部の外側
に(010)面に対して45°の方向に並ぶ2個のエッ
チング穴14を設け、このエッチング穴14を介してエ
ッチング液を注入して、前記基板に前記第一の電極と接
する側より、微小空洞15を形成する。このときのエッ
チング液として燐酸を用いる。その結果格子方向のエッ
チング時間の進行が非常に速いことを確認している。す
なわち、2つのピラミッド状の空洞が一つにつながった
ような空洞が出来る。
【0012】このときのエッチングの進みかたを図5を
用いて詳しく説明する。図5は立方晶の単結晶基板の斜
視図である。エッチング穴14から入ったエッチング液
によって、結晶が溶けていくスピードは各方向によって
異なり、図上の矢印AからPまでで表した矢印の長さの
ようになっている。即ち、A,E,I,Mの各方向が選
択的に速くエッチングされる。下方向も真下方向が選択
的に速い。この結果逆ピラミッド型の空洞が出来るわけ
である。
【0013】上記のように構成された焦電型赤外線検出
素子について、以下その特性について説明する。赤外線
検出部の周辺に配列した二個のエッチング穴14を介し
て微小空洞15を有しているので、赤外線検出部が、M
gO単結晶基板11の表層部に設けられた微小空洞15
を介して保持されている。これにより、NiCr薄膜か
らなる電極12bを介して受けた赤外線エネルギーを熱
に変換したものが放散しにくいので、焦電薄膜13が熱
エネルギーを効率よく吸収することが可能となり、応答
速度が速く、感度を良好にすることができる。また、エ
ッチング穴14で微小空洞15が開口されているため熱
が微小空洞15に蓄熱されず熱応答性を優れたものにす
ることができる。また、MgO単結晶基板11の一部領
域に微小空洞15が設けられた構造であるため、残りの
MgO単結晶基板がセンサー部の支持基板としてそのま
ま使用でき、素子の小型化が可能となる。また、本発明
の構造では、製造方法も単純化され、かつ、しっかりと
した基板で保持するので、信頼性の高い検出素子が形成
される。
【0014】また、本発明の製造方法によれば、基板と
して用いたMgO単結晶基板11のエッチング液に燐酸
を用いることで、赤外線検出部の直下にあるMgO単結
晶基板11の必要な領域のみを短時間で取り除くことが
でき、効率よくMgO単結晶基板11の表層部に微小空
洞15を形成できる。さらに、赤外線検出素子をライン
化、二次元化する場合、素子間にエッチング穴14を配
置するので、熱的なクロストークを抑制することができ
る。
【0015】このように本実施例によれば、赤外線検出
部における熱応答性を向上させるために、赤外線検出部
と基板との接触面積を縮小させて熱容量を減少させて
も、赤外線検出部を構成する焦電薄膜やポリイミド系樹
脂の内部応力によって、焦電薄膜に歪、断線、破壊を生
じさせず、かつ基板開口部上での保持を容易にし、焦電
薄膜の信頼性を向上させるとともに、さらに赤外線検出
部の小型・薄型化、工程の簡素化を向上させることがで
きるものである。
【0016】多くの場合、一個ずつの素子を単独に製造
するのでなく、多数を縦横に並べた集合基板により製造
を行う。この時、ほぼ出来上がった素子を一個ずつに切
断するのに、きれいに割れやすいので(010)面と
(001)面とで縦と横に分割する方法がとられる。本
発明の素子を、このように分割した時は四隅が広く使え
るので、この四隅にワイヤーボンド用のパッドを配置す
ると、パッドの下部が丈夫であるので、壊れにくい。
【0017】(実施例2)以下、本発明の第二の実施例
について図面を参照しながら説明する。図3(a)及び
(b)は本発明の第二の実施例における焦電型赤外線検
出素子を示す平面図及び断面図である。図3において、
21は基板、22a,22bは電極、23は焦電薄膜、
以上は図1の構成及び製造方法も本発明の第一の実施例
で示したものと同様である。図1の構成及び製造方法と
異なるのは赤外線検出部の内部中心に一個のエッチング
穴24を設けた構成になっている点である。
【0018】上記のように構成された焦電型赤外線検出
素子について、以下その特性について説明する。エッチ
ング穴24を、赤外線検出部の内部中心に設けたことに
より、エッチングにより広がる微小空洞の大きさは方形
の赤外線検出部より、ひとまわり大きいところでエッチ
ングを終了させることにより、全体の素子の小型化が可
能となり、生産性を向上させることができるものであ
る。
【0019】(実施例3)以下、本発明の第三の実施例
について図面を参照しながら説明する。図4(a)及び
(b)は本発明の第三の実施例における焦電型赤外線検
出素子を示す平面図及び断面図である。図4において、
31は基板、32a,32bは電極、33は焦電薄膜、
以上は図1の構成及び製造方法も本発明の第一の実施例
で示したものと同様である。図1の構成及び製造方法と
異なるのは赤外線検出部の内部に(010)面に対して
略45°の線を一辺とする方形の各角部分に設けた4個
のエッチング穴34を設けた構成になっている点であ
る。
【0020】上記のように構成された焦電型赤外線検出
素子について、以下その特性について説明する。エッチ
ング穴34を、赤外線検出部の内部中心に複数個設けた
ことにより、エッチング穴34から赤外線検出部までの
エッチング到達距離が短くなり、エッチングの工程時間
を短縮し、生産性を向上させるとともに、エッチング穴
34により、赤外線検出部から基板への熱伝導もより抑
制させることもできる。このように本実施例によれば、
ポリイミド系樹脂を介して熱的なクロストークを起こす
ことがなく、焦電薄膜の熱応答性を向上させるととも
に、エッチングの工程時間を短縮し、生産性を向上させ
ることができるものである。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、空洞が最
小限で済み、空洞の上の断熱エリアに効率的に焦電薄膜
を設置できるので、赤外線検出部を構成する焦電薄膜や
ポリイミド系樹脂の内部応力によって、焦電薄膜に歪、
断線、破壊を生じさせず、かつ基板開口部上での保持を
容易にし、焦電薄膜の信頼性を向上させるとともに、赤
外線検出素子のライン化、二次元化を図っても、ポリイ
ミド系樹脂を介して熱的なクロストークを起こすことが
なく、焦電薄膜の熱応答性を向上させ、さらに赤外線検
出部の小型・薄型化、工程の簡素化を図ることができる
ものである。
【0022】エッチング穴を45°の線上に並べるの
は、2つ以上の空洞を効率的に連結させる為の最適の配
置である為である。このような空洞は、その端辺部分は
(010)面に対しやはり45°をなすので、この端部
ぎりぎりまで焦電体を設置したい時には、焦電体の外周
の辺も、当然45°の角度をなすものが好ましい。
【0023】また、実施例に示したように、焦電体のパ
ターンエリアは、穴と穴の間のみに限定する必要はな
く、外周部分が穴から外側に広がっていても、空洞の上
である限り、効果は同様である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例における焦電型赤外線検
出素子の平面と断面を示す説明図
【図2】本発明の第一の実施例における焦電型赤外線検
出素子の製造工程図
【図3】本発明の第二の実施例における焦電型赤外線検
出素子の平面と断面を示す説明図
【図4】本発明の第三の実施例における焦電型赤外線検
出素子の平面と断面を示す説明図
【図5】立方晶の単結晶基板の斜視図
【図6】従来の焦電型赤外線検出素子の平面と断面を示
す説明図
【図7】従来の焦電型赤外線検出素子の製造工程図
【符号の説明】
11 基板 12a 電極 13 焦電薄膜 14 エッチング穴 15 空洞

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面が(100)面の立方晶の単結晶か
    らなる基板と、 この表面上にあり(010)面に対して略45°の線上
    に並んだ複数の穴と前記基板上にあり前記穴と穴の間に
    設けた焦電体と、 この焦電体と前記穴との下部に設けた空洞とからなる焦
    電型赤外線検出素子。
  2. 【請求項2】 表面が(100)面の立方晶の単結晶か
    らなる基板と、 この表面上にあり(010)面に対して略45°の線を
    一辺とする方形の各角部分に設けた穴と前記基板上にあ
    り前記方形の中央部に設けた焦電体と、 この焦電体と前記穴との下部に設けた空洞とからなる焦
    電型赤外線検出素子。
  3. 【請求項3】 表面が(100)面の立方晶の単結晶か
    らなる基板と、 この表面上にある穴と、 この穴の周囲にあり外周の辺が(010)面に対して略
    45°の線上にある焦電体とこの焦電体と前記穴との下
    部に設けた空洞とからなる焦電型赤外線検出素子。
  4. 【請求項4】 基板の材質が酸化マグネシウムである請
    求項1または2または3記載の焦電型赤外線検出素子。
  5. 【請求項5】 表面が(100)面の立方晶の単結晶か
    らなる基板の表面に電極と焦電体膜を設け、 前記基板表面上に、前記焦電体を挟み(010)面に対
    して略45°の線上に複数の穴を設け、 この穴に基板材質のエッチング液を注入して基板に空洞
    を設ける焦電型赤外線検出素子の製造方法。
  6. 【請求項6】 表面が(100)面の立方晶の単結晶か
    らなる基板の表面に電極と焦電体膜を設け、 前記基板上に、前記焦電体を中心として、(010)面
    に対して略45°の線を一辺とする方形の各角部分に穴
    を設け、 この穴に基板材質のエッチング液を注入して基板に空洞
    を設ける焦電型赤外線検出素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 表面が(100)面の立方晶の単結晶か
    らなる基板の表面に、電極と外周の辺が(010)面に
    対して略45°の線上にある方形の焦電体を設け、 この焦電体の中央部分に穴を設け、 この穴に基板材質のエッチング液を注入して基板に空洞
    を設ける焦電型赤外線検出素子の製造方法。
  8. 【請求項8】 基板材質が酸化マグネシウムであって、
    エッチング液の主成分が燐酸である請求項5または6ま
    たは7記載の焦電型赤外線検出素子の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011013224A (ja) * 2010-08-06 2011-01-20 Hochiki Corp 赤外線検出素子の製造方法
DE102004032718B4 (de) * 2004-07-07 2014-07-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensor-Einrichtung zum Detektieren einer Strahlung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004032718B4 (de) * 2004-07-07 2014-07-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensor-Einrichtung zum Detektieren einer Strahlung
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