JPH08143861A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JPH08143861A
JPH08143861A JP6291221A JP29122194A JPH08143861A JP H08143861 A JPH08143861 A JP H08143861A JP 6291221 A JP6291221 A JP 6291221A JP 29122194 A JP29122194 A JP 29122194A JP H08143861 A JPH08143861 A JP H08143861A
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JP
Japan
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group
light emitting
carbazolyl
hydrogen
substituent selected
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Application number
JP6291221A
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English (en)
Inventor
Toru Kohama
亨 小濱
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電気エネルギーの利用効率の高い高輝度発光素
子を提供する。 【構成】正極と負極の間に発光を司る物質が存在し、電
気エネルギーにより発光する素子において、該素子が、
カルバゾリル基を有するエチレン化合物を含むことを特
徴とする発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気エネルギーを光に
変換できる素子であって、表示素子、フラットパネルデ
ィスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、
看板、電子写真機などの分野に好適に利用可能な発光素
子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電気エネルギーを光に変換する素子は古
来より多くの技術が研究、実用化され我々の生活になく
てはならない技術となっている。代表的な発光素子には
白熱球、ハロゲンランプ、蛍光灯、発光ダイオード(L
ED)、エレクトロルミネッセンス(EL)などがあ
り、照明、インテリア、表示デバイスなど多くの分野に
応用されている。近年、フラットパネルディスプレイ
(FPD)はブラウン管(CRT)に代わる薄型ディス
プレイとして注目を集めており、多くの技術が研究さ
れ、液晶ディスプレイなど幾つかは既に実用レベルにあ
る。FPD分野では高い表示品位を維持しながらデバイ
スが薄型・軽量であることが重要視される。
【0003】この要求を満たすものとして、無機半導体
材料のZnS、CaS、SrSなどに発光中心であるM
nやEu、Ce、Tb、Smなどの希土類元素をドープ
した無機EL素子が一般的に知られている。この素子
は、自己発光素子で液晶ディスプレイのように背面から
光線で照らす必要がなく、また視野角の依存性もないと
いう優れた特性を持っているが、交流駆動が必要で、駆
動電圧も100V程度と高い割りに輝度が低く、湿度に
よる素子の劣化などにより短寿命であることが指摘され
ている。また、高輝度の青色発光ができないこともカラ
ー表示ディスプレイとしての展開を困難にしている。
【0004】一方、陰極から注入された電子と陽極から
注入された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
する際に発光するという、有機積層薄膜発光素子の研究
が近年活発に行われるようになってきた。この素子は、
薄型、低駆動電圧下での高輝度発光や蛍光材料を選ぶこ
とによる多色発光が特徴であり、注目を集めている。こ
の研究は、コダック社のC.W.Tangらが有機積層
薄膜素子が高輝度に発光することを示して以来(App
l.Phys.Lett.51(12)21,p.91
3,1987)、多くの研究機関が検討を行っている。
コダック社の研究グループが提示した有機積層薄膜発光
素子の代表的な構成は、ITOガラス基板上に正孔輸送
性のジアミン化合物、発光層である8−ヒドロキシキノ
リンアルミニウム、そして陰極としてMg:Agを順次
設けたものであり、10V程度の駆動電圧で1000c
d/m2 の緑色発光が可能であった。現在の有機積層薄
膜発光素子は、上記の素子構成要素の他に、電子輸送層
を設けているものなど構成を変えているものもあるが、
基本的にはコダック社の構成を踏襲している。だが、素
子特性は材料に依存する点が大きく、そのために様々な
物質が検討されている。
【0005】有機積層薄膜発光素子材料については、次
世代表示デバイス研究会編集の「有機EL素子開発戦
略」(サイエンスフォーラム社、1992年発行)の中
に記載がある。これによると発光層材料には蛍光体が用
いられる。正孔輸送層から注入された正孔と陰極から注
入された電子が発光層内で再結合し、この時に蛍光体を
励起して発光が起こる。従って、発光層材料には蛍光性
の他にキャリア輸送能力も要求される。例えば、前述の
Tang等の素子に用いられている8−ヒドロキシキノ
リンアルミニウムは電子輸送性を持っていることが知ら
れている。一般に発光層が電子輸送性を持つ場合には、
透明電極(正極)と発光層の間に正孔輸送層を、発光層
が正孔輸送性を持つ場合には、背面電極(負極)と発光
層の間に電子輸送層を設ける事が有効であり、電子と正
孔の両キャリアを対等に輸送する材料を用いた場合には
発光層を正孔輸送層と電子輸送層で挟み込むことが有効
であると言われている。蛍光体の量子効率は、高い方が
高強度の発光が得られると考えられるが、実際には濃度
消光が起こり、それ自体を発光材料として利用すること
は困難である。しかし、Tang等はクマリンの様な蛍
光量子効率の高い色素を8−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム発光層の中に微量ドーピングすることにより、ホ
スト分子からのエネルギー移動が起こって素子の発光効
率を向上させたり、発光波長をシフトさせて多色発光が
可能になることを確認している(J.Appl.Phy
s.65(9)p.3610,1989)。その他に
も、蒸着などによる成膜性が良いことや発光時における
熱的、化学的安定性も必要であることが指摘されてい
る。この様な要求を満たす発光層材料としてπ共役系化
合物が多く用いられる。具体的には、以前から発光体と
して知られていたアントラセンやピレン、そして前述の
8−ヒドロキシキノリンアルミニウムの他にも、例え
ば、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール
誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チ
アジアゾロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェ
ニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そ
して、ポリチオフェン誘導体などが知られており、発光
の多色化が可能になっている。また、発光層に添加する
ドーパントとしては、ルブレン、キナクリドン誘導体、
フェノキサゾン660、DCM1、ペリノン、ペリレ
ン、クマリン540などが知られており、発光効率の向
上や発光の多色化が可能になっている。
【0006】電極も素子特性を決める大きな役割を持っ
ている。本素子は発光素子であることから、陰極または
陽極のどちらか一方は、透明でないといけないという制
約がある。殆どの場合陽極に透明材料を用いており、I
TO、ネサガラスなどが代表的であるが、薄く蒸着した
金なども使用されており、光の透過を著しく損なわない
電極であれば使用できる。但し、陽極の表面状態は非常
に綺麗にしておくことが要求され、例えばITOガラス
基板の洗浄などは素子特性に大きく影響することが指摘
されている。陰極はマグネシウムや銀など、多くの場合
不透明な材料を蒸着している。陰極材料は上記以外に
は、アルミニウム、金、インジウムなども知られている
が、電子の注入を容易にするために低仕事関数金属が用
いられ、その意味ではアルカリ金属などが有効であるこ
とが期待できるが、金属の安定性などを考慮して、現在
でもマグネシウムまたはその合金が多く用いられてい
る。
【0007】キャリア輸送材料については、対電力発光
効率向上には高キャリア輸送能力が必要であり、励起子
の発光層への閉じ込めとキャリア注入効率向上に関して
は、適切な電子準位材料の選択が有効である。さらに電
気エネルギーを効率的に光に変換するために、発光層と
の界面でエキサイプレックスを形成しないことも重要で
あることが示されている。膜厚や膜形成能なども実際の
素子作製において大切な要件となる。キャリア輸送材料
には電子輸送材料と正孔輸送材料が含まれる。電子輸送
材料については、具体的にオキサジアゾール誘導体や8
−ヒドロキシキノリンアルミニウムなどが知られている
が、あまり多くの知見がなく検討の余地が残されてお
り、素材の選択によって正孔のブロッキングと電子の注
入効率を向上させることができれば、非常に高性能の素
子を作ることが可能である。一方、正孔輸送材料として
は、具体的にヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合
物、トリフェニルアミン系化合物、オキサジアゾール誘
導体やフタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物
が示されている。しかし、耐熱性が充分でないことや結
晶化による界面の乱れなど、抱える問題は依然として多
い。また、ポリマー系においても研究が重ねられ、前記
単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが示され
ている。高分子量体は素子の耐久性の面から他のモノマ
ー系正孔輸送材料と比べて優れており、中でもポリビニ
ルカルバゾールは溶液コーティングから容易に薄膜が形
成され、しかもカルバゾリル骨格を含むことから、他の
高分子量体に比べて優れた特性を示す。しかし、ポリビ
ニルカルバゾールのキャリア移動度はその構造によりト
ラップが生じるため、他のモノマー系正孔輸送材料に比
べて低い値しか示さない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の技
術における有機積層薄膜発光素子においては発光効率が
低く、耐久性も低いため、高キャリア輸送能力を有し、
成膜性が良く、発光時における熱的、化学的安定性を兼
ね備えた材料が望まれている。
【0009】本発明は、かかる問題を解決し、低電圧、
低電流下でも高輝度発光が可能で、高耐久性の素子を提
供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するためのものであり、「正極と負極の間に発光を司る
物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子にお
いて、該素子が、カルバゾリル基を有するエチレン化合
物を含むことを特徴とする発光素子」に関するものであ
る本発明において正極は、光を取り出すために透明であ
れば酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム(IT
O)などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム
などの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、
ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導
電性ポリマなど特に限定されるものでないが、ITOガ
ラスやネサガラスを用いることが特に望ましい。透明電
極の抵抗は素子の発光に十分な電流が供給できればよい
ので限定されないが、素子の消費電力の観点からは低抵
抗であることが望ましい。例えば300Ω/m2 下のI
TO基板であれば素子電極として機能するが、現在では
10Ω/m2 程度の基板の供給も可能になっていること
から、低抵抗品を使用することが特に望ましい。ITO
の厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通
常1000〜3000オングストロームの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.7
mm以上あることが好ましい。ガラスの材質について
は、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無ア
ルカリガラスの方が好ましいが、SiO2 などのバリア
コートを施したソーダライムガラスも市販されているの
でこれを使用できる。ITO膜形成方法は、電子ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。
【0011】負極は、電子を効率よく発光を司る物質ま
たは発光を司る物質に隣接する物質(例えば電子輸送
層)に供給させなくてはならないので、電極と隣接する
物質との密着性、エネルギーレベルの調整などが必要に
なってくる。また、長期間の使用に対して安定な性能を
維持するために大気中でも比較的安定な材料を使用する
ことが特に望ましいが、保護膜などを使用することも可
能であることから、これに限定されるものではない。具
体的にはインジウム、金、銀、アルミニウム、鉛、マグ
ネシウム、ランタン、ユーロピウム、イッテルビウムな
どの金属や希土類単体、アルカリ金属、あるいはこれら
の合金などを用いることが可能であるが、電極の安定性
と素子特性を考慮するとマグネシウムまたは、その合金
(例えば銀との)を用いることが望ましい。電極の作製
には、抵抗加熱法、電子ビーム法、スパッタリング法、
コーティング法などが用いられ、金属を単体で蒸着する
ことも2成分以上を同時に蒸着することもできる。特に
合金形成のためには複数の金属を同時に蒸着すれば容易
に合金電極を形成することが可能である。
【0012】発光を司る物質は、1)正孔輸送層/発光
層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、3)発光層
/電子輸送層、そして、4)以上の組合わせ物質を一層
に混合した形態のいずれであってもよい。即ち、素子構
成としては、上記1)〜3)の多層積層構造の他に4)
のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送材料お
よび/または電子輸送材料を含む層を一層設けるだけで
もよいが、これら発光を司る物質がカルバゾリル基を有
するエチレン化合物を含んでいることが必要である。中
でもカルバゾリル基を有するエチレン化合物には本質的
に正孔輸送能があるので、正孔輸送物質として使用する
ことが好ましいがこれに限定されるものではない。
【0013】本発明におけるカルバゾリル基を有するエ
チレン化合物は、正孔輸送能を持つカルバゾリル基を共
役性のエチレン鎖を介して結合することで、高キャリア
輸送能力を有し、かつ成膜性が良く、発光時における熱
的、化学的安定性を兼ね備えることができた。カルバゾ
リル基を有するエチレン化合物としては、例えば、次の
一般式で示される化合物が好ましく用いられる。
【0014】
【化5】 また、カルバゾリル基は3位の反応性が高いので、(3-
カルバゾリル)エチレン化合物を用いるのが好ましい。
また、正孔輸送能はカルバゾリル基に依存するので、正
孔輸送能を有するカルバゾリル基を2つ持つジ(3-カル
バゾリル)エチレン化合物を用いるのが好ましく、さら
に正孔輸送能を有するカルバゾリル基を4つ持つテトラ
(3-カルバゾリル)エチレン化合物を使用することがよ
り好ましい。ジ(3- カルバゾリル)エチレン化合物、テ
トラ(3- カルバゾリル)エチレン化合物としては、例え
ば、次の一般式で示される化合物などが挙げられる。
【0015】
【化6】 (ただし上式において、Rは、水素、アルキル基、アラ
ルキル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ば
れる置換基を表し、さらに、R ’は水素、アルキル基、
アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、アシル基、ヒドロキシ
ル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも1種類
の置換基を表わす。R ”は、水素、アルキル基、アラル
キル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ばれ
る置換基を表す。また、幾何異性体も含まれる。)
【化7】 (ただし上式において、Rは、水素、アルキル基、アラ
ルキル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ば
れる置換基を表し、さらに、R ’は、水素、アルキル
基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、アシル基、ヒドロ
キシル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも1
種類の置換基を表わす。R ”は、水素、アルキル基、ア
ラルキル基、アリール基およびシクロアルキル基から選
ばれる置換基を表す。)
【化8】 (ただし上式において、Rは、水素、アルキル基、アラ
ルキル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ば
れる置換基を表し、さらにR ’は、水素、アルキル基、
アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、アシル基、ヒドロキシ
ル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも1種類
の置換基を表わす。) さらに、カルバゾリル基を有するエチレン化合物の代表
的な構造式を挙げるが、本発明はこれに限定されるもの
ではない。
【0016】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【化13】
【化14】
【化15】
【化16】 また、カルバゾリル基を有するエチレン化合物は、カル
バゾリルカルボニル化合物や、カルバゾールまたはカル
バゾール誘導体を塩化スズなどのルイス酸と塩化オキサ
リルで反応させて得られたビスカルバゾリルケトンに、
ジフェニルメチルリチウムを反応させたり、四塩化チタ
ンと亜鉛でカップリングさせて合成する(例えば、特開
平2−207262号に記載の方法)ことができるがこ
れに限定されるものではない。
【0017】カルバゾリル基を有するエチレン化合物は
スピンコート、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着
などにより成膜し、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送
材料として用いることが可能である。また、正孔輸送材
料、発光材料、電子輸送材料として混合して用いること
もできる。
【0018】また、本化合物は正孔輸送材料として用い
た場合、単独でも用いられるが、N,N´−ジフェニル
−N,N´−ジ(3−メチルフェニル)−4,4´−ジ
アミンなどのトリフェニルアミン類、N−イソプロピル
カルバゾールなどの3級アミン類、ピラゾリン誘導体、
スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジア
ゾール誘導体やフタロシアニン誘導体に代表される複素
環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポ
リカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾ
ール、ポリシランなどと共に用いたり、高分子結着剤中
に、単独または上記化合物と共に分散させて使用するこ
とも可能である。
【0019】発光層材料は特に限定されるものではない
が、主に以前から発光体として知られていたアントラセ
ンやピレン、そして前述の8−ヒドロキシキノリンアル
ミニウムの他にも、例えば、ビススチリルアントラセン
誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘
導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘
導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロ
ペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジ
アゾロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレ
ンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そし
て、ポリチオフェン誘導体などが使用できる。また発光
層に添加するドーパントとしては、前述のルブレン、キ
ナクリドン誘導体、フェノキサゾン660、DCM1、
ペリノン、ペリレン、クマリン540などがそのまま使
用できる。
【0020】電子輸送性物質としては、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率良く輸送するこ
とが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効
率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和
力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性
に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に
発生しにくい物質であることが要求される。このような
条件を満たす物質として、オキサジアゾール誘導体や8
−ヒドロキシキノリンアルミニウムなどがあるが特に限
定されるものではない。
【0021】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
【0022】発光を司る物質の形成方法は、抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法など特に限定されるものではないが、通常
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好まし
い。層の厚みは、発光を司る物質の抵抗値にもよるので
限定することはできないが、経験的には100〜100
00オングストロームの間から選ばれる。例えば、正孔
輸送層にポリビニルカルバゾールを用い、発光層に8−
ヒドロキシキノリンアルミニウムを用いた場合の各層の
膜厚は、ポリビニルカルバゾールの厚みが、100〜7
00オングストロームが好ましく、200〜500オン
グストロームがより好ましい。そして8−ヒドロキシキ
ノリンアルミニウムの膜厚は、200〜2000オング
ストロームが好ましく、500〜1200オングストロ
ームがより好ましい。
【0023】本発明における電気エネルギーとは主に直
流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも
可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、
素子の消費電力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネ
ルギーで最大の輝度が得られるようにするべきである。
【0024】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【0025】実施例1 ITO透明導電膜を1500オングストローム堆積させ
たガラス基板(15Ω/m2 )を所定の大きさに切断、
エッチング後、洗浄を行った。これを真空蒸着装置内に
設置して、装置内の真空度が5×10-6Torr以下に
なるまで排気した。まず、下記化合物(A−1)を50
0オングストローム蒸着し、8−ヒドロキシキノリンア
ルミニウムを1000オングストロームの厚さに蒸着し
た。次にマグネシウムを500オングストローム、銀を
1500オングストローム蒸着して5×5mm角の素子
を作製した。この発光素子の最高輝度は、5160cd
/m2 (17.2V,150mA)であった。
【0026】
【化17】 実施例2 実施例1において化合物(A−1)の代わりに下記化合
物(A−2)を用いた以外は全く同様にして得られた素
子の最高輝度は、4030cd/m2 (16.8V,1
20mA)であった。
【0027】
【化18】 比較例1 実施例1において化合物(A−1)の代わりにトリフェ
ニルジアミン化合物(TPD)を用いた以外は全く同様
にして得られた素子の最高輝度は、1450cd/m2
(12.1V,60mA)であった。
【0028】実施例3 ITO透明導電膜を1500オングストローム堆積させ
たガラス基板(15Ω/m2 )を所定の大きさに切断、
エッチング後、洗浄を行った。基板をスピンコーターに
セットし、化合物(A−1)50重量部をポリメチルメ
タクリレート50重量部にジクロロエタンを用いて分散
させた溶液を用いて回転数5000rpmで500オン
グストローム厚となるようにスピンコートした。これを
真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10
-6Torr以下になるまで排気した。8−ヒドロキシキ
ノリンアルミニウムを1000オングストロームの厚さ
に蒸着した。次にマグネシウムを500オングストロー
ム、銀を1500オングストローム蒸着して5×5mm
角の素子を作製した。この発光素子の最高輝度は、69
70cd/m2 (20.5V,170mA)であった。
【0029】実施例4 実施例3において化合物(A−1)の代わりに下記化合
物(A−3)を用いた以外は全く同様にして得られた素
子の最高輝度は、5490cd/m2 (19.6V,1
40mA)であった。
【0030】
【化19】 比較例2 実施例3において化合物(A−1)の代わりにポリビニ
ルカルバゾールを用いた以外は全く同様にして得られた
素子の最高輝度は、3820cd/m2 (21.3V,
180mA)であった。
【0031】
【発明の効果】本発明は、電気エネルギーの利用効率が
高く、耐久性の向上した高輝度発光素子を提供できるも
のである。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
    し、電気エネルギーにより発光する素子において、該素
    子が、カルバゾリル基を有するエチレン化合物を含むこ
    とを特徴とする発光素子。
  2. 【請求項2】該カルバゾリル基を有するエチレン化合物
    が、下記一般式で表される化合物であることを特徴とす
    る請求項1記載の発光素子。 【化1】 (ただし上式において、Aの内の少なくとも1つはカル
    バゾリル基を表わし、それ以外は水素、アルキル基、ア
    ラルキル基、アリール基およびシクロアルキル基から選
    ばれる置換基を表す。カルバゾリル基Aにおいて、R
    は、水素、アルキル基、アラルキル基、カルバモイル
    基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリール基お
    よびシクロアルキル基から選ばれる置換基を表す。さら
    に、R ’の内の1つはエチレンとの結合を表わし、それ
    以外は水素、アルキル基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ
    基、アシル基、ヒドロキシル基およびアルコキシ基から
    選ばれる少なくとも1種類の置換基を表わす。)
  3. 【請求項3】該カルバゾリル基を有するエチレン化合物
    が下記一般式で表される、ジ(3-カルバゾリル)エチレ
    ン化合物であることを特徴とする請求項1記載の発光素
    子。 【化2】 (ただし上式において、Rは、水素、アルキル基、アラ
    ルキル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカル
    ボニル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ば
    れる置換基を表し、さらに、R ’は水素、アルキル基、
    アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、アシル基、ヒドロキシ
    ル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも1種類
    の置換基を表わす。R ”は、水素、アルキル基、アラル
    キル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ばれ
    る置換基を表す。また、幾何異性体も含まれる。)
  4. 【請求項4】該カルバゾリル基を有するエチレン化合物
    が、下記一般式で表される、ジ(3-カルバゾリル)エチ
    レン化合物であることを特徴とする請求項1記載の発光
    素子。 【化3】 (ただし上式において、Rは、水素、アルキル基、アラ
    ルキル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカル
    ボニル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ば
    れる置換基を表し、さらに、R ’は、水素、アルキル
    基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、アシル基、ヒドロ
    キシル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも1
    種類の置換基を表わす。R ”は、水素、アルキル基、ア
    ラルキル基、アリール基およびシクロアルキル基から選
    ばれる置換基を表す。)
  5. 【請求項5】該カルバゾリル基を有するエチレン化合物
    が下記一般式で表される、テトラ(3-カルバゾリル)エ
    チレン化合物であることを特徴とする請求項1記載の発
    光素子。 【化4】 (ただし上式において、Rは、水素、アルキル基、アラ
    ルキル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカル
    ボニル基、アリール基およびシクロアルキル基から選ば
    れる置換基を表し、さらにR ’は、水素、アルキル基、
    アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、アシル基、ヒドロキシ
    ル基およびアルコキシ基から選ばれる少なくとも1種類
    の置換基を表わす。)
  6. 【請求項6】該発光を司る物質が正孔輸送層および発光
    層からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1
    項に記載の発光素子。
  7. 【請求項7】該発光を司る物質が正孔輸送層、電子輸送
    層および発光層からなることを特徴とする請求項1〜5
    のいずれか1項に記載の発光素子。
  8. 【請求項8】請求項1記載の発光素子を用いた表示素
    子。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133075A (ja) * 2001-07-25 2003-05-09 Toray Ind Inc 発光素子
JP2004079265A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2012528852A (ja) * 2009-06-02 2012-11-15 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド 新規有機電界発光化合物およびこれを使用する有機電界発光素子
US9543530B2 (en) 2010-05-03 2017-01-10 Cheil Industries, Inc. Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same and display including the organic light emitting diode

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