JPH08143536A - 置換ベンゼンカルボン酸誘導体およびその製造法 - Google Patents
置換ベンゼンカルボン酸誘導体およびその製造法Info
- Publication number
- JPH08143536A JPH08143536A JP28093994A JP28093994A JPH08143536A JP H08143536 A JPH08143536 A JP H08143536A JP 28093994 A JP28093994 A JP 28093994A JP 28093994 A JP28093994 A JP 28093994A JP H08143536 A JPH08143536 A JP H08143536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- fluoro
- formula
- lower alkyl
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式［Ｉ］
【化１】
で示される新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導体、およ
び、一般式［ＩＩ］ 【化２】 で示される置換安息香酸誘導体と一般式［ＩＩＩ］ 【化３】 で示されるハロ酢酸エステル誘導体とを塩基の存在下、
反応させることによる一般式［Ｉ］で示される新規な置
換ベンゼンカルボン酸誘導体の製造法。。 【効果】 一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボ
ン酸誘導体は、農薬、医薬など、例えば、除草剤として
有用な化合物であるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒ
ドロフタラミン酸誘導体などの中間体として有用な化合
物であり、また、本発明の製造法により、その一般式
［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸誘導体を容易
に製造することができる。
び、一般式［ＩＩ］ 【化２】 で示される置換安息香酸誘導体と一般式［ＩＩＩ］ 【化３】 で示されるハロ酢酸エステル誘導体とを塩基の存在下、
反応させることによる一般式［Ｉ］で示される新規な置
換ベンゼンカルボン酸誘導体の製造法。。 【効果】 一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボ
ン酸誘導体は、農薬、医薬など、例えば、除草剤として
有用な化合物であるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒ
ドロフタラミン酸誘導体などの中間体として有用な化合
物であり、また、本発明の製造法により、その一般式
［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸誘導体を容易
に製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式［Ｉ］
【０００２】
【化５】
【０００３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体およびその製造法に関するものである。
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体およびその製造法に関するものである。
【０００４】本発明の一般式［Ｉ］で示される新規な置
換ベンゼンカルボン酸誘導体は、医薬、農薬などの製造
中間体、例えば、優れた除草活性を有する一般式［ＸＩ
ＩＩ］
換ベンゼンカルボン酸誘導体は、医薬、農薬などの製造
中間体、例えば、優れた除草活性を有する一般式［ＸＩ
ＩＩ］
【０００５】
【化６】
【０００６】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わし、Ｒ3は低級アルコキ
シ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ
基、低級アルコキシアルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアルコキシ基を表わす。］で示されるＮ−ア
シル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体な
どの製造中間体として有用な化合物である。
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わし、Ｒ3は低級アルコキ
シ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ
基、低級アルコキシアルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアルコキシ基を表わす。］で示されるＮ−ア
シル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体な
どの製造中間体として有用な化合物である。
【０００７】
【従来技術】従来より、置換ベンゼンカルボン酸誘導体
は、数多く知られている。しかしながら、一般式［Ｉ］
で示される置換ベンゼンカルボン酸誘導体は、これまで
に知られておらず、新規な化合物である。
は、数多く知られている。しかしながら、一般式［Ｉ］
で示される置換ベンゼンカルボン酸誘導体は、これまで
に知られておらず、新規な化合物である。
【０００８】
【発明の開示】本発明者らは、鋭意、研究を重ねた結
果、一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸誘
導体が優れた除草活性を有する一般式［ＸＩＩＩ］で示
されるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミ
ン酸誘導体の製造中間体として有用な化合物であること
を見出し、さらには、本発明者らは、工業的にも有意性
のある一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体の新規な製造法について、鋭意、研究を重ねた結
果、一般式［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘導体と一
般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢酸エステル誘導体との
反応により、容易に一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼ
ンカルボン酸誘導体を製造することができることを見出
し、本発明を完成した。
果、一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸誘
導体が優れた除草活性を有する一般式［ＸＩＩＩ］で示
されるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミ
ン酸誘導体の製造中間体として有用な化合物であること
を見出し、さらには、本発明者らは、工業的にも有意性
のある一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体の新規な製造法について、鋭意、研究を重ねた結
果、一般式［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘導体と一
般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢酸エステル誘導体との
反応により、容易に一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼ
ンカルボン酸誘導体を製造することができることを見出
し、本発明を完成した。
【０００９】すなわち、本発明は、一般式［Ｉ］
【００１０】
【化７】
【００１１】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体、および、一般式［ＩＩ］
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体、および、一般式［ＩＩ］
【００１２】
【化８】
【００１３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ4
は低級アルキル基を表わす。］で示される置換安息香酸
誘導体と一般式［ＩＩＩ］
は低級アルキル基を表わす。］で示される置換安息香酸
誘導体と一般式［ＩＩＩ］
【００１４】
【化９】
【００１５】［式中、Ｈａｌ−は塩素原子または臭素原
子を表わし、Ｒ1は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は
水素原子または低級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級ア
ルキル基を表わす。）を表わす。］で示されるハロ酢酸
エステル誘導体とを塩基の存在下、反応させることを特
徴とする一般式［Ｉ］
子を表わし、Ｒ1は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は
水素原子または低級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級ア
ルキル基を表わす。）を表わす。］で示されるハロ酢酸
エステル誘導体とを塩基の存在下、反応させることを特
徴とする一般式［Ｉ］
【００１６】
【化１０】
【００１７】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体の製造法である。
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体の製造法である。
【００１８】本発明の化合物である一般式［Ｉ］で示さ
れる新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導体としては、例
えば、２，４−ジフルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−メ
トキシカルボニルメチルチオ安息香酸、４−ブロモ−２
−フルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−エトキシカルボニルメチ
ルチオ安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−エト
キシカルボニルメチルチオ安息香酸、４−ブロモ−２−
フルオロ−５−エトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−プロポキシカルボ
ニルメチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ
−５−（１−プロポキシカルボニルメチルチオ）安息香
酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−プロポキシ
カルボニルメチルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ
−５−イソプロポキシカルボニルメチルチオ安息香酸、
４−クロロ−２−フルオロ−５−イソプロポキシカルボ
ニルメチルチオ安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−
５−イソプロポキシカルボニルメチルチオ安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−（１−メトキシカルボニルエ
チルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−
（１−メトキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、４−
ブロモ−２−フルオロ−５−（１−メトキシカルボニル
エチルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１
−エトキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、４−クロ
ロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニルエチ
ルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−エトキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、２，
４−ジフルオロ−５−［１−（１−プロポキシカルボニ
ル）エチルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ
−５−［１−（１−プロポキシカルボニル）エチルチ
オ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−［１−
（１−プロポキシカルボニル）エチルチオ］安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−（１−イソプロポキシカルボ
ニルエチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ
−５−（１−イソプロポキシカルボニルエチルチオ）安
息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−イソプ
ロポキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、２，４−ジ
フルオロ−５−（１−メトキシカルボニルプロピルチ
オ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−（１−
メトキシカルボニルプロピルチオ）安息香酸、４−ブロ
モ−２−フルオロ−５−（１−メトキシカルボニルプロ
ピルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−
エトキシカルボニルプロピルチオ）安息香酸、４−クロ
ロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニルプロ
ピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−エトキシカルボニルプロピルチオ）安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−［１−（１−プロポキシカル
ボニル）プロピルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フ
ルオロ−５−［１−（１−プロポキシカルボニル）プロ
ピルチオ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）プロピルチオ］安
息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−イソプロポキ
シカルボニルプロピルチオ）安息香酸、４−クロロ−２
−フルオロ−５−（１−イソプロポキシカルボニルプロ
ピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−イソプロポキシカルボニルプロピルチオ）安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−メトキシカルボニ
ルブチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−
５−（１−メトキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、
４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−メトキシカルボ
ニルブチルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−
（１−エトキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、４−
クロロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニル
ブチルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５
−（１−エトキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−［１−（１−プロポキシカル
ボニル）ブチルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フル
オロ−５−［１−（１−プロポキシカルボニル）ブチル
チオ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−［１
−（１−プロポキシカルボニル）ブチルチオ］安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−イソプロポキシカ
ルボニルブチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フル
オロ−５−（１−イソプロポキシカルボニルブチルチ
オ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−
イソプロポキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、２，
４−ジフルオロ−５−（１−メトキシカルボニル−２−
メチルプロピルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フル
オロ−５−（１−メトキシカルボニル−２−メチルプロ
ピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−メトキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）
安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−エトキシカ
ルボニル−２−メチルプロピルチオ）安息香酸、４−ク
ロロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニル−
２−メチルプロピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−
フルオロ−５−（１−エトキシカルボニル−２−メチル
プロピルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）−２−メチルプロ
ピルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）−２−メチルプロ
ピルチオ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）−２−メチルプロ
ピルチオ］安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−
イソプロポキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）
安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−（１−イソ
プロポキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）安息
香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−イソプロ
ポキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）安息香酸
などを挙げることができる。
れる新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導体としては、例
えば、２，４−ジフルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−メ
トキシカルボニルメチルチオ安息香酸、４−ブロモ−２
−フルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−エトキシカルボニルメチ
ルチオ安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−エト
キシカルボニルメチルチオ安息香酸、４−ブロモ−２−
フルオロ−５−エトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−プロポキシカルボ
ニルメチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ
−５−（１−プロポキシカルボニルメチルチオ）安息香
酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−プロポキシ
カルボニルメチルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ
−５−イソプロポキシカルボニルメチルチオ安息香酸、
４−クロロ−２−フルオロ−５−イソプロポキシカルボ
ニルメチルチオ安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−
５−イソプロポキシカルボニルメチルチオ安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−（１−メトキシカルボニルエ
チルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−
（１−メトキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、４−
ブロモ−２−フルオロ−５−（１−メトキシカルボニル
エチルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１
−エトキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、４−クロ
ロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニルエチ
ルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−エトキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、２，
４−ジフルオロ−５−［１−（１−プロポキシカルボニ
ル）エチルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ
−５−［１−（１−プロポキシカルボニル）エチルチ
オ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−［１−
（１−プロポキシカルボニル）エチルチオ］安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−（１−イソプロポキシカルボ
ニルエチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ
−５−（１−イソプロポキシカルボニルエチルチオ）安
息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−イソプ
ロポキシカルボニルエチルチオ）安息香酸、２，４−ジ
フルオロ−５−（１−メトキシカルボニルプロピルチ
オ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−（１−
メトキシカルボニルプロピルチオ）安息香酸、４−ブロ
モ−２−フルオロ−５−（１−メトキシカルボニルプロ
ピルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−
エトキシカルボニルプロピルチオ）安息香酸、４−クロ
ロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニルプロ
ピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−エトキシカルボニルプロピルチオ）安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−［１−（１−プロポキシカル
ボニル）プロピルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フ
ルオロ−５−［１−（１−プロポキシカルボニル）プロ
ピルチオ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）プロピルチオ］安
息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−イソプロポキ
シカルボニルプロピルチオ）安息香酸、４−クロロ−２
−フルオロ−５−（１−イソプロポキシカルボニルプロ
ピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−イソプロポキシカルボニルプロピルチオ）安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−メトキシカルボニ
ルブチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−
５−（１−メトキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、
４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−メトキシカルボ
ニルブチルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−
（１−エトキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、４−
クロロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニル
ブチルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５
−（１−エトキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、
２，４−ジフルオロ−５−［１−（１−プロポキシカル
ボニル）ブチルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フル
オロ−５−［１−（１−プロポキシカルボニル）ブチル
チオ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−［１
−（１−プロポキシカルボニル）ブチルチオ］安息香
酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−イソプロポキシカ
ルボニルブチルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フル
オロ−５−（１−イソプロポキシカルボニルブチルチ
オ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−
イソプロポキシカルボニルブチルチオ）安息香酸、２，
４−ジフルオロ−５−（１−メトキシカルボニル−２−
メチルプロピルチオ）安息香酸、４−クロロ−２−フル
オロ−５−（１−メトキシカルボニル−２−メチルプロ
ピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
（１−メトキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）
安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−エトキシカ
ルボニル−２−メチルプロピルチオ）安息香酸、４−ク
ロロ−２−フルオロ−５−（１−エトキシカルボニル−
２−メチルプロピルチオ）安息香酸、４−ブロモ−２−
フルオロ−５−（１−エトキシカルボニル−２−メチル
プロピルチオ）安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）−２−メチルプロ
ピルチオ］安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）−２−メチルプロ
ピルチオ］安息香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−
［１−（１−プロポキシカルボニル）−２−メチルプロ
ピルチオ］安息香酸、２，４−ジフルオロ−５−（１−
イソプロポキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）
安息香酸、４−クロロ−２−フルオロ−５−（１−イソ
プロポキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）安息
香酸、４−ブロモ−２−フルオロ−５−（１−イソプロ
ポキシカルボニル−２−メチルプロピルチオ）安息香酸
などを挙げることができる。
【００１９】次に、本発明における一般式［Ｉ］で示さ
れる置換ベンゼンカルボン酸誘導体の製造法を詳細に説
明する。
れる置換ベンゼンカルボン酸誘導体の製造法を詳細に説
明する。
【００２０】
【化１１】
【００２１】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ4
は低級アルキル基を表わし、Ｈａｌ−は塩素原子または
臭素原子を表わし、Ｒ1は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、
Ｒ5は水素原子または低級アルキル基を表わし、Ｒ6は低
級アルキル基を表わす。）を表わす。］ 本発明の製造法においては、一般式［ＩＩ］で示される
置換安息香酸誘導体と一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ
酢酸エステル誘導体とを、無溶媒または適当な溶媒中、
塩基の存在下、１０分間〜１２時間反応させることによ
り、容易に本発明の化合物である一般式［Ｉ］で示され
る置換ベンゼンカルボン酸誘導体を製造することができ
る。
は低級アルキル基を表わし、Ｈａｌ−は塩素原子または
臭素原子を表わし、Ｒ1は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、
Ｒ5は水素原子または低級アルキル基を表わし、Ｒ6は低
級アルキル基を表わす。）を表わす。］ 本発明の製造法においては、一般式［ＩＩ］で示される
置換安息香酸誘導体と一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ
酢酸エステル誘導体とを、無溶媒または適当な溶媒中、
塩基の存在下、１０分間〜１２時間反応させることによ
り、容易に本発明の化合物である一般式［Ｉ］で示され
る置換ベンゼンカルボン酸誘導体を製造することができ
る。
【００２２】一般式［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘
導体としては、例えば、５−アセチルチオ−２，４−ジ
フルオロ安息香酸、５−アセチルチオ−２−フルオロ−
４−クロロ安息香酸、５−アセチルチオ−２−フルオロ
−４−ブロモ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２，４
−ジフルオロ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２−フ
ルオロ−４−クロロ安息香酸、５−プロピオニルチオ−
２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−ブチリルチオ
−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−ブチリルチオ−２
−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−ブチリルチオ−
２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−イソブチリル
チオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−イソブチリル
チオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−イソブ
チリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−
バレリルチオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−バレ
リルチオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−バ
レリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−
イソバレリルチオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−
イソバレリルチオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香
酸、５−イソバレリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ
安息香酸、５−ピバロイルチオ−２，４−ジフルオロ安
息香酸、５−ピバロイルチオ−２−フルオロ−４−クロ
ロ安息香酸、５−ピバロイルチオ−２−フルオロ−４−
ブロモ安息香酸、５−（２−メチルブタノイルチオ）−
２，４−ジフルオロ安息香酸、５−（２−メチルブタノ
イルチオ）−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−
（２−メチルブタノイルチオ）−２−フルオロ−４−ブ
ロモ安息香酸、５−ヘキサノイル−２，４−ジフルオロ
安息香酸、５−ヘキサノイル−２−フルオロ−４−クロ
ロ安息香酸、５−ヘキサノイル−２−フルオロ−４−ブ
ロモ安息香酸、５−（２−メチルヘプタノイル）−２，
４−ジフルオロ安息香酸、５−（２−メチルヘプタノイ
ル）−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（２−
メチルヘプタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息
香酸、５−（３−メチルヘプタノイル）−２，４−ジフ
ルオロ安息香酸、５−（３−メチルヘプタノイル）−２
−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（３−メチルヘ
プタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５
−（４−メチルヘプタノイル）−２，４−ジフルオロ安
息香酸、５−（４−メチルヘプタノイル）−２−フルオ
ロ−４−クロロ安息香酸、５−（４−メチルヘプタノイ
ル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−（２，
２−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフルオロ安息香
酸、５−（２，２−ジメチルブタノイル）−２−フルオ
ロ−４−クロロ安息香酸、５−（２，２−ジメチルブタ
ノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−
（２，３−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフルオロ
安息香酸、５−（２，３−ジメチルブタノイル）−２−
フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（２，３−ジメチ
ルブタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、
５−（３，３−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフル
オロ安息香酸、５−（３，３−ジメチルブタノイル）−
２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（３，３−ジ
メチルブタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香
酸などを挙げることができる。
導体としては、例えば、５−アセチルチオ−２，４−ジ
フルオロ安息香酸、５−アセチルチオ−２−フルオロ−
４−クロロ安息香酸、５−アセチルチオ−２−フルオロ
−４−ブロモ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２，４
−ジフルオロ安息香酸、５−プロピオニルチオ−２−フ
ルオロ−４−クロロ安息香酸、５−プロピオニルチオ−
２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−ブチリルチオ
−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−ブチリルチオ−２
−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−ブチリルチオ−
２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−イソブチリル
チオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−イソブチリル
チオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−イソブ
チリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−
バレリルチオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−バレ
リルチオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−バ
レリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−
イソバレリルチオ−２，４−ジフルオロ安息香酸、５−
イソバレリルチオ−２−フルオロ−４−クロロ安息香
酸、５−イソバレリルチオ−２−フルオロ−４−ブロモ
安息香酸、５−ピバロイルチオ−２，４−ジフルオロ安
息香酸、５−ピバロイルチオ−２−フルオロ−４−クロ
ロ安息香酸、５−ピバロイルチオ−２−フルオロ−４−
ブロモ安息香酸、５−（２−メチルブタノイルチオ）−
２，４−ジフルオロ安息香酸、５−（２−メチルブタノ
イルチオ）−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−
（２−メチルブタノイルチオ）−２−フルオロ−４−ブ
ロモ安息香酸、５−ヘキサノイル−２，４−ジフルオロ
安息香酸、５−ヘキサノイル−２−フルオロ−４−クロ
ロ安息香酸、５−ヘキサノイル−２−フルオロ−４−ブ
ロモ安息香酸、５−（２−メチルヘプタノイル）−２，
４−ジフルオロ安息香酸、５−（２−メチルヘプタノイ
ル）−２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（２−
メチルヘプタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息
香酸、５−（３−メチルヘプタノイル）−２，４−ジフ
ルオロ安息香酸、５−（３−メチルヘプタノイル）−２
−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（３−メチルヘ
プタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５
−（４−メチルヘプタノイル）−２，４−ジフルオロ安
息香酸、５−（４−メチルヘプタノイル）−２−フルオ
ロ−４−クロロ安息香酸、５−（４−メチルヘプタノイ
ル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−（２，
２−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフルオロ安息香
酸、５−（２，２−ジメチルブタノイル）−２−フルオ
ロ−４−クロロ安息香酸、５−（２，２−ジメチルブタ
ノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、５−
（２，３−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフルオロ
安息香酸、５−（２，３−ジメチルブタノイル）−２−
フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（２，３−ジメチ
ルブタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香酸、
５−（３，３−ジメチルブタノイル）−２，４−ジフル
オロ安息香酸、５−（３，３−ジメチルブタノイル）−
２−フルオロ−４−クロロ安息香酸、５−（３，３−ジ
メチルブタノイル）−２−フルオロ−４−ブロモ安息香
酸などを挙げることができる。
【００２３】また、一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢
酸エステル誘導体としては、例えば、ブロモ酢酸メチ
ル、クロロ酢酸メチル、ブロモ酢酸エチル、クロロ酢酸
エチル、ブロモ酢酸−１−プロピル、クロロ酢酸−１−
プロピル、ブロモ酢酸イソプロピル、クロロ酢酸イソプ
ロピル、ブロモプロピオン酸メチル、クロロプロピオン
酸メチル、ブロモプロピオン酸エチル、クロロプロピオ
ン酸エチル、ブロモプロピオン酸−１−プロピル、クロ
ロプロピオン酸−１−プロピル、ブロモプロピオン酸イ
ソプロピル、クロロプロピオン酸イソプロピル、ブロモ
酪酸メチル、クロロ酪酸メチル、ブロモ酪酸エチル、ク
ロロ酪酸エチル、ブロモ酪酸−１−プロピル、クロロ酪
酸−１−プロピル、ブロモ酪酸イソプロピル、クロロ酪
酸イソプロピル、ブロモイソ酪酸メチル、クロロイソ酪
酸メチル、ブロモイソ酪酸エチル、クロロイソ酪酸エチ
ル、ブロモイソ酪酸−１−プロピル、クロロイソ酪酸−
１−プロピル、ブロモイソ酪酸イソプロピル、クロロイ
ソ酪酸イソプロピルなどを挙げることができる。
酸エステル誘導体としては、例えば、ブロモ酢酸メチ
ル、クロロ酢酸メチル、ブロモ酢酸エチル、クロロ酢酸
エチル、ブロモ酢酸−１−プロピル、クロロ酢酸−１−
プロピル、ブロモ酢酸イソプロピル、クロロ酢酸イソプ
ロピル、ブロモプロピオン酸メチル、クロロプロピオン
酸メチル、ブロモプロピオン酸エチル、クロロプロピオ
ン酸エチル、ブロモプロピオン酸−１−プロピル、クロ
ロプロピオン酸−１−プロピル、ブロモプロピオン酸イ
ソプロピル、クロロプロピオン酸イソプロピル、ブロモ
酪酸メチル、クロロ酪酸メチル、ブロモ酪酸エチル、ク
ロロ酪酸エチル、ブロモ酪酸−１−プロピル、クロロ酪
酸−１−プロピル、ブロモ酪酸イソプロピル、クロロ酪
酸イソプロピル、ブロモイソ酪酸メチル、クロロイソ酪
酸メチル、ブロモイソ酪酸エチル、クロロイソ酪酸エチ
ル、ブロモイソ酪酸−１−プロピル、クロロイソ酪酸−
１−プロピル、ブロモイソ酪酸イソプロピル、クロロイ
ソ酪酸イソプロピルなどを挙げることができる。
【００２４】一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢酸エス
テル誘導体は、通常、一般式［ＩＩ］で示される置換安
息香酸誘導体１当量に対して、１当量以上、好ましくは
１．０当量〜２．０当量、さらに好ましくは１．０当量
〜１．５当量使用するのがよい。この範囲より少ない場
合には、未反応の一般式［ＩＩ］で示される置換安息香
酸誘導体が多量に残るため、収率低下の原因となり、経
済的に不利となり、また、未反応の一般式［ＩＩ］で示
される置換安息香酸誘導体の除去あるいは回収のために
後処理工程に負荷がかかるため、好ましくない。また、
この範囲より多く使用しても、目的とする一般式［Ｉ］
で示される置換ベンゼンカルボン酸誘導体の収量にほと
んど変化はなく、過剰に添加した一般式［ＩＩＩ］で示
されるハロ酢酸エステル誘導体が、未反応のまま、多量
に残るだけであり、経済的に不利となり、また、未反応
の一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢酸エステル誘導体
の除去あるいは回収のために後処理工程に負荷がかかる
ため、好ましくない。
テル誘導体は、通常、一般式［ＩＩ］で示される置換安
息香酸誘導体１当量に対して、１当量以上、好ましくは
１．０当量〜２．０当量、さらに好ましくは１．０当量
〜１．５当量使用するのがよい。この範囲より少ない場
合には、未反応の一般式［ＩＩ］で示される置換安息香
酸誘導体が多量に残るため、収率低下の原因となり、経
済的に不利となり、また、未反応の一般式［ＩＩ］で示
される置換安息香酸誘導体の除去あるいは回収のために
後処理工程に負荷がかかるため、好ましくない。また、
この範囲より多く使用しても、目的とする一般式［Ｉ］
で示される置換ベンゼンカルボン酸誘導体の収量にほと
んど変化はなく、過剰に添加した一般式［ＩＩＩ］で示
されるハロ酢酸エステル誘導体が、未反応のまま、多量
に残るだけであり、経済的に不利となり、また、未反応
の一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢酸エステル誘導体
の除去あるいは回収のために後処理工程に負荷がかかる
ため、好ましくない。
【００２５】反応は、無溶媒で行ってもよいし、また、
溶媒を使用して行ってもよい。溶媒を使用する場合、溶
媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素類、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、ジ
クロロエタン（ＥＤＣ）、クロロベンゼンなどのハロゲ
ン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エチレングリコールジメチ
ルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、アセ
トニトリルなどのニトリル類、ピリジンなどの第３級ア
ミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）などの酸ア
ミド類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラ
ンなどの含硫黄化合物などを挙げることができる。
溶媒を使用して行ってもよい。溶媒を使用する場合、溶
媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素類、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、ジ
クロロエタン（ＥＤＣ）、クロロベンゼンなどのハロゲ
ン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エチレングリコールジメチ
ルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、アセ
トニトリルなどのニトリル類、ピリジンなどの第３級ア
ミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）などの酸ア
ミド類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラ
ンなどの含硫黄化合物などを挙げることができる。
【００２６】また、使用される塩基としては、例えば、
ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソ
プロピルアミン、ジブチルアミン、ジアミルアミン、プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ア
ミルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチ
ルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アリルアミ
ン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、シクロプロピ
ルアミン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、アニリン、Ｎ−メチルアニ
リン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−エチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリンなどの有機塩基、あるい
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムなどの無機塩基などを挙げることがで
きる。
ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソ
プロピルアミン、ジブチルアミン、ジアミルアミン、プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ア
ミルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチ
ルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アリルアミ
ン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、シクロプロピ
ルアミン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、アニリン、Ｎ−メチルアニ
リン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−エチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリンなどの有機塩基、あるい
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムなどの無機塩基などを挙げることがで
きる。
【００２７】塩基の使用量は、通常、一般式［ＩＩ］で
示される置換安息香酸誘導体１当量に対して１．０当量
〜８．０当量、好ましくは２．０当量〜６．０当量、さ
らに好ましくは２．５当量〜５．０当量使用するのがよ
い。この範囲より少ない場合には、反応が充分に進行せ
ず、収率低下の原因となり、経済的に不利となり、ま
た、未反応の一般式［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘
導体および未反応の一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢
酸エステル誘導体の除去あるいは回収のために後処理工
程に負荷がかかるため、好ましくない。また、この範囲
より多く使用しても、目的とする一般式［Ｉ］で示され
る置換ベンゼンカルボン酸誘導体の収量にほとんど変化
はなく、過剰に添加した塩基が、未反応のまま、多量に
残るだけであり、経済的に不利となり、また、未反応の
塩基の除去のために後処理工程に負荷がかかるため、好
ましくない。
示される置換安息香酸誘導体１当量に対して１．０当量
〜８．０当量、好ましくは２．０当量〜６．０当量、さ
らに好ましくは２．５当量〜５．０当量使用するのがよ
い。この範囲より少ない場合には、反応が充分に進行せ
ず、収率低下の原因となり、経済的に不利となり、ま
た、未反応の一般式［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘
導体および未反応の一般式［ＩＩＩ］で示されるハロ酢
酸エステル誘導体の除去あるいは回収のために後処理工
程に負荷がかかるため、好ましくない。また、この範囲
より多く使用しても、目的とする一般式［Ｉ］で示され
る置換ベンゼンカルボン酸誘導体の収量にほとんど変化
はなく、過剰に添加した塩基が、未反応のまま、多量に
残るだけであり、経済的に不利となり、また、未反応の
塩基の除去のために後処理工程に負荷がかかるため、好
ましくない。
【００２８】また、反応温度は、通常、−５０℃〜１５
０℃、好ましくは−３０℃〜１３０℃、さらに好ましく
は−１０℃〜１００℃とするのがよい。この範囲より低
い温度の場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の
原因となり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度
が低下して反応終了までに長時間を要するなどの問題を
生ずる場合があり、好ましくない。また、この範囲より
高い温度の場合には、反応中に分解などが起こる場合が
あり、収率低下の原因となり、経済的に不利となり、ま
た、分解生成物などの除去のために後処理工程に負荷が
かかるため、好ましくない。
０℃、好ましくは−３０℃〜１３０℃、さらに好ましく
は−１０℃〜１００℃とするのがよい。この範囲より低
い温度の場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の
原因となり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度
が低下して反応終了までに長時間を要するなどの問題を
生ずる場合があり、好ましくない。また、この範囲より
高い温度の場合には、反応中に分解などが起こる場合が
あり、収率低下の原因となり、経済的に不利となり、ま
た、分解生成物などの除去のために後処理工程に負荷が
かかるため、好ましくない。
【００２９】本発明の製造法においては、反応終了後、
水を加えて有機溶媒で抽出し、抽出液を水または飽和食
塩水で洗浄し、抽出液を乾燥、濃縮などの後処理を行う
か、あるいは、反応液を濃縮するか、または、濃縮せ
ず、そのまま、水に投入することにより粗生成物を得る
ことができる。
水を加えて有機溶媒で抽出し、抽出液を水または飽和食
塩水で洗浄し、抽出液を乾燥、濃縮などの後処理を行う
か、あるいは、反応液を濃縮するか、または、濃縮せ
ず、そのまま、水に投入することにより粗生成物を得る
ことができる。
【００３０】得られた粗生成物は、必要に応じて再結
晶、カラムクロマトグラフィーなどの精製操作を行い、
目的の一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体を得ることができる。
晶、カラムクロマトグラフィーなどの精製操作を行い、
目的の一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体を得ることができる。
【００３１】なお、上記反応の出発物質である一般式
［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘導体は、例えば、Ｕ
ＳＰ−３７８００２７に記載の製造法によって製造され
る一般式［ＩＶ］
［ＩＩ］で示される置換安息香酸誘導体は、例えば、Ｕ
ＳＰ−３７８００２７に記載の製造法によって製造され
る一般式［ＩＶ］
【００３２】
【化１２】
【００３３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わす。］で
示される５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ
安息香酸を一般式［Ｖ］
示される５−塩化スルホニル−２−フルオロ−４−ハロ
安息香酸を一般式［Ｖ］
【００３４】
【化１３】
【００３５】［式中、Ｒ4は低級アルキル基を表わ
す。］で示される低級アルキルカルボン酸、赤リンおよ
びヨウ素系触媒の存在下、還元することにより製造する
ことができる。
す。］で示される低級アルキルカルボン酸、赤リンおよ
びヨウ素系触媒の存在下、還元することにより製造する
ことができる。
【００３６】本発明の化合物である一般式［Ｉ］
【００３７】
【化１４】
【００３８】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体は、例えば、下記ルートにより、優れた除
草活性を有するＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロ
フタラミン酸誘導体へと誘導できる。
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される新規な置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体は、例えば、下記ルートにより、優れた除
草活性を有するＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロ
フタラミン酸誘導体へと誘導できる。
【００３９】すなわち、一般式［Ｉ］
【００４０】
【化１５】
【００４１】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体を塩素化することにより一般式［ＶＩ］
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される置換ベンゼンカルボン酸
誘導体を塩素化することにより一般式［ＶＩ］
【００４２】
【化１６】
【００４３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される置換ベンゼンカルボニル
クロリド誘導体を得、これと無機アジ化物とを反応させ
ることにより一般式［ＶＩＩ］
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される置換ベンゼンカルボニル
クロリド誘導体を得、これと無機アジ化物とを反応させ
ることにより一般式［ＶＩＩ］
【００４４】
【化１７】
【００４５】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される酸アジド誘導体を得、こ
れを一般式［ＶＩＩＩ］
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わす。］で示される酸アジド誘導体を得、こ
れを一般式［ＶＩＩＩ］
【００４６】
【化１８】
【００４７】［式中、Ｒ2は低級アルキル基または置換
もしくは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるカ
ルボン酸誘導体、または、一般式［ＩＸ］
もしくは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるカ
ルボン酸誘導体、または、一般式［ＩＸ］
【００４８】
【化１９】
【００４９】［式中、Ｒ2は低級アルキル基または置換
もしくは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるカ
ルボン酸無水物誘導体の存在下、分解することにより一
般式［Ｘ］
もしくは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるカ
ルボン酸無水物誘導体の存在下、分解することにより一
般式［Ｘ］
【００５０】
【化２０】
【００５１】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるアニリ
ド誘導体を得、これを本発明者らが既に提案した平成６
年特許願第４２０５号に記載の方法にしたがい、脱水塩
素化剤の存在下で反応させることにより一般式［ＸＩ］
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるアニリ
ド誘導体を得、これを本発明者らが既に提案した平成６
年特許願第４２０５号に記載の方法にしたがい、脱水塩
素化剤の存在下で反応させることにより一般式［ＸＩ］
【００５２】
【化２１】
【００５３】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるイミド
イルクロリド誘導体とし、これと一般式［ＸＩＩ］
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わす。］で示されるイミド
イルクロリド誘導体とし、これと一般式［ＸＩＩ］
【００５４】
【化２２】
【００５５】［式中、Ｒ3は低級アルコキシ基、低級ア
ルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級アル
コキシアルコキシ基または低級アルコキシカルボニルア
ルコキシ基を表わす。］で示されるカルボン酸誘導体と
を脱酸剤の存在下、反応させることにより、一般式［Ｘ
ＩＩＩ］
ルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級アル
コキシアルコキシ基または低級アルコキシカルボニルア
ルコキシ基を表わす。］で示されるカルボン酸誘導体と
を脱酸剤の存在下、反応させることにより、一般式［Ｘ
ＩＩＩ］
【００５６】
【化２３】
【００５７】［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わし、Ｒ3は低級アルコキ
シ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ
基、低級アルコキシアルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアルコキシ基を表わす。］で示されるＮ−ア
シル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体へ
と誘導できる。
は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低
級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わ
す。）を表わし、Ｒ2は低級アルキル基または置換もし
くは非置換のフェニル基を表わし、Ｒ3は低級アルコキ
シ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ
基、低級アルコキシアルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアルコキシ基を表わす。］で示されるＮ−ア
シル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体へ
と誘導できる。
【００５８】上記の一般式［ＸＩＩＩ］で示されるＮ−
アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体
は、優れた除草活性を有し、畑地、水田、果樹、牧草
地、芝生地、森林あるいは非農耕地などに広く適用でき
るものであり、かつ、作物に対して高い安全性を示す化
合物である。したがって、本発明の一般式［Ｉ］で示さ
れる新規化合物である置換ベンゼンカルボン酸誘導体
は、除草剤として有用な化合物である一般式［ＸＩＩ
Ｉ］で示されるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロ
フタラミン酸誘導体の製造中間体として有用な化合物で
あり、また、本発明の製造法は、その一般式［Ｉ］で示
される置換ベンゼンカルボン酸誘導体を容易に製造する
ことができる製造法として有用である。
アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体
は、優れた除草活性を有し、畑地、水田、果樹、牧草
地、芝生地、森林あるいは非農耕地などに広く適用でき
るものであり、かつ、作物に対して高い安全性を示す化
合物である。したがって、本発明の一般式［Ｉ］で示さ
れる新規化合物である置換ベンゼンカルボン酸誘導体
は、除草剤として有用な化合物である一般式［ＸＩＩ
Ｉ］で示されるＮ−アシル−Ｎ−フェニルテトラヒドロ
フタラミン酸誘導体の製造中間体として有用な化合物で
あり、また、本発明の製造法は、その一般式［Ｉ］で示
される置換ベンゼンカルボン酸誘導体を容易に製造する
ことができる製造法として有用である。
【００５９】
【実施例】以下、実施例および参考例により本発明を具
体的に説明する。参考例１ ５−塩化スルホニル−４−クロロ−２−フルオロ安息香
酸の製造（一般式［ＩＶ］で示される化合物） 氷冷下、４−クロロ−２−フルオロ安息香酸７．２ｇ
（４１．４ｍｍｏｌ）をクロロ硫酸２５．０ｇに加え
た。室温まで昇温し、３０分間反応させ、次いで１２０
℃まで昇温し、４時間反応させた。反応液を室温まで冷
却し、氷水に注ぎ込み、これを酢酸エチル１００ｍｌで
２回抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、粗
生成物を得た。
体的に説明する。参考例１ ５−塩化スルホニル−４−クロロ−２−フルオロ安息香
酸の製造（一般式［ＩＶ］で示される化合物） 氷冷下、４−クロロ−２−フルオロ安息香酸７．２ｇ
（４１．４ｍｍｏｌ）をクロロ硫酸２５．０ｇに加え
た。室温まで昇温し、３０分間反応させ、次いで１２０
℃まで昇温し、４時間反応させた。反応液を室温まで冷
却し、氷水に注ぎ込み、これを酢酸エチル１００ｍｌで
２回抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、粗
生成物を得た。
【００６０】得られた粗生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エ
チルより再結晶し、目的の５−塩化スルホニル−４−ク
ロロ−２−フルオロ安息香酸７．４ｇを得た。 融点＝１４９．０℃〜１５０．０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ７．５４（ｄ，Ｊ＝９．７Ｈｚ，１Ｈ），８．８５
（ｄ，Ｊ＝１３．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．７４（ｂｓ，
１Ｈ）参考例２ ５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息香酸
の製造（一般式［ＩＩ］で示される化合物） ５−塩化スルホニル−４−クロロ−２−フルオロ安息香
酸７．６７ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）、赤リン２．２０ｇ
（７０．２ミリグラム原子）およびヨウ素０．１５ｇ
（０．５６ｍｍｏｌ）を酢酸８０ｍｌ中に混合し、１０
０℃〜１１０℃で３時間反応させた。反応液を室温まで
冷却し、未反応の赤リンをろ別した後、ろ液を濃縮し、
残渣を氷水に注ぎ込み、これを酢酸エチル１００ｍｌで
２回抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、粗
生成物を得た。
チルより再結晶し、目的の５−塩化スルホニル−４−ク
ロロ−２−フルオロ安息香酸７．４ｇを得た。 融点＝１４９．０℃〜１５０．０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ７．５４（ｄ，Ｊ＝９．７Ｈｚ，１Ｈ），８．８５
（ｄ，Ｊ＝１３．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．７４（ｂｓ，
１Ｈ）参考例２ ５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息香酸
の製造（一般式［ＩＩ］で示される化合物） ５−塩化スルホニル−４−クロロ−２−フルオロ安息香
酸７．６７ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）、赤リン２．２０ｇ
（７０．２ミリグラム原子）およびヨウ素０．１５ｇ
（０．５６ｍｍｏｌ）を酢酸８０ｍｌ中に混合し、１０
０℃〜１１０℃で３時間反応させた。反応液を室温まで
冷却し、未反応の赤リンをろ別した後、ろ液を濃縮し、
残渣を氷水に注ぎ込み、これを酢酸エチル１００ｍｌで
２回抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、粗
生成物を得た。
【００６１】得られた粗生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エ
チルより再結晶し、目的の５−アセチルチオ−４−クロ
ロ−２−フルオロ安息香酸６．８５ｇを得た。 融点＝１４０．０℃〜１４１．５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ２．５０（ｓ，３Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈ
ｚ，１Ｈ），８．１９（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），
１１．２９（ｂｓ，１Ｈ）実施例１ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸の製造（一般式［Ｉ］で示される化合
物） ５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息香酸
７．４０ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、ブロモ酢酸メチル
６．８８ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）、メタノール３５ｍｌ
を混合し、水酸化カリウム５．８９ｇ（１０５ｍｍｏ
ｌ）を水７ｍｌに溶解した溶液を５℃〜１０℃で滴下し
た。滴下終了後、１５℃〜２０℃で１時間反応させ、氷
水に注ぎ込んだ。濃塩酸でｐＨ＝１〜２に調整後、酢酸
エチルで抽出し、抽出液を水および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留
去し、粗生成物を得た。
チルより再結晶し、目的の５−アセチルチオ−４−クロ
ロ−２−フルオロ安息香酸６．８５ｇを得た。 融点＝１４０．０℃〜１４１．５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ２．５０（ｓ，３Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈ
ｚ，１Ｈ），８．１９（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），
１１．２９（ｂｓ，１Ｈ）実施例１ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸の製造（一般式［Ｉ］で示される化合
物） ５−アセチルチオ−４−クロロ−２−フルオロ安息香酸
７．４０ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、ブロモ酢酸メチル
６．８８ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）、メタノール３５ｍｌ
を混合し、水酸化カリウム５．８９ｇ（１０５ｍｍｏ
ｌ）を水７ｍｌに溶解した溶液を５℃〜１０℃で滴下し
た。滴下終了後、１５℃〜２０℃で１時間反応させ、氷
水に注ぎ込んだ。濃塩酸でｐＨ＝１〜２に調整後、酢酸
エチルで抽出し、抽出液を水および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留
去し、粗生成物を得た。
【００６２】得られた粗生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エ
チルより再結晶し、目的の４−クロロ−２−フルオロ−
５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香酸７．６９ｇ
を得た。
チルより再結晶し、目的の４−クロロ−２−フルオロ−
５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香酸７．６９ｇ
を得た。
【００６３】融点＝１４７．０℃〜１４９．０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ３．７２（ｓ，２Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），７．３
１（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．１５（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．１（ｂｓ，１Ｈ）参考例３ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸クロリドの製造（一般式［ＶＩ］で示
される化合物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸８．１７ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）、塩
化チオニル６６．４ｇ（５５８ｍｍｏｌ）を混合し、還
流下に２時間反応させ、過剰の塩化チオニルおよび揮発
成分を留去し、残渣をｎ−ヘキサン／ベンゼンより再結
晶して、目的の４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキ
シカルボニルメチルチオ安息香酸クロリド６．２ｇを得
た。
１（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．１５（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．１（ｂｓ，１Ｈ）参考例３ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸クロリドの製造（一般式［ＶＩ］で示
される化合物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸８．１７ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）、塩
化チオニル６６．４ｇ（５５８ｍｍｏｌ）を混合し、還
流下に２時間反応させ、過剰の塩化チオニルおよび揮発
成分を留去し、残渣をｎ−ヘキサン／ベンゼンより再結
晶して、目的の４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキ
シカルボニルメチルチオ安息香酸クロリド６．２ｇを得
た。
【００６４】融点＝７８．０℃〜８０．０℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ３．７２（ｓ，２Ｈ），３．７７（ｓ，３Ｈ），７．３
２（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．２１（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）参考例４ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸アジドの製造（一般式［ＶＩＩ］で示
される化合物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸クロリド５．５０ｇ（１８．５ｍｍｏ
ｌ）をアセトン４０ｍｌに溶解し、水７ｍｌに溶解した
アジ化ナトリウム１．２ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）を０℃
〜５℃で滴下し、滴下終了後、０℃〜５℃で２０分間反
応させた。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ込み、析出
した生成物をろ集し、乾燥して、目的の４−クロロ−２
−フルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸アジド５．２６ｇを得た。
２（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．２１（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）参考例４ ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸アジドの製造（一般式［ＶＩＩ］で示
される化合物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸クロリド５．５０ｇ（１８．５ｍｍｏ
ｌ）をアセトン４０ｍｌに溶解し、水７ｍｌに溶解した
アジ化ナトリウム１．２ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）を０℃
〜５℃で滴下し、滴下終了後、０℃〜５℃で２０分間反
応させた。反応終了後、反応液を氷水に注ぎ込み、析出
した生成物をろ集し、乾燥して、目的の４−クロロ−２
−フルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオ安息香
酸アジド５．２６ｇを得た。
【００６５】 融点＝６９．０〜７０．０℃（ｄｅｃｏｍｐ．）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ） ３．６９（ｓ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ），７．２
８（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．０４（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）参考例５ ５−アセチルアミノ−２−クロロ−４−フルオロフェニ
ルチオ酢酸メチルの製造（一般式［Ｘ］で示される化合
物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸アジド１．０ｇ（３．２９ｍｍｏｌ）
を酢酸７ｍｌに溶解し、室温下で濃硫酸２滴を滴下した
後、７０℃まで加温し、２時間反応させた。反応終了
後、室温まで冷却し、反応液を濃縮し、残渣を氷水に注
ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
下、溶媒を留去し、結晶を得た。酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サンより再結晶を行い、目的の５−アセチルアミノ−２
−クロロ−４−フルオロフェニルチオ酢酸メチル０．５
１ｇを得た。
８（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ），８．０４（ｄ，Ｊ
＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）参考例５ ５−アセチルアミノ−２−クロロ−４−フルオロフェニ
ルチオ酢酸メチルの製造（一般式［Ｘ］で示される化合
物） ４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボニルメ
チルチオ安息香酸アジド１．０ｇ（３．２９ｍｍｏｌ）
を酢酸７ｍｌに溶解し、室温下で濃硫酸２滴を滴下した
後、７０℃まで加温し、２時間反応させた。反応終了
後、室温まで冷却し、反応液を濃縮し、残渣を氷水に注
ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
下、溶媒を留去し、結晶を得た。酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サンより再結晶を行い、目的の５−アセチルアミノ−２
−クロロ−４−フルオロフェニルチオ酢酸メチル０．５
１ｇを得た。
【００６６】参考例６ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボ
ニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロリド
の製造（一般式［ＸＩ］で示される化合物） ５−アセチルアミノ−２−クロロ−４−フルオロフェニ
ルチオ酢酸メチル１０ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）と五塩化
リン７．１４ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）を２５０ｍｌのベ
ンゼンに懸濁させ、６０℃に加温し、１時間撹拌した。
反応後、反応液を減圧下、濃縮し、定量的に、油状物と
してＮ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカ
ルボニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロ
リドを得た。
ニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロリド
の製造（一般式［ＸＩ］で示される化合物） ５−アセチルアミノ−２−クロロ−４−フルオロフェニ
ルチオ酢酸メチル１０ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）と五塩化
リン７．１４ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）を２５０ｍｌのベ
ンゼンに懸濁させ、６０℃に加温し、１時間撹拌した。
反応後、反応液を減圧下、濃縮し、定量的に、油状物と
してＮ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカ
ルボニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロ
リドを得た。
【００６７】参考例７ Ｎ−アセチル−Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−
メトキシカルボニルメチルチオフェニル）−３，４，
５，６−テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルの製
造（一般式［ＸＩＩＩ］で示される化合物） Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボ
ニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロリド
１０．６ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）と３，４，５，６−テ
トラヒドロフタラミン酸モノメチルエステル６．９５ｇ
（３７．７ｍｍｏｌ）をベンゼン５０ｍｌに溶解し、ベ
ンゼン１０ｍｌに溶解したトリエチルアミン４．１６ｇ
（４１．２ｍｍｏｌ）を１０℃以下で滴下した。滴下
後、６０℃で３時間、撹拌した。放冷後、水、飽和食塩
水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
濃縮し、結晶を得た。メタノールより再結晶を行い、
５．０９ｇのＮ−アセチル−Ｎ−（４−クロロ−２−フ
ルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオフェニル）
−３，４，５，６−テトラヒドロフタラミン酸メチルエ
ステルを得た。
メトキシカルボニルメチルチオフェニル）−３，４，
５，６−テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルの製
造（一般式［ＸＩＩＩ］で示される化合物） Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキシカルボ
ニルメチルチオフェニル）−アセトイミドイルクロリド
１０．６ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）と３，４，５，６−テ
トラヒドロフタラミン酸モノメチルエステル６．９５ｇ
（３７．７ｍｍｏｌ）をベンゼン５０ｍｌに溶解し、ベ
ンゼン１０ｍｌに溶解したトリエチルアミン４．１６ｇ
（４１．２ｍｍｏｌ）を１０℃以下で滴下した。滴下
後、６０℃で３時間、撹拌した。放冷後、水、飽和食塩
水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
濃縮し、結晶を得た。メタノールより再結晶を行い、
５．０９ｇのＮ−アセチル−Ｎ−（４−クロロ−２−フ
ルオロ−５−メトキシカルボニルメチルチオフェニル）
−３，４，５，６−テトラヒドロフタラミン酸メチルエ
ステルを得た。
【００６８】
【発明の効果】本発明の一般式［Ｉ］で示される置換ベ
ンゼンカルボン酸誘導体は、農薬、医薬など、例えば、
除草剤として有用な化合物であるＮ−アシル−Ｎ−フェ
ニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体などの中間体とし
て有用な化合物であり、また、本発明の製造法により、
その一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸誘
導体を容易に製造することができる。
ンゼンカルボン酸誘導体は、農薬、医薬など、例えば、
除草剤として有用な化合物であるＮ−アシル−Ｎ−フェ
ニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体などの中間体とし
て有用な化合物であり、また、本発明の製造法により、
その一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカルボン酸誘
導体を容易に製造することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1は−ＣＨＲ5Ｃ
Ｏ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低級アルキル基
を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わす。）を表わ
す。］で示される新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導
体。 - 【請求項２】一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体が４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキ
シカルボニルメチルチオ安息香酸である請求項１に記載
の新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導体。 - 【請求項３】一般式［ＩＩ］ 【化２】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ4は低級アルキ
ル基を表わす。］で示される置換安息香酸誘導体と一般
式［ＩＩＩ］ 【化３】 ［式中、Ｈａｌ−は塩素原子または臭素原子を表わし、
Ｒ1は−ＣＨＲ5ＣＯ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子また
は低級アルキル基を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表
わす。）を表わす。］で示されるハロ酢酸エステル誘導
体とを塩基の存在下、反応させることを特徴とする一般
式［Ｉ］ 【化４】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を表わし、Ｒ1は−ＣＨＲ5Ｃ
Ｏ2Ｒ6（ただし、Ｒ5は水素原子または低級アルキル基
を表わし、Ｒ6は低級アルキル基を表わす。）を表わ
す。］で示される新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導体
の製造法。 - 【請求項４】一般式［Ｉ］で示される置換ベンゼンカル
ボン酸誘導体が４−クロロ−２−フルオロ−５−メトキ
シカルボニルメチルチオ安息香酸である請求項３に記載
の新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導体の製造法。 - 【請求項５】塩基が水酸化カリウムである請求項３また
は請求項４に記載の新規な置換ベンゼンカルボン酸誘導
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28093994A JPH08143536A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 置換ベンゼンカルボン酸誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28093994A JPH08143536A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 置換ベンゼンカルボン酸誘導体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08143536A true JPH08143536A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=17632028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28093994A Pending JPH08143536A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 置換ベンゼンカルボン酸誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08143536A (ja) |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP28093994A patent/JPH08143536A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002338516A (ja) | ２−ハロゲン化安息香酸類の製造方法 | |
| JP2021066723A (ja) | ｍ−ジアミド化合物の調製方法 | |
| JP2009242244A (ja) | ピラジン誘導体類の製造方法及びその中間体類 | |
| AU2006240772B2 (en) | Method for producing nicotinic acid derivative or salt thereof | |
| JP3002791B2 (ja) | ベンジルフェニルケトン誘導体 | |
| KR100519420B1 (ko) | 헤테로아릴카복실아미드및에스테르의제조방법 | |
| EP1807401B1 (en) | Process for the preparation of phenyl 2-pyrimidinyl ketones and their novel intermediates | |
| PL191371B1 (pl) | Sposób wytwarzania pochodnych pirydyno-2,3-dikarboksylanów | |
| JPH08143536A (ja) | 置換ベンゼンカルボン酸誘導体およびその製造法 | |
| RU2626957C2 (ru) | 2,6 -дигалоген-5-алкокси-4-замещенные-пиримидины, пиримидинкарбальдегиды и способы получения и применения | |
| JP2991832B2 (ja) | ピリミジン誘導体の製造方法 | |
| JPH08143540A (ja) | 置換安息香酸誘導体およびその製造法 | |
| JPH08143537A (ja) | 置換ベンゼンカルボニルクロリド誘導体およびその製造法 | |
| JP4901481B2 (ja) | チオカルバメート誘導体の製造方法 | |
| JPH08143538A (ja) | 酸アジド誘導体およびその製造法 | |
| JPH04139170A (ja) | 置換ピリジンスルホニルカーバメート系化合物及びその製造方法並びに置換ピリジンスルホンアミド系化合物の製造方法 | |
| JPH08259521A (ja) | 置換安息香酸クロリド誘導体およびその製造法 | |
| JP2632732B2 (ja) | Ｎ―（３’，４’―ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸の製造方法 | |
| JP3376481B2 (ja) | ヘキサヒドロピリダジンの製造法 | |
| JPH08259522A (ja) | イミド誘導体およびその製造法 | |
| JP4000758B2 (ja) | ２−（５−ハロゲノ−２−ニトロフェニル）−２−置換酢酸エステル誘導体の製造法 | |
| JPH08259524A (ja) | 酸アジド誘導体およびその製造法 | |
| JP4449211B2 (ja) | ６−（１−フルオロエチル）−５−ヨード−４−ピリミドン及びその製法 | |
| JPH08259523A (ja) | アニリド誘導体の製造法 | |
| JPH0812658A (ja) | シドノン類の製造法 |